JP6122880B2 - 圧力センサ及び対応するセンサの製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、力学量又は物理量を測定又は検出するための微小機械構造体に関し、特に、このような微細構造体を備える圧力センサに関する。
既知の通り、圧力センサは微小機械構造体である「微小電気機械システム(MEMS:Micro Electro Mechanical Systems)」を含む。MEMSは、例えば真空といった一般的な基準圧力を有する空洞によって、部分的に分離された支持体の上に組み立てられた可変薄膜(deformable membrane)を有する。
薄膜によって支持された歪みゲージは、外部のエネルギー供給(例えば、薄膜に加えられた圧力P)により起こった変形で生じた歪みを測定することができる。この測定は、変形に関連する構造体の物理的及び/又は電気的特性の変化(例えば、電気抵抗又は内部歪みの変化)を観測することによって行われる。
この種の圧力センサは、厳しい環境下での使用を目的とし、外部から保護する必要がある。
このようにするため、微小機械構造体は保護ケーシング内に配置される。つまり微小機械構造体はカプセル化される(より一般的に、これは微小機械構造体の保護の観点から、微小機械構造体のカプセル化である)。いったんケーシング内に微小機械構造体が配置されると、測定圧力は、油によって一般的に構成された伝送インターフェースを用いて、ケーシングから歪みゲージへと送られる。このようなケーシングは、英語では「パッケージング」として知られている。
しかし、このようなパッケージングには欠点がある。
油の存在は、約200度の温度におけるセンサの使用を制限する。
また、センサは、微小機械構造体との相互作用を有する中間要素(油及び接着剤)の存在によって精度が制限され、特に、長期的な精度及び安定性に影響を及ぼす。
ここ数年の間、これらの欠点を正すため、微小機械構造体の製造時に、「ウェハレベルパッケージング(Wafer Level Packaging)」という、微小機械構造体のカプセル化が行われ得る。
しかし、既存の方法では以下のような欠点がある。
電気接点を規定するために用いられる材料の選択は制限され、構造体の組み立て中に歪みを引き起こす。
ガラスペーストが接続のためにしばしば使用されるが、温度の影響により経時的に発達する、かなりの接触抵抗を生じさせてしまう。
電線が用いられるが、これは構造体の脆化を招く。
本発明は、このような背景において、圧力センサの製造方法を提案する。
第1の態様に従い、本発明は、まさにその設計のため、単一相において微小機械構造体の高感度素子の製造及び保護を組み合わせるセンサの製造方法を提案する。
この目的のため、本発明は以下の工程を含む圧力センサの製造方法を提案する。
歪みゲージが配置された可変薄膜と共に支持体を組み立てる工程であり、可変薄膜はその中心に薄化領域を有し、支持体は可変薄膜上に配置され、支持体は上面を有し、下面は可変薄膜と接触し、支持体は歪みゲージ上方に配置された外側凹部(lateral recess)と薄膜の薄化領域上方に配置された中央凹部を更に含み、微小機械構造体を形成する。いったん組み立てが完了すると、方法は下記の工程を含む。
単一ステップにおいて、少なくとも1つの導電性物質を支持体の上面上及び支持体の外側凹部内に堆積する工程において、導電性物質は凹部に延在し、歪みゲージと接触して歪みゲージに接続する電気接点を形成する。
本発明は、単一の、あるいは技術的に可能な組み合わせによる、以下の特性によって有利に完成する。
いったん組み立て工程が完了し、少なくとも1つの導電性物質の単一の堆積工程前に、本発明は、少なくとも1つの拡散隔膜を堆積する工程を含み、各外側凹部において、拡散隔膜は対応する歪みゲージと接触する。
本発明は、3D熱ラミネート技術又は強位相(strong topology)の表面の粉砕によるコーティングに関連するフォトリソグラフィによって行われるいくつかの電気接点を形成する工程を含む。
導電性物質は、ウルトラドープされた(ultradoped)多結晶シリコン、金(Au)、銀(Ag)、ニッケル(Ni)、白金(Pt)、チタン−タングステン(TiW)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、錫(TiN)から成る群から選択される。
薄膜はシリコンから形成される。支持体はガラスから形成され、組み立て工程は陽極封止を含む。あるいは、支持体はシリコンから形成され、組み立て工程は中間層と共に、又は中間層を用いず、分子結合又は原子結合による封止、あるいは鑞付けによる封止を含む。
