JP6103089B2 - Iii族窒化物結晶の製造方法およびiii族窒化物結晶 - Google Patents
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III族窒化物結晶を基板として用いる際には、結晶成長させたIII族窒化物結晶を基板の形状に加工する必要がある。例えば、円盤状の基板を作製する際には、成長させたIII族窒化物結晶の外周を結晶用砥石などで研磨して断面を円形にしている。また、所望のサイズにするために、スライス加工も頻繁に行われている。
特許文献1にはそりを低減するための手段は記載されているものの、本発明が着目している基底面転位については何も記載されておらず、本発明者らが特許文献1に記載の手段を検討したところ、いずれも外周加工やスライス加工時の損傷やクラック発生の問題を十分に解決するには至っていないことが明らかになった。
また、結晶品質という点でもなお改良の必要性があることが判明した。このような従来技術の問題点に鑑みて、本発明者らは、加工性に優れていて品質が高いIII族窒化物結晶とその製造方法を提供することを課題として鋭意検討を重ねた。
(1)III族窒化物単結晶を1000℃以上で熱処理することによりIII族元素を含む化合物からなる被膜を形成する被膜形成工程。
(2)該被膜を除去する被膜除去工程。
[2] 前記被膜がIII族元素を含む酸化物を含むことを特徴とする[1]に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
[3] 前記被膜がIII族元素を含む水酸化物ないしオキシ水酸化物を含むことを特徴とする[1]または[2]に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
[4] 前記被膜が前記単結晶上に直接形成されることを特徴とする[1]〜[3]のいずれか一項に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
[5] 酸素源の存在下で熱処理を行うことを特徴とする[1]〜[4]のいずれか一項に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
[6] アルミナ、ジルコニア、チタニア、またはこれらの少なくとも一種を含む焼結体の存在下で熱処理を行うことを特徴とする[1]〜[4]のいずれか一項に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
[7] アルミナまたはアルミナを含む焼結体の存在下で熱処理を行うことを特徴とする[1]〜[4]のいずれか一項に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
[8] さらに加圧工程を有することを特徴とする[1]〜[7]のいずれか一項に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
[9] M面に基底面転位が50〜500nmの間隔で並ぶ転位集合体を含み、該転位集合体の最大長が5μm以上であることを特徴とするIII族窒化物結晶。
[10] 前記転位集合体がM面に8×103個/cm2以上存在することを特徴とする[9]に記載のIII族窒化物結晶。
[11] M面における転位集合体の個数密度(A)と孤立転位の個数密度(B)の比で表される転位集積度(A/B)が1%以上であることを特徴とする[9]または[10]に記載のIII族窒化物結晶。
[12] 下記のΔd/d(ave)が4×10-5以下であることを特徴とするIII族窒化物結晶。
Δd/d(ave)=[d(max)-d(min)]/d(ave)
[上式において、d(max)、d(min)およびd(ave)は、エピタキシャル成長方向に直交する結晶面の格子面間隔を成長方向に沿って測定したときの、その最大値、最小値、および平均値を表す。]
(基本構成)
本発明のIII族窒化物結晶の製造方法は、下記の(1)および(2)の工程を含むことを特徴とする。本発明の製造方法では、(1)の被膜形成の工程を実施してから(2)の被膜除去工程を実施するステップを少なくとも1回含むものであり、(1)および(2)の工程を含むステップは繰り返して行ってもよい。また、(1)の工程の前、(1)と(2)の工程の間、(2)の工程の後に、(1)や(2)以外の工程を含むものであってもよい。
(1)III族窒化物単結晶を1000℃以上で熱処理することによりIII族元素を含む化合物からなる被膜を形成する被膜形成工程。
(2)該被膜を除去する被膜除去工程。
本発明の製造方法における被膜形成工程では、III族窒化物単結晶にIII族元素を含む化合物からなる被膜が形成されるような条件で熱処理を行う。
被膜形成工程で用いるIII族窒化物単結晶は、本発明で製造しようとしているIII族窒化物結晶と同じ種類のIII族窒化物からなる単結晶とする。たとえば、GaN結晶を製造しようとしている場合はGaN単結晶を用いる。被膜形成工程で用いるIII族窒化物単結晶としては、種々の成長法により成長させた単結晶を用いることができる。結晶成長法としては公知のいずれの結晶成長方法を適用してもよく、例えば、HVPE法、MOCVD法、フラックス法、アモノサーマル法などが挙げられる。具体的には、サファイアなどの異種基板上に成長させたIII族窒化物単結晶を下地基板として、HVPE法で成長させたIII族窒化物単結晶を好ましく用いることができる。ここで採用するHVPE法の詳細は特に制限されず、例えば、後述する実施例に記載される条件を参考にすることができる。
熱処理時間は、熱処理温度が高い場合は短くし、熱処理温度が低い場合は長くすることが好ましい。概して熱処理時間は15分以上にすることが好ましく、30分以上にすることがより好ましく、1時間以上にすることがさらに好ましい。熱処理時間の上限値は200時間以下にすることが好ましく、100時間以下にすることがより好ましく、24時間以下にすることがさらに好ましい。
例えば、1275〜1375℃の範囲内の熱処理温度を採用する場合は、0.25〜24時間熱処理することが好ましく、1.0〜10時間熱処理することがより好ましい。また、1150〜1250℃の範囲内の熱処理温度を採用する場合は、1.0〜200時間熱処理することが好ましく、24〜100時間熱処理することがより好ましい。
昇温速度や降温速度は、常に一定にしておいてもよいし、時間により変化させてもよい。
反応容器の形状は特に制限されず、例えば筒状の容器を挙げることができ、例えば筒状のアルミナ管を挙げることができる。筒状の反応容器を用いる場合は、熱処理するIII族窒化物単結晶は複数の結晶を重ねたり、並べたりしながら縦置き、横置きすることができる。本発明では、反応容器内壁をアルミナ等で構成する他に、反応容器内に設置される基板ホルダー等の表面をアルミナ等で構成する態様や、アルミナ棒やアルミナ粉を反応容器内に設置する態様も採用することができる。
本発明の被膜除去工程では、被膜形成工程において形成した被膜を除去する。
被膜除去方法としては、結晶を酸溶液中に浸漬する方法や機械研磨法を挙げることができる。好ましいのは、効率性と簡便性に優れている点から、結晶を酸溶液ないし混酸溶液中に浸漬する方法である。結晶を浸漬する際に用いる酸種は、硝酸が適当で、他に硫酸、塩酸が挙げられる。濃度が10%以上であるものが好ましく、30%以上であるものがより好ましい。高濃度の酸溶液ないし混酸溶液を用いれば、被膜除去が効率的になるという傾向がある。酸溶液ないし混酸溶液への浸漬時には、酸溶液ないし混酸溶液を攪拌したり、超音波振動を与えて攪拌したりするなどの付加的な制御を適宜選択して行うことが可能である。酸溶液ないし混酸溶液を用いた被膜除去工程は、加熱しながら行うことが好ましい。具体的には、60℃以上で行うことが好ましく、80℃以上で行うことがより好ましい。
(特徴)
本発明のIII族窒化物結晶は、基底面転位が50nm〜500nmの間隔で並んだ転位集合体をM面に含み、該転位集合体の最大長が5μm以上であることを特徴とする。
本発明でいう基底面転位は、GaN結晶等で広く知られている貫通転位(threading dislocation)とは異なるものである。貫通転位は、サファイア基板などの異種基板上にGaN結晶を気相成長した際に、格子定数が大きく異なるために発生するGaN結晶中の109個/cm2程度の相当数の転位である。これに対して本発明でいう基底面転位は、応力誘起で底面上すべりが生じた際に導入する転位であり、その伝幡方向がGaNの結晶成長方向と垂直であることからbasal dislocationとも呼ばれているものである(Koji Maeda, Kunio Suzuki, Masaki Ichihara, Satoshi Nishiguchi, Kana Ono, Yutaka Mera and Shin Takeuchi, Physica B; Condensed Matter, Volumes 273-274, 1999, Pages 134-139参照)。本発明者らは、SEM−CL観察と透過型電子顕微鏡観察によって基底面上で弧を描きながら伝幡している形態を捉えている。なお、基底面は、例えばC面成長GaN結晶であれば(0001)面である。
本発明者らが従来のIII族窒化物結晶を詳細に顕微鏡観察したところ、結晶の外周部に1×108cm-2もの高い転位密度を有する領域が点在していることが確認された。同種の転位は結晶中心まで106cm-2〜107cm-2もの低い密度であるものの広く分布していることも確認された。本発明者らは、このように基底面転位が外周部に局所集中していることが外周部の脆弱化に繋がっているとともに、外周部の局所集中に対して中心部では均一に分散している状態が、結晶全体に分布する残留応力の一因になっていることを見出した。そして、基底面転位を制御することによりIII族窒化物結晶の加工性を向上させることに成功したものである。
本発明のIII族窒化物結晶は、機械加工損傷抵抗の値が低い。また、本発明のIII族窒化物結晶は、転位伝播最大距離が長い。ここでいう転位伝播最大距離は、ビッカース試験によって導入されたビッカース圧痕周辺で観察される転位のうち最長のものをいう。
ここでいう格子定数の変化Δd/d(ave)は、エピタキシャル成長方向に直交する結晶面の格子面間隔を成長方向へ沿って測定したときの変化の大きさを示す尺度であり、
Δd/d(ave)=[d(max)-d(min)]/d(ave)
によって導かれたパラメーターである。ここで、d(max)は測定範囲における格子面間隔の最大値、d(min)は測定範囲における格子面間隔の最小値、d(ave)は測定範囲における格子面間隔の平均値を表す。Δd/d(ave)を小さくすることで残留応力を低減させることが出来る。
本発明のIII族窒化物結晶はΔd/d(ave)が、通常、4×10-5以下であり、3×10-5以下であることが好ましく、2×10-5以下であることがより好ましい。Δd/d(ave)を4×10-5以下にすることで、III族窒化物結晶における残留応力を低減することができ、加工時におけるクラックの発生を抑制することができる。
また、上記d(max)、d(min)およびd(ave)の測定範囲は、測定対象であるIII族窒化物結晶の大きさによって任意に決めればよい。なお、本発明では測定距離としては3.5mm、測定間隔としては100μmとして上記格子面間隔を測定した。
また、III族窒化物結晶を用いた場合には、上記Δd/d(ave)は、測定した結晶面をa軸長の変化に変換してもよい。例えば、{10−10}面、{30−30}面、{2−1−10}面、{4−2−20}面の格子面間隔の成長方向への格子定数の変化を求めた場合には、それぞれ2/√3、2√3、1、2を乗ずればa軸長が求まる。
Δd/d(ave)を4×10-5以下にするには、本発明の製造方法にしたがってIII族窒化物単結晶を1000℃以上で熱処理して基底面転位を最適な位置に制御すればよい。ここで基底面転位の辷り面(C面)に直交する方向の歪み分布は一様であるので、熱処理によって容易に転位間の吸収挙動が生じる。縦に並ぶ配列まで吸収挙動が進むと、個々の基底面転位が持つ歪み分布は相殺され、系内の内部歪みの低減は進む。基底面転位の吸収挙動は温度に依存する。例えば、Δd/d(ave)を4×10-5以下にするには1000℃以上の温度で熱処理すればよいし、Δd/d(ave)を3×10-5以下にするには1100℃以上の温度で熱処理すればよいし、Δd/d(ave)を2×10-5以下にするには1200℃以上の温度で熱処理すればよい。
