JP6122253B2 - Capacitive touch panel substrate, manufacturing method and manufacturing apparatus thereof - Google Patents

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Description

本発明は静電容量型タッチパネル基板及びその製造方法並びに製造装置に関し、特に、オンセル型の静電容量型タッチパネル基板及びその製造方法並びに製造装置に関するものである。   The present invention relates to a capacitive touch panel substrate, a manufacturing method thereof, and a manufacturing apparatus, and more particularly to an on-cell capacitive touch panel substrate, a manufacturing method thereof, and a manufacturing apparatus.

タッチパネルは、駅や飲食店の券売機、小売店のキャッシュレジスターあるいは銀行の現金自動預け払い機などの産業分野から、携帯電話機、タブレット端末あるいは家電製品のコントローラーなどの民生分野に至るまで幅広く用いられている。
タッチパネルは、液晶表示装置などの表示装置に対して、表示装置の外部表面に張り合わせる外付け型と、表示装置に内蔵させる内蔵型とに大きく分類される。
Touch panels are used in a wide range of applications, from industrial fields such as ticket machines at stations and restaurants, cash registers at retail stores, and automated teller machines at banks, to consumer areas such as mobile phones, tablet terminals, and controllers for home appliances. ing.
A touch panel is roughly classified into an external type that is attached to an external surface of a display device and a built-in type that is built in the display device with respect to a display device such as a liquid crystal display device.

外付け型は現在広く普及している方式であり、例えば、抵抗膜方式、静電容量方式、光学方式、音響方式、あるいは電磁方式などの種々の方式が知られており、特に静電容量方式は、表面型静電容量式と投影型静電容量方式が開発されている。   The external type is a method that is widely used at present, for example, various methods such as a resistance film method, a capacitance method, an optical method, an acoustic method, and an electromagnetic method are known. The surface type capacitance type and the projection type capacitance method have been developed.

上記の外付け型は、タッチパネルを表示装置の外部表面に張り合わせた構成であるため、装置全体が厚く、また重くなりやすい不利益があった。
これに対して、内蔵型はタッチパネルを表示装置に内蔵させる構成であり、外付け型よりも薄型化及び軽量化を図ることができる。
Since the above external mold has a configuration in which a touch panel is attached to the external surface of the display device, there is a disadvantage that the entire device is thick and tends to be heavy.
On the other hand, the built-in type has a configuration in which the touch panel is built in the display device, and can be thinner and lighter than the external type.

内蔵型タッチパネルは、液晶セルなどの表示セルに対するタッチパネルが配置される位置から、インセル型とオンセル型に大きく分類される。
インセル型のタッチパネルとして、例えば接触方式、静電容量方式及び光学方式などが開発されている。一方、オンセル型のタッチパネルとしては、例えば抵抗膜方式と、表面型静電容量式及び投影型静電容量方式などの静電容量方式などが開発されている。
オンセル型の静電容量方式のタッチパネルは、例えば、表示装置を構成する基板にタッチ位置検出用のITO(酸化インジウムスズ)などからなる透明導電膜がパターン形成された構成である。
表示装置を構成する基板であって、透明導電膜がパターン形成された基板をタッチパネル基板と称する。
The built-in touch panel is roughly classified into an in-cell type and an on-cell type from the position where the touch panel for a display cell such as a liquid crystal cell is disposed.
As an in-cell type touch panel, for example, a contact method, a capacitance method, an optical method, and the like have been developed. On the other hand, as an on-cell type touch panel, for example, a resistive film type and a capacitive type such as a surface type capacitive type and a projected type capacitive type have been developed.
An on-cell capacitive touch panel has, for example, a configuration in which a transparent conductive film made of ITO (indium tin oxide) for detecting a touch position is formed in a pattern on a substrate constituting a display device.
A substrate constituting a display device, on which a transparent conductive film is patterned, is referred to as a touch panel substrate.

特許文献1〜3には、上記のオンセル型のタッチパネルに関する記載がある。   Patent Documents 1 to 3 have a description related to the on-cell type touch panel.

特開2011−165184号公報JP 2011-165184 A 特開2011−222013号公報JP 2011-2222013 A 特開2012−43394号公報JP 2012-43394 A

解決しようとする課題は、オンセル型の静電容量方式のタッチパネルにおいて、表示装置を構成する基板にパターン形成された透明導電膜のパターンが表示画面上に見えてしまい、表示画面の美観を損なうことがあることである。   The problem to be solved is that in an on-cell capacitive touch panel, the transparent conductive film pattern formed on the substrate constituting the display device is visible on the display screen, which impairs the aesthetics of the display screen. Is that there is.

本発明の静電容量型タッチパネル基板は、光学ガラスからなる第1基板と、前記第1基板に形成された前記第1基板より屈折率が低い材料からなる第1屈折率調整膜と、前記第1屈折率調整膜上に形成された透明導電膜とを有する。   The capacitive touch panel substrate of the present invention includes a first substrate made of optical glass, a first refractive index adjustment film made of a material having a lower refractive index than the first substrate formed on the first substrate, 1 having a transparent conductive film formed on the refractive index adjusting film.

上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板は、光学ガラスからなる第1基板に第1基板より屈折率が低い材料からなる第1屈折率調整膜が形成されており、第1屈折率調整膜上に透明導電膜が形成されている。   In the capacitive touch panel substrate of the present invention, the first refractive index adjusting film made of a material having a lower refractive index than the first substrate is formed on the first substrate made of optical glass, and the first refractive index adjusting film is formed. A transparent conductive film is formed thereon.

上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板は、好適には、前記透明導電膜の膜厚が50nm以下である。   In the capacitive touch panel substrate of the present invention, preferably, the transparent conductive film has a thickness of 50 nm or less.

上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板は、好適には、前記第1屈折率調整膜が、反応性プラズマ蒸着により形成された膜である。   In the capacitive touch panel substrate of the present invention, preferably, the first refractive index adjustment film is a film formed by reactive plasma deposition.

上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板は、好適には、前記第1屈折率調整膜が、酸化シリコンまたはフッ化マグネシウムからなる。   In the capacitive touch panel substrate of the present invention, preferably, the first refractive index adjusting film is made of silicon oxide or magnesium fluoride.

上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板は、好適には、前記第1基板と前記第1屈折率調整膜の間に形成された第2屈折率調整膜をさらに有する。   The capacitance-type touch panel substrate of the present invention preferably further includes a second refractive index adjusting film formed between the first substrate and the first refractive index adjusting film.

上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板は、好適には、前記第2屈折率調整膜が前記第1基板より屈折率が高い。   In the capacitive touch panel substrate of the present invention, preferably, the second refractive index adjusting film has a higher refractive index than the first substrate.

上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板は、好適には、前記第1屈折率調整膜が、酸化シリコンまたはフッ化マグネシウムからなり、前記第2屈折率調整膜が、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化チタン、または酸化インジウムスズからなる。   In the capacitive touch panel substrate of the present invention, preferably, the first refractive index adjustment film is made of silicon oxide or magnesium fluoride, and the second refractive index adjustment film is niobium oxide, tantalum oxide, It consists of titanium oxide or indium tin oxide.

また、本発明の静電容量型タッチパネル基板は、光学ガラスからなる第1基板と、前記第1基板に形成された膜厚が50nm以下の透明導電膜とを有する。   The capacitive touch panel substrate of the present invention includes a first substrate made of optical glass and a transparent conductive film having a thickness of 50 nm or less formed on the first substrate.

上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板は、光学ガラスからなる第1基板に膜厚が50nm以下の透明導電膜が形成されている。   In the capacitive touch panel substrate of the present invention, a transparent conductive film having a thickness of 50 nm or less is formed on a first substrate made of optical glass.

上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板は、好適には、前記透明導電膜がパターン加工されている。   In the capacitive touch panel substrate of the present invention, the transparent conductive film is preferably patterned.

上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板は、好適には、パターン加工された前記透明導電膜上に透明接着剤を介して光学ガラスからなる他の基板が張り合わされている。   In the capacitive touch panel substrate of the present invention, another substrate made of optical glass is preferably bonded to the patterned transparent conductive film via a transparent adhesive.

上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板は、好適には、前記透明導電膜として複数の透明導電膜が透明接着剤を介して積層して形成されている。   The above-mentioned capacitive touch panel substrate of the present invention is preferably formed by laminating a plurality of transparent conductive films as the transparent conductive film via a transparent adhesive.

また、本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造方法は、光学ガラスからなる第1基板に前記第1基板より屈折率が低い材料からなる第1屈折率調整膜を形成する工程と、前記第1屈折率調整膜上に透明導電膜を形成する工程とを有する。   The method of manufacturing a capacitive touch panel substrate according to the present invention includes a step of forming a first refractive index adjustment film made of a material having a refractive index lower than that of the first substrate on a first substrate made of optical glass, And 1 forming a transparent conductive film on the refractive index adjusting film.

上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造方法は、光学ガラスからなる第1基板に第1基板より屈折率が低い材料からなる第1屈折率調整膜を形成し、第1屈折率調整膜上に透明導電膜を形成する。   In the manufacturing method of the capacitive touch panel substrate of the present invention, the first refractive index adjustment film is formed on the first substrate made of optical glass, and the first refractive index adjustment film made of a material having a lower refractive index than the first substrate is formed. A transparent conductive film is formed on the film.

上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造方法は、好適には、前記第1屈折率調整膜を形成する工程において、前記透明導電膜の膜厚を50nm以下で形成する。   In the method of manufacturing the capacitive touch panel substrate of the present invention, preferably, in the step of forming the first refractive index adjustment film, the transparent conductive film is formed with a thickness of 50 nm or less.

上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造方法は、好適には、前記第1屈折率調整膜を形成する工程において、反応性プラズマ蒸着により形成する。   The method for manufacturing a capacitive touch panel substrate of the present invention is preferably formed by reactive plasma deposition in the step of forming the first refractive index adjustment film.

上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造方法は、好適には、前記第1屈折率調整膜を形成する工程において、酸化シリコンまたはフッ化マグネシウムから形成する。   The above-described method for manufacturing a capacitive touch panel substrate of the present invention is preferably formed from silicon oxide or magnesium fluoride in the step of forming the first refractive index adjustment film.

上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造方法は、好適には、前記第1基板に前記第1屈折率調整膜を形成する工程の前に、前記第1基板に第2屈折率調整膜を形成する工程をさらに有し、前記第1屈折率調整膜を形成する工程においては、前記第2屈折率調整膜上に前記第1屈折率調整膜を形成する。   Preferably, in the method for manufacturing a capacitive touch panel substrate according to the present invention, the second refractive index adjustment is performed on the first substrate before the step of forming the first refractive index adjustment film on the first substrate. In the step of forming the first refractive index adjustment film, the first refractive index adjustment film is formed on the second refractive index adjustment film.

上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造方法は、好適には、前記第2屈折率調整膜を形成する工程において、前記第1基板より屈折率が高い材料からなる第2屈折率調整膜を形成する。   In the method of manufacturing a capacitive touch panel substrate according to the present invention, preferably, in the step of forming the second refractive index adjustment film, the second refractive index adjustment made of a material having a higher refractive index than the first substrate. A film is formed.

上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造方法は、好適には、前記第1屈折率調整膜を形成する工程において、酸化シリコンまたはフッ化マグネシウムから形成し、前記第2屈折率調整膜を形成する工程において、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化チタン、または酸化インジウムスズから形成する。   In the method of manufacturing the capacitive touch panel substrate of the present invention, preferably, in the step of forming the first refractive index adjusting film, the second refractive index adjusting film is formed of silicon oxide or magnesium fluoride. Is formed from niobium oxide, tantalum oxide, titanium oxide, or indium tin oxide.

また、本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造方法は、光学ガラスからなる第1基板に透明導電膜を50nm以下の膜厚で形成する工程を有する。   Moreover, the manufacturing method of the capacitive touch panel substrate of this invention has the process of forming a transparent conductive film with a film thickness of 50 nm or less on the 1st board | substrate which consists of optical glass.

上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造方法は、光学ガラスからなる第1基板に透明導電膜を50nm以下の膜厚で形成する。   In the method for manufacturing a capacitive touch panel substrate of the present invention, a transparent conductive film is formed with a film thickness of 50 nm or less on a first substrate made of optical glass.

上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造方法は、好適には、前記透明導電膜を形成する工程の後に、前記透明導電膜をパターン加工する工程とさらに有する。   The manufacturing method of the capacitive touch panel substrate of the present invention preferably further includes a step of patterning the transparent conductive film after the step of forming the transparent conductive film.

上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造方法は、好適には、前記透明導電膜をパターン加工する工程の後に、パターン加工された前記透明導電膜上に透明接着剤を介して光学ガラスからなる他の基板を張り合わせる工程をさらに有する。   In the method of manufacturing a capacitive touch panel substrate of the present invention, preferably, after the step of patterning the transparent conductive film, optical glass is formed on the patterned transparent conductive film via a transparent adhesive. The method further includes the step of bonding another substrate made of

上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造方法は、好適には、前記透明導電膜を形成する工程において、前記透明導電膜として複数の透明導電膜が透明接着剤を介して積層して形成する。   Preferably, in the method of manufacturing a capacitive touch panel substrate according to the present invention, in the step of forming the transparent conductive film, a plurality of transparent conductive films are laminated as a transparent conductive film via a transparent adhesive. Form.