本発明は、導電性物質から形成された電気接点を有するケーシングに支持体を一体化する、一体化工程を含む。支持体は支持体上に形成されたコネクタによってケーシングに一体化される。
支持体をケーシングに一体化する、一体化工程は熱圧着法で行われる。
熱圧着法は250℃から500℃、一般的には320℃の温度と、10MPaから200MPa、一般的には50MPaの圧力によって行われる。
ケーシングの電気接点は、ウルトラドープされた多結晶シリコン、Au、Ag、Ni、Pt、TiW、Cu、Pd、Al、Ti、TiNから成る群から選択された物質から形成される。
支持体をケーシングに一体化する一体化工程は、フリップチップ(flip chip)の技術によって行われる。
薄膜は、例えばSOI又はPSOIといった単結晶シリコン、SOSといったサファイア、あるいはSiCOI又はSiCといった他の材料を含む基板から形成される。
本発明は、本発明に従った方法により作られた圧力センサにも関する。
第2の態様に従って、本発明は本発明の第1の態様に従った方法によって作られた圧力センサを提案する。
本発明は多くの利点を有する。
可変薄膜と支持体を組み立てる工程は、少なくとも1つの導電性物質を堆積し、続く電気接点を作り出す工程の前に完了するので、物質の選択は従来技術における物質選択よりも優れる。
本発明は追加的な要素の使用を防ぎ、歪みゲージのレベルにおける接続を作り出す。導電性物質の堆積は単一の工程で行われ、電気接点の形成につながる。
また、一方で電気接点を向上させ、他方で接続するケーシングに支持体を簡単に一体化するための組み立て工程の後、本発明の方法では、いくつかの連続的な導電性物質を堆積する。
方法では、支持体と可変薄膜との間の組み立て工程の後、歪みゲージ内で電気接点として機能する物質の拡散を防ぐ拡散隔膜も堆積する。
また、本発明の方法で、2つの構成要素の表面品質が、この場合、組み立て工程の下流で行われるエッチング工程によって変化しないため、可変薄膜と支持体を組み立てる工程の質が高まる。
また、封止温度は導電性物質の選択によって制限されない。
他の利点において、直接的な金属接触による電気接続は、その測定に関するごくわずかな接触抵抗を表し、温度変化に影響されない。
また、単一の工程において、「フリップチップ」として知られる技術による一体化では、製造方法における制限及び/又は熱圧着による一体化に起因した物質間の機械的歪みを作り出す恐れがある他の物質は必要ない。
本発明の他の特性、目的及び利点は、純粋に説明的かつ非制限的であり、添付の図面と関連して考慮されるべき以下の記載から生じる。各図に関する説明は、以下の通りである。
本発明の一実施形態に従った、可変薄膜と支持体の組み立てを示す図である。 本発明の一実施形態に従った、可変薄膜と支持体の組み立てを示す図である。 本発明の一実施形態に従った、可変薄膜と支持体の組み立てを示す図である。 本発明の第2の実施形態に従った、拡散隔膜の堆積を示す図である。 本発明の第1の実施形態における方法に従った、1つ以上の導電性物質の堆積を示す図である。 本発明の第1の実施形態における方法に従った、1つ以上の導電性物質の堆積を示す図である。 本発明の第2の実施形態における方法に従った、1つ以上の導電性物質の堆積を示す図である。 本発明の第2の実施形態における方法に従った、1つ以上の導電性物質の堆積を示す図である。 本発明の第1及び第2の実施形態における方法にそれぞれ従った、パッケージングを示す図である。 本発明の第1及び第2の実施形態における方法にそれぞれ従った、パッケージングを示す図である。 本発明の一実施形態における方法の工程を示す図である。 全ての図において、同様の要素には同一の参照番号を使用する。
圧力センサは、特に支持体10、可変薄膜20、歪みゲージ30及び支持体10と可変薄膜20との間の組み立て支持体40を含む。
圧力の測定は、絶対圧又は差圧でよい。
可変薄膜20及び歪みゲージ30によって形成された微小機械構造体は、従って支持体10によって保護される。
微小機械構造体は電気接点61を備える支持体10によってケーシング80に電気的に接続され、ケーシング80は内部に配置された電気接点81を更に備える。
可変薄膜20は上面201及び下面202、圧力に敏感なダイアフラム/又はフリースペース上方に懸下した(suspended)薄い部分20b、そして薄い部分20bの支持体を形成する厚い部分20aを有利に備える。
このような可変薄膜20は、例えばSOI又はPSOIといった単結晶シリコン、SOSといったサファイア、あるいはSiCOI又はSiCといった他の物質を含む基板から一般的に形成される。
