JP6170879B2 - 歪みゲージ圧力センサ - Google Patents

Description

本発明は、電気信号を生成するために流体システムの圧力変化を感知する歪みゲージ技術を実施する圧力トランスデューサに関し、このトランスデューサを組み立てるためのパッケージ構造および方法に関する。

マイクロフューズドシリコン歪みゲージ技術を組み込む圧力感知トランスデューサは、多くの環境で、また様々な用途で使用が増加している。トランスデューサは、空間的な制限が１つの要因となる環境でたびたび使用され、この結果、このトランスデューサはサイズが小さいことが望ましく、例えば、直径約１センチメートル以下（例えば、６〜８ｍｍ）程度で、直径の約２〜３倍の長さとすることができる。このようなトランスデューサの多くの用途は、自動車産業において、例えば、燃料システム、ブレーキシステム、車両安定システム等の圧力を感知するものを含む。このトランスデューサは、通常、監視されるべき圧力源（圧力環境）を圧力反応ダイアフラムに伝える、少なくとも１つの流体通路を含む。歪みゲージのような少なくとも１つの感知素子は、通常このダイアフラムの表面に搭載され、ダイアフラムの撓みに応答する。歪みゲージは、トランスデューサハウジング内に搭載されたプリント回路基板上の導体パッドに細長いワイヤにより接続される。回路基板は電子部品および回路を備えて、監視されているシステムの流体圧力を示す電気的出力信号を生成する。回路基板からの出力信号は、トランスデューサのハウジングを介して利用可能な電気的接続により、トランスデューサの外部で取り出される。ハウジング内のトランスデューサの構成要素の形状は、トランスデューサ全体のサイズに影響を与え、トランスデューサの性能および機能を損なうことなく、パッケージ全体のサイズを削減することができるように、これらの構成要素をパッケージングすることが望ましい。さらに、トランスデューサの内部構成要素の配置は、トランスデューサの完全性および信頼性に影響を与えることがある。本発明は、このようなトランスデューサの改良された構造および方法を提供する。

トランスデューサの組み立ては、一体型のベースを含む圧力ポートおよびこのベースから延在するネックを備える。ベースは、圧力環境と関連する、もしくは、圧力環境を含むかまたは圧力環境に通じるその他の装置と関連する接続金具に接続可能である。圧力ポートのベースは、圧力環境に通じるように構成された開口部を有し、内部の流体通路はこの開口部からネックへ延在する。ネックの一部が、流体通路内の流体圧力の変動に応答して弾性的に撓むことのできる薄い弾性のダイアフラムを、ネックの側部に沿って規定するように、流体通路およびネックは構成される。ダイアフラムは、トランスデューサの縦軸に沿って、またはこれと実質的に平行に延在する面に沿って置かれるように構成される。１つまたは複数の歪みゲージがダイアフラムの外面に固定され、圧力環境の流体圧力に応じたダイアフラム上の歪みに応答するように構成される。

プリント回路基板を含む電子部品パッケージは、導電性リードフレームおよび一体型の非導電性支持レフームから成る支持アセンブリを含む配置により、トランスデューサ内に支持される。トランスデューサ用の回路を含むプリント回路基板は、金属製のリードフレームに搭載される。支持アセンブリは、圧力ポートのベース部分に搭載され、ダイアフラムを含め、圧力ポートのネックを受け取る。支持アセンブリは、プリント回路基板を支持するように圧力ポートに対して配置されるので、それにより、歪みゲージに接続される、ＰＣ基板上のワイヤボンディングパッドは、ダイアフラムの表面およびダイアフラムに搭載される歪みゲージに実質的に平行な面に沿って配置される。ＰＣ基板は、好ましくは、ワイヤボンディングパッドにより歪みゲージに近接して配置される。ＰＣ基板のワイヤボンディングパッドの表面を、ダイアフラムの表面および歪みゲージに実質的に平行に配置することにより、従来のワイヤボンディングパッド機構を用いた、歪みゲージに対するＰＣ基板のワイヤボンディングが容易となる。この配置は、より短いボンディングワイヤの使用を可能にし、これらに関連するＰＣ基板上の導体パッドおよび歪みゲージに対して、ボンディングワイヤを電気的および機械的により確実に接続することを提供する。さらに、ダイアフラム、歪みゲージおよびＰＣ基板のワイヤボンディングパッドを平行な面に配向することにより、歪みゲージとＰＣ基板のワイヤボンディングパッドを電気的に接続するための設計および組立方法が簡略化する。この配置により、ＰＣ基板はトランスデューサの縦方向に延在することができ、これによりＰＣ基板がダイアフラムの表面および歪みゲージに垂直に配向された場合に結果的に生じる、ＰＣ基板のサイズの制限を避けることができる。

