JP6137406B2 - ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物、それからなる成形品および半導体パッケージの製造方法 - Google Patents
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Description
1.(A)と(B)の合計を100重量%として、(A)重量平均分子量が10000以上あって、重量平均分子量を数平均分子量で除した分散度が2.5以下のポリフェニレンスルフィド樹脂5〜50重量%と(B)体積平均粒子径が0.1μm〜1.0μm未満の球状である溶融シリカ95〜50重量%を配合してなるポリフェニレンスルフィド樹脂組成物。
2.1記載のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物において、成形品を160℃、20時間熱水抽出(試料20g/イオン交換水100ml)したイオン性不純物で、ナトリウム含量が50ppm未満、塩素含量が50ppm未満、ヨウ素含量50ppm未満であることを特徴とするポリフェニレンスルフィド樹脂組成物。
3.前記(B)成分100重量部に対して、(C)繊維状および/または非繊維状フィラーを1〜50重量部配合してなることを特徴とする1〜2のいずれか1項に記載のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物。
4.前記(A)成分が、下記一般式(I)で表される環式ポリフェニレンスルフィド。
5.1〜4のいずれか1項に記載のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物からなる成形品が半導体パッケージである成形品。
6.1〜4のいずれか1項に記載のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物を射出成形により封止することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
以下に、本発明の実施の形態を詳細に説明する。本発明のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物の配合である、(A)と(B)と(C)について、順に説明したのち、ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物を(D)として説明する。
本発明の実施形態における(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂とは、式、−(Ar−S)−の繰り返し単位を主要構成単位とする、好ましくは当該繰り返し単位を80モル%以上含有するホモポリマーまたはコポリマーである。Arとしては下記の式(a)〜式(k)などで表される単位などがあるが、中でも式(a)が特に好ましい。
△Wr=(W1−W2)/W1×100≦0.18(%)・・・(1)
本発明の実施形態の上記(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂の製造方法としては、環式ポリフェニレンスルフィドを少なくとも50重量%以上含み、且つ重量平均分子量が10,000未満のポリフェニレンスルフィドプレポリマーを加熱して重量平均分子量10,000以上の高重合度体に転化させることによって製造する方法が例示できる。この方法によれば、容易に、前述した特性を有する本発明の実施形態で用いる(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂を得ることができる。
本発明の実施形態で用いる(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂の好ましい製造方法では、前記したごとき環式ポリフェニレンスルフィドを含むポリフェニレンスルフィドプレポリマーを加熱して高重合度体に転化させることを特徴とする。ここで用いるポリフェニレンスルフィドプレポリマーは、環式ポリフェニレンスルフィドを少なくとも50重量%以上含むものであり、好ましくは70重量%以上、より好ましくは80重量%以上、更に好ましくは90重量%以上含むものとすればよい。また、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーにおける環式ポリフェニレンスルフィドの含有率の上限値には特に制限は無いが、98重量%以下が好ましい範囲として例示できる。通常、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーにおける環式ポリフェニレンスルフィドの重量比率が高いほど、加熱後に得られるPPSの重合度および溶融粘度が高くなる傾向にある。