JP2019023772A - Input device - Google Patents

Input device Download PDF

Info

Publication number
JP2019023772A
JP2019023772A JP2015247600A JP2015247600A JP2019023772A JP 2019023772 A JP2019023772 A JP 2019023772A JP 2015247600 A JP2015247600 A JP 2015247600A JP 2015247600 A JP2015247600 A JP 2015247600A JP 2019023772 A JP2019023772 A JP 2019023772A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
optical layer
input device
electrode
optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2015247600A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
大 中垣内
Dai Nakagauchi
大 中垣内
高橋 英明
Hideaki Takahashi
英明 高橋
小林 潔
Kiyoshi Kobayashi
潔 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alps Alpine Co Ltd
Original Assignee
Alps Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Alps Electric Co Ltd filed Critical Alps Electric Co Ltd
Priority to JP2015247600A priority Critical patent/JP2019023772A/en
Priority to PCT/JP2016/087572 priority patent/WO2017104809A1/en
Publication of JP2019023772A publication Critical patent/JP2019023772A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Position Input By Displaying (AREA)

Abstract

To provide an input device that can prevent a pattern formed on a substrate from being unintentionally exposed.SOLUTION: An input device of the present invention comprises: a position detection unit that is provided on a substrate and has a plurality of detection electrodes; an optical layer that is provided on the position detection unit; and a protective member that is provided on the optical layer. In such the input device, the optical layer includes a first optical layer that is provided on the position detection unit and has a first refractive index, a film-like second optical layer that is provided on the first optical layer and includes a reflection adjustment layer having a second refractive index, and a third optical layer that is provided on the second optical layer and has a third refractive index. The refractive index of a layer of the reflection adjustment layer in contact with the third optical layer is lower than the second refractive index by 0.25 or more.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、入力装置に関し、特に基材の上に形成されたパターンが意図せず見えてしまうことを抑制できる入力装置に関する。   The present invention relates to an input device, and more particularly, to an input device that can suppress unintentionally seeing a pattern formed on a substrate.

各種情報処理装置では、カラー液晶表示パネルの前方に透光性の入力装置が配置されている。この入力装置はタッチパネルと称される。タッチパネルでは電極間に静電容量が形成され、人の指が接近したときの電荷の移動の変化から指の接近位置の座標を判定している。この電荷の移動の変化を検出するには、静電容量式センサが用いられる。   In various information processing apparatuses, a translucent input device is arranged in front of a color liquid crystal display panel. This input device is called a touch panel. In the touch panel, a capacitance is formed between the electrodes, and the coordinates of the approach position of the finger are determined from the change in charge movement when the finger of the person approaches. In order to detect this change in charge movement, a capacitive sensor is used.

ここで、表示パネルに画像が表示されていない場合、外から進入する光の反射によってタッチパネルの配線パターンが見えてしまうことがある。特許文献1には、透明基板の少なくとも一方面にパターニングされた透明導電膜を有し、透明基板を介して透明導電膜が形成されているパターン形成領域を透過した光の透過スペクトルと、透明基板を介して透明導電膜が形成されていない非パターン形成領域を透過した光の透過スペクトルとを近似させる透過率調節層を備えている透明面状体および透明タッチスイッチが開示される。この透過率調節層によって、透明面状体および透明タッチスイッチの視認性を向上させることができる。   Here, when an image is not displayed on the display panel, the wiring pattern of the touch panel may be seen due to reflection of light entering from the outside. Patent Document 1 includes a transparent conductive film patterned on at least one surface of a transparent substrate, a transmission spectrum of light transmitted through a pattern formation region where the transparent conductive film is formed through the transparent substrate, and a transparent substrate. A transparent planar body and a transparent touch switch that include a transmittance adjusting layer that approximates a transmission spectrum of light that has passed through a non-pattern forming region where a transparent conductive film is not formed are disclosed. With this transmittance adjusting layer, the visibility of the transparent planar body and the transparent touch switch can be improved.

特許文献2には、タッチセンシング要素としての透明導体のパターンを含み、その透明導体パターンの可視性を抑制するような層構成を有するタッチスクリーンが開示されている。このタッチスクリーンには、基板を覆うコーティング、そのコーティングの上に配置された透明導体パターン、およびその透明導体パターンと透明導体パターンによって覆われていないコーティングの領域とを覆い、それらに接触する充填材料が含まれる。この充填材料の屈折率としては、基板の屈折率より低く、かつ透明導体パターンの屈折率より低くなっている。   Patent Document 2 discloses a touch screen that includes a transparent conductor pattern as a touch sensing element and has a layer structure that suppresses the visibility of the transparent conductor pattern. The touch screen includes a coating covering the substrate, a transparent conductor pattern disposed on the coating, and a filling material that covers and contacts the transparent conductor pattern and a region of the coating not covered by the transparent conductor pattern. Is included. The filling material has a refractive index lower than that of the substrate and lower than that of the transparent conductor pattern.

国際公開WO2006/126604International Publication WO2006 / 126604 特表2007−508639号公報Special table 2007-508639 gazette

しかしながら、このような入力装置において、反射によって検出電極等のパターンが見えてしまう現象(以下、「パターン見え」とも言う。)について、様々な入力装置の形態において確実なパターン見えの抑制が望まれている。   However, in such an input device, it is desired to reliably suppress the appearance of the pattern in various forms of the input device with respect to a phenomenon in which the pattern of the detection electrode or the like is seen by reflection (hereinafter also referred to as “pattern appearance”). ing.

本発明は、基材の上に形成されたパターンが意図せず見えてしまうことを抑制できる入力装置を提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the input device which can suppress that the pattern formed on the base material looks unintentionally.

上記課題を解決するため、本発明の入力装置は、基材の上に設けられ、複数の検出電極を有する位置検出部と、位置検出部の上に設けられた光学層と、光学層の上に設けられた保護部材と、を備える。このような入力装置において、光学層は、位置検出部の上に設けられ、第1の屈折率を有する第1光学層と、第1光学層の上に設けられ、第2の屈折率を有する反射調整層を含むフィルム状の第2光学層と、第2光学層の上に設けられ、第3の屈折率を有する第3光学層と、を有し、反射調整層の第3光学層側の面に接する層の屈折率は、第2の屈折率よりも0.25以上低いことを特徴とする。   In order to solve the above problems, an input device of the present invention is provided on a base material, and includes a position detection unit having a plurality of detection electrodes, an optical layer provided on the position detection unit, and an optical layer. And a protective member provided on the surface. In such an input device, the optical layer is provided on the position detection unit, and is provided on the first optical layer having the first refractive index, and on the first optical layer, and has the second refractive index. A film-like second optical layer including a reflection adjustment layer; and a third optical layer provided on the second optical layer and having a third refractive index. The third optical layer side of the reflection adjustment layer The refractive index of the layer in contact with the surface is characterized by being 0.25 or more lower than the second refractive index.

このような構成によれば、反射調整層と第3光学層側の層との境界での反射光によって、位置検出部と第1光学層との境界での反射光の強度が相対的に弱められ、位置検出部における複数の検出電極のパターン見えを抑制することができる。また、反射調整層がフィルム状のため、反射調整層と第3光学層との境界が平坦となり、この境界での反射光の相対的な強度をより高めて、パターン見えを抑制しやすくなる。   According to such a configuration, the intensity of the reflected light at the boundary between the position detection unit and the first optical layer is relatively weakened by the reflected light at the boundary between the reflection adjusting layer and the third optical layer side. Thus, the pattern appearance of the plurality of detection electrodes in the position detection unit can be suppressed. In addition, since the reflection adjustment layer is in the form of a film, the boundary between the reflection adjustment layer and the third optical layer becomes flat, and the relative intensity of reflected light at this boundary is further increased, making it easier to suppress the pattern appearance.

