JP6161554B2 - 電磁波検出器および電磁波検出器アレイ - Google Patents

Description

本発明は、電磁波検出器および電磁波検出器アレイに関し、特に単一または多層のグラフェンを光検出層として用いた電磁波検出器および電磁波検出器アレイに関する。

従来の電磁波検出器においては、光検出層として半導体材料が用いられるが、半導体材料は、バンドギャップを有するので、バンドギャップよりも大きいエネルギーを有する光しか検出することができず、電磁波検出器として最適とは言えない。そこで次世代の光検出材料としてグラフェンが注目されている。グラフェンは２次元炭素結晶の単原子層であり、単層グラフェンの厚さは炭素原子１個分の０．３４ｎｍと非常に薄い。６角形状に配置された各連鎖に炭素原子を有し、キャリア移動度を１万ｃｍ^２／Ｖｓ以上にできるとされ、トランジスタのチャネル層やＬＳＩの配線に用いようとする研究開発も進められている。こうしたグラフェンの特異な電子特性を利用し、高速デバイス、ＬＳＩ配線や電極などの材料としてだけでなく、電磁波検出器の光検出層の材料にグラフェンを用いることが近年提案されている。

例えば、特許文献１には、基板上のゲート酸化膜の上にグラフェンのチャネル層を堆積し、このグラフェン上の両端にソースおよびドレイン接点領域を形成した電磁波検出器が開示されている。この電磁波検出器の光検出層のグラフェンは、バンドギャップがゼロまたは極めて小さい材料であり、広帯域の光を検出できると記載されている。また、高電界のもとでグラフェンのキャリア移動速度は、従来の半導体におけるキャリア移動速度の１０から１００倍の速度となると記載されている。

特表２０１３−５０２７３５号公報

しかしながら、光吸収層がグラフェン単体では光吸収率が数％と非常に低いため、電磁波検出器として光情報を有効に取得することができない。また、従来のグラフェンを用いた電磁波検出器は、入射光の偏光を検知する機能を有していないため、特定の偏光を検知するには、光の入射面に偏光フィルタ等を設ける必要があった。

そこで、本発明は、所望の波長の光を高効率に吸収し、特定波長の光に対する検出効率を高くし、小型化が可能で、偏光に対する検出効率の高い電磁波検出器の提供を目的とする。

本発明は、入射光を電気信号に変換して検出する電磁波検出器であって、支持基板の上に形成された平坦な金属層と、金属層の上に形成された中間層と、中間層の上に形成されたグラフェン層と、グラフェン層の上に周期的に形成された孤立金属と、孤立金属の両側に対向するように配置された電極と、を含み、孤立金属の平面形状の大きさによって、入射光のうち、表面プラズモンが生じる所定の波長が決定され、所定の波長の光を吸収してグラフェン層に生じる電気信号の変化を検知することを特徴とする電磁波検出器である。

また、本発明は、入射光を電気信号に変換して検出する電磁波検出器であって、支持基板の上に形成された平坦な金属層と、金属層の上に形成された中間層と、中間層の上に周期的に形成された孤立金属と、孤立金属の両側に対向するように配置された電極と、孤立金属と電極とを覆うように中間層の上に形成されたグラフェン層と、
を含み、孤立金属の平面形状の大きさによって、入射光のうち、表面プラズモンが生じる所定の波長が決定され、所定の波長の光を吸収してグラフェン層に生じる電気信号の変化を検知することを特徴とする電磁波検出器でもある。

本発明にかかる電磁波検出器を用いることにより、孤立金属−グラフェン−中間層−金属層により、またはグラフェン−孤立金属−中間層−金属層により、特定の表面プラズモンモードあるいは共鳴モードがグラフェン近傍に局在するキャビティが形成され、特定波長の電磁界がグラフェンに集中するため、グラフェンを挟んで共振が生じ、光吸収率が増加し、高感度な光検出が可能となる。

本発明の実施の形態１にかかる電磁波検出器の斜視図である。 本発明の実施の形態１にかかる電磁波検出器の断面図である。 本発明の実施の形態１にかかる電磁波検出器の入射面の上面図である。 本発明の実施の形態１にかかる通常の電磁波入射におけるグラフェンの光吸収を説明するための図である。 本発明の実施の形態１にかかる共振器中のグラフェンにおける光吸収を説明するための図である。 本発明の実施の形態１にかかる電磁波検出器の孤立金属の形状を説明する上面図である。 本発明の実施の形態１にかかる電磁波検出器の電磁波吸収特性である。 本発明の実施の形態１にかかる電磁波検出器の電磁波吸収特性である。 本発明の実施の形態１にかかる表面プラズモン共鳴を説明する図である。 本発明の実施の形態１にかかる表面プラズモン共鳴を説明する図である。 本発明の実施の形態１にかかる電磁波検出器の製造工程の断面図である。 本発明の実施の形態１にかかる電磁波検出器の製造工程の断面図である。 本発明の実施の形態１にかかる電磁波検出器の製造工程の断面図である。 本発明の実施の形態２にかかる電磁波検出器の斜視図である。 本発明の実施の形態２にかかる電磁波検出器の斜視図である。 本発明の実施の形態３にかかる電磁波検出器の斜視図である。 本発明の実施の形態４にかかる電磁波検出器の断面図である。 本発明の実施の形態４にかかる電磁波検出器の断面図である。 本発明の実施の形態４にかかる電磁波検出器の断面図である。 本発明の実施の形態５にかかる電磁波検出器の斜視図である。 本発明の実施の形態５にかかる電磁波検出器の斜視図である。 本発明の実施の形態６にかかる電磁波検出器の斜視図である。 本発明の実施の形態７にかかる電磁波検出器の斜視図である。 本発明の実施の形態７にかかる電磁波検出器の断面図である。 本発明の実施の形態８にかかる電磁波検出器の断面図である。 本発明の実施の形態９にかかる電磁波検出器の断面図である。 本発明の実施の形態１０にかかる電磁波検出器の断面図である。 本発明の実施の形態１１にかかる電磁波検出器アレイの上面図である。 本発明の実施の形態１２にかかる電磁波検出器アレイの上面図である。 本発明の実施の形態１３にかかる電磁波検出器アレイの上面図である。 本発明の実施の形態１４にかかる電磁波検出器の断面図である。 本発明の実施の形態１５にかかる電磁波検出器の斜視図である。 本発明の実施の形態１５にかかる電磁波検出器の断面図である。 本発明の実施の形態１６にかかる電磁波検出器の斜視図である。 本発明の実施の形態１６にかかる電磁波検出器の断面図である。 本発明の実施の形態１６にかかる電磁波検出器の断面図である。 図３５の構造における透過率である。 図３５の構造にグラフェンを導入した構造の断面図である。 グラフェンによるプラズモン共鳴の増強効果を説明する図である。 本発明の実施の形態１７にかかる電磁波検出器の断面図である。 本発明の実施の形態１８にかかる電磁波検出器の断面図である。 本発明の実施の形態１８にかかる電磁波検出器の製造工程の断面図である。 本発明の実施の形態１９にかかる電磁波検出器の断面図である。 本発明の実施の形態２０にかかる電磁波検出器の断面図である。 本発明の実施の形態２１にかかる電磁波検出器の斜視図である。 本発明の実施の形態２１にかかる電磁波検出器のＩＩ−ＩＩ’における断面図である。 本発明の実施の形態２１にかかる電磁波検出器の入射面の上面図である。 本発明の実施の形態２１にかかる電磁波検出器のストライプ状の孤立金属の向きと入射電磁波の電界の向きとの関係を示す図である。 本発明の実施の形態２１にかかる通常の電磁波入射におけるグラフェンの光吸収を説明するための図である。 本発明の実施の形態２１にかかる共振器中のグラフェンにおける光吸収を説明するための図である。 本発明の実施の形態２１にかかる電磁波検出器の電磁波吸収における偏光特性である。 本発明の実施の形態２１にかかる電磁波検出器の電磁波吸収特性である。 本発明の実施の形態２１にかかる表面プラズモン共鳴を説明する図である。 本発明の実施の形態２１にかかる表面プラズモン共鳴を説明する図である。 本発明の実施の形態２１にかかる電磁波検出器の製造工程を断面図である。 本発明の実施の形態２１にかかる電磁波検出器の製造工程を断面図である。 本発明の実施の形態２１にかかる電磁波検出器の製造工程を断面図である。 本発明の実施の形態２２にかかる電磁波検出器の斜視図である。 本発明の実施の形態２２にかかる電磁波検出器の斜視図である。 本発明の実施の形態２３にかかる電磁波検出器の斜視図である。 本発明の実施の形態２４にかかる電磁波検出器の断面図である。 本発明の実施の形態２４にかかる電磁波検出器の断面図である。 本発明の実施の形態２４にかかる電磁波検出器の断面図である。 本発明の実施の形態２５にかかる電磁波検出器の斜視図である。 本発明の実施の形態２６にかかる電磁波検出器の斜視図である。 本発明の実施の形態２６にかかる電磁波検出器の断面図である。 本発明の実施の形態２７にかかる電磁波検出器の断面図である。 本発明の実施の形態２８にかかる電磁波検出器の断面図である。 本発明の実施の形態２９にかかる電磁波検出器の断面図である。 本発明の実施の形態３０にかかる電磁波検出器アレイの上面図である。 本発明の実施の形態３１にかかる電磁波検出器アレイの上面図である。 本発明の実施の形態３１にかかる電磁波検出器アレイにおける偏光角度算出方法の説明図である。 本発明の実施の形態３１にかかる電磁波検出器アレイにおける偏光角度算出方法の説明図である。 本発明の実施の形態３２にかかる電磁波検出器アレイの上面図である。 本発明の実施の形態３３にかかる電磁波検出器の上面図である。 本発明の実施の形態３４にかかる電磁波検出器の断面図である。 本発明の実施の形態３５にかかる電磁波検出器の斜視図である。 本発明の実施の形態３５にかかる電磁波検出器の断面図である。 本発明の実施の形態３６にかかる電磁波検出器の斜視図である。 本発明の実施の形態３６にかかる電磁波検出器の断面図である。 本発明の実施の形態３６にかかる電磁波検出器の断面図である。 図７７の構造における透過率である。 図７７の構造にグラフェンを導入した構造の断面図である。 グラフェンによるプラズモン共鳴の増強効果を説明する図である。 本発明の実施の形態３７にかかる電磁波検出器の断面図である。 本発明の実施の形態３８にかかる電磁波検出器の断面図である。 本発明の実施の形態３８にかかる電磁波検出器の製造工程の断面図である。 本発明の実施の形態３９にかかる電磁波検出器の断面図である。 本発明の実施の形態４０にかかる電磁波検出器の断面図である。

本発明の実施の形態では、電磁波検出器の一例として、赤外波長域の電磁波の検出器について説明するが、本発明は、赤外線以外の波長域、例えば可視、近赤外、テラヘルツ（ＴＨｚ）波長、マイクロ波領域の検出器としても有効である。また、本発明における光は電磁波とも記述する。またグラフェンは、グラフェンとほぼ同等の２次元性を有する二硫化モリブデン（ＭｏＳ_２）などの遷移金属ダイカルコゲナイド（ＭＸ_２）であってもよい。ここで、遷移金属（Ｍ＝Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏなど）とカルコゲン（Ｘ＝Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ）である。
また、グラフェンは単原子層と非常に薄いため、周期的な孤立金属に対してグラフェンが下にあっても上にあっても、検出器の性能においては同等の効果を有する。よって実施の形態１では、グラフェンが周期的な孤立金属の下に有る場合のみを用いて説明する。グラフェンが周期的な孤立金属の上に有る場合、例えば実施の形態４、２４などについても、同等の吸収特性を有するため、実施の形態４、２４においては詳細な吸収特性の説明は省略する。
なお、各実施の形態において、同一の構成には同一の符号を付して、説明を省略する。

以下において、実施の形態１〜２０では、孤立金属が2次元の周期構造を形成している場合について説明し、実施の形態２１〜４０では、孤立金属が1次元の周期構造を形成している場合について説明する。

実施の形態１．
図１は、全体が１００で表される、本発明の実施の形態１にかかる電磁波検出器の斜視図である。図２は、図１のＩ−Ｉ’における断面図である。また、図３は、図２を上面（「表面」または「入射面」ともいう。）から見た場合の平面図である。

図１〜３、特に図２に示すように、電磁波検出器１００は、基板（図では省略）上に形成された金属層４と、その上面に設けられた厚さｔからなる絶縁層３、その上面に設けられたグラフェン層２、グラフェン層２の上には、一辺の長さがＬ、厚さｈの正方形からなる孤立金属１が、直交する２方向の周期が共にＳとなるように、マトリックス状に配置されている。一方、グラフェン層２の上には、孤立金属１を挟んで対向する位置に２つの電極５が配置されている。電極５に関しては、電気信号を出力できる大きさ、厚さであれば特に形状に制限はない。

グラフェン層２は単層または２層以上でもよい。グラフェン層２は積層数を増加した場合、光吸収率が増加する。また、積層された任意の２層において、六方格子における格子ベクトルの向きが一致しない、つまり結晶方位にずれがある積層構造でもよいし、完全に格子ベクトルが一致した積層構造でもよい。

なお、金属層４を上に形成する基板は、本発明の電磁波検出器を保持できるものであれば、半導体基板等でよい。また、適宜、絶縁性を有する高抵抗シリコン基板、あるいは熱酸化膜を形成し絶縁性を高めた基板などを用いても良い。

但し、孤立金属１の数は、説明のため、例えば図１〜３における４×４で個数と配置を代表させているが、４×４の個数と配置に縛られるものではなく、適宜選択できる。また、配置も２次元マトリックス状において正方格子、三角格子、六方格子、あるいは１次元の配置などでもよい。ここでは、代表例として正方格子状の配置について説明する。

孤立金属１および金属層４は、金属からなり、特に表面プラズモン共鳴を生じやすい金属あるいは赤外波長域などでは対象とする波長における反射率が高い金属から形成されることが好ましく、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ等から形成される。換言すれば、負の誘電率を有する材料が望ましい。但し、損失の大きな金属を用いた場合、吸収率特性における半値幅が広がるなど波長選択性、つまり単色性が劣化することがある。よって、金属の種類は必要とされる検知波長の半値幅などによって、適宜選択される。また、逆に損失の大きな金属を用いることで広範な波長域を検知するような、ブロードな吸収をもたせることが可能になる。

また、絶縁層３は酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化アルミニウム、酸化ニッケル、シリコン等の絶縁物から形成されることが好ましい。また、ＳｉやＧａＡｓなどの半導体材料を用いても同様の効果がある。

