JP6094909B2 - 液晶組成物及びそれを使用した液晶表示素子 - Google Patents

Description

本願発明は液晶表示装置等の構成部材として有用な液晶組成物及び液晶表示素子に関する。

液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、各種測定機器、自動車用パネル、ワードプロセッサー、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ、時計、広告表示板等に用いられるようになっている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（ツイステッド・ネマチック）型、ＳＴＮ（スーパー・ツイステッド・ネマチック）型、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いたＶＡ（垂直配向）型やＩＰＳ（イン・プレーン・スイッチング）型等がある。これらの液晶表示素子に用いられる液晶組成物は水分、空気、熱、光などの外的要因に対して安定であること、また、室温を中心としてできるだけ広い温度範囲で液晶相を示し、低粘性であり、かつ駆動電圧が低いことが求められる。さらに液晶組成物は個々の表示素子に対して誘電率異方性（Δε）、屈折率異方性（Δｎ）等を最適な値とするために、数種類から数十種類の化合物から構成されている。

垂直配向型ディスプレイではΔεが負の液晶組成物が用いられており、液晶ＴＶ等に広く用いられている。一方、全ての駆動方式において低電圧駆動、高速応答、広い動作温度範囲が求められている。すなわち、Δεが負で絶対値が大きく、粘度（η）が小さく、高いネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔ_ｎｉ）が要求されている。また、Δｎとセルギャップ（ｄ）との積であるΔｎ×ｄの設定から、液晶組成物のΔｎをセルギャップに合わせて適当な範囲に調節する必要がある。加えて液晶表示素子をテレビ等へ応用する場合においては高速応答性が重視されるため、γ_１の小さい液晶組成物が要求される。
従来、γ_１の小さい液晶組成物を構成するためには、ジアルキルビシクロヘキサン骨格を有する化合物を用いることが一般的であった（特許文献１参照）。しかしながら、ビシクロヘキサン系化合物はγ_１の低減には効果が高いものの、一般に蒸気圧が高いという問題点があり、アルキル鎖長の短い化合物は特にその傾向が顕著である。又、Ｔ_ｎｉも低い傾向があることからそのため、アルキルビシクロヘキサン系化合物は側鎖長の合計が炭素原子数７以上の化合物を用いることが多く、側鎖長の短い化合物については十分な検討がなされていないのが実情であった。

側鎖長の短いジアルキルビシクロヘキサン系化合物を用いた液晶組成物として知られているものもあるが（特許文献２参照）、誘電率異方性が負の化合物として三つの環構造を有する化合物を多用し、ジフルオロエチレン骨格を有する化合物を用いて全体としての物性のバランスを取っている。しかし、この組成物で使用されるジフルオロエチレン骨格は光に対して安定性が低い問題があり、このような化合物を用いない液晶組成物の開発が望まれている。

一方、液晶表示素子の用途が拡大するに至り、その使用方法、製造方法にも大きな変化が起こっている。これらに対応するためには、従来知られているような基本的な物性値以外の特性を最適化することが求められるようになった。すなわち、液晶組成物を使用する液晶表示素子はＶＡ（垂直配向）型やＩＰＳ（イン・プレーン・スイッチング）型等が広く使用されるに至り、その大きさも５０型以上の超大型サイズの表示素子が実用化されるに至り使用されるようになった。基板サイズの大型化に伴い、液晶組成物の基板への注入方法も従来の真空注入法から滴下注入（ＯＤＦ：Ｏｎｅ Ｄｒｏｐ Ｆｉｌｌ）法が注入方法の主流となり（特許文献２参照）、液晶組成物を基板に滴下した際の滴下痕が表示品位の低下を招く問題が表面化するに至った。さらに、液晶表示素子中の液晶材料のプレチルト角の生成による高速応答性を目的に、ＰＳ液晶表示素子（ｐｏｌｙｍｅｒ ｓｔａｂｉｌｉｚｅｄ、ポリマー安定化）、ＰＳＡ液晶表示素子（ｐｏｌｙｍｅｒ ｓｕｓｔａｉｎｅｄ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ、ポリマー維持配向）が開発され（特許文献４参照）、この問題はより大きな問題となっている。すなわち、これらの表示素子は液晶組成物中にモノマーを添加し、組成物中のモノマーを硬化させることに特徴を有する。アクティブマトリクス用液晶組成物は、高い電圧保持率を維持する必要性から、使用可能な化合物が特定され、化合物中にエステル結合を有する化合物は使用が制限されている。ＰＳＡ液晶表示素子に使用するモノマーはアクリレート系が主であり、化合物中にエステル結合を有するものが一般的であり、このような化合物はアクティブマトリクス用液晶化合物としては通常使用されないものである（特許文献４参照）。このような異物は、滴下痕の発生を誘発し、表示不良による液晶表示素子の歩留まりの悪化が問題となっている。また、液晶組成物中に酸化防止剤、光吸収剤等の添加物を添加する際にも歩留まりの悪化が問題となる。

ここで、滴下痕とは、黒表示した場合に液晶組成物を滴下した痕が白く浮かび上がる現象と定義する。

滴下痕の抑制には、液晶組成物中に混合した重合性化合物の重合により、液晶相中にポリマー層を形成することにより配向制御膜との関係で発生する滴下痕を抑制する方法が開示されている（特許文献５）。しかしながら、この方法においては液晶中に添加した重合性化合物に起因する表示の焼き付きの問題があり、滴下痕の抑制についてもその効果は不十分であり、液晶表示素子としての基本的な特性を維持しつつ、焼き付きや滴下痕の発生し難い液晶表示素子の開発が求められていた。

特表２００８−５０５２３５号公報 特開２０１２−１３６６２３号公報 特開平６−２３５９２５号公報 特開２００２−３５７８３０号公報 特開２００６−５８７５５号公報

本発明が解決しようとする課題は、誘電率異方性、粘度、ネマチック相上限温度、低温でのネマチック相安定性、γ_１等の液晶表示素子としての諸特性及び表示素子の焼き付き特性を悪化させること無く、製造時の滴下痕が発生し難く、ＯＤＦ工程における安定した液晶材料の吐出量を実現する液晶表示素子に適する液晶組成物及びそれを用いた液晶表示素子を提供することにある。

また、本発明の他の課題は特定の酸化防止剤と組み合わせることにより上記問題点を軽減できる組成物を提供することにある。

本発明者らは上記課題を解決するために、滴下法による液晶表示素子の作製に最適な種々の液晶組成物の構成を検討し、特定の液晶化合物を特定の混合割合で使用することにより液晶表示素子における滴下痕の発生を抑制することができることを見出し本願発明の完成に至った。

本願発明は、式（Ｉ）

で表される化合物を２０質量％〜５０質量％含有し、式（ＩＩ）

で表される化合物を５質量％〜５０質量％含有し、一般式（ＩＩＩ）

（式中Ｒ^１は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されていてもよく、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよく、
Ａ^１及びＡ^２はそれぞれ独立して、１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基又はテトラヒドロピラン−２，５−ジイル基を表すが、Ａ^１又は及びＡ^２が１，４−フェニレン基を表す場合、該１，４−フェニレン基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子に置換されていてもよく、
Ｚ^１及びＺ^２はそれぞれ独立して単結合、−ＯＣＨ_２−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、又はＣＦ_２Ｏ−を表し、
ｎ及びｍはそれぞれ独立して、０、１、２又は３を表すが、ｎ＋ｍは１〜３であり、Ａ^１、Ａ^２、Ｚ^１及び／又はＺ^２が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよい。）で表される化合物を１種以上含有する誘電率異方性が負の液晶組成物及び当該液晶組成物を用いた液晶表示素子及び当該液晶表示素子を用いた液晶ディスプレイに関するものである。

本発明の液晶組成物は、高速応答性優れ、焼き付きの発生が少ない特徴を有し、その製造に起因する滴下痕の発生を軽減することができる。

本発明の液晶組成物において、特定の酸化防止剤との組み合わせにより、液晶組成物と酸化防止剤との相溶性に優れた組成物を提供できる。

本発明の液晶組成物において、酸化防止剤との組み合わせにより、高速応答性優れ、焼き付きの発生が少ない特徴を有し、その製造に起因する滴下痕の発生を軽減することができる。