また、本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造装置は、成膜チャンバと、前記成膜チャンバ内に設けられた光学ガラスからなる第1基板を保持する保持部と、前記成膜チャンバ内に設けられ、前記第1基板に前記第1基板の屈折率より低い材料からなる第1屈折率調整膜を堆積させる第1屈折率調整膜材料供給部と、前記成膜チャンバ内に設けられ、前記第1基板に透明導電膜を堆積させる透明導電膜材料供給部とを有し、前記保持部に光学ガラスからなる第1基板を保持し、前記第1基板に前記第1基板の屈折率より低い材料からなる第1屈折率調整膜を形成し、前記第1屈折率調整膜上に透明導電膜を形成する。   The capacitance touch panel substrate manufacturing apparatus of the present invention includes a film forming chamber, a holding unit for holding a first substrate made of optical glass provided in the film forming chamber, and a film forming chamber. A first refractive index adjusting film material supply unit that deposits a first refractive index adjusting film made of a material lower than the refractive index of the first substrate on the first substrate; and provided in the film forming chamber, A transparent conductive film material supply unit that deposits a transparent conductive film on the first substrate, holds the first substrate made of optical glass in the holding unit, and has a lower refractive index than the first substrate on the first substrate A first refractive index adjusting film made of a material is formed, and a transparent conductive film is formed on the first refractive index adjusting film.

上記の本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造装置は、成膜チャンバ内に、光学ガラスからなる第1基板を保持する保持部と、第1基板に第1基板の屈折率より低い材料からなる第1屈折率調整膜を堆積させる第1屈折率調整膜材料供給部と、第1基板に透明導電膜を堆積させる透明導電膜材料供給部とが設けられており、保持部に光学ガラスからなる第1基板を保持し、第1基板に前記第1基板の屈折率より低い材料からなる第1屈折率調整膜を形成し、第1屈折率調整膜上に透明導電膜を形成する。   The capacitance touch panel substrate manufacturing apparatus according to the present invention includes a holding unit for holding a first substrate made of optical glass in a film forming chamber, and a material having a refractive index lower than that of the first substrate. A first refractive index adjusting film material supplying unit for depositing the first refractive index adjusting film and a transparent conductive film material supplying unit for depositing a transparent conductive film on the first substrate, and the holding unit is made of optical glass. A first refractive index adjusting film made of a material lower than the refractive index of the first substrate is formed on the first substrate, and a transparent conductive film is formed on the first refractive index adjusting film.

また、本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造装置は、好適には、インラインで、前記第1基板にRF印加スパッタリングより第1屈折率調整膜を形成し、前記第1屈折率調整膜上に反応性プラズマ蒸着により透明導電膜を形成する。   In the manufacturing apparatus of the capacitive touch panel substrate of the present invention, preferably, the first refractive index adjustment film is formed on the first substrate by RF application sputtering in-line, and the first refractive index adjustment film is formed on the first refractive index adjustment film. A transparent conductive film is formed by reactive plasma deposition.

本発明の静電容量型タッチパネル基板によれば、透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。   According to the capacitive touch panel substrate of the present invention, even if the transparent conductive film is patterned, the pattern of the transparent conductive film becomes difficult to see on the display screen, and a decrease in the appearance of the display screen can be suppressed.

本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造方法によれば、透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。   According to the method for manufacturing a capacitive touch panel substrate of the present invention, even if the transparent conductive film is patterned, the pattern of the transparent conductive film becomes difficult to see on the display screen, and a decrease in the appearance of the display screen can be suppressed.

本発明の静電容量型タッチパネル基板の製造装置によれば、透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。   According to the apparatus for manufacturing a capacitive touch panel substrate of the present invention, even if the transparent conductive film is patterned, the pattern of the transparent conductive film becomes difficult to see on the display screen, and a decrease in the aesthetic appearance of the display screen can be suppressed.

図1は本発明の第1実施形態に係るオンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板を組み込んだ表示装置の模式構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a display device incorporating an on-cell capacitive touch panel substrate according to the first embodiment of the present invention. 図2(a)〜(d)は本発明の第1実施形態に係るオンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板の製造方法の製造工程を示す模式図である。FIGS. 2A to 2D are schematic views showing the manufacturing process of the method for manufacturing the on-cell capacitive touch panel substrate according to the first embodiment of the present invention. 図3は本発明の第2実施形態に係るオンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板を組み込んだ表示装置の模式構成図である。FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a display device incorporating an on-cell capacitive touch panel substrate according to the second embodiment of the present invention. 図4(a)〜(d)は本発明の第2実施形態に係るオンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板の製造方法の製造工程を示す模式図である。FIGS. 4A to 4D are schematic views showing manufacturing steps of a method for manufacturing an on-cell capacitive touch panel substrate according to the second embodiment of the present invention. 図5は本発明の第3実施形態に係るオンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板を組み込んだ表示装置の模式構成図である。FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a display device incorporating an on-cell capacitive touch panel substrate according to a third embodiment of the present invention. 図6は本発明の第4実施形態に係るオンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板を組み込んだ表示装置の模式構成図である。FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a display device incorporating an on-cell capacitive touch panel substrate according to a fourth embodiment of the present invention. 図7は本発明の第5実施形態に係るオンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板を組み込んだ表示装置の模式構成図である。FIG. 7 is a schematic configuration diagram of a display device incorporating an on-cell capacitive touch panel substrate according to a fifth embodiment of the present invention. 図8は本発明の第6実施形態に係るオンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板を組み込んだ表示装置の模式構成図である。FIG. 8 is a schematic configuration diagram of a display device incorporating an on-cell capacitive touch panel substrate according to a sixth embodiment of the present invention. 図9は本発明の実施例1に係る透明電極膜の膜厚に対する透過率及び反射率を示すグラフである。FIG. 9 is a graph showing the transmittance and the reflectance with respect to the film thickness of the transparent electrode film according to Example 1 of the present invention. 図10(a)〜(c)は本発明の実施例2に係るタッチパネル基板の反射率の波長依存性を示すグラフである。10A to 10C are graphs showing the wavelength dependence of the reflectance of the touch panel substrate according to Example 2 of the present invention. 図11(a)〜(c)は本発明の実施例2に係るタッチパネル基板の反射率の波長依存性を示すグラフである。FIGS. 11A to 11C are graphs showing the wavelength dependence of the reflectance of the touch panel substrate according to Example 2 of the present invention. 図12(a)〜(c)は本発明の実施例3に係るタッチパネル基板の反射率の波長依存性を示すグラフである。12A to 12C are graphs showing the wavelength dependence of the reflectance of the touch panel substrate according to Example 3 of the present invention. 図13(a)〜(c)は本発明の実施例3に係るタッチパネル基板の反射率の波長依存性を示すグラフである。13A to 13C are graphs showing the wavelength dependence of the reflectance of the touch panel substrate according to Example 3 of the present invention. 図14(a)及び(b)は本発明の実施例4に係る成膜に寄与するイオンのエネルギー分布を示すグラフである。FIGS. 14A and 14B are graphs showing the energy distribution of ions contributing to film formation according to Example 4 of the present invention. 図15(a)及び(b)は本発明の実施例5に係る透明電極膜のX線回折スペクトルである。FIGS. 15A and 15B are X-ray diffraction spectra of the transparent electrode film according to Example 5 of the present invention. 図16(a)及び(b)は本発明の実施例6に係る透明電極膜の電子顕微鏡写真である。FIGS. 16A and 16B are electron micrographs of the transparent electrode film according to Example 6 of the present invention. 図17は本発明の実施例7に係る透明電極膜の抵抗率の成膜温度依存性を示すグラフである。FIG. 17 is a graph showing the deposition temperature dependence of the resistivity of the transparent electrode film according to Example 7 of the present invention. 図18は本発明の実施例8に係る透明電極膜の透過率と反射率の和の波長依存性(光吸収スペクトル)である。FIG. 18 shows the wavelength dependence (light absorption spectrum) of the sum of the transmittance and reflectance of the transparent electrode film according to Example 8 of the present invention.

以下に、本発明の静電容量型タッチパネル基板、その製造方法並びに製造装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。   Embodiments of a capacitive touch panel substrate, a manufacturing method thereof, and a manufacturing apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

<第1実施形態>
[静電容量型タッチパネルを組み込んだ表示装置の構成]
図1は本実施形態に係るオンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板を組み込んだ表示装置の模式構成図である。
本実施形態の表示装置は、例えば、液晶表示装置である。
例えば、第1基板10と第2基板20がスペーサ(不図示)を介して所定の間隙を設けて張り合わされている。第1基板10と第2基板20は、例えばそれぞれ光学ガラス基板である。
例えば、第2基板20の第1基板10側の表面には画素を駆動するTFT(薄膜トランジスタ)(不図示)と画素ごとに区分された画素電極(不図示)が設けられており、その表面を被覆して配向膜(不図示)が設けられている。
また、例えば、第1基板10の第2基板20側の表面には全面に対向電極(不図示)が設けられており、その表面を被覆して配向膜(不図示)が設けられている。また、第1基板の第2基板20側の反対側の面が表示画面となる。
第1基板10と第2基板20の間隙に液晶が封入されて液晶層30が設けられている。
<First Embodiment>
[Configuration of display device incorporating capacitive touch panel]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a display device incorporating an on-cell capacitive touch panel substrate according to the present embodiment.
The display device of this embodiment is, for example, a liquid crystal display device.
For example, the first substrate 10 and the second substrate 20 are bonded to each other with a predetermined gap through a spacer (not shown). The first substrate 10 and the second substrate 20 are, for example, optical glass substrates, respectively.
For example, a TFT (thin film transistor) (not shown) for driving a pixel and a pixel electrode (not shown) divided for each pixel are provided on the surface of the second substrate 20 on the first substrate 10 side. An alignment film (not shown) is provided by coating.
Further, for example, a counter electrode (not shown) is provided on the entire surface of the first substrate 10 on the second substrate 20 side, and an alignment film (not shown) is provided so as to cover the surface. Further, the surface of the first substrate opposite to the second substrate 20 side is a display screen.
Liquid crystal is sealed in a gap between the first substrate 10 and the second substrate 20 to provide a liquid crystal layer 30.

上記の構成の表示装置において、第1基板10は液晶表示装置を構成する基板である一方で、オンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板である。
第1基板10の第2基板20と反対側の表面に、第1基板10より屈折率の低い第1屈折率調整膜11が形成されている。第1屈折率調整膜11は、例えば酸化シリコンあるいはフッ化マグネシウムから形成され、例えば5〜100nmの膜厚で形成されている。
In the display device having the above-described configuration, the first substrate 10 is a substrate constituting the liquid crystal display device, while being an on-cell capacitive touch panel substrate.
A first refractive index adjusting film 11 having a refractive index lower than that of the first substrate 10 is formed on the surface of the first substrate 10 opposite to the second substrate 20. The first refractive index adjustment film 11 is made of, for example, silicon oxide or magnesium fluoride, and has a film thickness of, for example, 5 to 100 nm.

第1屈折率調整膜11の上層に、例えばITO(酸化インジウムスズ)などからなる透明導電膜12pが、例えば5〜50nmの膜厚で形成されている。
上記のITOなどからなる透明導電膜12pは、例えば、反応性プラズマ蒸着(PRD:Reactive Plasma Deposition)により形成された膜である。
A transparent conductive film 12p made of, for example, ITO (indium tin oxide) or the like is formed on the first refractive index adjusting film 11 with a film thickness of, for example, 5 to 50 nm.
The transparent conductive film 12p made of the above ITO or the like is a film formed by, for example, reactive plasma deposition (PRD).

例えば、第1屈折率調整膜11が膜厚25nmの酸化シリコンで形成され、透明導電膜12pが膜厚10nmのITOで形成された構成を好ましく用いることができる。   For example, a configuration in which the first refractive index adjustment film 11 is formed of silicon oxide with a film thickness of 25 nm and the transparent conductive film 12p is formed of ITO with a film thickness of 10 nm can be preferably used.

例えば、上記の透明導電膜12pは、静電容量型タッチパネルを構成するように、所定のパターンにパターン加工されている。
さらに、例えば、上記のパターン加工された透明導電膜12p上に透明接着剤13を介してガラス基板である第3基板14が張り合わされている。
For example, the transparent conductive film 12p is patterned into a predetermined pattern so as to constitute a capacitive touch panel.
Further, for example, a third substrate 14 which is a glass substrate is bonded to the patterned transparent conductive film 12p with a transparent adhesive 13 interposed therebetween.

上記の構成のタッチパネル基板において、第1基板10及び第3基板14は光学ガラス基板であり、屈折率は例えば1.52程度である。
第1屈折率調整膜11は、例えば酸化シリコンからなる場合、屈折率は1.45程度である。
透明導電膜12pは、例えばITOからなる場合、屈折率は約1.95である。
透明接着剤13は、光学的に透明な接着剤であり、屈折率は例えば1.48〜1.56である。
In the touch panel substrate configured as described above, the first substrate 10 and the third substrate 14 are optical glass substrates, and the refractive index is, for example, about 1.52.
When the first refractive index adjusting film 11 is made of, for example, silicon oxide, the refractive index is about 1.45.
When the transparent conductive film 12p is made of, for example, ITO, the refractive index is about 1.95.
The transparent adhesive 13 is an optically transparent adhesive and has a refractive index of, for example, 1.48 to 1.56.

