JP6145737B2 - 発光装置の製造方法、および製造装置 - Google Patents

Description

本発明は、発光装置の製造方法に関し、特に、色度調整が可能な発光装置の製造方法等に関する。

白色光を発する発光装置（発光デバイス）として、青色ＬＥＤチップを、蛍光体を含む透光性樹脂で封止した発光装置が知られている。

このような発光装置では、青色ＬＥＤチップが発する青色光の一部は、蛍光体を励起し、蛍光体から黄色蛍光が発せられる。そして、青色ＬＥＤチップが発する青色光と、励起された蛍光体が発する黄色蛍光とが混合されることにより白色光が得られる。上記発光装置の白色光の色度は、青色ＬＥＤチップが発する青色光の光量と、蛍光体から発せられる黄色蛍光の光量との割合によって決まる。

このような発光装置は、青色ＬＥＤチップの性能のばらつきや、蛍光体の量によって白色光の色度にばらつきが生じることが課題である。

このような課題を解決するために、レーザ光の照射によって発光装置の発光色の色度調整を行う技術が開示されている（例えば、特許文献１および２参照）。

特開２００９−１５８５４１号公報 特開２０１１−１６５８２７号公報

しかしながら、特許文献１および２に記載の方法で発光装置の色度を調整した場合、ＬＥＤチップ（発光素子）にダメージを与えてしまう可能性がある。

そこで、本発明は、発光素子に与えるダメージを低減しつつ色度調整をすることが可能な発光装置の製造方法を提供する。

本発明の一態様に係る発光装置の製造方法は、発光素子と、前記発光素子の発する光で励起されて光を発する蛍光体を含む透光性樹脂で形成され、前記発光素子の少なくとも一部を覆う色変換部とを有する発光装置の製造方法であって、前記色変換部に波長が５．５μｍ以上のレーザ光を照射することによって前記発光装置から発せられる光の色度を調整する照射工程を含む。

また、前記照射工程においては、波長が９．２μｍ以上９．７μｍ以下のＣＯ２レーザ装置、または、波長が５．５μｍ以上５．９μｍ以下のＣＯレーザ装置を用いて前記レーザ光を照射してもよい。

また、前記照射工程においては、前記色変換部に前記レーザ光を照射することにより、前記蛍光体の少なくとも一部を除去してもよい。

また、前記照射工程においては、前記色変換部に前記レーザ光を照射することにより、前記透光性樹脂の少なくとも一部を除去して前記蛍光体を露出させ、かつ、露出した前記蛍光体の少なくとも一部を失活させてもよい。

また、前記色変換部は、前記蛍光体を含む前記透光性樹脂からなる蛍光体層と、前記蛍光体を含まない前記透光性樹脂からなる、前記蛍光体層の上方に設けられた樹脂層とを有し、前記照射工程においては、前記色変換部に前記レーザ光を照射することにより、前記樹脂層の少なくとも一部を除去して前記蛍光体層内の前記蛍光体を露出させ、かつ、露出した前記蛍光体の少なくとも一部を失活させてもよい。

また、前記照射工程においては、前記レーザ光の照射位置を所定時間毎に所定の距離以上離れた位置に変更してもよい。

また、さらに、前記発光装置から発せられる光の色度を測定する測定工程を含み、前記照射工程においては、前記発光装置から発せられる光の色度が所定の範囲内となるように、前記測定工程の測定結果に基づいて、前記レーザ光の照射時間、前記レーザ光の照射場所、および前記レーザ光の照射エネルギーのうち少なくとも１つを調整し、前記色変換部に前記レーザ光を照射してもよい。

本発明の一態様に係る製造装置は、発光素子と、前記発光素子の発する光で励起されて光を発する蛍光体を含む透光性樹脂で形成され、前記発光素子の少なくとも一部を覆う色変換部とを有する発光装置の製造装置であって、前記色変換部に波長が５．５μｍ以上のレーザ光を照射することによって前記発光装置から発せられる光の色度を調整する照射部を備える。