本発明の液晶表示素子は高速応答性優れ、焼き付きの発生が少ない特徴を有し、その製造に起因する滴下痕の発生が少ない特徴を有することから、液晶ＴＶ、モニター等の表示素子に有用である。

本発明の液晶表示素子の構造の一例 逆スタガード型薄膜トランジスターの構成例

１ 偏光板
２ 基板
３ 透明電極もしくはアクティブ素子を伴う透明電極
４ 配向膜
５ 液晶
１１ ゲート電極
１２ 陽極酸化皮膜
１３ ゲート絶縁層
１４ 透明電極
１５ ドレイン電極
１６ オーミック接触層
１７ 半導体層
１８ 保護膜
１９ａ ソース電極１
１９ｂ ソース電極２
１００ 基板
１０１ 保護層

前述の通り、滴下痕の発生のプロセスは現時点では明らかでは無い。しかし、液晶化合物中の不純物と配向膜の相互作用、クロマト現象等が関係している可能性が高い。液晶化合物中の不純物は化合物の製造プロセスに大きな影響を受けるものであるが、化合物の製造方法は、たとえ側鎖の炭素原子数が異なるのみであっても同一とは限らない。すなわち、液晶化合物は精密な製造プロセスによって製造されることから、そのコストは化成品の中では高く、製造効率の向上が強く求められている。そのため、少しでも安い原料を使用するためには、たとえ側鎖の炭素原子数が一つ異なっただけでも全く別種の原料から製造を行った方が効率がよい場合もある。従って、液晶原体の製造プロセスは、原体毎に異なっていることがあり、たとえプロセスが同一であっても、原料が異なることは大部分であり、その結果、原体毎に異なった不純物が混入していることが多い。しかし、滴下痕はきわめて微量の不純物によっても発生する可能性があり、原体の精製のみにより滴下痕の発生を抑制することには限界がある。

その一方で、汎用されている液晶原体の製造方法は、製造プロセス確立後は原体毎に一定に定まる傾向がある。分析技術の発展した現在においても、どのような不純物が混入しているかを完全に明らかにすることは容易ではないが、原体毎に定まった不純物が混入している前提で組成物の設計を行うことが必要となる。本願発明者らは、液晶原体の不純物と滴下痕の関係について検討を行った結果、組成物中に含まれていても滴下痕が発生し難い不純物と、発生し易い不純物があることを経験的に明らかにした。従って、滴下痕の発生を抑えるためには、特定の化合物を特定の混合割合で使用すること重要であり、特に滴下痕の発生がし難い組成物の存在を明らかにしたものである。以下に記載する好ましい実施の態様は、前記の観点から見いだされたものである。

本発明おける液晶組成物において、第一成分として式（Ｉ）で表される化合物の液晶組成物中の含有率として、下限値としては２０質量％が好ましく、２５質量％が好ましく、３０質量％が好ましく、３５質量％が好ましく、上限値としては５０質量％が好ましく、４５質量％が好ましく、４０質量％が好ましく、３５質量％が好ましい。より具体的には、応答速度を重視する場合には３０〜４５質量％含有することが好ましく、より駆動電圧を重視する場合には２０〜３５質量％含有することが好ましく、２５〜３５質量％含有することがより好ましい。

式（ＩＩ）で表される化合物を３質量％〜５０質量％含有するが、５〜３０質量％含有することが好ましく、６〜２５質量％含有することがより好ましく、７〜２０質量％含有することが更に好ましく、８〜１９質量％含有することがより好ましい。他の実施形態では、式（ＩＩ）で表される化合物を３〜２５質量％含有することがより好ましく、３．５〜２０質量％含有することが更に好ましい。

また、本発明に係る組成物において、式（Ｉ）と式（ＩＩ）との総量の下限値は、２５質量％、２７質量％、２９質量％、３０質量％、３２質量％、３５質量％、３７質量％の順で好ましく、式（Ｉ）と式（ＩＩ）との総量の上限値は、８０質量％、７５質量％、７３質量％、７０質量％、６５質量％の順で好ましい。
２３〜７０質量％にすることが好ましく、２５〜６５質量％にすることがより好ましく、３２〜６８質量％にすることがさらに好ましく、３５〜６５質量％にすることがよりさらに好ましく、３７〜６３質量％にすることが特に好ましい。

一般式（ＩＩＩ）

で表される化合物の液晶組成物中の含有率として、下限値としては３５質量％が好ましく、４０質量％が好ましく、４５質量％が好ましく、上限値としては７０質量％が好ましく、６５質量％が好ましく、６０質量％が好ましく、３５〜７０質量％含有することが好ましく、４０〜６５質量％含有することが好ましく、４５〜６０質量％含有することがより好ましい。一般式（ＩＩＩ）において、Ｒ^１及びＲ^２は結合する環構造がシクロヘキサン又はテトラヒドロピランである時はアルキル基又はアルケニル基であることが好ましく、ベンゼンである時はアルキル基、アルコキシ基又はアルケニル基であることが好ましい。シクロヘキサン又はテトラヒドロピランである時は、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基を表すことが好ましく、炭素原子数１〜８のアルキル基を表すことがより好ましく、炭素原子数３〜５のアルキル基を表すことがより好ましく、炭素原子数３又は５のアルキル基を表すことが更に好ましく、直鎖であることが好ましい。また、一般式（ＩＩＩ）において、Ｒ^１及びＲ^２は結合する環構造がベンゼンである時は、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表すことが好ましく、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシ基を表すことが好ましく、炭素原子数３〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜４のアルコキシ基を表すことがより好ましく、炭素原子数３又は５のアルキル基又は炭素原子数２又は４のアルコキシ基を表すことがより好ましく、炭素原子数２又は４のアルコキシ基を表すことが更に好ましく、直鎖であることが好ましい。 表示素子の応答速度の改善を重視する場合はアルケニル基が好ましく、電圧保持率等の信頼性を重視する場合にはアルキル基が好ましい。アルケニル基としては次に記載する式（ｉ） 〜式（ｉｖ）

（式中、環構造へは右端で結合するものとする。）
で表される構造が好ましいが、本願発明の液晶組成物が反応性モノマーを含有する場合は、式（ｉｉ）及び式（ｉｖ）で表される構造が好ましく、式（ｉｉ）で表される構造がより好ましい。

Ａ^１及びＡ^２はそれぞれ独立して、１，４−シクロヘキシレンシクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基又はテトラヒドロピラン−２，５−ジイル基が好ましい。

Ｚ^１及びＺ^２はそれぞれ独立して粘度の低減を重視する場合には単結合が好ましく、Δεの絶対値を大きくすることを重視する場合には−ＯＣＨ_２−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、又はＣＦ_２Ｏ−が好ましく、酸素原子が２，３−ジフルオロベンゼン−１，４−ジイル基に連結するように配置されることが好ましい。

ｎ＋ｍは２以下が好ましく、粘度の低減を重視する場合には１が好ましく、Ｔ_ｎｉを重視する場合やΔｎの増大を重視する場合には２が好ましい。 一般式（ＩＩＩ）で表される化合物は次に記載する一般式（ＩＩＩａ）及び一般式（ＩＩＩｂ）

（式中、Ｒ^１ａ、Ｒ^２ａ、Ｒ^１ｂ及びＲ^２ｂはそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されていてもよく、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよく、
ｎ^ａは０、１又は２を表し、ｎ^ｂは０、１又は２を表し、Ａ^１ａ及びＡ^１ｂはそれぞれ独立して、１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基又はテトラヒドロピラン−２，５−ジイル基を表し、ｎ^ａ＝２の場合、Ａ^１ａは同一であっても異なっていてもよいが、少なくとも１つは１，４−フェニレン基であり、ｎ^ｂ＝１の場合Ａ^１ｂは１，４−フェニレン基であり、ｎ^ｂ＝２の場合、Ａ^１ｂは同一であっても異なっていてもよいが、少なくとも１つは１，４−フェニレン基であり、一般式（ＩＩＩａ）及び一般式（ＩＩＩｂ）中の１，４−フェニレン基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。）
で表される化合物群の中から少なくとも１種類が選ばれることが好ましい。

一般式（ＩＩＩａ）で表される化合物は次に記載する一般式（ＩＩＩａ１）〜一般式（ＩＩＩａ３）

（式中、Ｒ^１ａ１〜Ｒ^１ａ３及びＲ^２ａ１〜Ｒ^２ａ３は一般式（ＩＩＩａ）におけるＲ^１ａ及びＲ^２ａと同じ意味を表す）で表される化合物群の中から少なくとも１種以上選ばれることが好ましいが、２種以上選ばれることがより好ましい。

