JP6137406B2 - ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物、それからなる成形品および半導体パッケージの製造方法 - Google Patents

ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物、それからなる成形品および半導体パッケージの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6137406B2
JP6137406B2 JP2016514767A JP2016514767A JP6137406B2 JP 6137406 B2 JP6137406 B2 JP 6137406B2 JP 2016514767 A JP2016514767 A JP 2016514767A JP 2016514767 A JP2016514767 A JP 2016514767A JP 6137406 B2 JP6137406 B2 JP 6137406B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polyphenylene sulfide
weight
less
sulfide resin
resin composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2016514767A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2016136253A1 (ja
Inventor
直也 大内山
直也 大内山
松本 英樹
英樹 松本
齋藤 圭
圭 齋藤
堀内 俊輔
俊輔 堀内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries Inc filed Critical Toray Industries Inc
Publication of JPWO2016136253A1 publication Critical patent/JPWO2016136253A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6137406B2 publication Critical patent/JP6137406B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/0001Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor characterised by the choice of material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00Use of ingredients characterised by shape
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/02Fibres or whiskers
    • C08K7/04Fibres or whiskers inorganic
    • C08K7/10Silicon-containing compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/16Solid spheres
    • C08K7/18Solid spheres inorganic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/16Solid spheres
    • C08K7/18Solid spheres inorganic
    • C08K7/20Glass
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L81/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing sulfur with or without nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of polysulfones; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L81/02Polythioethers; Polythioether-ethers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L81/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing sulfur with or without nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of polysulfones; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L81/04Polysulfides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29KINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2081/00Use of polymers having sulfur, with or without nitrogen, oxygen or carbon only, in the main chain, as moulding material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29KINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2081/00Use of polymers having sulfur, with or without nitrogen, oxygen or carbon only, in the main chain, as moulding material
    • B29K2081/04Polysulfides, e.g. PPS, i.e. polyphenylene sulfide or derivatives thereof
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29LINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2031/00Other particular articles
    • B29L2031/34Electrical apparatus, e.g. sparking plugs or parts thereof
    • B29L2031/3406Components, e.g. resistors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2227Oxides; Hydroxides of metals of aluminium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/24Acids; Salts thereof
    • C08K3/26Carbonates; Bicarbonates
    • C08K2003/265Calcium, strontium or barium carbonate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00Specific properties of additives
    • C08K2201/002Physical properties
    • C08K2201/003Additives being defined by their diameter
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34Silicon-containing compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34Silicon-containing compounds
    • C08K3/36Silica

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)