本発明に係る発光装置の製造方法によれば、発光素子に与えるダメージを低減しつつ発光装置の色度調整をすることができる。

図１は、実施の形態１に係る発光装置が設けられた基板を示す図である。 図２は、図１に示される発光装置をＡ−Ａ線で切断した断面図である。 図３は、実施の形態１に係る発光装置の製造装置を模式的に示す図である。 図４は、照射部の外観図である。 図５は、色度を表す画像の一例である。 図６は、発光装置の色度調整方法を示すフローチャートである。 図７は、レーザ光の発振波長と、レーザ光の透過率との関係を示す図である。 図８は、レーザ光の集光径を説明するための図である。 図９は、色変換部の加工の態様を説明するための模式図である。 図１０は、発光装置から発せられる光の色度の変化を説明するための図である。 図１１は、色変換部の加工の態様の別の例を説明するための模式図である。 図１２は、加工によって蛍光体を失活させた場合の発光装置の画像である。 図１３は、レーザ光の照射位置が所定時間毎に変更される例を示す模式図である。 図１４は、ＣＯＢ型の発光装置を説明するための図である。

以下、実施の形態に係る発光装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置および接続形態、ステップ、ステップの順序などは、一例であって本発明を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。

なお、各図は模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略または簡略化される場合がある。

（実施の形態１）
まず、実施の形態１に係る発光装置について説明する。図１は、実施の形態１に係る発光装置が設けられた基板を示す図である。図２は、図１に示される発光装置をＡ−Ａ線で切断した断面図である。

図１に示されるように、発光装置１００は、例えば、基板１０上に実装され、照明用光源や、照明装置に用いられる。図１では、基板１０は、中央に開口が設けられた平面視形状が円形の基板であり、発光装置１００は、基板１０上に円周方向に並んで複数設けられる。なお、発光装置１００が設けられた基板１０は、具体的には、電球形のＬＥＤランプ（照明用光源）に用いられる。

発光装置１００は、いわゆるＳＭＤ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ Ｄｅｖｉｃｅ）型の発光装置であり、白色光を発する。図２に示されるように、発光装置１００は、ＬＥＤチップ１１０（発光素子）と、蛍光体１３０を含む透光性樹脂からなる色変換部１２０（蛍光体層１２０ａおよび樹脂層１２０ｂ）と、パッケージ１４０と、リードフレーム１５０と、ボンディングワイヤ１６０とを備える。

ＬＥＤチップ１１０は、発光素子の一例であって、単色の可視光を発するベアチップであり、ダイアタッチ材（ダイボンド材）によってパッケージ１４０の凹部の底面にダイボンディング実装されている。ＬＥＤチップ１１０としては、例えば、青色光を発光する青色ＬＥＤチップを用いることができる。青色ＬＥＤチップとしては、例えばＩｎＧａＮ系の材料によって構成された、中心波長が４４０ｎｍ〜４７０ｎｍの窒化ガリウム系の半導体発光素子を用いることができる。

色変換部１２０は、光波長変換材である蛍光体１３０を含む透光性樹脂であって、ＬＥＤチップ１１０からの光を波長変換するとともに、ＬＥＤチップ１１０を封止してＬＥＤチップ１１０を保護する。色変換部１２０を構成する透光性樹脂は、パッケージ１４０の凹部に充填されており、当該凹部の開口面まで封入されている。色変換部１２０を構成する透光性樹脂は、具体的には、ジメチルシリコーン樹脂、フェニルシリコーン樹脂、シルセスキオキサン樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、アクリル樹脂等である。

実施の形態１では、色変換部１２０は、蛍光体層１２０ａと、樹脂層１２０ｂとを有する。蛍光体層１２０ａは、ＬＥＤチップ１１０の少なくとも光出射側（上部）を覆う、蛍光体１３０を含む透光性樹脂からなる層である。樹脂層１２０ｂは、蛍光体層１２０ａの上方に設けられた透光性樹脂からなる層であり、蛍光体１３０は含まれない。なお、樹脂層１２０ｂは、設けられなくてもよい。

蛍光体１３０は、ＬＥＤチップ１１０の発する光で励起されて黄色蛍光を発する黄色蛍光体である。ＬＥＤチップ１１０が青色発光ＬＥＤである場合、蛍光体１３０は、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系の黄色蛍光体である。なお、蛍光体１３０は、オルトシリケート系蛍光体や、酸窒化物蛍光体であってもよい。蛍光体１３０は、基本的には球状であり、色変換部１２０内に複数含まれる。

上述のように、蛍光体１３０は、ＬＥＤチップ１１０の青色光によって励起されて黄色蛍光を放出するので、発光装置１００（色変換部１２０）からは、励起された黄色蛍光と青色光とによって白色光が放出される。

パッケージ１４０は、非透光性樹脂（白樹脂等）を成型してなる容器であり、逆円錐台形状の凹部（キャビティ）を備える。凹部の内側面は傾斜面であり、ＬＥＤチップ１１０からの光を上方に反射させるように構成されている。パッケージ１４０は、具体的には、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴレジン、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）等の樹脂で形成される。なお、パッケージ１４０は、セラミックで形成されてもよい。

リードフレーム１５０は、一対の正負の電極である。リードフレーム１５０は、ＬＥＤチップ１１０と、基板１０上に設けられた外部電極（図示せず）とを接続するものであり、例えば、鉄、リン青銅、銅合金等の金属部材で構成される。リードフレーム１５０は、ボンディングワイヤ１６０によってＬＥＤチップ１１０と接続される。

次に、発光装置１００の製造装置について説明する。図３は、発光装置１００の製造装置を模式的に示す図である。

図３に示されるように、製造装置２００は、照射部２１０と、色度測定部２２０（測定部）とを備える。

照射部２１０は、色変換部１２０にレーザ光を照射し、発光装置１００から発せられる光の色度を調整する。図４は、照射部２１０の外観図である。

図４に示されるように、照射部２１０は、置き台２４０に置かれた発光装置１００にレーザ光２３０を照射する。発光装置１００は、基板１０に実装された状態で置き台２４０に置かれてもよいし、発光装置１００単体で置き台２４０に置かれてもよい。

なお、照射部２１０に用いられるレーザは、製造装置２００の特徴であり、これについての詳細は後述する。

色度測定部２２０は、発光装置１００から発せられる光の色度を測定する。色度測定部２２０は、色度や輝度などの光学特性を測定するための、汎用の分光器を用いた測定器である。

色度測定部２２０は、例えば、発光装置１００の発光面（光出射側の面）における光のスペクトルを測定し、色度を求める。色度は、製造装置２００が備える表示装置（図３において図示せず）に、図５に示されるような画像として表示される。

図５に示される画像は、発光装置１００を発光させた状態で発光面（上面）側から色度を測定した画像である。この画像においては、円形状の領域が発光装置１００の発光している部分を表し、当該円形状の領域内においては、色の濃淡が色度（色度の分布）を表している。なお、図５に示される画像の円形状の領域内の２つの矩形の領域は、ＬＥＤチップ１１０が位置する領域である。なお、色度測定部２２０は、色度（発光装置１００の光のスペクトル）に加えて、発光強度や、配光特性を測定してもよい。

次に、製造装置２００を用いた発光装置１００の製造方法（色度調整方法）について説明する。図６は、発光装置１００の色度調整方法を示すフローチャートである。

まず、色度測定部２２０は、発光装置１００が発する光の色度を測定する（Ｓ１０）。色度測定部２２０が測定した色度が所定の範囲内である場合（Ｓ２０でＹｅｓ）、発光装置１００の色度調整は終了する。なお、所定の範囲とは、例えば、製造工程における発光装置１００の色度の検査スペック等である。

色度測定部２２０が測定した色度が所定の範囲外である場合（Ｓ２０でＮｏ）、照射部２１０は、発光装置１００にレーザ光２３０を照射し（Ｓ３０）、色度測定部２２０は、レーザ光２３０の照射後の発光装置１００の色度を測定する（Ｓ１０）。以降は、色度測定部２２０が測定した色度が所定の範囲内になるまで、照射部２１０のレーザ光２３０の照射と、色度測定部２２０の色度の測定とが繰り返される。