本発明の入力装置において、反射調整層の第3光学層側の面に接する層の厚さは1μm以上であってもよい。これにより、第3光学層側の面で反射する光と、その反対側の面で反射する光とが干渉することに起因する色ムラなどの不具合が発生しにくくなる。   In the input device of the present invention, the thickness of the layer in contact with the surface on the third optical layer side of the reflection adjustment layer may be 1 μm or more. This makes it difficult for defects such as color unevenness caused by interference between the light reflected on the surface on the third optical layer side and the light reflected on the surface on the opposite side to occur.

本発明の入力装置において、第1光学層の厚さは1μm以上であってもよい。これにより、位置検出部のパターンの凹凸があっても第1光学層の表面の平坦性を得ることができる。第1光学層の表面が平坦になることで、その上に設けられる第2光学層を平坦にすることができ、パターン見えを抑制する反射光を得やすくなる。   In the input device of the present invention, the thickness of the first optical layer may be 1 μm or more. Thereby, even if there is unevenness in the pattern of the position detection unit, the flatness of the surface of the first optical layer can be obtained. By flattening the surface of the first optical layer, the second optical layer provided thereon can be flattened, and it becomes easy to obtain reflected light that suppresses pattern appearance.

本発明の入力装置にいて、反射調整層は第3光学層と接し、第2の屈折率は第3の屈折率よりも0.25以上高くなっていてもよい。これにより、反射調整層と第3光学層との境界での反射光によって、観察側からみたパターン見えを抑制しやすくなる。   In the input device of the present invention, the reflection adjustment layer may be in contact with the third optical layer, and the second refractive index may be 0.25 or more higher than the third refractive index. Thereby, it becomes easy to suppress the pattern appearance seen from the observation side by the reflected light at the boundary between the reflection adjusting layer and the third optical layer.

本発明の入力装置において、反射調整層の第3光学層側の面に接する層は、第2光学層が備える層である、これにより、層構造の簡素化を図ることができる。   In the input device of the present invention, the layer in contact with the surface on the third optical layer side of the reflection adjustment layer is a layer provided in the second optical layer, whereby the layer structure can be simplified.

本発明の入力装置において、第1光学層および第3光学層は、光学透明粘着層であってもよい。また、第2光学層は、基材フィルムと基材フィルムの上に設けられた反射調整層とを備えていてもよい。この基材フィルムとして、透光性フィルムを備えていてもよい。この透光性フィルムは、ポリエチレンテレフタレート、シクロオレフィンポリマーおよびポリカーボネートからなる群から選ばれる1種または2種以上を含んでいてもよい。基材フィルムは、透光性フィルムと、透光性フィルムの上に設けられたアクリル系樹脂を含む層とを備えていてもよい。   In the input device of the present invention, the first optical layer and the third optical layer may be optically transparent adhesive layers. The second optical layer may include a base film and a reflection adjustment layer provided on the base film. As this base film, you may provide the translucent film. This translucent film may contain 1 type (s) or 2 or more types chosen from the group which consists of a polyethylene terephthalate, a cycloolefin polymer, and a polycarbonate. The base film may include a translucent film and a layer including an acrylic resin provided on the translucent film.

本発明の入力装置において、反射調整層は積層構造を有していてもよい。反射調整層は、酸化物または無機物を含む樹脂層を備えていてもよい。反射調整層は、酸化物層または無機物層を備えていてもよい。   In the input device of the present invention, the reflection adjustment layer may have a laminated structure. The reflection adjustment layer may include a resin layer containing an oxide or an inorganic substance. The reflection adjustment layer may include an oxide layer or an inorganic layer.

本発明の入力装置において、保護部材は、光学層とは反対側の面に曲面を有していてもよい。保護部材が曲面を有していると、曲面での反射光の強度が、位置検出部と第1光学層との境界での反射光の強度よりも相対的に低くなり、パターン見えが発生しやすくなる。このような曲面を入力装置であっても、反射調整層を設けることで、反射調整層と第3光学層側の層との境界での反射光の発生によって、位置検出部と第1光学層との境界での反射光の相対的な強度を弱めることができ、パターン見えを効果的に抑制することができる。   In the input device of the present invention, the protective member may have a curved surface on the surface opposite to the optical layer. If the protective member has a curved surface, the intensity of the reflected light on the curved surface is relatively lower than the intensity of the reflected light at the boundary between the position detection unit and the first optical layer, and pattern appearance occurs. It becomes easy. Even if such a curved surface is an input device, by providing a reflection adjustment layer, the position detection unit and the first optical layer are generated by the generation of reflected light at the boundary between the reflection adjustment layer and the third optical layer side. The relative intensity of the reflected light at the boundary between and can be reduced, and the pattern appearance can be effectively suppressed.

本発明の入力装置において、複数の検出電極は、互いに交差する方向に延びる第1電極と第2電極とを有し、第1電極は、第1電極と第2電極との交差位置に設けられたブリッジ配線部を有していてもよい。ブリッジ配線部を有していると、その凹凸による反射でパターン見えが発生しやすい。このようなブリッジ配線部が設けられた入力装置であっても、反射調整層を設けることで、パターン見えを効果的に抑制することができる。   In the input device of the present invention, the plurality of detection electrodes have a first electrode and a second electrode extending in a direction intersecting each other, and the first electrode is provided at an intersection position of the first electrode and the second electrode. A bridge wiring portion may be included. When the bridge wiring portion is provided, pattern appearance is likely to occur due to reflection by the unevenness. Even in an input device provided with such a bridge wiring portion, pattern appearance can be effectively suppressed by providing a reflection adjustment layer.

本発明によれば、基材の上に形成されたパターンが意図せず見えてしまうことを抑制することが可能になる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it becomes possible to suppress that the pattern formed on the base material looks unintentionally.

(a)および(b)は、第1実施形態に係る静電容量式センサを例示する平面図である。(A) And (b) is a top view which illustrates the capacitive sensor which concerns on 1st Embodiment. (a)および(b)は、静電容量式センサの一部の断面図である。(A) And (b) is sectional drawing of a part of electrostatic capacitance type sensor. 静電容量式センサにおける光の反射について例示する断面図である。It is sectional drawing which illustrates about reflection of the light in an electrostatic capacitance type sensor. (a)および(b)は、光学層の他の構成例を示す断面図である。(A) And (b) is sectional drawing which shows the other structural example of an optical layer.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の説明では、同一の部材には同一の符号を付し、一度説明した部材については適宜その説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the same members are denoted by the same reference numerals, and the description of the members once described is omitted as appropriate.

(入力装置の構成)
図1(a)および(b)は、第1実施形態に係る静電容量式センサを例示する平面図である。図1(a)には静電容量式センサ1の全体図が表され、図1(b)には図1(a)のA部の拡大図が表される。本実施形態において、静電容量式センサ1は、入力装置の一例である。なお、この明細書において、「透明」「透光性」とは可視光線透過率が50%以上(好ましくは80%以上)の状態を指す。さらにヘイズ値が6以下であることが好適である。
(Configuration of input device)
FIG. 1A and FIG. 1B are plan views illustrating the capacitive sensor according to the first embodiment. FIG. 1A shows an overall view of the capacitance type sensor 1, and FIG. 1B shows an enlarged view of a portion A of FIG. 1A. In the present embodiment, the capacitive sensor 1 is an example of an input device. In this specification, “transparent” and “translucent” refer to a state where the visible light transmittance is 50% or more (preferably 80% or more). Further, it is preferable that the haze value is 6 or less.