一般式（ＩＩＩａ１）で表される化合物は具体的には次に記載する式（ＩＩＩａ１−１）〜式（ＩＩＩａ１−８）

で表される化合物が好ましいが、式（ＩＩＩａ１−１）〜式（ＩＩＩａ−４）で表される化合物がより好ましく、式（ＩＩＩａ１−１）及び式（ＩＩＩａ１−４）で表される化合物が更に好ましい。
一般式（ＩＩＩａ１）で表される化合物は、３〜３０質量％含有することが好ましいが、３〜２５質量％含有することがより好ましく、３〜２０質量％含有することが更に好ましい。

一般式（ＩＩＩａ１）で表される化合物を４種以上使用する場合には、式（ＩＩＩａ１−１）から式（ＩＩＩａ１−４）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩＩａ１−１）から式（ＩＩＩａ１−４）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩＩａ１）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましい。

一般式（ＩＩＩａ１）で表される化合物を３種使用する場合には、式（ＩＩＩａ１−１）、式（ＩＩＩａ１−２）及び式（ＩＩＩａ１−４）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩＩａ１−１） 、式（ＩＩＩａ１−２）及び式（ＩＩＩａ１−４）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩＩａ１）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましい。

一般式（ＩＩＩａ１）で表される化合物を２種使用する場合には、式（ＩＩＩａ１−１）及び式（ＩＩＩａ１−４）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩＩａ１−１）及び式（ＩＩＩａ１−４）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩＩａ１）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましい。

一般式（ＩＩＩａ２）で表される化合物は具体的には次に記載する式（ＩＩＩａ２−１）〜式（ＩＩＩａ２−６）

で表される化合物が好ましいが、式（ＩＩＩａ２−１）〜式（ＩＩＩａ２−４）で表される化合物がより好ましく、式（ＩＩＩａ２−１）〜式（ＩＩＩａ２−３）で表される化合物が更に好ましく、式（ＩＩＩａ２−１）及び式（ＩＩＩａ２−３）で表される化合物が特に好ましい。

一般式（ＩＩＩａ２）で表される化合物を４種以上使用する場合には、式（ＩＩＩａ２−１）から式（ＩＩＩａ２−４）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩＩａ２−１）から式（ＩＩＩａ２−４）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩＩａ２）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましい。

一般式（ＩＩＩａ２）で表される化合物を３種使用する場合には、式（ＩＩＩａ２−１）から式（ＩＩＩａ２−３）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩＩａ２−１）から式（ＩＩＩａ２−３）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩＩａ２）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましい。

一般式（ＩＩＩａ２）で表される化合物を２種使用する場合には、式（ＩＩＩａ２−１）及び式（ＩＩＩａ２−３）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩＩａ２−１）及び式（ＩＩＩａ２−３）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩＩａ２）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましい。
一般式（ＩＩＩａ３）で表される化合物は具体的には次に記載する式（ＩＩＩａ３−１）〜（ＩＩＩａ３−４）

で表される化合物が好ましいが、式（ＩＩＩａ３−１）又は式（ＩＩＩａ３−２）で表される化合物が好ましい。

一般式（ＩＩＩａ３）で表される化合物を２種以上使用する場合には、式（ＩＩＩａ３−１）及び式（ＩＩＩａ３−２）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩＩａ３−１）及び式（ＩＩＩａ３−２）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩＩａ３）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましい。

一般式（ＩＩＩｂ）で表される化合物は次に記載する一般式（ＩＩＩｂ１）及び（ＩＩＩｂ２）

（式中、Ｒ^１ｂ１及びＲ^１ｂ２、Ｒ^２ｂ１及びＲ^２ｂ２はそれぞれ独立して一般式（ＩＩＩｂ）におけるＲ^１ｂ及びＲ^２ｂと同じ意味を表し、ｎ^ｂ２は０又は１であり、Ａ^１ｂ２は１，４−シクロヘキシレンシクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基又はテトラヒドロピラン−２，５−ジイル基を表し、一般式（ＩＩＩｂ１）及び一般式（ＩＩＩｂ２）中の１，４−フェニレン基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。）で表される化合物群の中から選ばれることが好ましい。

一般式（ＩＩＩｂ１）で表される化合物は具体的には次に記載する式（ＩＩＩｂ１−１）〜式（ＩＩＩｂ１−８）

で表される化合物が好ましいが、式（ＩＩＩｂ１−１）〜式（ＩＩＩｂ−４）で表される化合物がより好ましく、式（ＩＩＩｂ１−１）及び式（ＩＩＩｂ１−３）で表される化合物が更に好ましく、式（ＩＩＩｂ１−１）で表される化合物が特に好ましい。
一般式（ＩＩＩｂ１）で表される化合物は、３〜３０質量％含有することが好ましいが、３〜３０質量％含有することがより好ましく、３〜２５質量％含有することが更に好ましく、３〜２０質量％含有することが特に好ましい。

一般式（ＩＩＩｂ１）で表される化合物を４種以上使用する場合には、式（ＩＩＩｂ１−１）〜式（ＩＩＩｂ１−４）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩＩｂ１−１）〜式（ＩＩＩｂ１−４）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩＩｂ１）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましい。

一般式（ＩＩＩｂ１）で表される化合物を３種使用する場合には、式（ＩＩＩｂ１−１）〜式（ＩＩＩｂ１−３）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩＩｂ１−１）〜式（ＩＩＩｂ１−３）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩＩｂ１）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましい。

一般式（ＩＩＩｂ１）で表される化合物を２種使用する場合には、式（ＩＩＩｂ１−１）及び式（ＩＩＩｂ１−３）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩＩｂ１−１）及び式（ＩＩＩｂ１−３）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩＩｂ１）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましい。

一般式（ＩＩＩｂ２）で表される化合物は具体的には次に記載する一般式（ＩＩＩｂ２−１）〜（ＩＩＩｂ２−１６）

（式中、Ｒ^７は一般式（ＩＩＩ）におけるＲ^１と同じ意味を表し、Ｒ^８は一般式（ＩＩＩ）におけるＲ^２と同じ意味を表す。）
で表される化合物が好ましいが、式（ＩＩＩｂ２−１）、式（ＩＩＩｂ２−３）〜式（ＩＩＩｂ２−９）及び式（ＩＩＩｂ２−１２）〜式（ＩＩＩｂ２−１５）がより好ましく、式（ＩＩＩｂ２−１）、式（ＩＩＩｂ２−３）、式（ＩＩＩｂ２−５）、式（ＩＩＩｂ２−６）、式（ＩＩＩｂ２−９）、式（ＩＩＩｂ２−１２）及び式（ＩＩＩｂ２−１５）が更に好ましく、式（ＩＩＩｂ２−１）、式（ＩＩＩｂ２−５）、式（ＩＩＩｂ２−６）が特に好ましく、式（ＩＩＩｂ２−５）が最も好ましい。

一般式（ＩＩＩｂ２）で表される化合物を使用する場合には、式（ＩＩＩｂ２−５）で表される化合物を使用することが好ましいが、式（ＩＩＩｂ２−５）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩＩｂ２）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましい。

一般式（ＩＩＩｂ２）におけるＲ^７及びＲ^８はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表すが、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基を表すことが好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表すことがより好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基を表すことが更に好ましく、直鎖であることが好ましく、Ｒ^７及びＲ^８が共にアルキル基である場合には、それぞれの炭素原子数は異なっている方が好ましい。

更に詳述すると、Ｒ^７がプロピル基を表しＲ^８がエチル基を表す化合物又はＲ^７がブチル基を表しＲ^８がエチル基を表す化合物が好ましい。

本願発明の液晶組成物は、また更に、一般式（ＶＩ−ａ）から一般式（ＶＩ−ｅ）で表される化合物群から選ばれる化合物を含有することができる。

（式中、Ｒ^９１からＲ^９ａはそれぞれ独立して炭素原子数１から１０のアルキル基、炭素原子数１から１０のアルコキシ基又は炭素原子数２から１０のアルケニル基を表すが、一般式（ＶＩ−ａ）において、Ｒ^９１が炭素原子数３のアルキル基を表し、Ｒ^９２が炭素原子数２のアルケニル基を表す化合物及びＲ^９１が炭素原子数３のアルキル基を表し、Ｒ^９２が１−プロペニル基を表す化合物は除かれる。）
一般式（ＶＩ−ａ）から一般式（ＶＩ−ｅ）で表される化合物群から選ばれる化合物を含有する場合、１種〜１０種含有することが好ましく、１種〜８種含有することが特に好ましく、１種〜５種含有することが特に好ましく、２種以上の化合物を含有することも好ましい、この場合の含有量は５〜４０質量％であることが好ましく、５〜３５質量％であることが更に好ましく、７〜３０質量％であることが特に好ましい。

Ｒ^９１からＲ^９ａはそれぞれ独立しては炭素原子数１から１０のアルキル基、炭素原子数２から１０のアルケニル基又は炭素原子数２から１０のアルコキシ基を表すことが好ましく、炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数２から５のアルケニル基又は炭素原子数２から５のアルコキシ基を表すことがより好ましく、アルケニル基を表す場合は次に記載する式（ｉ）〜式（ｉｖ）

（式中、環構造へは右端で結合するものとする。）
で表される構造が好ましいが、本願発明の液晶組成物が反応性モノマーを含有する場合は、式（ｉｉ）及び式（ｉｖ）で表される構造が好ましく、式（ｉｉ）で表される構造がより好ましい。

又、Ｒ^９１及びＲ^９２は同一でも異なっていても良いが、異なった置換基を表すことが好ましい。

これらの点から、式（ＶＩ−ａ）から式（ＶＩ−ｅ）で表される化合物は、より具体的には次に記載する化合物が好ましい。

これらの中でも、式（ＶＩ−ａ１）、式（ＶＩ−ａ２）、式（ＶＩ−ａ３）、式（ＶＩ−ａ−４）、式（ＶＩ−ａ５）、式（ＶＩ−ａ−６）、式（ＶＩ−ｂ２）、式（ＶＩ−ｂ６）、式（ＶＩ−ｃ２）、式（ＩＩ−ｃ４）、式（ＶＩ−ｃ５）、式（ＶＩ−ｄ１）〜式（ＶＩ−ｄ４）及び式（ＶＩ−ｅ２）で表される化合物が好ましい。

一般式（ＶＩ）で表される化合物は式（Ｉ）及び式（ＩＩ）で表される化合物と誘電率異方性がほぼ０である点で共通するものであるが、式（Ｉ）及び式（ＩＩ）で表される化合物と、一般式（ＶＩ）で表される化合物の割合は、液晶組成物における式（Ｉ）及び式（ＩＩ）で表される化合物と一般式（ＶＩ）で表される化合物の合計含有量の内、式（Ｉ）及び式（ＩＩ）で表される化合物の含有量が３０〜７５質量％であることが好ましく、３５〜７０質量％がより好ましく、３０〜６５質量％が特に好ましい。又、式（Ｉ）及び式（ＩＩ）と一般式（ＶＩ）の合計含有量は、組成物全体の含有量の内、３０〜７０質量％含有することが好ましく、３０〜６５質量％含有することがより好ましく、３０〜６０質量％含有することがより好ましく、３０〜５５質量％含有することがさらに好ましく、３０〜５０質量％含有することが特に好ましい。

本願における１，４−シクロヘキシル基はトランス−１，４−シクロヘキシル基であることが好ましい。

本発明における液晶組成物は、式（Ｉ）、式（ＩＩ）及び一般式（ＩＩＩ）で表される化合物を必須の成分とするものであるが、更に一般式（ＶＩ−ａ）〜一般式（ＶＩ−ｅ）で表される化合物を含有することができる。液晶組成物中に含有する式（Ｉ）、式（ＩＩ） 、一般式（ＩＩＩ）及び一般式（ＶＩ−ａ）〜一般式（ＶＩ−ｅ）で表される化合物の合計含有量は、下限値として６０質量％が好ましく、６５質量％が好ましく、７０質量％が好ましく、７５質量％が好ましく、８０質量％が好ましく、８５質量％が好ましく、９０質量％が好ましく、９２質量％が好ましく、９５質量％が好ましく、９８質量％が好ましく、９９質量％が好ましく、上限値としては１００質量％が好ましく、９９．５質量％が好ましい。

より具体的には、式（Ｉ）及び式（ＩＩ）で表される化合物の合計含有量は３０〜６０質量％が好ましく、３０〜５５質量％がより好ましく、３５〜５０質量％が更に好ましい。

式（Ｉ）及び一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の合計含有量は７０〜９０質量％が好ましく、７５〜９０質量％がより好ましく、８０〜９０質量％が更に好ましい。

式（ＩＩ）及び一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の合計含有量は４５〜８０質量％が好ましく、５０〜７５質量％がより好ましく、５５〜７０質量％が更に好ましい。

式（Ｉ）、式（ＩＩ）及び一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の合計含有量は８０〜１００質量％が好ましく、８５〜１００質量％がより好ましく、９０〜１００質量％が更に好ましい。

本願発明の液晶組成物は、分子内に過酸（−ＣＯ−ＯＯ−）構造等の酸素原子同士が結合した構造を持つ化合物を含有しないことが好ましい。

液晶組成物の信頼性及び長期安定性を重視する場合にはカルボニル基を有する化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して５質量％以下とすることが好ましく、３質量％以下とすることがより好ましく、１質量％以下とすることが更に好ましく、実質的に含有しないことが最も好ましい。

ＵＶ照射による安定性を重視する場合、塩素原子が置換している化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１５質量％以下とすることが好ましく、１０質量％以下とすることがより好ましく、５質量％以下とすることが更に好ましく、実質的に含有しないことが最も好ましい。

分子内の環構造がすべて６員環である化合物の含有量を多くすることが好ましく、分子内の環構造がすべて６員環である化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して８０質量％以上とすることが好ましく、９０質量％以上とすることがより好ましく、９５質量％以上とすることが更に好ましく、実質的に分子内の環構造がすべて６員環である化合物のみで液晶組成物を構成することが最も好ましい。

液晶組成物の酸化による劣化を抑えるためには、環構造としてシクロヘキセニレン基を有する化合物の含有量を少なくすることが好ましく、シクロヘキセニレン基を有する化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１０質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

粘度の改善及びＴｎｉの改善を重視する場合には、水素原子がハロゲンに置換されていてもよい２−メチルベンゼン−１，４−ジイル基を分子内に持つ化合物の含有量を少なくすることが好ましく、前記２−メチルベンゼン−１，４−ジイル基を分子内に持つ化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１０質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

本発明の第一実施形態の組成物に含有される化合物が、側鎖としてアルケニル基を有する場合、前記アルケニル基がシクロヘキサンに結合している場合には当該アルケニル基の炭素原子数は２〜５であることが好ましく、前記アルケニル基がベンゼンに結合している場合には当該アルケニル基の炭素原子数は４〜５であることが好ましく、前記アルケニル基の不飽和結合とベンゼンは直接結合していないことが好ましい。

本発明における液晶組成物の誘電率異方性Δεの値は、２５℃において、−２．０から−６．０であることが好ましく、−２．５から−５．０であることがより好ましく、−２．５から−４．０であることが特に好ましいが、更に詳述すると、応答速度を重視する場合には−２．５〜−３．４であることが好ましく、駆動電圧を重視する場合には−３．４〜−４．０であることが好ましい。

本発明における液晶組成物の屈折率異方性Δｎの値は、２５℃において、０．０８から０．１３であることが好ましいが、０．０９から０．１２であることがより好ましい。更に詳述すると、薄いセルギャップに対応する場合は０．１０から０．１２であることが好ましく、厚いセルギャップに対応する場合は０．０８から０．１０であることが好ましい。

本発明における液晶組成物の回転粘度（γ_１）は１５０以下が好ましく、１３０以下がより好ましく、１２０以下が特に好ましい。

本発明における液晶組成物では、回転粘度と屈折率異方性の関数であるＺが特定の値を示すことが好ましい。

（式中、γ_１は回転粘度を表し、Δｎは屈折率異方性を表す。）
Ｚは、１３０００以下が好ましく、１２０００以下がより好ましく、１１０００以下が特に好ましい。

本発明の液晶組成物は、アクティブマトリクス表示素子に使用する場合においては、１０^１２（Ω・ｍ）以上の比抵抗を有することが必要であり、１０^１３（Ω・ｍ）が好ましく、１０^１４（Ω・ｍ）以上がより好ましい。