なお、色度測定部２２０の色度の測定と、照射部２１０のレーザ光２３０の照射とは、リアルタイムで（同時に）行われてもよい。すなわち、発光装置１００から発せられる光の色度を測定しながら、発光装置１００が発する光の色度が所定の範囲内（所定の値）になるように、レーザ光２３０が照射されてもよい。

例えば、発光装置１００の発光面における光のスペクトル分布（発光面の色ばらつき）を測定しながら、均一なスペクトル分布または所望のスペクトル分布になるようにレーザ光２３０が照射されてもよい。

また、この場合、色度（発光装置１００の光のスペクトル）、発光強度、および配光特性のうちの少なくとも１つを測定しながら、レーザ光２３０が照射されてもよい。

上記の色度調整においては、照射部２１０に用いられるレーザが特徴的である。照射部２１０に用いられるレーザとしては、ＬＥＤチップ１１０に与えるダメージを低減するために、色変換部１２０および蛍光体１３０に吸収され、ＬＥＤチップ１１０までレーザ光が到達しにくいものが選択される。図７は、レーザ光の発振波長と、レーザ光の透過率との関係を示す図である。

図７の実線のグラフは、シリコン系の透光性樹脂にレーザ光を照射した場合の、レーザ光の発振波長と、レーザ光の透過率との関係を示している。この実線のグラフに示されるように、レーザ光の波長が５５００ｎｍ（５．５μｍ）以上であれば、シリコン系の透光性樹脂に対するレーザ光の透過率は、ほぼ０となる。

また、図７の破線のグラフは、色変換部１２０を想定し、蛍光体１３０を含むシリコン系の透光性樹脂にレーザ光を照射した場合の、レーザ光の発振波長と、レーザ光の透過率との関係を示している。この破線のグラフに示されるように、レーザ光の波長が２０００ｎｍ以上であれば、蛍光体１３０を含むシリコン系の透光性樹脂に対するレーザ光の透過率は、ほぼ０となる。

そこで、照射部２１０は、色変換部１２０に発振波長が５．５μｍ以上のレーザ光２３０を照射し、発光装置１００から発せられる光の色度を調整する。なお、実用的には、レーザ光２３０の波長は、産業用のＣＯ２レーザの１０．８μｍ程度が上限になるものと考えられる。しかしながら、将来的に波長がさらに長いレーザが実用化された場合、このようなレーザが用いられてもよい。なお、図７は、シリコン系の透光性樹脂に対するレーザ光の透過率を示すものであるが、シリコン系以外の透光性樹脂についても、これに近い透過率となる。

ここで、発振波長が５．５μｍ以上のレーザとして、例えば、ＣＯ２レーザ（ＣＯ２レーザ装置）や、ＣＯレーザ（ＣＯレーザ装置）を使用することが考えられるが、レーザ光の集光径が小さいほうが、微細な加工が可能であることから好ましい。

図８は、レーザ光の集光径を説明するための図である。図８に示されるように、レーザ光の集光径ｄは、レーザ光を出射するレンズ２５０の焦点距離をｆ、レーザ波長をλ、レンズ２５０に入射するレーザ光の径をＤとした場合、次の（式１）で表され、レーザ波長λに比例する。

ｄ＝２．４４×ｆ・（λ／Ｄ） ・・・（式１）

そこで、照射部２１０には、発振波長が５．５μｍ以上のレーザのうち、発振波長の短いものが用いられる。例えば、一般的に使用されるＣＯ２レーザの発振波長λは１０．６μｍであるが、照射部２１０には、発振波長が９．２μｍ以上９．７μｍ以下のＣＯ２レーザが用いられる。また、照射部２１０には、発振波長が５．５μｍ以上５．９μｍ以下のＣＯレーザが用いられる。

