JP6086503B2 - 感光層のパターン付き露光のための露光装置及び方法 - Google Patents
感光層のパターン付き露光のための露光装置及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6086503B2 JP6086503B2 JP2014525439A JP2014525439A JP6086503B2 JP 6086503 B2 JP6086503 B2 JP 6086503B2 JP 2014525439 A JP2014525439 A JP 2014525439A JP 2014525439 A JP2014525439 A JP 2014525439A JP 6086503 B2 JP6086503 B2 JP 6086503B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- photosensitive layer
- state
- exposure apparatus
- intensity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 70
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 claims description 32
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 22
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 18
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 12
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 9
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 6
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 6
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 67
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 23
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 23
- 230000006870 function Effects 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 14
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 9
- 238000011161 development Methods 0.000 description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- 238000003491 array Methods 0.000 description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- 238000001327 Förster resonance energy transfer Methods 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 230000005610 quantum mechanics Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70375—Multiphoton lithography or multiphoton photopolymerization; Imaging systems comprising means for converting one type of radiation into another type of radiation
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
- G03F7/70391—Addressable array sources specially adapted to produce patterns, e.g. addressable LED arrays
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
- G03F7/704—Scanned exposure beam, e.g. raster-, rotary- and vector scanning
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
本出願は、「35 U.S.C.§119(a)」の下に2011年8月19日出願のドイツ特許出願第10 2011 081 247.4号に対する優先権を主張し、その全ての内容は、これによって本出願の開示に引用によって組み込まれる。
3 露光光線
13 移動デバイス
32 励起放射線
λB 露光波長
Claims (18)
- 感光層(1)を有する基板(6)と、
前記感光層(1)を第2の状態(B)から第1の状態(A)に変換するために強度閾値(IS)よりも大きい最大強度(IMAX)を有する露光光線(3)を発生させるように設計され、露光波長(λB)を有して各光線が該感光層(1)の部分領域(2a〜2h)に割り当てられる複数の露光光線(3)を発生させるための発生デバイス(7)と、
前記露光光線(3)を前記それぞれ割り当てられた部分領域(2a〜2f)に対して移動するための移動デバイス(13)と、
前記感光層(1)を前記第1の状態(A)から前記第2の状態(B)に変換するために励起波長(λA)を有する励起放射線(32)を発生させるための励起光源(31)と、 を含み、
前記励起光源(31)は、前記感光層(1)上に場所依存方式で変化する強度プロフィール(I A )を有する励起放射線(32)を発生させるように設計される
ことを特徴とする露光装置(5)。 - 前記第1の状態(A)から前記第2の状態(B)への前記遷移は、可逆であり、前記感光層(1)は、該第2の状態(B)においてのみ恒久的に変化した化学状態(C)に変換することができることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記感光層(1)を前記第2の状態(B)から前記恒久的に変化した化学状態(C)に変換するための定着光源(34)を更に含むことを特徴とする請求項2に記載の露光装置。
- 前記それぞれの露光光線(3)が割り当てられた前記部分領域(2a〜2h)は、少なくとも部分的に重なり合うことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記励起放射線(32)は、前記感光層(1)上に隣接方式で入射する2つの露光光線(3)の間に最大強度(IMAX)を有する、
ことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記第2の状態(B)から前記第1の状態(A)への前記遷移は、不可逆であることを特徴とする請求項1、請求項3から請求項5のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記感光層(1)は、切換可能有機色素又は切換可能カルコゲニドを含むことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記切換可能有機色素の前記第2の状態(B)は、誘導放出によって該切換可能有機色素の前記第1の状態(A)に変換することができることを特徴とする請求項7に記載の露光装置。
- 前記第1及び第2の状態(A,B)は、前記切換可能有機色素の異なる構造異性状態であることを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の露光装置。
- 前記発生デバイス(7)は、前記感光層(1)上に生成される構造に依存する方式でそれぞれの露光光線(3)をオン又はオフにするように設計された複数の切換可能ラスター要素(9,9a〜9c)を有するラスター配置(8,8a〜8c)を有することを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記ラスター配置(9a〜9c)の前記ラスター要素(8a〜8c)は、それぞれの露光光線(3)のための切換可能絞りとして具現化されることを特徴とする請求項10に記載の露光装置。
- 前記ラスター配置は、LCDアレイ(9a)として、レーザダイオードアレイ(9b)として、又はOLEDアレイ(9c)として具現化されることを特徴とする請求項10及び請求項11のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記ラスター要素は、それぞれの露光光線(3)のための切換可能反射器(9)として具現化されることを特徴とする請求項10に記載の露光装置。
- 前記ラスター配置は、マイクロミラーアレイ(8)として具現化されることを特徴とする請求項13に記載の露光装置。
- 前記移動デバイス(13)は、前記ラスター配置(8,8a〜8c)を前記感光層(1)に対して変位させるための少なくとも1つの変位ユニット(14)を有することを特徴とする請求項10から請求項14のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記発生デバイス(7)は、前記ラスター配置(8a)を照明するための照明デバイス(7b)を有することを特徴とする請求項10から請求項11、請求項13から請求項15のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記感光層(1)上への前記ラスター配置(8,8a〜8c)の縮小結像のためのレンズ(12)を更に含むことを特徴とする請求項10から請求項16のいずれか1項に記載の露光装置。
- 感光層(1)のパターン付き露光の方法であって、
前記感光層(1)の部分領域(2a〜2h)に各光線が割り当てられた複数の露光光線(3)を発生させる段階と、
前記感光層(1)を第2の状態(B)から第1の状態(A)に変換するために強度閾値(IS)よりも大きい最大強度(IMAX)を有するように発生された前記露光光線(3)を前記それぞれ割り当てられた部分領域(2a〜2h)に対して移動する段階と、
前記感光層(1)を前記第1の状態(A)から前記第2の状態(B)に変換するために該感光層を励起放射線(32)で励起する段階と、
を含み、
前記励起する段階は、前記感光層(1)上に場所依存方式で変化する強度プロフィール(I A )を有する励起放射線(32)によって該感光層を励起する段階として設計される
ことを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161525245P | 2011-08-19 | 2011-08-19 | |
DE201110081247 DE102011081247A1 (de) | 2011-08-19 | 2011-08-19 | Belichtungsanlage und Verfahren zur strukturierten Belichtung einer lichtempfindlichen Schicht |
US61/525,245 | 2011-08-19 | ||
DE102011081247.4 | 2011-08-19 | ||
PCT/EP2012/065930 WO2013026750A1 (en) | 2011-08-19 | 2012-08-15 | Exposure apparatus and method for the patterned exposure of a light-sensitive layer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014526152A JP2014526152A (ja) | 2014-10-02 |
JP6086503B2 true JP6086503B2 (ja) | 2017-03-01 |
Family
ID=47625150
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014525439A Active JP6086503B2 (ja) | 2011-08-19 | 2012-08-15 | 感光層のパターン付き露光のための露光装置及び方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6086503B2 (ja) |
KR (1) | KR101986394B1 (ja) |
CN (1) | CN103890565B (ja) |
DE (1) | DE102011081247A1 (ja) |
WO (1) | WO2013026750A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102028712B1 (ko) | 2015-04-10 | 2019-10-04 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 검사와 계측을 위한 방법 및 장치 |
WO2018001747A1 (en) * | 2016-07-01 | 2018-01-04 | Asml Netherlands B.V. | Illumination system for a lithographic or inspection apparatus |
CN106919008A (zh) * | 2017-04-25 | 2017-07-04 | 昆山国显光电有限公司 | 曝光机及曝光系统 |
EP3702837A4 (en) * | 2017-10-23 | 2021-08-04 | Shanghai Bixiufu Enterprise Management Co., Ltd. | PHOTOLITHOGRAPHY PROCESS, PHOTOLITHOGRAPHY PRODUCT AND PHOTOLITHOGRAPHY MATERIAL |
CN109283805A (zh) * | 2018-11-29 | 2019-01-29 | 暨南大学 | 基于达曼光栅的激光直写装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0558781B1 (en) * | 1992-03-05 | 1998-08-05 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus for exposure of substrates |
US5866911A (en) * | 1994-07-15 | 1999-02-02 | Baer; Stephen C. | Method and apparatus for improving resolution in scanned optical system |
DE19626176A1 (de) * | 1996-06-29 | 1998-01-08 | Deutsche Forsch Luft Raumfahrt | Lithographie-Belichtungseinrichtung und Lithographie-Verfahren |
JPH11149663A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-06-02 | Toshiba Corp | 記録媒体及び記録方法及びこれを用いた記録装置 |
EP1446703A2 (en) * | 2001-11-07 | 2004-08-18 | Applied Materials, Inc. | Optical spot grid array printer |
JP4201178B2 (ja) * | 2002-05-30 | 2008-12-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 画像記録装置 |
US7539115B2 (en) | 2003-04-13 | 2009-05-26 | MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Creating a permanent structure with high spatial resolution |