本発明の液晶組成物は、上述の化合物以外に、用途に応じて、通常のネマチック液晶、スメクチック液晶、コレステリック液晶、酸化防止剤、紫外線吸収剤、重合性モノマーなどを含有しても良いが、液晶組成物の化学的な安定性が求められる場合には塩素原子をその分子内に有さないことが好ましく、液晶組成物の紫外線などの光に対する安定性が求められる場合にはナフタレン環などに代表される共役長が長く紫外領域に吸収ピークが存在する縮合環等をその分子内に有さないことが望ましい。

本発明に係る酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤およびリン系酸化防止剤が好ましい。

かかる酸化防止剤と上記の本発明に係る一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩ）および一般式（ＩＩＩ）で表される化合物とを含む液晶組成物であれば、焼き付きや滴下痕を軽減することができる。また、かかる酸化防止剤との組み合わせであれば液晶組成物との相溶性が良好である。酸化防止剤としてヒンダートアミン系化合物を使用すると、焼き付きや滴下痕の観点でフェノール系酸化防止剤やリン系酸化防止剤に劣ることが確認された。

前記フェノール系酸化防止剤としては、一般式（ａ）で表される化合物、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−３）、式（Ａ−４）およびビタミンＥからなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。

前記一般式（ａ）で表される化合物は、

（上記化学式（ａ）中、Ｒ^ａ１は、水素原子または炭素原子数１〜１０のアルキル基、Ｒ^１４およびＲ^１５はそれぞれ独立して、水素原子または炭素原子数１〜１０のアルキル基を表し、
Ｍ^１１は炭素原子数１〜８の直鎖状または分岐状アルキレン基、炭素原子数４〜８個の環状のアルキレンまたは単結合を表し、
Ｚ^１１は、水素原子、炭素原子数１〜１０のアルキル基、−Ｓ（ＣＨ_２）_ｍＣＨ_３または以下の式（ｂ）：

「上記化学式（ｂ）中、Ｘ^１は水素原子または（メタ）アクリレート基を表し、Ｒ^ａ２は水素原子または炭素原子数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ^２４およびＲ^２５はそれぞれ独立して、水素原子または炭素原子数１〜１０のアルキル基を表し、Ｍ^２２は炭素原子数１〜８のアルキレン基または単結合を表し、Ｚ^２２は水素原子、炭素原子数１〜１０のアルキル基を表す。」を表し、前記ｍは１以上１５以下の整数を表し、
Ｍ^１２は、炭素原子数１〜８の直鎖状または分岐状アルキレン基、炭素原子数４〜８個の環状のアルキレン（特に１、４−シクロヘキサン環が好ましい）、単結合、−ＮＨ−、−Ｓ−または−（ＣＨ_２）_ａ−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−（ＣＨ_２）_ｂ−を表し、またＭ^１２が炭素原子数１〜８のアルキレン基の場合は、水素原子が前記式（ｂ）に置換されてもよく、前記ａおよびｂはそれぞれ独立して、１以上５以下の整数であり、
Ｚ^１２は、水酸基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｃ_ｇＨ_２ｇ＋１（ｇ＝１以上２０以下の整数）または一般式（ｃ）：

「上記化学式（ｃ）中、Ｒ^３０〜Ｒ^３３は水素原子または炭素原子数１〜１０のアルキル基を表す。」
または式（ｄ）：

（上記式（ｄ）中、ｃおよびｄはそれぞれ独立して、１以上１０以下の整数である。）で表されることが好ましい。

上記一般式（ａ）において、Ｒ^ａ１またはＺ^１１のいずれか一方が炭素原子数１〜６のアルキル基であることが好ましい。上記一般式（ｂ）において、Ｒ^ａ２が炭素原子数１〜６のアルキル基であることが好ましい。上記式（ａ）において、Ｍ^１１およびＭ^１２のアルキレン基は、メチレン基または分岐状のアルキレン基が好ましい。また、上記式（ａ）〜（ｃ）において、炭素原子数１〜６のアルキル基としては、メチル基、ｔ−ブチル基またはｔ−ペンチル基が好ましい。

前記式（Ａ−１）で表される化合物は、

で表される化合物であることが好ましい。

前記式（Ａ−２）で表される化合物は、

（上記式において、ｗは１以上１０００以下の整数である。）
で表される化合物であることが好ましい。

前記式（Ａ−３）で表される化合物は、

で表される化合物であることが好ましい。

前記式（Ａ−４）で表される化合物は、

で表される化合物であることが好ましい。

本発明に係るリン系酸化防止剤は、一般式（Ｂ）：

（上記一般式（Ｂ）において、環Ａおよび環Ｂはそれぞれ独立して、炭素原子数１〜１０個のアルキル基に置換されたフェニル基であり、上記環Ａおよび環Ｂは直接結合してもよく、Ｇは、−［（ＣＨ_２）_ｆ−］_ｖ−Ｎ（ｆは０以上１５以下の整数）、炭素原子数１〜６個のアルキル基に置換されたフェニル基、環Ａまたは式（ｅ）：

「上記式（ｅ）において、Ｒ^２３〜Ｒ^２６はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜１０のアルキル基を表し、かつＲ^２３〜Ｒ^２６のいずれか１つが四級炭素を備えるアルキル基であり、Ｍ^２２は炭素原子数１〜１０個のアルキレン基である。」
を表し、ｖは１以上３以下の整数である。）で表される化合物であることが好ましい。

本発明に係るフェノール系酸化防止剤の具体例としては、以下の式（Ａ−１）〜（Ａ−１６）で表される化合物が挙げられる。またこれらのなかでも、式（Ａ−１２）〜（Ａ−１６）で表されるフェノール系酸化防止剤は液晶組成物との相溶性の観点で好ましい。

「（式中、Ｒ^１は炭素原子数１から２４の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ_２基は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−で置換されてよく、Ｍ^１はトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基又は単結合を表す。）で表される化合物、また、Ｍ１は、単結合またはトランス−１，４−シクロへキシレン基が好ましく、Ｒ１は炭素原子数３〜９個の直鎖状アルキル基が好ましい。」また、Ｍ１がトランス−１，４−シクロへキシレン基、の場合は、炭素原子数３〜７のアルキル基が好ましく、Ｍ１が単結合であると、炭素原子数５〜９のアルキル基が好ましい。

また当該リン系酸化防止剤の具体例としては、以下のものが挙げられる。

本発明に係る液晶組成物中に酸化防止剤は、０．０００１〜０．１質量％含まれていることが好ましく、０．０００１〜０．０８質量％含まれていることがより好ましく、０．０００１〜０．０７質量％含まれていることがさらに好ましく、０．０００３〜０．０５質量％含まれていることがよりさらに好ましく、０．０００５〜０．０４質量％含まれていることがさらにより好ましく、０．０００７〜０．０３５質量％含まれていることが特に好ましい。

重合性モノマーとしては、一般式（ＶＩＩ）

（式中、Ｘ^７及びＸ^８はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、
Ｓｐ^１及びＳｐ^２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−
（式中、ｓは２から７の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）を表し、
Ｚ^２は−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＹ^１＝ＣＹ^２−（式中、Ｙ^１及びＹ^２はそれぞれ独立して、フッ素原子又は水素原子を表す。）、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、
Ｂは１，４−フェニレン基、トランスー１，４−シクロヘキシレン基又は単結合を表し、式中の全ての１，４−フェニレン基は、任意の水素原子がフッ素原子により置換されていても良い。）で表されるニ官能モノマーが好ましい。

Ｘ^７及びＸ^８は、何れも水素原子を表すジアクリレート誘導体、何れもメチル基を有するジメタクリレート誘導体の何れも好ましく、一方が水素原子を表しもう一方がメチル基を表す化合物も好ましい。これらの化合物の重合速度は、ジアクリレート誘導体が最も早く、ジメタクリレート誘導体が遅く、非対称化合物がその中間であり、その用途により好ましい態様を用いることができる。ＰＳＡ表示素子においては、ジメタクリレート誘導体が特に好ましい。

Ｓｐ^１及びＳｐ^２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−を表すが、ＰＳＡ表示素子においては少なくとも一方が単結合であることが好ましく、共に単結合を表す化合物又は一方が単結合でもう一方が炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−を表す態様が好ましい。この場合１〜４のアルキル基が好ましく、ｓは１〜４が好ましい。

Ｚ^１は、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合が好ましく、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は単結合がより好ましく、単結合が特に好ましい。

Ｂは任意の水素原子がフッ素原子により置換されていても良い１，４−フェニレン基、トランスー１，４−シクロヘキシレン基又は単結合を表すが、１，４−フェニレン基又は単結合が好ましい。Ｃが単結合以外の環構造を表す場合、Ｚ^２は単結合以外の連結基も好ましく、Ｃが単結合の場合、Ｚ^１は単結合が好ましい。

これらの点から、一般式（ＶＩＩ）において、Ｓｐ^１及びＳｐ^２の間の環構造は、具体的には次に記載する構造が好ましい。

一般式（ＶＩＩ）において、Ｃが単結合を表し、環構造が二つの環で形成される場合において、次の式（ＶＩＩａ−１）から式（ＶＩＩａ−５）

（式中、両端はＳｐ^１又はＳｐ^２に結合するものとする。）
を表すことが好ましく、式（ＶＩＩａ−１）から式（ＶＩＩａ−３）を表すことがより好ましく、式（ＶＩＩａ−１）を表すことが特に好ましい。

これらの骨格を含む重合性化合物は重合後の配向規制力がＰＳＡ型液晶表示素子に最適であり、良好な配向状態が得られることから、表示ムラが抑制されるか、又は、全く発生しない。

以上のことから、重合性モノマーとしては、一般式（ＶＩＩ−１）〜一般式（ＶＩＩ−４）が特に好ましく、中でも一般式（ＶＩＩ−２）が最も好ましい。

（式中、Ｓｐ^２は炭素原子数２から５のアルキレン基を表す。）
本発明の液晶組成物にモノマーを添加する場合において、重合開始剤が存在しない場合でも重合は進行するが、重合を促進するために重合開始剤を含有していてもよい。重合開始剤としては、ベンゾインエーテル類、ベンゾフェノン類、アセトフェノン類、ベンジルケタール類、アシルフォスフィンオキサイド類等が挙げられる。また、保存安定性を向上させるために、安定剤を添加しても良い。使用できる安定剤としては、例えば、ヒドロキノン類、ヒドロキノンモノアルキルエーテル類、第三ブチルカテコール類、ピロガロール類、チオフェノール類、ニトロ化合物類、β−ナフチルアミン類、β−ナフトール類、ニトロソ化合物等が挙げられる。

本発明の重合性化合物含有液晶組成物は、液晶表示素子に有用であり、特にアクティブマトリクス駆動用液晶表示素子に有用であり、ＰＳＡモード、ＰＳＶＡモード、ＶＡモード、ＩＰＳモード又はＥＣＢモード用液晶表示素子に用いることができる。

本発明の重合性化合物含有液晶組成物は、これに含まれる重合性化合物が紫外線照射により重合することで液晶配向能が付与され、液晶組成物の複屈折を利用して光の透過光量を制御する液晶表示素子に使用される。液晶表示素子として、ＡＭ−ＬＣＤ（アクティブマトリックス液晶表示素子）、ＴＮ（ネマチック液晶表示素子）、ＳＴＮ−ＬＣＤ（超ねじれネマチック液晶表示素子）、ＯＣＢ−ＬＣＤ及びＩＰＳ−ＬＣＤ（インプレーンスイッチング液晶表示素子）に有用であるが、ＡＭ−ＬＣＤに特に有用であり、透過型あるいは反射型の液晶表示素子に用いることができる。

液晶表示素子に使用される液晶セルの２枚の基板はガラス又はプラスチックの如き柔軟性をもつ透明な材料を用いることができ、一方はシリコン等の不透明な材料でも良い。透明電極層を有する透明基板は、例えば、ガラス板等の透明基板上にインジウムスズオキシド（ＩＴＯ）をスパッタリングすることにより得ることができる。

前記基板を、透明電極層が内側となるように対向させる。その際、スペーサーを介して、基板の間隔を調整してもよい。このときは、得られる調光層の厚さが１〜１００μｍとなるように調整するのが好ましい。１．５から１０μｍが更に好ましく、偏光板を使用する場合は、コントラストが最大になるように液晶の屈折率異方性Δｎとセル厚ｄとの積を調整することが好ましい。又、二枚の偏光板がある場合は、各偏光板の偏光軸を調整して視野角やコントラトが良好になるように調整することもできる。更に、視野角を広げるための位相差フィルムも使用することもできる。スペーサーとしては、例えば、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子、フォトレジスト材料等が挙げられる。その後、エポキシ系熱硬化性組成物等のシール剤を、液晶注入口を設けた形で該基板にスクリーン印刷し、該基板同士を貼り合わせ、加熱しシール剤を熱硬化させる。

２枚の基板間に重合性化合物含有液晶組成物を狭持させる方法は、通常の真空注入法又はＯＤＦ法などを用いることができるが、真空注入法においては滴下痕は発生しないものの、注入の後が残る課題を有しているものであるが、本願発明においては、ＯＤＦ法を用いて製造する表示素子により好適に使用することができる。

重合性化合物を重合させる方法としては、液晶の良好な配向性能を得るためには、適度な重合速度が望ましいので、紫外線又は電子線等の活性エネルギー線を単一又は併用又は順番に照射することによって重合させる方法が好ましい。紫外線を使用する場合、偏光光源を用いても良いし、非偏光光源を用いても良い。また、重合性化合物含有液晶組成物を２枚の基板間に挟持させて状態で重合を行う場合には、少なくとも照射面側の基板は活性エネルギー線に対して適当な透明性が与えられていなければならない。また、光照射時にマスクを用いて特定の部分のみを重合させた後、電場や磁場又は温度等の条件を変化させることにより、未重合部分の配向状態を変化させて、更に活性エネルギー線を照射して重合させるという手段を用いても良い。特に紫外線露光する際には、重合性化合物含有液晶組成物に交流電界を印加しながら紫外線露光することが好ましい。印加する交流電界は、周波数１０Ｈｚから１０ｋＨｚの交流が好ましく、周波数６０Ｈｚから１０ｋＨｚがより好ましく、電圧は液晶表示素子の所望のプレチルト角に依存して選ばれる。つまり、印加する電圧により液晶表示素子のプレチルト角を制御することができる。ＭＶＡモードの液晶表示素子においては、配向安定性及びコントラストの観点からプレチルト角を８０度から８９．９度に制御することが好ましい。

照射時の温度は、本発明の液晶組成物の液晶状態が保持される温度範囲内であることが好ましい。室温に近い温度、即ち、典型的には１５〜３５℃での温度で重合させることが好ましい。紫外線を発生させるランプとしては、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ等を用いることができる。また、照射する紫外線の波長としては、液晶組成物の吸収波長域でない波長領域の紫外線を照射することが好ましく、必要に応じて、紫外線をカットして使用することが好ましい。照射する紫外線の強度は、０．１ｍＷ／ｃｍ^２〜１００Ｗ／ｃｍ^２が好ましく、２ｍＷ／ｃｍ^２〜５０Ｗ／ｃｍ^２がより好ましい。照射する紫外線のエネルギー量は、適宜調整することができるが、１０ｍＪ／ｃｍ^２から５００Ｊ／ｃｍ^２が好ましく、１００ｍＪ／ｃｍ^２から２００Ｊ／ｃｍ^２がより好ましい。紫外線を照射する際に、強度を変化させても良い。紫外線を照射する時間は照射する紫外線強度により適宜選択されるが、１０秒から３６００秒が好ましく、１０秒から６００秒がより好ましい。

本発明の液晶表示素子の構成は、透明導電性材料からなる共通電極を具備した第一の基板と、透明導電性材料からなる画素電極と各画素に具備した画素電極を制御する薄膜トランジスターを具備した第二の基板と、前記第一の基板と第二の基板間に挟持された液晶組成物を有し、該液晶組成物中の液晶分子の電圧無印加時の配向が前記基板に対して略垂直である液晶表示素子であって、該液晶組成物として前記本発明の液晶組成物を用いたことに特徴を有するものである。