Description

本発明は、低ガス性、低不純物、耐熱性、寸法安定性、耐アーク性(高絶縁性)、成形加工性に優れると共に、電子部品のショートや高温環境下での熱膨張による成形品クラック発生を抑制し且つボンディングワイヤー等の変形がない半導体部品封止材料として好適なポリフェニレンスルフィド樹脂組成物、その製造方法、およびそれからなる半導体部品に関するものである。
ポリフェニレンスルフィド樹脂(以下PPS樹脂と略す)は高い融点を示し、優れた難燃性、剛性、絶縁性、耐薬品性などエンジニアリングプラスチックとして好適な性質を有している。PPS樹脂は、主に射出成形により成形されて、各種電気・電子部品、機械部品、自動車部品および家電製品などに幅広く使用されている。
近年では、電子機器の高機能化、小型化、高速化に伴い、半導体用途はますます高性能化、多機能化が進んでおり、家電製品、コンピューター、自動車、鉄道、太陽光・風力発電など様々な分野で応用されている。半導体パッケージに対する要求(外部環境からの保護性の向上、外部との電気接続性の向上、放熱性の向上、実装性の向上など)も多様化し、高度な設計技術が要求されている。単機能半導体(ディスクリート)分野においては、Si素子に代わる新たなパワー半導体SiC素子が開発され、SiC素子はSi素子よりも高性能なため作動時の発熱量が多いことから、製品内部温度が従来の約150℃→約250℃〜300℃まで上昇することが見込まれている。このため、PPS樹脂、PI樹脂、PAI樹脂などの高耐熱樹脂材料のニーズが高まってきている。
従来、熱硬化エポキシ樹脂を半導体パッケージの封止材料として主に使用してきた。しかし、安価な汎用品は耐熱温度150℃程度のために次世代SiCパワー半導体用途では熱分解による材料劣化の問題があり製品設計の制約が大きかった。そこで、耐熱温度200℃以上でも樹脂本来の特性劣化が小さく、成形加工性に優れるPPS樹脂材料に注目が集まっている。一般に封止される半導体部品はSiやSiCチップ及びリードフレームで構成されており、このリード線がAuやAl材質のボンディングワイヤーによりアルミ回路に接続され通電しうる構造をとっている。PPS樹脂材料では、通常、シリコンチップを予め金型内にインサートし、射出成形により封止して半導体パッケージを製造する方法がよく用いられる。しかし、この時にPPS樹脂材料の流動性が十分でないと高速・高圧成形によりボンディングワイヤー潰れが発生する。また、PPS樹脂材料におけるイオン性不純物(ナトリウム、塩素、ヨウ素など)の含有量が多いと耐湿熱環境下で電極端子やボンディングワイヤーの腐食などの問題がある。そのため、これらの課題を解決したPPS樹脂材料が強く望まれている。
例えば、特許文献1には重量平均分子量が1万以上、重量平均分子量/数平均分子量で表される分散度が2.5以下のPPS樹脂と平均粒子径1〜100μmの無機フィラーとを配合した樹脂組成物が開示されている。
特許文献2には、直鎖型ポリアリーレンスルフィド樹脂、無機イオン交換体、エチレン共重合体、平均粒子径0.5〜40μmである球状シリカからなる電子部品封止用樹脂組成物が開示されている。
特許文献3には、ポリアリーレンスルフィド樹脂、シリカ、エラストマー、エポキシシランを配合してなる電子部品封止用ポリアリーレンスルフィド樹脂組成物が開示されている。
特開2008−231138号公報(特許請求の範囲、実施例) 特開2000−034407号公報(特許請求の範囲、実施例) 特開2000−186209号公報(特許請求の範囲、実施例)
特許文献1に記載された樹脂組成物ではガス発生量の低減および成形加工性は改善されている。しかし、配合するフィラーのサイズが大きいために、半導体パッケージを射出成形で封止した場合にボンディングワイヤー変形が発生しやすく、実使用上満足できるレベルではなかった。
また、特許文献2に記載されている樹脂組成物では、フィラーのサイズを小さくすることで射出成形時のボンディングワイヤー変形抑制に一定の改良効果はあった。しかし、イオン性不純物やガス発生量が多いことから、金属腐食が起こりやすく、さらには射出成形時にボイドも発生するために、実使用上満足できるレベルではなかった。
特許文献3に記載された樹脂組成物では流動性改良により射出成形時のボンディングワイヤー変形を抑制することで電気・電子部品封止性を改良している。しかし、ガス発生量増加によるボイド発生については改良されておらず、実使用上満足できるレベルではなかった。
本発明は、低ガス、低不純物、高耐熱性を有するポリフェニレンスルフィド樹脂の特性を損なうことなく、射出成形時のボンディングワイヤー変形を改善し、耐アーク性、寸法安定性に優れた半導体部品封止材料として好適なポリフェニレンスルフィド樹脂組成物およびそれからなる成形品を得ることを課題とする。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。
1.(A)と(B)の合計を100重量%として、(A)重量平均分子量が10000以上あって、重量平均分子量を数平均分子量で除した分散度が2.5以下のポリフェニレンスルフィド樹脂5〜50重量%と(B)体積平均粒子径が0.1μm〜1.0μm未満の球状である溶融シリカ95〜50重量%を配合してなるポリフェニレンスルフィド樹脂組成物。
2.1記載のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物において、成形品を160℃、20時間熱水抽出(試料20g/イオン交換水100ml)したイオン性不純物で、ナトリウム含量が50ppm未満、塩素含量が50ppm未満、ヨウ素含量50ppm未満であることを特徴とするポリフェニレンスルフィド樹脂組成物。
3.前記(B)成分100重量部に対して、(C)繊維状および/または非繊維状フィラーを1〜50重量部配合してなることを特徴とする1〜2のいずれか1項に記載のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物。
4.前記(A)成分が、下記一般式(I)で表される環式ポリフェニレンスルフィド。
Figure 0006137406
(ここで、mは4〜20の整数であり、前記(A)成分はことなるmを有する複数種類の環式ポリフェニレンスルフィドの混合物でもよい。)を少なくとも50重量%以上含み、且つ重量平均分子量が10000未満のポリフェニレンスルフィドプレポリマーを加熱して重量平均分子量10000以上の高重合度体に転化させることにより得られたポリフェニレンスルフィド樹脂である1〜3のいずれか1項に記載のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物。
5.1〜4のいずれか1項に記載のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物からなる成形品が半導体パッケージである成形品。
6.1〜4のいずれか1項に記載のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物を射出成形により封止することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
本発明によれば、ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物が提供される。本発明のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物は、重量平均分子量が10000以上であって、重量平均分子量を数平均分子量で除した分散度が2.5以下のPPS樹脂に、体積平均粒子径0.1μm〜1.0μm未満の球状である溶融シリカを配合することにより、流動性、耐熱性寸法安定性および耐アーク性に優れるとともに、ガス発生量およびイオン性不純物が少ないポリフェニレンスルフィド樹脂組成物を得ることができる。また、本発明のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物は、体積平均粒子径が0.1μm以上1.0μm未満の範囲である溶融シリカを含んでいるため、流動性を大きく損なうことを防止できる。このため、半導体パッケージなどを射出成形で封止する時に、ボンディングワイヤー変形を抑制し、高温時の寸法安定性に優れた半導体パッケージを得ることができる。
実施例において金型汚れ性評価を行った成形品の概略図である。
1.本発明の実施形態:
以下に、本発明の実施の形態を詳細に説明する。本発明のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物の配合である、(A)と(B)と(C)について、順に説明したのち、ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物を(D)として説明する。
(A)重量平均分子量が10000以上であって、重量平均分子量を数平均分子量で除した分散度が2.5以下のポリフェニレンスルフィド樹脂:
本発明の実施形態における(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂とは、式、−(Ar−S)−の繰り返し単位を主要構成単位とする、好ましくは当該繰り返し単位を80モル%以上含有するホモポリマーまたはコポリマーである。Arとしては下記の式(a)〜式(k)などで表される単位などがあるが、中でも式(a)が特に好ましい。
Figure 0006137406
(R1,R2は水素、炭素原子数1〜12のアルキル基、炭素原子数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜24のアリーレン基、ハロゲン基から選ばれた置換基であり、R1とR2は同一でも異なっていてもよい。)。
この繰り返し単位を主要構成単位とする限り、(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂は、下記の式(l)〜式(n)などで表される少量の分岐単位または架橋単位を含むことができる。これら分岐単位または架橋単位の共重合量は、−(Ar−S)−の単位1モルに対して0〜1モル%の範囲であることが好ましい。
Figure 0006137406
また、本発明の実施形態における(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂は、上記繰り返し単位を含むランダム共重合体、ブロック共重合体及びそれらの混合物のいずれかであってもよい。
これらの代表的なものとして、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンスルフィドスルホン、ポリフェニレンスルフィドケトン、これらのランダム共重合体、ブロック共重合体及びそれらの混合物などが挙げられる。特に好ましい(A)PAS樹脂としては、ポリマーの主要構成単位としてp−フェニレンスルフィド単位。
Figure 0006137406
を80モル%以上、特に90モル%以上含有するポリフェニレンスルフィド樹脂が挙げられる。
本発明の実施形態の(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂の分子量(重量平均分子量)の下限値は、10000以上の範囲が選択され、好ましくは15000以上で、より好ましくは18000以上である。また、(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂の分子量(重量平均分子量)の上限値は、100000以下の範囲が選択され、好ましくは50000以下であり、より好ましくは30000以下である。(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂の重量平均分子量の下限値が10000未満では、成形加工時にガス発生量が多くなることで成形性が低くなり、成形品の機械強度も損なわれる。一方で重量平均分子量の上限値が100000を超えると、金型内の固化が遅くなるため、成形品が十分に結晶化せず、十分な耐熱性向上効果を得ることができなくなる可能性がある。本発明の実施形態の(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂の重量平均分子量がより小さいほど、金型内の樹脂の固化が速くなる。その結果、成形品が高結晶化することによって耐熱性を飛躍的に向上できる。
本発明の実施形態における(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂の分子量分布の広がり、即ち重量平均分子量と数平均分子量の比(重量平均分子量/数平均分子量)で表される分散度は、2.5以下が好ましく、2.3以下がより好ましく、2.1以下が更に好ましく、2.0以下がよりいっそう好ましい。分散度が2.5以下の場合は、(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂に含まれる低分子成分の量が少なくなる傾向が強くなる。(A)PPS樹脂に含まれる低分子成分の量が少ないと、(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂は、成形加工用途に用いた場合の機械特性の向上、加熱した際のガス発生量の減少、及び溶剤と接した際の溶出成分量の減少等の傾向を示す。なお、前記重量平均分子量及び数平均分子量は、例えば示差屈折率検出器を具備したSEC(サイズ排除クロマトグラフィー)を使用して求めることができる。
また、本発明の実施形態の(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂の溶融粘度に特に制限はないが、通常、溶融粘度の下限は、5Pa・s(300℃、剪断速度1000/秒)、溶融粘度の上限は、10,000Pa・s(300℃、剪断速度1000/秒)の範囲が好ましい範囲として例示できる。この範囲の溶融粘度を有する(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂は成形加工性に優れる傾向にある。