次に、本発明の実施の形態１にかかる電磁波検出器１００の動作原理について説明する。電磁波検出器１００に光（電磁波）が入射した場合、入射面に周期的に形成された孤立金属１のパターンによって共鳴する共鳴波長の光が、入射した光の中から選択される。更に選択された波長の光のうち、絶縁層３に導かれる導波モードの光がさらに選択される。

次に、孤立金属１と金属層４との間に挟まれた絶縁層３内で共鳴が発生し、ここでも共鳴波長の光が選択される。ここで、絶縁層３は、入射光の波長に比べて非常に薄いため、絶縁層３の厚さ方向の共鳴は支配的にはならない。よって、実質的には孤立金属１の面内方向（絶縁層３の表面に平行な方向）の共鳴が支配的になる。ここでは孤立金属１は正方形であるため、正方形の一辺に沿った方向の共鳴が支配的になる。また、グラフェン層２は単原子層であるから、入射電磁波に対して構造物としての作用は弱く、上述の光学的な共鳴現象への影響は無視できる。特に共鳴は、孤立金属１のエッジ部分で特に強い。このため、グラフェン層２が孤立金属１の下にある本実施の形態の場合でも、上にある他の実施の形態の場合でも、吸収特性においては同等の効果を有する。

電磁波検出器１００の入射面側では、以上のような共鳴が生じる。これは、特に、表面プラズモン共鳴、プラズモン共鳴、あるいは一般的に表面プラズモンポラリトンが発生する波長域である可視域〜近赤外域以外での金属表面における共鳴を考慮し、擬似表面プラズモン共鳴と呼ばれる。ただし近年では、波長域に関わらずこれらの共鳴現象を表面プラズモンあるいはプラズモンとして扱うことが主流となっている。また、同様に波長以下の構造により、特定の波長を操作するという意味で、メタマテリアル、プラズモニックメタマテリアルと呼ばれることもある。但し、本質的には既に述べたように、孤立金属１の表面ならびに孤立金属１と金属層４によって形成される特別な共鳴による吸収である。よって、本発明の明細書では、特にこれらの名称を区別せず、現象面からは同じとする。明細書中では、これらの共鳴を表面プラズモン共鳴、プラズモン共鳴、あるいは単に共鳴と呼ぶ。

このように、特定の波長におけるプラズモン共鳴によって、孤立金属１の周辺に光が強く局在することになる。この場合、孤立金属１の下部にあるグラフェン層２は、共振器中に配置されることになるため、局在した光を最終的にグラフェン層２が全て吸収することができる。後述の解析結果が示すように、孤立金属１付近において光はほぼ１００％局在することになる。よって、図４ａに示すような通常の光入射におけるグラフェン層の光吸収率は通常２．３％であるのに対して、共振器中に設置されたグラフェン層２では、図４ｂに示すように、共振器中ではグラフェン層２に対して電磁波が入射を繰り返すため、最終的に局在した光を全て（１００％）吸収することができる。よって、出力される光電流が大幅に増加することにより感度が増加する。検出器の動作状態においては、グラフェン層２への電磁波入射によって発生した光電流を検出する。その時、グラフェン層２の光電流発生経路の両端にある電極５は、外部バイアスが有りの状態でも、無しの状態でも検出器は動作する。通常、バイアス印加により、発生したキャリアの検出効率は高くすることができる。

グラフェン層２には、電極５を介して、外部バイアスなどの光電流の変化を取り出すための電気回路が接続されている。例えば電気信号の読み出し方法としては、２端子の電極５の間に電圧を印加すると、グラフェン層２内の抵抗値変化という電気的な信号により、導通する電流量が変化する。この電流量の変化を検出することで、入射する電磁波を検出することができる。また、２端子の電極５の間に一定電流を流す回路を付加し、電圧値の変化量を観測してもよい。

また、金属層４をゲート端子として、２端子の電極５と組み合わせることでトランジスタ構造を形成し、電気信号を取り出してもよい。金属層４に電圧をかけることで、グラフェン層２に更に大きな電界を生じさせることができ、電磁波の入射により発生したキャリアを高効率に検出することができる。また、１端子のみ形成した電極５で、電磁波の入射によるグラフェン層２の電位変化を取り出してもよい。

以降に記載する実施の形態では、検出方法の簡略化のため、図１に示すように、２端子の電極５の間の電気抵抗の検出を代表例として記載するが、他の検出方法を用いてもかまわない。

次に、孤立金属１の膜厚ｈについて述べる。孤立金属１の膜厚ｈが厚くなると、厚さ方向にも共鳴が生じるため、高さ方向にも共鳴が生じる。よって、検出効率の入射角度依存性が大きくなる。この結果、特定波長においては垂直入射以外の光を吸収しなくなり、検出出力が低下する傾向にある。つまり、少なくともｈ＜Ｌ（孤立金属１の一辺の長さ）を満たし、膜厚ｈはできるだけ薄くすることが好ましい。

膜厚ｈの下限について説明する。膜厚ｈが、検出波長に対して、
δ＝（２／μσω）^１／２
ただし、μ、σはそれぞれ孤立金属１の透磁率、電気伝導率であり、
ωは検出波長を有する電磁波の角振動数である。
で表される表皮効果の厚さδ（ｓｋｉｎ ｄｅｐｔｈ）の２倍程度の厚さ（波長によって変化するが、赤外域においては、数１０ｎｍ程度から数１００ｎｍ程度）以上であれば、一般に入射光の漏れ出しが充分に小さいといえる。よって、膜厚ｈの最低膜厚は、上記条件を満たさなければならない。以下の解析に示すように、赤外波長域に対しては、膜厚ｈが数１０〜１００ｎｍ程度以上であれば十分な吸収が生じ、２００ｎｍ程度あれば十分である。このように、孤立金属１の膜厚が薄い場合、表面プラズモン共鳴は、主として、孤立金属１の面内方向において生じ、吸収する入射光の波長は、孤立金属１の大きさにより決まる。

これに対して、膜厚ｈが厚くなり、Ｌの１／４より大きくなった場合、膜厚方向（面内方向に垂直な方向）にも共鳴が発生し、吸収特性の入射角度依存性が大きくなり、また共鳴方向が一か所ではないことから、吸収波長が多波長化するという問題が生じる。

上述のように孤立金属１の膜厚が非常に薄い場合、吸収波長は主として面内方向の共鳴によって決定されるため、結果的に、吸収波長の入射角依存性が小さくなる。この結果、入射角が変化しても、吸収波長、吸収率などの吸収特性の変化は殆どおこらなくなる。

例えば孤立金属１の膜厚が５００ｎｍと比較的厚いが、入射光の波長の１／４以下の場合には、吸収波長の入射角依存性は生じるが、一方で、吸収光や放射光の波長には影響しない。このため、電磁波検出器１００に対して入射光が垂直に入射する場合は、孤立金属１の膜厚は、入射光の波長の１／４以下となる条件であれば、比較的厚くても良い。

同様に、絶縁層３についても、膜厚方向（絶縁層３の表面に垂直な方向）での共鳴が生じさせないためには、絶縁層の膜厚ｔは、対象とする光の絶縁層中の光学長が、Ｌの１／４より小さいことが好ましく、例えば赤外波長域では２００ｎｍ以下であることが好ましい。光学長とは、屈折率あるいは誘電率によって決定される、物質中の光の波長である。また、孤立金属１と金属層４の間にキャビティを形成するためには、金属のエバネッセント波長（表皮厚）から決定される値の２倍程度より大きくする必要がある。

一方、金属層４の膜厚は、入射光および放射光が透過しない厚さとする必要がある。前述したように、これらの光の波長の表皮厚さの２倍程度またはそれ以上が好ましい。

ここで金属層の周期パターン（例えば孤立金属１）と、平坦な金属層（例えば金属層４）との間に絶縁層（例えば絶縁層３）が挟まれた多層構造では、表面プラズモン共鳴と絶縁層における導波モードが同時に発生する。絶縁層における導波モードとは、絶縁層の内部で共振した光のモードである。よって、表面プラズモン共鳴は金属層の周期ではなく、金属層の大きさで決まるようになる。つまり、本発明の実施の形態１にかかる多層構造の場合、吸収光の波長を決定するのは、金属層（例えば孤立金属１）の大きさ（表面に平行な面内での寸法）である。金属層が正方形の場合と同様に、円形の場合も同様の効果を得ることができる。

ここで、孤立金属１の大きさとは、孤立金属１の、表面に平行な面内での寸法をいう。例えば、孤立金属１の表面（電磁波入射面）に平行な面内での形状が円形の場合はその直径を、正方形の場合は一辺の長さをいう。また、他の正多角形においては、同一周期における、上部金属層１の占める面積つまり充填率によって吸収波長が制御できると言い換えることもできる。

楕円においては、長径／短径、長方形においては長辺、短辺にそれぞれ対応する偏光によって吸収が異なる。つまり、電界の方向とその共振方向における孤立金属１の主要な長さによって、偏光角度によって吸収が異なる。よって、非対称形状（直交する二つの方向における図形の大きさが異なる形状）を用いると、吸収・放射特性に偏光依存性が生じる。つまり、波長と共に偏光の検知も可能である。

また、金属層（例えば孤立金属１）の膜厚を、対象とする光の波長に対して十分に小さくし、かつ薄膜の絶縁層３内での導波モードを利用して、金属層（例えば孤立金属１）の面内方向に共鳴を発生させるため、深さ方向（厚さ方向）の共鳴の影響は小さい。よって、入射角依存性が小さく、より広い入射角の入射光の波長を吸収でき、つまり検知することができる。

孤立金属の形状が、円形、正方形など中心点に対して点対称の形状では吸収波、放射波に偏光依存性は無いが、図５のように楕円（左上）、長方形（右上）、三角形（左下）などの非対称な形状の場合は偏光依存性が生じる。また、孤立金属１が、１次元方向のみに配列されている場合も、吸収波、放射波に偏光依存性が生じる。このような構造を用いることにより、特定の偏光角度を有する入射光を検知することが可能となり、偏光検知電磁波検出器を構成することが可能となる。

以上のように本発明の実施の形態１にかかる電磁波検出器１００では、入射光のうち吸収される光の波長（吸収波長）は、孤立金属１、絶縁層３および金属層４の３層構造によって決定される。

図６は、本発明の実施の形態１にかかる電磁波検出器１００の吸収特性を示すグラフであり、横軸は入射光の波長、縦軸は吸収率を表す。電磁界解析に用いた電磁波検出器１００では、孤立金属１は、平面形状が正方形であり、厚さは５０ｎｍ、金属層４の厚さは２００ｎｍ、ともに材料はＡｕである。また、絶縁層３は厚さが１００ｎｍの酸化シリコン（ＳｉＯ_２）である。孤立金属１の周期Ｓは２．０μｍとし、孤立金属１の一辺の長さＬが１．０μｍ、１．２μｍ、１．４μｍ、１．６μｍ（破線）の場合の吸収率を電磁界解析によって求めた。

図６から分かるように、吸収波長は、左から約３．８μｍ、４．６μｍ、５．４μｍ、６．１μｍである。つまり、Ｌを大きくすると、これに比例して吸収波長も大きくなる。周期Ｓは２．０μｍで一定であるため、吸収（放射）波長は周期に依存せず、吸収波長λａｂと孤立金属１の一辺の長さＬは、ほぼ比例関係にある。つまり、
λａｂ∝Ｌ
の関係が成立することが分かる。

図７は、図６と同じく、本発明の実施の形態１にかかる電磁波検出器１００の吸収特性を示すグラフであり、横軸は入射光の波長、縦軸は吸収率を表す。電磁界解析に用いた電磁波検出器１００では、孤立金属１は、平面形状が正方形であり、厚さは５０ｎｍ、金属層４の厚さは２００ｎｍ、ともに材料はＡｕである。また、絶縁層３は厚さが１００ｎｍの酸化シリコン（ＳｉＯ_２）である。孤立金属１の周期Ｓは４．０μｍとし、孤立金属１の一辺の長さＬが１．５μｍ、２．０μｍ、２．５μｍ、３．０μｍの場合の吸収率を電磁界解析によって求めた。金属層４は入射する電磁波を透過させない厚さを有しているため、金属層４より下部の構成については、吸収特性に影響を及ぼさない。

図７から分かるように、吸収波の波長は、それぞれ約５．３μｍ、７．１μｍ、８．９μｍ、１０．７μｍである。つまり、Ｌを大きくすると比例して吸収波長も大きくなる。周期Ｓは４．０μｍで一定であるため、吸収波の波長は周期に依存ぜず、孤立金属１の一辺の長さにほぼ比例し、
λａｂ∝Ｌ
の関係が成立することが分かる。かかる関係は、図６の場合とほぼ同じであり、周期を変化させても、孤立金属１の大きさで決定される波長の光が吸収されることが分かる。また、λａｂとＬの関係は周期が変化してもほぼ変わらないことが分かる。以上より、ｎを正の実数とすると、λａｂ≒ｎ×Ｌとなる。

以上のように、本発明の構造によって、中赤外〜長波長赤外の広い波長域において孤立金属１の大きさを変化させることで吸収波長を選択できることが分かる。これは、図８に示すように、孤立金属１の平面方向において主要な共鳴が生じ、図９のように孤立金属１の近傍で電磁界が局在していることを裏付ける。但し、周期Ｓは吸収波長より小さく設定する。これは、周期Ｓより小さい波長の入射電磁波では、回折されて反射される場合があるため、吸収が生じないか弱くなる。つまり、本発明の構造においては、
λａｂ≒ｎ×Ｌ
λａｂ＞Ｓ
の関係を満たせば、十分な吸収が得られる。

このように一定周期で配置した孤立金属１を用いる場合、吸収波長＞周期となるため、十分な吸収を達するために必要となる周期数×周期の値が小さくすることができる。つまり、電磁波検出器１００の大きさを小さくすることができる。

なお、電磁波検出器１００では、孤立金属１および絶縁層３の膜厚は、膜厚方向での共鳴が発生しない程度に薄くするが、上述のように、これらの膜厚を厚くした場合、表面プラズモン共鳴は、孤立金属１の面内方向の共鳴に加えて、孤立金属１の膜厚方向、絶縁層３の膜厚方向でも発生し、３次元的な共鳴となる。この結果、共鳴波長にも変化が生じ、吸収波長が変化する。一方で、孤立金属１等の膜厚を厚くした場合、吸収波長の入射角依存性が発生する。このため、例えば、入射光の入射角が常に垂直方向である場合のように、入射角依存性が無視できる場合は、孤立金属１や絶縁層３の膜厚を厚くすることにより共鳴波長を変化させることも可能である。

このように、本発明の実施の形態１にかかる電磁波検出器１００では、孤立金属１の大きさによって決定される波長の光を入射面で吸収できる。つまり孤立金属１の大きさを制御することで、吸収スペクトルを自由に決定できるようになり、任意の電磁波の検知が可能になる。