EP1616344B1 (de) * | 2003-04-13 | 2008-08-13 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Räumlich hochaufgelöstes erzeugen einer dauerhaften struktur |
WO2006076740A2 (en) | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Arradiance, Inc. | Synchronous raster scanning lithographic system |
US7714988B2 (en) * | 2005-02-17 | 2010-05-11 | Massachusetts Institute Of Technology | System and method for absorbance modulation lithography |
WO2007084279A1 (en) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Massachusetts Institute Of Technology | System and method for absorbance modulation lithography |
DE102006039760A1 (de) * | 2006-08-24 | 2008-03-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem mit einem Detektor zur Aufnahme einer Lichtintensität |
WO2008101664A1 (en) * | 2007-02-20 | 2008-08-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical element with multiple primary light sources |
DE102008002749A1 (de) * | 2008-06-27 | 2009-12-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik für die Mikrolithografie |
-
2011
- 2011-08-19 DE DE201110081247 patent/DE102011081247A1/de not_active Withdrawn
-
2012
- 2012-08-15 WO PCT/EP2012/065930 patent/WO2013026750A1/en active Application Filing
- 2012-08-15 JP JP2014525439A patent/JP6086503B2/ja active Active
- 2012-08-15 KR KR1020147007149A patent/KR101986394B1/ko active IP Right Grant
- 2012-08-15 CN CN201280050997.0A patent/CN103890565B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013026750A1 (en) | 2013-02-28 |
JP2014526152A (ja) | 2014-10-02 |
CN103890565A (zh) | 2014-06-25 |
KR20140056346A (ko) | 2014-05-09 |
KR101986394B1 (ko) | 2019-06-05 |
DE102011081247A1 (de) | 2013-02-21 |
CN103890565B (zh) | 2016-11-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4805797B2 (ja) | 照明光学システム | |
JP5250121B2 (ja) | 高速可変減衰器としての干渉計の使用 | |
JP6086503B2 (ja) | 感光層のパターン付き露光のための露光装置及び方法 | |
JP4551415B2 (ja) | 開口数を変化させる光学系 | |
JP3996135B2 (ja) | リソグラフィー装置およびデバイス製造方法 | |
JP4463244B2 (ja) | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、および、この方法により製造されて焦点深さの増したデバイス | |
JP2007194608A (ja) | 複数回の露光及び複数種類の露光を用いる露光装置及びデバイス製造方法 | |
US11067816B1 (en) | Scattering STED lithography | |
JP2008033329A (ja) | リソグラフィシステムにおける最小寸法の不均一性を補償するシステムおよび方法 | |
JP4964192B2 (ja) | テレセントリック性の制御を瞳の充填に使用するリソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP2007133382A (ja) | マルチレンズアレイのフィールド湾曲を補正するシステムおよび方法 | |
JP4994306B2 (ja) | 光学的マスクレスリソグラフィにおけるドーズ量制御 | |
JP4776490B2 (ja) | デバイス製造方法及び露光装置 | |
JP5013763B2 (ja) | リソグラフィ投影装置 | |
JP2007329455A (ja) | パターニング用デバイスへの照明効率を改善する光学系 | |
JP4754596B2 (ja) | リソグラフィ装置およびリソグラフィ方法 | |
JP4754544B2 (ja) | システム、リソグラフィシステム、方法、レーザ、および照明器 | |
WO2011098790A1 (en) | Lithography apparatus and method | |
JP2008047887A (ja) | 光学インテグレータ | |
JP2009124143A (ja) | 薄いフィルム状の連続的に空間的に調整された灰色減衰器及び灰色フィルタ | |
WO2009150871A1 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP4705008B2 (ja) | 多数のミラーからなるコントラストデバイスにレーザトリミングを用いる露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2004128272A (ja) | パターン描画装置およびパターン描画方法 | |
JP2009524216A (ja) | 吸収度変調リソグラフィシステムおよび方法 | |
JP6558529B2 (ja) | 空間光変調器及びその使用方法、変調方法、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150617 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160425 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160509 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160809 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160913 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170104 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170126 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6086503 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |