JP6116170B2

JP6116170B2 - 封止体の作製方法

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Publication number: JP6116170B2
Application number: JP2012209755A
Authority: JP
Inventors: 孝征根井; 太紀中村
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2012-09-24
Filing date: 2012-09-24
Publication date: 2017-04-19
Anticipated expiration: 2032-09-24
Also published as: JP2014067484A

Description

本発明は、デバイスを外部より侵入する不純物から保護する封止体の作製方法及び封止装置に関する。

２枚のガラス基板を貼り合わせて、貼り合わせた空間を密閉する技術として、フリットガラスを用いた封止が知られている。フリットガラスで封止した封止体は気密性が優れており、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬと称す。）表示装置、液晶表示装置、プラズマ表示装置等のデバイスに応用されている。

特に有機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ素子の信頼性向上のためフリットガラス封止が使用されている。有機ＥＬ素子は有機ＥＬ層やそれを両側から挟んでいる電極が、水分や酸素に曝されると急速にその信頼性が低下するためである。低融点ガラスを用いる封止により有機ＥＬ層や両電極を大気に曝さないようにする技術として、例えば、特許文献１に記された技術が知られている。

特許文献１に記された技術は、ガラス基板の縁に沿って、フリットガラスペーストをノズルから吐出させつつ走査させることにより、閉曲線を成す隔壁をフリットガラスペーストにより形成後、焼成することによりフリットガラスペーストを融合させてフリットガラス層とする。さらに、他のガラス基板に当該フリットガラス層を押し付け、フリットガラス層にレーザ光を照射して加熱溶融し、当該フリットガラス層と他のガラス基板とを溶着することにより、気密性の優れた封止体を形成するものである。

特開２０１１−０６５８９５号公報

フリットガラス層を用いた封止体は、エネルギービームでフリットガラス層を溶かすときに、フリットガラス層を所定の温度範囲にする必要がある。しかし、所定の温度範囲よりも高温になるとフリットガラス層や基板にクラックが生じる場合があり、所定の温度範囲よりも低温になると密着力不足の領域や密着しない領域が発生して、気密性の優れた封止体を得られない問題がある。

エネルギービームを照射したフリットガラス層の温度が、所定の温度範囲からはずれる要因としては幾つか上げられる。例えば、フリットガラス層の膜厚や線幅のバラツキ、フリットガラス層の断面形状、フリットガラス層の下地構造の違い（メタルパターンの有無など）や、基板を保持しているステージの傾きや歪みによるエネルギービームの焦点位置のズレなどがある。

そこで、本発明の課題は、フリットガラス層を加熱して作製する封止体において、基板とフリットガラス層のクラックの発生、溶着不足を低減した気密性の優れた封止体の作製方法、およびその封止体を作製する封止装置を提供することを課題とする。

上記した課題を解決するため本発明では、フリットガラス層と基板を溶着するためのフリットガラス層の加熱において、加熱中のフリットガラス層の温度を制御することに着眼した。そして、以下の構成を備える封止体の作製方法および、その封止体を作製する封止装置に想到し、上記課題の解決に至った。

すなわち、本発明の一態様は、第１基板または第２基板の一方の面にフリットガラスペーストを形成する工程と、フリットガラスペーストを焼成し、フリットガラス層を形成する工程と、第１基板と第２基板との間に、フリットガラス層が介在するように第１基板と第２基板とを対向させて配置する工程と、フリットガラス層を照射源から発するエネルギービームにより加熱し、フリットガラス層により第１基板と第２基板とを接合する工程と、を有し、接合する工程において、加熱されているフリットガラス層と重なる第２基板の温度を測定し、該第２基板の温度が所定の範囲内になるようにエネルギービームの出力を調整することを特徴とする封止体の作製方法である。

エネルギービームにより加熱されたフリットガラス層は、所定の温度範囲にすることができる。そのため、フリットガラス層が所定の温度範囲より加熱され、基板にクラックが入ることや、フリットガラス層が所定の温度範囲より加熱されず、フリットガラス層と基板の溶着が不十分となることはない。よって、気密性の高い封止体を作製することができる。

また、エネルギービームがレーザ光であるの封止体の作製方法が好ましい。

照射源にレーザ光を用いることにより、効率よくフリットガラス層を加熱することができる。

さらに、エネルギービームにより加熱されたフリットガラス層と重なる第２基板の温度を測定する工程が、サーモグラフィーを使用する封止体の作製方法であることが好ましい。サーモグラフィーとは、物体から放射される赤外線を分析し、熱分布を図として表す装置である。

加熱しているフリットガラス層と重なる基板の温度をサーモグラフィーでモニタリングすることにより、フリットガラス層が所定の温度範囲になるように、エネルギービームの出力を調整することが可能となる。また、フリットガラス層に近接する熱に弱い有機ＥＬ素子に熱が加わらないように、エネルギービームを調整してフリットガラス層を所定の温度範囲に加熱することができる。

さらに、第１基板および第２基板に間に少なくとも１個の発光素子を設ける工程を有する封止体の作製方法が好ましい。

本発明により、気密性の高い封止体で封止された発光装置を得ることができる。

さらにフリットガラス層の外側には、第１基板と第２基板とを接合させるシール材が備えられた封止体の作製方法であることが好ましい。

外側にシール材を設けることにより、基板の位置ずれが生じにくくなり、フリットガラス層と基板の溶着を容易にすることができる。また、フリットガラス層とシール材で二重に封止することができるので、より気密性の高い封止体を得ることができる。

また、本発明の封止装置の一態様は、基板を保持する保持手段と、基板に照射源から発するエネルギービームを導入する照射手段と、基板と照射手段の相対的な位置を移動させる移動手段と、温度測定器を用い、基板の特定領域の温度を測定する温度測定手段と、を備え、照射手段は、基板に設けられたフリットガラス層にエネルギービームを集光させる光学手段を有し、温度測定手段は、エネルギービームを照射したフリットガラス層と重なる基板の温度を測定し、該基板の温度が所定の範囲内になるように、照射源のエネルギービームの出力を調整する手段を有する封止装置である。

エネルギービームにより加熱されたフリットガラス層は、所定の温度範囲にすることができる。そのため、フリットガラス層が所定の温度範囲より加熱され基板にクラックが入ることや、フリットガラス層が所定の温度範囲より加熱されず、フリットガラス層と基板の溶着が不十分となることはない。よって、気密性の高い封止体を作製することができる。

本発明の一態様によれば、気密性の高い封止体を作製することができる。また、気密性の高い封止体を作製できる封止装置を提供することができる。

本発明の封止体の作製方法を説明する図である。本発明の封止体の作製方法を説明する図である。封止体の作製装置を説明する図である。有機ＥＬ素子の構成を説明する図である。本発明の封止体を用いた発光装置を説明する図である。本発明の封止体を用いた発光装置を説明する図である。エネルギービーム出力と温度の関係の一例を示した図である。

（実施の形態１）
本実施の形態では、封止体１６１の作製方法について、図１を用いて説明する。

（第１基板、第２基板）
第１基板１０１と第２基板１０２を用意する。第１基板および第２基板は、例えば、ガラス基板、石英基板等を用いることができる。

（フリットガラスペーストの塗布）
次に、フリットガラスペースト５００を、第１基板１０１上に塗布する（図１（Ｂ））。フリットガラスペースト５００とは、粉末ガラスとバインダを含むものである。粉末ガラスは、例えば、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化ホウ素、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化テルル、酸化アルミニウム、二酸化シリコン、酸化鉛、酸化スズ、酸化リン、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化鉄、酸化銅、酸化チタン、酸化タングステン、酸化ビスマス、酸化アンチモン、ホウ酸鉛ガラス、リン酸スズガラス、バナジン酸塩ガラスおよびホウケイ酸ガラスよりなる群から選択された１以上の化合物を含むことが望ましい。これに、例えば、有機溶媒で希釈した樹脂バインダを混ぜ、フリットガラスペーストとする。後述するエネルギービームの照射でフリットガラス層５１０を加熱するため、光吸収材等を添加したフリットガラスペーストを用いる。吸収材は使用するエネルギービームの波長に合わせて最適な光吸収材を選択すればよい。

フリットガラスペースト５００の塗布方法は、ディスペンサ法、スクリーン印刷法またはインクジェット法を用いて形成することができる。この実施の形態では、表示装置などを封止するのに好適な長方形状としたが、閉曲線を成すものであれば、円状、楕円状などいかなる形状としてもよい。

（フリットガラスペーストの焼成）
次に、フリットガラスペースト中のバインダを揮発させるため加熱を行う。具体的には温度は３００〜４５０℃で加熱を行えばよい。当該加熱処理は、ランプやヒーター、レーザ光照射などで行なえばよい。当該加熱処理で、粉末ガラスを溶融し固化させることにより当該粉末ガラスを融合させ、フリットガラス層５１０とすることができる。この焼成の段階でフリットガラス層５１０は、第１基板１０１上に切れ目のない閉曲線になるように形成する。気密性の優れた封止体を形成するためである。

（エネルギービームの照射）
次に、第１基板１０１上のフリットガラス層５１０と第２基板１０２を密着させ、フリットガラス層５１０にエネルギービーム８００を照射する（図１（Ｄ））。エネルギービーム８００の照射は、第２基板１０２を介してフリットガラス層５１０に行えばよい。エネルギービーム８００は、レーザ光、電子線などを用いることができる。レーザ光を用いる場合、レーザ光の波長は７５０〜１２００ｎｍを用いることができる。特に波長８１０ｎｍの半導体レーザが好ましい。

（フリットガラスの温度測定とその温度測定によるエネルギービーム出力の調整）
当該封止装置は、温度測定器８０２を有している。温度測定器８０２は、エネルギービーム８００で加熱したフリットガラス層５１０と重なる基板温度とその周辺領域の温度を測定する（図１（Ｄ））。

当該封止装置により、別のテストピースで、エネルギービームの出力とエネルギービームで加熱したフリットガラス層５１０と重なる基板温度を測定し、エネルギービーム出力と温度の関係を調べておく。具体的には、図７に示すようなデータを取得する。温度は、線状に形成されたフリットガラス層５１０の中心を測定すればよい。温度測定器８０２は、赤外放射温度計やサーモグラフィーを用いることができるが、サーモグラフィーが好ましい。ここでサーモグラフィーとは、物体から放射される赤外線を分析し、熱分布を図として表す装置である。サーモグラフィーにより、フリットガラス層５１０とその周辺の温度を測定することができる。そのため、たとえば、フリットガラス層５１０に近接する熱に弱い有機ＥＬ素子に熱が加わらないように、エネルギービームを調整してフリットガラス層５１０を所定の温度範囲に加熱することができる。

次に、実基板において、フリットガラス層５１０にエネルギービーム８００を照射し、エネルギービーム８００で加熱されたフリットガラス層５１０重なる基板温度を、エネルギービーム８００を走査しながら順次、測定する。その温度のデータは、制御ＰＣ８２０に順次送られる。あらかじめ取得したエネルギービーム出力と温度のデータにより、フリットガラス層５１０と重なる基板温度が所定の温度範囲になるように、制御ＰＣ８２０でエネルギービーム８００の出力を調整する。

ところで、フリットガラス層５１０と第２基板１０２を溶着させるためには、フリットガラス層５１０を所定の温度範囲にする必要がある。しかしながら、フリットガラス層５１０の下にある膜の構成や、フリットガラス層５１０の膜厚のばらつきにより、エネルギービーム８００の出力を一定に照射すると、フリットガラス層５１０の温度が所定の温度範囲からずれてしまうことがある。そのため、所定の温度範囲よりもフリットガラス層５１０の温度が高い場合には、フリットガラス層にクラックが生じてしまう。また、所定の温度範囲よりもフリットガラス層５１０の温度が低い場合には、フリットガラス層５１０と第１基板１０１との溶着が不十分となるおそれがある。

そこで、温度測定器８０２により、加熱しているフリットガラス層５１０と重なる基板の温度を測定し、フリットガラス層５１０が所定の温度範囲になるように、エネルギービーム８００の出力を調整する。その結果、フリットガラス層５１０が所定の温度範囲で、第２基板１０２と溶着できるので、気密性の高い封止体を作製することができる。

＜変形例＞
（反射層の形成）
第２基板１０２上に反射層１４０を形成する。反射層１４０は、第１基板１０１に形成されるフリットガラス層５１０と重なるように形成する。また、反射層１４０は、後述する有機ＥＬ素子１２５を囲むように形成する。反射層１４０となる膜は、タングステン、モリブデン、アルミニウム等の金属を用いることができる。タングステン、モリブデン、アルミニウム等はスパッタ法を用いて成膜すればよい。反射層１４０は、フリットガラス層５１０がエネルギービームで加熱・急冷されるときに生じる応力を緩和して、フリットガラス層５１０と第１基板１０１および第２基板１０２にクラックを生じさせにくくさせる。また、エネルギービーム８００を吸収または反射して、フリットガラス層５１０の加熱温度のばらつきを低減することができる。また、エネルギービーム８００の吸収または反射のばらつきを抑え、レーザ光の出力を一定にする効果がある。

反射層１４０は、フリットガラス層５１０を形成する領域に形成する（図２（Ａ））。反射層１４０の形態は公知の技術を用いて形成すればよく、例えばフォトマスクを用いて形成したレジストマスクを用いてエッチングによって形成することができる。

無機絶縁層５０１は、反射層１４０を覆うように設けることが好ましい。反射層１４０の表面の酸化を防止するためである。また、反射層１４０とフリットガラス層５１０は密着性が低いため、無機絶縁層５０１を設けることにより密着性を高める効果がある。無機絶縁層５０１には、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコンを用いることができる。

（有機ＥＬ素子の形成）
図２（Ａ）に示すように、第２基板１０２上に有機ＥＬ素子１２５を設ける。有機ＥＬ素子１２５は、例えば、第２基板１０２に近いほうから陽極、発光層、陰極の順に積まれた積層構造を有する。陽極と陰極を入れ替えてもよい。これらの他に別の層を追加で設けても構わない。陽極からは端子１２６ａが、陰極からは端子１２６ｂがそれぞれ出ており、これらを外部電源に接続することで、有機ＥＬ素子１２５に電力を供給できる。有機ＥＬ素子１２５の詳細は実施の形態３で説明する。

（フリットガラスペーストの塗布）
次に、フリットガラスペースト５００を反射層１４０と重なるように、第１基板１０１上に塗布する（図２（Ｂ））。

（フリットガラスペーストの焼成）
フリットガラスペースト中のバインダを揮発させるため加熱を行う。詳細は上述したので省略する。

次に、有機ＥＬ素子１２５を囲むようにシール材１２７を形成する。シール材１２７は、紫外線硬化樹脂等を用いることができる。フリットガラス層５１０と２重に封止することにより、気密性の高い封止体を得ることができる。

（エネルギービームの照射）
次に、第１基板１０１上のフリットガラス層５１０と第２基板１０２を密着させ、フリットガラス層５１０にエネルギービーム８００を照射する（図２（Ｄ））。その結果、溶融したフリットガラス層５１０を介して、第１基板１０１と第２基板１０２が溶着する。エネルギービーム８００で加熱されたフリットガラス層５１０の温度は、温度測定器８０２で測定しており、その温度が所定の温度範囲になるようにエネルギービーム８００の出力が調整されている。そのため、フリットガラス層５１０の温度は、第２基板１０２と溶着するのに最適な所定の温度範囲に加熱される。その結果、気密性の高い封止体１６２を作製することができる。以上の工程により、図２（Ｃ）に示す気密低の高い封止体１６２を作製することができる。

（実施の形態２）
本実施の形態は、本発明の封止装置の一例について、図３を用いて説明する。

当該封止装置は、第１基板１０１と第２基板１０２を吸着する吸着ステージ７０４を有する。吸着ステージ７０４の下には、基板の回転角を調整するθステージ７０３と、基板のＸ軸方向の位置を調整するＸステージ７０１と、基板のＹ軸方向の位置を調整するＹステージ７０２を備えている。これらのステージにより、基板の所定の位置に、エネルギービームを照射することができる。

照射源８０１は、発振器８１０と接続されている。照射源８０１は、レーザ光、電子ビーム等を用いることができるが、レーザ光を用いることが好ましい。レーザ光の波長は、用いるフリットペーストによって適宜選択すればよい。なお、発振器８１０、各ステージは制御ＰＣ８２０に接続されている。

当該封止装置は、吸着ステージ７０４と独立した支持体に照射源８０１と温度測定器８０２を備える。温度測定器８０２は、照射源８０１から生じるエネルギービームが加熱する領域の温度を測定できるように、設置すればよい。温度測定器として、サーモグラフィーを用いることが好ましい。

本発明の封止装置は、エネルギービーム８００で加熱されたフリットガラス層５１０の温度を、温度測定器８０２で測定しており、その温度が所定の温度範囲になるようにエネルギービーム８００の出力を調整する。そのため、フリットガラス層５１０の温度は、第２基板１０２と溶着するのに最適な、所定の温度範囲に加熱される。その結果、当該封止装置により、気密性の高い封止体を作製することができる。

（実施の形態３）
実施の形態１において説明した有機ＥＬ素子１２５について、図４（Ａ）を用いて説明する。本実施の形態では第１電極３０２と第２電極３０４に挟持された発光素子の構成について詳細に説明する。また、第１電極３０２には端子１２６ｂが接続され、第２電極３０４には端子１２６ａが接続される。