上記の構成において、透明導電膜12pが例えば5〜50nmの程度にまで薄く形成されていることと、さらに第1基板10とパターン加工された透明導電性膜12pの間に酸化シリコンなどからなる第1基板10より屈折率が低い第1屈折率調整膜11が形成されていることにより、透明導電膜12pのパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。
また、例えば5〜50nmの程度にまで薄く形成されていることにより、タッチパネル基板における反射率が低減され、透過率が高まり、タッチパネルを組み込んだ表示装置としての特性が高められる。
透明電極膜12pの膜厚が5nm未満の場合、シート抵抗が高くなって電極としての機能が低減してしまい、好ましくない。また、50nmを超えると、反射率低減の効果が小さくなり、好ましくない。
In the above configuration, the transparent conductive film 12p is formed to be thin, for example, to a thickness of about 5 to 50 nm, and further, a first layer made of silicon oxide or the like is formed between the first substrate 10 and the patterned transparent conductive film 12p. By forming the first refractive index adjusting film 11 having a refractive index lower than that of the one substrate 10, the pattern of the transparent conductive film 12p becomes difficult to see on the display screen, and a decrease in the appearance of the display screen can be suppressed.
For example, by being thinly formed to about 5 to 50 nm, the reflectance of the touch panel substrate is reduced, the transmittance is increased, and the characteristics as a display device incorporating the touch panel are enhanced.
When the film thickness of the transparent electrode film 12p is less than 5 nm, the sheet resistance becomes high and the function as an electrode is reduced, which is not preferable. On the other hand, if it exceeds 50 nm, the effect of reducing the reflectance is reduced, which is not preferable.

上記の本実施形態の表示装置は液晶表示装置であり、液晶層30の一方の両面において不図示の偏光膜が設けられている。例えば偏光膜は第2基板20の第1基板10と反対側の表面及び第3基板14の第1基板10と反対側の表面などに設けられている。
また、上記の本実施形態の表示装置はカラー表示装置である場合、不図示のカラーフィルタが設けられている。カラーフィルタは、例えば第1基板10の第2基板20側の表面などに適宜設けられている。
上記の構成において、画素電極と対向電極間に印加される電圧により液晶の配向が制御され、液晶表示装置の表示画面に画像を表示することができる。
The display device of the present embodiment is a liquid crystal display device, and a polarizing film (not shown) is provided on one side of the liquid crystal layer 30. For example, the polarizing film is provided on the surface of the second substrate 20 opposite to the first substrate 10 and the surface of the third substrate 14 opposite to the first substrate 10.
When the display device of the present embodiment is a color display device, a color filter (not shown) is provided. The color filter is appropriately provided on the surface of the first substrate 10 on the second substrate 20 side, for example.
In the above structure, the orientation of the liquid crystal is controlled by the voltage applied between the pixel electrode and the counter electrode, and an image can be displayed on the display screen of the liquid crystal display device.

上記の本実施形態のタッチパネルを内蔵した表示装置において、タッチパネルはオンセル型の静電容量方式のタッチパネルである。
例えば、投影型静電容量方式であり、第3基板14の表面に指などでタッチすると、パターン加工された透明導電膜12p間の静電容量に変化が生じ、これを検出することでタッチされた位置を特定することが可能となっている。
上記のタッチパネルにおいてタッチされた位置の特定と表示画面の表示内容を関連付けることで、タッチパネルを表示装置の入力インターフェースとして利用することができる。
In the display device incorporating the touch panel of the present embodiment, the touch panel is an on-cell capacitive touch panel.
For example, it is a projection type capacitance type, and when the surface of the third substrate 14 is touched with a finger or the like, a change occurs in the capacitance between the patterned transparent conductive films 12p, which is touched by detecting this. It is possible to specify the position.
The touch panel can be used as an input interface of the display device by associating the touched position on the touch panel with the display content of the display screen.

本実施形態のタッチパネル基板とそれを用いた液晶表示装置によれば、第1基板に第1基板より屈折率が低い第1屈折率調整膜が形成され、第1屈折率調整膜上に透明導電膜が形成されており、さらに透明導電膜が例えば5〜50nmの膜厚にまで薄膜化されていることにより、当該透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。   According to the touch panel substrate of the present embodiment and the liquid crystal display device using the touch panel substrate, a first refractive index adjustment film having a refractive index lower than that of the first substrate is formed on the first substrate, and the transparent conductive material is formed on the first refractive index adjustment film. Since the film is formed and the transparent conductive film is thinned to a thickness of 5 to 50 nm, for example, the pattern of the transparent conductive film can be seen on the display screen even if the transparent conductive film is patterned. It becomes difficult to suppress a decrease in the appearance of the display screen.

[タッチパネル基板の製造方法]
次に、本実施形態に係るタッチパネル基板の製造方法について説明する。
まず、図2(a)に示すように、例えば、RF印加スパッタリングにより、第1基板10の第2基板20と反対側となる表面に、酸化シリコンあるいはフッ化マグネシウムなどの第1基板10より屈折率の低い材料からなる第1屈折率調整膜11を、例えば5〜100nmの膜厚で形成する。
次に、第1屈折率調整膜11の上層に、例えば、RPD(反応性プラズマ蒸着)により、ITO(酸化インジウムスズ)などからなる透明導電膜12を5〜50nmの膜厚で形成する。
[Method for manufacturing touch panel substrate]
Next, a manufacturing method of the touch panel substrate according to the present embodiment will be described.
First, as shown in FIG. 2A, the surface of the first substrate 10 opposite to the second substrate 20 is refracted from the first substrate 10 such as silicon oxide or magnesium fluoride by RF applied sputtering, for example. The first refractive index adjustment film 11 made of a material having a low rate is formed with a film thickness of, for example, 5 to 100 nm.
Next, the transparent conductive film 12 made of ITO (indium tin oxide) or the like is formed with a film thickness of 5 to 50 nm on the first refractive index adjusting film 11 by, for example, RPD (reactive plasma deposition).

上記のRPDでは、例えば、成膜チャンバ内に成膜対象基板、ITO蒸着ターゲット及びプラズマガンを配置し、プラズマガンから発生させたプラズマを用いて蒸着ターゲットから得られたインジウムイオンあるいはスズイオンを酸素とともに酸化物として成膜対象基板に堆積する。   In the above RPD, for example, a deposition target substrate, an ITO deposition target, and a plasma gun are arranged in a deposition chamber, and indium ions or tin ions obtained from the deposition target using plasma generated from the plasma gun are combined with oxygen. Deposited on the substrate to be deposited as an oxide.

プラズマガンに印加する電圧は60〜70V程度に低い電圧でもよく、プラズマにより得られるインジウムイオンあるいはスズイオンのエネルギーは例えば30eV以下に抑制でき、スパッタリングと比べてプラズマが基板に与えるダメージを低減できる。このため、RPDにより形成されるITO膜は、構成する結晶粒子の粒径がスパッタリングにより形成する場合より大きくなるため、低いシート抵抗が得られ、5〜50nmにまで薄くして用いることができる。
また、大電流かつ高プラズマ密度のプラズマにおいてITOなどの透明導電膜材料をイオン化することで、反応よく、成膜対象基板の温度を例えば100℃程度の低温に下げても薄い膜厚で十分に低い抵抗率が得られるため、プラスチックや樹脂テープなどを積層させた後での低温プロセスにも適用することができる。
The voltage applied to the plasma gun may be as low as about 60 to 70 V, and the energy of indium ions or tin ions obtained from the plasma can be suppressed to, for example, 30 eV or less, and damage to the substrate caused by the plasma can be reduced compared to sputtering. For this reason, since the ITO film formed by RPD has a larger crystal grain size than that formed by sputtering, a low sheet resistance is obtained, and it can be used as thin as 5 to 50 nm.
Also, by ionizing a transparent conductive film material such as ITO in a plasma with a high current and a high plasma density, a thin film thickness is sufficient even if the temperature of the substrate to be deposited is lowered to a low temperature of about 100 ° C. for example. Since a low resistivity can be obtained, it can be applied to a low-temperature process after plastic or resin tape is laminated.

また、RPDでは、例えば0.3Pa程度の高い圧力で成膜することが可能であり、成膜するITO膜の被覆率が高められ、凹凸を有する成膜対象基板に対して均一で隙間のない緻密な膜が得られ、シート抵抗が低減され、耐環境性のよいITO膜などの透明導電膜を形成することができる。   In addition, in RPD, it is possible to form a film at a high pressure of, for example, about 0.3 Pa, the coverage of the ITO film to be formed is increased, and there is no gap between the film formation target substrate having unevenness. A dense film can be obtained, a sheet resistance can be reduced, and a transparent conductive film such as an ITO film having good environmental resistance can be formed.

次に、図2(b)に示すように、例えば、透明導電膜12上層に不図示のレジスト膜を所定のパターンで形成し、得られたレジスト膜をマスクとしてドライエッチングあるいはウェットエッチングなどのエッチング処理を施し、パターン加工された透明導電膜12pとする。
この後、レジスト膜を除去する。
Next, as shown in FIG. 2B, for example, a resist film (not shown) is formed in a predetermined pattern on the transparent conductive film 12, and etching such as dry etching or wet etching is performed using the obtained resist film as a mask. A transparent conductive film 12p that has been processed and patterned is obtained.
Thereafter, the resist film is removed.

次に、図2(c)に示すように、例えば、スピンコートなどの塗布などにより、パターン加工された透明導電膜12p及び第1屈折率調整膜11を被覆して全面に透明接着剤13を供給し、図2(d)に示すように、透明接着剤13介してガラス基板である第3基板14を張り合わせる。
Next, as shown in FIG. 2C, the transparent adhesive 13 is coated on the entire surface by coating the patterned transparent conductive film 12p and the first refractive index adjusting film 11 by, for example, spin coating or the like. supplied, as shown in FIG. 2 (d), laminating the third substrate 14 is a glass substrate via a transparent adhesive 13.

上記のようにして、本実施形態に係るタッチパネル基板を製造することができる。
図1に係る液晶表示装置を製造する場合には、例えば、上記のようにして得られたタッチパネル基板を構成する第1基板10の透明導電膜12pの形成面と反対側の面に対向電極を形成し、一方、第2基板20にTFT及び画素電極を形成し、配向膜などを設けて第1基板10と第2基板20を、スペーサ(不図示)を介して所定の間隙を設けて張り合わせ、間隙に液晶を封入して液晶層30を設けることで製造することができる。
As described above, the touch panel substrate according to the present embodiment can be manufactured.
When the liquid crystal display device according to FIG. 1 is manufactured, for example, a counter electrode is provided on the surface of the first substrate 10 constituting the touch panel substrate obtained as described above on the surface opposite to the surface on which the transparent conductive film 12p is formed. On the other hand, TFTs and pixel electrodes are formed on the second substrate 20, an alignment film is provided, and the first substrate 10 and the second substrate 20 are bonded to each other with a predetermined gap through a spacer (not shown). The liquid crystal layer 30 can be provided by enclosing the liquid crystal in the gap.

本実施形態のタッチパネル基板の製造方法によれば、第1基板に第1基板より屈折率が低い第1屈折率調整膜を形成し、第1屈折率調整膜上に透明導電膜を形成し、さらに透明導電膜を例えば5〜50nmの膜厚にまで薄膜化することにより、当該透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。   According to the method for manufacturing a touch panel substrate of the present embodiment, a first refractive index adjustment film having a lower refractive index than the first substrate is formed on the first substrate, a transparent conductive film is formed on the first refractive index adjustment film, Further, by reducing the thickness of the transparent conductive film to a film thickness of, for example, 5 to 50 nm, even if the transparent conductive film is patterned, the pattern of the transparent conductive film becomes difficult to see on the display screen, and the appearance of the display screen is reduced. Can be suppressed.

[タッチパネル基板の製造装置]
上記の本実施形態に係るタッチパネル基板は、以下の製造装置で製造できる。
例えば、成膜チャンバと、成膜チャンバ内に設けられた第1基板を保持する保持部と、成膜チャンバ内に設けられ、第1基板に酸化シリコンなどの第1基板より屈折率の低い材料からなる第1屈折率調整膜を堆積させる第1屈折率調整膜材料供給部と、成膜チャンバ内に設けられ、第1基板に透明導電膜を堆積させる透明導電膜材料供給部とを有する。
[Touch panel substrate manufacturing equipment]
The touch panel substrate according to the present embodiment can be manufactured by the following manufacturing apparatus.
For example, a film forming chamber, a holding unit that holds a first substrate provided in the film forming chamber, and a material that is provided in the film forming chamber and has a lower refractive index than the first substrate, such as silicon oxide. A first refractive index adjusting film material supply unit for depositing the first refractive index adjusting film, and a transparent conductive film material supplying unit provided in the film forming chamber for depositing the transparent conductive film on the first substrate.

成膜チャンバは、排気管を介して真空ポンプが接続されており、内部が所定の圧力に減圧可能となっている。RPDによる成膜時における成膜チャンバ内の背圧は、例えば0.3Pa程度である。   A vacuum pump is connected to the film forming chamber via an exhaust pipe, and the inside can be reduced to a predetermined pressure. The back pressure in the film formation chamber during film formation by RPD is, for example, about 0.3 Pa.

保持部に光学ガラスからなる第1基板を保持し、上記のように成膜チャンバの内部を所定の圧力に減圧し、第1屈折率調整膜材料供給部から第1屈折率調整膜材料を供給して、例えばRF印加スパッタリングにより第1基板に酸化シリコンからなる第1屈折率調整膜を形成する。
次に、透明導電膜材料供給部から透明導電膜材料を供給して、例えばRPDにより第1屈折率調整膜上にITOからなる透明導電膜を形成する。
上記の構成の製造装置により、タッチパネル基板を例えばインラインで製造することができる。
The first substrate made of optical glass is held in the holding unit, the inside of the film forming chamber is reduced to a predetermined pressure as described above, and the first refractive index adjusting film material supply unit is supplied from the first refractive index adjusting film material supplying unit. Then, for example, the first refractive index adjusting film made of silicon oxide is formed on the first substrate by RF application sputtering.
Next, a transparent conductive film material is supplied from the transparent conductive film material supply unit, and a transparent conductive film made of ITO is formed on the first refractive index adjustment film by, for example, RPD.
The touch panel substrate can be manufactured, for example, in-line by the manufacturing apparatus having the above configuration.

