JP6147025B2 - 電子デバイス - Google Patents

Description

本発明は、水晶振動子や圧電素子に代表される電子デバイスに関する。

近年普及している携帯電話等の携帯情報端末には表面実装型の小型パッケージを用いた電子デバイスが多く使用されている。例えば振動子やＭＥＭＳ、ジャイロセンサ、加速度センサ等は中空のキャビティ構造のパッケージに電子素子が収納される構造を有している。中空のキャビティ構造のパッケージは、例えばベースとリッドとを接合して気密封止する構成するものが知られている。近年小型化に伴って、電子デバイスをベースに接合する方法としてフリップチップボンディング方法が用いられている（例えば特許文献１）。

ここで、ベース上に圧電振動片が金属バンプで固定された圧電振動子について簡単に説明する。即ち、図１１に示すように、圧電振動子は、ＡＴカット水晶振動子片に代表される圧電振動片１５と、凹型に形成されたベース１３と、ベース１３に接合部２１で接合されたリッド１４から構成されている。圧電振動片１５の表面には、電極１６が形成されている。圧電振動片１５は、ベース上に形成された内部電極１８上に金属バンプ１７を介して接合される。

ベース１３には凹部が形成され、リッド１４で上部を封止することで素子収容部が構成される。該圧電振動片１５は前記素子収容部内に収納される。
ベース１３は、セラミック基板で構成され、ベース１３の下面には、外部電極２０が形成され、側面に形成された配線１９を介して内部電極１８と電気的に接続されている。
リッドはセラミック基板あるいは金属基板で構成され、ベース上の接合面２１でシーム溶接あるいは金−スズ溶接されて、素子収容部を封止する。

上述のような金属バンプで圧電振動片を支持する場合、水晶振動子片と金属バンプとの固着強度が非常に強く、長期にわたり安定した支持が可能である。また、圧電振動片と金属バンプが接触する面積が小さくて済むので、パッケージの小型化が可能である。

特開２０１０−１０３８６８号公報

しかしながら、図１１に示すように、圧電振動片１５はベース１３に金属バンプ１７で強固に固定されているため、ベース１３の歪や応力が直接圧電振動片１５に掛かってしまう。

また一般的なＡＴカット水晶振動子の圧電振動片では、圧電振動片を安定して保持するため、圧電振動片の一方の面の短辺両端部２箇所を保持する構造である。ベースと圧電振動片の熱膨張係数の差による応力は、圧電振動片を固定している金属バンプ間の距離に大きく依存する。そのため、この応力が圧電振動片に掛かり、圧電振動片の振動特性を大きく変化させてしまうという課題があった。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、圧電振動片などの素子に対しベースから伝わる応力、歪を低減させた電子デバイスを提供することを目的とする。

上述した課題を解決するために、本発明は以下の手段を提供する。
請求項１に記載の発明において、本発明の電子デバイスは、ベースと、前記ベースの上面側に支持される素子と、を備える電子デバイスにおいて、前記素子を支持する複数の支持部を備え、少なくとも１つ以上の前記支持部は、前記素子の側面を支持する緩衝部材で構成され、前記緩衝部材は、前記素子の端部と接し、前記素子の前記側面方向及び前記側面方向と反対方向に変形可能な接触部を有するとともに、 前記緩衝部材の前記素子の前記側面側と反対側に第一の空隙を有し、前記素子の前記端部と前記ベースの上面との間に第二の空隙を有することを特徴とする。
請求項１記載の発明によると、緩衝部材が変形することでベースの応力、歪の影響が素子に伝わるのを最小限に抑えることができる。特にこれまでの金属バンプのみによる素子の保持方法に比べて、素子を複数点で強固に固定しないため、リッド又はベースから素子に印加される応力、歪変動が減少し素子の特性を安定させることができる。

請求項２に記載の発明において、前記素子と前記緩衝部材の間に、接続部材を備え、前記接続部材を介して、前記素子と前記緩衝部材が接続されていることを特徴とする。
また、請求項２記載の発明によると、素子と緩衝部材をより確実に接続することができる。