次に、色変換部１２０の具体的な加工態様について説明する。図９は、色変換部１２０の加工の態様を説明するための模式図である。

例えば、図９の（ａ）に示されるように、照射部２１０は、ＬＥＤチップ１１０の上方の色変換部１２０に焦点を合わせてレーザ光２３０を照射する。これにより、図９の（ｂ）に示されるように、色変換部１２０の一部が除去される。除去された色変換部１２０には、蛍光体１３０が含まれるため、発光装置１００から発せられる光の色度が変わる。

図１０は、発光装置１００から発せられる光の色度の変化を説明するための図である。図１０では、色度座標（ｘ、ｙ）が図示されている。図１０に示されるように、色変換部１２０の一部が除去されると、黄色蛍光を発する蛍光体１３０が除去されるため、発光装置１００から発せられる光の色度は、黄色側から青色側に向けてシフトする。

また、上述のように、照射部２１０には、発振波長が５．５μｍ以上のレーザが用いられるため、レーザ光２３０は、色変換部１２０に吸収され、ＬＥＤチップ１１０にはほとんど到達しない。したがって、ＬＥＤチップ１１０の直上にレーザ光２３０が照射される場合であっても、レーザ光２３０の照射によってＬＥＤチップ１１０に加わるダメージは極めて低い。つまり、照射部２１０によれば、ＬＥＤチップ１１０に与えるダメージを低減しつつ色度を調整することができる。

なお、色変換部１２０の加工態様は、図９に示されるものに限定されない。図１１は、色変換部１２０の加工の態様の別の例を説明するための模式図である。

図１１に示される加工態様では、照射部２１０は、まず、図１１の（ａ）に示されるように色変換部１２０にレーザ光２３０を照射する。この結果、色変換部１２０に含まれる透光性樹脂の少なくとも一部が除去されて、色変換部１２０内に凹部１７０が形成され、蛍光体１３０が凹部１７０の底面から露出する。より具体的には、色変換部１２０の樹脂層１２０ｂの少なくとも一部が除去され、蛍光体層１２０ａ内の蛍光体１３０が露出する。

そして、照射部２１０は、レーザ光２３０の照射により蛍光体層１２０ａ内の蛍光体１３０の少なくとも一部を失活させる。なお、蛍光体１３０の失活とは、目視による蛍光体１３０の外観は変化していないが、蛍光体１３０に所定波長の励起光を照射しても蛍光を発しなくなることをいう。

以上のような加工態様によっても、発光装置１００から発せられる光の色度は、黄色側から青色側に向けてシフトする。

図１２は、図１１に示されるような加工によって蛍光体１３０を失活させた場合の発光装置の画像である。図１２の（ａ）は、通常の状態の画像であり、図１２の（ｂ）は、ブラックライトを照射した場合の画像である。なお、図１２は、ＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）型の発光装置に上記加工を行った場合の画像であるが、ＳＭＤ型の発光装置１００においても同様の現象を確認することができる。

図１２の（ａ）に示されるように、レーザ光２３０の照射により蛍光体１３０が失活した部分は、他の部分より白化している。また、図１２の（ｂ）に示されるようにレーザ光２３０の照射により蛍光体１３０が失活した部分は、ブラックライトを照射すると青く光る。

以上説明したように、照射部２１０によれば、透光性樹脂が除去されて露出した蛍光体１３０を失活させることによっても、色度を調整することができる。また、この場合、レーザ光２３０は、主に、色変換部１２０の上方に位置する樹脂層１２０ｂに照射される。このため、このような加工による、レーザ光２３０がＬＥＤチップ１１０に与えるダメージの低減効果は高い。

なお、レーザ光２３０の照射が同一の照射位置に集中する場合、ＬＥＤチップ１１０に発熱によるダメージを与える可能性がある。そこで、実施の形態１では、レーザ光２３０の照射位置は、所定時間毎に所定の距離以上離れた位置に変更される。