本実施形態のタッチパネル基板の製造装置によれば、第1基板に第1基板より屈折率が低い第1屈折率調整膜を形成し、第1屈折率調整膜上に透明導電膜を形成し、さらに透明導電膜を例えば5〜50nmの膜厚にまで薄膜化することにより、当該透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。   According to the touch panel substrate manufacturing apparatus of the present embodiment, a first refractive index adjustment film having a lower refractive index than the first substrate is formed on the first substrate, a transparent conductive film is formed on the first refractive index adjustment film, Further, by reducing the thickness of the transparent conductive film to a film thickness of, for example, 5 to 50 nm, even if the transparent conductive film is patterned, the pattern of the transparent conductive film becomes difficult to see on the display screen, and the appearance of the display screen is reduced. Can be suppressed.

<第2実施形態>
[静電容量型タッチパネルを組み込んだ表示装置の構成]
図3は本実施形態に係るオンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板を組み込んだ表示装置の模式構成図である。
本実施形態の表示装置は、例えば、液晶表示装置である。図3に示すように、光学ガラスからなる第1基板10と酸化シリコンからなる第1屈折率調整膜11の間に形成された第2屈折率調整膜15をさらに有することを除いては、実質的に第1実施形態の表示装置と同様の構成である。
Second Embodiment
[Configuration of display device incorporating capacitive touch panel]
FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a display device incorporating the on-cell capacitive touch panel substrate according to the present embodiment.
The display device of this embodiment is, for example, a liquid crystal display device. As shown in FIG. 3, except that it further includes a second refractive index adjusting film 15 formed between the first substrate 10 made of optical glass and the first refractive index adjusting film 11 made of silicon oxide. In particular, the configuration is the same as that of the display device of the first embodiment.

上記の構成の表示装置において、第1基板10は液晶表示装置を構成する基板である一方で、オンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板である。
第1基板10の第2基板20と反対側の表面に、例えばITO,酸化ニオブ(Nb),酸化タンタル(Ta),あるいは酸化チタン(TiO)などの第1基板10より屈折率の高い材料からなる第2屈折率調整膜15が5〜100nmの膜厚で形成されている。
第2屈折率調整膜15の上層に、第1基板10より屈折率の低い第1屈折率調整膜11が形成されている。第1屈折率調整膜11は、例えば酸化シリコンあるいはフッ化マグネシウムから形成され、例えば5〜100nmの膜厚で形成されている。
In the display device having the above-described configuration, the first substrate 10 is a substrate constituting the liquid crystal display device, while being an on-cell capacitive touch panel substrate.
The first substrate 10 such as ITO, niobium oxide (Nb 2 O 5 ), tantalum oxide (Ta 2 O 5 ), or titanium oxide (TiO 2 ) is formed on the surface of the first substrate 10 opposite to the second substrate 20. A second refractive index adjusting film 15 made of a material having a higher refractive index is formed with a thickness of 5 to 100 nm.
A first refractive index adjusting film 11 having a refractive index lower than that of the first substrate 10 is formed on the second refractive index adjusting film 15. The first refractive index adjustment film 11 is made of, for example, silicon oxide or magnesium fluoride, and has a film thickness of, for example, 5 to 100 nm.

第1屈折率調整膜11の上層に、例えばITOなどからなる透明導電膜12pが、例えば5〜50nmの膜厚で形成されている。
上記のITOなどからなる透明導電膜12pは、例えば、RPDにより形成された膜である。
A transparent conductive film 12p made of, for example, ITO or the like is formed on the first refractive index adjusting film 11 with a film thickness of, for example, 5 to 50 nm.
The transparent conductive film 12p made of ITO or the like is a film formed by RPD, for example.

例えば、第1屈折率調整膜11が膜厚10nmのITOで形成され、第1屈折率調整膜11が膜厚50nmの酸化シリコンで形成され、透明導電膜12pが膜厚10nmのITOで形成された構成を好ましく用いることができる。   For example, the first refractive index adjustment film 11 is formed of ITO having a thickness of 10 nm, the first refractive index adjustment film 11 is formed of silicon oxide having a thickness of 50 nm, and the transparent conductive film 12p is formed of ITO having a thickness of 10 nm. The configuration described above can be preferably used.

例えば、上記の透明導電膜12pは、静電容量型タッチパネルを構成するように、所定のパターンにパターン加工されている。
さらに、例えば、上記のパターン加工された透明導電膜12p上に透明接着剤13を介してガラス基板である第3基板14が張り合わされている。
For example, the transparent conductive film 12p is patterned into a predetermined pattern so as to constitute a capacitive touch panel.
Further, for example, a third substrate 14 which is a glass substrate is bonded to the patterned transparent conductive film 12p with a transparent adhesive 13 interposed therebetween.

上記の構成のタッチパネル基板において、第1基板10及び第3基板14は光学ガラス基板であり、屈折率は例えば1.52程度である。
第2屈折率調整膜15は、例えばITOからなる場合、屈折率は1.95程度であり、酸化ニオブからなる場合、屈折率は2.3程度である。
第1屈折率調整膜11は、例えば酸化シリコンからなる場合、屈折率は1.45程度である。
透明導電膜12pは、例えばITOからなる場合、屈折率は約1.95である。
透明接着剤13は、光学的に透明な接着剤であり、屈折率は例えば1.48〜1.56である。
In the touch panel substrate configured as described above, the first substrate 10 and the third substrate 14 are optical glass substrates, and the refractive index is, for example, about 1.52.
For example, when the second refractive index adjusting film 15 is made of ITO, the refractive index is about 1.95, and when made of niobium oxide, the refractive index is about 2.3.
When the first refractive index adjusting film 11 is made of, for example, silicon oxide, the refractive index is about 1.45.
When the transparent conductive film 12p is made of, for example, ITO, the refractive index is about 1.95.
The transparent adhesive 13 is an optically transparent adhesive and has a refractive index of, for example, 1.48 to 1.56.

上記の構成において、第1基板10とパターン加工された透明導電性膜12pの間にITOなどからなる第1基板10より屈折率の高い材料からなる第2屈折率調整膜15と酸化シリコンなどからなる第1基板10より屈折率が低い第1屈折率調整膜11が積層して形成されており、さらに透明導電膜12pが例えば5〜50nmの程度にまで薄く形成されていることにより、透明導電膜12pのパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。
また、透明導電膜12pが例えば5〜50nmの程度にまで薄く形成されていることにより、タッチパネル基板における反射率が低減され、透過率が高まり、タッチパネルを組み込んだ表示装置としての特性が高められる。
透明電極膜12pの膜厚が5nm未満の場合、シート抵抗が高くなって電極としての機能が低減してしまい、好ましくない。また、50nmを超えると、反射率低減の効果が小さくなり、好ましくない。
In the above configuration, the second refractive index adjusting film 15 made of a material having a higher refractive index than that of the first substrate 10 made of ITO or the like is formed between the first substrate 10 and the patterned transparent conductive film 12p and silicon oxide. The first refractive index adjusting film 11 having a refractive index lower than that of the first substrate 10 is formed, and the transparent conductive film 12p is formed to be as thin as, for example, about 5 to 50 nm. The pattern of the film 12p becomes difficult to see on the display screen, and the aesthetic deterioration of the display screen can be suppressed.
Further, since the transparent conductive film 12p is thinly formed, for example, to a thickness of about 5 to 50 nm, the reflectance of the touch panel substrate is reduced, the transmittance is increased, and the characteristics as a display device incorporating the touch panel are enhanced.
When the film thickness of the transparent electrode film 12p is less than 5 nm, the sheet resistance becomes high and the function as an electrode is reduced, which is not preferable. On the other hand, if it exceeds 50 nm, the effect of reducing the reflectance is reduced, which is not preferable.

上記を除いては、第1実施形態を同様の構成である。
本実施形態のタッチパネル基板とそれを用いた液晶表示装置によれば、第1基板に第1基板より屈折率が高い第2屈折率調整膜が形成され、第2屈折率調整膜上に第1基板より屈折率が低い第1屈折率調整膜が形成され、さらに透明導電膜が例えば5〜50nmの膜厚にまで薄膜化されていることにより、当該透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。
Except for the above, the first embodiment has the same configuration.
According to the touch panel substrate of this embodiment and the liquid crystal display device using the same, the second refractive index adjustment film having a higher refractive index than the first substrate is formed on the first substrate, and the first refractive index adjustment film is formed on the first refractive index adjustment film. A first refractive index adjusting film having a refractive index lower than that of the substrate is formed, and the transparent conductive film is thinned to a film thickness of, for example, 5 to 50 nm, so that the transparent conductive film can be formed even if the transparent conductive film is patterned. The film pattern becomes difficult to see on the display screen, and the aesthetic deterioration of the display screen can be suppressed.

[タッチパネル基板の製造方法]
次に、本実施形態に係るタッチパネル基板の製造方法について説明する。
まず、図4(a)に示すように、例えば、RPDにより、第1基板10の第2基板20と反対側となる表面に、ITOあるいは酸化ニオブなどの第1基板10より屈折率の高い材料からなる第2屈折率調整膜15を、例えば5〜100nmの膜厚で形成する。
次に、例えば、RF印加スパッタリングにより、第2屈折率調整膜15の上層に、酸化シリコンあるいはフッ化マグネシウムなどの第1基板10より屈折率の低い材料からなる第1屈折率調整膜11を、例えば5〜100nmの膜厚で形成する。
次に、第1屈折率調整膜11の上層に、例えば、RPDにより、ITOなどからなる透明導電膜12を5〜50nmの膜厚で形成する。
[Method for manufacturing touch panel substrate]
Next, a manufacturing method of the touch panel substrate according to the present embodiment will be described.
First, as shown in FIG. 4A, a material having a higher refractive index than the first substrate 10 such as ITO or niobium oxide is formed on the surface of the first substrate 10 opposite to the second substrate 20 by RPD, for example. The second refractive index adjusting film 15 made of is formed with a film thickness of, for example, 5 to 100 nm.
Next, the first refractive index adjusting film 11 made of a material having a lower refractive index than the first substrate 10 such as silicon oxide or magnesium fluoride is formed on the second refractive index adjusting film 15 by, for example, RF application sputtering. For example, it is formed with a film thickness of 5 to 100 nm.
Next, the transparent conductive film 12 made of ITO or the like is formed with a film thickness of 5 to 50 nm on the first refractive index adjusting film 11 by, for example, RPD.

RPDにより形成されるITO膜は、構成する結晶粒子の粒径がスパッタリングにより形成する場合より大きくなるため、低いシート抵抗が得られ、5〜50nmにまで薄くして用いることができる。
RPDにより形成されるITO膜は、構成する結晶粒子の粒径がスパッタリングにより形成する場合より大きくなるため、低いシート抵抗が得られ、5〜50nmにまで薄くして用いることができ、成膜対象基板の温度を例えば100℃程度の低温に下げても薄い膜厚で十分に低い抵抗率が得られるため、プラスチックや樹脂テープなどを積層させた後での低温プロセスにも適用することができる。
Since the ITO film formed by RPD has a larger crystal grain size than that formed by sputtering, a low sheet resistance is obtained, and it can be used as thin as 5 to 50 nm.
Since the ITO film formed by RPD has a larger crystal grain size than that formed by sputtering, a low sheet resistance can be obtained and it can be used as thin as 5 to 50 nm. Even when the temperature of the substrate is lowered to a low temperature of about 100 ° C., for example, a sufficiently low resistivity can be obtained with a thin film thickness. Therefore, it can also be applied to a low temperature process after laminating plastics or resin tapes.

次に、図4(b)に示すように、例えば、透明導電膜12上層に不図示のレジスト膜を所定のパターンで形成し、得られたレジスト膜をマスクとしてドライエッチングあるいはウェットエッチングなどのエッチング処理を施し、パターン加工された透明導電膜12pとする。
この後、レジスト膜を除去する。
Next, as shown in FIG. 4B, for example, a resist film (not shown) is formed in a predetermined pattern on the transparent conductive film 12, and etching such as dry etching or wet etching is performed using the obtained resist film as a mask. A transparent conductive film 12p that has been processed and patterned is obtained.
Thereafter, the resist film is removed.

次に、図4(c)に示すように、例えば、スピンコートなどの塗布などにより、パターン加工された透明導電膜12p及び第1屈折率調整膜11を被覆して全面に透明接着剤13を供給し、図4(d)に示すように、透明接着剤13介してガラス基板である第3基板14を張り合わせる。
Next, as shown in FIG. 4C, the transparent adhesive 13 is coated on the entire surface by coating the patterned transparent conductive film 12p and the first refractive index adjustment film 11 by, for example, spin coating or the like. supplied, as shown in FIG. 4 (d), laminating the third substrate 14 is a glass substrate via a transparent adhesive 13.

上記のようにして、本実施形態に係るタッチパネル基板を製造することができる。
図3に係る液晶表示装置を製造する場合には、例えば、上記のようにして得られたタッチパネル基板を構成する第1基板10の透明導電膜12pの形成面と反対側の面に対向電極を形成し、一方、第2基板20にTFT及び画素電極を形成し、配向膜などを設けて第1基板10と第2基板20をスペーサ(不図示)を介して所定の間隙を設けて張り合わせ、間隙に液晶を封入して液晶層30を設けることで製造することができる。
As described above, the touch panel substrate according to the present embodiment can be manufactured.
When the liquid crystal display device according to FIG. 3 is manufactured, for example, the counter electrode is provided on the surface of the first substrate 10 constituting the touch panel substrate obtained as described above on the surface opposite to the surface on which the transparent conductive film 12p is formed. On the other hand, a TFT and a pixel electrode are formed on the second substrate 20, an alignment film is provided, and the first substrate 10 and the second substrate 20 are bonded to each other with a predetermined gap through a spacer (not shown). The liquid crystal layer 30 can be provided by enclosing liquid crystal in the gap.