本発明の目的および利点は、添付の図面を参照して、本発明の以下の説明からさらに十分に理解されよう。

代表的なトランスデューサの等角図である。

図１に示したトランスデューサのベースの底部の図である。

図１のトランスデューサの頂部の平面図である。

長手方向の直径面に沿った、トランスデューサの一実施形態の縦断面図である。

図４の実施形態の支持アセンブリの等角図である。

図４の実施形態のリードフレームの等角図である。

図５と同様であるが、図５の支持アセンブリに搭載されたプリント回路基板を備える図である。

圧力孔の一実施形態の等角図である。

図８の圧力孔の縦断面図である。

本発明の原則を包含するトランスデューサの別の実施形態の縦断面図である。

カバーが取り除かれた状態の、図１０の組み立てられた実施形態の図である。

図１０の圧力孔の等角図である。

図１０の圧力孔の縦断面図である。

本発明の第３の実施形態の側面図である。

図１４の実施形態の縦断面図である。

リードフレームが支持フレームに取り付けられた、図１５の支持アセンブリの等角図である。

図１４〜図１６のリードフレームの等角図である。

図１５の圧力孔の等角図である。

図１５の圧力孔の断面図である。

圧力孔の別の実施形態の等角図である。

図２０の圧力孔の縦断面図である。

図２０の圧力孔を使用するトランスデューサの縦断面図である。

ＰＣ基板のワイヤボンディングパッドおよびダイアフラムが平行に、離間された平面に置かれ、歪みゲージとＰＣ基板のボンディングパッドとの間のワイヤボンディングが効果的である方法を示す、代表的なトランスデューサの等角図である。

図１は、圧力ポート１２と、圧力ポートのベース１６に取り付けられ、かつ出力信号が送信および利用され得る電気接点またはコネクタ内の上端１８で終端する、上方に延在するハウジング１４とを有するトランスデューサ１０を示す。この実施形態では、電気接点は、装置の上端に形成されたソケット２２を介してアクセス可能な接触パッド２０の形状とすることができる。

図４、図８および図９に示すように、圧力ポート１２は、様々な材料から単一のモノリシックの部分として形成されることができ、その材料は１７‐４ステンレス鋼であることが好ましい。圧力ポートは、ベース１６および上方に延在するネック２４を含む。ベース１６およびネック２４の下部は、閉じた上端２８で終端する流体通路２６を含むように形成される。ネックの下部は、１つまたは複数の歪みゲージ（３２に鎖線で示す）が搭載されるネックの側部に沿った平坦な外面３０を含むように形成される。流体通路２６の少なくとも上部は、平面３０と協働する平坦な内面３３を規定する断面を有するように形成されて、薄くフレキシブルなダイアフラム３４をネックの領域に沿って規定する。この実施形態では、通路の断面は、図２に示すように長楕円とすることができる。通路の長楕円の断面形状は、ベースおよびネックの下部を介して孔を開け、かつ穴開けツールを水平方向に移動させることによって形成され得る。通路の長楕円の断面により、平坦な外面３０と協働する長手方向に延在する平坦な内面３３は、ダイアフラム３４の細長の構成を規定することができる。

ネック２４の上部は平坦であり、かつ平面３０の面から窪むことができ、図４に示すように、プリント回路基板３８上に搭載された電気部品３６に空間を提供することができる。ネック２４の最上部は、支持アッセンブリをネックに固定するのに役立つように使用され得るスナップインコネクタ素子４０を規定するように形成されることができる。

図５は、ＰＣ基板３８をトランスデューサ内で支持する支持アセンブリ４２を示す。支持アセンブリ４２は、導電性リードフレーム４４および非導電性支持フレーム４６を含み、これらは相互に一体に固定される。リードフレームは、導電性がありかつ十分に構造的に堅牢な適切な材料から形成されることができる。例えば、リードフレームは、１枚のシート状のステンレス鋼からスタンピングされかつ形成され得る。リードフレームは、めっきされることが望ましい部分を有して、この部分の電気的な導電性を増大させることができる。支持フレームは、例えば液晶ポリマーのような、任意の様々なポリマー材料または設計材料から形成されることができる。リードフレームは、支持フレームと共にインサート成型されることができる。装置が組み立てられると、支持アッセンブリ４２は、圧力ポート１２のネック２４の周辺に配置され、下端はベース１６に固定される。この実施形態では、リードフレーム４４の下端の弓形のセグメント４８は支持アセンブリ４２の下端を規定する。弓形のセグメント４８は、ベース１６の輪郭と一致し、レーザー溶接されるか、またはベースに固定されることができる。この実施形態では、支持フレーム４６は、リードフレーム４４の上端に取り付けられ、また、支持フレーム４６（図６）内に形成されたソケット２２を介してアクセス可能な接触パッド１８に接続された、いくつかの付随する導電性タブ５０を支持する。タブ５０は、リードフレーム４４の一部として初めに形成され、タブ５０を規定する部分が支持フレーム４６にしっかりと搭載された後に、フレームから切断される。切断されたタブ５０は、ＰＣ基板から、外部でアクセス可能な接触パッド２０までの電気的に絶縁された導電経路を提供する。

ＰＣ基板３８は、リードフレーム４４に、好ましくは両者の間をはんだ付け接続することによって取り付けられる。そのため、リードフレームに面するＰＣ基板の表面は、金属製の構造的に堅牢な面を含み、この面はリードフレームの直面する面５２にはんだ付けされることができる。リードフレームへの接続はまた、ＰＣ基板回路のための接地としての役割も果たすことができる。同様に、ＰＣ基板上に形成された接触パッドは、支持フレーム４６によって支持される導電性タブ５０と整合して配向され、これにより、接触パッドが導電性タブ５０にはんだ付けされることができる。リードフレームは、支持フレームおよびベースに固定され、これにより、ＰＣ基板が固定される直面する面５２は、ネックの平坦な面３０およびダイアフラム３４と平行である面に沿って位置するように配置される。図７は、適所に搭載されたＰＣ基板を有する支持アセンブリを示す。この実施形態では、ＰＣ基板は、基板の開口５６の周辺に配置されたいくつかのワイヤボンディングパッド５４を含む。開口５６は、歪みゲージ３２整合する（図４）。ボンディングパッド５４は、ダイアフラム３４の面および歪みゲージと平行な面に配置される。この配置により、ワイヤボンディングマシン（例えば、図２３参照）は、ボンディングワイヤ５５の端部をＰＣ基板の選択されたボンディングパッド５４に位置させかつ取り付けることができ、これらの端部を開口５６を通過させて、それらのもう一方の端部を歪みゲージ上の選択されたポイントに取り付けることができる。ワイヤボンディング接続が完了した後に、ワイヤ、歪みゲージおよびワイヤボンディングパッドは、接続を保護するために、ゲル５７または他の適切な材料で封止されることができる。歪みゲージ、ダイアフラムおよびＰＣ基板のワイヤボンディングパッドを平行な面に配向することによって、ＰＣ基板を歪みゲージに接続するために特別に設計されたコネクタ素子を有する必要がないという点で、トランスデューサの設計が簡素化される。

図１０から図１３は、圧力ポートを介する流体通路が異なる方法で形成され、圧力ポートのベースが圧力環境に通じる対応する接続金具と係合するように構成されるニップルを含むという点で、図１から図９とは異なる本発明の別の実施形態を示す。トランスデューサは、任意のタイプの圧力環境に接続するために様々に構成されるベースを有するように形成されることができ、また、特別に形成されたベースを含むことができ、図面に示されたこのようなベースが例示的なものに過ぎないことを理解すべきである。

図１２および図１３は、図１１の圧力ポート６０を示す。圧力ポートは、ベース６２と、ベース６２から上方へ延在するネック６４とを含むように形成される。ネック６４は、歪みゲージが搭載される平坦な外面６６を含むように形成される。流体通路６８は、ベースおよびネックの底部を介して長手方向に形成される。この実施形態において、通路断面は、流体通路６８がネックの下部の上部付近で終端していることを含む。ダイアフラム６９は、流体通路６８の上端に近接するネックの後部を介して孔７０を機械加工して、完成した内面７２を残すことによって、ネックの側部に沿って規定され、結果として生じるダイアフラム６９の厚さは、外面６６と内面７２の間の距離に対応する。孔７０はその後、例えばプラグ７４によって閉じられ、孔をしっかりと封止するように溶接されてもよい。ＰＣ基板３８に空間を提供するために、ネック６４の上部７５は、外面６６の平面から窪むことができる。この実施形態に示すように、ＰＣ基板３８の構成要素は、外側に面するように配置されることができる。この実施形態では、支持アセンブリ７６は、前述する実施形態の支持アセンブリと同様であり、必要であれば内部部品の寸法および構成に適用するように修正される。図１１および図１２に示すように、ＰＣ基板は、ダイアフラム６９と実質的に同じ面に置かれるワイヤボンディングパッド７８を備える。この実施形態では、ボンディングワイヤ７７は、比較的短くすることができ、比較的ほとんど曲げを必要とせず、これにより、ボンディング中および使用中のワイヤ損傷のリスクが減少する。