すなわち、本発明の実施形態の(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂の製造法においては、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーにおける環式ポリフェニレンスルフィドの存在比率を調整することで、得られるPPSの重合度および溶融粘度を容易に調整できる。また、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーにおける環式ポリフェニレンスルフィドの重量比率が前記した上限値を超えると、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーの溶融解温度が高くなる傾向にある。よって、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーにおける環式ポリフェニレンスルフィドの重量比率を前記範囲にすることは、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーを高重合度体へ転化する際の温度をより低くできるため好ましい。
前記ポリフェニレンスルフィドプレポリマーを得る方法としては例えば以下の方法が挙げられる。
前記した本発明の実施形態の(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂は、前記ポリフェニレンスルフィドプレポリマーを加熱して高重合度体に転化させる方法によって製造することが好ましい。この加熱の温度は前記ポリフェニレンスルフィドプレポリマーが溶融解する温度であることが好ましく、このような温度条件であれば特に制限は無い。加熱温度がポリフェニレンスルフィドプレポリマーの溶融解温度未満ではPPSの高重合度体を得るのに長時間が必要となる傾向がある。なお、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーが溶融解する温度は、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーの組成や分子量、加熱時の環境により変化するため、一意的に示すことはできない。しかし、例えば、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーを示差走査型熱量計で分析することで溶融解温度を把握することが可能である。但し、加熱時の温度が高すぎると、ポリフェニレンスルフィドプレポリマー間、加熱により生成した高重合度体間および高重合度体とポリフェニレンスルフィドプレポリマーとの間などでの架橋反応や分解反応に代表される好ましくない副次的な反応が生じやすくなる傾向にある。このため、加熱時の温度が高すぎると、得られるPPS樹脂の特性が低下する場合がある。そのため、このような好ましくない副次的な反応が顕著に生じる温度は避けることが望ましい。加熱温度としては180以上が例示でき、好ましくは200℃以上、より好ましくは250℃以上である。また、加熱温度としては400℃以下が例示でき、好ましくは380℃以下、より好ましくは360℃以下である。
本発明の実施形態のPPS樹脂組成物は、体積平均粒子径が0.1μm以上1.0μm未満の球状である(B)溶融シリカを含有する。本発明で用いる溶融シリカは、体積平均粒子径の上限値が1.0μm以上であると、PPS樹脂組成物の溶融粘度が大きくなり成形加工性が悪化するだけでなく、射出成形で半導体部品を封止する時にボンディングワイヤーに与えるダメージが大きくなる点、絶縁性指標である耐アーク性が低下する点より好ましくない。尚、本発明で述べる耐アーク性とはJISK6911に準拠して測定した成形品表面でのアーク放電による絶縁破壊が起こるまでの時間を意味する。具体的な測定方法としては、成形品の表面に一定の距離を空けて2本の電極を接触させ、両電極間にアーク放電が発生する程度に電圧を掛ける。アーク放電によって発生した熱で成形品の表面が徐々に炭化し、最後に導通して発火した時の時間を測定する。一般的に樹脂材料の絶縁性が向上すると成形品の表面でアーク放電が発生しにくくなり、耐アーク性は向上する傾向にある。
本発明のPPS樹脂組成物は、(B)溶融シリカ以外の(C)繊維状および/または非繊維状フィラーを含んでいてもよい。
本発明の実施形態のPPS樹脂組成物は(A)PPS樹脂、(B)溶融シリカに含まれる金属不純物が極めて少ないために、配線の腐食現象やイオンマイグレーション現象が起こりにくい。また、本発明のPPS樹脂組成物を射出成形し封止することで耐湿信頼性にも優れた半導体パッケージを得ることが可能である。
さらに、本発明の実施形態のPPS樹脂組成物には、本発明の効果を損なわない範囲において、(A)PPS樹脂以外の樹脂を配合しても良い。その具体例としては、ポリアミド樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリサルフォン樹脂、ポリアリルサルフォン樹脂、ポリケトン樹脂、ポリアリレート樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルケトン樹脂、ポリチオエーテルケトン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、四フッ化ポリエチレン樹脂、エチレン・1−ブテン共重合体などのエポキシ基を含有しないオレフィン系重合体、共重合体が挙げられる。
本発明の実施形態のPPS樹脂組成物は、通常、溶融混練によって得られる。溶融混練機は、単軸、2軸の押出機、バンバリーミキサー、ニーダー、及びミキシングロールなど通常公知の溶融混練機に供給してPPS樹脂の融解ピーク温度+5〜100℃の加工温度の温度で混練する方法などを代表例として挙げることができる。この際、原料の混合順序には特に制限はなく、全ての原材料を配合後上記の方法により溶融混練する方法、一部の原材料を配合後上記の方法により溶融混練し更に残りの原材料を配合し溶融混練する方法、あるいは一部の原材料を配合後単軸あるいは2軸の押出機により溶融混練中にサイドフィーダーを用いて残りの原材料を混合する方法など、いずれの方法を用いてもよい。また、少量添加剤成分については、他の成分を上記の方法などで混練しペレット化した後、成形前に添加して成形に供することも勿論可能である。
本発明の実施形態のPPS樹脂組成物を成形した成形品は、良流動性、高耐熱性、低ガス性、低イオン性不純物、高絶縁、高寸法安定性の特徴を有することから、半導体部品を射出成形により封止してもボンディングワイヤー変形がなく、金属腐食やイオンマイグレーションが発生しない耐湿信頼性に優れた半導体パッケージを製造することが可能である。さらに、本発明の実施形態のPPS樹脂組成物を射出成形で半導体部品を封止することで、従来の熱硬化性樹脂による封止工程よりも量産性が格段に向上し、且つ封止部の厚みを制御することによる低反り化・軽量化効果も期待できる。
以下に、実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例のみに限定されるものではない。以下の実施例において、材料特性については下記の方法により測定した。
<分子量測定>
ポリフェニレンスルフィド及びポリフェニレンスルフィドプレポリマーの分子量は、サイズ排除クロマトグラフィー(SEC)の一種であるゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により、ポリスチレン換算で算出した。GPCの測定条件を以下に示す。
装置:センシュー科学 SSC−7100
カラム名:センシュー科学 GPC3506
溶離液:1−クロロナフタレン
検出器:示差屈折率検出器
カラム温度:210℃
プレ恒温槽温度:250℃
ポンプ恒温槽温度:50℃
検出器温度:210℃
流量:1.0mL/min
試料注入量:300μL (サンプル濃度:約0.2重量%)
ポリフェニレンスルフィドの加熱時における重量減少率は、熱重量分析機を用いて下記条件で行った。なお、試料は2mm以下の細粒物を用いた。
装置:パーキンエルマー社製 TGA7
測定雰囲気:窒素気流下
試料仕込み重量:約10mg
測定条件:
(a)プログラム温度50℃で1分保持。
(b)プログラム温度50℃から400℃まで昇温。この際の昇温速度20℃/分。
△Wr=(W1−W2)/W1×100 ・・・(3)。
ポリフェニレンスルフィド樹脂の含有するアルカリ金属含有量の定量は、下記の方法により行った。
(a)試料を石英るつぼに計りとり、電気炉を用いて灰化した。
(b)灰化物を濃硝酸で溶解した後、希硝酸で一定の容積に希釈した。
(c)得られた溶液中のアルカリ金属含有量を、ICP重量分析法(装置;Agilent製4500)及びICP発光分光分析法(装置;PerkinElmer製Optima4300DV)により測定した。
ポリフェニレンスルフィド樹脂を加熱した際に発生する成分の定量は、以下の方法により行った。なお、試料は2mm以下の細粒物を用いた。
約10mgのポリフェニレンスルフィド樹脂を、窒素気流下(50ml/分)において320℃の条件で60分間加熱し、発生したガス成分を大気捕集用加熱脱離用チューブcarbotrap400に捕集した。
上記チューブに捕集したガス成分を、熱脱着装置TDU(Supelco社製)を用いて、室温から280℃まで5分間で昇温することで熱脱離させた。熱脱離した成分をガスクロマトグラフィーを用いて成分分割したのち、ラクトン型化合物量としてガス中のγ−ブチロラクトン量を測定し、アニリン型化合物量として4−クロロ−N−メチルアニリン量を測定した。
住友重機械社製射出成形機プロマット40/20を用い、樹脂温度320℃、金型温度130℃、射出速度設定99%、射出圧力設定45%(実際の射出圧力98MPa)とする条件にて、(長さ)150mm×(幅)12.6mm×(厚み)0.5mm(ゲート位置:成形片の幅側、ゲート形状:フィルムゲート)の成形片を連続的に10回射出成形した。得られた成形片それぞれの、ゲート位置側から長手方向における充填末端長さを測定し、その平均値を棒流動長とした。棒流動長の値が大きいほど、薄肉流動性に優れているといえる。
住友重機械社製射出成形機SE75−DUZを用い、樹脂温度320℃、金型温度130℃とする条件にて、ASTM1号ダンベル試験片を成形した。
前記射出成形したASTM1号ダンベル試験片を、支点間距離114mm、引張速度10mm/minの条件でテンシロンUTA2.5T引張試験機を用い、ASTM D638に準拠して引張強度および引張伸度を測定した。これらの値が大きいほど引張特性に優れているといえる。
住友重機械社製射出成形機SE75−DUZを用い、樹脂温度320℃、金型温度130℃とする条件にて、(幅)12.5mm×(長さ)130mm×(厚み)3.2mmの曲げ試験片を成形した。
前記射出成形した曲げ試験片をスパン間距離100mm、クロスヘッドスピード1.0mm/minの条件で、ASTM D790に準拠してテンシロンRTM1T曲げ試験機を用い、曲げ強度および曲げ弾性率を測定した。これらの値が大きいほど曲げ特性に優れているといえる。
前記射出成形した曲げ試験片を用いて、ASTM D648に準拠して、0.45MPa荷重下での荷重たわみ温度を測定した。この値が大きいほど耐熱性に優れているといえる。
住友重機械社製射出成形機SE75−DUZを用い、樹脂温度320℃、金型温度130℃とする条件にて、(幅)12.7mm×(長さ)60mm×(厚み)3.2mmのモールドノッチ付きアイゾット衝撃試験片を成形した。
前記射出成形したモールドノッチ付きアイゾット衝撃試験片を用いて、ASTM D256に準拠して、ノッチ付きアイゾット衝撃強度を測定した。この値が大きいほど衝撃特性に優れているといえる。
前記射出成形したモールドノッチ付きアイゾット衝撃試験片を用いて、ミラージュ社製電子比重計ED−120Tを用い、水上置換法により比重を測定した。
配合物を溶融混練し、大気下120℃で8時間乾燥して得られたPPS樹脂組成物ペレットを130℃で3時間予備乾燥したもののうち、約10gをアルミカップに精秤した。これを大気下320℃で2時間加熱処理した際の加熱減量ΔWhを測定した。加熱減量ΔWhは、加熱前の試料重量(W3)を基準として、加熱処理後の試料重量(W4)から以下の式(4)を用いて算出した。
△Wh=(W3−W4)/W3×100 ・・・(4)
上記加熱減量が少ないほどガス発生量が少ないといえる。
住友重機械社製射出成形機SE75DUZを用い、樹脂温度320℃、金型温度150℃とする条件にて、(長さ)70mm×(幅)70mm×(厚み)1.0mm(ゲート形状:フィルムゲート、金型鏡面粗度:0.03s)のプレートを成形した。次いで、このプレート中央部の樹脂流れ方向(MD方向)およびその流れ方向とは直角方向(TD方向)で、幅3mm×長さ15mm×厚み1mmの角柱状に切削加工することによって、測定試験片を作成した。この測定試験片を用いて、セイコーインスツルメント(株)製TMA装置より30℃〜50℃における線膨張係数を測定した。尚、この値が小さいほど寸法安定性に優れているといえる。
住友重機械社製射出成形機SE75DUZを用い、樹脂温度320℃、金型温度150℃とする条件にて、(長さ)80mm×(幅)80mm×(厚み)3.0mm(ゲート形状:フィルムゲート、金型鏡面粗度:0.03s)のプレートを成形した。次いで、このプレートをISO2039−2規格に準拠して、(株)東洋精機製作所製ロックウエル硬度試験機によりRスケール(測定端子:1/2in鋼球、径12.7mm)におけるロックウエル硬度を測定した。尚、この値が小さいほど、材料表面硬度は低下することから、射出成形時の金型摩耗、ボンディングワイヤーへのダメージが低減されるため、成形加工性に優れているといえる。
前記射出成形したロックウエル硬度試験片を用いて、JISK6911に準拠して東京精電(株)製耐アーク性試験装置(温度23℃、湿度50%、n=4)より成形品表面でのアーク放電による導通・発火までの時間(秒)を測定した。尚、この時間が長いほど耐アーク性に優れ、絶縁性能に優れた半導体部品を製造するのに適しているといえる。
配合物を溶融混練し、大気下120℃で8時間乾燥して得られたPPS樹脂組成物ペレットを130℃で3時間予備乾燥したもののうち、約20gをアルミカップに精秤した。次いで、アルミカップ内に敷き詰められたペレット上に銅板(幅10mm×長さ20mm×厚み1.0mm)を置き、アルミカップ上面をガラスシャーレで蓋をした後、熱風オーブンにて300℃、30分間加熱処理をした。そして、加熱処理前後の銅板表面の中心線平均粗さRa(JISB0601に準拠)を測定し、下記式にて銅板表面Ra変化率を算出した。産出した銅板表面Ra変化率に基づいて揮発成分による金属腐食性を簡易評価した。尚、この値が小さいほど金属腐食しにくい材料であるといえる。
図1に記載した成形品10のサイズとして最大長さ55mm、幅20mm、厚み2mm、ゲートサイズ(図1中のGはゲートを示す)として幅2mm、厚み1mm(サイドゲート)、ガスベント部最大長さ20mm、幅10mm、深さ5μmのガス評価用金型で、住友重機械社製射出成形機SE75DUZを用いた。シリンダ温度330℃、金型温度150℃、射出速度100mm/sとして、樹脂組成物ごとの充填時間が0.4秒となるよう射出圧力を50〜80MPa内で設定し、さらに保圧25MPa、保圧速度30mm/s、保圧時間3秒として連続成形を行った。連続成形は、ガスベント部およびキャビティ部に金型汚れが目視確認できるまで実施した。金型汚れが目視確認できるまでの連続成形数が多いと、金型汚れ性に優れているといえる。
前記射出成形したASTM1号ダンベル試験片を粉砕して、100メッシュパスの篩いにかけた測定試料20gを準備した。次いで、イオン交換水100ml(ガラスビーカー)に測定試料を投入した後で160℃、20hr加熱処理して水溶液を抽出した。抽出した水溶液を原子吸光分光光度計(島津製作所製AA−7000)を用いて原子吸光分析法により分析することによって、抽出水中のナトリウム含有量、塩素含有量およびヨウ素含量の測定をした。尚、この値が小さいほど半導体パッケージの耐湿信頼性に優れているといえる。
住友重機械社製射出成形機プロマット40/20を用い、樹脂温度320℃、金型温度130℃下で、208pinLQFP(外形:28mm×28mm×1.4mm厚み、フレーム材質:42アロイ)用金型を用いて該パッケージを60個成形した。なお、評価用のシリコンチップとして窒化珪素膜を被覆した模擬素子(チップサイズ:12.7mm×12.7mm×0.3mm厚み)を搭載した。ワイヤーはAlワイヤー(ワイヤー径100μm)をインナーリード端子とシリコンチップに120本(1辺に30本)ボンディングした。上記成形で得られた208pinLQFPのパッケージ60個をX線検査装置MF100C(日立建機ファインテック社製)を用いて、成形前の画像と比較して、Alワイヤーが変形している本数からワイヤー変形発生率を算出した。このワイヤー変形発生率が少ないほど半導体封止性に優れているといえる。
以下に、実施例1〜8、比較例1〜9を配合するために用いられる参考例1〜7について説明する。
撹拌機および上部に抜き出しバルブを具備したオートクレーブに、水硫化ナトリウムの48重量%水溶液1.648kg(水硫化ナトリウム0.791kg(14.1モル))、水酸化ナトリウムの48重量%水溶液1.225kg(水酸化ナトリウム0.588kg(14.7モル))、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)35L、およびp−ジクロロベンゼン(p−DCB)2.120kg(14.4モル)を仕込んだ。
p−ジクロロベンゼンの仕込み量を2.278kg(15.5モル)に変えた以外は参考例1と同様に行った。得られた乾燥固体の分析の結果、環式ポリフェニレンスルフィドを72%含有していることがわかり、また、重合物の重量平均分子量は約2万、分散度は1.90であることがわかった。得られた生成物の加熱時における重量減少率の測定を行った結果、△Wrは0.065%であった。また、△Wr300(%)=0.045、△Wr320(%)=0.055、△Wr340(%)=0.070であった。さらに、得られた生成物のアルカリ金属含有量の定量化をした結果、Na含有量は重量比で280ppmであり、これ以外のアルカリ金属は検出されなかった。最後に、得られた生成物について加熱時の発生ガス成分の分析を行った結果、加熱前の生成物の重量に対して、γ−ブチロラクトンが24ppm、4−クロロ−N−メチルアニリンが19ppm検出された。上記得られた生成物を、PPS樹脂(A−2)と呼ぶ。
撹拌機および底栓弁付きの70リットルオートクレーブに、47.5%水硫化ナトリウム8.27kg(70.00モル)、96%水酸化ナトリウム2.94kg(70.63モル)、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)11.45kg(115.50モル)、酢酸ナトリウム1.89kg(23.1モル)、及びイオン交換水5.50kgを仕込み、常圧で窒素を通じながら245℃まで約3時間かけて徐々に加熱した。加熱によって水9.77kgおよびNMP0.28kgを留出した後、反応容器を200℃に冷却した。アルカリ金属硫化物の仕込み量1モル当たりの系内残存水分量は、NMPの加水分解に消費された水分を含めて1.06モルであった。また、硫化水素の飛散量は、アルカリ金属硫化物の仕込み量1モル当たり0.02モルであった。
撹拌機および底栓弁付きの70リットルオートクレーブに、47.5%水硫化ナトリウム8.27kg(70.00モル)、96%水酸化ナトリウム2.91kg(69.80モル)、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)11.45kg(115.50モル)、及びイオン交換水10.5kgを仕込み、常圧で窒素を通じながら245℃まで約3時間かけて徐々に加熱した。加熱によって水14.78kgおよびNMP0.28kgを留出した後、反応容器を200℃に冷却した。アルカリ金属硫化物の仕込み量1モル当たりの系内残存水分量は、NMPの加水分解に消費された水分を含めて1.06モルであった。また、硫化水素の飛散量は、アルカリ金属硫化物の仕込み量1モル当たり0.02モルであった。
(B−1)溶融シリカ(電気化学工業(株)製SFP−30M、体積平均粒子径0.7μm、球状)
(B−2)溶融シリカ(電気化学工業(株)製SFP−20M、体積平均粒子径0.3μm、球状)
(B’−1)溶融シリカ(電気化学工業(株)製FB−20D、体積平均粒子径23μm、球状)
(B’−1)における体積平均粒子径は、レーザー回折/散乱式粒子径分布測定装置HORIBA社製LA−300により求めた。
(C−1)ワラストナイト(巴工業(株)製NYAD1250、平均繊維径3μm、平均繊維長9μm、アスペクト比3、繊維状)
(C−1)における平均繊維径および平均繊維長は、走査型電子顕微鏡(SEM)(日本電子(株)社製JSM−6360LV)を用いて2000倍の倍率で観察し、画像から無作為に10個の繊維状フィラーを選び、繊維長、繊維径を測定することで、その数平均値として算出した値である。また、アスペクト比は平均繊維長(μm)/平均繊維径(μm)として算出した。
(C−2)マイカ((株)ヤマグチマイカ製SJ005、体積平均粒子径5μm、アスペクト比100、板状)
(C−3)重質炭酸カルシウム(同和カルファイン(株)製KSS1000、体積平均粒子径4.2μm、粒状)
(C−4)低ソーダ微粒子アルミナ(日本軽金属(株)製LS−200、体積平均粒子径2.7μm、粒状)
(C−5)ガラスビーズ(ボッターズ・バロティーニ(株)製EGB731、体積平均粒子径20μm、球状)
(C−2)から(C−5)における体積平均粒子径は、レーザー回折/散乱式粒子径分布測定装置HORIBA社製LA−300により求めた。厚みは、走査型電子顕微鏡(SEM)(日本電子(株)社製JSM−6360LV)を用いて2000倍の倍率で観察した。画像から無作為に10個のフィラー粒子を選び、厚みを測定し、その数平均値を求めてから、体積平均粒子径(μm)/数平均厚み(μm)としてアスペクト比を算出した。
表1および表2に示す(A)成分、(B)成分を表1および表2に示す割合でドライブレンドした。ドライブレンドした(A)成分、(B)成分を真空ベントを具備した日本製鋼所社製TEX30α型二軸押出機(L/D=45.5、ニーディング部は5箇所)の根元(ダイヘッドからL/D=45.5の箇所)から供給し、スクリュー回転数300rpm、ダイス吐出部の樹脂温度が330℃以下になるようにシリンダ温度を設定する押出条件で溶融混練しペレタイズした。(C)成分は表1および表2に示した割合になるように、ダイヘッドからL/D=15の箇所からサイドフィーダーを用いて途中から供給した。得られたペレットを130℃一晩乾燥した後で射出成形に供し、材料比重、加熱減量、ロックウエル硬度、棒流動長、引張特性、曲げ特性、衝撃特性、荷重たわみ温度、線膨張係数、金属腐食性、耐アーク性、イオン性不純物含有量、金型汚れ性、ワイヤー変形発生率を評価した。結果は表1および表2に示す通りであった。
10 成形品
Claims (7)
- (A)と(B)の合計を100重量%として、(A)重量平均分子量が10000以上あって、重量平均分子量を数平均分子量で除した分散度が2.5以下のポリフェニレンスルフィド樹脂5〜50重量%と(B)体積平均粒子径が0.1μm以上0.8μm以下の球状である溶融シリカ95〜50重量%を含むポリフェニレンスルフィド樹脂組成物。
- ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物からなる成形品を160℃、20時間熱水抽出(試料20g/イオン交換水100ml)した際の抽出水に含まれるナトリウム含量が50ppm未満、塩素含量が50ppm未満、かつヨウ素含量が50ppm未満であることを特徴とする請求項1記載のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物。
- 前記(B)成分100重量部に対して、(B)溶融シリカ以外の(C)繊維状および/または非繊維状フィラーを1〜50重量部含むことを特徴とする請求項1〜2のいずれか1項に記載のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物からなる成形品。
- 成形品が半導体パッケージである請求項5記載の成形品。
- 半導体部品を、請求項1〜4のいずれか1項に記載のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物を射出成形することで封止することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
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