請求項３に記載の発明において、前記緩衝部材は屈曲部を備え、前記屈曲部から前記接触部の間で変形することを特徴とする。
請求項４に記載の発明において、前記ベースの前記上面から立直する側壁部を有し、前記第一の空隙は、前記緩衝部材の前記素子の前記側面側と反対側と前記側壁部との間に形成されることを特徴とする。
また、請求項３、４記載の発明によると、緩衝部材の変形をより容易に起こさせることができる。

請求項５に記載の発明において、前記第一の空隙は、前記素子の端部において、前記緩衝部材の前記素子の前記側面側と反対側と前記ベースの上面との間に形成されることを特徴とする。
また、請求項５記載の発明によると、ベースの構成を容易にすることができる。

請求項６に記載の発明において、前記複数の支持部は、すべて前記緩衝部材で構成されることを特徴とする。
また、請求項６記載の発明によると、素子に与える応力、歪変動の影響をより抑制することができる。

請求項７に記載の発明において、前記緩衝部材は、前記素子の前記端部から前記素子の下面に向かって延設する延設部を備え、前記延設部は、前記素子の下面と接することを特徴とする。
また、請求項７記載の発明によると、より安定して素子と緩衝部材とを接続することができる。

請求項８に記載の発明において、前記緩衝部材は、導電性材料からなり、前記素子に形成された電極と電気的に接続することを特徴とする。
また、請求項８記載の発明によると、緩衝部材及び接続部材にて素子と電気的接続をすることができる。

請求項９に記載の発明において、前記接続部材は、シリコーン樹脂からなるバインダと、銀からなる導電材とで形成される導電ペーストで構成されることを特徴とする。
また、請求項９記載の発明によると、素子の熱膨張、及び緩衝部材の変形によって生じるそれぞれの接点での歪を緩和することができる。

請求項１０に記載の発明において、前記素子は、圧電素子であることを特徴とする。
また、請求項１０記載の発明によると、電子デバイスに圧電素子を搭載することができる。

請求項１記載の発明によると、緩衝部材が変形することでベースの応力、歪の影響が素子に伝わるのを最小限に抑えることができる。特にこれまでの金属バンプのみによる素子の保持方法に比べて、素子を複数点で強固に固定しないため、リッド又はベースから素子に印加される応力、歪変動が減少し素子の特性を安定させることができる。

本発明の第１実施形態に係る電子デバイスの断面図及び上面図である。 本発明の第１実施形態に係る電子デバイスの製造工程を示す図である。 本発明の第１実施形態に係る電子デバイスの製造工程を示す図である。 本発明の第１実施形態に係る電子デバイスの製造工程を示す図である。 本発明の第１実施形態に係る電子デバイスの製造工程を示す図である。 本発明の第１実施形態に係る電子デバイスの製造工程を示す図である。 本発明の第２実施形態に係る第２の電子デバイスの断面図である。 本発明の第３実施形態に係る第３の電子デバイスの断面図である。 本発明の第４実施形態に係る第４の電子デバイスの断面図である。 本発明の第５実施形態に係る第５の電子デバイスの断面図である。 従来の電子デバイスの断面図である。

（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態を図１（ａ）及び図１（ｂ）に基づいて詳細に説明する。 図１（ａ）は本発明に係る第１実施形態における電子デバイスの断面図であり、図１（ｂ）は上面図である。なお、図１（ｂ）においては、リッド２及び封止部材１０を省略している。

電子デバイス１００は、ベース１と、ベース１の上面側に支持される素子３と、を備える。また、電子デバイス１００は、素子３を支持する複数の支持部を備えている。また、少なくとも１つ以上の支持部は、素子３の側面を支持する緩衝部材４で構成される。また、緩衝部材４は、素子３の端部と接し、素子３の側面方向及び側面方向と反対方向に変形可能な接触部を有する。また、緩衝部材４の素子３の側面側と反対側に第一の空隙２１を有する。ここで、素子３の側面とは、素子３の上面と下面の端辺を結ぶ面を指す。また、素子３の端部とベース１の上面との間に第二の空隙２２を有する。なお、本実施形態において、支持部は１つの緩衝部材４と、１つの導電部材６とからなる。