発光素子は、一対の電極（第１電極３０２及び第２電極３０４）と、当該一対の電極間に挟まれた有機ＥＬ層３０３を有する。また、本実施の形態で説明する発光素子は、ガラス基板３００上に設けられている。

ガラス基板３００は、発光素子の支持体として用いられる。ガラス基板３００としては、長方形の板状のものは勿論、曲面を有するものなど様々な形状のものを用いることができる。

第１電極３０２及び第２電極３０４は、一方が陽極として機能し、他方が陰極として機能する。本実施の形態においては、第１電極３０２を陽極として用い、第２電極３０４を陰極として用いるものとして説明するが、本発明はこの構成に限定されるものではない。

陽極として用いる材料は、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、導電性化合物、またはこれらの混合物などが好ましい。具体的には、酸化インジウム−酸化スズ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、シリコン若しくは酸化シリコンを含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。

陰極として用いる材料は、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などが好ましい。具体的には、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属が挙げられる。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金（例えばＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）を用いることもできる。また、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などの希土類金属、または希土類金属を含む合金を用いることもできる。また、有機ＥＬ層３０３の一部として、第２電極３０４に接する電子注入層を設ける場合、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、酸化インジウム−酸化スズなどの様々な導電性材料を第２電極３０４として用いることができる。これら導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて薄膜とすることが可能である。

有機ＥＬ層３０３は、単層構造で構成されることも可能であるが、通常積層構造から構成される。有機ＥＬ層３０３の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）または正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）、電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）、正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質を含む層、発光材料を含む層（発光層）などを適宜組み合わせて構成すればよい。例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等を適宜組み合わせて構成することができる。図４（Ａ）においては、第１電極３０２の上に形成された有機ＥＬ層３０３として、正孔注入層３１１、正孔輸送層３１２、発光層３１３、電子輸送層３１４が順に積層された構造を示している。

発光素子は、第１電極３０２と第２電極３０４との間に生じた電位差により電流が流れ、発光性の高い物質を含む層である発光層３１３において正孔と電子とが再結合し、発光するものである。つまり発光層３１３に発光領域が形成されるような構成となっている。

発光は、第１電極３０２または第２電極３０４のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第１電極３０２または第２電極３０４のいずれか一方または両方は、透光性を有する電極で成る。第１電極３０２のみが透光性を有する電極である場合、発光は第１電極３０２を通ってガラス基板３００側から取り出される。また、第２電極３０４のみが透光性を有する電極である場合、発光は第２電極３０４を通って基板と逆側から取り出される。第１電極３０２および第２電極３０４がいずれも透光性を有する電極である場合、発光は第１電極３０２および第２電極３０４を通って、ガラス基板３００側と逆側の両方から取り出される。

発光層３１３に接する正孔輸送層３１２や電子輸送層３１４、特に発光層３１３における発光領域に近い方に接するキャリア（電子または正孔）輸送層は、発光層３１３で生成した励起子からのエネルギー移動を抑制するため、発光層を構成する発光材料、または発光層に含まれる発光中心物質よりも大きなエネルギーギャップを有する物質で構成することが好ましい。

正孔注入層３１１は、正孔注入性の高い物質を含み、第１電極３０２から正孔輸送層３１２へ正孔の注入を補助する機能を有する。正孔注入層３１１には、第１電極３０２と正孔輸送層３１２との間のイオン化ポテンシャルの差を緩和し、正孔が注入され易くなるものを選ぶ。具体的には、正孔注入層３１１は、イオン化ポテンシャルを正孔輸送層３１２よりも小さく、第１電極３０２よりも大きいものとするか、正孔輸送層３１２と第１電極３０２との間に１〜２ｎｍの薄膜として設けたときにエネルギーバンドを曲げるものを用いて形成することが好ましい。正孔注入性の高い物質には、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、またはポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子がある。

正孔輸送層３１２は、正孔輸送性の高い物質を含む。正孔輸送性の高い物質とは、正孔の移動度が電子のそれよりも高いものを指し、電子の移動度に対する正孔の移動度の比（＝正孔移動度／電子移動度）が３００よりも大きいものを利用するのが好ましい。また、正孔輸送層３１２の正孔移動度は、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上とするのが好ましい。具体的には、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス｛Ｎ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル］−Ｎ−フェニルアミノ｝ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ジ（ｍ−トリル）アミノ］ベンゼン（略称：ｍ−ＭＴＤＡＢ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）、バナジルフタロシアニン（略称：ＶＯＰｃ）などを利用できる。また、正孔輸送層３１２は、単層構造としてもよいし、積層構造としてもよい。

電子輸送層３１４は、電子輸送性の高い物質を含む。電子輸送性の高い物質とは、電子の移動度が正孔のそれよりも高いものを指し、正孔の移動度に対する電子の移動度の比（＝電子移動度／正孔移動度）が３００よりも大きいものを利用するのが好ましい。また、電子輸送層３１４の電子移動度は、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上とするのが好ましい。具体的には、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール系配位子を有する金属錯体、チアゾール系配位子を有する金属錯体を利用できる。キノリン骨格を有する金属錯体の具体例としては、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）が挙げられる。また、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体の具体例としては、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）が挙げられる。また、オキサゾール系配位子を有する金属錯体の具体例としては、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）_２）が挙げられる。また、チアゾール系配位子を有する金属錯体の具体例としては、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）が挙げられる。また、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ０１）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。具体例を挙げた上述の物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外の物質を電子輸送層３１４として用いてもよい。また、電子輸送層３１４は、単層構造としてもよいし、積層構造としてもよい。