図１３は、レーザ光２３０の照射位置が所定時間毎に変更される例を示す模式図である。図１３の（ａ）〜（ｃ）に示されるように、実施の形態１では、レーザ光２３０の照射位置は、所定時間毎に変更される。例えば、最初のレーザ光２３０の照射により凹部１７０ａが形成された場合（図１３の（ａ））、２回目の照射では、最初のレーザ光２３０の照射位置よりも所定の距離以上離れた位置にレーザ光２３０が照射され、この結果、凹部１７０ｂが形成される（図１３の（ｂ））。また、３回目の照射では、２回目のレーザ光２３０の照射位置よりも所定の距離以上離れた位置にレーザ光２３０が照射され、この結果、凹部１７０ｃが形成される（図１３の（ｃ））。

以上のようなレーザ光２３０の照射により、ＬＥＤチップ１１０への発熱によるダメージが低減される。なお、照射部２１０は、同一の照射位置にレーザ光２３０を照射する場合に、所定の時間間隔でレーザ光２３０を照射し、ＬＥＤチップ１１０への発熱によるダメージを低減してもよい。

以上、実施の形態１に係る発光装置１００の製造方法（色度調整方法）について説明した。上記製造方法では、発振波長が５．５μｍ以上のレーザ光２３０を照射し、発光装置１００から発せられる光の色度を調整する。これにより、発光素子に与えるダメージを低減しつつ発光装置１００から発せられる光の色度を調整することが可能となる。

（その他の実施の形態）
以上、実施の形態１に係る発光装置の製造方法について説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではない。

上記実施の形態では、蛍光体１３０は、黄色蛍光体であるとして説明したが、色変換部１２０には、黄色蛍光体以外に、緑色蛍光を発する緑色蛍光体や、赤色蛍光を発する赤色蛍光体が含まれてもよい。なお、緑色蛍光体や、赤色蛍光体は、白色光の演色性を高める目的で色変換部１２０に混合される。また、色変換部１２０には、黄色蛍光体の代わりに、緑色蛍光体と赤色蛍光体とが含まれ、ＬＥＤチップ１１０が発する青色光と合わせて発光装置から白色光が発せられる構成であってもよい。

また、ＬＥＤチップ１１０は、青色光以外の光を発光するＬＥＤチップであってもよい。例えば、ＬＥＤチップ１１０は、近紫外線を発するＬＥＤチップであってもよい。この場合、色変換部１２０には、三原色（赤色、緑色、青色）の光を発する各色蛍光体が含まれる。

なお、発光装置１００には、蛍光体以外の光波長変換材が用いられてもよく、例えば、光波長変換材として、半導体、金属錯体、有機染料、顔料など、ある波長の光を吸収し、吸収した光とは異なる波長の光を発する物質からなる光波長変換材が用いられてもよい。すなわち、本発明の製造方法は、蛍光体以外の光波長変換材が用いられた発光装置にも適用可能である。

また、上記実施の形態では、発光装置１００はＳＭＤ型の発光装置であるとして説明したが、本発明の製造方法は、ＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）型の発光装置にも適用可能である。図１４は、ＣＯＢ型の発光装置を説明するための図である。図１４の（ａ）は、ＣＯＢ型の発光装置の構成を示す平面図（上面図）である。図１４の（ｂ）は、図１４の（ａ）の発光装置をＢ−Ｂ線に沿って切断した場合の断面図である。図１４の（ｃ）は、図１４の（ａ）の発光装置をＣ−Ｃ線に沿って切断した場合の断面図である。

ＣＯＢ型の発光装置３００は、基板２０と、複数のＬＥＤチップ１１０と、複数のＬＥＤチップ１１０を一括封止する、蛍光体１３０が含まれた色変換部１２０とを備える。また、発光装置３００は、配線１５５と、ボンディングワイヤ１６０とを備える。

ＬＥＤチップ１１０は、基板２０上に直接、列状に実装されている。図１４の例では、ＬＥＤチップ１１０の素子列は、６列設けられている。１つの素子列に属する複数のＬＥＤチップ１１０それぞれのチップ上面には電流を供給するためのｐ側電極およびｎ側電極が形成されており、ｐ側電極およびｎ側電極のそれぞれと配線１５５とがボンディングワイヤ１６０によってワイヤボンディングされている。