図１４から図１９は、圧力ポート８０が先端が削除されたネック８２を有する本発明の第３の実施形態を示す。圧力ポート８０が、相互に接合された、２つの別々に形成されたピースから作られることができることを、この実施形態は示している。これは例えば、ベースを介する流体通路の横断面が、ダイアフラムが規定されるネックの流体通路よりも小さくなければならない適用例において望ましい。この場合、ベース部８１が個別に形成されて、次いでネック部８２に接続され得る。ここで、ネックを介した通路８３は横断面を長楕円とすることができ、ベースを介した通路８５は、横断面を円形とすることができる。図１８および図１９に示すように、ダイアフラムは、ネック８２の平坦な外面８４に沿って規定される。ネックの上部８６は、ＰＣ基板上で支持される電気部品用にネック８２の上に空間を残すために短い。

支持アセンブリが図１６に示され、この支持アセンブリは、リードフレーム８８と、このリードフレームに組み込まれる支持フレームとを含む。図１６および図１７に示すように、この実施形態では、ワイヤボンディングパッド５４がネック８２の下部上のダイアフラム８４と平行な面に配置されるように、ＰＣ基板３４は支持される。この実施形態では、支持フレーム９０は、リードフレーム８８のほぼ全長に延在するように示されている。前述の実施形態のように、リードフレーム８８（図１７）は、ＰＣ基板がはんだ付けされ得るボンディング表面９２と、ＰＣ基板上の対応する接触パッドに接続可能な接触パッド９４およびタブ９６とを含む。この実施形態では、図１６および図１７に示すように、ダイアフラム８４の面およびＰＣ基板上のワイヤボンディングパッド５４の面は、相互にオフセットされた平行の面に配置される。

図２０、図２１および図２２は、図１５から図１９と同様に先端が削除されたネックを有するが、流体通路およびダイアフラムが図１１から図１４の実施形態と同様の方法で形成されている、本発明のさらに別の実施形態を示す。この実施形態では、ポート１００は、モノリシックのベース１０２およびネック１０４を含み、かつベースおよびネックの両方を貫通する通路１０６を有する一体構造とすることができる。ダイアフラム１０８は、通路１０６に通じ、ダイアフラム１０８の内面１１０を形成するように、ネック１０４の後部を介して開口を創出することによって形成される。開口は次いで、適所にレーザー溶接されるプラグ１０９によって密封される。この実施形態では、本発明の原理を包含するトランスデューサのすべての実施形態と同様に、リードフレーム１１２および支持フレーム１１４を含む支持アセンブリは、装置の構成要素を収容するための堅牢な支持を提供するように、また、特定の用途に必要とされるような電気的接続を提供するように構成される。この実施形態において、ダイアフラムおよび歪みゲージは、ＰＣ基板上のワイヤボンディングパッドとおおよそ同じ面に置かれて、上述の利点を達成することに留意されたい。

図２３は、アセンブリ工程のワイヤボンディングの部分の際の、図１４から図１９に示したようなトランスデューサを示す。ワイヤ１２２が案内される供給ヘッド１２０を有するコンピュータ制御の機械は、歪みゲージ３２と、ＰＣ基板３８上のワイヤボンディングパッド５４の間のワイヤボンディングをもたらす。機械は、近接する超音波ボンディングハンマー１２４を含む。供給ヘッドおよびボンディングハンマーは、ワイヤボンディングパッドおよび歪みゲージの面と平行の方向に移動可能であり、これらを、歪みゲージ上の特定の接触パッドまたは接触点に位置するように配向させる。供給パッドおよびハンマーは、ＰＣ基板上のボンディングパッドまたは歪みゲージ上のポイントに関してこれらを適切に位置決めする。機械は、供給ヘッドを介してある長さのワイヤを供給して、ワイヤの端部を歪みゲージ上の一点に配置し、超音波ハンマーが次いで下方にもたらされて、ワイヤを歪みゲージの接点にクランプする。クランプされると、超音波溶接エネルギーがハンマーに加えられて、ワイヤの端部を接蝕点に溶融させるのに十分な熱を発生させる。動作は、ワイヤのもう一方の端部に繰り返され、パッドに位置決めしてボンディングし、ワイヤ供給からワイヤを切断する。このプロセスは、歪みゲージをＰＣ基板上の残りのワイヤボンディングパッドに接続するように繰り返される。