また、発光層３１３と電子輸送層３１４との間に電子キャリアの移動を制御する層を設けてもよい。電子キャリアの移動を制御する層は、上述したような電子輸送性の高い材料に対して、電子トラップ性の高い物質を少量添加した層である。電子キャリアの移動を制御する層を設けることにより、電子キャリアの移動を抑制し、キャリアバランスを調節することが可能となる。このような構成は、発光層を電子が突き抜けてしまうことにより発生する問題（例えば素子寿命の低下）の抑制に大きな効果を発揮する。

また、電子輸送層３１４と第２電極３０４との間に、第２電極３０４に接して電子注入層を設けてもよい。電子注入層としては、電子輸送性を有する物質からなる層中に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）などのようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を含有させたものを用いればよい。具体例としては、Ａｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたものを用いることができる。電子注入層を設けることにより、第２電極３０４からの電子注入を効率良く行うことができる。

また、有機ＥＬ層３０３は、乾式法、湿式法を問わず、種々の方法を用いて形成できる。例えば、真空蒸着法、インクジェット法、またはスピンコート法を用いることができる。また、有機ＥＬ層３０３を積層構造とする場合、各層毎に異なる方法を用いて形成してもよいし、各層全てを同一の方法で形成してもよい。

また、第１電極３０２、第２電極３０４は、ゾル−ゲル法や液状の金属材料を用いた湿式法で形成してもよいし、スパッタリング法や真空蒸着法などの乾式法で形成してもよい。このような発光素子と本発明の一態様である封止体の作製方法を組み合わせることにより、信頼性の高い発光装置を作製することができる。

以上、本実施の形態に示す方法などは、他の実施の形態に示す方法などと適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、有機ＥＬ素子１２５に適用できる複数の発光ユニットを積層した構成を有する発光素子（以下、「タンデム型の発光素子」という）について、図４（Ｂ）を参照しながら説明する。タンデム型の発光素子は、第１電極と第２電極との間に、複数の発光ユニットを有する。発光ユニットとしては、先に示した有機ＥＬ層３０３と同様な構成を用いることができる。

図４（Ｂ）において、第１電極４０１と第２電極４０２との間には、第１の発光ユニット４１１と第２の発光ユニット４１２が積層されている。第１電極４０１と第２電極４０２は、実施の形態３と同様なものを適用することができる。また、第１の発光ユニット４１１と第２の発光ユニット４１２は同じ構成であっても異なる構成であってもよく、各ユニットの構成は、それぞれ実施の形態３に示したものと同様なものを適用することができる。

第１の発光ユニット４１１と第２の発光ユニット４１２との間には、電荷発生層４１３が設けられている。電荷発生層４１３は、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含み、第１電極４０１と第２電極４０２に電圧を印加したときに、一方の側の発光ユニットに電子を注入し、他方の側の発光ユニットに正孔を注入する機能を有する。有機化合物と金属酸化物の複合材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を可能にする。

正孔輸送性の有機化合物には、正孔移動度が１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上であるものを用いることが好ましい。例えば、芳香族アミン化合物、カルバゾール化合物、芳香族炭化水素等の低分子化合物、または、芳香族アミン誘導体、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素誘導体の高分子化合物、オリゴマー、デンドリマーなどが利用できる。また、それらと混ぜる金属酸化物には、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を用いればよく、具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムが挙げられ、これらの金属酸化物は電子受容性が高いため、好ましい。特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、且つ扱いやすいため、特に好ましい。

また、電荷発生層４１３は、単層構造でもよいし、積層構造でもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子供与性物質の中から選ばれた一の化合物、及び電子輸送性の高い化合物を含む層とを積層した構造としてもよいし、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電膜とを積層した構造としてもよい。

本実施の形態では、２つの発光ユニットを有する発光素子について説明したが、本発明はこの構成に限定されるものではない。すなわち、タンデム型の発光素子は、３つ以上の発光ユニットを有していてもよい。この場合も、各発光ユニットの間には電荷発生層を設ける。例えば、第１のユニットと、それよりも長波長の発光（例えば、赤色の発光）を呈する第１の発光材料を用いて作製される第２のユニットと、第１のユニットよりも長波長、かつ第１の発光材料よりも短波長の発光（例えば、緑色の発光）を呈する第２の発光材料を用いて作製される第３のユニットとを有する発光素子を構成してもよい。これらの発光素子を用いることにより、白色の発光装置を得ることができる。

本実施の形態に係るタンデム型の発光素子は、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で仕切って配置するため、電流密度を低く保ったまま高輝度の発光を可能にする。電流密度を低くできるため、高輝度でも長寿命な発光素子とすることができる。このような発光素子と本発明の一態様である封止体の作製方法を組み合わせることにより、信頼性の高い発光装置を作製することができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、上記実施の形態で例示した封止体の作製方法を適用可能な発光装置について説明する。以下では発光装置の例として、有機ＥＬ素子が適用された表示装置について、図５及び図６を用いて説明する。

本発明の一態様の加熱方法及び封止体の作製方法は、有機ＥＬ素子を備えるパッシブマトリクス方式（単純マトリクス方式）、またはアクティブマトリクス方式が適用された表示装置に適用することができる。下記構成例ではアクティブマトリクス方式の表示装置を例に挙げて説明する。

［構成例１］
本構成例では、有機ＥＬ素子が適用された表示装置について、図５を用いて説明する。

図５（Ａ）は、本発明の一態様の表示装置２００の上面概略図である。本構成例で例示する表示装置２００は、発光素子が設けられる基板とは反対側に光を射出する、いわゆる上面射出型（トップエミッション型）の発光装置である。

表示装置２００は、第１の基板６１１、第２の基板６１２及びフリットガラス層６１３で囲まれた封止領域内に、表示部２０１、走査線駆動回路２０２及び信号線駆動回路２０３を有する。また、走査線駆動回路２０２及び信号線駆動回路２０３と電気的に接続する配線が封止領域内外に延在して設けられ、外部入力端子２０５と電気的に接続される。当該外部入力端子２０５に電気的に接続されたＦＰＣ２０７により、走査線駆動回路２０２、信号線駆動回路２０３等を駆動する電源電位や駆動信号などの信号を入力することができる。