次に、本発明の実施の形態１にかかる電磁波検出器１００の製造方法について、図１０を参照しながら説明する。図１０は、電磁波検出器１００の製造工程の断面図であり、図１のＩ−Ｉ’における断面図である。かかる製造方法は、以下の工程１〜７を含む。

工程１：図１０（ａ）に示すように、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ等からなる平坦な金属層４を形成する。金属層４は、Ｓｉなどの平坦な基板上に形成してもよいし、金属層４を独立して形成してもよい。また、Ｓｉなどの平坦な基板上に形成した後、基板を除去することで独立した金属層４を形成してもよい。また、電磁波検出器として使用しない部分を任意の形状にパターニングしてもよい。

工程２：図１０（ｂ）に示すように、金属層４の上に、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化アルミニウム、酸化ニッケル、シリコン等からなる絶縁層３を形成する。その際、絶縁層３の表面は、金属層４の表面と平行かつ平坦になるように形成することが好ましく、ＣＭＰ研磨や熱処理などの平坦化処理を実施してもよい。

工程３：図１０（ｃ）に示すように、絶縁層３上にグラフェン層２を堆積する。この際、エピタキシャル成長などの方法により成膜してもよいし、あらかじめ成膜したグラフェン層を貼り付けてもよい。

工程４：図１０（ｄ）に示すように、グラフェン層２の上に写真製版やＥＢ描画などの方法を用いてフォトレジスト２０を形成し、その上にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ等からなる金属層を堆積する。

工程５：図１０（ｅ）に示すように、フォトレジスト２０をリフトオフすることで電極５を形成する。この際、電極５はグラフェン層２と電気的な接続が良好な状態とすることが好ましく、そのためのランプアニール等の後処理や、スパッタエッチング、ＷＥＴ処理等の前処理を行うことが好ましい。

工程６：図１０（ｆ）に示すように、グラフェン層２の上に写真製版やＥＢ描画などの方法を用いてフォトレジスト２０を形成し、その上にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ等からなる金属層１を堆積する。

工程７：図１０（ｇ）に示すように、フォトレジスト２０をリフトオフすることで孤立金属１を形成する。

以上の工程により、図１および図２に示す電磁波検出器１００が完成する。

なお、本発明では、金属層４の上に絶縁層３、グラフェン層２を形成し、その上に電極５および孤立金属１を配置すればよく、工程１〜７のような製造方法には限らない。例えば、図１１に示すように、グラフェン層２の上に形成したフォトレジスト２０の上に金属を堆積し（図１１（ａ））、リフトオフにより電極５と孤立金属１を同時に形成してもよい（図１１（ｂ））。また、図１２に示すように、グラフェン層２の上に金属を堆積し、その上にレジストパターン２３を形成し（図１２（ａ））、フォトレジスト２０をマスクに用いて金属をエッチングした後、フォトレジスト２０を除去して電極５と孤立金属１を同時に形成してもよい（図１２（ｂ））。

本発明の実施の形態１にかかる電磁波検出器１００では、孤立金属１上に光が入射することで、孤立金属１の形状によって決定される特定波長の光のみが孤立金属１周囲にとどめられる。この特定波長の光は、グラフェン層２により吸収されるが、その吸収率はグラフェンのもつ吸光特性によりほぼ１００％となり、その結果、電気抵抗値が変化する。この電気抵抗値の変化を電極５で検知することで、入射する任意の波長の光の強度を電気信号として取り出すことができる。

また、電磁波検出器１００と共に、グラフェンを用いた出力増幅回路を電磁波検出器１００の隣接部または下層部に設けてもよい。これにより通常使われているＳｉ系半導体材料からなるトランジスタに比べて、出力増幅回路をより高速動作可能なトランジスタで構成でき、高性能な電磁波検出器が実現できる。

また、読み出し回路などの周辺回路のトランジスタ等にグラフェンを用いることにより、高速読み出しや、製造プロセスの簡素化が可能になる。

実施の形態２．
図１３（ａ）は、本発明の実施の形態２にかかる電磁波検出器１１０の斜視図である。実施の形態１の電磁波検出器１００と異なる点は、グラフェン層２をシート状に配置せず、グラフェン層２を部分的に加工して、グラフェン接続配線６とする点である。即ち、グラフェン層２は、孤立金属１と電極５の下部と、これらを接続するグラフェン接続配線６の部分のみに設けられる。

例えば、孤立金属１を形成した後、写真製版工程によりグラフェン層２の一部を除去することで、図１３（ａ）に示す電磁波検出器１１０を得ることができる。図１３（ｂ）は、実施の形態１にかかる電磁波検出器１００の、２つの電極５間で観測される電気抵抗値についての概念図である。

図１３（ｂ）に示す実施の形態１にかかる電磁波検出器１００において、孤立金属１下部に配置されたグラフェン層２の抵抗値をＲ１とし、孤立金属１と孤立金属１の間の抵抗値をＲ２とし、孤立金属１が配置されていない部分の抵抗値をＲ３とする。このとき、孤立金属１が１つ配置しているとした場合の電極５間の抵抗値は、

で表すことができる。

孤立金属１付近のグラフェン層２の電気抵抗値のみが、特定波長の光強度に応じて変化するため、電気信号として検知できるのは、Ｒ１の項のみである。光の強度（単位Ｗ）変化に対する抵抗値変化量は、

となる。

一方、図１３（ａ）で示す実施の形態２にかかる電磁波検出器１１０では、孤立金属１下部に配置されたグラフェン層２の抵抗値をＲ１とし、孤立金属１と孤立金属１の間のグラフェン接続配線６の抵抗値をＲ２とした場合、孤立金属１が１つ配置しているとした場合の電極５間の抵抗値は、

で表すことができる。このため、

となる。

つまり、図１３（ａ）で示す、実施の形態２にかかる電磁波検出器１１０のほうが、特定波長の光強度に対する電気信号強度は強くなり、高感度な電磁波検出器１１０が得られる。

なお、実施の形態２において、グラフェン接続配線６の形状は、電極５および孤立金属１の下部に配置されたグラフェン層２の間が接続されればよく、図１３（ａ）に示すような形状に限らない。例えば、グラフェン層２の間を縦方向（図１３（ａ）では、左下から右上方向）に接続するグラフェン接続配線６を配置しても良いし、斜め方向に接続するグラフェン接続配線６を配置してもよい。

また、実施の形態２では、グラフェン層２を加工することによりグラフェン接続配線６を形成したが、電極５および孤立金属１の下部に配置されているグラフェン層２の接続が行われていればよく、グラフェン層２以外の配線層を別途形成してもよい。

図１４は、全体が１３０で表される、実施の形態２にかかる他の電磁波検出器の斜視図である。電磁波検出器１３０では、グラフェン接続配線６の上に、グラフェン接続配線保護膜７が設けられている。グラフェン接続配線保護膜７は、例えばシリコン窒化膜やシリコン酸化膜からなる。

このようにグラフェン接続配線保護膜７を設けることにより、グラフェン接続配線６の安定形成が可能となり、加えて周囲からの物理的影響からグラフェン接続配線６を保護することができるため、良好な電磁波検出器１３０を得ることができる。

実施の形態３．
図１５は、全体が１４０で表される、本発明の実施の形態３にかかる電磁波検出器の斜視図である。電磁波検出器１４０では、２つの電極５の間で、孤立金属１がグラフェン接続配線６で直列に接続されている。図１５に示した電磁波検出器１４０において、孤立金属１下部に配置されたグラフェン層２の抵抗値をＲ１とし、孤立金属１と孤立金属１の間のグラフェン接続配線６の抵抗値をＲ２とすると、ｎ個の孤立金属１を直列接続した場合、電極５間の抵抗値Ｒは、

で表すことができるため、

となる。

つまり、図１５に示す電磁波検出器１４０では、特定波長の光強度に対する電気信号強度はより強く得ることができ、高感度な電磁波検出器１４０を得ることができる。

実施の形態４．
図１６は、全体が１５０で表される、本発明の実施の形態４にかかる電磁波検出器の断面図である。電磁波検出器１５０では、グラフェン層２を孤立金属１および電極５の上部に配置している点で、下部に配置している電磁波検出器１００と異なる。金属層４、絶縁層３、電極５、孤立金属１を形成した後に、例えばエピタキシャル成長によりグラフェン層２を形成することで、実施の形態４にかかる電磁波検出器１５０が得られる。あるいはあらかじめ銅箔等にＣＶＤで製膜したグラフェンを転写することでグラフェンを形成してもよい。電磁波検出器１５０の光学特性については、実施の形態１で既に述べたように、同等の吸収特性を有するため省略する。

グラフェン層２は、写真製版工程や、ＤＲＹエッチング、ＷＥＴエッチングなどのエッチング工程を経るごとに欠陥が生じる可能性がある。しかし、実施の形態４にかかる製造工程では、最後にグラフェン層２が形成されるため、かかる欠陥の形成は無視できる。つまり、グラフェン層２をレジスト等で保護するような追加プロセスや、グラフェン層２に損傷を与えないようなプロセスを回避しなければならない等の制約が無くなるため、作製が簡便になりかつグラフェン層２を高品質に保つことができるという効果を有する。

また、グラフェン層２は、金属膜表面の原子構造を利用したエピタキシャル成長により、高品質な膜として形成でき、良好な特性を有する電磁波検出器１５０が得られるとともに、特定波長の光強度に対する電気信号を得る電磁波検出器１５０が得られる。

図１７は、全体が１６０で表される、本発明の実施の形態４にかかる他の電磁波検出器の断面図である。電磁波検出器１６０は、金属層４、絶縁層３、電極５、孤立金属１を形成した後に、その上に別途作製したグラフェン層２を張りつけて作製する。この際、グラフェン層２と電極５は電気的に良好な接続を有していることが好ましく、ランプアニール等の後処理や、スパッタエッチング、ＷＥＴ処理等の前処理を行うことが好ましい。

また、孤立金属１とグラフェン層２の間隔が近いことが好ましい。孤立金属１とグラフェン層２の間隔が近いほど、閉じ込められた光の吸収が効率的に行われるからである。ただ、感度が十分であれば、グラフェン層２と孤立金属１が完全に接触している必要は無い。

図１８は、全体が１７０で表される、本発明の実施の形態４にかかる他の電磁波検出器の断面図である。電磁波検出器１７０では、電極５と孤立金属１の上のグラフェン層２との間、および孤立金属１の上のグラフェン層２同士の間の電気接続を、金属膜やワイヤーボンドなどグラフェン層２以外の接続配線８により行っている。

実施の形態５．
図１９は、全体が１８０で表される、本発明の実施の形態５にかかる電磁波検出器の斜視図である。電磁波検出器１８０では、孤立金属１および電極５が接続された金属パターン３０を有している点で、電磁波検出器１００とは異なっている。

電磁波検出器１８０では、金属パターン３０の下部において、孤立金属１の加工によりグラフェン層２に発生する結晶性の悪化を防止できる。

電磁波検出器１８０において、孤立金属１の下部に配置されたグラフェン層２の抵抗値をＲ１とし、孤立金属１と孤立金属１間のグラフェン接続配線６の抵抗値をＲ２とし、孤立金属１が配置されていない部分の抵抗値をＲ３とし、孤立金属１の抵抗値をＲ４、孤立金属１間の抵抗値をＲ５とする。このとき、孤立金属１を１つ配置した場合の電極５間の抵抗値は、

で表すことができる。

ここで、グラフェン層２のシート抵抗は、孤立金属のシート抵抗と比べて十分小さいため、次のような近似が成り立つ。

孤立金属１付近のグラフェン層２の電気抵抗値のみが、特定波長の光強度に応じて変化するため、電気信号として検知できるのは、Ｒ１の項のみである。光の強度（単位Ｗ）変化に対する抵抗値変化量は、

となり、特定波長の光に対する電気特性は、孤立金属１および電極５が接続されたパターンの有無にかかわらず、変化しないことがわかる。

電磁波検出器１８０では、金属パターン３０を設けることにより、グラフェン接続配線６の安定形成が可能となり、加えて周囲からの物理的な影響を防止し、良好な電磁波検出器１８０が得られる。

図２０は、全体が１９０で表される、本発明の実施の形態５にかかる他の電磁波検出器の斜視図である。電磁波検出器１９０では、孤立金属１および電極５が接続された金属パターン３０を有している点で、図１３（ａ）に示す電磁波検出器１１０と異なっている。

電磁波検出器１９０では、グラフェン層２の一部を除去することにより、特定波長の光に対する電気特性の変化量を大きくでき、電磁波検出器１９０の感度が向上する。また、実施の形態３でも述べたように、孤立金属１を直列配置することにより、更に特定波長の光に対する電気特性の変化量を大きくできる。

実施の形態６．
図２１は、全体が２００で表される、本発明の実施の形態６にかかる電磁波検出器の斜視図である。電磁波検出器２００では、孤立金属１の、表面に平行な面における形状が、正方形ではなく円形となっている。孤立金属１は、円形以外に楕円形、または三角形等の非点対称系でも良い。

孤立金属１の周期パターンと平坦な金属層４との間に絶縁層３が挟まれた多層構造では、表面プラズモン共鳴と絶縁層における導波モードが同時に発生する。絶縁層３における導波モードとは、絶縁層３の内部で共振した光のモードである。よって、表面プラズモン共鳴は孤立金属１の周期ではなく、孤立金属１の大きさで決まるようになる。つまり、本発明の実施の形態６にかかる多層構造の場合、吸収光と放射光の波長を決定するのは、孤立金属１の大きさ（表面に平行な面内での寸法）である。孤立金属１が正方形の場合と同様に、円形、楕円、三角形の場合も同様の効果を得ることができる。

実施の形態７．
図２２は、全体が２１０で表される、本発明の実施の形態７にかかる電磁波検出器の斜視図である。また、図２３は、図２２のＡ−Ｂにおける断面図である。

実施の形態７にかかる電磁波検出器２１０では、金属層４の一部をパターニングにより分離し、下部金属層利用配線９を作製し、更に下部金属層利用配線９上の絶縁層３にコンタクトホールを設けることで、グラフェン層２と下部金属層利用配線９とを電気的に接続する。

実施の形態７にかかる電磁波検出器２１０では、グラフェン層２の成膜後の加工工程を減らすことができ、写真製版工程や、ＤＲＹエッチング、ＷＥＴエッチングなどの工程を経るごとに発生するグラフェン層２の結晶性の悪化を低減できる。また、製造工程数の削減により製造コストを低減しつつ、特定波長の光を検知する電磁波検出器２１０の感度は保たれる。

実施の形態８．
図２４は、全体が２２０で表される、本発明の実施の形態８にかかる電磁波検出器の断面図である。電磁波検出器２２０では、孤立金属１の下部に第１グラフェン層１１が、上部に第２グラフェン層１２が、それぞれ設けられている。他の構造は、電磁波検出器１００と同じである。

電磁波検出器２２０では、孤立金属１の周辺に、複数のグラフェン層２層（第１グラフェン１１と第２グラフェン層１２）が配置されているため、光吸収率を向上させることが可能となり、特定波長の光に対する電気特性の変化量を大きくでき、検出感度を向上させることができる。

実施の形態９．
図２５は、全体が２３０で表される、本発明の実施の形態９にかかる電磁波検出器の断面図である。電磁波検出器２３０では、金属層４の上から順番に、第１絶縁層３１、第１グラフェン層１１、第２絶縁層３２に覆われた第１孤立金属２１、第２グラフェン層１２、第２孤立金属２２の順で配置されている。

即ち、電磁波検出器２３０では、第２孤立金属２２の上部から光が入射すると、第２孤立金属２２、第２絶縁層３２、第１孤立金属２１は、金属層の周期パターンと平坦な金属層との間に絶縁層が挟まれた多層構造となっており、表面プラズモン共鳴と絶縁層における導波モードが同時に発生する。この作用により、第２孤立金属２２の大きさに起因した特定波長の光成分が第２グラフェン層１２により吸収される。

次に、第１孤立金属２１、第１絶縁層３１、金属層４は金属層の周期パターンと平坦な金属層との間に絶縁層が挟まれた多層構造となっており、表面プラズモン共鳴と絶縁層における導波モードが同時に発生する。この作用により、第１孤立金属２１の大きさに起因した特定波長の光成分が第１グラフェン層１１により吸収される。

つまり、電磁波検出器２３０では、一つのパッチ構造において２つの特定波長を吸収することができる。また、積層構造を２層ではなく、複数層形成することにより、任意の数の光吸収ピークを持つ光センサを得ることができる。

実施の形態１０．
図２６は、全体が２４０で表される、本発明の実施の形態１０にかかる電磁波検出器の断面図である。電磁波検出器２４０では、孤立金属１がグラフェン層２表面に接触することなく中空に形成されている。大気と絶縁層の光屈折率を比べると、絶縁層の方が大きな屈折率を有していることがわかる。孤立金属１の周期パターンと、平坦な金属層４との間に絶縁層３が挟まれた多層構造において、表面プラズモン共鳴と絶縁層３における導波モードが同時に発生する。絶縁層３における導波モードとは、絶縁層３の内部で共振した光のモードである。この導波モードは、光屈折率が大きい方が強くなる。つまり、孤立金属１の周辺は酸化膜のほうが光の閉じ込め効果は大きい。

実施の形態１０において、孤立金属１をグラフェン層２近傍から隔離しても、絶縁層内部における光閉じ込め効果はほぼ変わらない。よって、グラフェン層２を流れる光電流に対する孤立金属１の影響が少なくなるため、さらに高速な応答が可能となる。
なお、本発明の実施の形態１０にかかる中空構造は、孤立金属１の光の閉じ込め効果を著しく悪化させない程度の構造物により孤立金属１を保持することにより形成してもよい。また、中空構造は、酸化膜などの膜構造により孤立金属１を保持することにより形成してもよい。

実施の形態１１．
図２７は、全体が３００で表される、本発明の実施の形態１１にかかる電磁波検出器アレイの上面図である。電磁波検出器アレイ３００は、実施の形態１〜１０で述べた電磁波検出器のうち、孤立金属１の大きさが均一な電磁波検出器（例えば電磁波検出器１００）を複数個、一次元もしくは二次元アレイ状に配置することで、画像センサを構成するものである。

このような構造により、入射光のうち所定の波長の入射光の光強度を検知することができる画像センサを得ることができる。なお、電磁波検出器アレイ部の外側に、それぞれの電磁波検出器から得られた電気信号を読み出す回路や、行列選択回路などを設置しておくことが好ましい。

実施の形態１２．
図２８は、全体が４００で表される、本発明の実施の形態１２にかかる電磁波検出器アレイの上面図である。電磁波検出器アレイ４００は、実施の形態１〜１０で述べた電磁波検出器のうち、孤立金属１の大きさが異なる電磁波検出器１０１、１０２、１０３、１０４を、規則性を持たせた状態で一次元もしくは二次元アレイ状に配置することで、画像センサを構成するものである。既に述べたように、電磁波検出器の吸収体に形成した孤立金属１の一辺の長さＬを変えることにより、画素を構成するセンサの検出波長を変えることができる。つまり、各センサの吸収体に異なる深さを有する溝部を設けることにより、画素によって異なる波長の入射光強度情報を有する画像を検出する画像センサとして用いることが可能となる。

また、孤立金属１の厚さｈ、周期ｓ、絶縁層３の厚さｔ、が吸収波長の決定に与える影響は小さいが、一辺の長さＬに対してそれぞれを変化させても良い。つまり、Ｓ／Ｌの最適化、ｈ／Ｌ、ｔ／Ｌの最適化によって所望の波長における吸収率を最大化することができる。よって、Ｌ、ｓ、ｈ、ｔのうち少なくとも一つが互いに異なるセンサ構造を有する画素をアレイ化することによって、異なる波長情報を有する情報を得ることができる画像センサとして用いることが可能となる。

そして、このように異なる検出波長を有する画素をアレイ化することによって、可視光域におけるイメージセンサと同様に、赤外波長域においてもカラー化した画像を得ることができる。また、イメージセンサ以外の用途としては、少ない画素数で物体の位置検知用のアレイ化センサとして用いることができる。本構造により、複数波長の光強度を検知することができる画像センサを得ることができる。これにより、一般的なＣＭＯＳセンサなどで必要であったカラーフィルタを用いることなく、複数波長の画像化が可能となる。

実施の形態１３．
図２９は、全体が５００で表される、本発明の実施の形態１３にかかる電磁波検出器アレイの上面図である。電磁波検出器アレイ５００では、実施の形態１〜１０で述べた電磁波検出器のうち、孤立金属１の大きさを変えたものを複数種類、規則性を持たせた状態で配置した電磁波検出器２５０を形成し、それを一次元もしくは二次元アレイ状に配置することで、画像センサを構成するものである。

このような構造により、１つの電磁波検出器２５０中でマルチ波長の吸収が可能となる。これにより、ブロードな急流波長特性を持つ電磁波検出器アレイを得ることができる。

実施の形態１４．
図３０は、全体が２６０で表される、本発明の実施の形態１４にかかる電磁波検出器の断面図である。電磁波検出器２６０では、孤立金属１とグラフェン層２間に孤立金属絶縁保護膜４０を設置することで、孤立金属１をグラフェン層２から電気的に絶縁している。孤立金属１がグラフェン層２と電気的に接触していた場合、電極５より電気信号を取り出す際、孤立金属１に電位が発生する。この電位により、孤立金属１と金属層４の間の光閉じ込め効果に影響をもたらす可能性がある。また、この電位は、複数設置されている孤立金属１間で微小な差異を持っているため、孤立金属１間で光閉じ込め効果に差が生じる可能性がある。これに対して、電磁波検出器２６０では、このような問題点が解決でき、検知強度が安定した電磁波検出器２６０を提供できる。

実施の形態１５．
図３１は、全体が６００で表される、本発明の実施の形態１５にかかる電磁波検出器の斜視図であり、図３２はその断面図である。
電磁波検出器６００が本発明の実施の形態１の電磁波検出器１００と異なる点は、グラフェン層２が半導体層１３上に配置されている点である。ここで、グラフェン層２は、半導体層１３とショットキー接合を形成する。電極５とグラフェン層２は電気的に接続される。グラフェン層２は、電極５を介して、外部バイアスなどの光電流の変化を取り出すための電気回路に接続されている。例えば電気信号の読み出し方法としては、電極５と金属層４との間での、電流量変化や電圧値変化を検出することで、入射する電磁波を検出することができる。
なお、半導体層１３、グラフェン層２、孤立金属１の相互作用に関しては、実施の形態１６で詳述する。

実施の形態１６．
図３３は、全体が６５０で表される、本発明の実施の形態１６にかかる電磁波検出器の斜視図であり、図３４はその断面図である。
電磁波検出器６５０が実施の形態１の電磁波検出器１００と異なる点は、グラフェン層２が半導体層１３および孤立金属１の上に配置されている点である。特に、電磁波検出器６５０は、金属層４、半導体層１３、絶縁層１４、電極５、孤立金属１を形成した後に、その上に別途作製したグラフェン層２を張りつけるため、製造工程のプロセスの影響を受けない良質のグラフェン層２を使用でき、より高効率に光を吸収することができる。

ここで、グラフェン層２は、半導体層１３とはショットキー接合を形成する。グラフェン層２と電極５は電気的に良好な接続を有していることが好ましく、グラフェン層２の作製時には、ランプアニール等の後処理や、スパッタエッチング、ＷＥＴ処理等の前処理を行うことが好ましい。グラフェン層２には、電極５を介して、外部バイアスなどの光電流の変化を取り出すための電気回路に接続されている。例えば電気信号の読み出し方法としては、電極５と金属層４との間での、電流量変化や電圧値変化を検出することで、入射する電磁波を検出することができる。

次に、図３５を用いて、電磁波検出器６５０の半導体層１３、グラフェン層２、孤立金属１の相互作用について説明する。半導体層１３はここではシリコンとする。シリコンの厚さは通常の基板厚さ数１００μｍ程度を想定しているが、ここでのシリコンの厚さは、効果に対して大きな影響を与えない。また、孤立金属１の波長成分厚さｈは２００ｎｍとした。一辺の長さＬを１．０、１．５、２．０μｍ、周期Ｓを３μｍとした時の透過率を電磁界解析によって求めた結果を図３６に示す。

図３６は、本発明の実施の形態１６にかかる電磁波検出器６５０の透過特性を電磁界解析で求めたグラフであり、横軸は入射光の波長、縦軸は透過率を表す。図３６から明らかなように、１０μｍ付近に透過率の減衰が現れる。この透過率の減衰は孤立金属１のプラズモン共鳴によるものである。シリコン上に孤立金属１のみが形成された構造においては、一辺の長さＬではなく周期Ｓによってプラズモン共鳴が決定されることが分かる。また、減衰率はＳに対してＬが大きくなるほど大きくなる。これは、ＬがＳに対して大きいほどプラズモン共鳴も大きいことを示している。特に、この構造はＳに対して共鳴波長が大きいことからメタマテリアルと呼ばれることもある。また、電磁波検出器６５０は、孤立金属１におけるプラズモン共鳴が生じているため、入射角度依存性が低い。よって、入射角度が変化しても共鳴波長は大きく変化しない。

次に、図３７に示すように、図３５に示す構造の上にグラフェン層２を成膜した試料を実際に作製し透過率を測定した。そしてグラフェンを成膜した構造（図３７）における透過率の、グラフェンの無い構造（図３５）における透過率に対する比（透過率の増幅率）を求めた。図３８は、透過率の増強率を縦軸に、構造の充填率（充填率＝Ｌ／Ｓで定義される）を横軸にとったものである。

図３８から分かるように、充填率Ｌ／Ｓが大きいほど透過率の増強効果が大きくなる。例えば充填率が５０％以上であれば、増強率は２００％以上となっていることが分かる。つまりグラフェン層２がシリコン（半導体層１３）と接することからプラズモン共鳴が増強されていることを示している。このように、図３６の結果と合わせて説明すれば、プラズモン共鳴が大きいほどグラフェンによる増強効果も大きくなっている。これは、プラズモン共鳴とグラフェンの相互作用の結果と言える。

以上で述べたように、孤立金属１、グラフェン層２、半導体層１３を用いることでプラズモン共鳴が大きく増強される。よって電磁波検出器６５０（同様に電磁波検出器６００）を用いることにより、検出感度の増大が可能となる。

また、図３１や図３３の構造のみでも、屈折率やガス分析用のオンチップ分析や分析フィルタにも用いることができる。

表面プラズモンの波数をｋ_ｓｐ、金属の誘電率ε_１、誘電体の誘電率ε_２とすると、表面プラズモンの分散関係は、一般に、以下の式のようになる。

但し、ωは周波数、ｃは真空の光速である。即ち、誘電体と金属の間に表面プラズモンを励起するための共鳴条件となる。

このように、表面プラズモン共鳴波長は、金属と周囲の媒質の誘電率によって決定される。つまり、孤立金属１の周囲の物質によってプラズモン共鳴波長が敏感に変わるため、周囲の物質を分析することが可能になる。具体的には、バイオ分野などでの有機物の分析や、特定の吸収ピークを有するガス分析用のフィルタ等に用いることができる。

上述のようにグラフェンとプラズモン共鳴との相互作用によってプラズモン共鳴が増強されることから、オンチップの分析センサや分析用の透過フィルタに用いる場合、従来構造の電磁波検出器よりも感度が増加するといった顕著な効果がある。特に、本発明の構造では、入射角度依存性が低いため入射光の角度が変化した場合でも共鳴波長に対する影響が小さく、分析対象物の影響が大きく反映される。このため、通常の表面プラズモンを利用したオンチップ分析センサやガス分析用の透過フィルタに比較して分析精度が高くなる。また入射角度を精度よく一定に保つような機構が不要になるため、分析機器として小型化できる。また、組立工数の削減も可能である。

実施の形態１７．
図３９は、全体が７００で表される、本発明の実施の形態１７にかかる電磁波検出器の断面図である。電磁波検出器７００では、孤立金属１の下部に、第１グラフェン層１１が、上部に第２グラフェン層１２が、それぞれ設けられている。他の構造は、実施の形態１５の電磁波検出器６００と同じである。

本発明の実施の形態１７にかかる電磁波検出器７００では、孤立金属１の周辺に、２層のグラフェン層（第１グラフェン層１１と第２グラフェン層１２）が配置されているため、更に光吸収率を向上させることが可能となり、特定の偏光成分および波長成分の光に対する電気特性変化量の増大が可能となる。

実施の形態１８．
図４０は、全体が８００で表される、本発明の実施の形態１８にかかる電磁波検出器の断面図である。
電磁波検出器８００が実施の形態１の電磁波検出器１００と異なる点は、グラフェン層２が強誘電体層１５上に配置されている点である。電極５とグラフェン層２は電気的に接続される。強誘電体材料としては、ＰＺＴ（ＰｂＺｒ_ｘＴｉ_１−ｘＯ_３）やＳＢＴ（ＳｒＢｉ_２Ｔａ_２Ｏ_９）などが用いられ、これらの材料は分極特性を有する。強誘電体材料は、ペロブスカイト構造と呼ばれる結晶構造を持ち、強誘電体材料にかかる電界により分極値が変化する。電磁波の入射によるグラフェン層２の電位変化により強誘電体層１５にかかる電界が変化し、強誘電体層１５の分極値が変化する。この分極値変化を検出することで、入射する電磁波を検出することができる。
また、半導体層１３、絶縁層１４、強誘電体層１５の代わりに遷移金属ダイカルコゲナイト層を用いた場合も、グラフェン層との間でヘテロ接合を形成するため、光電変換効率の増大が可能となる。