“圧力環境”という用語が、任意の一定程度の高圧力または低圧力を示すようには意図されておらず、また、“頂部”、“底”、“上”、“低”、“前”、“後”のような方向を示す用語はトランスデューサの構成要素の相対的な配向を説明するように意図されており、表面構造またはともに使用されるシステムに関して、トランスデューサそれ自体の配向に言及するものではないことを理解すべきである。すべてのこのような用語は、本発明を説明する上で単に便宜のために使用される。

上記より、本発明は、感知素子に応答する出力信号を発生させるために、感知素子と電子回路の間の電気的な結合を簡素化する、圧力トランスデューサの構成要素を支持およびパッケージングするための配置および方法を提供することが理解されよう。本発明により、細長いワイヤがワイヤボンディングパッドと感知素子上の接点を結合することができ、ワイヤ損傷のリスクが減少する。

また、本発明の前述の説明は例示的であることを単に意図しており、他の実施形態、目的、利点等が本発明の原則を逸脱することなく当業者にとって明らかであることを理解すべきである。

Claims (20)

1. ベースと、当該ベースから上方に延在するネックを有する圧力ポートであって、前記ネックが側壁を備える、前記圧力ポートと、
   前記ベースを介して前記ネック内に形成される流体通路であって、前記ベースが流体圧力環境に接続可能である、前記流体通路と、
   前記ネックの前記側壁に沿って配置されたダイアフラムであって、当該ダイアフラムは外面および内面を有し、当該内面が前記流体通路に露出され、前記ネックの側壁が前記ダイアフラムの外面を規定する平坦な外面を有し、前記ネックの内面が前記外面と平行でありかつ前記ダイアフラムを規定する円形の平坦な内面を規定するように機械加工されている、前記ダイアフラムと、
   前記ダイアフラムの前記外面に搭載されたダイアフラムの移動に応答する感知素子と、
   前記ネックに近接して搭載され、電子回路パッケージと感知素子の間のワイヤ接続を容易にするためのワイヤボンディングパッドを含む電子部品パッケージと
   を含み、
   前記ワイヤボンディングパッドおよび前記ダイアフラムが平面的な位置合わせで配置される、圧力センサアセンブリ。
2. 前記ワイヤボンディングパッドおよび前記ダイアフラムが実質的に平行な面に置かれる、請求項１に記載の圧力センサ。
3. 前記ワイヤボンディングパッドおよび前記ダイアフラムが同一の面に置かれる、請求項１に記載の圧力センサ。
4. 前記感知素子が歪みゲージを含む、請求項１に記載の圧力センサ。
5. 圧力センサはさらに、前記歪みゲージおよび前記ボンディングパッドに結合されたワイヤを含み、前記歪みゲージを前記電子部品パッケージに電気的に接続する、請求項４に記載の圧力センサ。
6. 前記ネックの平坦な内面が、断面が長楕円である前記通路の一部によって規定される、請求項１に記載の圧力センサ。
7. 長楕円の断面形状は、ベースおよびネックの下部を介して孔を開け、かつ穴開けツールを水平方向に移動させることによって形成される、請求項６に記載の圧力センサ。
8. 圧力センサはさらに、前記平坦な表面と対向する前記ネックの側部を介して形成され、前記流体通路に通じる開口と、
   前記ネック内の前記開口をカバーかつ封止するプラグと
   を含む、請求項１に記載の圧力センサ。
9. 圧力センサはさらに、前記ネックおよび電子部品パッケージの周辺に配置されるカバーを含み、ハウジングの下端が前記圧力ポートの前記ベースに風止して固定される、圧力センサはさらに、前記ハウジングの外部で前記電子部品パッケージとの接続を可能にする電気的インターフェースとを含む、請求項１に記載の圧力センサ。
10. 圧力センサはさらに、前記電子部品パッケージが、前記圧力ポートの長手方向に延在する面に沿って置かれるように支持されるプリント回路基板を備えることを含む、請求項１に記載の圧力センサ。
11. 前記圧力ポートの前記ベースおよび前記ネックが、単一のモノリシックな部品として形成される、請求項１に記載の圧力センサ。