図５（Ｂ）は、外部入力端子２０５、走査線駆動回路２０２、及び表示部２０１を含む領域を切断する切断線Ａ−Ｂ及びＣ−Ｄにおける断面概略図である。

光射出側に設けられる基板の材料としては、ガラス、石英などの透光性を有する材料を用いることができる。また光射出とは反対側に設けられる基板の場合は、透光性を有していなくともよく、上記の材料に加え金属、半導体、セラミックなどの材料を用いることができる。導電性の基板を用いる場合、その表面を酸化させる、若しくは表面に絶縁膜を形成することにより絶縁を持たせることが好ましい。また、工程にかかる熱に耐えうるのであれば、有機樹脂を用いても良い。また、ガラス以外の材料を用いるときには、少なくともフリットガラスと接する領域に酸化膜を形成すると、密着性が向上するため好ましい。

また、発光素子やトランジスタが設けられる基板は、事前にシュリンクする程度に加熱し、基板内部または表面に吸着している水や水素、酸素などの不純物が低減されていることが好ましい。当該加熱を行うことによって、発光素子やトランジスタの作製工程中に不純物が拡散することが抑制され、信頼性の高い発光装置とすることができる。

外部入力端子２０５は、表示装置２００内のトランジスタまたは発光素子を構成する導電層で構成される。本構成例ではトランジスタのゲートを構成する導電層及び電極を構成する導電層を積層して用いる。このように、複数の導電層を積層して外部入力端子２０５を構成することにより強度を高められるため好ましい。また、外部入力端子２０５に接して接続体２０９が設けられ、当該接続体２０９を介してＦＰＣ２０７と外部入力端子２０５とが電気的に接続している。接続体２０９としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート状の材料を用い、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子としては、例えばＮｉ粒子をＡｕで被覆したものなど、２種類以上の金属が層状となった粒子を用いることが好ましい。

図５（Ｂ）には走査線駆動回路２０２として、いずれもｎチャネル型のトランジスタ２１１とトランジスタ２１２を組み合わせたＮＭＯＳ回路を有する例を示している。なお、走査線駆動回路２０２はＮＭＯＳ回路に限られず、ｎチャネル型のトランジスタとｐチャネル型のトランジスタを組み合わせた種々のＣＭＯＳ回路や、ｐチャネル型のトランジスタで構成されるＰＭＯＳ回路などを有する構成としてもよい。なお、信号線駆動回路２０３についても同様である。また、本構成例では、表示部２０１が形成される基板上に走査線駆動回路２０２及び信号線駆動回路２０３が形成されたドライバー一体型の構成を示すが、表示部２０１が形成される基板とは別に走査線駆動回路２０２、信号線駆動回路２０３の一方又は両方を設ける構成としても良い。

図５（Ｂ）には、表示部２０１の一例として一画素分の断面構造を示している。画素は、スイッチング用のトランジスタ２１３と、電流制御用のトランジスタ２１４と、電流制御用のトランジスタ２１４の電極（ソース電極又はドレイン電極）に電気的に接続された画素電極２２３を含む。また、画素電極２２３の端部を覆う絶縁層２１７が設けられている。

なお、表示部２０１、走査線駆動回路２０２、信号線駆動回路２０３を構成するトランジスタの構造は特に限定されない。例えばスタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボトムゲート型のトランジスタのいずれのトランジスタ構造としてもよい。また、トランジスタに用いる半導体材料としては、例えばシリコンやゲルマニウムなどの半導体材料を用いても良いし、インジウム、ガリウム、及び亜鉛のうち少なくともひとつを含む酸化物半導体を用いても良い。また、トランジスタに用いる半導体の結晶性についても特に限定されず、非結晶半導体、または結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化が抑制されるため好ましい。

発光素子２２０は、画素電極２２３、ＥＬ層２２５及び共通電極２２７によって構成されている。発光素子の構造及び材料等については、後の実施の形態で詳細に説明する。

画素電極２２３及び共通電極２２７に用いる導線性材料として、光射出側に設ける電極には、ＥＬ層２２５からの発光に対して透光性を有する材料を用い、光射出側とは反対側に設ける電極には、当該発光に対して反射性を有する材料を用いる。

本構成例では、画素電極２２３に反射性を有する材料を用い、共通電極２２７に透光性を有する材料を用いる。したがって、ＥＬ層２２５からの発光は、第２の基板６１２側に射出される。

光射出側の電極に用いることのできる透光性を有する材料としては、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ、酸化インジウム酸化亜鉛、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、グラフェンなどを用いることができる。また、上記導電層として、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、またはチタンなどの金属材料や、これらを含む合金を用いることができる。または、これら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いても良い。なお、金属材料（またはその窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金と酸化インジウム酸化スズの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるためこのましい。

なお、光射出側の電極として用いる上述の導電性酸化物をスパッタリング法により形成することができる。導電性酸化物膜は、アルゴン及び酸素を含む雰囲気下で成膜すると、光透過性を向上させることができる。

また、上面射出型の場合、ＥＬ層２２５上に成膜される導電性酸化物膜を、酸素濃度が低減されたアルゴンを含む雰囲気下で成膜した第１の導電性酸化物膜と、アルゴン及び酸素を含む雰囲気下で成膜した第２の導電性酸化物膜との積層膜とすると、ＥＬ層２２５への成膜ダメージを低減させることができるため好ましい。ここで第１の導電性酸化物膜を成膜する際のアルゴンガスの純度が高いことが好ましく、例えば露点が−７０℃以下、好ましくは−３００℃以下のアルゴンガスを用いることが好ましい。