本発明のIII族窒化物結晶は、III族元素の窒化物からなる。具体的には、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウム、またはこれらが混ざった単結晶を挙げることができる。例えば、C面成長させたGaN単結晶を本発明の製造方法にしたがって熱処理して被膜を形成し、その被膜を除去したGaN結晶やAlGaN結晶を好ましい例として挙げることができる。
また、本発明の製造方法によれば、大型なIII族窒化物結晶を容易に製造することができるため、本発明のIII族窒化物結晶は大サイズとすることができる。例えば3インチ以上の大型III族窒化物結晶とすることが可能である。また、本発明のIII族窒化物結晶は必要に応じて適宜加工することにより基板として有用に用いられる。本発明によれば、例えば基底面基板、非極性基板、半極性基板を安価に提供することができる。
直径76mmΦのサファイア基板上にMOCVDでGaNを成長したC面を主面とするテンプレート基板を準備し、これを下地基板110として、直径85mm、厚さ20mmのSiCコーティングしたカーボン製の基板ホルダー108上に置いてHVPE装置のリアクター100内に配置した(図1参照)。リアクター100内を1020℃まで加熱後、導入管103を通してHClガスを供給し、リザーバー106中のGaと反応して発生したGaClガスG3を導入管104を通してリアクター内へ供給した。このような下地基板110の上でのGaN層成長工程において、リアクター温度1020℃を29時間保持し、また、成長圧力を1.01×105Paとし、GaClガスG3の分圧を6.52×102Paとし、NH3ガスG4の分圧を7.54×103Paとし、塩化水素(HCl)の分圧を3.55×101Paとした。GaN層成長工程終了後、リアクター内を室温まで降温し、III族窒化物結晶であるC面成長GaN結晶を得た。得られたGaN結晶は、成長面表面状態は鏡面であり、触針式の膜厚計で測定した厚さは3.5mmであった。
得られたGaN結晶は洗浄、エッチング、キャップ等の前処理を行わずに、次の熱処理(高温腐食アニール)を行った。
上記の熱処理を行なわずに製造した結晶サンプル(比較例1)と、熱処理を1200℃で96時間行って製造した結晶サンプル(比較例2)も用意した。比較例1および比較例2の結晶サンプルには、III族元素を含む化合物からなる被膜の形成は認められなかった。
得られた結晶サンプルの加工性を評価するために、結晶をウエハー形状の円形に加工する外周加工とウエハー厚みに調整するスライス加工を下記の手順にしたがって実施した。
結晶研削用砥石として、ダイヤモンド砥粒の平均粒径が25μm、ボンド剤がビトリファイドの砥石を用い、砥石加工面を結晶の(0001)面と垂直になるように配置した。砥石回転速度は2500m/minとし、結晶回転速度は5mm/secとした。また、砥石加工面が結晶1回転あたり0.02〜0.04mm結晶中心に近づくよう制御した。
直径50mm、厚み3.5mmの円盤状の(0001)面を主面とする結晶サンプル1を用意し、図3に示すように台座2上にエポキシ系接着剤を用いて固定した。ここで、図3(a)は正面図であり、図3(b)は側面図である。結晶切断用ワイヤーWとして、平均粒径12〜25μmのダイヤモンド砥粒を表面に電着したワイヤーを70本並列に配置した装置を用意し、そのうちの6本を結晶サンプルの切削に寄与させた。並列に配置した各ワイヤーWは、図4(a)に示すようにローラーR1とローラーR2が同じ向きに回転することにより走行し、2つのローラーR1,R2は図4(b)に示すように互い違いに上下へ移動することにより揺動するように制御した。動作中は、ローラーR1とローラーR2の間に形成されるワイヤー直線状部の中点が揺動しないように設定した。揺動の最大振れ角度φは10°、ワイヤーの最大走行速度は330m/min、ワイヤーの揺動周期は800回/minに制御した。
(1)と同じ方法により、厚さ3.5mmのC面成長GaN結晶を得た。この結晶を1/4サイズになるようM面とA面で劈界した後、(1)と同じ方法により1300℃で6時間の熱処理処理を行って黒色表面の結晶を得た。これを120℃の硝酸(99.9%)に浸漬することにより、Gaメタルを除去し、クリーム色を呈する水酸化ガリウムと白色の酸化ガリウムが結晶表面に存在する結晶サンプルを得た。
上記の熱処理を施した結晶サンプル(実施例11)の他に、熱処理を施さなかった比較用結晶サンプル(比較例11)も得た。
M面片面研磨サンプルの研磨表面を蛍光顕微鏡(倍率5倍)を用いて観察したところ、熱処理を行った実施例11のサンプルには、基底面転位が集積した転位集合体が10μm〜50μmの大きさで観察された。M面片面研磨サンプルの外縁から25mm、20mm、15mmの各部位において、同じ蛍光顕微鏡を用いて約0.0054cm2の面積中に存在する転位集合体の個数を数えた。その個数を測定面積で除することにより、転位集合体の個数密度を算出した。カソードルミネッセンス走査型電子顕微鏡を用いて、0.0017cm2の面積中に存在する孤立転位(転位集合体を形成していない孤立した転位)の個数を数えて、孤立転位の個数密度を算出した。結果を以下の表2に示す。また、カソードルミネッセンス走査型電子顕微鏡の観察結果を図5に示す。
一方、熱処理を行わなかった比較例11のサンプルにおける転位集合体についても同様に走査型電子顕微鏡カソードルミネッセンスを用いて観察した。その結果、50〜500nm間隔で並ぶ構造からなることは確認されたが、その範囲はc軸方向およびa軸方向とも5μm以下であった。
結晶全体の歪みの分布を定量的に調べるために、(2)の熱処理を行った実施例11のサンプル、及び熱処理を行わなかった比較例11のサンプルに対して以下のようにX線回折により格子面間隔測定を行った。
2 台座
W ワイヤー
φ 揺動の最大振れ角度
R1,R2 ローラー
100 リアクター
101〜105 ガス導入管
106 Ga用リザーバー
107 ヒーター
108 基板ホルダー
109 排気管
110 下地基板
200 アルミナ管
201 結晶
202 ヒーター
203 ガス導入管
204 ガス排出管
Claims (8)
- エピタキシャル成長方向がc軸方向であり、下記のΔd/d(ave)が4×10-5以下である部分を有することを特徴とする窒化ガリウム結晶。
Δd/d(ave)=[d(max)-d(min)]/d(ave)
[上式において、d(max)、d(min)およびd(ave)は、(30−30)面の格子面間隔を、エピタキシャル成長方向に沿って100μmおきに33点で測定したときの、その最大値、最小値、および平均値を表す。] - M面の0.0054cm2の面積を観察したときに、基底面転位が50〜500nmの間隔で並んでなる最大長5μm以上の転位集合体の密度が8×103個/cm2以上であることを特徴とする窒化ガリウム結晶。
- M面の0.0054cm2の面積を観察したときの前記転位集合体の個数密度(A)とM面の0.0017cm2の面積を観察したときの孤立転位の個数密度(B)の比で表される転位集積度(A/B)が1%以上であることを特徴とする、請求項2に記載の窒化ガリウム結晶。
- 下記のΔd/d(ave)が4×10-5以下である部分を有することを特徴とする窒化ガリウム結晶。
Δd/d(ave)=[d(max)-d(min)]/d(ave)
[上式において、d(max)、d(min)およびd(ave)は、(30−30)面の格子面間隔を、c軸方向に沿って100μmおきに33点で測定したときの、その最大値、最小値、および平均値を表す。] - 前記のΔd/d(ave)が3×10-5以下である部分を有することを特徴とする、請求項1または4に記載の窒化ガリウム結晶。
- 前記のΔd/d(ave)が2×10-5以下である部分を有することを特徴とする、請求項1または4に記載の窒化ガリウム結晶。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の窒化ガリウム結晶からなる単結晶基板。
- 下記の(1)および(2)の工程を含むことを特徴とする窒化ガリウム結晶の製造方法。
(1)窒化ガリウム単結晶を、アルミナ、ジルコニア、チタニア、またはこれらの少なくとも一種を含む焼結体の存在下、1300℃以上で熱処理することにより、該窒化ガリウム単結晶の表面に、ガリウムメタル、ガリウム酸化物、ガリウム水酸化物およびガリウムオキシ水酸化物から選ばれる一以上を含む被膜を形成する被膜形成工程。
(2)該被膜を除去する被膜除去工程。
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