本発明の実施形態で用いる(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂に含まれる不純物であるアルカリ金属含有量に特に制限はないが、電気絶縁性が要求される半導体部材用途に展開する観点では、アルカリ金属含量は重量比で700ppm未満が好ましい範囲として例示できる。アルカリ金属含有量が700ppm以上では、金属不純物による電気絶縁性低下などの問題が生じるため好ましくない。上記した電気絶縁性低下の観点から、(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物のアルカリ金属含有量は、重量比で100ppm未満であることが特に好ましい。ここで本発明の実施形態における(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂のアルカリ金属含有量とは、例えば(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂を電気炉等を用いて焼成した残渣である灰分中のアルカリ金属量から算出される値である。このような灰分は、例えば、イオンクロマト法や原子吸光法により分析することで定量することができる。
なお、アルカリ金属とは周期律表第IA属のリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、フランシウムのことを指す。なお、本発明の実施形態の(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂は、ナトリウム以外のアルカリ金属を含まないことが好ましい。ナトリウム以外のアルカリ金属を含む場合、ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物の電気特性や熱的特性に悪影響を及ぼす傾向にある。また(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂が溶剤と接した際の溶出金属量が増大する要因になる可能性があり、特に(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂がリチウムを含む場合にこの傾向が強くなる。ところで、金属種の中でも、アルカリ金属以外の金属種、たとえばアルカリ土類金属や遷移金属と比較して、アルカリ金属はポリフェニレンスルフィド樹脂組成物の電気特性、熱的特性及び金属溶出量への影響が強い傾向にある。よって、金属種の中でも、特にアルカリ金属含有量を前記範囲にすることで(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂の品質を向上する事ができると推測している。
本発明の実施形態で用いる(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂は、加熱した際の重量減少率が下記式(1)を満たすものであることが好ましい。
△Wr=(W1−W2)/W1×100≦0.18(%)・・・(1)
ここで△Wrは重量減少率(%)である。△Wrは、常圧の非酸化性雰囲気下で50℃から330℃以上の任意の温度まで昇温速度20℃/分で熱重量分析を行った際に、100℃到達時点の試料重量(W1)を基準とした330℃到達時の試料重量(W2)から求められる値である。
本発明の実施形態で用いる(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂の重量減少率△Wrは0.18%以下が好ましく、0.12%以下であることがさらに好ましく、0.10%以下であることがなおさら好ましく、0.085%以下であることがよりいっそう好ましい。重量減少率△Wrの下限は0%であるが、0.001%以上で実用上問題ない。△Wrが前記範囲を超える場合は、たとえば(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂を含むPPS樹脂組成物を成形加工する際にガス発生量が多いといった問題が発生しやすくなる傾向がある。また成形品の機械強度が低下する傾向があるため好ましくない。また、射出成形時の金型への付着物が多くなり、生産性が悪化する傾向もあるため好ましくない。
△Wrは一般的な熱重量分析によって求めることが可能である。しかし、この分析は、常圧の非酸化性雰囲気で行う。非酸化性雰囲気とは、試料が接する気相における酸素濃度が5体積%以下、好ましくは2体積%以下、更に好ましくは酸素を実質的に含有しない雰囲気、即ち窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガス雰囲気であることを指す。この中でも、経済性及び取扱いの容易さの面から、窒素雰囲気が特に好ましい。また、常圧とは大気の標準状態近傍における圧力のことであり、約25℃近傍の温度、絶対圧で101.3kPa近傍の大気圧条件のことである。測定の雰囲気が前述した雰囲気以外では、測定中にPPS樹脂の酸化等が起こったり、実際にPPS樹脂の成形加工で用いられる雰囲気と大きく異なるなど、PPS樹脂の実際の使用条件に即した測定になり得ない可能性が生じる。
また、△Wrの測定においては、50℃から330℃以上の任意の温度まで昇温速度20℃/分で昇温して熱重量分析を行う。好ましくは50℃の状態で1分間保持した後に昇温速度20℃/分で昇温して熱重量分析を行う。この温度範囲はポリフェニレンスルフィド樹脂を実使用する際に頻用される温度領域である。また、固体状態のPPSを溶融させ、その後任意の形状に成形する際に頻用される温度領域でもある。このような実使用温度領域における重量減少率は、実使用時のPPS樹脂からのガス発生量や成形加工の際の金型への付着成分量などに関連する。従って、このような温度範囲における重量減少率が少ないPPS樹脂の方が、品質の高い優れたPPS樹脂であるといえる。△Wrの測定は約10mg程度の試料量で行うことが望ましく、またサンプルの形状は約2mm以下の細粒状であることが望ましい。
本発明の実施形態で用いる(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂の加熱時の重量減少率が前記式(1)を満足するようなきわめて優れた熱重量特性を発現する理由は現時点において定かではない。しかし、本発明の実施形態で用いる(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂は、PPS成分以外の不純物成分の含有量が少ないことが奏功したものと推測される。
この様に前記式(1)の特徴を有する(A)PPS樹脂は、後述するように環式ポリフェニレンスルフィドを含むポリフェニレンスルフィドプレポリマーを加熱して高重合度体に転化させることによって製造することが好ましい。高重合度体への転化に関しては後で詳述するが、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーを高重合度体へ転化せしめる操作に処した後に得られるPPS樹脂に含有される環式PPSの重量分率は、40%以下、好ましくは25%以下、より好ましくは15%以下である。このようなPPS樹脂は、前述の△Wrの値が特に小さくなるため好ましい。環式PPSの重量分率の値が前記範囲を超える場合には△Wrの値が大きくなる傾向にある。この原因は現時点において定かではないが、PPS樹脂の含有する環式PPSが加熱時に一部揮散するためと推察している。
なお、本発明の実施形態で用いる(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂を加熱した際の重量減少率が前記式(1)を満たす場合、(A)PPS樹脂の重量平均分子量、分散度、およびアルカリ金属含有量から選択される条件は、必ずしも前記した範囲内である必要はない。前述したように環式PPSを一定量含んでいるPPS樹脂などでも前記式(1)の熱重量特性を満たすことが可能である。ただし、PPS樹脂の重量平均分子量、分散度、およびアルカリ金属含有量から選択される条件が前記した範囲内である場合には、加熱した際の重量減少が特に少なくなる傾向にあり望ましい。
上述の様に本発明の実施形態で用いる(A)PPS樹脂は、昇温を伴う加熱時の重量減少率△Wrが少ないという優れた特徴を有するが、任意のある一定温度で(A)PPS樹脂を保持した際の、加熱の前後を比較した重量の減少率(加熱減量)も少ないという優れた特徴を有する傾向がある。
また、本発明の実施形態で用いる(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂は、加熱した際のラクトン型化合物および/またはアニリン型化合物の発生量が著しく少ないことを特徴とするものであることが好ましい。ここでラクトン型化合物とは、例えばβ−プロピオラクトン、β−ブチロラクトン、β−ペンタノラクトン、β−ヘキサノラクトン、β−ヘプタノラクトン、β−オクタノラクトン、β−ノナラクトン、β−デカラクトン、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、γ−ペンタノラクトン、γ−ヘキサノラクトン、γ−ヘプタノラクトン、γ−オクタラクトン、γ−ノナラクトン、γ−デカラクトン、δ−ペンタノラクトン、δ−ヘキサノラクトン、δ−ヘプタノラクトン、δ−オクタノラクトン、δ−ノナラクトン、およびδ−デカラクトンなどが例示できる。また、アニリン型化合物とは、アニリン、N−メチルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、N−エチルアニリン、N−メチル−N−エチルアニリン、4−クロロ−アニリン、4−クロロ−N−メチルアニリン、4−クロロ−N,N−ジメチルアニリン、4−クロロ−N−エチルアニリン、4−クロロ−N−メチル−N−エチルアニリン、3−クロロ−アニリン、3−クロロ−N−メチルアニリン、3−クロロ−N,N−ジメチルアニリン、3−クロロ−N−エチルアニリン、および3−クロロ−N−メチル−N−エチルアニリンなどが例示できる。(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂を加熱した際のラクトン型化合物及び/またはアニリン型化合物の発生は、成形加工時の樹脂の発泡や金型汚れ等の要因となる。このような成形加工時の樹脂の発泡や金型汚れは、成形加工性を悪化させることのみならず周辺環境の汚染の要因にもなるため、できるだけ少なくすることが望まれている。ラクトン型化合物の発生量は、加熱を行う前のPAS重量基準で好ましくは500ppm以下、より好ましくは300ppm、更に好ましくは100ppm以下、よりいっそう好ましくは50ppm以下が望ましい。同様にアニリン型化合物の発生量は、好ましくは300ppm以下、より好ましくは100ppm、更に好ましくは50ppm以下、よりいっそう好ましくは30ppm以下が望ましい。なお、PAS樹脂を加熱した際のラクトン型化合物及び/またはアニリン型化合物の発生量を評価する方法としては、非酸化性雰囲気下320℃で60分処理した際の発生ガスを、ガスクロマトグラフィーを用いて成分分割して定量する方法が例示できる。
本発明の実施形態で用いる(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂の加熱時にこれら化合物の発生量が少ない理由は現時点において定かでは無い。しかし、後述する好ましい製造方法で用いられるポリフェニレンスルフィドプレポリマーが環式ポリフェニレンスルフィドを少なくとも50重量%含む純度の高いものであることが、加熱した際にラクトン型化合物及び/またはアニリン型化合物を発生する不純物の含有量が少ないことに寄与していると推測している。
(A1)ポリアリーレンスルフィドの製造方法:
本発明の実施形態の上記(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂の製造方法としては、環式ポリフェニレンスルフィドを少なくとも50重量%以上含み、且つ重量平均分子量が10,000未満のポリフェニレンスルフィドプレポリマーを加熱して重量平均分子量10,000以上の高重合度体に転化させることによって製造する方法が例示できる。この方法によれば、容易に、前述した特性を有する本発明の実施形態で用いる(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂を得ることができる。
本発明の実施形態で用いる(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂の好ましい製造方法における環式ポリフェニレンスルフィドとしては、下記一般式(I)で表される環式ポリフェニレンスルフィド(以下、環式PPSと略すこともある)を使用することができる。ここで、mは4〜20の整数であり、用いる環式ポリフェニレンスルフィドは、異なるmを有する複数種類の環式ポリフェニレンスルフィドの混合物でもよい。
Figure 0006137406
また、環式ポリフェニレンスルフィドは、単一の繰り返し数を有する単独化合物と、異なる繰り返し数を有する環式ポリフェニレンスルフィドの混合物とのいずれでもよい。ただし、異なる繰り返し数を有する環式ポリフェニレンスルフィドの混合物の方が単一の繰り返し数を有する単独化合物よりも溶融解温度が低い傾向があるため、異なる繰り返し数を有する環式ポリフェニレンスルフィドの混合物の使用は、後述する高重合度体への転化を行う際の温度をより低くできるため好ましい。
(A2)ポリフェニレンスルフィドプレポリマー:
本発明の実施形態で用いる(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂の好ましい製造方法では、前記したごとき環式ポリフェニレンスルフィドを含むポリフェニレンスルフィドプレポリマーを加熱して高重合度体に転化させることを特徴とする。ここで用いるポリフェニレンスルフィドプレポリマーは、環式ポリフェニレンスルフィドを少なくとも50重量%以上含むものであり、好ましくは70重量%以上、より好ましくは80重量%以上、更に好ましくは90重量%以上含むものとすればよい。また、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーにおける環式ポリフェニレンスルフィドの含有率の上限値には特に制限は無いが、98重量%以下が好ましい範囲として例示できる。通常、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーにおける環式ポリフェニレンスルフィドの重量比率が高いほど、加熱後に得られるPPSの重合度および溶融粘度が高くなる傾向にある。すなわち、本発明の実施形態の(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂の製造法においては、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーにおける環式ポリフェニレンスルフィドの存在比率を調整することで、得られるPPSの重合度および溶融粘度を容易に調整できる。また、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーにおける環式ポリフェニレンスルフィドの重量比率が前記した上限値を超えると、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーの溶融解温度が高くなる傾向にある。よって、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーにおける環式ポリフェニレンスルフィドの重量比率を前記範囲にすることは、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーを高重合度体へ転化する際の温度をより低くできるため好ましい。
ポリフェニレンスルフィドプレポリマーにおける環式ポリフェニレンスルフィド以外の成分は、線状のポリフェニレンスルフィドオリゴマーであることが特に好ましい。ここで線状のポリフェニレンスルフィドオリゴマーとは、式、−(Ar−S)−の繰り返し単位を主要構成単位としており、好ましくは当該繰り返し単位を80モル%以上含有するホモオリゴマーまたはコオリゴマーである。Arとしては前記した式(a)〜式(k)などであらわされる単位などがあるが、なかでも式(a)が特に好ましい。線状のポリアリーレンスルフィドオリゴマーはこれら繰り返し単位を主要構成単位とする限り、前記した式(l)〜式(n)などで表される少量の分岐単位または架橋単位を含むことができる。これら分岐単位または架橋単位の共重合量は、−(Ar−S)−の単位1モルに対して0〜1モル%の範囲であることが好ましい。また、線状のポリフェニレンスルフィドオリゴマーは上記繰り返し単位を含むランダム共重合体、ブロック共重合体及びそれらの混合物のいずれかであってもよい。
このような環式ポリフェニレンスルフィド以外の成分の代表的なものとして、ポリフェニレンスルフィドオリゴマー、ポリフェニレンスルフィドスルホンオリゴマー、ポリフェニレンスルフィドケトンオリゴマー、これらのランダム共重合体、ブロック共重合体及びそれらの混合物などが挙げられる。特に好ましい線状のポリフェニレンスルフィドオリゴマーとしては、ポリマーの主要構成単位としてp−フェニレンスルフィド単位を80モル%以上、特に好ましくは90モル%以上含有する線状のポリフェニレンスルフィドオリゴマーが挙げられる。
ポリフェニレンスルフィドプレポリマーが含有する線状ポリフェニレンスルフィド量は、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーが含有する環式ポリフェニレンスルフィドよりも少ないことが特に好ましい。即ちポリフェニレンスルフィドプレポリマー中の環式ポリフェニレンスルフィドと線状ポリフェニレンスルフィドの重量比(環式ポリフェニレンスルフィド/線状ポリアリーレンスルフィド)は1以上であることが好ましく、2.3以上がより好ましく、4以上が更に好ましく、9以上がよりいっそう好ましい。このようなポリフェニレンスルフィドプレポリマーを用いることで、重量平均分子量が10,000以上のポリフェニレンスルフィドを容易に得ることが可能になる。従って、ポリフェニレンスルフィドプレポリマー中の環式ポリフェニレンスルフィドと線状ポリフェニレンスルフィドの重量比の値が大きいほど、本発明の実施形態の(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂の好ましい製造方法により得られるPPSの重量平均分子量は大きくなる傾向にある。よってこの重量比に特に上限は無いが、該重量比が100を越えるポリフェニレンスルフィドプレポリマーを得るためには、ポリフェニレンスルフィドプレポリマー中の線状PPS含有量を著しく低減する必要があり、これには多大の労力を要する。本発明の実施形態の(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂の好ましい製造方法によれば、該重量比が100以下のポリフェニレンスルフィドプレポリマーを用いても十分な高分子量PPSを容易に得ることが可能である。
本発明の実施形態で用いる(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂の好ましい製造方法に用いるポリフェニレンスルフィドプレポリマーの分子量の上限値は、重量平均分子量で10,000未満であり、5,000以下が好ましく、3,000以下が更に好ましい。一方、下限値は、重量平均分子量で300以上が好ましく、400以上が好ましく、500以上が更に好ましい。
本発明の実施形態で用いる(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂は純度の高いものであることが特徴であり、製造に用いられるポリフェニレンスルフィドプレポリマーも純度の高いものであることが好ましい。したがって、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーにおいて、不純物であるアルカリ金属含有量は、重量比で700ppm未満が好ましく、500ppm以下が更に好ましく、300ppm以下がよりいっそう好ましい。本発明の実施形態で用いる(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂の製造に際し、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーを加熱して高重合度体に転化する方法を用いる場合、得られるPPSのアルカリ金属含有量は、通常、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーのアルカリ金属含有量に依存する。このため、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーのアルカリ金属含有量が前記範囲を超えていると、得られるPPSのアルカリ金属含有量が本発明の実施形態の(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂のアルカリ金属含有量の範囲を超える場合がある。ここでポリフェニレンスルフィドプレポリマーのアルカリ金属含有量とは、例えば、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーを電気炉等を用いて焼成した残渣である灰分中のアルカリ金属から算出される値である。このような灰分は、例えば、イオンクロマト法や原子吸光法により分析することで定量することができる。
なお、アルカリ金属とは周期律表第IA属の、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、フランシウムのことを指すが、本発明の実施形態のポリアリーレンスルフィドプレポリマーはナトリウム以外のアルカリ金属を含まないことが好ましい。
また、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーには加熱による高重合度体への転化に際して、転化を促進する触媒成分を使用することも可能である。このような触媒成分としてはイオン性化合物やラジカル発生能を有する化合物が例示できる。イオン性化合物としては、たとえばチオフェノールのナトリウム塩等、硫黄のアルカリ金属塩が例示できる。また、ラジカル発生能を有する化合物としては、たとえば加熱により硫黄ラジカルを発生する化合物を例示でき、より具体的には、ジスルフィド結合を含有する化合物が例示できる。但し、触媒成分を使用した場合でもポリフェニレンスルフィドプレポリマーのアルカリ金属含有量、アルカリ金属種、含有ハロゲン種は前記した条件に準じることが望ましい。また、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーを加熱して高重合度体に転化させる反応を、反応系内のアルカリ金属量が重量比で好ましくは700ppm未満、より好ましくは500ppm以下、更に好ましくは300ppm以下であって、なお且つ、反応系内の全イオウ重量に対するジスルフィド重量が1重量%未満、好ましくは0.5重量%未満、より好ましくは0.3重量%未満、更に好ましくは0.1重量%未満として行うことが望ましい。これにより本発明の実施形態の(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂を得ることが容易となる。なお、触媒成分を使用する場合、触媒成分は通常はPASに取り込まれ、得られるPPSは触媒成分を含有するものになることが多い。特に触媒成分としてアルカリ金属及び/または他の金属成分を含有するイオン性の化合物を用いた場合、これに含まれる金属成分の大部分は得られるPPS中に残存する傾向が強い。また、触媒成分を使用して得られたPPSは、前記したPPSを加熱した際の重量減少率が増大する傾向にある。従って、より純度の高いPPSを所望する場合および/または加熱した際の重量減少率の少ないPPSを所望する場合には、触媒成分の使用をできるだけ少なくする、好ましくは使用しないことが望まれる。
(A3)ポリフェニレンスルフィドプレポリマーの製造方法:
前記ポリフェニレンスルフィドプレポリマーを得る方法としては例えば以下の方法が挙げられる。
(A3a)少なくともポリハロゲン化芳香族化合物、スルフィド化剤および有機極性溶媒を含有する混合物を加熱してポリアリーレンスルフィド樹脂を重合することにより、80meshふるい(目開き0.125mm)で分離される顆粒状PPS樹脂と、重合で生成したPPS成分であって前記顆粒状PPS樹脂以外のPPS成分(ポリフェニレンスルフィドオリゴマーと称する)と、有機極性溶媒と、水と、ハロゲン化アルカリ金属塩とを含む混合物を調製する。その後、この混合物に含まれるポリフェニレンスルフィドオリゴマーを分離して精製操作に処すことによって、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーを得る方法。
(A3b)少なくともポリハロゲン化芳香族化合物、スルフィド化剤および有機極性溶媒を含有する混合物を加熱してポリフェニレンスルフィド樹脂を重合する。重合終了後に公知の方法によって有機極性溶媒の除去を行い、ポリフェニレンスルフィド樹脂と、水と、ハロゲン化アルカリ金属塩とを含む混合物を調製する。これを公知の方法で精製することにより、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーを含むポリフェニレンスルフィド樹脂を得る。得られたポリフェニレンスルフィド樹脂を貧溶媒を用いて再沈させることによって、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーを回収する方法。
(A4)ポリフェニレンスルフィドプレポリマーの高重合度体への転化:
前記した本発明の実施形態の(A)ポリフェニレンスルフィド樹脂は、前記ポリフェニレンスルフィドプレポリマーを加熱して高重合度体に転化させる方法によって製造することが好ましい。この加熱の温度は前記ポリフェニレンスルフィドプレポリマーが溶融解する温度であることが好ましく、このような温度条件であれば特に制限は無い。加熱温度がポリフェニレンスルフィドプレポリマーの溶融解温度未満ではPPSの高重合度体を得るのに長時間が必要となる傾向がある。なお、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーが溶融解する温度は、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーの組成や分子量、加熱時の環境により変化するため、一意的に示すことはできない。しかし、例えば、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーを示差走査型熱量計で分析することで溶融解温度を把握することが可能である。但し、加熱時の温度が高すぎると、ポリフェニレンスルフィドプレポリマー間、加熱により生成した高重合度体間および高重合度体とポリフェニレンスルフィドプレポリマーとの間などでの架橋反応や分解反応に代表される好ましくない副次的な反応が生じやすくなる傾向にある。このため、加熱時の温度が高すぎると、得られるPPS樹脂の特性が低下する場合がある。そのため、このような好ましくない副次的な反応が顕著に生じる温度は避けることが望ましい。加熱温度としては180以上が例示でき、好ましくは200℃以上、より好ましくは250℃以上である。また、加熱温度としては400℃以下が例示でき、好ましくは380℃以下、より好ましくは360℃以下である。
前記加熱を行う時間は使用するポリフェニレンスルフィドプレポリマーにおける環式ポリフェニレンスルフィドの含有率、m数、分子量などの各種特性、および加熱の温度等の条件によって異なるため一様には規定できないが、前記した好ましくない副次的な反応がなるべく起こらないように設定することが好ましい。加熱時間としては0.05時間以上が例示でき、0.1時間以上が好ましい。また、加熱時間としては100時間以下が例示でき、20時間以下が好ましく、10時間以下がより好ましい。加熱時間が0.05時間未満では、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーの高重合度体への転化が不十分になりやすい。また、加熱時間が100時間を超えると、好ましくない副次的な反応によってPPS樹脂の特性への悪影響が顕在化する可能性が高くなる傾向にあるのみならず、経済的にも不利益を生じる場合がある。