光射出側とは反対側の電極に用いることのできる反射性を有する材料としては、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属、またはこれらを含む合金を用いることができる。またこれら金属材料を含む金属または合金にランタンやネオジム、ゲルマニウムなどを添加してもよい。そのほか、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金などのアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）や、銀と銅の合金、銀とマグネシウムの合金などの銀を含む合金を用いることもできる。銀と銅の合金は耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜、または金属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記透光性を有する材料からなる膜と金属材料からなる膜とを積層しても良い。例えば、銀と酸化インジウム酸化スズの積層膜、銀とマグネシウムの合金と酸化インジウム酸化スズの積層膜などを用いることができる。

絶縁層２１７は、画素電極２２３の端部を覆って設けられている。そして、絶縁層２１７の上層に形成される共通電極２２７の被覆性を良好なものとするため、絶縁層２１７の上端部又は下端部に曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせるのが好ましい。また、絶縁層２１７の材料としては、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型の感光性樹脂、あるいは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型の感光性樹脂などの有機化合物や、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機化合物を用いることができる。

なお、第１の基板６１１の表面には、絶縁層２１５が設けられている。絶縁層２１５は、第１の基板６１１に含まれる不純物が拡散することを抑制する。また、トランジスタの半導体層に接する絶縁層２１６及び絶縁層２１８、トランジスタを覆う絶縁層２１９は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制することが好ましい。これら絶縁層には、例えばシリコンなどの半導体、アルミニウムなどの金属の酸化物または窒化物を用いることができる。また、このような無機絶縁材料の積層膜、または無機絶縁材料と有機絶縁材料の積層膜を用いても良い。なお、絶縁層２１５は、不要であれば設けなくても良い。

第２の基板６１２には、発光素子２２０と重なる位置にカラーフィルタ２２９が設けられている。カラーフィルタ２２９は、発光素子２２０からの発光色を調色する目的で設けられる。例えば、白色発光の発光素子を用いてフルカラーの表示装置とする場合には、異なる色のカラーフィルタを設けた複数の画素を用いる。その場合、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色を用いても良いし、これに黄色（Ｙ）を加えた４色とすることもできる。また、Ｒ、Ｇ、Ｂ（及びＹ）に加えて白色（Ｗ）の画素を用い、４色（又は５色）としてもよい。

また、隣接するカラーフィルタ２２９の間にはブラックマトリクス２３１が設けられている。ブラックマトリクス２３１は隣接する画素の発光素子２２０から回り込む光を遮光し、隣接画素間における混色を抑制する。ここで、カラーフィルタ２２９の端部を、ブラックマトリクス２３１と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。ブラックマトリクス２３１は、発光素子２２０からの発光を遮光する材料を用いることができ、金属や、顔料を含む有機樹脂などの材料を用いて形成することができる。なお、ブラックマトリクス２３１は、走査線駆動回路２０２などの表示部２０１以外の領域に設けても良い。

また、カラーフィルタ２２９及びブラックマトリクス２３１を覆うオーバーコート２３３が形成されている。オーバーコート２３３は、発光素子２２０からの発光を透過する材料から構成され、例えば無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いることができる。なお、オーバーコートは不要であれば設けなくても良い。

また、図５（Ｂ）に示す断面概略図では、発光素子２２０を１つのみ図示しているが、表示部２０１に３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形成し、フルカラー表示が可能な表示装置を形成することができる。後の実施の形態で例示する白色発光のＥＬ層を有する発光素子とカラーフィルタを組み合わせることによってフルカラー表示が可能な表示装置とすることができる。また、当該発光素子は、上面射出方式に限られず、下面射出（ボトムエミッション）方式、両面射出（デュアルエミッション）方式のいずれも採ることができる。ボトムエミッション方式を採用した発光装置の構成例については、構成例２で説明する。

第１の基板６１１と第２の基板６１２とは第２の基板６１２の外周部において、フリットガラス層６１３によって接着されている。フリットガラス層６１３の構成としては、上記実施の形態で例示した構成を用いることができる。

また、発光素子２２０は、第１の基板６１１、第２の基板６１２及びフリットガラス層６１３に囲まれた封止領域内に設けられている。当該封止領域は、希ガス又は窒素ガスなどの不活性ガス、または有機樹脂などの固体、またはゲルなどの粘性体で充填されていてもよく、減圧雰囲気となっていてもよい。また封止領域内を水や酸素などの不純物が低減されている状態とすると、発光素子２２０の信頼性が向上するため好ましい。

また、発光素子２２０を覆う絶縁膜を設けると、発光素子２２０が露出しないため信頼性を向上させることができる。当該絶縁膜としては、水や酸素などの不純物を透過しない材料を用いる。例えばシリコンやアルミニウムの酸化膜または窒化膜といった無機絶縁膜を用いることができる。

また、封止領域内の発光素子２２０と重ならない領域に、乾燥剤を設けても良い。乾燥剤は、例えばアルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸収する物質を用いることができる。またその他の乾燥剤として、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いても良い。封止領域内に乾燥剤を設けることにより、水分などの不純物を低減し、発光素子２２０の信頼性が向上するため好ましい。

以上が表示装置２００の説明である。

［構成例２］
本構成例では、ボトムエミッション方式が採用された表示装置について説明する。なお、構成例１と重複する部分については、説明を省略するか簡略化して説明する。

図６は、本構成例で例示する表示装置２５０の断面概略図である。

表示装置２５０は、ボトムエミッション方式が採用されている点、及び発光素子２２０よりも第１の基板６１１側にカラーフィルタ２２９を有する点で、構成例１で例示した表示装置２００と異なる。

発光素子２２０において、共通電極２２７には上記反射性を有する材料を用い、画素電極２２３には上記透光性を有する材料を用いる。したがって、ＥＬ層２２５からの発光は第１の基板６１１側に射出される。

また、トランジスタを覆う絶縁層２１９上の、発光素子２２０と重なる位置にカラーフィルタ２２９が設けられる。さらに、カラーフィルタ２２９を覆うオーバーコート２３３が形成されている。画素電極２２３は、当該オーバーコート２３３上に形成される。ここで、オーバーコート２３３は有機樹脂などの有機絶縁膜を用いて形成すると、平坦化層としても機能するため好ましい。

以上が表示装置２５０の説明である。

本実施の形態で例示した表示装置に、本発明の一態様の封止体の作製方法を適用することにより、クラックの発生が抑制され、極めて信頼性の高い表示装置とすることができる。

本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

１０１第１基板
１０２第２基板
１２５有機ＥＬ素子
１２６ａ端子
１２６ｂ端子
１２７シール材
１４０反射層
１６１封止体
１６２封止体
２００表示装置
２０１表示部
２０２走査線駆動回路
２０３信号線駆動回路
２０５外部入力端子
２０７ＦＰＣ
２０９接続体
２１１トランジスタ
２１２トランジスタ
２１３トランジスタ
２１４トランジスタ
２１５絶縁層
２１６絶縁層
２１７絶縁層
２１８絶縁層
２１９絶縁層
２２０発光素子
２２３画素電極
２２５ＥＬ層
２２７共通電極
２２９カラーフィルタ
２３１ブラックマトリクス
２３３オーバーコート
２５０表示装置
３００ガラス基板
３０２第１電極
３０３有機ＥＬ層
３０４第２電極
３１１正孔注入層
３１２正孔輸送層
３１３発光層
３１４電子輸送層
４０１第１電極
４０２第２電極
４１１第１の発光ユニット
４１２第２の発光ユニット
４１３電荷発生層
５００フリットガラスペースト
５０１無機絶縁層
５１０フリットガラス層
６１１第１の基板
６１２第２の基板
６１３フリットガラス層
７０１Ｘステージ
７０２Ｙステージ
７０３ θステージ
７０４吸着ステージ
８００エネルギービーム
８０１照射源
８０２温度測定器
８１０発振器
８２０制御ＰＣ

Claims

第１基板上にフリットガラスペーストを設ける第１工程と、
前記フリットガラスペーストを加熱し、フリットガラス層を形成する第２工程と、
前記第１基板と、反射層及び前記反射層上の無機絶縁層が形成された第２基板とを対向させることにより、前記第１基板と前記第２基板との間に前記フリットガラス層と前記反射層とを介在させ、なおかつ、前記フリットガラス層と前記反射層とによって前記無機絶縁層を挟む第３工程と、
前記フリットガラス層をエネルギービームにより加熱し、前記フリットガラス層により前記第１基板と前記第２基板とを接着する第４工程と、を有し、
前記無機絶縁層は、前記反射層の側部及び前記反射層の上部を覆っており、
前記無機絶縁層は、酸化シリコン、酸窒化シリコン、または窒化シリコンの少なくとも一を含み、
前記第４工程において、前記第２基板の前記フリットガラス層と重なる領域の温度が、前記第２基板にクラックが発生しない温度範囲内になるように、前記エネルギービームの出力強度を調整することを特徴とする封止体の作製方法。
第１基板上に、第１の領域を囲むようにフリットガラスペーストを設ける第１工程と、
前記フリットガラスペーストを加熱し、フリットガラス層を形成する第２工程と、
前記第１基板と、トランジスタ、発光素子、及び第１の層が形成された第２基板とを対向させることにより、前記第１基板と前記第２基板との間に前記フリットガラス層と前記発光素子と前記第１の層とを介在させ、なおかつ、前記第１の領域に前記発光素子と重なる領域及び前記第１の層と重なる領域を設ける第３工程と、
前記フリットガラス層をエネルギービームにより加熱し、前記フリットガラス層により前記第１基板と前記第２基板とを接着する第４工程と、を有し、
前記トランジスタ上には、第２の無機絶縁層が位置し、
前記第２の無機絶縁層上には、前記第１の層が位置し、
前記第１の層上には、有機樹脂層が位置し、
前記有機樹脂層上には、前記発光素子が位置し、
前記第１の層は、前記発光素子から発せられる光を調色する機能を有し、
前記第３工程において、前記フリットガラス層は、前記有機樹脂層と接する領域を有さず、
前記第３工程において、前記フリットガラス層は、前記第２の無機絶縁層と接する領域を有し、
前記第４工程において、前記第２基板の前記フリットガラス層と重なる領域の温度が、前記第２基板にクラックが発生しない温度範囲内になるように、前記エネルギービームの出力強度を調整することを特徴とする封止体の作製方法。
第１基板上に、第１の領域を囲むようにフリットガラスペーストを設ける第１工程と、
前記フリットガラスペーストを加熱し、フリットガラス層を形成する第２工程と、
前記第１基板と、トランジスタ、発光素子、第１の層、及び前記発光素子を囲むシール材が形成された第２基板とを対向させることにより、前記第１基板と前記第２基板との間に前記フリットガラス層と前記発光素子と前記第１の層とを介在させ、前記第１の領域に前記発光素子と重なる領域及び前記第１の層と重なる領域を設け、なおかつ、前記シール材で前記フリットガラス層を囲む第３工程と、
前記フリットガラス層をエネルギービームにより加熱し、前記フリットガラス層により前記第１基板と前記第２基板とを接着する第４工程と、を有し、
前記トランジスタ上には、第２の無機絶縁層が位置し、
前記第２の無機絶縁層上には、前記第１の層が位置し、
前記第１の層上には、有機樹脂層が位置し、
前記有機樹脂層上には、前記発光素子が位置し、
前記第１の層は、前記発光素子から発せられる光を調色する機能を有し、
前記第３工程において、前記フリットガラス層は、前記有機樹脂層と接する領域を有さず、
前記第３工程において、前記フリットガラス層は、前記第２の無機絶縁層と接する領域を有し、
前記第４工程において、前記第２基板の前記フリットガラス層と重なる領域の温度が、前記第２基板にクラックが発生しない温度範囲内になるように、前記エネルギービームの出力強度を調整することを特徴とする封止体の作製方法。
前記エネルギービームがレーザ光であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の封止体の作製方法。