滴下痕の発生は注入される液晶材料に大きな影響を受けるものであるが、表示素子の構成によってもその影響は避けられない。特に、液晶表示素子中に形成されるカラーフィルター、薄膜トランジスター等は薄い配向膜、透明電極等しか液晶組成物とを隔てる部材が無いことから組合せにより滴下痕の発生に影響を与える。

特に該薄膜トランジスターが逆スタガード型である場合には、ドレイン電極がゲート電極を覆うように形成されるためその面積が増大する傾向にある。ドレイン電極は、銅、アルミニウム、クロム、チタン、モリブデン、タンタル等の金属材料で形成され、一般的には、パッシベーション処理が施されるのが通常の形態である。しかし、保護膜は一般に薄く、配向膜も薄く、イオン性物質を遮断しない可能性が高いことから、金属材料と液晶組成物の相互作用による滴下痕の発生を避けることができなかった。

本件発明においては、薄膜トランジスターが逆スタガード型である液晶表示素子に好適に使用でき、アルミニウム配線を用いる場合に好ましい。

本発明の液晶組成物を用いた液晶表示素子は高速応答と表示不良の抑制を両立させた有用なものであり、特に、アクティブマトリックス駆動用液晶表示素子に有用であり、ＶＡモード、ＰＳＶＡモード、ＰＳＡモード、ＩＰＳモード又はＥＣＢモード用に適用できる。

以下に実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「％」は『質量％』を意味する。

実施例中、測定した特性は以下の通りである。

Ｔ_ｎｉ ：ネマチック相−等方性液体相転移温度（℃）
Δｎ ：２５℃における屈折率異方性
Δε ：２５℃における誘電率異方性
η ：２０℃における粘度（ｍＰａ・ｓ）
γ_１ ：２５℃における回転粘度（ｍＰａ・ｓ）
ＶＨＲ：周波数６０Ｈｚ，印加電圧１Ｖの条件下で６０℃における電圧保持率（％）
焼き付き ：
液晶表示素子の焼き付き評価は、表示エリア内に所定の固定パターンを１０００時間表示させた後に、全画面均一な表示を行ったときの固定パターンの残像のレベルを目視にて以下の４段階評価で行った。

◎残像無し
○残像ごく僅かに有るも許容できるレベル
△残像有り許容できないレベル
×残像有りかなり劣悪
滴下痕 ：
液晶表示装置の滴下痕の評価は、全面黒表示した場合における白く浮かび上がる滴下痕を目視にて以下の４段階評価で行った。

◎残像無し
○残像ごく僅かに有るも許容できるレベル
△残像有り許容できないレベル
×残像有りかなり劣悪
プロセス適合性 ：
プロセス適合性は、ＯＤＦプロセスにおいて、定積計量ポンプを用いて１回に５０ｐＬずつ液晶を滴下することを１０００００回行い、次の「０〜１００回、１０１〜２００回、２０１〜３００回、・・・・９９９０１〜１０００００回」の各１００回ずつ滴下された液晶量の変化を以下の４段階で評価した。

◎変化が極めて小さい（安定的に液晶表示素子を製造できる）
○変化が僅かに有るも許容できるレベル
△変化が有り許容できないレベル（斑発生により歩留まりが悪化）
×変化が有りかなり劣悪（液晶漏れや真空気泡が発生）
低温での溶解性：
低温での溶解性評価は、液晶組成物を調製後、２ｍＬのサンプル瓶に液晶組成物を１ｇ秤量し、これに温度制御式試験槽の中で、次を１サイクル「−２０℃（１時間保持）→昇温（０．１℃／毎分）→０℃（１時間保持）→昇温（０．１℃／毎分）→２０℃（１時間保持）→降温（−０．１℃／毎分）→０℃（１時間保持）→降温（−０．１℃／毎分）→−２０℃」として温度変化を与え続け、目視にて液晶組成物からの析出物の発生を観察し、以下の４段階評価を行った。

◎６００時間以上析出物が観察されなかった。

○３００時間以上析出物が観察されなかった。

△１５０時間以内に析出物が観察された。

×７５時間以内に析出物が観察された。
尚、実施例において化合物の記載について以下の略号を用いる。
（側鎖）
−ｎ −Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１ 炭素原子数ｎの直鎖状アルキル基
−Ｏｎ −ＯＣ_ｎＨ_２ｎ＋１ 炭素原子数ｎの直鎖状アルコキシ基
−Ｖ −Ｃ＝ＣＨ_２ ビニル基
（環構造）

（実施例１）
次に示す組成を有する液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

実施例１の液晶組成物を用いて、ＶＡ液晶表示素子を作製した。この液晶表示素子は、アクティブ素子として逆スタガード型の薄膜トランジスターを有している。液晶組成物の注入は、滴下法にて行い、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性の評価を行った。

尚、含有量の左側の記号は、上記化合物の略号の記載である。

実施例１の液晶組成物は、ＴＶ用液晶組成物として実用的な７５．６℃の液晶相温度範囲を有し、大きい誘電率異方性の絶対値を有し、低い粘性及び最適なΔｎを有していることが解る。実施例１記載の液晶組成物を用いて、ＶＡ液晶表示素子を作製し前述の方法により、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、極めて優れた評価結果を示した。
（比較例１）
式（Ｉ）で表される化合物を含有せず、実施例１の組成物と同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するように設計した以下に示される液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

尚、含有量の左側の記号は、実施例１と同様に、前記化合物略号の記載である。

式（Ｉ）で表される化合物を含有しない液晶組成物（比較例１）は、式（Ｉ）で表される化合物を３１％含有する液晶組成物（実施例１）と比べて、同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するものの、粘度ηが上昇することが示された。γ１については、比較例１の値である１３８ｍＰａ・ｓは実施例１の値である９８ｍＰａ・ｓと比較して約４０％高い値を示しており、液晶表示素子及びディスプレイにおける実効的な応答速度を表すパラメータであるγ１／Δｎ^２の値で比較しても劣る結果となった。比較例１の初期のＶＨＲは９８．９％であったのに対し、１５０℃で１時間の高温放置後のＶＨＲは、９７．２％であり、実施例１と比較して劣る結果となった。プロセス適合性について評価したところ、実施例１と比べて変化が許容できないレベルとなった。低温での溶解性を評価したところ、実施例１と比べて早期に析出が観察された。
（比較例２）
一般式（ＩＩ）で表される化合物を含有しせず、実施例１の組成物と同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するように設計した以下に示される液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

一般式（ＩＩ）で表される化合物を含有しない液晶組成物（比較例２）は、一般式（ＩＩ）で表される化合物を１１％含有する液晶組成物（実施例１）と比べて、同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するものの、粘度η及び回転粘度γ１が上昇することが示された。比較例２の初期のＶＨＲは９９．１％であったのに対し、１５０℃で１時間の高温放置後のＶＨＲは、９７．７％であり、実施例１と比較して劣る結果となった。プロセス適合性について評価したところ、実施例１と比べて変化が許容できないレベルとなった。低温での溶解性を評価したところ、実施例１と比べて早期に析出が観察された。
（実施例２）
実施例１の組成物と同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

実施例２の液晶組成物を用いて、実施例１と同様にＶＡ液晶表示素子を作製し、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性の評価を行った結果を同じ表に示す。

実施例２の液晶組成物は、ＴＶ用液晶組成物として実用的な液晶相温度範囲を有し、大きい誘電率異方性の絶対値を有し、低い粘性及び最適なΔｎを有していることが解る。実施例２記載の液晶組成物を用いて、ＶＡ液晶表示素子を作製し前述の方法により、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、優れた評価結果を示した。
（比較例３及び４）
式（Ｉ）で表される化合物を含有せず、実施例１及び２の組成物と同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するように設計した液晶組成物（比較例３）及び一般式（ＩＩ）で表される化合物を含有せず、実施例１及び２の組成物と同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するように設計した液晶組成物（比較例４）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

一般式（Ｉ）で表される化合物を含有しない液晶組成物（比較例３）は、一般式（Ｉ）で表される化合物を２６％含有する液晶組成物（実施例２）と比べて、同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するものの、粘度η及び回転粘度γ１が上昇することが示された。比較例３の初期のＶＨＲは９８．８％であったのに対し、１５０℃で１時間の高温放置後のＶＨＲは、９７．０％であり、実施例１及び２と比べて劣る結果となった。プロセス適合性について評価したところ、実施例２と比べて変化が許容できないレベルとなった。低温での溶解性を評価したところ、実施例２と比べて早期に析出が観察された。