(可変薄膜20の薄い部分20bのレベルにおける)フリースペースは、微細加工によって有利に形成される。
このようなフリースペースを形成するために採用された微細加工技術は、例えば決められた温度でのKOHエッチングといった化学エッチング及び/又は平坦な基板表面における深掘り反応性イオンエッチング(DRIE:Deep Reactive Ion Etch)でよい。
このような可変薄膜20の厚さは、数十マイクロンであり、厚い部分20aでは100μmから1000μm、一般には500μmで、薄い部分20bでは10μmから200μmである。
可変薄膜20はその上部に歪みゲージ30を備える。歪みゲージ30は可変薄膜20の上面201に位置する単結晶シリコンから作られた微細構造体を備える(図1a参照)。一般に、これらの微細構造体は、フォトリソグラフィや、化学エッチング又はプラズマエッチングによってエッチングされた、シリコンの初期層から通常、形成される。
歪みゲージ30は可変薄膜20の最大の機械的な歪み領域に配置されることが好ましい。
可変薄膜20はその上面201上に、可変薄膜20の厚い部分20aの端部に堆積された組み立て支持体40も備える。
可変薄膜20の上面201に、SiOの層といった電気絶縁層(図示しない)を設けることも可能である。その場合、歪みゲージ30及び組み立て支持体40は、電気絶縁層上に堆積される。
支持体10は可変薄膜20の外形断面と同一の外形断面を有する。本明細書の以下に説明する方法において、支持体10は上面101及び下面102を含む。下面102は可変薄膜20の上面201と接触するように設計される。
可変薄膜20及び支持体10が組み立てられるとき、支持体10は、歪みゲージ30と対向して形成された外側凹部11と、可変薄膜20の薄い部分20bと対向して形成された中央凹部50とを備える。支持体10は少なくとも4つの外側凹部11を備えることが好ましい。外側凹部11は円形の断面を有利に有する。
外側凹部11及び中央凹部50は、例えば決められた温度でKOHエッチングといった微細加工技術によって、かつ/あるいは平坦な基板表面における深掘り反応性イオンエッチング(DRIE)によって、基板から形成される。
支持体10はガラス、シリコンクォーツ、Pyrex(登録商標)、サファイア、アルミナ、Si、SiCに基づく物質でよい。
支持体10は、例えば50μmから1000μmの厚さを有する。
圧力センサの製造方法において、支持体10を歪みゲージ30及び組み立て支持体40があらかじめ堆積された可変薄膜20上に組み立てられる(工程E1)。
組み立て工程E1は、陽極封止によって、あるいは中間層と共に、又は中間層を用いずに分子結合又は原子結合によって、あるいは鑞付けによって行われる。
もちろん、可変薄膜20と支持体10を組み立てることの他の可能性も実行可能であり、専門家に知られている可能性については、ここでは説明しない。
組み立て工程E1の後、少なくとも1つの導電性物質60が支持体10の外側凹部11内及び支持体10の上面101上に堆積される(工程E2)。そのため、導電性物質60は外側凹部11に延在し、歪みゲージ30と接触し、続いて歪みゲージ30に接続される電気接点61を形成する。
このような堆積工程E2では、支持体10の上面101(可変薄膜20と接触する支持体10の下面102と対向)の上に導電性物質の膜を特に堆積させる工程を含む。
導電性物質60は、ウルトラドープされた多結晶シリコンで金属上に配置された膜、単なる金属堆積の膜、あるいはいくつかの金属層組成による膜でよい。
より一般的に、導電性物質60は、ウルトラドープされた多結晶シリコン、Au、Ag、Ni、Pt、TiW、Cu、Pd、Al、Ti、TiNから成る群から選択される。
少なくとも1つの導電性物質60の堆積は、低圧化学気相成長(LPCVD:Low Pressure Chemical Vapor Deposition)技術によって行われることが好ましいが、蒸着(evaporation)、電着(electrodeposition)又は粉砕によって行うこともできる。
また、温度が低く、圧力が高くても、膜は堆積されるときはいつも多結晶であり、均一な特性を有する。
このような堆積工程E2は、導電性物質60の厚い膜を堆積することが出来るという利点を有する。導電性物質60は、特に、支持体10を微細加工して外側凹部11を形成することによって作り出された、支持体10の深い空洞において、最大数十マイクロメートルの厚みを有する。つまり、導電性物質60は外側凹部11の壁面の全ての空洞を埋める。