ポリフェニレンスルフィドプレポリマーの加熱による高重合度体への転化は、通常溶媒の非存在下で行うが、溶媒の存在下で行うことも可能である。溶媒としては、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーの加熱による高重合度体への転化の阻害や生成した高重合度体の分解や架橋など好ましくない副次的な反応を実質的に引き起こさないものであれば特に制限はない。溶媒としては、例えばN−メチル−2−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、およびジメチルアセトアミドなどの窒素を含有した極性溶媒、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホンなどのスルホキシド・スルホン系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、およびアセトフェノンなどのケトン系溶媒、ジメチルエーテル、ジプロピルエーテル、およびテトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、クロロホルム、塩化メチレン、トリクロロエチレン、2塩化エチレン、ジクロルエタン、テトラクロルエタン、およびクロルベンゼンなどのハロゲン系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、フェノール、クレゾール、およびポリエチレングリコールなどのアルコール・フェノール系溶媒、ベンゼン、トルエン、およびキシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒などがあげられる。また、二酸化炭素、窒素、および水等の無機化合物を、超臨界流体状態として溶媒に用いることも可能である。これらの溶媒は1種類または2種類以上の混合物として使用することができる。
前記ポリフェニレンスルフィドプレポリマーの加熱による高重合度体への転化は、通常の重合反応装置を用いる方法で行うのはもちろんのこと、成形品を製造する型内で行ってもよいし、押出機や溶融混練機を用いて行うなど、加熱機構を具備した装置であれば特に制限無く行うことが可能である。また、バッチ方式、連続方式など公知の方法を採用することもできる。ポリフェニレンスルフィドプレポリマーの加熱による高重合度体への転化の際の雰囲気は非酸化性雰囲気で行うことが好ましく、減圧条件下で行うことも好ましい。また、減圧条件下で行う場合、反応系内の雰囲気を一度非酸化性雰囲気としてから減圧条件にすることが好ましい。これによりポリフェニレンスルフィドプレポリマー間、加熱により生成した高重合度体間、及び高重合度体とポリフェニレンスルフィドプレポリマー間などで架橋反応や分解反応等の好ましくない副次的な反応の発生を抑制できる傾向にある。なお、非酸化性雰囲気とは、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーが接する気相における酸素濃度が5体積%以下、好ましくは2体積%以下、更に好ましくは酸素を実質的に含有しない雰囲気をいう。酸素を実質的に含有しない雰囲気とは、窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガス雰囲気であることを指す。この中でも特に経済性及び取扱いの容易さの面からは窒素雰囲気が好ましい。また、減圧条件下とは、反応を行う系内の圧力が大気圧よりも低いことを指し、上限として50kPa以下が好ましく、20kPa以下がより好ましく、10kPa以下が更に好ましい。系内の圧力の下限としては、0.1kPa以上が例示できる。減圧条件の圧力が好ましい上限を越える場合は、架橋反応など好ましくない副次的な反応が起こりやすくなる傾向にある。一方、減圧条件の圧力が好ましい下限未満では、反応温度によっては、ポリフェニレンスルフィドプレポリマーに含まれる分子量の低い環式ポリフェニレンスルフィドが揮散しやすくなる傾向にある。
(B)溶融シリカ:
本発明の実施形態のPPS樹脂組成物は、体積平均粒子径が0.1μm以上1.0μm未満の球状である(B)溶融シリカを含有する。本発明で用いる溶融シリカは、体積平均粒子径の上限値が1.0μm以上であると、PPS樹脂組成物の溶融粘度が大きくなり成形加工性が悪化するだけでなく、射出成形で半導体部品を封止する時にボンディングワイヤーに与えるダメージが大きくなる点、絶縁性指標である耐アーク性が低下する点より好ましくない。尚、本発明で述べる耐アーク性とはJISK6911に準拠して測定した成形品表面でのアーク放電による絶縁破壊が起こるまでの時間を意味する。具体的な測定方法としては、成形品の表面に一定の距離を空けて2本の電極を接触させ、両電極間にアーク放電が発生する程度に電圧を掛ける。アーク放電によって発生した熱で成形品の表面が徐々に炭化し、最後に導通して発火した時の時間を測定する。一般的に樹脂材料の絶縁性が向上すると成形品の表面でアーク放電が発生しにくくなり、耐アーク性は向上する傾向にある。
一方で、(B)溶融シリカの体積平均粒子径の下限値が0.1μm未満になると、フィラーによる補強効果が小さくなり、PPS樹脂組成物に十分な寸法安定性や耐熱性を付与することができないために好ましくない。半導体部品を射出成形で封止する場合にボンディングワイヤー変形を抑制し、優れた寸法安定性と耐熱性を付与する観点から、本発明に用いる(B)溶融シリカの体積平均粒子径は0.1μm以上1.0μm未満の範囲にする必要があり、上限は0.8μmが好ましく、さらに好ましくは0.7μm、下限は0.3μmが好ましく、0.5μmがさらに好ましい。
ここで(B)溶融シリカの「体積平均粒子径」とは、一定のシリカ粒子群の1個当たりのシリカ粒子の体積で重みづけされた平均粒子径のことを意味し、具体的には溶融シリカ100mg秤量して、水中に分散させた後、レーザー回折/散乱式粒子径分布測定装置(HORIBA社製LA−30)を用いて求める。本発明に用いる(B)溶融シリカの形状としては、破砕状、繊維状、板状では半導体部品を射出成形で封止する時にボンディングワイヤーや半導体素子に与えるダメージが大きくなるため、球状であることが好ましい。
本発明の実施形態のPPS樹脂組成物において、本発明に用いる(B)溶融シリカの配合量は、(A)と(B)の合計を100重量%として、50〜95重量%の範囲にある必要があり、良流動と高強度を両立するためには、上限は85重量%が好ましく、さらに好ましくは80重量%、下限は60重量%が好ましく、65重量%がさらに好ましい。ここで、同様に(A)PPS樹脂の配合量は、5〜50重量%の範囲であり、上限は40重量%が好ましく、さらに好ましくは35重量%、(A)PPS樹脂の配合量の下限は15重量%が好ましく、20重量%がさらに好ましい。
(B)溶融シリカの配合量が50重量%未満であると、寸法安定性を向上させる効果が十分ではなく、射出成形で封止された半導体パッケージが熱膨張で反りやすくなるため、クラック等の製品不良に繋がりやすくなる。一方、(B)溶融シリカの配合量が95重量%を越えると樹脂租税物の溶融粘度が顕著に大きくなり、半導体部品を射出成形で封止する時に過大な成形圧力がかかるため、ボンディングワイヤーの変形や断線等の製品不良が発生しやすくなってしまう。
本発明の実施形態において使用される(B)溶融シリカは、石英、長石、雲母からなるペグマタイトと呼ばれる鉱物から石英成分を浮遊選鉱によって分離した原料が用いられ、直接法、スート再溶融法、プラズマ法、ゾル・ゲル法、LPD法などによって合成したシリカ粉末を原料として用いてもよい。
(B)溶融シリカの製造方法としては、電気溶融法と火災溶融法に大別できる。電気溶融法として真空または不活性ガス雰囲気中でルツボで溶融する方法、アークプラズマによる溶融方法、石英粉末を溶融してそのまま管引きする連続溶融管引き法などが挙げられる。また、火災溶融法は、酸水素バーナーの中央から石英粉を落下させて溶融させる方法であり、無接触で溶融シリカをつくるコラム式と型枠を用いて大型の溶融シリカをつくるスラブ式などが挙げられる。
本発明に用いる(B)溶融シリカ以外の結晶性シリカ、非結晶性シリカを用いた場合は、シリカ成分以外のNa、Fe++、Clなどのイオン不純物が多く含まれ、半導体部品封止材料に必須である電気絶縁性が大きく損なわれてしまう。
本発明の実施形態において、(B)溶融シリカと(A)PPS樹脂との密着性を向上させる目的で、溶融シリカの表面をシランカップリング剤などで処理してもよい。また、不純物の除去、溶融シリカの硬質化を目的に熱処理加工した溶融シリカを用いてもよい。
(C)繊維状および/または非繊維状フィラー:
本発明のPPS樹脂組成物は、(B)溶融シリカ以外の(C)繊維状および/または非繊維状フィラーを含んでいてもよい。
本発明の実施形態における繊維状フィラーとしては、ガラス繊維、ガラスミルドファイバー、炭素繊維、セラミック繊維、および鉱物繊維などが挙げられる。この中で、鉱物繊維としては、例えば、チタン酸カリウムウィスカ、酸化亜鉛ウィスカ、炭酸カルシウムウィスカ、ワラストナイトウィスカ、アスベスト繊維、及び石こう繊維などが挙げられる。セラミック繊維としては、例えば、アルミナ繊維および炭化珪素繊維などが挙げられる。本発明の実施形態において好ましい繊維状フィラーは、一般に短繊維と称される、配合前の繊維長1〜150μm、繊維直径1〜25μmのものである。このような短繊維フィラーを用いることで、ボンディングワイヤー変形を最小限に抑えられるとともに、フィラーが良分散することにより高強度・高寸法安定性を付与した半導体部品封止用PPS樹脂組成物が得やすくなる傾向にある。
一方、非繊維状フィラーとしては、ワラストナイト、ゼオライト、セリサイト、マイカ、タルク、カオリン、クレー、パイロフィライト、ベントナイト、アスベスト、アルミナシリケート、およびガラス粉などの珪酸塩、アルミナ、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、および酸化鉄などの金属化合物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、およびドロマイトなどの炭酸塩、硫酸カルシウムおよび硫酸バリウムなどの硫酸塩、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、および水酸化アルミニウムなどの水酸化物、ガラスビーズ、セラミックビーズ、窒化ホウ素、炭化珪素、グラファイト、カーボンブラック、フラーレンなどが挙げられる。
これらの(C)繊維状および/または非繊維状フィラーの中でも、ガラスミルドファイバー、ワラストナイト、マイカ、タルク、カオリンが好ましい。流動性を大きく損なわずに低金属不純物、高寸法安定性、高強度が発現できる点より、ワラストナイト、マイカが特に好ましい。(C)繊維状および/または非繊維状フィラーは中空であってもよく、さらにはこれらフィラーを2種類以上併用することも可能である。また、これらフィラーをイソシアネート系化合物、有機シラン系化合物、有機チタネート系化合物、有機ボラン系化合物あるいはエポキシ化合物などのカップリング剤で予備処理して使用することは、より優れた機械的強度を得る意味において好ましい。
上記(C)繊維状および/または非繊維状フィラーの配合量は、前記(B)溶融シリカ100重量部に対して、1〜50重量部、上限は40重量部が好ましく、さらに好ましくは30重量部、下限は5重量部が好ましく、10重量部がさらに好ましい。(C)成分を1重量部以上配合することで、(B)成分との相乗効果で寸法安定性や機械強度がさらに改良されるので好ましく、また50重量部以下の配合量にすることで、本発明のPPS樹脂組成物の流動性、電気絶縁性を損なうことなく、半導体装置部品封止用PPS樹脂組成物として良好な封止性を維持できるので好ましい。
(D)PPS樹脂組成物:
本発明の実施形態のPPS樹脂組成物は(A)PPS樹脂、(B)溶融シリカに含まれる金属不純物が極めて少ないために、配線の腐食現象やイオンマイグレーション現象が起こりにくい。また、本発明のPPS樹脂組成物を射出成形し封止することで耐湿信頼性にも優れた半導体パッケージを得ることが可能である。
本発明のPPS樹脂組成物が優れた耐湿信頼性を得るためには、本発明のPPS樹脂組成物の成形品中から160℃、20時間で熱水抽出(試料20g/イオン交換水100ml)したイオン性不純物であるナトリウム含量が50ppm未満、塩素含量が50ppm未満、ヨウ素含量が50ppm未満である必要がある。好ましくはナトリウム含量が20ppm未満、塩素含量が20ppm未満、ヨウ素含量が20ppm未満であり、より好ましくはナトリウム含量が10ppm未満、塩素含量が10ppm未満、ヨウ素含量が10ppm未満である。
本発明のPPS樹脂組成物において、上記の成形品中のイオン性不純物であるナトリウム含量30ppm、塩素含量20ppm、ヨウ素含量が20ppmを越える場合は耐湿信頼性が大きく損なわれ、半導体装置の動作不良などが頻発してしまうために好ましくない。
なお、ここでいう本発明のPPS樹脂組成物の成形品中におけるイオン性不純物含有量(ナトリウム含量、塩素含量、ヨウ素含量)は以下の方法により測定可能である。
本発明のPPS樹脂組成物を射出成形した成形品を粉砕し、100メッシュパスの篩いにかけて試料20gを調製する。次いで、その試料をイオン交換水100mlに投入し160℃、20時間加熱処理を行い、その抽出液をサンプリングして原子吸光分光光度計(島津製作所製AA−7000)を用いた原子吸光分析法によりナトリウム含量、塩素含量、ヨウ素含量(測定感度:ppmオーダー)を定量分析する。
(D1)その他の添加物:
さらに、本発明の実施形態のPPS樹脂組成物には、本発明の効果を損なわない範囲において、(A)PPS樹脂以外の樹脂を配合しても良い。その具体例としては、ポリアミド樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリサルフォン樹脂、ポリアリルサルフォン樹脂、ポリケトン樹脂、ポリアリレート樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルケトン樹脂、ポリチオエーテルケトン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、四フッ化ポリエチレン樹脂、エチレン・1−ブテン共重合体などのエポキシ基を含有しないオレフィン系重合体、共重合体が挙げられる。
また、改質を目的として、以下のような化合物の添加が可能である。ポリアルキレンオキサイドオリゴマ系化合物、チオエーテル系化合物、エステル系化合物、有機リン系化合物などの可塑剤、有機リン化合物、ポリエーテルエーテルケトンなどの結晶核剤、モンタン酸ワックス類、ステアリン酸リチウム、ステアリン酸アルミ等の金属石鹸、エチレンジアミン・ステアリン酸・セバシン酸重縮合物、シリコーン系化合物などの離型剤、次亜リン酸塩などの着色防止剤、(3,9−ビス[2−(3−(3−t−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)プロピオニルオキシ)−1,1−ジメチルエチル]−2,4,8,10−テトラオキサスピロ[5,5]ウンデカン)などの様なフェノール系酸化防止剤、(ビス(2,4−ジ−クミルフェニル)ペンタエリスリトール−ジ−ホスファイト)などのようなリン系酸化防止剤、その他、水、滑剤、紫外線防止剤、着色剤、発泡剤などの通常の添加剤をPPS樹脂組成物に配合することができる。上記化合物は何れも組成物全体の20重量%を越えると(A)PPS樹脂本来の特性が損なわれるため好ましくなく、10重量%以下、更に好ましくは1重量%以下の添加がよい。
(D2)PPS樹脂組成物の製造方法:
本発明の実施形態のPPS樹脂組成物は、通常、溶融混練によって得られる。溶融混練機は、単軸、2軸の押出機、バンバリーミキサー、ニーダー、及びミキシングロールなど通常公知の溶融混練機に供給してPPS樹脂の融解ピーク温度+5〜100℃の加工温度の温度で混練する方法などを代表例として挙げることができる。この際、原料の混合順序には特に制限はなく、全ての原材料を配合後上記の方法により溶融混練する方法、一部の原材料を配合後上記の方法により溶融混練し更に残りの原材料を配合し溶融混練する方法、あるいは一部の原材料を配合後単軸あるいは2軸の押出機により溶融混練中にサイドフィーダーを用いて残りの原材料を混合する方法など、いずれの方法を用いてもよい。また、少量添加剤成分については、他の成分を上記の方法などで混練しペレット化した後、成形前に添加して成形に供することも勿論可能である。
さらに、本発明の実施形態の組成物は、溶融混練以外の方法により製造してもよい。例えば、配合物を固体状態で錠剤形に圧縮して固め、これを射出成形などの成形に供する方法も採用することができる。
(D3)成形品:
本発明の実施形態のPPS樹脂組成物を成形した成形品は、良流動性、高耐熱性、低ガス性、低イオン性不純物、高絶縁、高寸法安定性の特徴を有することから、半導体部品を射出成形により封止してもボンディングワイヤー変形がなく、金属腐食やイオンマイグレーションが発生しない耐湿信頼性に優れた半導体パッケージを製造することが可能である。さらに、本発明の実施形態のPPS樹脂組成物を射出成形で半導体部品を封止することで、従来の熱硬化性樹脂による封止工程よりも量産性が格段に向上し、且つ封止部の厚みを制御することによる低反り化・軽量化効果も期待できる。
本発明の実施形態のPPS樹脂組成物は流動性、耐熱性、低ガス性、低イオン不純物、高絶縁性、高寸法安定性、機械強度に優れており、射出成形、射出圧縮成形、ブロー成形、および押出成形により、種々の成形品を製造するために用いることができる。本発明の実施形態のPPS樹脂組成物からなる成形品の用途としては、電気・電子部品、家庭用・事務用OA機器部品、光学機器・精密機械関連部品、自動車・車両関連部品、地中送電ケーブル用受け枕部品など、その他各種用途が例示できる。その中でも特に、パワー半導体装置用途が好適であり、家電製品分野(整流回路やレギュレータなど)、自動車分野(エンジン出力や電装部品の電子制御など)、鉄道分野(モーター制御のための超高耐圧パワー素子など)および太陽光・風力発電分野(インバーター関連)など幅広い分野での展開が期待できる。
2.実施例:
以下に、実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例のみに限定されるものではない。以下の実施例において、材料特性については下記の方法により測定した。
2−1.測定方法:
<分子量測定>
ポリフェニレンスルフィド及びポリフェニレンスルフィドプレポリマーの分子量は、サイズ排除クロマトグラフィー(SEC)の一種であるゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により、ポリスチレン換算で算出した。GPCの測定条件を以下に示す。
装置:センシュー科学 SSC−7100
カラム名:センシュー科学 GPC3506
溶離液:1−クロロナフタレン
検出器:示差屈折率検出器
カラム温度:210℃
プレ恒温槽温度:250℃
ポンプ恒温槽温度:50℃
検出器温度:210℃
流量:1.0mL/min
試料注入量:300μL (サンプル濃度:約0.2重量%)
<PPS樹脂の加熱時重量減少率の測定>
ポリフェニレンスルフィドの加熱時における重量減少率は、熱重量分析機を用いて下記条件で行った。なお、試料は2mm以下の細粒物を用いた。
装置:パーキンエルマー社製 TGA7
測定雰囲気:窒素気流下
試料仕込み重量:約10mg
測定条件:
(a)プログラム温度50℃で1分保持。
(b)プログラム温度50℃から400℃まで昇温。この際の昇温速度20℃/分。
重量減少率△Wrは、(b)の昇温の際に、100℃到達時の試料重量(W1)を基準として、330℃到達時の試料重量(W2)から以下の式(3)を用いて算出した。
△Wr=(W1−W2)/W1×100 ・・・(3)。
なお、以下の実施例中においては、100℃時の試料重量を基準とした300℃到達時における重量減少率を△Wr300、100℃時の試料重量を基準とした320℃到達時における重量減少率を△Wr320、100℃時の試料重量を基準とした340℃到達時における重量減少率を△Wr340で表し、参考として示した。
<PPS樹脂中のアルカリ金属含有量の測定>
ポリフェニレンスルフィド樹脂の含有するアルカリ金属含有量の定量は、下記の方法により行った。
(a)試料を石英るつぼに計りとり、電気炉を用いて灰化した。
(b)灰化物を濃硝酸で溶解した後、希硝酸で一定の容積に希釈した。
(c)得られた溶液中のアルカリ金属含有量を、ICP重量分析法(装置;Agilent製4500)及びICP発光分光分析法(装置;PerkinElmer製Optima4300DV)により測定した。
<PPS樹脂を加熱した時に発生するガス成分の分析>
ポリフェニレンスルフィド樹脂を加熱した際に発生する成分の定量は、以下の方法により行った。なお、試料は2mm以下の細粒物を用いた。
(a)加熱時発生ガスの捕集
約10mgのポリフェニレンスルフィド樹脂を、窒素気流下(50ml/分)において320℃の条件で60分間加熱し、発生したガス成分を大気捕集用加熱脱離用チューブcarbotrap400に捕集した。
(b)ガス成分の分析
上記チューブに捕集したガス成分を、熱脱着装置TDU(Supelco社製)を用いて、室温から280℃まで5分間で昇温することで熱脱離させた。熱脱離した成分をガスクロマトグラフィーを用いて成分分割したのち、ラクトン型化合物量としてガス中のγ−ブチロラクトン量を測定し、アニリン型化合物量として4−クロロ−N−メチルアニリン量を測定した。
<棒流動長>
住友重機械社製射出成形機プロマット40/20を用い、樹脂温度320℃、金型温度130℃、射出速度設定99%、射出圧力設定45%(実際の射出圧力98MPa)とする条件にて、(長さ)150mm×(幅)12.6mm×(厚み)0.5mm(ゲート位置:成形片の幅側、ゲート形状:フィルムゲート)の成形片を連続的に10回射出成形した。得られた成形片それぞれの、ゲート位置側から長手方向における充填末端長さを測定し、その平均値を棒流動長とした。棒流動長の値が大きいほど、薄肉流動性に優れているといえる。
<引張試験片の射出成形>
住友重機械社製射出成形機SE75−DUZを用い、樹脂温度320℃、金型温度130℃とする条件にて、ASTM1号ダンベル試験片を成形した。
<引張試験>
前記射出成形したASTM1号ダンベル試験片を、支点間距離114mm、引張速度10mm/minの条件でテンシロンUTA2.5T引張試験機を用い、ASTM D638に準拠して引張強度および引張伸度を測定した。これらの値が大きいほど引張特性に優れているといえる。
<曲げ試験片の射出成形>
住友重機械社製射出成形機SE75−DUZを用い、樹脂温度320℃、金型温度130℃とする条件にて、(幅)12.5mm×(長さ)130mm×(厚み)3.2mmの曲げ試験片を成形した。
<曲げ試験>
前記射出成形した曲げ試験片をスパン間距離100mm、クロスヘッドスピード1.0mm/minの条件で、ASTM D790に準拠してテンシロンRTM1T曲げ試験機を用い、曲げ強度および曲げ弾性率を測定した。これらの値が大きいほど曲げ特性に優れているといえる。
<荷重たわみ温度測定>
前記射出成形した曲げ試験片を用いて、ASTM D648に準拠して、0.45MPa荷重下での荷重たわみ温度を測定した。この値が大きいほど耐熱性に優れているといえる。
<衝撃試験片の射出成形>
住友重機械社製射出成形機SE75−DUZを用い、樹脂温度320℃、金型温度130℃とする条件にて、(幅)12.7mm×(長さ)60mm×(厚み)3.2mmのモールドノッチ付きアイゾット衝撃試験片を成形した。
<アイゾット衝撃試験>
前記射出成形したモールドノッチ付きアイゾット衝撃試験片を用いて、ASTM D256に準拠して、ノッチ付きアイゾット衝撃強度を測定した。この値が大きいほど衝撃特性に優れているといえる。
<材料比重>
前記射出成形したモールドノッチ付きアイゾット衝撃試験片を用いて、ミラージュ社製電子比重計ED−120Tを用い、水上置換法により比重を測定した。
<PPS樹脂組成物の加熱減量測定>
配合物を溶融混練し、大気下120℃で8時間乾燥して得られたPPS樹脂組成物ペレットを130℃で3時間予備乾燥したもののうち、約10gをアルミカップに精秤した。これを大気下320℃で2時間加熱処理した際の加熱減量ΔWhを測定した。加熱減量ΔWhは、加熱前の試料重量(W3)を基準として、加熱処理後の試料重量(W4)から以下の式(4)を用いて算出した。
△Wh=(W3−W4)/W3×100 ・・・(4)
上記加熱減量が少ないほどガス発生量が少ないといえる。
<線膨張係数>
住友重機械社製射出成形機SE75DUZを用い、樹脂温度320℃、金型温度150℃とする条件にて、(長さ)70mm×(幅)70mm×(厚み)1.0mm(ゲート形状:フィルムゲート、金型鏡面粗度:0.03s)のプレートを成形した。次いで、このプレート中央部の樹脂流れ方向(MD方向)およびその流れ方向とは直角方向(TD方向)で、幅3mm×長さ15mm×厚み1mmの角柱状に切削加工することによって、測定試験片を作成した。この測定試験片を用いて、セイコーインスツルメント(株)製TMA装置より30℃〜50℃における線膨張係数を測定した。尚、この値が小さいほど寸法安定性に優れているといえる。
<ロックウエル硬度>
住友重機械社製射出成形機SE75DUZを用い、樹脂温度320℃、金型温度150℃とする条件にて、(長さ)80mm×(幅)80mm×(厚み)3.0mm(ゲート形状:フィルムゲート、金型鏡面粗度:0.03s)のプレートを成形した。次いで、このプレートをISO2039−2規格に準拠して、(株)東洋精機製作所製ロックウエル硬度試験機によりRスケール(測定端子:1/2in鋼球、径12.7mm)におけるロックウエル硬度を測定した。尚、この値が小さいほど、材料表面硬度は低下することから、射出成形時の金型摩耗、ボンディングワイヤーへのダメージが低減されるため、成形加工性に優れているといえる。
<耐アーク性(絶縁特性)>
前記射出成形したロックウエル硬度試験片を用いて、JISK6911に準拠して東京精電(株)製耐アーク性試験装置(温度23℃、湿度50%、n=4)より成形品表面でのアーク放電による導通・発火までの時間(秒)を測定した。尚、この時間が長いほど耐アーク性に優れ、絶縁性能に優れた半導体部品を製造するのに適しているといえる。
<金属腐食性>
配合物を溶融混練し、大気下120℃で8時間乾燥して得られたPPS樹脂組成物ペレットを130℃で3時間予備乾燥したもののうち、約20gをアルミカップに精秤した。次いで、アルミカップ内に敷き詰められたペレット上に銅板(幅10mm×長さ20mm×厚み1.0mm)を置き、アルミカップ上面をガラスシャーレで蓋をした後、熱風オーブンにて300℃、30分間加熱処理をした。そして、加熱処理前後の銅板表面の中心線平均粗さRa(JISB0601に準拠)を測定し、下記式にて銅板表面Ra変化率を算出した。産出した銅板表面Ra変化率に基づいて揮発成分による金属腐食性を簡易評価した。尚、この値が小さいほど金属腐食しにくい材料であるといえる。
<金型汚れ性評価>
図1に記載した成形品10のサイズとして最大長さ55mm、幅20mm、厚み2mm、ゲートサイズ(図1中のGはゲートを示す)として幅2mm、厚み1mm(サイドゲート)、ガスベント部最大長さ20mm、幅10mm、深さ5μmのガス評価用金型で、住友重機械社製射出成形機SE75DUZを用いた。シリンダ温度330℃、金型温度150℃、射出速度100mm/sとして、樹脂組成物ごとの充填時間が0.4秒となるよう射出圧力を50〜80MPa内で設定し、さらに保圧25MPa、保圧速度30mm/s、保圧時間3秒として連続成形を行った。連続成形は、ガスベント部およびキャビティ部に金型汚れが目視確認できるまで実施した。金型汚れが目視確認できるまでの連続成形数が多いと、金型汚れ性に優れているといえる。
<抽出水中ナトリウム含有量、塩素含有量およびヨウ素含量>
前記射出成形したASTM1号ダンベル試験片を粉砕して、100メッシュパスの篩いにかけた測定試料20gを準備した。次いで、イオン交換水100ml(ガラスビーカー)に測定試料を投入した後で160℃、20hr加熱処理して水溶液を抽出した。抽出した水溶液を原子吸光分光光度計(島津製作所製AA−7000)を用いて原子吸光分析法により分析することによって、抽出水中のナトリウム含有量、塩素含有量およびヨウ素含量の測定をした。尚、この値が小さいほど半導体パッケージの耐湿信頼性に優れているといえる。
<ワイヤー変形発生率>
住友重機械社製射出成形機プロマット40/20を用い、樹脂温度320℃、金型温度130℃下で、208pinLQFP(外形:28mm×28mm×1.4mm厚み、フレーム材質:42アロイ)用金型を用いて該パッケージを60個成形した。なお、評価用のシリコンチップとして窒化珪素膜を被覆した模擬素子(チップサイズ:12.7mm×12.7mm×0.3mm厚み)を搭載した。ワイヤーはAlワイヤー(ワイヤー径100μm)をインナーリード端子とシリコンチップに120本(1辺に30本)ボンディングした。上記成形で得られた208pinLQFPのパッケージ60個をX線検査装置MF100C(日立建機ファインテック社製)を用いて、成形前の画像と比較して、Alワイヤーが変形している本数からワイヤー変形発生率を算出した。このワイヤー変形発生率が少ないほど半導体封止性に優れているといえる。
2−2.参考例:
以下に、実施例1〜8、比較例1〜9を配合するために用いられる参考例1〜7について説明する。
[参考例1]重量平均分子量が10000以上あって、重量平均分子量を数平均分子量で除した分散度が2.5以下のポリフェニレンスルフィド樹脂(A−1)の重合:
撹拌機および上部に抜き出しバルブを具備したオートクレーブに、水硫化ナトリウムの48重量%水溶液1.648kg(水硫化ナトリウム0.791kg(14.1モル))、水酸化ナトリウムの48重量%水溶液1.225kg(水酸化ナトリウム0.588kg(14.7モル))、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)35L、およびp−ジクロロベンゼン(p−DCB)2.120kg(14.4モル)を仕込んだ。
反応容器を室温・常圧下にて窒素ガス下に密閉した後、400rpmで撹拌しながら、室温から200℃まで25分かけて昇温した。次いで、250℃まで35分かけて昇温し、250℃で2時間反応を行った。次いで、内温を250℃に保ちながら、抜き出しバルブを徐々に開放し、40分かけて溶媒を26.6kg留去した。溶媒留去の完了後、オートクレーブを室温近傍にまで冷却し、内容物を回収した。
回収した内容物を、反応液の温度が100℃になるように窒素下にて加熱撹拌を行なった。100℃で20分間保持した後、平均目開き10μmのステンレス製金網を用いて固液分離を行ない、得られた濾液成分を約3倍量のメタノールに滴下し、析出成分を回収した。析出後に回収された固体成分を約2.5Lの80℃温水でリスラリー化し、30分間80℃で攪拌後、濾過する操作を3回繰り返した。濾過する操作で得られた固形分を減圧下80℃で8時間乾燥を行ない、乾燥固体を得た。得られた乾燥固体における赤外吸収スペクトルの分析および高速液体クロマトグラフィーによる得られた乾燥固体の分析の結果、得られた乾燥固体は、環式ポリフェニレンスルフィドを85重量%含有していることが分かった。
得られた乾燥固体を、留出管および撹拌翼を取り付けたガラス製の試験管に仕込んだ後、試験管内の減圧、窒素置換を3回繰り返した。試験管内を約0.1kPaに保ったまま340℃に温調して120分間加熱した後、室温まで冷却して重合物を得た。赤外分光スペクトルに基づいて、得られた生成物はポリフェニレンスルフィドであることがわかった。また、GPC測定により、得られた生成物は、重量平均分子量は約5万、分散度は2.35であることがわかった。得られた生成物の加熱時における重量減少率の測定を行った結果、△Wrは0.055%であった。また、△Wr300(%)=0.035、△Wr320(%)=0.044、△Wr340(%)=0.060であった。さらに、得られた生成物のアルカリ金属含有量の定量化をした結果、Na含有量は重量比で70ppmであり、これ以外のアルカリ金属は検出されなかった。最後に、得られた生成物について加熱時の発生ガス成分の分析を行った結果、ラクトン型化合物およびアニリン型化合物は検出限界以下であった。上記得られた生成物を、PPS樹脂(A−1)と呼ぶ。
[参考例2]重量平均分子量が10000以上あって、重量平均分子量を数平均分子量で除した分散度が2.5以下のポリフェニレンスルフィド樹脂(A−2)の重合:
p−ジクロロベンゼンの仕込み量を2.278kg(15.5モル)に変えた以外は参考例1と同様に行った。得られた乾燥固体の分析の結果、環式ポリフェニレンスルフィドを72%含有していることがわかり、また、重合物の重量平均分子量は約2万、分散度は1.90であることがわかった。得られた生成物の加熱時における重量減少率の測定を行った結果、△Wrは0.065%であった。また、△Wr300(%)=0.045、△Wr320(%)=0.055、△Wr340(%)=0.070であった。さらに、得られた生成物のアルカリ金属含有量の定量化をした結果、Na含有量は重量比で280ppmであり、これ以外のアルカリ金属は検出されなかった。最後に、得られた生成物について加熱時の発生ガス成分の分析を行った結果、加熱前の生成物の重量に対して、γ−ブチロラクトンが24ppm、4−クロロ−N−メチルアニリンが19ppm検出された。上記得られた生成物を、PPS樹脂(A−2)と呼ぶ。
[参考例3]重量平均分子量が10000以上あって、重量平均分子量を数平均分子量で除した分散度が2.5以上のポリフェニレンスルフィド樹脂(A’−1)の重合:
撹拌機および底栓弁付きの70リットルオートクレーブに、47.5%水硫化ナトリウム8.27kg(70.00モル)、96%水酸化ナトリウム2.94kg(70.63モル)、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)11.45kg(115.50モル)、酢酸ナトリウム1.89kg(23.1モル)、及びイオン交換水5.50kgを仕込み、常圧で窒素を通じながら245℃まで約3時間かけて徐々に加熱した。加熱によって水9.77kgおよびNMP0.28kgを留出した後、反応容器を200℃に冷却した。アルカリ金属硫化物の仕込み量1モル当たりの系内残存水分量は、NMPの加水分解に消費された水分を含めて1.06モルであった。また、硫化水素の飛散量は、アルカリ金属硫化物の仕込み量1モル当たり0.02モルであった。
反応容器を200℃まで冷却した後、p−ジクロロベンゼン10.42kg(70.86モル)、NMP9.37kg(94.50モル)を加え、反応容器を窒素ガス下に密封し、240rpmで撹拌しながら0.6℃/分の速度で200℃から270℃まで昇温した。昇温したのち、270℃で140分反応した。その後、270℃から250℃まで15分かけて冷却しながら水2.40kg(133モル)を圧入した。ついで250℃から220℃まで75分かけて徐々に冷却した後、室温近傍まで急冷し、内容物を取り出した。
内容物を約35リットルのNMPで希釈しスラリーとして85℃で30分撹拌後、80メッシュ金網(目開き0.175mm)で濾別して固形物を得た。得られた固形物を同様にNMP約35リットルで洗浄濾別した。得られた固形物を70リットルのイオン交換水に加え、70℃で30分撹拌後、80メッシュ金網で濾過して固形物を回収する操作を合計3回繰り返した。得られた固形物および酢酸32gを70リットルのイオン交換水に加え、70℃で30分撹拌後、80メッシュ金網で濾過した。得られた固形物を、更に70リットルのイオン交換水に加え、70℃で30分撹拌後、80メッシュ金網で濾過して固形物を回収した。このようにして得られた固形物を窒素気流下、120℃で乾燥することにより、乾燥PPS樹脂(PPS樹脂(A’−1))を得た。
得られた乾燥PPS樹脂は1−クロロナフタレンに210℃で全溶であり、得られた乾燥PPS樹脂についてGPC測定を行った結果、重量平均分子量は48600であり、分散度は2.66であった。得られた乾燥PPSの加熱時重量減少率の測定を行った結果、△Wrは0.23%であった。また、△Wr300(%)=0.18、△Wr320(%)=0.21、△Wr340(%)=0.25であった。さらに、得られた乾燥PPSのアルカリ金属含有量の定量化をした結果、Na含有量は重量比で120ppmであり、これ以外のアルカリ金属は検出されなかった。最後に、得られた乾燥PPSについて加熱時の発生ガス成分の分析を行った結果、加熱前の生成物の重量に対して、γ−ブチロラクトンが1190ppm、4−クロロ−N−メチルアニリンが240ppm検出された。
[参考例4]重量平均分子量が10000以上あって、重量平均分子量を数平均分子量で除した分散度が2.5以上のポリフェニレンスルフィド樹脂(A’−2)の重合:
撹拌機および底栓弁付きの70リットルオートクレーブに、47.5%水硫化ナトリウム8.27kg(70.00モル)、96%水酸化ナトリウム2.91kg(69.80モル)、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)11.45kg(115.50モル)、及びイオン交換水10.5kgを仕込み、常圧で窒素を通じながら245℃まで約3時間かけて徐々に加熱した。加熱によって水14.78kgおよびNMP0.28kgを留出した後、反応容器を200℃に冷却した。アルカリ金属硫化物の仕込み量1モル当たりの系内残存水分量は、NMPの加水分解に消費された水分を含めて1.06モルであった。また、硫化水素の飛散量は、アルカリ金属硫化物の仕込み量1モル当たり0.02モルであった。
反応容器を200℃まで冷却した後、p−ジクロロベンゼン10.48kg(71.27モル)、NMP9.37kg(94.50モル)を加え、反応容器を窒素ガス下に密封し、240rpmで撹拌しながら0.6℃/分の速度で200℃から270℃まで昇温した。270℃で100分反応した後、オートクレーブの底栓弁を開放し、窒素で加圧しながら内容物を攪拌機付き容器に15分かけてフラッシュし、250℃でしばらく撹拌して大半のNMPを除去した。
得られた固形物およびイオン交換水76リットルを撹拌機付きオートクレーブに入れ、70℃で30分洗浄した後、ガラスフィルターで吸引濾過した。次いで70℃に加熱した76リットルのイオン交換水をガラスフィルターに注ぎ込み、吸引濾過してケークを得た。得られたケークおよびイオン交換水90リットルを撹拌機付きオートクレーブに仕込み、pHが7になるよう酢酸を添加した。オートクレーブ内部を窒素で置換した後、192℃まで昇温し、30分保持した。その後オートクレーブを冷却して内容物を取り出した。内容物をガラスフィルターで吸引濾過した後、これに70℃のイオン交換水76リットルを注ぎ込み吸引濾過してケークを得た。得られたケークを窒素気流下、120℃で乾燥することにより、乾燥PPS樹脂(PPS樹脂(A’−2))を得た。
得られた乾燥PPS樹脂は1−クロロナフタレンに210℃で全溶であり、得られた乾燥PPS樹脂についてGPC測定を行った結果、重量平均分子量は20000であり、分散度は3.10であった。得られた生成物の加熱時重量減少率の測定を行った結果△Wrは0.53%であった。さらに、得られた生成物のアルカリ金属含有量の定量化をした結果、Na含有量は重量比で980ppmであり、これ以外のアルカリ金属は検出されなかった。また、△Wr300(%)=0.48,△Wr320(%)=0.50,△Wr340(%)=0.55であった。
[参考例5]体積平均粒子径が0.1μm〜1.0μm未満の球状である(B)溶融シリカ:
(B−1)溶融シリカ(電気化学工業(株)製SFP−30M、体積平均粒子径0.7μm、球状)
(B−2)溶融シリカ(電気化学工業(株)製SFP−20M、体積平均粒子径0.3μm、球状)
[参考例6]体積平均粒子径が1.0μmを越える球状である(B’)溶融シリカ:
(B’−1)溶融シリカ(電気化学工業(株)製FB−20D、体積平均粒子径23μm、球状)
(B’−1)における体積平均粒子径は、レーザー回折/散乱式粒子径分布測定装置HORIBA社製LA−300により求めた。
[参考例7](B)溶融シリカ以外の(C)繊維状および/または非繊維状フィラー:
(C−1)ワラストナイト(巴工業(株)製NYAD1250、平均繊維径3μm、平均繊維長9μm、アスペクト比3、繊維状)
(C−1)における平均繊維径および平均繊維長は、走査型電子顕微鏡(SEM)(日本電子(株)社製JSM−6360LV)を用いて2000倍の倍率で観察し、画像から無作為に10個の繊維状フィラーを選び、繊維長、繊維径を測定することで、その数平均値として算出した値である。また、アスペクト比は平均繊維長(μm)/平均繊維径(μm)として算出した。
(C−2)マイカ((株)ヤマグチマイカ製SJ005、体積平均粒子径5μm、アスペクト比100、板状)
(C−3)重質炭酸カルシウム(同和カルファイン(株)製KSS1000、体積平均粒子径4.2μm、粒状)
(C−4)低ソーダ微粒子アルミナ(日本軽金属(株)製LS−200、体積平均粒子径2.7μm、粒状)
(C−5)ガラスビーズ(ボッターズ・バロティーニ(株)製EGB731、体積平均粒子径20μm、球状)
(C−2)から(C−5)における体積平均粒子径は、レーザー回折/散乱式粒子径分布測定装置HORIBA社製LA−300により求めた。厚みは、走査型電子顕微鏡(SEM)(日本電子(株)社製JSM−6360LV)を用いて2000倍の倍率で観察した。画像から無作為に10個のフィラー粒子を選び、厚みを測定し、その数平均値を求めてから、体積平均粒子径(μm)/数平均厚み(μm)としてアスペクト比を算出した。
2−3.実施例1〜8、比較例1〜9の製造方法および評価:
表1および表2に示す(A)成分、(B)成分を表1および表2に示す割合でドライブレンドした。ドライブレンドした(A)成分、(B)成分を真空ベントを具備した日本製鋼所社製TEX30α型二軸押出機(L/D=45.5、ニーディング部は5箇所)の根元(ダイヘッドからL/D=45.5の箇所)から供給し、スクリュー回転数300rpm、ダイス吐出部の樹脂温度が330℃以下になるようにシリンダ温度を設定する押出条件で溶融混練しペレタイズした。(C)成分は表1および表2に示した割合になるように、ダイヘッドからL/D=15の箇所からサイドフィーダーを用いて途中から供給した。得られたペレットを130℃一晩乾燥した後で射出成形に供し、材料比重、加熱減量、ロックウエル硬度、棒流動長、引張特性、曲げ特性、衝撃特性、荷重たわみ温度、線膨張係数、金属腐食性、耐アーク性、イオン性不純物含有量、金型汚れ性、ワイヤー変形発生率を評価した。結果は表1および表2に示す通りであった。
Figure 0006137406


Figure 0006137406

上記実施例1〜8と比較例1〜9の結果を比較して説明する。
(A−2)PPS樹脂に溶融シリカ(B−1)を配合してなる実施例1は、溶融シリカ(B−1)を溶融シリカ(B‘−1)に変更した以外は実施例1と同じ比較例1に対して、耐アーク性が改善し、ワイヤー変形発生率も顕著に低減していることから半導体封止性に優れていることがわかる。また、溶融シリカ(B−1)を溶融シリカ(B−2)成分に変更した以外は実施例1と同じ実施例8は、(B)溶融シリカの体積平均粒子径を小さくすることで寸法安定性がさらに向上し、ワイヤー変形発生率も低減する結果であった。さらに実施例1に対して、(A−2)PPS樹脂に(A−1)PPS樹脂を併用した実施例2は2種類のPPS樹脂を組み合わせることで、引張特性、曲げ特性、衝撃特性をさらに改善できる結果となった。
実施例3〜7のように、実施例1の(A−2)PPS樹脂、溶融シリカ(B−1)成分以外に(B)成分以外の(C)繊維状フィラーや非繊維状フィラーを配合することで、実施例1の優れた耐アーク性、半導体封止性に高強度、高寸法安定性を付与することが可能であり、より実用性に優れていることがわかる。
一方で、(A−2)PPS樹脂を(A‘−2)PPS樹脂に変更した以外は実施例1と同じである比較例2は、イオン性不純物、ガス発生量が多いことから金属腐食しやすく金型汚れ性に劣り、耐湿信頼性も大幅に損なわれる結果であった。また、実施例1、2の(A−2)PPS樹脂、(A−1)PPS樹脂、溶融シリカ(B−1)を、(A‘−2)PPS樹脂、(A’−1)PPS樹脂、溶融シリカ(B’−1)に変更した比較例3、4は、耐アーク性、半導体封止性に劣ると共に、金型汚れ性、耐湿信頼性が顕著に悪化し、実用性に乏しい結果になった。実施例1の(B−1)溶融シリカに代えて(C−3)、(C−4)、(C−5)成分を配合した比較例5〜7は、耐アーク性、半導体封止性を同時に大幅改善することはできず、実使用上満足できるレベルではなかった。
G ゲート
10 成形品

Claims (7)

  1. (A)と(B)の合計を100重量%として、(A)重量平均分子量が10000以上あって、重量平均分子量を数平均分子量で除した分散度が2.5以下のポリフェニレンスルフィド樹脂5〜50重量%と(B)体積平均粒子径が0.1μm以上0.8μm以下の球状である溶融シリカ95〜50重量%を含むポリフェニレンスルフィド樹脂組成物。
  2. ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物からなる成形品を160℃、20時間熱水抽出(試料20g/イオン交換水100ml)した際の抽出水に含まれるナトリウム含量が50ppm未満、塩素含量が50ppm未満、かつヨウ素含量が50ppm未満であることを特徴とする請求項1記載のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物。
  3. 前記(B)成分100重量部に対して、(B)溶融シリカ以外の(C)繊維状および/または非繊維状フィラーを1〜50重量部含むことを特徴とする請求項1〜2のいずれか1項に記載のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物。
  4. 前記(A)成分が、下記一般式(I)で表される環式ポリフェニレンスルフィド
    Figure 0006137406
    (ここで、mは4〜20の整数であり、前記(A)成分は異なるmを有する複数種類の環式ポリフェニレンスルフィドの混合物でもよい。)を少なくとも50重量%以上含み、且つ重量平均分子量が10000未満のポリフェニレンスルフィドプレポリマーを加熱して重量平均分子量10000以上の高重合度体に転化させることにより得られたポリフェニレンスルフィド樹脂である請求項1〜3のいずれか1項に記載のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物。
  5. 請求項1〜4のいずれか1項に記載のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物からなる成形品。
  6. 成形品が半導体パッケージである請求項5記載の成形品。
  7. 半導体部品を、請求項1〜4のいずれか1項に記載のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物を射出成形することで封止することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
JP2016514767A 2015-02-25 2016-02-24 ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物、それからなる成形品および半導体パッケージの製造方法 Expired - Fee Related JP6137406B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015035209 2015-02-25
JP2015035209 2015-02-25
JP2015169013 2015-08-28
JP2015169013 2015-08-28
PCT/JP2016/000985 WO2016136253A1 (ja) 2015-02-25 2016-02-24 ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物、それからなる成形品および半導体パッケージの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2016136253A1 JPWO2016136253A1 (ja) 2017-04-27
JP6137406B2 true JP6137406B2 (ja) 2017-05-31

Family

ID=56788375

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016514767A Expired - Fee Related JP6137406B2 (ja) 2015-02-25 2016-02-24 ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物、それからなる成形品および半導体パッケージの製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20180025957A1 (ja)
EP (1) EP3263646A4 (ja)
JP (1) JP6137406B2 (ja)
KR (1) KR20170122193A (ja)
CN (1) CN107250278A (ja)
WO (1) WO2016136253A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6797350B2 (ja) * 2016-09-26 2020-12-09 Dic株式会社 ポリアリーレンスルフィド樹脂組成物、成形品及び製造方法
KR102625849B1 (ko) * 2017-12-28 2024-01-16 에이치디씨폴리올 주식회사 기계적 특성 및 부식 특성이 우수한 폴리아릴렌 설파이드 수지 조성물
JP6733826B2 (ja) * 2018-07-31 2020-08-05 東レ株式会社 ポリアリーレンスルフィドの製造方法
JP7236326B2 (ja) * 2019-05-30 2023-03-09 東洋紡株式会社 電子部品の封止体、及び電子部品の封止体の製造方法
CN111253746A (zh) * 2020-01-20 2020-06-09 全球能源互联网研究院有限公司 一种电气绝缘热塑性树脂组合物及其制备方法和应用
CN111965282B (zh) * 2020-08-18 2023-08-29 中国地质科学院矿产资源研究所 一种超微量硫同位素分析系统及分析方法
CN114058182A (zh) * 2021-11-04 2022-02-18 呼和浩特众环工贸股份有限公司 一种机床卡盘后盖材料及制作方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4209025B2 (ja) * 1999-01-14 2009-01-14 出光興産株式会社 ポリアリーレンスルフィド樹脂組成物
US6469091B2 (en) * 1999-01-14 2002-10-22 Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. Polyarylene sulfide resin composition
KR20030096309A (ko) * 2001-04-13 2003-12-24 이데미쓰세끼유가가꾸가부시끼가이샤 광통신 부품용 폴리아릴렌 설파이드 수지 조성물
JP2007154071A (ja) * 2005-12-06 2007-06-21 Sumitomo Electric Ind Ltd めっき用樹脂成形品とそれを用いた射出成形回路部品
JP2008231140A (ja) * 2007-03-16 2008-10-02 Toray Ind Inc 電子部品封止用ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物、電子部品封止用錠剤の製造方法および成形品
JP5098384B2 (ja) * 2007-03-16 2012-12-12 東レ株式会社 フィラー高充填樹脂組成物、錠剤の製造方法およびそれからなる成形品

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170122193A (ko) 2017-11-03
CN107250278A (zh) 2017-10-13
WO2016136253A1 (ja) 2016-09-01
EP3263646A4 (en) 2018-10-24
EP3263646A1 (en) 2018-01-03
JPWO2016136253A1 (ja) 2017-04-27
US20180025957A1 (en) 2018-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6137406B2 (ja) ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物、それからなる成形品および半導体パッケージの製造方法
JP5582244B2 (ja) ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物、該樹脂組成物の成形品、および該樹脂組成物の製造方法
JP6171933B2 (ja) ポリアリーレンスルフィド樹脂組成物、該樹脂組成物の製造方法、および該樹脂組成物の成形品
JP6885096B2 (ja) ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物および成形品
JP5879932B2 (ja) ポリアリーレンスルフィド系組成物
JP5114879B2 (ja) ポリアリーレンスルフィド組成物
JP2018035354A (ja) ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物、それからなる成形品。
JP7238429B2 (ja) ポリフェニレンサルファイド樹脂組成物および成形品
JP5601171B2 (ja) ポリアリーレンスルフィド組成物
JP6056504B2 (ja) 高強度ポリアリーレンスルフィド系組成物
JP5321440B2 (ja) ポリアリーレンスルフィド組成物
JP5601184B2 (ja) ポリアリーレンスルフィド系組成物
JP2008231141A (ja) ポリアリーレンスルフィド樹脂組成物
JP2015178590A (ja) ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物、それからなる成形品
JP2022122551A (ja) ポリアリーレンスルフィド組成物
JP6699154B2 (ja) ポリアリーレンスルフィド系組成物
WO2023008192A1 (ja) ポリアリーレンスルフィド組成物
JP2023034488A (ja) ポリアリーレンスルフィド樹脂組成物
JP2022165481A (ja) ポリアリーレンスルフィド樹脂組成物及びその製造方法
JP2021031613A (ja) ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物および成形品
JP2013104014A (ja) ポリアリーレンスルフィド系組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20161107

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20161107

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20170110

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170117

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170310

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170404

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170417

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6137406

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees