JP6158505B2

JP6158505B2 - 水晶デバイス

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Publication number: JP6158505B2
Application number: JP2012278924A
Authority: JP
Inventors: 文生藤崎
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2012-12-21
Filing date: 2012-12-21
Publication date: 2017-07-05
Anticipated expiration: 2032-12-21
Also published as: JP2014123861A

Description

本発明は、例えば電子機器等に用いられる水晶デバイスに関するものである。

従来の水晶デバイスは、水晶素子の圧電効果を利用して、特定の周波数を発生させるものである。現在では、水晶素子の両面を基板及び蓋体によって挟みこむようにして設けられた水晶デバイスが提案されている（例えば、下記特許文献１参照）。水晶素子は、長方形状をなす水晶素板の中央領域の上面及び下面に凹部が設けられ、凹部内に励振用電極を有しており、水晶素板の外周領域には、基板と接合するための接合部材が設けられている。

特開２０１２−２３５５１１

上述した水晶デバイスは、水晶素板の中央領域の両面に凹部が設けられている。中央領域が薄くなっており、このような水晶素子が実装されている基板又は接合されている蓋体に熱が加わることによって基板又は蓋体に反りが生じやすい。水晶素板の両面の凹部内に同時に応力がかかることで、凹部内に欠けが生じてしまう虞があった。また、水晶素板に欠けが生じてしまうことで、水晶素子の発振周波数が安定して出力することができない虞があった。

本発明は前記課題に鑑みてなされたものであり、水晶素子の発振周波数を安定して出力することが可能な水晶デバイスを提供することを目的とする。

本発明の一つの態様による水晶デバイスは、矩形状の基板と、基板の上面の外周縁と接続され、直方体状で、下面の中央に設けられた凹部と、平面視して凹部と重なる箇所に設けられた振動領域と、振動領域を囲むようにして設けられた接合領域とを有している水晶素子と、振動領域に設けられた励振用電極と、励振用電極から接合領域の上面及び下面の平面視して対角に位置する角部に引き出された引き出し電極と、水晶素子の上面及び下面の振動領域を囲むようにして設けられた接合部材と、接合部材と接合され、振動領域を覆った蓋体と、基板の外周縁は、平面視して水晶素子の外周縁よりも小さく、水晶素子の下面の外周縁は基板の上面と間隔をあけて設けられており、水晶素子の下面の外周縁には、振動領域に形成された励振電極と電気的に接続された外部接続用電極端子と、外部接続用電極端子に半田を介して接合された導体部と、を備えたことを特徴とするものである。

本発明の一つの態様による水晶デバイスは、基板の上面の外周縁と接続され、直方体状で、下面の中央に設けられた凹部と、平面視して凹部と重なる箇所に振動領域を有する水晶素子を備えたことによって、水晶素子の片面にのみ凹部が形成されているため、水晶素子の両面同時に応力がかかることを低減することができる。また、水晶デバイスは、水晶素子の両面同時に応力がかかりにくいので、凹部内に欠けが生じてしまうことを低減することができる。また、このような水晶デバイスは、水晶素子が欠けてしまうことを低減することができるので、水晶素子の発振周波数を安定して出力することが可能となる。

本実施形態における水晶デバイスを示す分解斜視図である。本実施形態における水晶デバイスの断面図であって、図１のＡ−Ａ線に沿った断面である。本実施形態における水晶デバイスを構成する水晶素子の平面図である。本実施形態の第一変形例における水晶デバイスを示す断面図である。本実施形態の第二変形例における水晶デバイスを示す断面図である。本実施形態の第三変形例における水晶デバイスを示す断面図である。

本実施形態における水晶デバイスは、図１及び図２に示されているように、基板１１０と、蓋体１３０と、基板１１０及び蓋体１３０によって挟み込むようにして接合された水晶素子１２０とを含んでいる。水晶デバイスは、電子機器等で使用する基準信号を出力するのに用いられる。

基板１１０は、矩形状であり、上面で実装された水晶素子１２０を支持するための支持部材として機能する。また、基板１１０は、水晶基板１２１の下面に設けられた励振用電極１２３ｂを異物等から保護する機能を有するものである。

基板１１０は、例えばガラス又は水晶である絶縁基板からなる。基板１１０の上面には、接合部材１４０を介して、水晶素子１２０が接合されている。基板１１０の側面には、基板１１０の下面の四隅に設けられた外部接続用電極端子Ｇの内のいずれか２つと電気的に接続するための配線パターン１１１が設けられている。外部接続用電極端子Ｇは、基板１１０の下面の四隅に、基板１１０の外周縁に沿って設けられている。水晶デバイスは、マザーボード上に実装する際に、半田を介して接合されている。

基板１３０の形状は、平面視して、水晶素子１２０の形状と略同等になるように設けられている。尚、ここで基板１１０の平面視したときの一辺の寸法が、０．８〜２．０ｍｍである。

水晶素子１２０は、安定した機械振動と圧電効果により、電子装置等の基準信号を発振する役割を果たしている。水晶素子１２０は、直方体状で、下面の中央に設けられた凹部Ｋと、平面視して凹部Ｋと重なる箇所に振動領域Ａを有している。また、水晶素子１２０には、振動領域Ａを囲むようにして、接合領域Ｂが設けられている。振動領域Ａは、所定の振動モード及び周波数で励振を起こす役割を果たしており、接合領域Ｂは、水晶素子自体を基板１１０に接合する役割を果たしている。

水晶素子１２０は、矩形状の水晶基板１２１と、水晶基板１２１の下面の外周縁に設けられた水晶枠部１２２と、水晶基板１２１の上面及び水晶枠部１２２で囲まれた水晶基板１２１の下面に設けられた励振用電極１２３とを有している。水晶基板１２１は、矩形状であり、下面に水晶枠部１２２が設けられている。水晶基板１２１の上面及び水晶枠部１２２で囲まれた水晶基板１２１の下面には、励振用電極１２３が設けられている。

水晶基板１２１の上面には、図２及び図３に示されているように、水晶基板１２１の上面に設けられた励振用電極１２３ａから水晶基板１２１の１つの角部に向かって延出するように引き出された引き出し電極１２４ａが設けられている。また、水晶枠部１２２及び水晶基板１２１の側面には、引き出し電極１２４ａが水晶基板１２１の角部に沿って下方向に向かって水晶枠部１２２の下部位置まで設けられている。引き出し電極１２４ａは、基板１１０の側面に設けられた配線パターン１１１と導電性接合材１５０を介して接続されることで、基板１１０の下面に設けられた外部接続用電極端子Ｇの内の１つと電気的に接続されている。

水晶枠部１２２の下面には、図２及び図３に示されているように、水晶基板１２１の下面に設けられた励振用電極１２３ｂから水晶枠部１２２の１つの角部に向かって延出するように引き出された引き出し電極１２４ｂが設けられている。また、水晶枠部１２２の側面及び下面には、引き出し電極１２４ｂが水晶枠部１２２の角部に沿って設けられている。引き出し電極１２４ｂは、基板１１０の側面に設けられた配線パターン１１１と導電性接合材１５０を介して接続されることで、基板１１０の下面に設けられた外部接続用電極端子Ｇの内の１つと電気的に接続されている。

尚、ここで水晶素子１２０の平面視したときの一辺の寸法が、０．８〜２．０ｍｍである場合を例にして、水晶基板１２１及び水晶枠部１２２の大きさを説明する。図３に示した、水晶基板１２１の平面視したときの一辺の寸法が、０．８〜１．２ｍｍである。また、水晶基板１２１の上下方向の長さは、５０〜１００μｍである。また、水晶枠部１２２の内周縁と外周縁との間の長さは、８０〜２００μｍである。また、水晶枠部１２２の上下方向の長さは、３０〜１００μｍである。

励振用電極１２３は、水晶基板１２１の上面及び水晶枠部１２２で囲まれた水晶基板１２１の下面に設けられている。つまり、励振用電極１２３は、振動領域Ａに設けられている。尚、励振用電極１２３は、第１の金属膜であるクロム又はチタンが下地として形成され、第１の金属膜の上面に第２の金属膜である金が積層するように形成されている。第１の金属膜と第２の金属膜の接合力を上げるためにニッケルを第１の金属膜と第２の金属膜の間に形成する場合もある。

ここで、水晶素子１２０の動作について説明する。水晶素子１２０は、外部からの交番電圧が基板１１０の下面に設けられていた外部接続用電極端子Ｇから配線パターン１１１、引き出し電極１２４及び励振用電極１２３を介して水晶基板１２１に印加されると、振動領域Ａが所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。

ここで、水晶素子１２０の製作方法について説明する。まず、水晶素子１２０は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し、水晶基板１２１と水晶枠部１２２とが一体となるように、フォトリソグラフィー技術とエッチング技術により形成されている。そして、水晶素子１２０は、水晶基板１２１の両主面にフォトリソグラフィー技術、蒸着技術又はスパッタリング技術によって、金属膜を被着させることにより、励振用電極１２３及び引き出し電極１２４を形成される。このようにすることにより、水晶素子１２０が製作される。

水晶素子１２０の基板１１０への接合方法について説明する。まず、基板１１０の上面の外周縁に枠状の接合部材１４０を設ける。基板１１０は、接合部材１４０と水晶素子１２０の水晶枠部１２２の下面とが対向するように搬送される。さらに、基板１１０は、接合部材１４０と、水晶枠部１２２の下面とが当接するようにして載置される。そして基板１１０は、接合部材１４０を加熱硬化させることによって、水晶素子１２０に接合される。

蓋体１３０は、水晶素子１２０の上面に設けられた励振用電極１２３ａを異物等から保護する機能を有するものである。蓋体１３０は、例えばガラス又は水晶である絶縁基板からなる。蓋体１３０の形状は、平面視して、水晶素子１２０の形状と同じになるように設けられている。尚、ここで蓋体１３０の平面視したときの一辺の寸法が、０．８〜２．０ｍｍである。

蓋体１３０の水晶素子１２０への接合方法について説明する。まず、蓋体１３０の下面の外周縁に枠状の接合部材１４０を設ける。蓋体１３０は、接合部材１４０と水晶素子１２０の水晶基板１２１とが対向するように搬送される。さらに、蓋体１３０は、接合部材１４０と水晶基板１２１上面とが当接するようにして載置される。そして蓋体１３０は、接合部材１４０を加熱硬化させることによって、水晶素子１２０に接合される。

接合部材１４０は、水晶枠部１２２の下面の外周縁部と、その外周縁部と相対する基板１１０の上面とを接合するために用いられる。また、接合部材１４０は、水晶基板１２１の上面の外周縁部と、その外周縁部に相対する蓋体１３０の下面とを接合するために用いられる。接合部材１４０は、水晶枠部１２２の下面の外周縁部に相対する基板１１０の上面と、水晶基板１２１の上面の外周縁部に相対する蓋体１３０の下面に設けられている。接合部材１４０は、例えば、ガラス又は絶縁性樹脂によって設けられている。ガラスは、３５０℃〜４００℃で溶融する鉛フリーガラスである例えばバナジウムを含有した低融点ガラスから構成されている。鉛フリーガラスは、バインダーと溶剤とが加えられペースト状であり、溶融された後固化されることで他の部材と接着する。また、絶縁性樹脂は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂から構成されている。基板１１０と水晶素子１２０との間に設けられている接合部材１４０の厚みは、１０μｍ〜２５μｍとなっており、水晶素子１２０と蓋体１３０との間に設けられた接合部材１４０の厚みは、３０〜１００μｍとなっている。

導電性接合材１５０は、水晶枠部１２２及び水晶基板１２１の側面の引き出し電極１２４ａと基板１１０の側面に設けられた配線パターン１１１とを導通接合するために用いられる。また、導電性接合材１５０は、水晶枠部１２２の側面及び下面の引き出し電極１２４ｂと基板１１０の側面に設けられた配線パターン１１１とを導通接合するために用いられる。導電性接合材１５０は、例えば、金属ペーストや鉛フリー半田により構成されている。金属ペーストには、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウム、モリブデン、タングステン、白金、パラジウム、銀、チタン、ニッケル又は鉄のうちのいずれか、或いはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。また、バインダーとしては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はビスマレイミド樹脂が用いられる。また、鉛フリー半田には、塗布し易い粘度に調整するための添加した溶剤が含有されている。鉛フリー半田の成分比率は、錫が９５〜９８％、銀が２〜４％、銅が０〜１．０％のものが使用されている。

本実施形態における水晶デバイスは、基板１１０の上面の外周縁と接続され、直方体状で、下面の中央に設けられた凹部Ｋと、平面視して凹部Ｋと重なる箇所に振動領域Ａを有する水晶素子１２０を備えたことによって、水晶素子１２０の片面にのみ凹部Ｋが形成されているため、水晶素子１２０の両面同時に応力がかかることを低減し、凹部Ｋ内に欠けが生じてしまうことを低減することができる。また、このような水晶デバイスは、水晶素子１２０が欠けてしまうことを低減することができるので、水晶素子１２０の発振周波数を安定して出力することが可能となる。

（第一変形例）
以下、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスについて説明する。尚、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。

本実施形態の第一変形例における水晶デバイスは、図４に示されているように、基板２１０の外周縁は、平面視して水晶素子２２０の外周縁よりも小さく、水晶素子２２０の下面の外周縁は基板２１０の上面と間をあけて設けられている点と、水晶素子２２０の下面の外周縁に外部接続用電極端子Ｇを備えた点で第一変形例と異なる。

基板２１０は、例えばガラス又は水晶である絶縁基板からなる。基板２１０の上面には、接合部材１４０を介して、水晶素子２２０が接合されている。基板２１０の形状は、平面視して、水晶素子２２０の外周縁よりも小さくなるように設けられている。尚、ここで基板２１０の平面視したときの一辺の寸法が、０．５〜１．５ｍｍである。

水晶素子２２０は、矩形状の水晶基板２２１と、水晶基板２２１の下面の外周縁に設けられた水晶枠部２２２と、水晶基板２２１の上面及び水晶枠部２２２で囲まれた水晶基板２２１の下面に設けられた励振用電極２２３とを有している。

水晶基板２２１の上面には、水晶基板２２１の上面に設けられた励振用電極２２３ａから水晶基板２２１の１つの角部に向かって延出するように引き出された引き出し電極２２４ａが設けられている。また、水晶枠部２２２の側面には、引き出し電極２２４ａが水晶枠部２２２の角部に沿って下方向に向かって水晶枠部２２２の下部位置まで設けられている。引き出し電極２２４ａは、水晶枠部２２２の下端に設けられた外部接続用電極端子Ｇの内の１つと電気的に接続されている。水晶枠部２２２の下端に設けられた外部接続用電極端子Ｇの１つは、引き出し電極２２４ａを介して、励振用電極２２３ａと電気的に接続されている。

水晶枠部２２２は、水晶基板２２１の下面の外周縁に設けられている。水晶枠部２２２の下端には、水晶基板２２１の下面に設けられた励振用電極２２３ｂから水晶枠部２２２の１つの角部に向かって延出するように引き出された引き出し電極２２４ｂが設けられている。引き出し電極２２４ｂは、水晶枠部２２２の下端に設けられた外部接続用電極端子Ｇの内の１つと電気的に接続されている。よって、水晶枠部２２２の下端に設けられた外部接続用電極端子Ｇの１つは、引き出し電極２２４ｂを介して、励振用電極２２３ｂと電気的に接続されている。

外部接続用電極端子Ｇは、水晶枠部２２２の下端の外側に、基板２１０の外周縁と間隔を空けて設けられている。水晶デバイスは、マザーボード１６０上に実装する際に、半田を介して接合されている。このように外部接続用電極端子Ｇが基板２１０の外周縁と間隔を空けて設けられていることによって、図４に示されているように、基板２１０がマザーボード１６０と接合されない状態となる。よって、基板２１０と水晶枠部２１２との接合した界面に応力が生じず、基板２１０が水晶枠部２２２と剥がれることを低減し、基板２１０と水晶素子２２０とでなす空間の気密封止を維持することができる。

本実施形態における水晶デバイスは、基板２１０の外周縁は、平面視して水晶素子２２０の外周縁よりも小さく、水晶素子２２０の下面の外周縁は基板２１０の上面と間をあけて設けられており、水晶素子２２０の下面の外周縁には、振動領域Ａに形成された電極と電気的に接続される外部接続用電極端子Ｇを備えている。このように外部接続用電極端子Ｇが基板２１０の外周縁と間隔を空けて設けられていることによって、基板２１０がマザーボード１６０と接合されないため、基板２１０と水晶枠部２２２との接合した界面に応力が生じず、基板２１０と水晶素子２２０とでなす凹部Ｋの気密封止を維持することができる。よって、水晶デバイスは、水晶素子２２０の発振周波数を安定して出力することが可能となる。

（第二変形例）
以下、本実施形態の第二変形例における水晶デバイスについて説明する。尚、本実施形態の第二変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。

本実施形態の第二変形例における水晶デバイスは、図５に示されているように、水晶素子２２０の下面から凹部Ｋの内壁面に切り欠いた切欠き２２５が形成されており、基板２１０が切欠き２２５に嵌まっている点で、上述した本実施形態における水晶デバイスと異なる。

切欠き２２５は、水晶枠部２２２の下端の内側に、水晶基板２２１に設けられた励振用電極２２３を囲むようにして設けられている。このように切欠き２２５を設けることによって、基板２１０は、位置ずれすることなく、安定して水晶素子２２０と接合することができる。

尚、ここで水晶素子２２０の平面視したときの一辺の寸法が、０．８〜２．０ｍｍである場合を例にして、水晶枠部２２２の切欠き２２５の大きさを説明する。切欠き２２５の内周縁と外周縁との間の長さは、４０〜１００μｍである。また、切欠き２２５の上下方向の深さは、約３０〜１００μｍである。

本実施形態の第二変形例における水晶デバイスは、水晶枠部２２３の下端は、内側に切り欠いた切欠き２２５が形成されており、基板２１０が切欠き２２５に嵌め込むようにして接合されていることによって、基板２１０が位置ずれすることなく、安定して水晶素子２２０と接合することができる。よって、水晶基板２２１と水晶枠部２２２とでなす凹部Ｋを安定して気密封止することができる。

本実施形態の第二変形例における水晶デバイスは、切欠き２２５には、基板２１０が嵌まるようにして接合部材１４０を介して接合されている。このようにすることによって、水晶デバイスは、マザーボード上に実装される際に、基板２１０がマザーボードと確実に接合されないため、接合した界面に応力が生じず、基板２１０と水晶素子２２０とでなす凹部Ｋの気密封止をさらに維持することができる。よって、水晶デバイスは、水晶素子２２０の発振周波数をさらに安定して出力することが可能となる。

（第三実施形態）
以下、本実施形態の第二変形例における水晶デバイスについて説明する。尚、本実施形態の第二変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。

本実施形態の第三変形例における水晶デバイスは、図６に示されているように、外部接続用電極端子Ｇに導電体１６０を設けられている点において、上述した本実施形態における水晶デバイスと異なる。

導電体１６０は、球状に形成されており、外部接続用電極端子Ｇに半田を介して接合されている。導電体１６０の厚み寸法は、基板２１０の厚み寸法よりも大きくなるように設けられている。従って、マザーボード上に水晶デバイスを実装する際、外部接続用電極端子Ｇに接合した導電体１６０をマザーボードの電極と接合させたとしても、導電体１６０が基板２１０の厚み寸法よりも高くなっているので安定した実装することが可能となる。

尚、導電体１６０の材料としては、マザーボード上に実装する際に実装でき易い材料が選択される。例えば、マザーボード上に半田実装する場合には、半田濡れ性が良く、かつ融点が高くリフロー処理しても溶融することなく所定の寸法を保つ導電性材料として銅、金、銀又は錫などの金属材料が用いられる。また、導電性接着剤で接合する場合は、半田ぬれ性を考慮する必要はないことから銅、金、銀又は錫などの金属材料の他に例えば、エポキシ樹脂に銀などの金属粒子を混練し印刷や塗布にても形成可能な金属ペーストなどが用いられる。また、半田又は導電性接着剤以外に超音波接合により融着させて接合する方法を用いても構わない。

本実施形態の第三変形例における水晶デバイスは、外部接続用電極端子Ｇに導電体１５０を設けられていることによって、導電体１６０を介してマザーボード上に接合されることになる。よって、基板２１０がマザーボードと接合されないため、基板２１０と水晶枠部２２２との接合した界面に応力が生じず、基板２１０と水晶素子２２０とでなす凹部Ｋの気密封止をさらに維持することができる。よって、水晶デバイスは、水晶素子２２０の発振周波数をさらに安定して出力することが可能となる。

尚、本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。上記の本実施形態では、基板１１０及び蓋体１３０が水晶又はガラスによって設けた構造について説明したが、基板１１０及び蓋体１３０が樹脂フィルムで形成された構造であっても構わない。樹脂フィルムは、例えばエポキシ系樹脂やポリイミド樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、あるいはアクリル系樹脂等のレジストによって形成される。好ましくは、樹脂フィルムは、これらのレジストをフィルム状にした部材（フィルム部材）によって形成される。係る場合、フィルムを貼り付けるだけで、均一な厚みの基板１１０及び蓋体１３０を形成することができる。尚、水晶又はガラスの膨張係数と近い膨張係数を有する樹脂フィルムを用いることで、接合したときに水晶素子１２０にかかる熱ストレスが少なくなり、水晶素子１２０の強度の低下を防ぐことができる。

上記の本実施形態では、水晶基板の上面に励振用電極を設けた構造について説明したが、水晶基板の中央の上面に、上方に突出した上台座部が設けられ、上台座部の上面に励振用電極が設けられている構造にしても構わない。このようにすることによって、水晶デバイスは、水晶素子において、振動する部分と蓋体と接続する部分とをさらに区別することができ、強いエネルギー閉じ込め効果を有することができる。

また、上記の本実施形態では、水晶基板の下面で、凹部Ｋ内に励振用電極を設けた構造について説明したが、水晶基板の中央の下面に、下方に突出した下台座部が設けられており、下台座部の下面に励振用電極が設けられている。このようにすることによって、水晶デバイスは、水晶素子において、振動する部分と基板と接続する部分との厚みがことなることによりさらに区別することができ、強いエネルギー閉じ込め効果を有することができる。

また、水晶基板の上面に上台座部と水晶基板の下面に下台座部が両方設けられている構造であっても構わない。水晶素子において、振動する部分と基板と接続する部分との厚みがことなることによりさらに区別することができ、強いエネルギー閉じ込め効果を有することができる。

１１０、２１０・・・基板
１１１・・・配線パターン
１２０、２２０・・・水晶素子
１２１、２２１・・・水晶基板
１２２、２２２・・・水晶枠部
１２３、２２３・・・励振用電極
１２４、２２４・・・引き出し電極
２２５・・・切欠き
１３０・・・蓋体
１４０・・・接合部材
１５０・・・導電性接合材
１６０・・・導電体
Ｇ・・・外部接続用端子

Claims

矩形状の基板と、
前記基板の上面の外周縁と接続され、直方体状で、下面の中央に設けられた凹部と、平面視して前記凹部と重なる箇所に設けられた振動領域と、前記振動領域を囲むようにして設けられた接合領域とを有している水晶素子と、
前記振動領域に設けられた励振用電極と、
前記励振用電極から前記接合領域の上面及び下面の平面視して対角に位置する角部に引き出された引き出し電極と、
前記水晶素子の上面及び下面の前記振動領域を囲むようにして設けられた接合部材と、
前記接合部材と接合され、前記振動領域を覆った蓋体と、
前記基板の外周縁は、平面視して前記水晶素子の外周縁よりも小さく、前記水晶素子の下面の外周縁は前記基板の上面と間隔をあけて設けられており、
前記水晶素子の下面の外周縁には、前記振動領域に形成された前記励振電極と電気的に接続された外部接続用電極端子と、
前記外部接続用電極端子に半田を介して接合された導体部と、を備えたことを特徴とする水晶デバイス。