電磁波の検出方法を簡単に示すために、図４０では、電極５と金属層４との間の短絡電流を測定する検出方法を例示するが、他の検出方法を用いても構わない。

次に、本発明の実施の形態１８にかかる電磁波検出器８００の製造方法について、図４１を参照しながら説明する。図４１は、電磁波検出器８００の製造工程の断面図であり、かかる製造方法は、以下の工程１〜７を含む。

工程１：図４１（ａ）に示すように、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等からなる平坦な金属層４を形成する。金属層４は、Ｓｉなどの平坦な基板上に形成してもよいし、金属層４を独立して形成してもよい。また、Ｓｉなどの平坦な基板上に形成した後、基板を除去することで独立した金属層４を形成してもよい。また、電磁波検出器として使用しない部分を任意の形状にパターニングしてもよい。

工程２：図４１（ｂ）に示すように、金属層４の上に、例えばＰＺＴ（ＰｂＺｒ_ｘＴｉ_１−ｘＯ_３）、ＳＢＴ（ＳｒＢｉ_２Ｔａ_２Ｏ_９）等からなる、強誘電体層１５を形成する。強誘電体層１５の形成方法は、スパッタ、ＣＶＤ、ゾル・ゲル法のいずれの方法で成膜しても良い。その際、強誘電体層１５の表面は、金属層４の表面と平行かつ平坦なるように形成することが好ましく、ＣＭＰ研磨や熱処理などの平坦化処理を実施してもよい。

工程３：図４１（ｃ）に示すように、絶縁層３上にグラフェン層２を堆積する。この際、エピタキシャル成長などの方法により成膜してもよいし、あらかじめ成膜したグラフェン層を貼り付けてもよい。

工程４：図４１（ｄ）に示すように、グラフェン層２の上に写真製版やＥＢ描画などの方法を用いてフォトレジスト２０を形成し、その上にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等からなる電極５を堆積する。

工程５：図４１（ｅ）に示すように、フォトレジスト２０をリフトオフすることで電極５を形成する。この際、電極５はグラフェン層２と電気的な接続が良好な状態とすることが好ましく、そのためのランプアニール等の後処理や、スパッタエッチング、ＷＥＴ処理等の前処理を行うことが好ましい。

工程６：図４１（ｆ）に示すように、グラフェン層２の上に写真製版やＥＢ描画などの方法を用いてフォトレジスト２０を形成し、その上にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等からなる金属層を堆積する。

工程７：図４１（ｇ）に示すように、フォトレジスト２０をリフトオフすることで孤立金属１を形成する。以上の工程により、図４０に示す電磁波検出器８００が完成する。

実施の形態１９．
図４２は、全体が８１０で表される、本発明の実施の形態１９にかかる電磁波検出器の断面図である。
電磁波検出器８１０が実施の形態１８の電磁波検出器８００と異なる点は、グラフェン層２が強誘電体層１５および孤立金属上に配置されている点である。本実施の形態の電磁波検出器８１０は、金属層４、強誘電体層１５、絶縁層１４、電極５、孤立金属１を形成した後に、その上に別途作製したグラフェン層２を張りつけて作製するため、製造工程のプロセスの影響を受けていない良質のグラフェン層２を使用でき、より高効率に光を吸収することができる。また、グラフェン層２と電極５は電気的に良好な接続を有していることが好ましく、ランプアニール等の後処理や、スパッタエッチング、ＷＥＴ処理等の前処理を行うことが好ましい。
電磁波の入射によるグラフェン層２の電位変化により強誘電体層１５にかかる電界が変化し、強誘電体層１５の分極値が変化する。電磁波検出器８１０では、この分極値の変化を検出することで、入射する電磁波を検出することができる。

実施の形態２０．
図４３は、全体が８２０で表される、本発明の実施の形態２０にかかる電磁波検出器の断面図である。
本発明の実施の形態にかかる電磁波検出器８２０では、孤立金属１の下部に第１グラフェン層１１が、上部に第２グラフェン層１２が、それぞれ設けられている。他の構造は、実施の形態１８の電磁波検出器８００と同じである。本実施の形態にかかる電磁波検出器８２０では、孤立金属１の周辺に、複数のグラフェン層２層（第１グラフェン層１１と第２グラフェン層１２）が配置されているため、光吸収率を向上させることが可能となり、特定の偏光成分および波長成分の光に対する電気特性変化量の増大が可能となる。

なお、実施の形態１８〜２０にかかる電磁波検出器８００、８１０、８２０において、強誘電体層１５が単結晶であれば、より大きな強誘電体層１５の分極値変化を得ることができ、電磁波検出器を高感度化が可能となる。

実施の形態２１．
図４４は、全体が１１００で表される、本発明の実施の形態２１にかかる電磁波検出器の斜視図である。図４５は、図４４のＩＩ−ＩＩ’（ストライプ状の孤立金属１の長手方向に垂直な断面）における断面図である。また、図４６は、図４５を上面（「表面」または「入射面」ともいう。）から見た場合の平面図である。

図４４〜４６、特に図４５に示すように、電磁波検出器１１００は、基板（図では省略）上に形成された金属層４と、その上面に設けられた厚さｔからなる絶縁層３、その上面に設けられたグラフェン層２、グラフェン層２の上には、短い方向の一辺（短辺）の長さがＬ、厚さｈのストライプ状（長方形）からなる孤立金属１が、１次元的に周期がＳとなるように配置されている。長手方向（長辺）の長さは、Ｌより大きければ特に制限はない。一方、グラフェン層２の上には、孤立金属１を挟んで対向する位置に２つの電極５が配置されている。電極５は、電気信号を読み出すための端子であり、寸法や形状に制限はない。

グラフェン層２は単層または２層以上でもよい。グラフェン層２は積層数を増加した場合、光吸収率が増加する。また、積層された任意の２層において、六方格子における格子ベクトルの向きが一致しない、つまり結晶方位にずれがある積層構造でもよいし、完全に格子ベクトルが一致した積層構造でもよい。

なお、金属層４を上に形成する基板は、本発明の電磁波検出器の保持できるものであれば、半導体基板等でよい。また、適宜、絶縁性を有する高抵抗シリコン基板、あるいは熱酸化膜を形成し絶縁性を高めた基板などを用いても良い。

但し、孤立金属１の数は、図４４〜４６に縛られるものではなく、適宜選択できる。

孤立金属１および金属層４は、金属からなり、特に表面プラズモン共鳴を生じやすい金属あるいは赤外波長域などでは対象とする波長における反射率が高い金属から形成されることが好ましく、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ等から形成される。換言すれば、負の誘電率を有する材料が望ましい。但し、損失の大きな金属を用いた場合、吸収率特性における半値幅が広がるなど波長選択性、つまり単色性が劣化することがある。よって、金属の種類は必要とされる検知波長の半値幅などによって、適宜選択される。また、逆に損失の大きな金属を用いることで広範な波長域を検知するような、ブロードな吸収をもたせることが可能になる。

また、絶縁層３は酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化アルミニウム、酸化ニッケル、シリコン等の絶縁物から形成されることが好ましい。また、ＳｉやＧａＡｓなどの半導体材料を用いても同様の効果がある。

次に、本発明の実施の形態２１にかかる電磁波検出器１１００の動作原理について説明する。電磁波検出器１１００に光（電磁波）が入射した場合、入射面に周期的に形成された孤立金属１のパターンが１次元的に配置されていることから、孤立金属１の長手方向に対して垂直な電界成分を有する入射電磁波が主要な共鳴を起こす。対して、平行な電界成分を有する入射電磁波（ＴＥ偏光とする）は共鳴を生じない、あるいは垂直な電界成分（ＴＭ偏光とする）を有する入射電磁波よりも共鳴が弱くなる。この関係を図４５の断面図に加えて一般的に図示したものが図４７である。ストライプ状の長手方向に垂直な平面（紙面）に平行な電界成分を有し、紙面に垂直な磁界成分を有する偏光方向（ＴＭ偏光）を主に吸収するが、ＴＥ偏光については、ほとんど吸収しない。よって、偏光角度が分離できる。

長手方向の長さが、Ｌに比べて十分長ければ、平行な電界成分を有する入射電磁波は、ほぼ共鳴が生じず吸収されなくなる。これにより、特定方向の偏光のみを吸収することができる。具体的な偏光選択効果については、後に電磁界計算を用いて詳細に説明する。つまり、共鳴する共鳴波長の光が、入射した光の中から選択される。更に選択された波長の光のうち、絶縁層３に導かれる導波モードの光がさらに選択される。

次に、孤立金属１と金属層４との間に挟まれた絶縁層３内で共鳴が発生し、ここでも共鳴波長の光が選択される。ここで、絶縁層３は、入射光の波長に比べて非常に薄いため、絶縁層３の厚さ方向の共鳴は支配的にはならない。よって、実質的には孤立金属１の短い方向の大きさＬ方向の共鳴が支配的になる。また、グラフェン層は単原子層であるから、入射電磁波に対して構造物としての作用は弱く、上述の光学的な共鳴現象への影響は無視できる。特に共鳴は、孤立金属１のエッジ部分で特に強い。このため、グラフェン層２が孤立金属１の下にある本実施の形態の場合でも、上にある他の実施の形態の場合でも、吸収特性においては同等の効果を有する。

電磁波検出器１１００の入射面側では、以上のような共鳴が生じる。これは、特に、表面プラズモン共鳴、プラズモン共鳴、あるいは一般的に表面プラズモンポラリトンが発生する波長域である可視域〜近赤外域以外での金属表面における共鳴という意味で、擬似表面プラズモン共鳴と呼ばれる。ただし近年では、波長域に関わらずこれらの共鳴現象を表面プラズモンあるいはプラズモンとして扱うことが主流となっている。また、同様に波長以下の構造により、特定の波長を操作するという意味で、メタマテリアル、プラズモニックメタマテリアルと呼ばれることもある。但し、本質的には既に述べたように、孤立金属１の表面あるいは孤立金属１と金属層４によって形成される特別な共鳴による吸収である。よって、本発明の明細書では、特にこれらの名称を区別せず、現象面からは同じとする。明細書中では、これらの共鳴を表面プラズモン共鳴、プラズモン共鳴、あるいは単に共鳴と呼ぶ。

このように、特定の波長におけるプラズモン共鳴によって、孤立金属１の周辺に強く局在することになる。この場合、孤立金属１の下部にあるグラフェン層２は、共振器中に配置されることになるため、局在した光を最終的にグラフェン層２が全て吸収することができる。後述の解析結果が示すように、孤立金属１付近において光はほぼ１００％局在することになる。よって、図４８ａに示すように、通常の光入射におけるグラフェン層の光吸収率は、通常の２．３％に対して、共振器中に設置されたグラフェン層２は、図４８ｂのように、共振器中ではグラフェン層２に対して、電磁波が入射を繰り返す。よって、最終的に局在した光を全て（１００％）吸収することができる。よって、出力される光電流が大幅に増加することにより感度が増加する。検出器の動作状態においては、グラフェン層２への電磁波入射によって発生した光電流を検出する。その時、グラフェン層２の光電流発生経路両端にある電極５は、外部バイアスが有りの状態でも、無しの状態でも検出器は動作する。通常、バイアス印加により、発生したキャリアの検出効率は高くすることができる。

グラフェン層２には、電極５を介して、外部バイアスなどの光電流の変化を取り出すための電気回路が接続されている。例えば電気信号の読み出し方法としては、２端子の電極５の両端に電圧を印加すると、グラフェン層２内の抵抗値変化という電気的な信号により、導通する電流量が変化する。この電流量の変化を検出することで、入射する電磁波を検出することができる。また、２端子の電極５間に一定電流を流す回路を付加し、電圧値の変化量を観測してもよい。

また、金属層４をゲート端子として、２端子の電極５と組み合わせることでトランジスタ構造を形成し、電気信号を取り出してもよい。金属層４に電圧をかけることにより、グラフェン層２に更に大きな電界を生じさせることができ、電磁波の入射により発生したキャリアを高効率に検出することができる。また、１端子のみ形成した電極５で、電磁波の入射によるグラフェン層２の電位変化を取り出してもよい。

以降に記載する実施の形態では、検出方法の簡略化のため、図４４に示すように、２つの電極５の間の電気抵抗の検出を代表例として記載するが、他の検出方法を用いても構わない。

孤立金属１の膜厚ｈについて述べる。ｈが厚くなると、厚さ方向にも共鳴が生じるため、高さ方向にも共鳴が生じる。よって、検出効率の入射角度依存性が大きくなる。この結果、特定波長においては垂直入射以外の光を吸収しなくなり、出力が低下する傾向にある。つまり、少なくともｈ＜Ｌ（孤立金属１の短辺の長さ）を満たし、できるだけ薄くすることが好ましい。

膜厚ｈの下限について説明する。検出波長に対して、
δ＝（２／μσω）^１／２
ただし、μ、σはそれぞれ孤立金属１の透磁率、電気伝導率であり、
ωは検出波長を有する電磁波の角振動数である。
で表される表皮効果の厚さ（ｓｋｉｎ ｄｅｐｔｈ）の２倍程度の厚さ（波長によって変化するが、赤外域においては、数１０ｎｍ程度から数１００ｎｍ程度）以上であれば、一般に入射光の漏れ出しが充分に小さいといえる。よって、膜厚ｈの最低膜厚は、上記の条件を満たさなければならない。以下の解析に示すように、赤外波長域においては、数１０〜１００ｎｍ程度以上であれば十分な吸収が生じ、２００ｎｍ程度あれば十分である。このように、孤立金属１の膜厚が薄い場合、表面プラズモン共鳴は、主として、孤立金属１の面内方向において生じ、吸収する入射光の波長は、孤立金属１の大きさにより決まる。

これに対して、膜厚ｈが厚くなり、Ｌの１／４より大きくなった場合、膜厚方向（面内方向に垂直な方向）にも共鳴が発生し、吸収特性の入射角度依存性が大きくなり、また共鳴方向が一か所ではないことから、吸収波長が多波長化するという問題が生じる。

上述のように孤立金属１の膜厚が非常に薄い場合、吸収波長は主として面内方向の共鳴によって決定されるため、結果的に、吸収波長の入射角依存性が小さくなる。この結果、入射角が変化しても、吸収波長、吸収率などの吸収特性の変化は殆どおこらなくなる。