図1(a)に表したように、本実施形態に係る静電容量式センサ1は、基材10の位置検出部Sに設けられた第1電極11および第2電極12を備える。基材10は、ポリエチレンテレフタレート(PET)、シクロオレフィンポリマー(COP)等のフィルム状の透明基材やガラス基材等で形成される。第1電極11および第2電極12は位置検出部S内において指が接触(接近)した位置を検出する検出電極である。第1電極11および第2電極12は、ITO(Indium Tin Oxide)等の透明導電材料でスパッタや蒸着等により成膜される。   As shown in FIG. 1A, the capacitive sensor 1 according to this embodiment includes a first electrode 11 and a second electrode 12 provided in the position detection unit S of the base material 10. The substrate 10 is formed of a film-like transparent substrate such as polyethylene terephthalate (PET) or cycloolefin polymer (COP), a glass substrate, or the like. The first electrode 11 and the second electrode 12 are detection electrodes that detect a position where the finger contacts (approaches) in the position detection unit S. The first electrode 11 and the second electrode 12 are formed of a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) by sputtering or vapor deposition.

第1電極11は基材10の表面に沿ったX方向に延在し、第2電極12は基材10の表面に沿いX方向と直交するY方向に延在する。第1電極11および第2電極12は互い絶縁される。本実施形態では、Y方向に所定のピッチで複数の第1電極11が配置され、X方向に所定のピッチで複数の第2電極12が配置される。   The first electrode 11 extends in the X direction along the surface of the substrate 10, and the second electrode 12 extends in the Y direction perpendicular to the X direction along the surface of the substrate 10. The first electrode 11 and the second electrode 12 are insulated from each other. In the present embodiment, a plurality of first electrodes 11 are arranged at a predetermined pitch in the Y direction, and a plurality of second electrodes 12 are arranged at a predetermined pitch in the X direction.

第1電極11は複数の第1島状電極部111を有する。本実施形態では、複数の第1島状電極部111は菱形に近い形状を有し、X方向に並んで配置される。また、第2電極12は複数の第2島状電極部121を有する。複数の第2島状電極部121も菱形に近い形状を有し、Y方向に並んで配置される。   The first electrode 11 has a plurality of first island-shaped electrode portions 111. In the present embodiment, the plurality of first island-shaped electrode portions 111 have a shape close to a rhombus and are arranged side by side in the X direction. The second electrode 12 has a plurality of second island-shaped electrode portions 121. The plurality of second island-shaped electrode portions 121 also have a shape close to a rhombus and are arranged side by side in the Y direction.

複数の第1電極11のそれぞれには位置検出部Sの外側へ引き出される引き出し配線11aが接続される。また、複数の第2電極12のそれぞれにも位置検出部Sの外側へ引き出される引き出し配線12aが接続される。静電容量式センサ1では、各引き出し配線11aおよび12aを流れる電流の変化を図示しない検出回路で検出する。例えば、第1電極11および第2電極12に所定の電位を与えた状態で、位置検出部Sに指を近づけると、第1電極11および第2電極12のそれぞれと指との間に静電容量変化が生じる。この静電容量変化によって生じる電位低下を検出することで、指が接近した位置検出部S内でのX,Y座標を判定する。   Each of the plurality of first electrodes 11 is connected to a lead wiring 11 a that is led out of the position detection unit S. In addition, each of the plurality of second electrodes 12 is connected to a lead-out wiring 12 a that is led out to the outside of the position detection unit S. In the capacitive sensor 1, a change in current flowing through each of the lead wires 11a and 12a is detected by a detection circuit (not shown). For example, when a finger is brought close to the position detection unit S in a state where a predetermined potential is applied to the first electrode 11 and the second electrode 12, there is electrostatic between each of the first electrode 11 and the second electrode 12 and the finger. A capacity change occurs. By detecting the potential drop caused by this capacitance change, the X and Y coordinates in the position detection unit S where the finger is approaching are determined.

図1(b)に表したように、第1電極11と第2電極12とは、隣り合う2つの第1島状電極部111の連結位置と、隣り合う2つの第2島状電極部121の連結位置とで交差している。この交差部分に島状絶縁部30を介してブリッジ配線部20が設けられ、交差部分において第1電極11と第2電極12とが接触しないようになっている。   As shown in FIG. 1B, the first electrode 11 and the second electrode 12 are connected to two adjacent first island-shaped electrode portions 111 and two adjacent second island-shaped electrode portions 121. It intersects with the connecting position. A bridge wiring portion 20 is provided at the intersecting portion via the island-shaped insulating portion 30 so that the first electrode 11 and the second electrode 12 do not contact at the intersecting portion.

本実施形態において、ブリッジ配線部20は、隣り合う2つの第2島状電極部121の間を跨ぐように設けられる。ブリッジ配線部20はY方向に並ぶ各第2島状電極部121の間に設けられる。これにより複数の第2島状電極部121が導通状態になる。島状絶縁部30は、ブリッジ配線部20と第1電極11との間に設けられ、交差部分において第1電極11と第2電極12とを絶縁する役目を果たす。   In the present embodiment, the bridge wiring portion 20 is provided so as to straddle between two adjacent second island-shaped electrode portions 121. The bridge wiring portion 20 is provided between the second island electrode portions 121 arranged in the Y direction. As a result, the plurality of second island-shaped electrode portions 121 become conductive. The island-shaped insulating portion 30 is provided between the bridge wiring portion 20 and the first electrode 11 and plays a role of insulating the first electrode 11 and the second electrode 12 at the intersection.

図2(a)および(b)は、静電容量式センサの一部の断面図である。図2(a)には図1(b)のY1−Y1断面が表され、図2(b)には図1(b)のX1−X1断面が表される。   2A and 2B are cross-sectional views of a part of the capacitive sensor. 2A shows the Y1-Y1 cross section of FIG. 1B, and FIG. 2B shows the X1-X1 cross section of FIG. 1B.

基材10の面10aの上には第1電極11の第1島状電極部111および第2電極12の第2島状電極部121が配置される。隣り合う第2島状電極部121の間には、島状絶縁部30を介してブリッジ配線部20が設けられる。すなわち、島状絶縁部30は、第1島状電極部111の連結部111aの上に設けられ、この島状絶縁部30の上にブリッジ配線部20が設けられる。このように連結部111aとブリッジ配線部20との間には島状絶縁部30が介在し、第1電極11と第2電極12とは電気的に絶縁された状態となっている。   On the surface 10 a of the substrate 10, the first island-shaped electrode portion 111 of the first electrode 11 and the second island-shaped electrode portion 121 of the second electrode 12 are disposed. Between the adjacent second island-shaped electrode portions 121, the bridge wiring portion 20 is provided via the island-shaped insulating portion 30. That is, the island-shaped insulating portion 30 is provided on the connecting portion 111 a of the first island-shaped electrode portion 111, and the bridge wiring portion 20 is provided on the island-shaped insulating portion 30. As described above, the island-shaped insulating portion 30 is interposed between the connecting portion 111a and the bridge wiring portion 20, and the first electrode 11 and the second electrode 12 are electrically insulated.