12. 前記圧力ポートの前記ベースおよび前記ネックが、相互に接合された別々の部品から形成される、請求項１に記載の圧力センサ。
13. ベースおよび当該ベースから上方に延在するネックを備える圧力ポートと、前記ベースおよび前記ネックを介して延在する流体通路と、前記ネックの側壁に配置され、かつ外面および内面を有し、当該内面が前記流体通路に通じるダイアフラムと、ワイヤボンディングパッドを有する電子部品パッケージと、前記ダイアフラムの外面に搭載される少なくとも１つの歪みゲージとを有する圧力トランスデューサであって、
    前記ダイアフラムが前記ネックの側部に沿って配置され、前記ネックの側壁が前記ダイアフラムの外面を規定する平坦な外面を有し、前記ネックの内面が前記外面と平行でありかつ前記ダイアフラムを規定する円形の平坦な内面を規定するように機械加工されており、
    前記ダイアフラムと前記ボンディングパッドが平面的な位置合わせで配置されかつ支持される、改良された圧力トランスデューサ。
14. 前記ワイヤボンディングパッドの面および前記ダイアフラムの面が平行である、請求項１３に記載の圧力トランスデューサ。
15. 前記ワイヤボンディングパッドおよび前記ダイアフラムが同一の面に置かれる、請求項１３に記載の圧力トランスデューサ。
16. ベース、前記ベースの上方に延在するネック、および前記ベースを介して前記ネック内に延在する流体通路を有する圧力ポートを提供し、
    前記ネックを、前記ネックの側部に沿ってダイアフラムを規定するように形成し、かつ前記圧力ポートの長手を延在する面に沿って置き、前記ネックの側壁が前記ダイアフラムの外面を規定する平坦な外面を有し、前記ネックの内面が前記外面と平行でありかつ前記ダイアフラムを規定する円形の平坦な内面を規定するように機械加工されており、
    前記ダイアフラムに感知素子を搭載し、
    前記電子部品パッケージと前記感知素子間のワイヤ接続を容易にするように、ワイヤボンディングパッドを有する電子部品パッケージを提供し、
    前記ダイアフラムの面と平面的な位置合わせでパッドが置かれた状態で、前記パッケージを支持し、
    ワイヤボンディングマシンを使用して、前記歪みゲージ上のポイントと前記ワイヤボンディングパッドの間にワイヤを取り付け、圧力トランスデューサの製造方法。
17. 前記ワイヤボンディングパッドおよび前記ダイアフラムが実質的に同じ面に配置される、請求項１６に記載の方法。
18. 前記ワイヤボンディングパッドおよび前記ダイアフラムが実質的に平行な面に配置される、請求項１６に記載の方法。
19. ベースと、当該ベースから上方に延在するネックを有し、前記ネックが側壁とアクセス孔を備える、圧力ポートと、
    前記ベースを介して前記ネック内に形成される流体通路であって、前記ベースが流体圧力環境に接続可能である、前記流体通路と、
    前記ネックの前記側壁に沿って配置されたダイアフラムであって、当該ダイアフラムは外面および内面を有し、当該内面が前記流体通路に露出され、前記ネックの側壁が前記ダイアフラムの外面を規定する平坦な外面を有し、前記ネックの内面が前記ダイアフラムの外面と平行である平坦な内面を規定するように機械加工されている、前記ダイアフラムと、
    前記ダイアフラムの前記外面に搭載されたダイアフラムの移動に応答する感知素子と、
    前記ネックに近接して搭載され、電子回路パッケージと感知素子の間のワイヤ接続を容易にするためのワイヤボンディングパッドを含む電子部品パッケージと、
    前記ワイヤボンディングパッドおよび前記ダイアフラムが平面的な位置合わせで配置され、アクセス孔から生じる機械加工と前記平坦な内面へのアクセスの障害のためのプラグが前記アクセス孔から前記側壁への隔たりとなる、圧力センサ。
20. 機械加工されたダイアフラム面は、前記側壁の取り囲む領域よりも異なる厚さを有する、請求項１９に記載の圧力センサ。

Images