JP6143262B2 - 露光ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
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Description
3:凹溝部,3A,3B:壁面,4:反射面,4A:反射層,
5:光透過層,5A:加工面,6:マイクロレンズ,7:液体冷却手段,
10:基板,20(20A,20B):共振器端面,20B1:反射層,
21:第1電極層,22:第2電極層,23:光出射開口部,24:絶縁膜,
25:放熱層,L:層構造,L1:半導体層,Lb:レーザ光
Claims (5)
- 一つの半導体基板と、
前記半導体基板を共通の基板として、当該基板の表面に沿った発光層と前記表面に垂直な一対の共振器端面を有する複数の半導体レーザ素子部と、
隣接する前記半導体レーザ素子部の前記共振器端面間に形成される凹溝部と、
前記凹溝部内で前記半導体レーザ素子部の光出射面に対面させて当該光出射面から出射されるレーザ光を前記基板側に反射させる反射面とを備え、
前記反射面は、前記凹溝部を埋める光透過層に前記基板の表面に対して傾斜した加工面を形成し、当該加工面上に形成され、前記光透過層を透過したレーザ光を反射することを特徴とする露光ヘッド。 - 前記基板のレーザ光出射側の面には、複数の前記半導体レーザ素子部を駆動する共通電極と前記反射面に対向する光出射開口部が設けられることを特徴とする請求項1記載の露光ヘッド。
- 前記共通電極は放熱層で覆われていることを特徴とする請求項2記載の露光ヘッド。
- 前記半導体レーザ素子部には、冷却手段が接触していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載された露光ヘッド。
- 一つの半導体基板上に当該半導体基板の表面に沿った発光層を含む半導体層を形成する工程と、
前記半導体層に複数並列した凹溝部を形成し、当該凹溝部における一対の壁面を共振器端面とする複数の半導体レーザ素子部を形成する工程と、
前記凹溝部を光透過層で埋め込み、当該光透過層に前記半導体基板の表面に対して傾斜した加工面を形成し、前記加工面上に、前記半導体レーザ素子部の光出射面に対面させて当該光出射面から出射されるレーザ光を
前記基板側に反射させる反射面を形成する工程と、
前記半導体基板のレーザ光出射側の面に、複数の前記半導体レーザ素子部を駆動する共通電極を形成すると共に、前記反射面に対向する光出射開口部を形成する工程とを有することを特徴とする露光ヘッドの製造方法。
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