島状絶縁部30には、例えばノボラック樹脂が用いられる。島状絶縁部30の厚さは、約1.5μmである。ブリッジ配線部20には、例えばアモルファスITO/金/アモルファスITOの積層体が用いられる。ブリッジ配線部20の厚さは、約50nmである。   For the island-like insulating portion 30, for example, a novolac resin is used. The thickness of the island-shaped insulating part 30 is about 1.5 μm. For the bridge wiring portion 20, for example, a laminated body of amorphous ITO / gold / amorphous ITO is used. The thickness of the bridge wiring portion 20 is about 50 nm.

第1電極11、第2電極12およびブリッジ配線部20の上には光学層40が設けられる。光学層40の構造については後述する。光学層40の上には保護部材50が設けられる。   An optical layer 40 is provided on the first electrode 11, the second electrode 12, and the bridge wiring portion 20. The structure of the optical layer 40 will be described later. A protective member 50 is provided on the optical layer 40.

保護部材50は、特に材料を限定するものではないが、ガラス基材やプラスチック基材が好ましく適用される。保護部材50の光学層40とは反対側の面50aには曲面が構成されていてもよい。ここで、曲面としては、SR(球の半径)=500mm以下のものである。   The material of the protective member 50 is not particularly limited, but a glass substrate or a plastic substrate is preferably applied. A curved surface may be formed on the surface 50a of the protective member 50 opposite to the optical layer 40. Here, the curved surface is SR (radius of sphere) = 500 mm or less.

(静電容量式センサの製造方法)
本実施形態に係る静電容量式センサ1を製造するには、先ず、基材10の面10aの上に第1電極11の第1島状電極部111と、第2電極12の第2島状電極部121とを形成する。
(Capacitance type sensor manufacturing method)
In order to manufacture the capacitive sensor 1 according to the present embodiment, first, the first island-shaped electrode portion 111 of the first electrode 11 and the second island of the second electrode 12 on the surface 10 a of the base material 10. The electrode part 121 is formed.

基材10には、例えばガラスやアクリル樹脂、樹脂シートが用いられる。第1電極11および第2電極12は、フォトリソグラフィおよびエッチングやスクリーン印刷によって形成される。例えば、フォトリソグラフィおよびエッチングで形成する場合、例えばITO(Indium Tin Oxide)層をスパッタによって基材10上に形成し、その上にレジストを形成する。レジストを露光および現像してパターニングした後、ITO層をエッチングする。その後、レジストを剥離する。これにより、基材10上にパターニングされたITO層からなる第1電極11および第2電極12が形成される。   For the base material 10, for example, glass, acrylic resin, or resin sheet is used. The first electrode 11 and the second electrode 12 are formed by photolithography, etching, or screen printing. For example, when forming by photolithography and etching, for example, an ITO (Indium Tin Oxide) layer is formed on the substrate 10 by sputtering, and a resist is formed thereon. After patterning by exposing and developing the resist, the ITO layer is etched. Thereafter, the resist is peeled off. Thereby, the 1st electrode 11 and the 2nd electrode 12 which consist of an ITO layer patterned on the base material 10 are formed.

次に、第1電極11と第2電極12との交差位置にある連結部111aの上に島状絶縁部30を形成する。島状絶縁部30は、スクリーン印刷、ドライフィルムレジストや液状レジストによって形成される。スクリーン印刷で形成する場合、例えば高い透光性を有する絶縁材料(光学材料)をスクリーン印刷によって塗布し、アニールを施す。ドライフィルムレジストで形成する場合、例えば透光性を有するドライフィルムレジストを貼り付けた後、露光および現像を行う。液状レジストで形成する場合、例えば透光性を有する液状レジストを塗布した後、露光および現像を行う。   Next, the island-shaped insulating portion 30 is formed on the connecting portion 111 a at the intersection position of the first electrode 11 and the second electrode 12. The island-like insulating part 30 is formed by screen printing, dry film resist, or liquid resist. In the case of forming by screen printing, for example, an insulating material (optical material) having high translucency is applied by screen printing and annealed. In the case of forming with a dry film resist, for example, a light-transmitting dry film resist is attached, and then exposure and development are performed. In the case of forming with a liquid resist, for example, after applying a liquid resist having translucency, exposure and development are performed.

次に、島状絶縁部30の上を跨ぐようにブリッジ配線部20を形成する。ブリッジ配線部20は、フォトリソグラフィおよびエッチングやスクリーン印刷によって形成される。ブリッジ配線部20をフォトリソグラフィおよびエッチングで形成する場合、例えばITO層、金属層およびITO層の積層体をスパッタによって形成し、その上にレジストを形成する。レジストを露光および現像してパターニングした後、積層体をエッチングする。その後、レジストを剥離する。これにより、島状絶縁部30の上を跨ぎ、両端が隣り合う2つの第2島状電極部121と導通するブリッジ配線部20が形成される。   Next, the bridge wiring part 20 is formed so as to straddle the island-like insulating part 30. The bridge wiring portion 20 is formed by photolithography, etching, or screen printing. When the bridge wiring portion 20 is formed by photolithography and etching, for example, a laminate of an ITO layer, a metal layer, and an ITO layer is formed by sputtering, and a resist is formed thereon. After the resist is exposed and developed and patterned, the laminate is etched. Thereafter, the resist is peeled off. As a result, the bridge wiring portion 20 is formed that is connected to the two second island-shaped electrode portions 121 that are adjacent to each other on both sides of the island-shaped insulating portion 30.

ブリッジ配線部20をスクリーン印刷によって形成する場合、例えば銀ナノワイヤを含む導電膜を島状絶縁部30の上にスクリーン印刷する。次いで、銀ナノワイヤの導電膜をアニールおよびロールプレスする。ここではフラッシュランプアニールを行ってもよい。これにより、島状絶縁部30の上にブリッジ配線部20が形成される。   When the bridge wiring part 20 is formed by screen printing, for example, a conductive film containing silver nanowires is screen-printed on the island-like insulating part 30. Then, the silver nanowire conductive film is annealed and roll-pressed. Here, flash lamp annealing may be performed. Thereby, the bridge wiring part 20 is formed on the island-like insulating part 30.

次に、第1電極11、第2電極12、島状絶縁部30およびブリッジ配線部20の上の全面を覆うように、光学層40を形成する。そして、この光学層40の上に保護部材50を貼り付ける。これにより、静電容量式センサ1が完成する。   Next, the optical layer 40 is formed so as to cover the entire surface on the first electrode 11, the second electrode 12, the island-shaped insulating portion 30, and the bridge wiring portion 20. Then, a protective member 50 is attached on the optical layer 40. Thereby, the capacitive sensor 1 is completed.

(光学層の構成例)
光学層40は、第1光学層41と、第2光学層42と、第3光学層43とを有する。第1光学層41は、第1電極11、第2電極12、島状絶縁部30およびブリッジ配線部20の上を覆うように形成される。第1光学層41は、第1電極11、第2電極12、島状絶縁部30およびブリッジ配線部20に接するように設けられてもよいし、第1電極11、第2電極12、島状絶縁部30およびブリッジ配線部20と第1光学層41との間にこれらの層と光学干渉しうる層が設けられていてもよい。第1光学層41は第1の屈折率を有する。なお、本明細書において、屈折率は可視光領域における値を意味する。
(Configuration example of optical layer)
The optical layer 40 includes a first optical layer 41, a second optical layer 42, and a third optical layer 43. The first optical layer 41 is formed so as to cover the first electrode 11, the second electrode 12, the island-like insulating part 30, and the bridge wiring part 20. The first optical layer 41 may be provided so as to be in contact with the first electrode 11, the second electrode 12, the island-shaped insulating portion 30, and the bridge wiring portion 20, or the first electrode 11, the second electrode 12, and the island shape A layer capable of optical interference with these layers may be provided between the insulating unit 30 and the bridge wiring unit 20 and the first optical layer 41. The first optical layer 41 has a first refractive index. In the present specification, the refractive index means a value in the visible light region.