一般式（ＩＩ）で表される化合物を含有しない液晶組成物（比較例４）は、一般式（ＩＩ）で表される化合物を１１％含有する液晶組成物（実施例２）と比べて、同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するものの、粘度η及び回転粘度γ１が上昇することが示された。比較例４の初期のＶＨＲは９８．８％であったのに対し、１５０℃で１時間の高温放置後のＶＨＲは、９７．２％であり、実施例１及び２と比べて劣る結果となった。プロセス適合性について評価したところ、実施例２と比べて変化が許容できないレベルとなった。低温での溶解性を評価したところ、実施例１と比べて早期に析出が観察された。
（実施例３）
実施例１及び２の組成物と同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

実施例３の液晶組成物を用いて、実施例１と同様にＶＡ液晶表示素子を作製し、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性の評価を行った結果を同じ表に示す。

実施例３の液晶組成物は、ＴＶ用液晶組成物として実用的な液晶相温度範囲を有し、大きい誘電率異方性の絶対値を有し、低い粘性及び最適なΔｎを有していることが解る。実施例３記載の液晶組成物を用いて、ＶＡ液晶表示素子を作製し前述の方法により、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、優れた評価結果を示した。
（比較例５及び６）
式（Ｉ）で表される化合物を含有せず、実施例１〜３の組成物と同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するように設計した液晶組成物（比較例５）及び一般式（ＩＩ）で表される化合物を含有せず、実施例１〜３の組成物と同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するように設計した液晶組成物（比較例６）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

一般式（Ｉ）で表される化合物を含有しない液晶組成物（比較例５）は、一般式（Ｉ）で表される化合物を３２％含有する液晶組成物（実施例３）と比べて、同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するものの、粘度η及び回転粘度γ１が上昇することが示された。比較例５の初期のＶＨＲは９８．６％であったのに対し、１５０℃で１時間の高温放置後のＶＨＲは、９７．１％であり、実施例１１と比べて劣る結果となった。プロセス適合性について評価したところ、実施例３と比べて変化が許容できないレベルとなった。低温での溶解性を評価したところ、実施例３と比べて早期に析出が観察された。

一般式（ＩＩ）で表される化合物を含有しない液晶組成物（比較例６）は、一般式（ＩＩ）で表される化合物を１２％含有する液晶組成物（実施例３）と比べて、同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するものの、粘度η及び回転粘度γ１が上昇することが示された。比較例６の初期のＶＨＲは９８．５％であったのに対し、１５０℃で１時間の高温放置後のＶＨＲは、９６．９％であり、実施例１１と比べて劣る結果となった。プロセス適合性について評価したところ、実施例３と比べて変化が許容できないレベルとなった。低温での溶解性を評価したところ、実施例３と比べて早期に析出が観察された。
（実施例４）
実施例１〜３の組成物と同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

実施例４の液晶組成物を用いて、実施例１と同様にＶＡ液晶表示素子を作製し、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性の評価を行った結果を同じ表に示す。

実施例４の液晶組成物は、ＴＶ用液晶組成物として実用的な液晶相温度範囲を有し、大きい誘電率異方性の絶対値を有し、低い粘性及び最適なΔｎを有していることが解る。実施例４記載の液晶組成物を用いて、ＶＡ液晶表示素子を作製し前述の方法により、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、優れた評価結果を示した。
（比較例７及び８）
式（Ｉ）で表される化合物を含有せず、実施例４の組成物と同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するように設計した液晶組成物（比較例７）及び一般式（ＩＩ）で表される化合物を含有せず、実施例４の組成物と同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するように設計した液晶組成物（比較例８）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

一般式（Ｉ）で表される化合物を含有しない液晶組成物（比較例７）は、一般式（Ｉ）で表される化合物を３５％含有する液晶組成物（実施例４）と比べて、同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するものの、粘度η及び回転粘度γ１が上昇することが示された。比較例５の初期のＶＨＲは９８．２％であったのに対し、１５０℃で１時間の高温放置後のＶＨＲは、９７．４％であり、実施例４と比べて劣る結果となった。プロセス適合性について評価したところ、実施例４と比べて変化が許容できないレベルとなった。低温での溶解性を評価したところ、実施例４と比べて早期に析出が観察された。

一般式（ＩＩ）で表される化合物を含有しない液晶組成物（比較例８）は、一般式（ＩＩ）で表される化合物を１２％含有する液晶組成物（実施例４）と比べて、同等の液晶相温度範囲、同等の屈折率異方性の値及び同等の誘電率異方性の値を有するものの、粘度η及び回転粘度γ１が上昇することが示された。比較例６の初期のＶＨＲは９８．３％であったのに対し、１５０℃で１時間の高温放置後のＶＨＲは、９７．２％であり、実施例４と比べて劣る結果となった。プロセス適合性について評価したところ、実施例４と比べて変化が許容できないレベルとなった。低温での溶解性を評価したところ、実施例４と比べて早期に析出が観察された。

実施例５〜８の液晶組成物は、ＴＶ用液晶組成物として実用的な液晶相温度範囲を有し、大きい誘電率異方性の絶対値を有し、低い粘性及び最適なΔｎを有していることが解る。実施例５〜８記載の液晶組成物を用いて、ＶＡ液晶表示素子を作製し前述の方法により、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、優れた評価結果を示した。また、実施例１〜８の液晶組成１００質量部に対して、式（Ａ−１３）または式（Ａ−１５）で表される酸化防止剤を０．００３質量部添加して、溶解性評価をしたところ、式（Ａ−１３）または式（Ａ−１５）で表される酸化防止剤共に良好な結果が得られた。これにより、式（Ａ−１３）または式（Ａ−１５）で表される酸化防止剤が本発明に係る液晶組成物に対して良好な相溶性が得られると考えられる。

Claims (7)

1. 式（Ｉ）
   

   

   で表される化合物を２０質量％〜５０質量％含有し、式（ＩＩ）
   

   

   で表される化合物を５質量％〜５０質量％含有し、一般式（ＩＩＩ）
   

   

   （式中Ｒ^１は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されていてもよく、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよく、
   Ａ^１及びＡ^２はそれぞれ独立して、１，４−シクロヘキシレン基または１，４−フェニレン基を表し、
   Ｚ^１及びＺ^２ は単結合を表し、
   ｎ及びｍはそれぞれ独立して、０、１、２又は３を表すが、ｎ＋ｍは１〜３であり、Ａ^１、Ａ^２、Ｚ^１及び／又はＺ^２が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよい。）で表される化合物を１種以上含有し、前記一般式（Ｉ）、前記一般式（ＩＩ）、前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の合計含有量は９０質量％〜１００質量％である、誘電率異方性が負の液晶組成物。
2. 式（Ｉ）で表される化合物を２５質量％以上含有する請求項１に記載の液晶組成物。
3. 一般式（ＩＩＩ）で表される化合物として次の一般式（ＩＩＩａ）及び一般式（ＩＩＩｂ）
   

   

   （式中、Ｒ^１ａ、Ｒ^２ａ、Ｒ^１ｂ及びＲ^２ｂはそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されていてもよく、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよく、
   ｎ^ａは０、１又は２を表し、ｎ^ｂは０、１又は２を表し、Ａ^１ａ及びＡ^１ｂはそれぞれ独立して、１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基又はテトラヒドロピラン−２，５−ジイル基を表し、ｎ^ａ＝２の場合、Ａ^１ａは同一であっても異なっていてもよいが、少なくとも１つは１，４−フェニレン基であり、ｎ^ｂ＝１の場合Ａ^１ｂは１，４−フェニレン基であり、ｎ^ｂ＝２の場合、Ａ^１ｂは同一であっても異なっていてもよいが、少なくとも１つは１，４−フェニレン基であり、一般式（ＩＩＩａ）及び一般式（ＩＩＩｂ）中の１，４−フェニレン基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。）
   で表される化合物群から選ばれる少なくとも１種類の化合物を含有する請求項１に記載の液晶組成物。
4. 反応性モノマーを含有する請求項１に記載の液晶組成物。
5. 酸化防止剤を含有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶組成物。
6. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶組成物を用いた液晶表示素子。
7. 請求項６に記載の液晶表示素子を用いた液晶ディスプレイ。

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