例えば孤立金属１の膜厚が５００ｎｍと比較的厚いが、入射光の波長の１／４以下の場合には、吸収波長の入射角依存性は生じるが、一方で、吸収光や放射光の波長には影響しない。このため、電磁波検出器１１００に対して入射光が垂直に入射する場合は、孤立金属１の膜厚は、入射光の波長の１／４以下となる条件であれば、比較的厚くても良い。

同様に、絶縁層３についても、膜厚方向（絶縁層３の表面に垂直な方向）での共鳴が生じさせないためには、絶縁層３の膜厚ｔは、対象とする光の絶縁層中の光学長が、Ｌの１／４より小さいことが好ましく、例えば赤外波長域では２００ｎｍ以下であることが好ましい。光学長とは、屈折率あるいは誘電率によって決定される、物質中の光の波長である。また、孤立金属１と金属層４の間にキャビティを形成するためには、金属のエバネッセント波長（表皮厚）から決定される値の２倍程度より大きくする必要がある。

一方、金属層４の膜厚は、入射光および放射光が透過しない厚さとする必要がある。前述したように、これらの光の波長の表皮厚さの２倍程度またはそれ以上が好ましい。

ここで金属層の周期パターン（例えば孤立金属１）と、平坦な金属層（例えば金属層４）との間に絶縁層（例えば絶縁層３）が挟まれた多層構造では、表面プラズモン共鳴と絶縁層における導波モードが同時に発生する。絶縁層における導波モードとは、絶縁層の内部で共振した光のモードである。よって、表面プラズモン共鳴は金属層の周期ではなく、金属層の大きさで決まるようになる。つまり、本発明の実施の形態２１にかかる多層構造の場合、吸収光の波長を決定するのは、金属層（例えば孤立金属１）の大きさＬである。

また、金属層（例えば孤立金属１）の膜厚を、対象とする光の波長に対して十分に小さくし、かつ薄膜の絶縁層３内の導波モードを利用して、金属層（例えば孤立金属１）の面内方向に共鳴を発生させるため、深さ方向（厚さ方向）の共鳴の影響は小さい。よって、入射角依存性が小さく、より広い入射角の入射光の波長を吸収する、つまり検知することができる。

以上のように本発明の実施の形態２１にかかる電磁波検出器１１００では、入射光のうち吸収される光の波長（吸収波長）は、孤立金属１、絶縁層３および金属層４の３層構造によって決定される。また、吸収される特定の偏光角度は、孤立金属１の長手方向によって選択される。

図４９に、本発明の実施の形態２１にかかる電磁波検出器１１００の吸収特性を示すグラフであり、横軸は入射光の波長、縦軸は吸収率を表す。電磁界解析に用いた電磁波検出器１１００では、孤立金属１は、ストライプ状であり、厚さは５０ｎｍ、短辺の長さＬが１．０μｍ、金属層４の厚さは２００ｎｍ、ともに材料はＡｕである。また、絶縁層３は厚さが１００ｎｍの酸化シリコン（ＳｉＯ_２）である。孤立金属１の周期Ｓは４．０μｍとした。孤立金属１の長手方向について、入射電磁波の電界成分が垂直または平行な場合の吸収率を電磁界解析によって求めた。

図４９から分かるように、入射電磁波の電界成分が垂直な場合は、強い吸収が生じ、吸収波長は７．５μｍ付近である。しかし、平行な電界成分を有する入射電磁波は、ほぼ吸収されない。このように、偏光を識別することが可能である。

図５０は、図４９と同じく、孤立金属１の短辺の長さＬのみを変化させた場合の吸収特性である。なお、図４９と同様に、平行な電界成分を有する入射電磁波は、ほぼ吸収されない。

図５０から分かるように、吸収波の波長は、それぞれ孤立金属１の長さＬにほぼ比例して吸収波長が制御される。周期Ｓを変化させても、共鳴は孤立金属１の大きさによって決定されるため、上記の吸収波長とＬの関係はほぼ変わらない。

これらから、図５１に示すように、孤立金属１の短いＬ方向の平面において主要な共鳴が生じ、図５２のように、孤立金属１の近傍で電磁界が局在していることが裏付けられた。但し、周期Ｓは吸収波長より小さく設定する。これは、周期Ｓより小さい波長においては、入射電磁波は回折されて反射される場合があるため、吸収が生じないか弱くなる。つまり、
λａｂ∝Ｌ
λａｂ＞Ｓ
を満たせば、十分な吸収が得られる。

このように一定周期で配置した孤立金属１を用いる場合、吸収波長＞周期となるため、十分な吸収を達するために必要となる周期数×周期の値を小さくすることができる。つまり、電磁波検出器１１００の大きさを小さくすることができる。

なお、電磁波検出器１１００では、孤立金属１および絶縁層３の膜厚は、膜厚方向での共鳴が発生しない程度に薄くするが、上述のように、これらの膜厚を厚くした場合、表面プラズモン共鳴は、孤立金属１の面内方向の共鳴に加えて、孤立金属１の膜厚方向、絶縁層３の膜厚方向でも発生し、３次元的な共鳴となる。この結果、共鳴波長にも変化が生じ、吸収波長が変化する。一方で、孤立金属１等の膜厚を厚くした場合、吸収波長の入射角依存性が発生する。このため、例えば、入射光の入射角が常に垂直方向である場合のように、入射角依存性が無視できる場合は、孤立金属１や絶縁層３の膜厚を厚くすることにより共鳴波長を変化させることも可能である。

このように、本発明の実施の形態２１にかかる電磁波検出器１１００では、孤立金属１の大きさによって決定される波長の光を入射面で吸収できる。つまり、吸収スペクトルを自由に決定できるようになり、任意の電磁波の検知が可能になる。

次に、本発明の実施の形態２１にかかる電磁波検出器１１００の製造方法について、図５３を参照しながら説明する。図５３は、電磁波検出器１１００の製造工程の断面図であり、図４４のＩＩ−ＩＩ’における断面図である。かかる製造方法は、以下の工程１〜７を含む。

工程１：図５３（ａ）に示すように、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ等からなる平坦な金属層４を形成する。金属層４は、Ｓｉなどの平坦な基板上に形成してもよいし、金属層４を独立して形成してもよい。また、Ｓｉなどの平坦な基板上に形成した後、基板を除去することで独立した金属層４を形成してもよい。また、電磁波検出器として使用しない部分を任意の形状にパターニングしてもよい。

工程２：図５３（ｂ）に示すように、金属層４の上に、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化アルミニウム、酸化ニッケル、シリコン等からなる、絶縁層３を形成する。その際、絶縁層３の表面は、金属層４の表面と平行かつ平坦なるように形成することが好ましく、ＣＭＰ研磨や熱処理などの平坦化処理を実施してもよい。

工程３：図５３（ｃ）に示すように、絶縁層３上にグラフェン層２を堆積する。この際、エピタキシャル成長などの方法により成膜してもよいし、あらかじめ成膜したグラフェン層を貼り付けてもよい。

工程４：図５３（ｄ）に示すように、グラフェン層２の上に写真製版やＥＢ描画などの方法を用いてフォトレジスト２０を形成し、その上にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ等からなる金属層を堆積する。

工程５：図５３（ｅ）に示すように、フォトレジスト２０をリフトオフすることで電極５を形成する。この際、電極５はグラフェン層２と電気的な接続が良好な状態とすることが好ましく、そのためのランプアニール等の後処理や、スパッタエッチング、ＷＥＴ処理等の前処理を行うことが好ましい。

工程６：図５３（ｆ）に示すように、グラフェン層２の上に写真製版やＥＢ描画などの方法を用いてフォトレジスト２０を形成し、その上にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ等からなる金属層を堆積する。

工程７：図５３（ｇ）に示すように、フォトレジスト２０のパターンをリフトオフすることで孤立金属１を形成する。

以上の工程により、図４４および図４５に示す電磁波検出器１１００が完成する。

なお、本発明では、金属層４の上に絶縁層３、グラフェン層２を堆積し、その上に電極５および孤立金属１を配置すればよく、工程１〜７のような製造方法には限らない。例えば、図５４に示すように、グラフェン層２の上に形成したフォトレジスト２０の上に金属を堆積し（図５４（ａ））、リフトオフにより電極５と孤立金属１を同時に形成してもよい（図５４（ｂ））。また、図５５に示すように、グラフェン層２の上に金属を堆積し、その上にフォトレジスト２０のパターンを形成し（図５５（ａ））、フォトレジスト２０のパターンをマスクに用いて金属をエッチングした後、フォトレジスト２０を除去して電極５と孤立金属１を同時に形成してもよい（図５５（ｂ））。

本発明の実施の形態２１にかかる電磁波検出器１１００では、ストライプ状（スリット状）に形成された孤立金属１上に光が入射することで、孤立金属１の長辺方向に対して直交する方向の偏光成分のみが孤立金属１の周囲にとどめられる。この特定偏光成分の光は、グラフェン層２により吸収されるが、その吸収率はグラフェンのもつ吸光特性によりほぼ１００％となり、その結果、電気抵抗値が変化する。この電気抵抗値の変化を電極５で検知することで、入射する光の任意の偏光成分および波長成分の強度を電気的信号として取り出すことができる。

また、電磁波検出器１１００と共に、グラフェンを用いた出力増幅回路を電磁波検出器１１００の隣接部または下層部に設けてもよい。これにより通常使われているＳｉ系半導体材料からなるトランジスタと比べて、出力増幅回路をより高速動作可能なトランジスタで構成でき、高性能な電磁波検出器が実現できる。

また、読み出し回路などの周辺回路のトランジスタ等にグラフェンを用いることにより、高速読み出しや、製造プロセスの簡素化が可能になる。

実施の形態２２．
図５６（ａ）は、本発明の実施の形態２２にかかる電磁波検出器１１１０の斜視図である。実施の形態２１の電磁波検出器１１００と異なる点は、グラフェン層２をシート状に配置せず、グラフェン層２を部分的に加工して、グラフェン接続配線６とする点である。即ち、グラフェン層２は、孤立金属１と電極５の下部と、これらを接続するグラフェン接続配線６の部分のみに設けられる。

例えば、孤立金属１を形成した後、写真製版工程によりグラフェン層２の一部を除去することで、図５６（ａ）に示す電磁波検出器１１１０を得ることができる。図５６（ｂ）は、実施の形態２１にかかる電磁波検出器１１００の、２つの電極５間で観測される電気抵抗値についての概念図である。

図５６（ｂ）に示す実施の形態２１にかかる電磁波検出器１１００において、孤立金属１下部に配置されたグラフェン層２の抵抗値をＲ１とし、孤立金属１と孤立金属１の間の抵抗値をＲ２とし、孤立金属１が配置されていない部分の抵抗値をＲ３とする。このとき、孤立金属１が１つ配置しているとした場合の電極５間の抵抗値は、

で表すことができる。

孤立金属１付近のグラフェン層２の電気抵抗値のみが、特定波長の光強度に応じて変化するため、電気信号として検知できるのは、Ｒ１の項のみである。光の強度（単位Ｗ）変化に対する抵抗値変化量は、

となる。

一方、図５６（ａ）で示す実施の形態２２にかかる電磁波検出器１１１０では、孤立金属１下部に配置されたグラフェン層２の抵抗値をＲ１とし、孤立金属１と孤立金属１の間のグラフェン接続配線６の抵抗値をＲ２としたとき、孤立金属１が一つ配置しているとした場合の電極５間の抵抗値は、

で表すことができる。このため、

となる。

つまり、図５６（ａ）で示す、実施の形態２２にかかる電磁波検出器１１１０のほうが、入射光の特定波長および偏光成分に対する電気信号強度は強く得られることになり、高感度な電磁波検出器１１１０が得られる。

なお、実施の形態２２において、グラフェン接続配線６の形状は、電極５および孤立金属１の下部に配置されたグラフェン層２の間が接続されればよく、図５６（ａ）に示すような形状に限らない。例えば、グラフェン接続配線６の配線幅を広くしてもよいし、細く、複数個設定してもよい。

また、実施の形態２２では、グラフェン層２層を加工することによりグラフェン接続配線６を形成したが、電極５および孤立金属１の下部に配置されているグラフェン層２の接続が行われていればよく、グラフェン層２以外の配線層を別途形成してもよい。

図５７は、全体が１１３０で表される、実施の形態２２にかかる他の電磁波検出器の斜視図である。電磁波検出器１１３０では、グラフェン接続配線６の上に、グラフェン接続配線保護膜７が設けられている。グラフェン接続配線保護膜７は、例えばシリコン窒化膜やシリコン酸化膜からなる。

このようにグラフェン接続配線保護膜７を設けることにより、グラフェン接続配線６の安定形成が可能となり、加えて周囲からの物理的影響からグラフェン接続配線６を保護することができるため、良好な電磁波検出器１１３０を得ることができる。

実施の形態２３．
図５８は、全体が１１４０で表される、本発明の実施の形態２３にかかる電磁波検出器の斜視図である。電磁波検出器１１４０では、孤立金属１とグラフェン接続配線６を直列接続し、孤立金属１の長辺方向に向かって電流を印加している。電磁波検出器１１４０において、孤立金属１の下部に配置されたグラフェン層２の長辺方向の抵抗値をＲ１’とし、孤立金属１と孤立金属１の間のグラフェン接続配線６の抵抗値をＲ２とすると、ｎ個の孤立金属１を直列接続した場合、電極５間の抵抗値Ｒは

で表すことができるため、

となる。

ここで、Ｒ１’は、グラフェン層２の短辺方向の抵抗値Ｒ１と比べ、十分高く、かつグラフェン層２の温度変化率は長辺方向、短辺方向で同じ値を持つため、結果的に温度変化量は大きいはずである。つまり、実施の形態２３にかかる電磁波検出器１１４０では、入射光の特定波長および偏光成分に対する電気信号強度は強く得られることになり、高感度な電磁波検出器１１４０が得られる。

実施の形態２４．
図５９は、全体が１１５０で表される、本発明の実施の形態２４にかかる電磁波検出器の断面図である。電磁波検出器１１５０では、グラフェン層２を孤立金属１および電極５の上部に配置している点で、下部に配置している電磁波検出器１１００と異なる。金属層４、絶縁層３、電極５、孤立金属１を形成した後に、例えばエピタキシャル成長によりグラフェン層２を形成することで、実施の形態２４にかかる電磁波検出器１１５０が得られる。あるいは予め銅箔等にＣＶＤで製膜したグラフェンを転写することでグラフェンを形成してもよい。電磁波検出器１１５０の光学特性については、実施の形態１で既に述べたように、同等の吸収特性を有するため省略する。

グラフェン層２は、写真製版工程や、ＤＲＹエッチング、ＷＥＴエッチングなどのエッチング工程を経るごとに欠陥が生じる可能性がある。しかし、実施の形態２４にかかる製造工程では、最後にグラフェン層２が形成されるため、かかる欠陥の形成は無視できる。つまり、グラフェン層２をレジスト等で保護するような追加プロセスや、グラフェン層２に損傷を与えないようなプロセスを回避しなければならない等の制約が無くなるため、作製が簡便になりかつグラフェン層２を高品質に保つことができるという効果を有する。

また、グラフェン層２は、金属膜表面の原子構造を利用したエピタキシャル成長により、高品質な膜として形成でき、良好な特性を有する電磁波検出器１１５０が得られるとともに、入射光の特定波長および偏光成分に対する電気信号強度が得られる電磁波検出器１１５０が得られる。

図６０は、全体が１１６０で表される、本発明の実施の形態２４にかかる他の電磁波検出器の断面図である。電磁波検出器１１６０は、金属層４、絶縁層３、電極５、孤立金属１を形成した後に、その上に別途作製したグラフェン層２を張りつけて作製する。この際、グラフェン層２と電極５は電気的に良好な接続を有していることが好ましく、ランプアニール等の後処理や、スパッタエッチング、ＷＥＴ処理等の前処理を行うことが好ましい。

また、孤立金属１とグラフェン層２の間隔が近いことが好ましい。孤立金属１とグラフェン層２の間隔が近いほど、閉じ込められた光の吸収が効率的に行われるからである。ただ、感度が十分であれば、グラフェン層２と孤立金属１が完全に接触している必要は無い。

図６１は、全体が１１７０で表される、本発明の実施の形態２５にかかる他の電磁波検出器の断面図である。電磁波検出器１１７０では、電極５と孤立金属１の上のグラフェン層２との間、および孤立金属１の上のグラフェン層２同士の間の電気接続を、金属膜やワイヤーボンドなどグラフェン層２以外の接続配線８により行っている。

実施の形態２５．
図６２は、全体が１１８０で表される、本発明の実施の形態２５にかかる電磁波検出器の斜視図である。電磁波検出器１１８０では、孤立金属１および電極５が接続された金属パターン３０を有している点で、電磁波検出器１１００とは異なっている。

電磁波検出器１１８０では、金属パターン３０の下部において、孤立金属１の加工によりグラフェン層２に発生する結晶性の悪化を防止できる。

電磁波検出器１１８０において、孤立金属１の下部に配置されたグラフェン層２の長辺方向の抵抗値をＲ１’とし、孤立金属１と孤立金属１の間のグラフェン接続配線６の抵抗値をＲ２とし、孤立金属１の抵抗値をＲ４、孤立金属１間の抵抗値をＲ５とする。このとき、孤立金属１を一つ配置した場合の電極５間の抵抗値は、

で表すことができる。

ここで、グラフェン層２のシート抵抗は、孤立金属のシート抵抗と比べて十分小さいため、次のような近似が成り立つ。

孤立金属１付近に配置しているグラフェン層２の電気抵抗値のみが、特定偏光成分の光強度に応じて変化するため、電気信号として検知できるのは、Ｒ１’の項のみである。光の強度（単位Ｗ）変化に対する抵抗値変化量は、

となり、入射光の特定波長および偏光成分に対する電気特性変化量は、孤立金属１および電極５が接続されたパターンの有無にかかわらず、変化しないことがわかる。

電磁波検出器１１８０では、金属パターン３０を設けることにより、グラフェン接続配線６の安定形成が可能となり、加えて周囲からの物理的な影響を防止し、良好な電磁波検出器１１８０が得られる。

実施の形態２６．
図６３は、全体が１２１０で表される、本発明の実施の形態２６にかかる電磁波検出器の斜視図である。また、図６４は、図６３のＡ−Ｂにおける断面図である。

実施の形態２６にかかる電磁波検出器１２１０では、金属層４の一部をパターニングにより分離し、下部金属層利用配線９を作製し、更に下部金属層利用配線９上の絶縁層３にコンタクトホールを設けることで、グラフェン層２と下部金属層利用配線９とを電気的に接続する。

実施の形態２６にかかる電磁波検出器１２１０では、グラフェン層２の成膜後の加工工程を減らすことができ、写真製版工程や、ＤＲＹエッチング、ＷＥＴエッチングなどの工程を経るごとに発生するグラフェン層２の結晶性の悪化を低減できる。また、製造工程数の削減により製造コストを低減しつつ、特定の成分偏光および波長成分の入射光に対する検知感度は保たれる。

実施の形態２７．
図６５は、全体が１２２０で表される、本発明の実施の形態２７にかかる電磁波検出器の断面図である。電磁波検出器１２２０では、孤立金属１の下部に第１グラフェン層１１が、上部に第２グラフェン層１２が、それぞれ設けられている。他の構造は、電磁波検出器１１００と同じである。

電磁波検出器１２２０では、孤立金属１の周辺に、複数のグラフェン層２層（第１グラフェン層１１と第２グラフェン層１２）が配置されているため、光吸収率を向上させることが可能となり、特定の偏光成分および波長成分の光に対する電気特性変化量の増大が可能となる。

実施の形態２８．
図６６は、全体が１２３０で表される、本発明の実施の形態２８にかかる電磁波検出器の断面図である。電磁波検出器１２３０では、金属層４の上から順番に、第１絶縁層３１、第１グラフェン層１１、第２絶縁層３２に覆われた第１孤立金属２１、第２グラフェン層１２、第２孤立金属２２の順で配置されている。

即ち、電磁波検出器１２３０では、第２孤立金属２２の上部から光が入射すると、第２孤立金属２２、第２絶縁層３２、第１孤立金属２１は、金属層の周期パターンと平坦な金属層との間に絶縁層が挟まれた多層構造となっており、表面プラズモン共鳴と絶縁層における導波モードが同時に発生する。この作用により、第２孤立金属２２の大きさに起因した入射光の特定波長および偏光成分が第２グラフェン層１２により吸収される。

次に、第１孤立金属２１、第１絶縁層３１、金属層４は金属層の周期パターンと平坦な金属層との間に絶縁層が挟まれた多層構造となっており、表面プラズモン共鳴と絶縁層における導波モードが同時に発生する。この作用により、第１孤立金属２１の大きさに起因した特定の波長および偏光の光成分が第１グラフェン層１１により吸収される。

つまり、電磁波検出器１２３０では、一つのパッチ構造において２つの特定波長を吸収することができる。また、積層構造を２層ではなく、複数層形成することにより、任意の数の光吸収ピークを持つ光センサを得ることができる。

実施の形態２９．
図６７は、全体が１２４０で表される、本発明の実施の形態２９にかかる電磁波検出器の断面図である。電磁波検出器１２４０では、孤立金属１がグラフェン層２表面に接触することなく中空に形成されている。大気と絶縁層の光屈折率を比べると、絶縁層の方が大きな屈折率を有していることがわかる。孤立金属１の周期パターンと、平坦な金属層４との間に絶縁層３が挟まれた多層構造において、表面プラズモン共鳴と絶縁層３における導波モードが同時に発生する。絶縁層３における導波モードとは、絶縁層３の内部で共振した光のモードである。この導波モードは、光屈折率が大きい方が強くなる。つまり、孤立金属１の周辺は酸化膜のほうが光の閉じ込め効果は大きい。

実施の形態２９において、孤立金属１をグラフェン層２近傍から隔離しても、絶縁層内部における光閉じ込め効果はほぼ変わらない。よって、グラフェン層２を流れる光電流に対する孤立金属１の影響が少なくなるため、さらに高速な応答が可能となる。
なお、本発明の実施の形態２９にかかる中空構造は、孤立金属１の光の閉じ込め効果を著しく悪化させない程度の寸法の構造体により、孤立金属１を中空保持して形成すればよい。例えば、孤立金属１の長手方向（長辺）の両端に、孤立金属１をグラフェン層２上に中空保持する為の構造体を、孤立金属１と同一の材料で形成すれば、大幅な工程追加の必要が無い。また、中空構造は、酸化膜などの膜構造により孤立金属１を中空保持することにより形成してもよい。

実施の形態３０．
図６８は、全体が１３００で表される、本発明の実施の形態３０にかかる電磁波検出器アレイの上面図である。電磁波検出器アレイ１３００は、実施の形態２１〜３０で述べた電磁波検出器のうち、孤立金属１の大きさが均一な電磁波検出器（例えば電磁波検出器１１００）を複数個、一次元もしくは二次元アレイ状に配置することで、画像センサを構成するものである。

このような構造により、入射光のうち特定偏光および特定波長成分の光強度を検知することができる画像センサを得ることができる。なお、電磁波検出器アレイ部の外側に、それぞれの電磁波検出器から得られた電気信号を読み出す回路や、行列選択回路などを設置しておくことが好ましい。

実施の形態３１．
図６９ａは、全体が１３５０で表される、本発明の実施の形態３１にかかる電磁波検出器アレイの上面図である。電磁波検出器アレイ１３５０は、実施の形態２１〜２９で述べた電磁波検出器のうち、孤立金属１の角度（長手方向）が異なる電磁波検出器１１０１、１１０２、１１０３、１１０４を、規則性を持たせた状態で一次元もしくは二次元アレイ状に配置することで、画像センサを構成するものである。図６９ａに示すように、ストライプ状の孤立金属１の配置方向は４５°ずつ異なる４方向（０°、４５°、９０°、１３５°）となっている。

４つの電磁波検出器１１０１、１１０２、１１０３、１１０４を一つのユニットとすると、このユニットによって偏光が検知できる。図６９ｂ、図６９ｃにそのメカニズムを示す。図６９ｂ、図６９ｃでは、対称性から明らかなように、電磁波検出器１１０２、１１０４の成す直交座標系（図６９ｂに実線で、図６９ｃに破線で表す）と、電磁波検出器１１０１、１１０３の成す直交座標系（図６９ｃに実線で示す）により、入射光の偏光角が一意に決定される。従って、電磁波検出器アレイ１３５０（熱型赤外線センサ）の電気特性を読み出す読み出し回路に、以下のアルゴリズム（１）〜（３）を組み込むことによって、偏光角度を求めることが出来る。

（１）電磁波検出器１１０２、１１０４によって検知される偏光角度は、θまたは−θとなる（図６９ｂ参照）。
（２）電磁波検出器１１０１、１１０３によって検知される偏光角度は、Φまたは−Φとなる（図６９ｃ参照）。
（３）４５−Φ＞０ならば偏光角はθ、４５−Φ＜０ならば偏光角は−θである。

このように、異なる直交座標系を形成する１次元周期構造を形成した４つの電磁波検出器を１ユニットとすることで、電磁波検出器アレイ１３５０を回転させることなく偏光角度を求めることが可能となる。また、同様に３つの配置０°、４５°、９０°によっても偏光角度の算出が可能である。これにより、従来一般的に製造されているＣＭＯＳセンサなどで必要であった偏光フィルタおよび、偏光フィルタ駆動システム無しで、複数波長の画像化が可能となる。

実施の形態３２．
図７０は、全体が１４００で表される、本発明の実施の形態３２にかかる電磁波検出器アレイの上面図である。電磁波検出器アレイセンサは、実施の形態２１〜２９で述べた電磁波検出器のうち、孤立金属１の短辺の長さを変えた電磁波検出器１２０１〜１２０４を形成し、それを一次元もしくは二次元アレイ状に配置することで、画像センサを構成するものである。これにより、一つの電磁波検出器アレイ１４００中で入射光における多波長成分の分解吸収が可能となる。これにより、波長選択性を持つ電磁波検出器アレイを得ることができる。

実施の形態３３．
図７１は、全体が１２５０で表される、本発明の実施の形態３３にかかる電磁波検出器の上面図である。電磁波検出器１２５０では、実施の形態２１〜２９で述べた電磁波検出器のうち、短辺の長さを変えた複数の孤立金属１を、同一の電磁波検出器に、規則性を持たせた状態で配置する。

このような構造により、単一の偏光成分でかつさまざまな波長成分を有する光を、１つの電磁波検出器１２５０で検知できる。これにより、入射光のうちマルチ波長に吸収帯をもち、複数種類の偏光成分光強度を検知することが可能な電磁波検出器１２５０が得られる。この結果、従来一般的なＣＭＯＳセンサなどで必要であった偏光フィルタおよび、偏光フィルタ駆動システムを用いることなく、複数波長の画像化が可能となる。

実施の形態３４．
図７２は、全体が１２６０で表される、本発明の実施の形態３４にかかる電磁波検出器の断面図である。電磁波検出器１２６０では、孤立金属１とグラフェン層２間に孤立金属絶縁層４０を設置することで、孤立金属１をグラフェン層２から電気的に絶縁している。孤立金属１がグラフェン層２と電気的に接触していた場合、電極５より電気信号を取り出す際、孤立金属１に電位が発生する。この電位により、孤立金属１と金属層４の間の光閉じ込め効果に影響をもたらす可能性がある。また、この電位は、複数設置されている孤立金属１間で微小な差異を持っているため、孤立金属１間で光閉じ込め効果に差が生じる可能性がある。これに対して、電磁波検出器１２６０では、このような問題点が解決でき、検知強度が安定した電磁波検出器１２６０を提供できる。

実施の形態３５．
図７３は、全体が１６００で表される、本発明の実施の形態３５にかかる電磁波検出器の斜視図であり、図７４はその断面図である。
電磁波検出器１６００が本発明の実施の形態２１の電磁波検出器１１００と異なる点は、グラフェン層２が半導体層１３上に配置されている点である。ここで、グラフェン層２は、半導体層１３とショットキー接合を形成する。電極５とグラフェン層２は電気的に接続される。グラフェン層２には、電極５を介して、電気信号の変化を取り出すための電気回路に接続されている。例えば電気信号の読み出し方法としては、電極５と金属層４との間での、電流変化や電圧変化を検出することで、入射する電磁波を検出することができる。
なお、半導体層１３、グラフェン層２、孤立金属１の相互作用に関しては、実施の形態３６で詳述する。

実施の形態３６．
図７５は、全体が１６５０で表される、本発明の実施の形態３６にかかる電磁波検出器の斜視図であり、図７６はその断面図である。
電磁波検出器１６５０が実施の形態２１の電磁波検出器１１００と異なる点は、グラフェン層２が半導体層１３および孤立金属１の上に配置されている点である。特に、電磁波検出器１６５０は、金属層４、半導体層１３、絶縁層１４、電極５、孤立金属１を形成した後に、その上に別途作製したグラフェン層２を張りつけるため、製造工程のプロセスの影響を受けていない良質のグラフェン層２を使用でき、より高効率に光を吸収することができる。

ここで、グラフェン層２は、半導体層１３とはショットキー接合を形成する。グラフェン層２と電極５は電気的に良好な接続を有していることが好ましく、グラフェン層２の作製時には、ランプアニール等の後処理や、スパッタエッチング、ＷＥＴ処理等の前処理を行うことが好ましい。グラフェン層２には、電極５を介して、電気信号の変化を取り出すための電気回路が接続されている。例えば電気信号の読み出し方法としては、電極５と金属層４との間での、電流変化や電圧変化を検出することで、入射する電磁波を検出することができる。

次に、図７７を用いて、電磁波検出器１６５０の半導体層１３、グラフェン層２、孤立金属１の相互作用に関して説明する。半導体層１３はここではシリコンとする。シリコンの厚さは通常の基板厚さ数１００μｍ程度を想定しているが、ここでのシリコンの厚さは、効果に対して大きな影響を与えない。また、孤立金属１の厚さｈは２００ｎｍとした。一辺の長さＬを１．０、１．５、２．０μｍ、周期Ｓを３μｍとした時の透過率を電磁界解析によって求めた結果を図７８に示す。

図７８は、本発明の実施の形態３６にかかる電磁波検出器１６５０の透過特性を電磁界解析で求めたグラフであり、横軸は入射光の波長、縦軸は透過率を表す。図７８から明らかなように、１０μｍ付近に透過率の減衰が現れる。この透過率の減衰は孤立金属１のプラズモン共鳴によるものである。シリコン上に孤立金属１のみが形成された構造においては、一辺の長さＬではなく周期Ｓによってプラズモン共鳴が決定されることが分かる。また、減衰率はＳに対してＬが大きくなるほど大きくなる。これは、ＬがＳに対して大きいほどプラズモン共鳴も大きいことを示している。特に、この構造はＳに対して共鳴波長が大きいことからメタマテリアルと呼ばれることもある。また、電磁波検出器１６５０は、孤立金属１におけるプラズモン共鳴が生じているため、入射角度依存性が低い。よって、入射角度が変化しても共鳴波長は大きく変化しない。

次に、図７９に示すように、図７７に示す構造の上にグラフェン層２を成膜した試料を実際に作製し透過率を測定した。そしてグラフェンを成膜した構造（図７９）における透過率を、グラフェンの無い構造（図７７）における透過率に対する比（透過率の増幅率）を求めた。図８０は、透過率の増強率を縦軸に、構造の充填率（充填率＝Ｌ／Ｓで定義される）を横軸にとったものである。

図８０からわかるように、充填率Ｌ／Ｓが大きいほど透過率の増強効果が大きくなる。例えば充填率が５０％以上であれば、増強率は２００％以上となっていることが分かる。つまりグラフェン層２がシリコン（半導体層１３）と接することからプラズモン共鳴が増強されていることを示している。このように、図７８の結果を合わせて説明すれば、プラズモン共鳴が大きいほどグラフェンによる増強効果も大きくなっている。これは、プラズモン共鳴とグラフェンの相互作用を示す結果と言える。

以上で述べたように、孤立金属１、グラフェン層２、半導体層１３を用いることでプラズモン共鳴が大きく増強される。よって電磁波検出器１６５０（同様に電磁波検出器１６００）に用いる場合、検出感度の増加が可能となる。

また、図７３や図７５の構造のみでも、屈折率やガス分析用のオンチップ分析や分析フィルタにも用いることができる。

表面プラズモンの波数をｋ_ｓｐ、金属の誘電率ε_１、誘電体の誘電率ε_２とすると、表面プラズモンの分散関係は、一般に、以下の式のようになる。

但し、ωは周波数、ｃは真空の光速である。即ち、この式が、誘電体と金属の間に表面プラズモンを励起するための共鳴条件となる。

このように、表面プラズモン共鳴波長は、金属と周囲の媒質の誘電率によって決定される。つまり、孤立金属１の周囲の物質によってプラズモン共鳴波長が敏感に変わるため、周囲の物質を分析することが可能になる。具体的には、バイオ分野などでの有機物の分析や、特定の吸収ピークを有するガス分析用のフィルタ等に用いることができる。

上述のようにグラフェンとプラズモン共鳴との相互作用によってプラズモン共鳴が増強されることから、オンチップの分析センサや分析用の透過フィルタに用いる場合、従来構造の電磁波検出器よりも感度が増加するといった顕著な効果がある。特に、本発明の構造では、入射角度依存性が低いため入射光の角度が変化した場合でも共鳴波長に対する影響が小さく、分析対象物の影響が大きく反映される。このため、通常の表面プラズモンを利用したオンチップ分析センサやガス分析用の透過フィルタに比較して分析精度が高くなる。また入射角度を精度よく一定に保つような機構が不要になるため、分析機器として小型化できる。また、組立工数の削減が可能である。

実施の形態３７．
図８１は、全体が１７００で表される、本発明の実施の形態３７にかかる電磁波検出器の断面図である。電磁波検出器１７００では、孤立金属１の下部に第１グラフェン層１１が、上部に第２グラフェン層１２が、それぞれ設けられている。他の構造は、実施の形態３５の電磁波検出器１６００と同じである。

本発明の実施の形態３７にかかる電磁波検出器１７００では、孤立金属１の周辺に、２層のグラフェン層（第１グラフェン層１１と第２グラフェン層１２）が配置されているため、更に光吸収率を向上させることが可能となり、特定の偏光成分および波長成分の光に対する電気特性変化量の増大が可能となる。

実施の形態３８．
図８２は、全体が１８００で表される、本発明実施の形態３８にかかる電磁波検出器の断面図である。
電磁波検出器１８００が実施の形態２１の電磁波検出器１１００と異なる点は、グラフェン層２が強誘電体層１５上に配置されている点である。電極５とグラフェン層２は電気的に接続される。強誘電体材料としては、ＰＺＴ（ＰｂＺｒ_ｘＴｉ_１−ｘＯ_３）やＳＢＴ（ＳｒＢｉ_２Ｔａ_２Ｏ_９）などが用いられ、これらの材料は分極特性を有する。強誘電体材料は、ペロブスカイト構造と呼ばれる結晶構造を持ち、強誘電体材料にかかる電界により分極値が変化する。電磁波の入射によるグラフェン層２の電位変化により強誘電体層１５にかかる電界が変化し、強誘電体層１５の分極値が変化する。この分極値変化を検出することで、入射する電磁波を検出することができる。

電磁波の検出方法を簡単に示すために、図８２では、電極５と金属層４との間の短絡電流を測定する検出方法を例示するが、他の検出方法を用いても構わない。

次に、本発明の実施の形態３８にかかる電磁波検出器１８００の製造方法について、図８３を参照しながら説明する。図８３は、電磁波検出器１８００の製造工程の断面図であり、かかる製造方法は、以下の工程１〜７を含む。

工程１：図８３（ａ）に示すように、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等からなる平坦な金属層４を形成する。金属層４は、Ｓｉなどの平坦な基板上に形成してもよいし、金属層４を独立して形成してもよい。また、Ｓｉなどの平坦な基板上に形成した後、基板を除去することで独立した金属層４を形成してもよい。また、電磁波検出器として使用しない部分を任意の形状にパターニングしてもよい。

工程２：図８３（ｂ）に示すように、金属層４の上に、例えばＰＺＴ（ＰｂＺｒ_ｘＴｉ_１−ｘＯ_３）、ＳＢＴ（ＳｒＢｉ_２Ｔａ_２Ｏ_９）等からなる、強誘電体層１５を形成する。強誘電体層１５の形成方法は、スパッタ法、ＭＯＣＶＤ法、ゾル・ゲル法、エアロゾル堆積法のいずれの方法で成膜しても良い。その際、強誘電体層１５の表面は、金属層４の表面と平行かつ平坦なるように形成することが好ましく、ＣＭＰ研磨や熱処理などの平坦化処理を実施してもよい。

工程３：図８３（ｃ）に示すように、絶縁層３上にグラフェン層２を堆積する。この際、エピタキシャル成長などの方法により成膜してもよいし、あらかじめ成膜したグラフェン層を貼り付けてもよい。

工程４：図８３（ｄ）に示すように、グラフェン層２の上に写真製版やＥＢ描画などの方法を用いてフォトレジスト２０を形成し、その上にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等からなる電極５を堆積する。

工程５：図８３（ｅ）に示すように、フォトレジスト２０をリフトオフすることで電極５を形成する。この際、電極５はグラフェン層２と電気的な接続が良好な状態とすることが好ましく、そのためのランプアニール等の後処理や、スパッタエッチング、ＷＥＴ処理等の前処理を行うことが好ましい。

工程６：図８３（ｆ）に示すように、グラフェン層２の上に写真製版やＥＢ描画などの方法を用いてフォトレジスト２０を形成し、その上にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等からなる金属層を堆積する。

工程７：図８３（ｇ）に示すように、フォトレジスト２０のパターンをリフトオフすることで孤立金属１を形成する。以上の工程により、図８２に示す電磁波検出器１８００が完成する。

実施の形態３９．
図８４は、全体が１８１０で表される、本発明の実施の形態３９にかかる電磁波検出器の断面図である。
電磁波検出器１８１０が実施の形態３８と異なる点は、グラフェン層２が強誘電体層１５および孤立金属上に配置されている点である。本実施の形態の電磁波検出器１８１０は、金属層４、強誘電体層１５、絶縁層１４、電極５、孤立金属１を形成した後に、その上に別途作製したグラフェン層２を張りつけて作製するため、製造工程のプロセスの影響を受けていない良質のグラフェン層２を使用でき、より高効率に光を吸収することができる。また、グラフェン層２と電極５は電気的に良好な接続を有していることが好ましく、ランプアニール等の後処理や、スパッタエッチング、ＷＥＴ処理等の前処理を行うことが好ましい。
電磁波の入射によるグラフェン層２の電位変化により強誘電体層１５にかかる電界が変化し、強誘電体層１５の分極値が変化する。電磁波検出器１８１０では、この分極値の変化を検出することで、入射する電磁波を検出することができる。

実施の形態４０．
図８５は、全体が１８２０で表される、本発明の実施の形態４０にかかる電磁波検出器の断面図である。
本発明の実施の形態４０にかかる電磁波検出器１８２０では、孤立金属１の下部に第１グラフェン層１１が、上部に第２グラフェン層１２が、それぞれ設けられている。他の構造は、実施の形態３８の電磁波検出器１８００と同じである。本実施の形態４０にかかる電磁波検出器１８２０では、孤立金属１の周辺に、複数のグラフェン層２層（第１グラフェン層１１と第２グラフェン層１２）が配置されているため、光吸収率を向上させることが可能となり、特定の偏光成分および波長成分の光に対する電気特性変化量の増大が可能となる。

なお、実施の形態３８〜４０にかかる電磁波検出器１８００、１８１０、１８２０おいて、強誘電体層１５が単結晶であれば、より大きな強誘電体層１５の分極値変化を得ることができ、電磁波検出器を高感度化が可能となる。

１ 孤立金属、２ グラフェン層、３ 絶縁層、４ 金属層、５ 電極、６ グラフェン接続配線、７ グラフェン接続配線保護膜、８ 接続配線、９ 下部金属利用配線、１１ 第１グラフェン層、１２ 第２グラフェン層、１３ 半導体層、１４ 絶縁層、１５ 強誘電体層、２０ フォトレジスト、２１ 第１孤立金属、２２ 第２孤立金属、３０ 金属パターン、３１ 第１絶縁層、３２ 第２絶縁層、４０ 孤立金属絶縁保護膜、１００ 電磁波検出器、３００ 電磁波検出器アレイ。

Claims (11)

1. 入射光を電気信号に変換して検出する電磁波検出器であって、
   支持基板の上に形成された平坦な金属層と、
   該金属層の上に形成された中間層と、
   該中間層の上に形成されたグラフェン層と、
   該グラフェン層と接するように、周期的に形成された孤立金属と、
   該孤立金属の両側に対向するように配置された電極と、を含み、
   該孤立金属の平面形状の大きさによって、該入射光のうち、表面プラズモンが生じる所定の波長が決定され、該所定の波長の光を吸収してグラフェン層に生じる電気信号の変化を検知することを特徴とする電磁波検出器。
2. 入射光を電気信号に変換して検出する電磁波検出器であって、
   支持基板の上に形成された平坦な金属層と、
   該金属層の上に形成された中間層と、
   該中間層の上に周期的に形成された孤立金属と、
   該孤立金属の両側に対向するように配置された電極と、
   該孤立金属と接し、かつ該電極を覆うように該中間層の上に形成されたグラフェン層と、
   を含み、
   該孤立金属の平面形状の大きさによって、該入射光のうち、表面プラズモンが生じる所定の波長が決定され、該所定の波長の光を吸収してグラフェン層に生じる電気信号の変化を検知することを特徴とする電磁波検出器。
3. 上記中間層は、表面プラズモン共鳴を導波する材料であって、絶縁体、半導体、遷移金属ダイカルコゲナイドおよび強誘電体のうちいずれかの材料からなることを特徴とする請求項１または２に記載の電磁波検出器。
4. 上記孤立金属は、２次元方向に、それぞれ所定の周期で配置されたことを特徴とする請求項１または２に記載の電磁波検出器。
5. 上記孤立金属は、１次元方向に配置され、
   該孤立金属の長辺は、上記入射光のうち、該孤立金属の長辺に垂直な電界成分を有する偏光のみを吸収するように、互いに平行に配置され、
   該孤立金属の大きさは、吸収した入射光の波長と表面プラズモン共鳴を生じる大きさからなり、
   特定偏光で所定の波長の光を吸収してグラフェン層に生じる電気信号の変化を検知することを特徴とする請求項１または２に記載の電磁波検出器。
6. 上記グラフェン層が２層以上であり、各層の結晶方位が一致または不一致であることを特徴とする請求項１または２に記載の電磁波検出器。
7. 上記グラフェン層が、孤立金属の下部以外の領域において、形成されていない領域を有することを特徴とする請求項１に記載の電磁波検出器。
8. 上記孤立金属の、上記入射光の入射面に平行な面内での形状が、円形、正方形、楕円形、三角形または長方形であることを特徴とする請求項１または２に記載の電磁波検出器。
9. 上記孤立金属の大きさ、周期、厚さ、上記中間層の厚さのうち少なくとも一つが互いに異なる複数の該孤立金属を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の電磁波検出器。
10. 請求項１または２に記載の電磁波検出器が、アレイ状に複数個配置されたことを特徴とする電磁波検出器アレイ。
11. 少なくとも２つの電磁波検出器の間で、上記孤立金属の大きさ、周期、厚さ、上記中間層の厚さのうち少なくとも１つが互いに異なることを特徴とする請求項１０に記載の電磁波検出器アレイ。

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