第1光学層41の厚さは1μm以上であってもよい。これにより、位置検出部のパターンである第1電極11、第2電極12、島状絶縁部30およびブリッジ配線部20の凹凸があっても、その凹凸に影響を受けることなく第1光学層41の表面の平坦性を得ることができる。   The thickness of the first optical layer 41 may be 1 μm or more. Thereby, even if there are irregularities in the first electrode 11, the second electrode 12, the island-like insulating part 30, and the bridge wiring part 20 that are the patterns of the position detection part, the first optical layer 41 is not affected by the irregularities. The flatness of the surface can be obtained.

第2光学層42は、第1光学層41の上に設けられる。第2光学層42はフィルム状の層であり、第2の屈折率を有する反射調整層を含む。反射調整層は、第2光学層42の全体であっても、一部であってもよい。   The second optical layer 42 is provided on the first optical layer 41. The second optical layer 42 is a film-like layer and includes a reflection adjustment layer having a second refractive index. The reflection adjustment layer may be the entire second optical layer 42 or a part thereof.

また、第2光学層42は、基材フィルムと、基材フィルムの上に設けられた反射調整層とを備えていてもよい。基材フィルムとしては、透光性フィルムを備えていることが望ましい。透光性フィルムには、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、シクロオレフィンポリマー(COP)およびポリカーボネート(PC)からなる群から選ばれる1種または2種以上を含んでいる。また、基材フィルムは、透光性フィルムと、透光性フィルムの上に設けられたアクリル系樹脂を含む層と、を備えていてもよい。アクリル系樹脂を含む層は、いわゆるハードコートであって、積層構造を有していてもよい。   The second optical layer 42 may include a base film and a reflection adjustment layer provided on the base film. As a base film, it is desirable to provide a translucent film. The translucent film contains, for example, one or more selected from the group consisting of polyethylene terephthalate (PET), cycloolefin polymer (COP), and polycarbonate (PC). Moreover, the base film may be provided with the translucent film and the layer containing the acrylic resin provided on the translucent film. The layer containing the acrylic resin is a so-called hard coat and may have a laminated structure.

第2光学層42はフィルム状になっているため、0.1μm以上の厚さを有する。このため、第2光学層42による光の干渉を実質的に無視することができる。   Since the second optical layer 42 is in the form of a film, it has a thickness of 0.1 μm or more. For this reason, light interference by the second optical layer 42 can be substantially ignored.

反射調整層の第3光学層43側の面に接する層の厚さは1μm以上であってもよい。これにより、第3光学層43側の面で反射する光と、その反対側の面で反射する光とが干渉することに起因する不具合(色ムラなど)が生じにくくなる。   The thickness of the layer in contact with the surface on the third optical layer 43 side of the reflection adjusting layer may be 1 μm or more. As a result, defects (color unevenness, etc.) due to interference between the light reflected by the surface on the third optical layer 43 side and the light reflected by the surface on the opposite side are less likely to occur.

第3光学層43は、第2光学層42の上に設けられる。第2光学層42における反射調整層の第3光学層43側の面に接する層の屈折率は、第2の屈折率よりも0.25以上低い。本実施形態では、第2光学層42の反射調整層は第3光学層43と接するように設けられる。したがって、反射調整層における屈折率(第2の屈折率)は、第3光学層43における屈折率(第3の屈折率)よりも0.25以上高くなっている。   The third optical layer 43 is provided on the second optical layer 42. The refractive index of the layer in contact with the surface on the third optical layer 43 side of the reflection adjusting layer in the second optical layer 42 is 0.25 or more lower than the second refractive index. In the present embodiment, the reflection adjustment layer of the second optical layer 42 is provided in contact with the third optical layer 43. Therefore, the refractive index (second refractive index) in the reflection adjustment layer is 0.25 or more higher than the refractive index (third refractive index) in the third optical layer 43.

なお、反射調整層の第3光学層43側の面に接する層は、第2光学層42が備える層であってもよい。これにより、層構造の簡素化を図ることができる。また、反射調整層は積層構造を有していてもよい。また、反射調整層は、酸化物または無機物を含む樹脂層を備えていてもよいし、酸化物層または無機物層を備えていてもよい。   The layer in contact with the surface on the third optical layer 43 side of the reflection adjusting layer may be a layer provided in the second optical layer 42. Thereby, the layer structure can be simplified. The reflection adjustment layer may have a laminated structure. Further, the reflection adjusting layer may include a resin layer containing an oxide or an inorganic material, or may include an oxide layer or an inorganic material layer.

本実施形態に係る静電容量式センサ1では、光学層40としてこのような構成になっていることで、反射調整層と第3光学層43との境界での反射光により、位置検出部(第1電極11、第2電極12、島状絶縁部30およびブリッジ配線部20)と第1光学層41との境界での反射光の相対的な強度が弱められる。これによって、位置検出部における複数の検出電極のパターン見えを抑制することができる。また、反射調整層(例えば、第2光学層42)がフィルム状のため、反射調整層と第3光学層43との境界の平坦性を高めることができる。これにより、反射調整層での反射光の相対的な強度を高めて、パターン見えを効果的に抑制することができる。   In the capacitance type sensor 1 according to the present embodiment, the optical layer 40 is configured as described above, so that the position detection unit (by the reflected light at the boundary between the reflection adjustment layer and the third optical layer 43) The relative intensity of the reflected light at the boundary between the first electrode 11, the second electrode 12, the island-shaped insulating portion 30 and the bridge wiring portion 20) and the first optical layer 41 is weakened. Thereby, the pattern appearance of the plurality of detection electrodes in the position detection unit can be suppressed. Further, since the reflection adjustment layer (for example, the second optical layer 42) is in the form of a film, the flatness of the boundary between the reflection adjustment layer and the third optical layer 43 can be improved. Thereby, the relative intensity | strength of the reflected light in a reflection adjustment layer can be raised, and pattern appearance can be suppressed effectively.

図3は、静電容量式センサにおける光の反射について例示する断面図である。
図3に示す例では、第1光学層41および第3光学層43としてOCA(Optical Clear Adhesive)、第2光学層42としてOCAと屈折率差が0.25以上のフィルム材料が用いられている。OCAは、アクリル系粘着剤や両面粘着テープ等である。この例において、OCAの屈折率は、例えば1.45である。また、第1電極11および第2電極12にはITOが用いられる。ITOの屈折率は、約1.9である。島状絶縁部30にはノボラック樹脂が用いられる。島状絶縁部30におけるノボラック樹脂の屈折率は、例えば1.6である。ブリッジ配線部20には、アモルファスITO/金/アモルファスITOの積層体が用いられる。
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating light reflection in a capacitive sensor.
In the example shown in FIG. 3, OCA (Optical Clear Adhesive) is used as the first optical layer 41 and the third optical layer 43, and a film material having a refractive index difference of 0.25 or more from OCA is used as the second optical layer. . OCA is an acrylic adhesive, a double-sided adhesive tape, or the like. In this example, the refractive index of OCA is 1.45, for example. Further, ITO is used for the first electrode 11 and the second electrode 12. The refractive index of ITO is about 1.9. A novolac resin is used for the island-shaped insulating portion 30. The refractive index of the novolak resin in the island-shaped insulating part 30 is 1.6, for example. A laminated body of amorphous ITO / gold / amorphous ITO is used for the bridge wiring portion 20.

この例において、外部から静電容量式センサ1に光が入射した場合、位置検出部(第1電極11、第2電極12など)と第1光学層41との境界で反射する光を反射光R1、反射調整層(第2光学層42)と第3光学層43との境界で反射する反射光R2、保護部材50の表面で反射する光を反射光R3とする。   In this example, when light is incident on the capacitive sensor 1 from the outside, the light reflected at the boundary between the position detection unit (the first electrode 11, the second electrode 12, etc.) and the first optical layer 41 is reflected light. R1, reflected light R2 reflected at the boundary between the reflection adjustment layer (second optical layer 42) and the third optical layer 43, and light reflected from the surface of the protective member 50 are referred to as reflected light R3.

ここで、静電容量式センサ1に対して垂直な軸AX1に対する反射光を考えた場合、保護部材50の面50aが曲面になっていると、反射光R3の反射角度は、反射光R1および反射光R2の反射角度とは異なる。したがって、保護部材50の上から特定の角度で静電容量式センサ1を見た場合、反射光R3よりも反射光R1およびR2のほうが強く感じることになる。つまり、保護部材50の表面での反射光R3よりも、静電容量式センサ1の内部からの反射光R1およびR2のほうが目立つことになる。   Here, when the reflected light with respect to the axis AX1 perpendicular to the capacitive sensor 1 is considered, if the surface 50a of the protective member 50 is a curved surface, the reflection angle of the reflected light R3 is the reflected light R1 and It is different from the reflection angle of the reflected light R2. Therefore, when the capacitive sensor 1 is viewed from above the protective member 50 at a specific angle, the reflected lights R1 and R2 feel stronger than the reflected light R3. That is, the reflected lights R1 and R2 from the inside of the capacitive sensor 1 are more conspicuous than the reflected light R3 on the surface of the protective member 50.

本実施形態では、フィルム状の反射調整層(第2光学層42)が設けられており、第1光学層41と反射調整層(第2光学層42)との屈折率差が0.25以上であることから、反射光R2によって反射光R1の相対的な強度が弱められる。したがって、反射光R1が反射光R2に比べて目立たなくなり、パターン見えが抑制される。   In the present embodiment, a film-like reflection adjustment layer (second optical layer 42) is provided, and the refractive index difference between the first optical layer 41 and the reflection adjustment layer (second optical layer 42) is 0.25 or more. Therefore, the relative intensity of the reflected light R1 is weakened by the reflected light R2. Therefore, the reflected light R1 is less noticeable than the reflected light R2, and the pattern appearance is suppressed.

特に、保護部材50の面50aが曲面になっている場合、反射調整層が設けられていないと、面50aでの反射光R3よりも位置検出部での反射光R1が相対的に強くなり、パターン見えが発生しやすい。しかし、反射調整層を設けることで、反射光R2が発生することになり、反射光R1の相対的な強度が弱められる。これにより、パターン見えが抑制されることになる。このパターン見えの抑制効果は、保護部材50の面50aが曲面の場合、顕著に現れることになる。   In particular, when the surface 50a of the protective member 50 is a curved surface, if the reflection adjustment layer is not provided, the reflected light R1 at the position detection unit is relatively stronger than the reflected light R3 at the surface 50a. Pattern appearance is likely to occur. However, by providing the reflection adjustment layer, the reflected light R2 is generated, and the relative intensity of the reflected light R1 is weakened. Thereby, the pattern appearance is suppressed. The effect of suppressing the appearance of the pattern appears remarkably when the surface 50a of the protective member 50 is a curved surface.

(光学層の他の構成例)
図4(a)および(b)は、光学層の他の構成例を示す断面図である。
図4(a)に示す例では、第2光学層42が3層によって構成される。すなわち、第2光学層42は、第1光学層41の上に設けられたシクロオレフィンポリマー層421と、シクロオレフィンポリマー層421の上に設けられたアクリル系樹脂層422と、反射調整樹脂層423とを有する。
(Other structural examples of the optical layer)
4A and 4B are cross-sectional views showing other examples of the configuration of the optical layer.
In the example shown in FIG. 4A, the second optical layer 42 is composed of three layers. That is, the second optical layer 42 includes a cycloolefin polymer layer 421 provided on the first optical layer 41, an acrylic resin layer 422 provided on the cycloolefin polymer layer 421, and a reflection adjusting resin layer 423. And have.

反射調整樹脂層423は第2光学層42に含まれる反射調整層であり、酸化物または無機物を含む。反射調整樹脂層423は、酸化物または無機物を含むことで高屈折率材料となる。酸化物としては、酸化ジルコニウム、酸化ニオブが挙げられ、無機物としては、ジルコニウムが挙げられる。   The reflection adjustment resin layer 423 is a reflection adjustment layer included in the second optical layer 42 and includes an oxide or an inorganic substance. The reflection adjusting resin layer 423 becomes a high refractive index material by containing an oxide or an inorganic substance. Examples of the oxide include zirconium oxide and niobium oxide, and examples of the inorganic substance include zirconium.

図4(b)に示す例では、第2光学層42が4層によって構成される。すなわち、第2光学層42は、第1光学層41の上に設けられたシクロオレフィンポリマー層421と、シクロオレフィンポリマー層421の上に設けられたアクリル系樹脂層422と、反射調整樹脂層423と、ITO層424とを有する。反射調整樹脂層423は反射調整層である。なお、ITO層424が反射調整樹脂層423と光学干渉を起こす程度の厚さの場合には、反射調整樹脂層423とITO層424とを含めた積層構造が反射調整層となる。   In the example shown in FIG. 4B, the second optical layer 42 is composed of four layers. That is, the second optical layer 42 includes a cycloolefin polymer layer 421 provided on the first optical layer 41, an acrylic resin layer 422 provided on the cycloolefin polymer layer 421, and a reflection adjusting resin layer 423. And an ITO layer 424. The reflection adjustment resin layer 423 is a reflection adjustment layer. When the ITO layer 424 is thick enough to cause optical interference with the reflection adjustment resin layer 423, a laminated structure including the reflection adjustment resin layer 423 and the ITO layer 424 becomes the reflection adjustment layer.

(官能検査)
各種の層構成の光学層40を用いた静電容量式センサ1について、パターン見えの官能検査を行った。官能検査は、以下の比較例、第1実施例および第2実施例の静電容量式センサ1で行った。
比較例は、図2に示す層構成において、以下の材料が用いられている。
第1光学層41…OCA(屈折率(以下、「n」と称する。)=1.45、厚さ(以下、「t」と称する。)=25μm)
第2光学層42…ポリエチレンテレフタレート(PET)(n=1.64、t=50μm)
第3光学層43…OCA(n=1.45、t=75μm)
保護部材50…面50aが曲面
(sensory test)
For the capacitive sensor 1 using the optical layer 40 having various layer configurations, a sensory inspection for pattern appearance was performed. The sensory test was performed with the capacitance type sensors 1 of the following comparative example, first example, and second example.
In the comparative example, the following materials are used in the layer configuration shown in FIG.
First optical layer 41 ... OCA (refractive index (hereinafter referred to as “n”) = 1.45, thickness (hereinafter referred to as “t”) = 25 μm)
Second optical layer 42: polyethylene terephthalate (PET) (n = 1.64, t = 50 μm)
Third optical layer 43 ... OCA (n = 1.45, t = 75 μm)
Protective member 50... Surface 50a is a curved surface