ベース１はガラスで構成される。ここで、ベース１は、ガラスに換えて、セラミックやシリコン等を用いて構成してもよい。また、本実施形態において、ベース１は、凹部を有し、ベース１の上面から立直する側壁部を有する。

リッド２は、ベース１と同様のガラスで構成される。ここで、リッド２は、ガラスに換えて、ベース１とは異なるガラスや金属板、シリコン等を用いて構成してもよい。また、本実施形態において、リッド２は、封止部材１０を介してベース１の側壁部の端部と接合され、ベース１の凹部とリッド２の下面とで構成されるキャビティからなる素子収容部を形成する。素子収容部は、真空封止されている。

封止部材１０は、アルミニウムや多結晶シリコンで構成される。封止部材１０の形成方法として、ベース１もしくはリッド２にスパッタ法とフォトリソ法を組み合わせて形成する。形成した封止部材１０を介して、ベース１とリッド２を陽極接合することにより、素子収容部を真空封止することができる。ここで、封止部材１０として、ベース１やリッド２の材料、及び接合方法によっては別の材料を用いることができる、例えば、ベース１にセラミックを、リッド２に金属板を用いる場合、封止部材１０に表面が金及びニッケルのシールリングで構成することにより、シールリングと金属板をシーム溶接することで素子収容部を真空封止することができる。

素子３は、ＡＴカット水晶振動子片（圧電素子片）であり、表面に２つの電極１１が形成されている。当該素子３は、側面から接続部材５を介して緩衝部材４によって、下面の一端側から導電部材６によって支持される。なお、素子３は、ＡＴカット水晶振動子片に限らず、半導体回路、ＬＥＤ、各種センサなどを用いることができる。また、素子３は、素子収容部内に実装されている。

電極１１は素子３の表面上に形成され、最表面が金で、下地がクロムまたはニッケルで構成される。最表面は、金に限らず、銀や白金等の貴金属を使用して形成される表面層としてもよい。電極１１の形成方法として、スパッタ法とフォトリソ法を組み合わせたものがある。スパッタ法以外の形成方法としては、真空蒸着法やめっき法を用いることができる。

緩衝部材４は、金属薄板によって構成され、接続部材５を介して素子３の側面を支持する。緩衝部材４は、ベース１の側壁部の端部に接合し、ベース１の側壁部の端部から素子収容部内に向かって形成される。また、緩衝部材４は、素子収容部内において、屈曲する屈曲部を有している。また、緩衝部材４は、屈曲部からベース１の上面に向かって延設し、延設された部分の先端側に素子３の端部と接する接触部を備える。このとき、電子デバイス１００は、緩衝部材４において、延設された部分の素子３の側面側と反対側には、第一の空隙２１を有する構成になっている。第一の空隙２１は、素子３の端部において、緩衝部材４の素子３の側面側と反対側とベース１の上面との間に形成される。第一の空隙２１により、接触部は、素子３の側面方向及び側面方向と反対方向に変形可能となっている。本実施形態の場合、緩衝部材４は、屈曲部と接触部との間で変形する。また、緩衝部材４は屈曲部をあらかじめ塑性変形させておく。緩衝部材４と素子３とが接続部材５を介して接している。また、本実施形態では、緩衝部材４は、ベース１の側壁部の端部のうち封止部材１０の内部に配置されている。

接続部材５は、導電接着剤で構成され、銀を導電材とし、シリコーンをバインダとした導電ペーストを用いて形成される。接続部材５は、素子３の側面と、緩衝部材４の延設された部分との間に設けられる。素子３と緩衝部材４とは、接続部材５を焼成して接合される。ただし、素子３が半導体回路、ＬＥＤといった、自身が機械運動をしない素子の場合には、接続部材５は、エポキシやアクリル等をバインダとした導電ペーストや、金属はんだ等を用いることもできる。特に、接続部材５としてシリコーンをバインダとした導電ペーストを用いた場合、素子３の熱膨張、及び緩衝部材４の変形によって生じるそれぞれの接点のずれによる歪を緩和することができる。また、素子３の一方の電極１１と、緩衝部材４とは、接続部材５を介して電気的に接続される。

導電部材６は、金の金属バンプによって構成され、ベース１の上面に内部電極７を介して配置され、素子３の他方の電極１１と接続される。ここで、導電部材６は、シリコーンやエポキシ、アクリル等をバインダとした導電ペーストや、金属はんだを用いてもよい。特に、導電部材６として金属バンプを用いた場合、導電部材６と素子３上の電極１１との接触面積を小さくすることができ、導電部材６の接触による素子３の特性劣化を低減することができる。

内部電極７は、ベース１の上面の素子収容部に設けられる電極である。
外部電極９は、ベース１の下面（外部と接触する位置）に設けられる電極である。
当該内部電極７、外部電極９は、それぞれ金属膜で形成され、最表面に金を、下地にクロムまたはニッケルが用いられる。なお、内部電極７、外部電極９の最表面は、金に限らず、銀や白金等の貴金属を使用して形成される表面層としてもよい。つまり、貴金属は一般に、イオン化傾向が小さく、耐腐食性がある。そのため、電子デバイス１００は、当該貴金属により長期的劣化が抑えられるので、信頼性が向上する。また、下地のクロムまたはニッケルは、貴金属とベース材との密着性を向上させる効果がある。なお、内部電極７、外部電極９は、同一の材料を用いて形成することもできるが、異なる材料を用いて形成してもよい。

ここで、内部電極７、外部電極９の形成方法には、スパッタ法とフォトリソ法を組み合わせたものがある。スパッタ法以外の形成方法としては、真空蒸着法やめっき法を用いることができる。各金属膜は同様の形成方法により形成することもできるが、異なる方法を用いて形成してもよい。

配線８は、ベース１を貫通し、内部電極７と外部電極９とを電気的に接続する貫通電極である。配線８は、鉄−ニッケル合金、コバール合金、鉄−ニッケル−クロム合金等から構成される。なお、当該配線８の材料として、ベース１と熱膨張係数が近く、熱履歴による破壊を防ぐことができるものを用いることで、製品の安定性が向上する。また、配線８の他の形成方法として、ベース１内部を貫通せず、ベース１外部の側壁に薄膜状に形成し、端部で内部電極７、外部電極９とそれぞれ接続する引き回し電極で形成してもよい。この場合、内部電極７や外部電極９と同様の構成及び形成方法をとることができる。接続部材５及び導電部材６は、配線８を介して、プリント基板等に実装される端子である外部電極９と電気的に接続されている。また、内部電極７と接続する配線８は、ベース１の下面から上面まで貫通する。また、緩衝部材４と接続する配線８は、ベース１の下面から側壁部の端部まで貫通する。

本実施形態は、２つの導電部材６で素子を支持することなく、緩衝部材４及び導電部材６で素子を支持する。そのため、従来では導電部材６を配置した位置である緩衝部材４の接触部が接触する素子３の端部とベース１の上面との間に第二の空隙２２を形成することができる。また、緩衝部材４の素子３の側面側と反対側に第一の空隙２１を有する。

これにより、緩衝部材４側で素子が固定されない。そのため、緩衝部材４が素子３の側面方向に変形することで、素子３とベース１の熱膨張係数の差により素子３にかかる応力や歪を減少させることができる。また、緩衝部材４は屈曲部をあらかじめ塑性変形させておくことで、緩衝部材４の反力による余分な応力を素子３に与えることを防ぐことができる。

（電子デバイス１００の製造工程）
次に、電子デバイス１００の製造方法を図２〜図６を用いて説明する。図２〜図６は、個別パッケージで作製され得られる電子デバイス１００の各製造工程を示す。なお、本願発明は、これに限定されず、ウェハレベルで作製され、最後にダイシング等で切断されて得られる製造方法でもよい。

図２（ａ）は、ベース１であるベースガラスを形成する工程を示す図である。ベースガラスは、パッケージ形状にガラスをプレス加工することで形成される。このときに配線８である貫通電極を同時に埋め込む。貫通電極の別の形成方法として、ガラスにサンドブラスト等で貫通孔を形成した後、貫通電極を挿入して周囲を接着剤等で固着させる工程を用いてもよい。

図２（ｂ）は、緩衝部材４及び内部電極７と外部電極９とを、それぞれ配線８の上端と下端とにスパッタ法とフォトリソ法、及びめっき法を用いて形成する工程を示す図である。緩衝部材４及び内部配線７と外部電極９の金属は表層を金とし、下地層にクロムまたはニッケルを用いる。各金属膜は同様の形成方法により形成することもできるが、異なる方法を用いて形成してもよい。

図３（ａ）は、緩衝部材４を屈曲させる工程である。緩衝部材４をあらかじめ屈曲させておくことで、その後の工程にてスムーズに素子３を搭載することができる。さらに、屈曲部をあらかじめ塑性変形させることで、素子３搭載後に緩衝部材４からの反力が素子３にかかるのを防ぐことができる。
図３（ｂ）は封止部材１０であるアルミニウム膜を形成する工程である。アルミニウム膜は、スパッタ法とフォトリソ法を組み合わせて形成される。

図４（ａ）は導電部材６を形成する工程である。導電部材６は金による金属バンプを用いている。導電部材６は金属ワイヤの先端をボール上に成型し、内部電極７上に超音波接合することで形成される。また、その他の方法として、フォトリソ法とめっき法を組み合わせた製法を用いることもできる。この製法では、金属バンプの一括形成が可能であり、さらに、金属バンプ自体の小型化や低背化も可能である。
図４（ｂ）は、素子３を形成する工程である。素子３はＡＴカット水晶振動子片であり、必要な周波数や電気特性に合わせて厚み及び外形寸法を決定し、形成を行う。

図５（ａ）は、素子３の表面に電極１１を形成する工程である。電極１１は、左右の端部がそれぞれ、素子３の上下中心部まで形成されており、素子３の中心部では励振電極として素子３の振動特性を向上させる。電極１１の最表面は金で、下地はクロムまたはニッケルで構成される。また、電極１１の形成方法として、スパッタ法とフォトリソ法を組み合わせたものがある。スパッタ法以外の形成方法としては、真空蒸着法やめっき法を用いることができる。

図５（ｂ）は、素子３をベース１に実装する工程である。素子３をベース１に搭載後、超音波接合により電極１１と導電部材６が接合され、電気的に接続される。さらに、導電部材６により素子３は一点のみで強固に固定され、素子３の姿勢が一意に決められる。

図６（ａ）は、素子３と緩衝部材４の間に接続部材５を形成する工程である。接続部材５にシリコーンをバインダとした導電ペーストを用いており、接続部材５を焼成することで、素子３上の電極１１と緩衝部材４が電気的に接続される。一般的にシリコーンをバインダとした導電ペーストは焼成時に収縮を起こし素子３に応力を与えるが、本発明においては、緩衝部材４が変形することにより、導電ペーストの焼成時の収縮による応力を緩和することができる。

図６（ｂ）は、リッド２とベース１とを接合する工程である。リッド２はガラスであり、ベース１上の封止部材１０を介してベース１とリッド２を陽極接合することにより素子収容部内を封止する。このとき接合を真空中で行うことにより、素子収容部内を真空にすることができる。

なお、本実施形態では、図２（ａ）、（ｂ）、図３（ａ）、（ｂ）、図４（ａ）に示すベース１の加工を行った後に、図４（ｂ）、図５（ａ）に示す素子３の加工を行う場合を例示したが、逆の手順又は同時に加工を行っても良い。

（第２実施形態）
次いで、本発明に係る電子デバイスの第２実施形態について説明する。図７は本実施形態に係る電子デバイス１００ａの断面図である。なお、電子デバイス１００ａのうち、第１実施形態に係る電子デバイス１００と同一の構成については同一の符号を付して、その説明を省略する。

第１実施形態に係る電子デバイス１００では、緩衝部材４がベース１の側壁部の端部から上面側に向かって屈曲している。一方、図７に示すように、本実施形態に係る電子デバイス１００ａでは、ベース１の素子収容部側の上面から側壁部に向かって緩衝部材４ａが屈曲している。すなわち、緩衝部材４ａは、ベース１の上面に位置する配線８の端面に接合し、ベース１の上面から側壁部に向かって形成される。また、緩衝部材４ａは、ベース１の上面において、屈曲する屈曲部を有している。また、緩衝部材４ａは、屈曲部から素子３の側面方向と反対方向であるベース１の側壁部に向かって延設する。さらに、延設された部分で素子３の端部と接する接触部を備える。このとき、電子デバイス１００ａは、緩衝部材４ａにおいて、延設された部分の素子３の側面側と反対側には、第一の空隙２１を有する構成になっている。第一の空隙２１により、接触部は、素子３の側面方向及び側面方向と反対方向に変形可能となっている。本実施形態の場合、緩衝部材４ａは、屈曲部と接触部との間で変形する。これにより、電子デバイス１００ａは、電子デバイス１００と同様の効果が得られる。

さらに、接触部の位置は、導電部材６の高さに対応する。図７に示すように、延設された部分のうち、屈曲部側に配置される。このため緩衝部材４ａの長さも容易に短くできるので、電子デバイス１００ａの低背化も可能である。
さらに、配線８の長さを短くなるため、他の素子３の支持部と形状をそろえることができ、ベース１の構造を簡略化できる。

（第３実施形態）
次いで、本発明に係る電子デバイスの第３実施形態について説明する。図８は、本実施形態に係る電子デバイス１００ｂを示す図である。なお、電子デバイス１００と同一の構成については同一の符号を付して、その説明を省略する。

図８に示す電子デバイス１００ｂでは、ベース１上の内部電極７ｂを緩衝部材４と同様に金属薄板を用いており、緩衝部材として作用している。すなわち、複数の支持部は、すべて緩衝部材で構成される。また、内部電極７ｂは、緩衝部材４と素子３を挟んで対向する位置に配置される。そのため、内部電極７ｂは、緩衝部材４が支持する素子３側面と対向する側面を支持する。導電部材６ｂは、素子３の側面に形成された電極１１と内部電極７ｂ(緩衝部材)とを電気的に接続している。また、導電部材６ｂは接続部材５と同様にシリコーンをバインダとした導電ペーストを用いている。これにより、素子３を支持するすべての部分が緩衝部材の構造となるため、ベースの応力、歪の影響が圧電振動片に伝わるのを最小限に抑えるという本願発明の効果を最大限に発揮できる。なお、内部電極７ｂ及び導電部材６ｂの形成方法については、緩衝部材４及び接続部材５と同様の製造方法にて形成することができる。

（第４実施形態）
次いで、本発明に係る電子デバイスの第４実施形態について説明する。図９は、本実施形態に係る電子デバイス１００ｃを示す図である。なお、電子デバイス１００ｃのうち、第１実施形態に係る電子デバイス１００と同一の構成については同一の符号を付して、その説明を省略する。

図９に示すように、電子デバイス１００ｃにおいて、緩衝部材４ｃは、素子３の端部から素子３の下面に向かって延設する延設部を備え、延設部は、素子３の下面と接する。すなわち、緩衝部材４ｃの延設部は、素子３と水平になる面で構成され、この水平面にて素子３と接触する。これにより、電子デバイス１００と同様の効果が得られることは勿論、素子３と緩衝部材４ｃの接触面積が増大し、より安定して素子３と接続することができる。

（第５実施形態）
次いで、本発明に係る電子デバイスの第５実施形態について説明する。図１０は、本実施形態に係る電子デバイス１００ｄを示す図である。なお、電子デバイス１００ｄのうち、第１実施形態に係る電子デバイス１００と同一の構成については同一の符号を付して、その説明を省略する。