本実施形態のタッチパネル基板の製造方法によれば、第1基板に第1基板より屈折率が高い第2屈折率調整膜を形成し、第2屈折率調整膜上に第1基板より屈折率が低い第1屈折率調整膜を形成し、さらに透明導電膜を例えば5〜50nmの膜厚にまで薄膜化していることにより、当該透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。   According to the method for manufacturing a touch panel substrate of the present embodiment, the second refractive index adjustment film having a higher refractive index than the first substrate is formed on the first substrate, and the refractive index is higher than the first substrate on the second refractive index adjustment film. By forming a low first refractive index adjustment film and further thinning the transparent conductive film to a film thickness of, for example, 5 to 50 nm, the pattern of the transparent conductive film is displayed even if the transparent conductive film is patterned. It becomes difficult to see above, and the aesthetic deterioration of the display screen can be suppressed.

[タッチパネル基板の製造装置]
上記の本実施形態に係るタッチパネル基板は、以下の製造装置で製造できる。
例えば、成膜チャンバと、成膜チャンバ内に設けられた第1基板を保持する保持部と、成膜チャンバ内に設けられ、第1基板にITOなどの第1基板より屈折率の高い材料からなる第2屈折率調整膜を堆積させる第2屈折率調整膜材料供給部と、第1基板に酸化シリコンなどの第1基板より屈折率の低い材料からなる第1屈折率調整膜を堆積させる第1屈折率調整膜材料供給部と、成膜チャンバ内に設けられ、第1基板に透明導電膜を堆積させる透明導電膜材料供給部とを有する。
[Touch panel substrate manufacturing equipment]
The touch panel substrate according to the present embodiment can be manufactured by the following manufacturing apparatus.
For example, a film forming chamber, a holding unit for holding a first substrate provided in the film forming chamber, and a material provided in the film forming chamber and having a higher refractive index than the first substrate, such as ITO, are provided in the first substrate. A second refractive index adjusting film material supply unit for depositing the second refractive index adjusting film, and a first refractive index adjusting film made of a material having a lower refractive index than the first substrate such as silicon oxide on the first substrate. A refractive index adjusting film material supply unit; and a transparent conductive film material supply unit provided in the film forming chamber and depositing the transparent conductive film on the first substrate.

成膜チャンバは、排気管を介して真空ポンプが接続されており、内部が所定の圧力に減圧可能となっている。RPDによる成膜時における成膜チャンバ内の背圧は、例えば0.3Pa程度である。   A vacuum pump is connected to the film forming chamber via an exhaust pipe, and the inside can be reduced to a predetermined pressure. The back pressure in the film formation chamber during film formation by RPD is, for example, about 0.3 Pa.

保持部に光学ガラスからなる第1基板を保持し、上記のように成膜チャンバの内部を所定の圧力に減圧し、第2屈折率調整膜材料供給部から第2屈折率調整膜材料を供給して、例えばRPDにより第1基板にITOからなる第2屈折率調整膜を形成する。
次に、第1屈折率調整膜材料供給部から第1屈折率調整膜材料を供給して、例えばRF印加スパッタリングにより第2屈折率調整膜上に酸化シリコンからなる第1屈折率調整膜を形成する。
次に、透明導電膜材料供給部から透明導電膜材料を供給して、例えばRPDにより第1屈折率調整膜上にITOからなる透明導電膜を形成する。
上記の構成の製造装置により、タッチパネル基板を例えばインラインで製造することができる。
The first substrate made of optical glass is held in the holding unit, the inside of the film forming chamber is reduced to a predetermined pressure as described above, and the second refractive index adjusting film material supply unit is supplied from the second refractive index adjusting film material supplying unit. Then, for example, the second refractive index adjusting film made of ITO is formed on the first substrate by RPD.
Next, the first refractive index adjusting film material is supplied from the first refractive index adjusting film material supply unit, and the first refractive index adjusting film made of silicon oxide is formed on the second refractive index adjusting film by RF application sputtering, for example. To do.
Next, a transparent conductive film material is supplied from the transparent conductive film material supply unit, and a transparent conductive film made of ITO is formed on the first refractive index adjustment film by, for example, RPD.
The touch panel substrate can be manufactured, for example, in-line by the manufacturing apparatus having the above configuration.

本実施形態のタッチパネル基板の製造装置によれば、第1基板に第1基板より屈折率が高い第2屈折率調整膜を形成し、第2屈折率調整膜上に第1基板より屈折率が低い第1屈折率調整膜を形成し、第1屈折率調整膜上に透明導電膜を形成し、さらに透明導電膜を例えば5〜50nmの膜厚にまで薄膜化することにより、当該透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。   According to the touch panel substrate manufacturing apparatus of the present embodiment, the second refractive index adjustment film having a higher refractive index than the first substrate is formed on the first substrate, and the refractive index is higher than that of the first substrate on the second refractive index adjustment film. By forming a low first refractive index adjustment film, forming a transparent conductive film on the first refractive index adjustment film, and further reducing the thickness of the transparent conductive film to a film thickness of, for example, 5 to 50 nm, the transparent conductive film Even if the pattern is formed, the pattern of the transparent conductive film becomes difficult to see on the display screen, and the appearance of the display screen can be prevented from deteriorating.

<第3実施形態>
[静電容量型タッチパネルを組み込んだ表示装置の構成]
図5は本実施形態に係るオンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板を組み込んだ表示装置の模式構成図である。
本実施形態の表示装置は、例えば、液晶表示装置である。
上記の構成の表示装置において、第1基板10は液晶表示装置を構成する基板である一方で、オンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板である。
第1基板10の第2基板20と反対側の表面に、例えばITOなどからなる透明導電膜12pが、例えば5〜50nmの膜厚で形成されている。
上記のITOなどからなる透明導電膜12pは、例えば、RPDにより形成された膜である。
<Third Embodiment>
[Configuration of display device incorporating capacitive touch panel]
FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a display device incorporating the on-cell capacitive touch panel substrate according to the present embodiment.
The display device of this embodiment is, for example, a liquid crystal display device.
In the display device having the above-described configuration, the first substrate 10 is a substrate constituting the liquid crystal display device, while being an on-cell capacitive touch panel substrate.
On the surface of the first substrate 10 opposite to the second substrate 20, a transparent conductive film 12p made of, for example, ITO or the like is formed with a film thickness of, for example, 5 to 50 nm.
The transparent conductive film 12p made of ITO or the like is a film formed by RPD, for example.

例えば、上記の透明導電膜12pは、静電容量型タッチパネルを構成するように、所定のパターンにパターン加工されている。
さらに、例えば、上記のパターン加工された透明導電膜12p上に透明接着剤13を介してガラス基板である第3基板14が張り合わされている。
For example, the transparent conductive film 12p is patterned into a predetermined pattern so as to constitute a capacitive touch panel.
Further, for example, a third substrate 14 which is a glass substrate is bonded to the patterned transparent conductive film 12p with a transparent adhesive 13 interposed therebetween.

上記の構成のタッチパネル基板において、第1基板10及び第3基板14は光学ガラス基板であり、屈折率は例えば1.52程度である。
透明導電膜12pは、例えばITOからなる場合、屈折率は約1.95である。
透明接着剤13は、光学的に透明な接着剤であり、屈折率は例えば1.48〜1.56である。
In the touch panel substrate configured as described above, the first substrate 10 and the third substrate 14 are optical glass substrates, and the refractive index is, for example, about 1.52.
When the transparent conductive film 12p is made of, for example, ITO, the refractive index is about 1.95.
The transparent adhesive 13 is an optically transparent adhesive and has a refractive index of, for example, 1.48 to 1.56.

上記の構成において、透明導電膜12pが例えば5〜50nmの程度にまで薄く形成されていることにより、透明導電膜12pのパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。
また、透明導電膜12pが例えば5〜50nmの程度にまで薄く形成されていることにより、タッチパネル基板における反射率が低減され、透過率が高まり、タッチパネルを組み込んだ表示装置としての特性が高められる。
透明電極膜12pの膜厚が5nm未満の場合、シート抵抗が高くなって電極としての機能が低減してしまい、好ましくない。また、50nmを超えると、反射率低減の効果が小さくなり、好ましくない。
In said structure, when the transparent conductive film 12p is thinly formed, for example to the extent of 5-50 nm, the pattern of the transparent conductive film 12p becomes difficult to see on a display screen, and the aesthetics fall of a display screen can be suppressed.
Further, since the transparent conductive film 12p is thinly formed, for example, to a thickness of about 5 to 50 nm, the reflectance of the touch panel substrate is reduced, the transmittance is increased, and the characteristics as a display device incorporating the touch panel are enhanced.
When the film thickness of the transparent electrode film 12p is less than 5 nm, the sheet resistance becomes high and the function as an electrode is reduced, which is not preferable. On the other hand, if it exceeds 50 nm, the effect of reducing the reflectance is reduced, which is not preferable.

上記を除いては、第1実施形態を同様の構成である。
本実施形態のタッチパネル基板とそれを用いた液晶表示装置によれば、透明導電膜が例えば5〜50nmの膜厚にまで薄膜化されていることにより、当該透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。
Except for the above, the first embodiment has the same configuration.
According to the touch panel substrate of the present embodiment and the liquid crystal display device using the touch panel substrate, the transparent conductive film is thinned to a film thickness of, for example, 5 to 50 nm, so that the transparent conductive film is transparent even if the pattern is formed. The pattern of the conductive film becomes difficult to see on the display screen, and a decrease in the aesthetic appearance of the display screen can be suppressed.

[タッチパネル基板の製造方法]
次に、本実施形態に係るタッチパネル基板の製造方法について説明する。
まず、第1基板10に、例えば、RPDにより、ITOなどからなる透明導電膜12を5〜50nmの膜厚で形成する。
[Method for manufacturing touch panel substrate]
Next, a manufacturing method of the touch panel substrate according to the present embodiment will be described.
First, the transparent conductive film 12 made of ITO or the like is formed on the first substrate 10 with a film thickness of 5 to 50 nm, for example, by RPD.

RPDにより形成されるITO膜は、構成する結晶粒子の粒径がスパッタリングにより形成する場合より大きくなるため、低いシート抵抗が得られ、5〜50nmにまで薄くして用いることができる。
また、スパッタリングと比べてプラズマが基板に与えるダメージを低減でき、成膜対象基板の温度を例えば100℃程度にまで下げても薄い膜厚で十分に低い抵抗率が得られるため、プラスチックや樹脂テープなどを積層させた後での低温プロセスにも適用することができ、さらに被覆率が高められ、凹凸を有する成膜対象基板に対して均一で隙間のない緻密な膜が得られ、シート抵抗が低減され、耐環境性のよいITO膜などの透明導電膜を形成することができる。
Since the ITO film formed by RPD has a larger crystal grain size than that formed by sputtering, a low sheet resistance is obtained, and it can be used as thin as 5 to 50 nm.
Also, compared to sputtering, plasma damage can be reduced, and a sufficiently low resistivity can be obtained with a thin film thickness even if the temperature of the film formation target substrate is lowered to about 100 ° C. Therefore, a plastic or resin tape Can be applied to a low-temperature process after laminating and the like, and the coverage is further increased, and a uniform and dense film can be obtained with respect to the film formation target substrate having unevenness, and the sheet resistance is reduced. A transparent conductive film such as an ITO film that is reduced and has high environmental resistance can be formed.

上記以降の工程は、第1実施形態と同様にして行うことができる。   The subsequent steps can be performed in the same manner as in the first embodiment.

本実施形態のタッチパネル基板の製造方法によれば、透明導電膜を例えば5〜50nmの膜厚にまで薄膜化していることにより、当該透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。   According to the manufacturing method of the touch panel substrate of the present embodiment, the transparent conductive film is thinned to a film thickness of, for example, 5 to 50 nm, so that the pattern of the transparent conductive film is displayed even if the transparent conductive film is patterned. It becomes difficult to see on the screen, and a decrease in the aesthetic appearance of the display screen can be suppressed.

<第4実施形態>
図6は本実施形態に係るオンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板を組み込んだ表示装置の模式構成図である。
本実施形態の表示装置は、例えば、液晶表示装置である。図6に示すように、複数の透明導電膜(12a,12b)が透明接着剤(13a,13b)を介して積層して形成されていることを除いては、実質的に第1実施形態の表示装置と同様の構成である。
本実施形態の複数の透明導電膜(12a,12b)は、例えば透明導電膜12aがX軸方向に延伸するようにパターン加工され、透明導電膜12bがY軸方向に延伸するようにパターン加工されている。
<Fourth embodiment>
FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a display device incorporating the on-cell capacitive touch panel substrate according to the present embodiment.
The display device of this embodiment is, for example, a liquid crystal display device. As shown in FIG. 6, the plurality of transparent conductive films (12a, 12b) are substantially the same as those of the first embodiment except that the transparent conductive films (12a, 12b) are laminated through transparent adhesives (13a, 13b). The configuration is the same as that of the display device.
The plurality of transparent conductive films (12a, 12b) of this embodiment are patterned so that, for example, the transparent conductive film 12a extends in the X-axis direction, and is patterned so that the transparent conductive film 12b extends in the Y-axis direction. ing.