このように、導電性物質又は導電性物質60は、支持体10の上面101全体及び外側凹部11内に堆積される(図2を参照)。
次に、製造方法は電気接点61を形成する、工程E3を含む。このような工程E3は3D熱ラミネート技術又は感光性材料の粉砕によるコーティングである「スプレーコーティング」に関連したフォトリソグラフィによって行われる。このような方法で、電気接点61の有益な領域は正確に制限される。
実際、熱ラミネート技術又は感光性材料の粉砕によるコーティングに関連した3Dフォトリソグラフィ技術は、強位相を有する表面において堆積する領域と堆積しない領域とを画定する。この技術は、たとえ傾いた表面又は空洞の底部においても、堆積の均一性を制御する。例として、この技術は約500μmの深さと、約100μmの幅を有する外側凹部11の底部で約十から数十マイクロンの構造体を規定する。
単一の工程において、少なくとも1つの導電性物質60を堆積する工程E2の後、3Dフォトリソグラフィは、支持体10と可変薄膜20との間における組み立て工程E1の後に堆積された材料の機械加工を可能にする。従って、例えば外側凹部11の内部などの、数百μmの高さの変化を表す複雑に構造化された形状を実現することができる(工程E3)。
電気接点の形成を行う、工程E3の完了において、電気接点61は歪みゲージ30に接続され(図2bを参照)、支持体10の上面101から延在する。
代替的に、あるいは相補的に、いったん組み立て工程E1が完了すると、少なくとも1つの導電性物質60を堆積する単一の工程E2の前に、製造方法は、対応する歪みゲージ30と接触する拡散隔膜31を各外側凹部11に堆積する工程E10を含む(図1dを参照)。
拡散隔膜31はTiW、TiN、Pt、Taなどといった金属を含む。より一般的には、拡散隔膜31は歪みゲージ30における他の原子種の拡散を防ぐことを可能にする特性を有する物質を含む。
次に、前述のように、電気接点が形成される(工程E3)。
拡散隔膜31は、電気接点を形成するように機能する物質などの導電性物質から作られる。従って、明らかなように、本実施形態において、各外側凹部11では、電気接点61は拡散隔膜31と接触し、拡散隔膜31自体は対応する歪みゲージ30と接触する。拡散隔膜31は各外側凹部11に形成された電気接点61を共有する。電気接点61が形成された後、可変薄膜20を有する、構造体の支持体10は、電気接点81を有するケーシング80に一体化される(工程E4)。
ケーシング80の電気接点81は、ウルトラドープされた多結晶シリコン、Au、Ag、Ni、Pt、TiW、Cu、Pd、Al、Ti、TiNから成る群から選択された物質によって形成される。
ケーシング80はガラス、セラミック又は金属、あるいはこれら3つ全ての混合物に基づく異なる物質を有し、さまざまな形態を取ることができる。
ケーシング80の電気接点81は、支持体10の電気接点61に対向するように配置される。電気接点61と電気接点81との間の電気的接続は、無線ケーブル技術である「ワイヤボンディング(wire bonding)」(圧力センサに古典的に使用される技術)、あるいは直接的な接触技術によって形成される。
ケーシング80の電気接点81は、ケーシング80の外部に延在し、圧力Pの測定中に生成された電気信号の取得を可能にする。
「フリップチップ」として知られるような別の技術が、構造体の支持体10/可変薄膜20をケーシング80に一体化する(工程E4)ように実行され得る。
熱圧着法は、特に200℃から500℃の温度及び10MPaから250MPaの圧力で行われ、電気接点を一緒に接続することができる。

Claims (9)

  1. 圧力センサの製造方法であって、
    上面、下面、外側凹部及び中央凹部を含む支持体を提供する工程と、
    歪みゲージが上に堆積される可変薄膜であり、その中心に薄化領域を有する可変薄膜を提供する工程と、
    微小機械構造体を得るために前記可変薄膜と前記支持体を組み立てる工程と、
    を含み、
    前記支持体は、前記可変薄膜の上方に配置され、
    前記支持体の前記下面は、前記可変薄膜と接触し、
    前記支持体の前記外側凹部は、前記歪みゲージの直上に配置され、
    前記支持体の前記中央凹部は、前記可変薄膜の前記薄化領域の上方に配置され、
    いったん前記組み立て工程が完了すると、当該方法は、
    少なくとも1つの拡散隔膜を堆積する工程であり、各前記外側凹部において、前記拡散隔膜は対応する歪みゲージと接触する、工程と、
    少なくとも1つの導電性物質を前記支持体の前記上面の上及び前記支持体の前記外側凹部内に堆積する単一の工程と、
    を含み、
    前記導電性物質は前記外側凹部に延在し、前記歪みゲージと接触し、前記歪みゲージに接続する電気接点を形成する、
    方法。
  2. 前記導電性物質は、ウルトラドープされた多結晶シリコン、Au、Ag、Ni、Pt、TiW、Cu、Pd、Al、Ti、TiNから成る群から選択される、請求項1に記載の方法。
  3. 前記可変薄膜はシリコンから形成され、
    前記支持体はガラスから形成され、前記組み立て工程は陽極封止の工程を含むか、あるいは、
    前記支持体はシリコンから形成され、前記組み立て工程は中間層と共に、あるいは中間層を用いず、分子結合又は原子結合によって、あるいは鑞付けによって封止する工程を含む、
    請求項1又は2に記載の方法。
  4. 前記可変薄膜は、例えばSOI又はPSOIといった単結晶シリコン、SOSといったサファイア、あるいはSiCOI又はSiCといった他の物質を含む基板から形成される、請求項1又は2に記載の方法。
  5. 前記支持体を前記導電性物質から形成された電気接点を有するケーシングに一体化する、一体化工程を含み、
    前記支持体は前記支持体の上に形成されたコネクタによって前記ケーシングに一体化されている、請求項1からのいずれか一項に記載の方法。
  6. 前記支持体を前記ケーシングに一体化する、前記一体化工程は、熱圧着法により完了される、請求項に記載の方法。
  7. 前記熱圧着法は、250℃から500℃、一般的には320℃の温度と、10MPaから200MPa、一般的には50MPaの圧力で行われる、請求項に記載の方法。
  8. 前記ケーシングの前記電気接点は、ウルトラドープされた多結晶シリコン、Au、Ag、Ni、Pt、TiW、Cu、Pd、Al、Ti、TiNから成る群から選択された物質で形成される、請求項からのいずれか一項に記載の方法。
  9. 前記支持体を前記ケーシングに一体化する、前記一体化工程は、フリップチップの技術によって行われる、請求項からのいずれか一項に記載の方法。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2982023B1 (fr) * 2011-10-26 2015-03-06 Auxitrol Sa Structure micromecanique a membrane deformable et a protection contre de fortes deformations
CN104956194B (zh) * 2013-05-24 2017-03-08 日立金属株式会社 压力传感器、使用该压力传感器的质量流量计以及质量流量控制器
EP3001166A1 (de) * 2014-09-09 2016-03-30 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische drucksensorvorrichtung und entsprechendes herstellungsverfahren
DE102015217030A1 (de) * 2014-09-09 2016-03-10 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Drucksensorvorrichtung und entsprechendes Herstellungsverfahren
US10163660B2 (en) * 2017-05-08 2018-12-25 Tt Electronics Plc Sensor device with media channel between substrates
JP6950268B2 (ja) * 2017-05-12 2021-10-13 コニカミノルタ株式会社 クリーニング装置、画像形成装置及びプログラム
US11174157B2 (en) * 2018-06-27 2021-11-16 Advanced Semiconductor Engineering Inc. Semiconductor device packages and methods of manufacturing the same
CN112723301A (zh) * 2020-12-21 2021-04-30 苏州长风航空电子有限公司 一种航空用高频响压力传感器芯片及制备方法
US20220236128A1 (en) * 2021-01-27 2022-07-28 Honeywell International Inc. Pressure sensor components having microfluidic channels

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54131892A (en) * 1978-04-05 1979-10-13 Hitachi Ltd Semiconductor pressure converter
US4625561A (en) * 1984-12-06 1986-12-02 Ford Motor Company Silicon capacitive pressure sensor and method of making
US4777826A (en) * 1985-06-20 1988-10-18 Rosemount Inc. Twin film strain gauge system
US6338284B1 (en) * 1999-02-12 2002-01-15 Integrated Sensing Systems (Issys) Inc. Electrical feedthrough structures for micromachined devices and methods of fabricating the same
US6330829B1 (en) * 2000-03-16 2001-12-18 Kulite Semiconductor Products Inc. Oil-filled pressure transducer
US7152478B2 (en) * 2000-07-20 2006-12-26 Entegris, Inc. Sensor usable in ultra pure and highly corrosive environments
US6612175B1 (en) * 2000-07-20 2003-09-02 Nt International, Inc. Sensor usable in ultra pure and highly corrosive environments
CN100578816C (zh) * 2001-08-24 2010-01-06 肖特股份公司 用于形成触点的方法及封装的集成电路组件
JP2004177343A (ja) * 2002-11-28 2004-06-24 Fujikura Ltd 圧力センサ
WO2005124306A1 (en) * 2004-06-15 2005-12-29 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device
JP4893123B2 (ja) * 2006-06-23 2012-03-07 株式会社デンソー 半導体式圧力センサおよびその製造方法
CN101542257B (zh) * 2006-11-29 2012-04-04 株式会社藤仓 压力传感器模块
JP4967907B2 (ja) * 2007-08-01 2012-07-04 ミツミ電機株式会社 半導体圧力センサ及びその製造方法
US7775119B1 (en) * 2009-03-03 2010-08-17 S3C, Inc. Media-compatible electrically isolated pressure sensor for high temperature applications
DE102009045164A1 (de) * 2009-09-30 2011-03-31 Robert Bosch Gmbh Sensoranordnung und Verfahren zu deren Herstellung
JP5218455B2 (ja) * 2010-03-17 2013-06-26 株式会社デンソー 半導体力学量センサおよびその製造方法
US20130130424A1 (en) * 2010-05-03 2013-05-23 S3C, Inc. Process for minimizing chipping when separating mems dies on a wafer
US8490495B2 (en) * 2010-05-05 2013-07-23 Consensic, Inc. Capacitive pressure sensor with vertical electrical feedthroughs and method to make the same
JP5779931B2 (ja) * 2011-03-24 2015-09-16 富士通株式会社 半導体装置の製造方法

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