図１０に示す電子デバイス１００ｄでは、素子３上の電極１１とベース１の配線８とが、緩衝部材４ｄ及び接続部材５ｄを介さずに、接続配線１２によって電気的に接続されている。このように、当該緩衝部材４ｄ及び接続部材５ｄは導電性を有していなくてもよい。これにより、素子３の構造や、素子３上の電極１１、及び導通の必要性の有無に左右されず本発明の構造を適用することができる。接続配線１２は、ワイヤボンディングで一般的に用いられている金ワイヤ等を用いることができる。

なお、本発明は、各実施形態に限定されず、ベース１と、ベース１の上面側に支持される素子３と、素子３を支持する複数の支持部を備え、少なくとも１つ以上の支持部は、素子３の側面を支持する緩衝部材４で構成され、緩衝部材４は、素子３の端部と接し、素子３の側面方向及び側面方向と反対方向に変形可能な接触部を有し、緩衝部材４の素子３の側面側と反対側に第一の空隙２１を有すればよく、種々の構成を採用できる。例えば、図１において、示すベース１の側壁部は、ベースと別体で構成される側壁部でもよい。

１００ 電子デバイス
１ ベース
２ リッド
３ 素子
４ 緩衝部材
５ 接続部材
６ 導電部材
７ 内部電極
８ 配線
９ 外部電極
１０ 封止部材
１１ 電極
１００ａ 電子デバイス
４ａ 緩衝部材
１００ｂ 電子デバイス
６ｂ 導電部材（接続部材）
７ｂ 内部電極（緩衝部材）
８ｂ 配線
１００ｃ 電子デバイス
４ｃ 緩衝部材
１００ｄ 電子デバイス
４ｄ 緩衝部材
５ｄ 接続部材
１２ 接続配線
２１ 第一の空隙
２２ 第二の空隙

Claims (10)

1. ベースと、前記ベースの上面側に支持される素子と、を備える電子デバイスにおいて、
   前記素子を支持する複数の支持部を備え、
   前記複数の支持部の少なくとも一つが、前記素子の側面を支持する緩衝部材で構成され、
   前記緩衝部材は、前記素子の端部と接し前記素子の前記側面方向及び前記側面方向と反対方向に変形可能な接触部と、塑性変形され前記接触部との間で変形する屈曲部と、を有するとともに、
   前記緩衝部材の前記素子の前記側面側と反対側に第一の空隙を有し、
   前記素子の前記端部と前記ベースの上面との間に第二の空隙を有することを特徴とする電子デバイス。
2. 前記素子と前記緩衝部材の間に、接続部材を備え、前記接続部材を介して、前記素子と前記緩衝部材が接続されていることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
3. 前記ベースの前記上面から立直する側壁部を有し、
   前記第一の空隙は、前記緩衝部材の前記素子の前記側面側と反対側と前記側壁部との間に形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の電子デバイス。
4. 前記第一の空隙は、前記素子の端部において、前記緩衝部材の前記素子の前記側面側と反対側と前記ベースの上面との間に形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の電子デバイス。
5. 前記ベースの前記上面から立直する側壁部を有し、
   前記側壁部の端部に、封止部材を介して前記素子を封止するリッドを有し、
   前記緩衝部材の前記接触部と反対側の端部が、前記側壁部の端部に配置されることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
6. 前記複数の支持部は、すべて前記緩衝部材で構成されることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
7. 前記緩衝部材は、前記素子の前記端部から前記素子の下面に向かって延設する延設部を備え、
   前記延設部は、前記素子の下面と接することを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
8. 前記緩衝部材は、導電性材料からなり、前記素子に形成された電極と電気的に接続することを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
9. 前記接続部材は、シリコーン樹脂からなるバインダと、銀からなる導電材とで形成される導電ペーストで構成されることを特徴とする請求項２に記載の電子デバイス。
10. 前記素子は、圧電素子であることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。

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