上記の本実施形態のタッチパネルを内蔵した表示装置において、タッチパネルはオンセル型の静電容量方式のタッチパネルである。
例えば、投影型静電容量方式であり、第3基板14の表面に指などでタッチすると、パターン加工された透明導電膜(12a,12b)間の静電容量に変化が生じ、これを検出することでタッチされた位置を(X,Y)座標として特定することが可能となっている。
上記のタッチパネルにおいてタッチされた位置の特定と表示画面の表示内容を関連付けることで、タッチパネルを表示装置の入力インターフェースとして利用することができる。
In the display device incorporating the touch panel of the present embodiment, the touch panel is an on-cell capacitive touch panel.
For example, this is a projected capacitance method, and when the surface of the third substrate 14 is touched with a finger or the like, the capacitance between the patterned conductive films (12a, 12b) changes, and this is detected. Thus, the touched position can be specified as (X, Y) coordinates.
The touch panel can be used as an input interface of the display device by associating the touched position on the touch panel with the display content of the display screen.

本実施形態のタッチパネル基板とそれを用いた液晶表示装置によれば、第1基板に第1基板より屈折率が低い第1屈折率調整膜が形成され、第1屈折率調整膜上に透明導電膜が形成されており、さらに透明導電膜が例えば5〜50nmの膜厚にまで薄膜化されていることにより、当該透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。   According to the touch panel substrate of the present embodiment and the liquid crystal display device using the touch panel substrate, a first refractive index adjustment film having a refractive index lower than that of the first substrate is formed on the first substrate, and the transparent conductive material is formed on the first refractive index adjustment film. Since the film is formed and the transparent conductive film is thinned to a thickness of 5 to 50 nm, for example, the pattern of the transparent conductive film can be seen on the display screen even if the transparent conductive film is patterned. It becomes difficult to suppress a decrease in the appearance of the display screen.

本実施形態のタッチパネル基板は、透明導電膜を形成する工程において、透明導電膜12aをX軸方向に延伸するようにパターン形成し、透明接着剤12aを設けて平坦化した後、透明導電膜12bをY軸方向に延伸するようにパターン形成することを除いて、第1実施形態のタッチパネル基板の製造方法と同様に製造することができる。   In the process of forming the transparent conductive film, the touch panel substrate of the present embodiment is formed by patterning the transparent conductive film 12a so as to extend in the X-axis direction, and after flattening by providing the transparent adhesive 12a, the transparent conductive film 12b Can be manufactured in the same manner as the touch panel substrate manufacturing method of the first embodiment except that the pattern is formed so as to extend in the Y-axis direction.

<第5実施形態>
図7は本実施形態に係るオンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板を組み込んだ表示装置の模式構成図である。
本実施形態の表示装置は、例えば、液晶表示装置である。図7に示すように、複数の透明導電膜(12a,12b)が透明接着剤(13a,13b)を介して積層して形成されていることを除いては、実質的に第2実施形態の表示装置と同様の構成である。
本実施形態の複数の透明導電膜(12a,12b)は、例えば透明導電膜12aがX軸方向に延伸するようにパターン加工され、透明導電膜12bがY軸方向に延伸するようにパターン加工されている。
<Fifth Embodiment>
FIG. 7 is a schematic configuration diagram of a display device incorporating an on-cell capacitive touch panel substrate according to the present embodiment.
The display device of this embodiment is, for example, a liquid crystal display device. As shown in FIG. 7, the second embodiment is substantially the same as that of the second embodiment except that a plurality of transparent conductive films (12a, 12b) are laminated through transparent adhesives (13a, 13b). The configuration is the same as that of the display device.
The plurality of transparent conductive films (12a, 12b) of this embodiment are patterned so that, for example, the transparent conductive film 12a extends in the X-axis direction, and is patterned so that the transparent conductive film 12b extends in the Y-axis direction. ing.

上記の本実施形態のタッチパネルを内蔵した表示装置において、タッチパネルはオンセル型の静電容量方式のタッチパネルである。
例えば、投影型静電容量方式であり、第3基板14の表面に指などでタッチすると、パターン加工された透明導電膜(12a,12b)間の静電容量に変化が生じ、これを検出することでタッチされた位置を(X,Y)座標として特定することが可能となっている。
上記のタッチパネルにおいてタッチされた位置の特定と表示画面の表示内容を関連付けることで、タッチパネルを表示装置の入力インターフェースとして利用することができる。
In the display device incorporating the touch panel of the present embodiment, the touch panel is an on-cell capacitive touch panel.
For example, this is a projected capacitance method, and when the surface of the third substrate 14 is touched with a finger or the like, the capacitance between the patterned conductive films (12a, 12b) changes, and this is detected. Thus, the touched position can be specified as (X, Y) coordinates.
The touch panel can be used as an input interface of the display device by associating the touched position on the touch panel with the display content of the display screen.

本実施形態のタッチパネル基板とそれを用いた液晶表示装置によれば、第1基板に第1基板より屈折率が高い第2屈折率調整膜が形成され、第2屈折率調整膜上に第1基板より屈折率が低い第1屈折率調整膜が形成され、さらに透明導電膜が例えば5〜50nmの膜厚にまで薄膜化されていることにより、当該透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。   According to the touch panel substrate of this embodiment and the liquid crystal display device using the same, the second refractive index adjustment film having a higher refractive index than the first substrate is formed on the first substrate, and the first refractive index adjustment film is formed on the first refractive index adjustment film. A first refractive index adjusting film having a refractive index lower than that of the substrate is formed, and the transparent conductive film is thinned to a film thickness of, for example, 5 to 50 nm, so that the transparent conductive film can be formed even if the transparent conductive film is patterned. The film pattern becomes difficult to see on the display screen, and the aesthetic deterioration of the display screen can be suppressed.

本実施形態のタッチパネル基板は、透明導電膜を形成する工程において、透明導電膜12aをX軸方向に延伸するようにパターン形成し、透明接着剤12aを設けて平坦化した後、透明導電膜12bをY軸方向に延伸するようにパターン形成することを除いて、第2実施形態のタッチパネル基板の製造方法と同様に製造することができる。   In the process of forming the transparent conductive film, the touch panel substrate of the present embodiment is formed by patterning the transparent conductive film 12a so as to extend in the X-axis direction, and after flattening by providing the transparent adhesive 12a, the transparent conductive film 12b Can be manufactured in the same manner as the touch panel substrate manufacturing method of the second embodiment, except that the pattern is formed so as to extend in the Y-axis direction.

<第6実施形態>
図8は本実施形態に係るオンセル型の静電容量方式のタッチパネル基板を組み込んだ表示装置の模式構成図である。
本実施形態の表示装置は、例えば、液晶表示装置である。図8に示すように、複数の透明導電膜(12a,12b)が透明接着剤(13a,13b)を介して積層して形成されていることを除いては、実質的に第3実施形態の表示装置と同様の構成である。
本実施形態の複数の透明導電膜(12a,12b)は、例えば透明導電膜12aがX軸方向に延伸するようにパターン加工され、透明導電膜12bがY軸方向に延伸するようにパターン加工されている。
<Sixth Embodiment>
FIG. 8 is a schematic configuration diagram of a display device incorporating the on-cell capacitive touch panel substrate according to the present embodiment.
The display device of this embodiment is, for example, a liquid crystal display device. As shown in FIG. 8, the third embodiment is substantially the same as that of the third embodiment except that a plurality of transparent conductive films (12a, 12b) are laminated through transparent adhesives (13a, 13b). The configuration is the same as that of the display device.
The plurality of transparent conductive films (12a, 12b) of this embodiment are patterned so that, for example, the transparent conductive film 12a extends in the X-axis direction, and is patterned so that the transparent conductive film 12b extends in the Y-axis direction. ing.

上記の本実施形態のタッチパネルを内蔵した表示装置において、タッチパネルはオンセル型の静電容量方式のタッチパネルである。
例えば、投影型静電容量方式であり、第3基板14の表面に指などでタッチすると、パターン加工された透明導電膜(12a,12b)間の静電容量に変化が生じ、これを検出することでタッチされた位置を(X,Y)座標として特定することが可能となっている。
上記のタッチパネルにおいてタッチされた位置の特定と表示画面の表示内容を関連付けることで、タッチパネルを表示装置の入力インターフェースとして利用することができる。
In the display device incorporating the touch panel of the present embodiment, the touch panel is an on-cell capacitive touch panel.
For example, this is a projected capacitance method, and when the surface of the third substrate 14 is touched with a finger or the like, the capacitance between the patterned conductive films (12a, 12b) changes, and this is detected. Thus, the touched position can be specified as (X, Y) coordinates.
The touch panel can be used as an input interface of the display device by associating the touched position on the touch panel with the display content of the display screen.

本実施形態のタッチパネル基板とそれを用いた液晶表示装置によれば、透明導電膜が例えば5〜50nmの膜厚にまで薄膜化されていることにより、当該透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できる。   According to the touch panel substrate of the present embodiment and the liquid crystal display device using the touch panel substrate, the transparent conductive film is thinned to a film thickness of, for example, 5 to 50 nm, so that the transparent conductive film is transparent even if the pattern is formed. The pattern of the conductive film becomes difficult to see on the display screen, and a decrease in the aesthetic appearance of the display screen can be suppressed.

本実施形態のタッチパネル基板は、透明導電膜を形成する工程において、透明導電膜12aをX軸方向に延伸するようにパターン形成し、透明接着剤12aを設けて平坦化した後、透明導電膜12bをY軸方向に延伸するようにパターン形成することを除いて、第3実施形態のタッチパネル基板の製造方法と同様に製造することができる。   In the process of forming the transparent conductive film, the touch panel substrate of the present embodiment is formed by patterning the transparent conductive film 12a so as to extend in the X-axis direction, and after flattening by providing the transparent adhesive 12a, the transparent conductive film 12b Can be manufactured in the same manner as the touch panel substrate manufacturing method of the third embodiment except that the pattern is formed so as to extend in the Y-axis direction.

<実施例1>
図9は実施例1に係る透明電極膜の膜厚に対する透過率及び反射率を示すグラフである。
光学ガラスに、RPDによりITO膜を形成し、その上層に光学ガラスを張り合わせた試料の透過率T(%)と反射率R(%)のITO膜厚d(nm)に対する依存性を測定した。
<Example 1>
FIG. 9 is a graph showing the transmittance and the reflectance with respect to the film thickness of the transparent electrode film according to Example 1.
The dependency of the transmittance T (%) and the reflectance R (%) on the ITO film thickness d (nm) of the sample in which an ITO film was formed on the optical glass by RPD and the optical glass was laminated thereon was measured.

反射率Rは、ITO膜厚が約70nmのときをピークとして薄くなるにつれて低くなる。特に、50nm以下では反射率Rが4%程度以下となり、20nmで約1%、10nmで約0.2%程度にまで低減できる。   The reflectivity R decreases as the ITO film thickness becomes thin with a peak at about 70 nm. In particular, when the thickness is 50 nm or less, the reflectance R is about 4% or less, and can be reduced to about 1% at 20 nm and about 0.2% at 10 nm.

上記にように、タッチパネル基板とそれを用いた液晶表示装置において、透明導電膜が例えば5〜50nmの膜厚にまで薄膜化されていることにより、当該透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できることが確認された。   As described above, in the touch panel substrate and the liquid crystal display device using the same, the transparent conductive film is thinned to a film thickness of, for example, 5 to 50 nm, so that the transparent conductive film is formed even if the transparent conductive film is patterned. It was confirmed that the film pattern is difficult to see on the display screen, and the aesthetic deterioration of the display screen can be suppressed.

<実施例2>
図10(a)〜(c)は実施例2に係るタッチパネル基板の反射率の波長λ(nm)依存性(反射スペクトル)を示すグラフである。
また、図11(a)〜(c)は実施例2に係るタッチパネル基板の反射率の波長λ(nm)依存性を示すグラフである。
<Example 2>
10A to 10C are graphs showing the wavelength λ (nm) dependence (reflection spectrum) of the reflectance of the touch panel substrate according to Example 2. FIG.
FIGS. 11A to 11C are graphs showing the wavelength λ (nm) dependence of the reflectance of the touch panel substrate according to the second embodiment.

図10(a)は、光学ガラスに、RPDにより10nmのITO膜を形成した試料、図10(b)は、光学ガラスに、RF印加スパッタリングにより25nmの酸化シリコンを形成し、その上層にRPDにより10nmのITO膜を形成した試料、図10(c)は、光学ガラスに、RPDにより10nmのITO膜を形成し、その上層にRF印加スパッタリングにより25nmの酸化シリコンを形成し、その上層にRPDにより10nmのITO膜を形成した試料の各反射スペクトルである。
図11(a)〜(c)は、図10(a)〜(c)の試料に対して、さらに上層に光学ガラスを張り合わせた試料の反射スペクトルである。
10A shows a sample in which an ITO film having a thickness of 10 nm is formed on an optical glass by RPD. FIG. 10B shows an optical glass on which 25 nm of silicon oxide is formed by RF application sputtering, and an upper layer is formed by RPD. A sample with an ITO film having a thickness of 10 nm, FIG. 10C shows an optical glass having an ITO film having a thickness of 10 nm formed by RPD, an upper layer of 25 nm of silicon oxide formed by RF applied sputtering, and an upper layer formed by RPD. It is each reflection spectrum of the sample which formed ITO film of 10 nm.
FIGS. 11A to 11C are reflection spectra of a sample in which optical glass is further bonded to the upper layer of the sample of FIGS. 10A to 10C.

図11(a)に示すように、ITO膜の膜厚を10nmとすることで可視光の全領域で反射率が0.8%を下回り、さらに図11(b)に示すように、ガラス基板とITO膜の間に25nmの酸化シリコン膜を形成することで可視光の全領域で反射率が0.6%を下回り、また、さらに図11(c)に示すように、ガラス基板とITO膜の間に10nmのITO膜及び25nmの酸化シリコン膜を形成することで可視光の全領域で反射率が0.05%を下回った。   As shown in FIG. 11 (a), by setting the thickness of the ITO film to 10 nm, the reflectance is less than 0.8% in the entire visible light region, and further, as shown in FIG. By forming a 25 nm silicon oxide film between the ITO film and the ITO film, the reflectivity is less than 0.6% in the entire visible light region. Further, as shown in FIG. In the meantime, a 10 nm ITO film and a 25 nm silicon oxide film were formed, and the reflectance was below 0.05% in the entire visible light region.

本実施例から、透明導電膜が薄膜化され、さらに、第1基板より屈折率が低い第1屈折率調整膜が形成されていること、あるいは第1基板に第1基板より屈折率が高い第2屈折率調整膜が形成され、第2屈折率調整膜上に第1基板より屈折率が低い第1屈折率調整膜が形成されていることにより、当該透明導電膜がパターン形成されても透明導電膜のパターンが表示画面上に見えにくくなり、表示画面の美観低下を抑制できることが確認された。   From this example, the transparent conductive film is thinned, and the first refractive index adjusting film having a lower refractive index than the first substrate is formed, or the first substrate has a higher refractive index than the first substrate. 2 The refractive index adjusting film is formed, and the first refractive index adjusting film having a lower refractive index than the first substrate is formed on the second refractive index adjusting film, so that the transparent conductive film is transparent even if the pattern is formed. It was confirmed that the pattern of the conductive film became difficult to see on the display screen, and the deterioration of the aesthetic appearance of the display screen could be suppressed.

<実施例3>
図12(a)〜(c)は実施例3に係るタッチパネル基板の反射率の波長依存性を示すグラフである。
また、図13(a)〜(c)は実施例3に係るタッチパネル基板の反射率の波長依存性を示すグラフである。
光学ガラスに、RF印加スパッタリングにより25nmの酸化シリコンを形成し、その上層にRPDにより10nmのITO膜を形成し、その上層に光学ガラスを張り合わせた試料を作成し、反射率R(%)を測定した。
<Example 3>
12A to 12C are graphs showing the wavelength dependence of the reflectance of the touch panel substrate according to Example 3. FIG.
FIGS. 13A to 13C are graphs showing the wavelength dependence of the reflectance of the touch panel substrate according to the third embodiment.
A 25 nm silicon oxide is formed on optical glass by RF applied sputtering, a 10 nm ITO film is formed on the upper layer by RPD, and an optical glass is laminated on the upper layer, and the reflectance R (%) is measured. did.

図12(a)は、ITO膜厚を5%変動させたときの平均の反射率(a1)、最小の反射率(a2)、最大の反射率(a3)である。
図12(b)は、酸化シリコン膜厚を5%変動させたときの平均の反射率(b1)、最小の反射率(b2)、最大の反射率(b3)である。
図12(c)は、ITO膜厚及び酸化シリコン膜をそれぞれ5%変動させたときの平均の反射率(c1)、最小の反射率(c2)、最大の反射率(c3)である。
図12(b)に示すように、酸化シリコン膜が変動しても反射率の変動は小さく、これは、図12(a)と図12(c)がほぼ同等の反射率を示すことからも確認された。即ち、反射率は第1屈折率調整膜の膜厚変動に対する耐性が高いことが確認された。
FIG. 12A shows the average reflectance (a1), minimum reflectance (a2), and maximum reflectance (a3) when the ITO film thickness is changed by 5%.
FIG. 12B shows average reflectance (b1), minimum reflectance (b2), and maximum reflectance (b3) when the silicon oxide film thickness is changed by 5%.
FIG. 12C shows the average reflectance (c1), minimum reflectance (c2), and maximum reflectance (c3) when the ITO film thickness and the silicon oxide film are varied by 5%.
As shown in FIG. 12B, even if the silicon oxide film fluctuates, the variation in the reflectance is small, and this is because the reflectance in FIG. 12A and FIG. confirmed. That is, it was confirmed that the reflectivity has high resistance to the film thickness variation of the first refractive index adjustment film.

図13(a)は、ITO膜厚を10%変動させたときの平均の反射率(a1)、最小の反射率(a2)、最大の反射率(a3)である。
図13(b)は、酸化シリコン膜厚を10%変動させたときの平均の反射率(b1)、最小の反射率(b2)、最大の反射率(b3)である。
図13(c)は、ITO膜厚及び酸化シリコン膜をそれぞれ10%変動させたときの平均の反射率(c1)、最小の反射率(c2)、最大の反射率(c3)である。
上記と同様に、図13(b)に示すように、酸化シリコン膜が変動しても反射率の変動は小さく、これは、図13(a)と図13(c)がほぼ同等の反射率を示すことからも確認された。即ち、反射率は第1屈折率調整膜の膜厚変動に対する耐性が高いことが確認された。
FIG. 13A shows the average reflectance (a1), minimum reflectance (a2), and maximum reflectance (a3) when the ITO film thickness is changed by 10%.
FIG. 13B shows average reflectance (b1), minimum reflectance (b2), and maximum reflectance (b3) when the silicon oxide film thickness is changed by 10%.
FIG. 13C shows the average reflectance (c1), the minimum reflectance (c2), and the maximum reflectance (c3) when the ITO film thickness and the silicon oxide film are each changed by 10%.
Similarly to the above, as shown in FIG. 13B, even if the silicon oxide film fluctuates, the variation in the reflectance is small, which is substantially the same as that in FIGS. 13A and 13C. It was also confirmed from showing. That is, it was confirmed that the reflectivity has high resistance to the film thickness variation of the first refractive index adjustment film.

<実施例4>
図14(a)及び(b)は実施例4に係る成膜に寄与するイオンのエネルギー分布を示すグラフである。
図14(a)は、RPDにおけるインジウムイオン(In)の強度とそのエネルギーE(eV)の分布を示す。
RPDにおいては、エネルギーが100eVを超えるような粒子はなく、実質的に30eV以下の低いエネルギーを有する粒子がほとんどであることが確認された
た、図14(b)は、スパッタリングにおけるアルゴンイオン(Ar)の強度とそのエネルギーE(eV)の分布を示す。
スパッタリングにおいては、エネルギーが100eVを超えるエネルギーの大きい粒子が存在していた。
即ち、RPDではスパッタリングと比べてプラズマが基板に与えるダメージを低減できることが確認された。



<Example 4>
14A and 14B are graphs showing the energy distribution of ions contributing to film formation according to Example 4. FIG.
FIG. 14A shows the intensity of indium ions (In + ) and the distribution of energy E (eV) in RPD.
In RPD, it was confirmed that there were no particles whose energy exceeded 100 eV, and most of the particles had substantially low energy of 30 eV or less .
Also, FIG. 14 (b) shows the intensity and its energy distribution E (eV) of the argon ions (Ar +) in the sputtering.
In sputtering, particles having large energy exceeding 100 eV existed.
In other words, it was confirmed that RPD can reduce damage to the substrate caused by plasma compared to sputtering.



<実施例5>
図15(a)及び(b)は実施例5に係る透明電極膜のX線回折スペクトルである。
光学ガラスに、RPDあるいはスパッタリングにより300nmのITO膜を形成し、試料を作成した。
図15(a)はRPDにより形成したITO膜のX線回折スペクトルである。
RPDでは、(222)面のピークが強く、指向性の高いITO膜が形成できることが確認された。
図15(b)はスパッタリングより形成したITO膜のX線回折スペクトルである。
スパッタリングでは、種々の面のピークが出現し、RPDと比較して指向性の低いITO膜が形成されることが確認された。
<Example 5>
15A and 15B are X-ray diffraction spectra of the transparent electrode film according to Example 5. FIG.
A 300 nm ITO film was formed on the optical glass by RPD or sputtering to prepare a sample.
FIG. 15A is an X-ray diffraction spectrum of an ITO film formed by RPD.
In RPD, it was confirmed that the (222) plane peak was strong and an ITO film with high directivity could be formed.
FIG. 15B is an X-ray diffraction spectrum of the ITO film formed by sputtering.
In sputtering, peaks on various surfaces appeared, and it was confirmed that an ITO film having lower directivity than RPD was formed.

<実施例6>
図16(a)及び(b)は実施例6に係る透明電極膜の電子顕微鏡写真である。
光学ガラスに、RPDあるいはスパッタリングにより300nmのITO膜を形成し、試料を作成した。
図16(a)はRPDにより形成したITO膜の電子顕微鏡写真である。
RPDでは、結晶の粒径が大きく、表面粗さが8nmと低い膜が形成できることが確認された。
図16(b)はスパッタリングにより形成したITO膜の電子顕微鏡写真である。
スパッタリングでは、結晶の粒径が小さく、表面粗さが30nmと大きい膜が形成されることが確認された。
<Example 6>
16A and 16B are electron micrographs of the transparent electrode film according to Example 6. FIG.
A 300 nm ITO film was formed on the optical glass by RPD or sputtering to prepare a sample.
FIG. 16A is an electron micrograph of an ITO film formed by RPD.
In RPD, it was confirmed that a film having a large crystal grain size and a low surface roughness of 8 nm can be formed.
FIG. 16B is an electron micrograph of an ITO film formed by sputtering.
In sputtering, it was confirmed that a film having a small crystal grain size and a large surface roughness of 30 nm was formed.

<実施例7>
図17は実施例7に係る透明電極膜の抵抗率の成膜温度依存性を示すグラフである。
光学ガラスにRPD(a)あるいはスパッタリング(b)により種々の成膜温度T(℃)でITO膜を形成し、試料を作成し、抵抗率R(μΩ・m)を測定した。
RPDによれば、スパッタリングより低い抵抗率Rを有するITO膜を形成できることが確認された。
特に、10Ω/□のシート抵抗を得るためのITO膜厚は、100℃の温度ではRPDで200nmであったのに対し、スパッタリングでは300nm以上必要であった。
<Example 7>
FIG. 17 is a graph showing the film formation temperature dependence of the resistivity of the transparent electrode film according to Example 7.
An ITO film was formed on the optical glass at various film forming temperatures T (° C.) by RPD (a) or sputtering (b), samples were prepared, and resistivity R (μΩ · m) was measured.
According to RPD, it was confirmed that an ITO film having a resistivity R lower than that of sputtering can be formed.
In particular, the ITO film thickness for obtaining a sheet resistance of 10Ω / □ was 200 nm in RPD at a temperature of 100 ° C., but 300 nm or more was required in sputtering.

<実施例8>
図18は実施例8に係る透明電極膜の透過率と反射率の和の波長依存性(光吸収スペクトル)である。
光学ガラスにRPDにより種々の膜厚のITO膜を形成し、透過率T(%)と反射率R(%)を測定した。
図18中、縦軸は透過率Tと反射率Rの和であり、100(%)から低下した分は光吸収を示す。光学ガラスのみ(a)に対して、ITO膜を25nm(b),50nm(c),100nm(d),150nm(e),200nm(f),250nm(g)の各膜厚で形成した。
RPDにより形成したITO膜は、厚くするにつれて光吸収が大きくなるが、例えば膜厚が50nm以下の薄い領域では可視光領域で光吸収スペクトルがほぼ平坦であることが確認された。即ち、例えば膜厚が50nm以下のITO膜は、可視光に対して実質的に透明である膜となっている。
<Example 8>
FIG. 18 shows the wavelength dependence (light absorption spectrum) of the sum of the transmittance and reflectance of the transparent electrode film according to Example 8.
ITO films having various thicknesses were formed on the optical glass by RPD, and the transmittance T (%) and the reflectance R (%) were measured.
In FIG. 18, the vertical axis represents the sum of the transmittance T and the reflectance R, and the amount reduced from 100 (%) indicates light absorption. An ITO film having a thickness of 25 nm (b), 50 nm (c), 100 nm (d), 150 nm (e), 200 nm (f), and 250 nm (g) was formed on optical glass only (a).
As the thickness of the ITO film formed by RPD increases, light absorption increases. For example, in a thin region having a thickness of 50 nm or less, it was confirmed that the light absorption spectrum is almost flat in the visible light region. That is, for example, an ITO film having a thickness of 50 nm or less is a film that is substantially transparent to visible light.

本発明は上記の説明に限定されない。
例えば、実施形態においてはタッチパネル基板を液晶表示装置に適用した形態を示しているが、これに限らず、LED(発光ダイオード)表示装置、有機EL(Electro Luminescence)などのEL表示装置、VFD(蛍光表示管)表示装置、PDP(プラズマディスプレイパネル)などの液晶表示装置以外の表示装置に適用可能であり、各種の表示装置を構成する基板を本発明のタッチパネル基板とすることで、内蔵オンセル型のタッチパネル付表示装置を実現可能である。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
The present invention is not limited to the above description.
For example, in the embodiment, a mode in which the touch panel substrate is applied to a liquid crystal display device is shown, but not limited thereto, an LED (light emitting diode) display device, an organic EL (Electro Luminescence) display device, a VFD (fluorescence), and the like. Display tube) Applicable to display devices other than liquid crystal display devices such as display devices and PDPs (plasma display panels). By making the substrate constituting various display devices into a touch panel substrate of the present invention, a built-in on-cell type A display device with a touch panel can be realized.
In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

10…第1基板
11…第1屈折率調整膜
12,12p,12a,12b…透明導電膜
13,13a、13b…透明接着剤
14…第3基板
15…第2屈折率調整膜
20…第2基板
30…液晶層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... 1st board | substrate 11 ... 1st refractive index adjustment film | membrane 12, 12p, 12a, 12b ... Transparent conductive film 13, 13a, 13b ... Transparent adhesive 14 ... 3rd board | substrate 15 ... 2nd refractive index adjustment film | membrane 20 ... 2nd Substrate 30 ... Liquid crystal layer

Claims (17)

光学ガラスからなる第1基板と、
前記第1基板上にパターン加工されて形成された透明導電膜と、
を有し、
前記透明導電膜は、
反応性プラズマ蒸着により形成され、構成する結晶粒子の粒径がスパッタリングによる膜より大きく、表面粗さが小さく、
前記透明導電膜の膜厚が10nmである
静電容量型タッチパネル基板。
A first substrate made of optical glass;
A transparent conductive film formed by patterning on the first substrate;
Have
The transparent conductive film is
Is formed by reactive plasma deposition, the particle diameter of crystal grains constituting greater than film by sputtering, the surface roughness is rather small,
A capacitive touch panel substrate, wherein the transparent conductive film has a thickness of 10 nm .
光学ガラスからなる第1基板と、
前記第1基板上にパターン加工されて形成された透明導電膜と、
前記第1基板と前記透明導電膜の間に形成された前記第1基板より屈折率が低い材料からなる第1屈折率調整膜と、
前記第1基板と前記第1屈折率調整膜の間に形成された前記第1基板より屈折率が高い第2屈折率調整膜と、
を有し、
前記透明導電膜は、
反応性プラズマ蒸着により形成され、構成する結晶粒子の粒径がスパッタリングによる膜より大きく、表面粗さが小さく、
前記第2屈折率調整膜が反応性プラズマ蒸着により成膜した膜であり、
前記第1屈折率調整膜がスパッタリングにより成膜した膜である
静電容量型タッチパネル基板。
A first substrate made of optical glass;
A transparent conductive film formed by patterning on the first substrate;
A first refractive index adjusting film made of a material having a refractive index lower than that of the first substrate formed between the first substrate and the transparent conductive film;
A second refractive index adjusting film having a refractive index higher than that of the first substrate formed between the first substrate and the first refractive index adjusting film ;
Have
The transparent conductive film is
Is formed by reactive plasma deposition, the particle diameter of crystal grains constituting greater than film by sputtering, the surface roughness is rather small,
The second refractive index adjusting film is a film formed by reactive plasma deposition;
A capacitive touch panel substrate, wherein the first refractive index adjusting film is a film formed by sputtering .
前記透明導電膜が、酸化インジウムスズからなり、
前記第1屈折率調整膜が、酸化シリコンまたはフッ化マグネシウムからなり、
前記第2屈折率調整膜が、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化チタン、または酸化インジウムスズからなる
請求項2に記載の静電容量型タッチパネル基板。
The transparent conductive film is made of indium tin oxide,
The first refractive index adjustment film is made of silicon oxide or magnesium fluoride,
The capacitive touch panel substrate according to claim 2, wherein the second refractive index adjustment film is made of niobium oxide, tantalum oxide, titanium oxide, or indium tin oxide.
前記透明導電膜の膜厚が10nmである
請求項2または3に記載の静電容量型タッチパネル基板。
The capacitive touch panel substrate according to claim 2 or 3, wherein the transparent conductive film has a thickness of 10 nm.
前記透明導電膜は可視光の全域に対して実質的に透明である
請求項1〜4のいずれかに記載の静電容量型タッチパネル基板。
The capacitive touch panel substrate according to claim 1, wherein the transparent conductive film is substantially transparent to the entire visible light region.
パターン加工された前記透明導電膜上に透明接着剤を介して光学ガラスからなる他の基板が張り合わされている
請求項1〜5のいずれかに記載の静電容量型タッチパネル基板。
The capacitive touch panel substrate according to claim 1, wherein another substrate made of optical glass is bonded to the patterned transparent conductive film via a transparent adhesive.
前記透明導電膜として複数の透明導電膜が透明接着剤を介して積層して形成されている
請求項1〜6のいずれかに記載の静電容量型タッチパネル基板。
The capacitive touch panel substrate according to any one of claims 1 to 6, wherein a plurality of transparent conductive films are laminated as transparent conductive films via a transparent adhesive.
光学ガラスからなる第1基板上にパターン加工した透明導電膜を形成する工程を有し、
前記透明導電膜を形成する工程において、
透明導電膜を反応性プラズマ蒸着により形成し、構成する結晶粒子の粒径をスパッタリングによる膜より大きく、表面粗さを小さくし、
前記透明導電膜の膜厚を10nmで形成する
静電容量型タッチパネル基板の製造方法。
Having a step of forming a patterned transparent conductive film on a first substrate made of optical glass;
In the step of forming the transparent conductive film,
A transparent conductive film is formed by reactive plasma deposition, the crystal grain size of the constituent is larger than the film by sputtering, the surface roughness is reduced ,
A method for manufacturing a capacitive touch panel substrate, wherein the transparent conductive film is formed with a thickness of 10 nm .
光学ガラスからなる第1基板上にパターン加工した透明導電膜を形成する工程を有し、
前記透明導電膜を形成する工程の前に、前記第1基板上に前記第1基板より屈折率が低い材料からなる第1屈折率調整膜を形成する工程をさらに有し、
前記透明導電膜を形成する工程においては、前記第1屈折率調整膜上に前記透明導電膜を形成し、
前記第1屈折率調整膜を形成する工程の前に、前記第1基板上に前記第1基板より屈折率が高い第2屈折率調整膜を形成する工程をさらに有し、
前記第1屈折率調整膜を形成する工程においては、前記第2屈折率調整膜上に前記第1屈折率調整膜を形成し、
前記透明導電膜を形成する工程において、
透明導電膜を反応性プラズマ蒸着により形成し、構成する結晶粒子の粒径をスパッタリングによる膜より大きく、表面粗さを小さくし、
前記第2屈折率調整膜を形成する工程においては、前記第2屈折率調整膜を反応性プラズマ蒸着により成膜し、
前記第1屈折率調整膜を形成する工程においては、前記第1屈折率調整膜をスパッタリングにより成膜し、
前記透明導電膜を形成する工程においては、前記透明導電膜を反応性プラズマ蒸着により成膜する
静電容量型タッチパネル基板の製造方法。
Having a step of forming a patterned transparent conductive film on a first substrate made of optical glass;
Before the step of forming the transparent conductive film, further comprising a step of forming a first refractive index adjustment film made of a material having a refractive index lower than that of the first substrate on the first substrate;
In the step of forming the transparent conductive film, the transparent conductive film is formed on the first refractive index adjustment film,
Before the step of forming the first refractive index adjustment film, further comprising the step of forming a second refractive index adjustment film having a higher refractive index than the first substrate on the first substrate;
In the step of forming the first refractive index adjustment film, the first refractive index adjustment film is formed on the second refractive index adjustment film,
In the step of forming the transparent conductive film,
A transparent conductive film is formed by reactive plasma deposition, the crystal grain size of the constituent is larger than the film by sputtering, the surface roughness is reduced ,
In the step of forming the second refractive index adjustment film, the second refractive index adjustment film is formed by reactive plasma deposition,
In the step of forming the first refractive index adjustment film, the first refractive index adjustment film is formed by sputtering,
In the step of forming the transparent conductive film, a method of manufacturing a capacitive touch panel substrate in which the transparent conductive film is formed by reactive plasma deposition .
前記透明導電膜を形成する工程においては、前記透明導電膜を酸化インジウムスズから形成し、
前記第1屈折率調整膜を形成する工程においては、前記第1屈折率調整膜を酸化シリコンまたはフッ化マグネシウムから形成し、
前記第2屈折率調整膜を形成する工程においては、前記第2屈折率調整膜を酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化チタン、または酸化インジウムスズから形成する
請求項9に記載の静電容量型タッチパネル基板の製造方法。
In the step of forming the transparent conductive film, the transparent conductive film is formed from indium tin oxide,
In the step of forming the first refractive index adjustment film, the first refractive index adjustment film is formed from silicon oxide or magnesium fluoride,
10. The capacitive touch panel substrate according to claim 9, wherein in the step of forming the second refractive index adjustment film, the second refractive index adjustment film is formed of niobium oxide, tantalum oxide, titanium oxide, or indium tin oxide. Manufacturing method.
前記透明導電膜の膜厚を10nmで形成する
請求項9または10に記載の静電容量型タッチパネル基板の製造方法。
The method of manufacturing a capacitive touch panel substrate according to claim 9 or 10, wherein the transparent conductive film is formed with a thickness of 10 nm.
前記透明導電膜は可視光の全域に対して実質的に透明である
請求項8〜11のいずれかに記載の静電容量型タッチパネル基板の製造方法。
The method for manufacturing a capacitive touch panel substrate according to claim 8, wherein the transparent conductive film is substantially transparent to the entire visible light region.
前記透明導電膜を形成する工程の後に、パターン加工された前記透明導電膜上に透明接着剤を介して光学ガラスからなる他の基板が張り合わせる工程をさらに有する
請求項8〜12のいずれかに記載の静電容量型タッチパネル基板の製造方法。
13. The method according to claim 8, further comprising a step of bonding another substrate made of optical glass on the patterned transparent conductive film via a transparent adhesive after the step of forming the transparent conductive film. The manufacturing method of the electrostatic capacitance type touch panel substrate of description.
前記透明導電膜を形成する工程において、前記透明導電膜として複数の透明導電膜が透明接着剤を介して積層して形成する
請求項8〜13のいずれかに記載の静電容量型タッチパネル基板の製造方法。
The capacitive touch panel substrate according to claim 8, wherein in the step of forming the transparent conductive film, a plurality of transparent conductive films are stacked as the transparent conductive film via a transparent adhesive. Production method.
成膜チャンバと、
前記成膜チャンバ内に設けられた光学ガラスからなる第1基板を保持する保持部と
記成膜チャンバ内に設けられ、前記第1基板に透明導電膜を堆積させる透明導電膜材料供給部と
を有し、
前記保持部に光学ガラスからなる第1基板を保持し、前記第1基板に上に透明導電膜をパターン加工して形成し、
前記透明導電膜を形成するに際し、
透明導電膜を反応性プラズマ蒸着により形成し、構成する結晶粒子の粒径をスパッタリングによる膜より大きく、表面粗さを小さくし、
前記透明導電膜の膜厚を10nmで形成する
静電容量型タッチパネル基板の製造装置。
A deposition chamber;
A holding unit for holding a first substrate made of optical glass provided in the film forming chamber ;
Before provided KiNarumaku chamber, and a first transparent conductive material supply unit for depositing a transparent conductive film on a substrate,
A first substrate made of optical glass is held in the holding part, and a transparent conductive film is formed on the first substrate by patterning,
In forming the transparent conductive film,
A transparent conductive film is formed by reactive plasma deposition, the crystal grain size of the constituent is larger than the film by sputtering, the surface roughness is reduced ,
An apparatus for manufacturing a capacitive touch panel substrate, wherein a film thickness of the transparent conductive film is 10 nm .
成膜チャンバと、
前記成膜チャンバ内に設けられた光学ガラスからなる第1基板を保持する保持部と、
前記成膜チャンバ内に設けられ、前記第1基板に前記第1基板の屈折率より高い材料からなる第2屈折率調整膜を堆積させる第2屈折率調整膜材料供給部と、
前記成膜チャンバ内に設けられ、前記第1基板に前記第1基板の屈折率より低い材料からなる第1屈折率調整膜を堆積させる第1屈折率調整膜材料供給部と、
前記成膜チャンバ内に設けられ、前記第1基板に透明導電膜を堆積させる透明導電膜材料供給部と
を有し、
前記保持部に光学ガラスからなる第1基板を保持し、前記第1基板に前記第1基板の屈折率より高い材料からなる第2屈折率調整膜を形成し、前記第2屈折率調整膜上に前記第1基板の屈折率より低い材料からなる第1屈折率調整膜を形成し、前記第1屈折率調整膜上に透明導電膜をパターン加工して形成し、
前記第2屈折率調整膜を反応性プラズマ蒸着により成膜し、
前記第1屈折率調整膜をスパッタリングにより成膜し、
透明導電膜を反応性プラズマ蒸着により形成し、構成する結晶粒子の粒径をスパッタリングによる膜より大きく、表面粗さを小さくする
静電容量型タッチパネル基板の製造装置。
A deposition chamber;
A holding unit for holding a first substrate made of optical glass provided in the film forming chamber;
A second refractive index adjusting film material supply unit provided in the film forming chamber and depositing a second refractive index adjusting film made of a material higher than the refractive index of the first substrate on the first substrate;
A first refractive index adjusting film material supply unit provided in the film forming chamber and depositing a first refractive index adjusting film made of a material lower than the refractive index of the first substrate on the first substrate;
A transparent conductive film material supply unit provided in the film forming chamber and depositing a transparent conductive film on the first substrate;
Have
A first substrate made of optical glass is held by the holding unit, a second refractive index adjusting film made of a material higher than the refractive index of the first substrate is formed on the first substrate, and the second refractive index adjusting film is formed on the second substrate. Forming a first refractive index adjustment film made of a material lower than the refractive index of the first substrate, patterning a transparent conductive film on the first refractive index adjustment film,
Forming the second refractive index adjusting film by reactive plasma deposition;
Forming the first refractive index adjusting film by sputtering;
An apparatus for manufacturing a capacitive touch panel substrate in which a transparent conductive film is formed by reactive plasma vapor deposition, and the crystal grain size of the transparent conductive film is larger than that of a film formed by sputtering and the surface roughness is reduced .
前記透明導電膜の膜厚を10nmで形成する
請求項16に記載の静電容量型タッチパネル基板の製造装置。
The apparatus for manufacturing a capacitive touch panel substrate according to claim 16, wherein the transparent conductive film is formed with a thickness of 10 nm .
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