第1実施例は、図4(a)に示す層構成において、以下の材料が用いられている。
第1光学層41…OCA(n=1.45、t=25μm)
第2光学層42…
シクロオレフィンポリマー層421(n=1.54、t=50μm)
アクリル系樹脂層422(n=1.43、t=1μm)
反射調整樹脂層423(酸化ジルコニウム含有、n=1.8、t=60nm)
第3光学層43…OCA(n=1.45、t=75μm)
保護部材50…面50aが曲面
In the first embodiment, the following materials are used in the layer configuration shown in FIG.
First optical layer 41 ... OCA (n = 1.45, t = 25 μm)
Second optical layer 42...
Cycloolefin polymer layer 421 (n = 1.54, t = 50 μm)
Acrylic resin layer 422 (n = 1.43, t = 1 μm)
Reflection adjusting resin layer 423 (containing zirconium oxide, n = 1.8, t = 60 nm)
Third optical layer 43 ... OCA (n = 1.45, t = 75 μm)
Protective member 50... Surface 50a is a curved surface

第2実施例は、図4(b)に示す層構成において、以下の材料が用いられている。
第1光学層41…OCA(n=1.45、t=25μm)
第2光学層42…
シクロオレフィンポリマー層421(n=1.54、t=50μm)
アクリル系樹脂層422(n=1.43、t=1μm)
反射調整樹脂層423(酸化ジルコニウム含有、n=1.8、t=60nm)
ITO層424(n=2.0、t=24nm)
第3光学層43…OCA(n=1.45、t=75μm)
保護部材50…面50aが曲面
In the second embodiment, the following materials are used in the layer configuration shown in FIG.
First optical layer 41 ... OCA (n = 1.45, t = 25 μm)
Second optical layer 42...
Cycloolefin polymer layer 421 (n = 1.54, t = 50 μm)
Acrylic resin layer 422 (n = 1.43, t = 1 μm)
Reflection adjusting resin layer 423 (containing zirconium oxide, n = 1.8, t = 60 nm)
ITO layer 424 (n = 2.0, t = 24 nm)
Third optical layer 43 ... OCA (n = 1.45, t = 75 μm)
Protective member 50... Surface 50a is a curved surface

表1に、官能検査の結果を示す。   Table 1 shows the results of the sensory test.


官能検査においては、保護部材50の上から静電容量式センサ1を見た場合の、検出電極(第1電極11および第2電極12)の見え具合、および絶縁部(島状絶縁部30)の見え具合を数値によって評価した。数値が小さいほど見えやすく、大きいほど見えにくいことを示している。数値の横に「+」が付されているものは、その数値と次の数値との間であることを示している。また、全体的な見え具合を示す総合評価も示している。   In the sensory test, the appearance of the detection electrodes (first electrode 11 and second electrode 12) and the insulating portion (island-like insulating portion 30) when the capacitive sensor 1 is viewed from above the protective member 50. The appearance of was evaluated by numerical values. The smaller the value, the easier it is to see, and the larger the value, the less visible. A symbol with “+” next to a numerical value indicates that it is between that numerical value and the next numerical value. It also shows a comprehensive evaluation showing the overall appearance.

表1に示すように、比較例、第1実施例および第2実施例においては、比較例の層構成に比べて第1実施例および第2実施例の層構成のほうが、パターン見えを抑制できていることが分かる。   As shown in Table 1, in the comparative example, the first example, and the second example, the layer configuration of the first example and the second example can suppress the pattern appearance compared to the layer configuration of the comparative example. I understand that

以上説明したように、本実施形態によれば、基材10の上に形成された検出電極等(第1電極11、第2電極12など)のパターンが意図せず見えてしまうことを抑制することができる。特に、保護部材50の面50aが曲面になっている場合に、パターン見えが発生しやすいが、本実施形態では保護部材50の面50aが曲面であっても、効果的にパターン見えを抑制することが可能になる。   As described above, according to the present embodiment, it is possible to suppress unintentionally visible patterns of detection electrodes and the like (first electrode 11, second electrode 12, etc.) formed on the base material 10. be able to. In particular, the pattern appearance is likely to occur when the surface 50a of the protection member 50 is a curved surface, but in this embodiment, even if the surface 50a of the protection member 50 is a curved surface, the pattern appearance is effectively suppressed. It becomes possible.

なお、上記に本実施形態を説明したが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。例えば、第2光学層42が積層構造を有している場合、積層順を反対にしてもよい。この場合であっても、反射調整層の上に、屈折率が0.25以上低い層が設けられていればよい。具体的には、第2光学層42におけるアクリル系樹脂層422の屈折率が、反射調整樹脂層423の屈折率よりも0.25以上低ければよい。また、上記の説明では、反射調整層は、反射調整樹脂層423から構成されているが、ITOなどの酸化物層や無機物層から構成されていてもよい。さらに、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、設計変更を行ったものや、各実施形態の特徴を適宜組み合わせたものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に包含される。   Although the present embodiment has been described above, the present invention is not limited to these examples. For example, when the second optical layer 42 has a stacked structure, the stacking order may be reversed. Even in this case, a layer having a refractive index lower by 0.25 or more should be provided on the reflection adjustment layer. Specifically, the refractive index of the acrylic resin layer 422 in the second optical layer 42 only needs to be 0.25 or more lower than the refractive index of the reflection adjustment resin layer 423. In the above description, the reflection adjustment layer is formed of the reflection adjustment resin layer 423, but may be formed of an oxide layer such as ITO or an inorganic layer. Further, those in which those skilled in the art appropriately added, deleted, and changed the design of each of the above-described embodiments, and combinations of the features of each embodiment as appropriate, also have the gist of the present invention. As long as they are within the scope of the present invention.

1…静電容量式センサ
10…基材
10a…面
11…第1電極
11a…引き出し配線
12…第2電極
12a…引き出し配線
20…ブリッジ配線部
30…島状絶縁部
40…光学層
41…第1光学層
42…第2光学層
43…第3光学層
50…保護部材
50a…面
111…第1島状電極部
111a…連結部
121…第2島状電極部
421…シクロオレフィンポリマー層
422…アクリル系樹脂層
423…反射調整樹脂層
424…ITO層
AX1…軸
R1…反射光
R2…反射光
R3…反射光
S…位置検出部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Capacitance type sensor 10 ... Base material 10a ... Surface 11 ... 1st electrode 11a ... Lead-out wiring 12 ... 2nd electrode 12a ... Lead-out wiring 20 ... Bridge wiring part 30 ... Island-like insulating part 40 ... Optical layer 41 ... First DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 optical layer 42 ... 2nd optical layer 43 ... 3rd optical layer 50 ... Protection member 50a ... Surface 111 ... 1st island electrode part 111a ... Connection part 121 ... 2nd island electrode part 421 ... Cycloolefin polymer layer 422 ... Acrylic resin layer 423 ... reflection adjustment resin layer 424 ... ITO layer AX1 ... axis R1 ... reflected light R2 ... reflected light R3 ... reflected light S ... position detector

Claims (15)

