JP6077128B2 - 注入ガスの選択により改善される、炭素質廃棄物の熱処理 - Google Patents
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Description
・流束量(フラックス):これは黒鉛マトリックスの汚染除去に効果を有する。照射黒鉛(放射線照射された黒鉛)は、(結晶学的な点で)もはや黒鉛ではなく、放射線照射に関連した構造的及びナノ構造的な無秩序さを有する(これは電子顕微鏡像により示される)。
・温度:約1000℃以上の温度は、高流束量が発生させる分解(deconstruction)を治癒する(修復する)。穏やかに放射線照射されているが、激しく加熱された黒鉛は、激しく放射線照射された黒鉛と同様に汚染除去されることができない。
・放射線分解腐食(radiolytic corrosion):これは黒鉛に酸洗効果を有し、反応器中でのC-14汚染除去をもたらす。
・空隙率:細孔径も役割を果たす。
・ 熱処理フェーズで用いられるパージガスの選択;
・ 広範囲にわたる、放射能の不均一な空間分布;
・ 放射能は最も分解された領域に主に位置するはずである。これは、こうした領域が最も反応性であるためである。典型的には、この領域は、層の端部か、黒鉛格子間の間隔である。
- 900℃〜950℃でのわずかに希釈された二酸化炭素(例えば、25%CO2及び75%窒素)の注入、その後、
- 約1100℃の温度での、90%の窒素中で10%まで希釈される一酸化炭素と二酸化炭素(50%/50%の比率)の注入。
- 反応速度は上昇するが、
- 好ましい内部放出条件から非選択的な外部放出に移行する。
・粒径が増大する場合:
- 好ましい放出条件に向かうが、
- 選択性が放出条件に依存するにもかかわらず、全体的なガス化速度は減少する。
・圧力が上昇する場合:
- 反応速度が増加し、
- 温度に従う所定の分圧で頭打ち(停滞期)が確認される。
- 蒸気(H2O)注入手段M2、及び、トリチウムH3、塩素Cl-36(これらの多くはこの工程で放出される)、及び炭素C-14を放出する、約1200℃~1500℃の間で、僅かに大気圧よりも上の圧力での第1の焙焼工程を行うために、反応器F中の水分量を確認するための制御手段M3、
- 手段M2により注入される蒸気との相互作用の流動性を促進するための、循環のための水素H2注入手段M3、
- 制御された混合手段M5の使用により比率が制御可能な、一酸化炭素及び二酸化炭素(CO-CO2)のそれぞれの混合物を注入するための、組み合わされた注入手段M6及びM7、及び、
- オキソカーボン混合物を希釈するための。窒素N2等の不活性ガスを注入するための手段M4
を有する。
- 反応器解体フェーズの間の黒鉛の湿潤から(ガス冷却反応器のために水中解体法が用いられる場合)のもの;
- 蒸気改質モードにおいて黒鉛を処理するために注入されるもの。
- (廃棄物が最初に含んでいる水分の量を考慮して)排出される蒸気をモニタリングすることにより、好ましくは限られた量で、水H2Oが注入される。この工程は、非常に少ない質量損失で、C-14及びHCl、並びに大部分のトリチウムの除去を可能にする。
- 分解された領域のマイルドな酸化によるCO-CO2の注入。この工程は、非常に少ない質量損失を伴って、C-14の放出を可能にする。
- 黒鉛を再構成するための、不活性雰囲気(例えば、窒素)下での急激な(1600℃までの)温度上昇。この工程は、Cl-36の放出及び残留トリチウムの放出を可能にする。
- 地表で中央部分が保存されるか、又は、その現在の状態で埋め立てられる、
- 又は、十分な汚染除去が達成された場合(約95%の汚染除去及び約5%の質量損失)、有利には、文献FR-2943167に記載されている遊離放出を用いて、蒸気改質プロセスにより破壊される。
Claims (14)
- 放射性炭素質材料、特に黒鉛の汚染除去の方法であって、
1200〜1500℃の温度で前記材料を焙焼する第1の熱処理と同時に、前記材料中への蒸気の注入を含み、前記第1の熱処理が、反応器中に存在する水分量を制御するために前記材料を乾燥させる工程の後に行われる方法。 - 前記蒸気が、注入される蒸気の量を制御するために水分量が測定される前記反応器中に注入される、請求項1に記載の方法。
- 前記蒸気が、水素を含むガス流向上剤と伴に注入される、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記第1の熱処理の間に約1300℃の温度が適用される、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- ガス状オキソカーボンの注入と伴に焙焼する第2の熱処理をさらに含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第2の熱処理が900〜1100℃の温度で行われる、請求項5に記載の方法。
- 前記ガス状オキソカーボンが不活性ガス中で希釈される、請求項5又は6に記載の方法。
- 前記ガス状オキソカーボンの希釈が、前記第2の熱処理の間に、約75%の不活性ガスの比率から前記第2の熱処理の最終段階において約90%の不活性ガスの比率まで増加する、請求項7に記載の方法。
- 前記第2の熱処理の間に適用される温度が、900〜1100℃であり、前記第2の熱処理の最終段階において約1100℃まで昇温する、請求項5〜8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ガス状オキソカーボンが、二酸化炭素及び比率が増加する一酸化炭素を含む、請求項5〜9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記一酸化炭素の比率が、0%から前記第2の熱処理の最終段階において約50%まで増加する、請求項10に記載の方法。
- 前記材料を焙焼する工程の最後に、1500〜1600℃の温度に昇温させることによる第3の熱処理を含む、請求項1〜11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記焙焼を、前記材料を直径1〜10mmの粒子に粉砕させた後に行う、請求項1〜12のいずれか一項に記載の方法。
- 少なくとも1つの熱処理用反応器(F)と、少なくとも蒸気の注入のための少なくとも1つのガス注入口(M2)とを含む、請求項1〜13のいずれか一項に記載の方法を行うための設備であって、前記反応器中での熱処理の間、前記材料を乾燥させる工程が、前記反応器中に存在する水分量を制御するために、反応器の上流で適用される、設備。
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