色変換部１２０は、断面形状が上に凸の略半楕円形状であり、基板２０上の全てのＬＥＤチップ１１０の各素子列を覆うようにＬＥＤチップ１１０の配列方向に沿って直線状に形成されている。なお、色変換部１２０や、蛍光体１３０には、上記実施の形態で説明したものと同様の各種材料が用いられる。

以上説明したようなＣＯＢ型の発光装置３００においても、本発明の製造方法は適用できる。

また、上記実施の形態においては、発光素子としてＬＥＤチップ１１０が用いられたが、発光素子として、半導体レーザ等の半導体発光素子、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）、または無機ＥＬ等の固体発光素子が用いられてもよい。

なお、本発明は、上記実施の形態で説明した発光装置や、その製造装置として実現されてもよい。

以上、一つまたは複数の態様に係る発光装置の製造方法について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したものや、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、一つまたは複数の態様の範囲内に含まれてもよい。

１０、２０ 基板
１００、３００ 発光装置
１１０ ＬＥＤチップ（発光素子）
１２０ 色変換部
１２０ａ 蛍光体層
１２０ｂ 樹脂層
１３０ 蛍光体
１４０ パッケージ
１５０ リードフレーム
１５５ 配線
１６０ ボンディングワイヤ
１７０、１７０ａ、１７０ｂ、１７０ｃ 凹部
２００ 製造装置
２１０ 照射部
２２０ 色度測定部
２３０ レーザ光
２４０ 置き台
２５０ レンズ

Claims (7)

1. 発光素子と、前記発光素子の発する光で励起されて光を発する蛍光体を含む透光性樹脂で形成され、前記発光素子の少なくとも一部を覆う色変換部とを有する発光装置の製造方法であって、
   前記色変換部に、波長が９．２μｍ以上９．７μｍ以下のＣＯ２レーザ装置、または、波長が５．５μｍ以上５．９μｍ以下のＣＯレーザ装置を用いてレーザ光を照射することによって前記発光装置から発せられる光の色度を調整する照射工程を含む
   発光装置の製造方法。
2. 前記照射工程においては、前記色変換部に前記レーザ光を照射することにより、前記蛍光体の少なくとも一部を除去する
   請求項１に記載の発光装置の製造方法。
3. 前記照射工程においては、前記色変換部に前記レーザ光を照射することにより、前記透光性樹脂の少なくとも一部を除去して前記蛍光体を露出させ、かつ、露出した前記蛍光体の少なくとも一部を失活させる
   請求項１に記載の発光装置の製造方法。
4. 前記色変換部は、前記蛍光体を含む前記透光性樹脂からなる蛍光体層と、前記蛍光体を含まない前記透光性樹脂からなる、前記蛍光体層の上方に設けられた樹脂層とを有し、
   前記照射工程においては、前記色変換部に前記レーザ光を照射することにより、前記樹脂層の少なくとも一部を除去して前記蛍光体層内の前記蛍光体を露出させ、かつ、露出した前記蛍光体の少なくとも一部を失活させる
   請求項１に記載の発光装置の製造方法。
5. 前記照射工程においては、前記レーザ光の照射位置を所定時間毎に所定の距離以上離れた位置に変更する
   請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
6. さらに、前記発光装置から発せられる光の色度を測定する測定工程を含み、
   前記照射工程においては、前記発光装置から発せられる光の色度が所定の範囲内となるように、前記測定工程の測定結果に基づいて、前記レーザ光の照射時間、前記レーザ光の照射場所、および前記レーザ光の照射エネルギーのうち少なくとも１つを調整し、前記色変換部に前記レーザ光を照射する
   請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
7. 発光素子と、前記発光素子の発する光で励起されて光を発する蛍光体を含む透光性樹脂で形成され、前記発光素子の少なくとも一部を覆う色変換部とを有する発光装置の製造装置であって、
   前記色変換部に、波長が９．２μｍ以上９．７μｍ以下のＣＯ２レーザ装置、または、波長が５．５μｍ以上５．９μｍ以下のＣＯレーザ装置を用いてレーザ光を照射することによって前記発光装置から発せられる光の色度を調整する照射部を備える
   製造装置。

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