基材の上に設けられ、複数の検出電極を有する位置検出部と、
前記位置検出部の上に設けられた光学層と、
前記光学層の上に設けられた保護部材と、
を備え、
前記光学層は、
前記位置検出部の上に設けられ、第1の屈折率を有する第1光学層と、
前記第1光学層の上に設けられ、第2の屈折率を有する反射調整層を含むフィルム状の第2光学層と、
前記第2光学層の上に設けられ、第3の屈折率を有する第3光学層と、を有し、
前記反射調整層の前記第3光学層側の面に接する層の屈折率は、前記第2の屈折率よりも0.25以上低いことを特徴とする入力装置。
A position detector provided on a substrate and having a plurality of detection electrodes;
An optical layer provided on the position detection unit;
A protective member provided on the optical layer;
With
The optical layer is
A first optical layer provided on the position detection unit and having a first refractive index;
A film-like second optical layer provided on the first optical layer and including a reflection adjusting layer having a second refractive index;
A third optical layer provided on the second optical layer and having a third refractive index,
The input device according to claim 1, wherein a refractive index of a layer in contact with the surface on the third optical layer side of the reflection adjusting layer is 0.25 or more lower than the second refractive index.
前記反射調整層の前記第3光学層側の面に接する層の厚さは1μm以上である、請求項1に記載の入力装置。   2. The input device according to claim 1, wherein the thickness of the layer in contact with the surface on the third optical layer side of the reflection adjusting layer is 1 μm or more. 前記第1光学層の厚さは1μm以上である、請求項1に記載の入力装置。   The input device according to claim 1, wherein the thickness of the first optical layer is 1 μm or more. 前記反射調整層は前記第3光学層と接し、前記第2の屈折率は前記第3の屈折率よりも0.25以上高い、請求項1〜3のいずれか1項に記載の入力装置。   The input device according to claim 1, wherein the reflection adjustment layer is in contact with the third optical layer, and the second refractive index is 0.25 or more higher than the third refractive index. 前記反射調整層の前記第3光学層側の面に接する層は、前記第2光学層が備える層である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の入力装置。   The input device according to any one of claims 1 to 3, wherein a layer in contact with the surface on the third optical layer side of the reflection adjustment layer is a layer included in the second optical layer. 前記第1光学層および前記第3光学層は、光学透明粘着層である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の入力装置。   The input device according to claim 1, wherein the first optical layer and the third optical layer are optically transparent adhesive layers. 前記第2光学層は、基材フィルムと前記基材フィルムの上に設けられた前記反射調整層とを備える、請求項1〜6のいずれか1項記載の入力装置。   The input device according to claim 1, wherein the second optical layer includes a base film and the reflection adjustment layer provided on the base film. 前記基材フィルムは、透光性フィルムを備える、請求項7に記載の入力装置。   The input device according to claim 7, wherein the base film includes a translucent film. 前記透光性フィルムは、ポリエチレンテレフタレート、シクロオレフィンポリマーおよびポリカーボネートからなる群から選ばれる1種または2種以上を含む、請求項8に記載の入力装置。   The input device according to claim 8, wherein the translucent film includes one or more selected from the group consisting of polyethylene terephthalate, cycloolefin polymer, and polycarbonate. 前記基材フィルムは、前記透光性フィルムと、前記透光性フィルムの上に設けられたアクリル系樹脂を含む層と、を備える、請求項8または9に記載の入力装置。   The input device according to claim 8 or 9, wherein the base film includes the translucent film and a layer including an acrylic resin provided on the translucent film. 前記反射調整層は積層構造を有する、請求項1〜10のいずれか1項に記載の入力装置。   The input device according to claim 1, wherein the reflection adjustment layer has a laminated structure. 前記反射調整層は、酸化物または無機物を含む樹脂層を備える、請求項1〜11のいずれか1項に記載の入力装置。   The input device according to claim 1, wherein the reflection adjustment layer includes a resin layer containing an oxide or an inorganic substance. 前記反射調整層は、酸化物層または無機物層を備える、請求項1〜12のいずれか1項に記載の入力装置。   The input device according to claim 1, wherein the reflection adjustment layer includes an oxide layer or an inorganic layer. 前記保護部材は、前記光学層とは反対側の面に曲面を有する、請求項1〜13のいずれか1項に記載の入力装置。   The input device according to claim 1, wherein the protective member has a curved surface on a surface opposite to the optical layer. 前記複数の検出電極は、互いに交差する方向に延びる第1電極と第2電極とを有し、
前記第1電極は、前記第1電極と前記第2電極との交差位置に設けられたブリッジ配線部を有する、請求項1〜14のいずれか1項に記載の入力装置。

The plurality of detection electrodes include a first electrode and a second electrode extending in directions intersecting each other,
The input device according to claim 1, wherein the first electrode has a bridge wiring portion provided at an intersection position between the first electrode and the second electrode.

JP2015247600A 2015-12-18 2015-12-18 Input device Pending JP2019023772A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015247600A JP2019023772A (en) 2015-12-18 2015-12-18 Input device
PCT/JP2016/087572 WO2017104809A1 (en) 2015-12-18 2016-12-16 Input device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015247600A JP2019023772A (en) 2015-12-18 2015-12-18 Input device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2019023772A true JP2019023772A (en) 2019-02-14

Family

ID=59056650

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015247600A Pending JP2019023772A (en) 2015-12-18 2015-12-18 Input device

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2019023772A (en)
WO (1) WO2017104809A1 (en)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5763417B2 (en) * 2011-05-24 2015-08-12 ジオマテック株式会社 Electrode substrate for capacitance type input device and capacitance type input device
CN102999196B (en) * 2011-09-09 2016-04-06 宸鸿科技(厦门)有限公司 Touch-control stacked structure
JP6122253B2 (en) * 2012-05-22 2017-04-26 株式会社オプトラン Capacitive touch panel substrate, manufacturing method and manufacturing apparatus thereof
US9329314B2 (en) * 2012-07-13 2016-05-03 Apple Inc. Touch screen display with transparent electrical shielding layer
JP2015529899A (en) * 2012-07-31 2015-10-08 インターフレックス カンパニー リミテッド Sensor panel including antireflection layer and method of manufacturing the same
US10318026B2 (en) * 2014-12-09 2019-06-11 Lg Innotek Co., Ltd. Touch window

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017104809A1 (en) 2017-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5591834B2 (en) Touch panel sensor
JP4874145B2 (en) Transparent sheet and transparent touch switch
KR102303214B1 (en) Touch screen panel and manufacturing method thereof
JP3167700U (en) Transparent touch control sensor
US8917261B2 (en) Pixel occlusion mitigation
JP5131628B1 (en) Transparent sheet and transparent touch switch
US9719770B2 (en) Touchscreen sensor
KR20130126007A (en) Flexible touch screen panel and flexible display device with the same
KR20120133848A (en) flexible touch screen panel
WO2013146408A1 (en) Touch sensor
JP2013214173A (en) Capacitance-type film sensor, and sensor module and cover module using the same
JP5846953B2 (en) Input device and manufacturing method thereof
JP2012022427A (en) Capacitance-type input device
JP5964273B2 (en) Touch panel sensor
KR20150073529A (en) Touch panel, manufacturing method thereof, and touchscreen apparatus
JP5305807B2 (en) Transparent sheet and transparent touch switch
KR101462147B1 (en) Method for Manufacturing Touch screen having mesh patterned electrode including sub-electrode line
TWI472984B (en) Touch panel and touch-controlled display device
WO2017104810A1 (en) Input device
JP6205995B2 (en) Display device with touch panel sensor and touch position detection function
KR20140016623A (en) Touch screen panel and the method for fabricating of the same
KR20120039884A (en) Touch screen panel and fabricating method for the same
WO2017104809A1 (en) Input device
US10241623B2 (en) Reduction of touch sensor pattern visibility using beamsplitters
JP7356578B2 (en) Capacitive sensors and input devices