JP6076063B2

JP6076063B2 - Processing equipment

Info

Publication number: JP6076063B2
Application number: JP2012269983A
Authority: JP
Inventors: 誠治三浦; 健志出島
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2012-12-11
Filing date: 2012-12-11
Publication date: 2017-02-08
Anticipated expiration: 2032-12-11
Also published as: JP2014116480A

Description

本発明は、半導体ウェーハなどの被加工物を加工手段まで搬送して加工を施す加工装置に係り、特に、被加工物の除電処理を行う加工装置に関する。 The present invention relates to a processing apparatus that transports a workpiece such as a semiconductor wafer to a processing means and processes the workpiece, and more particularly, to a processing apparatus that performs a charge removal process on the workpiece.

半導体デバイスの製造工程においては、被加工物の表面に分割予定ラインが格子状に配列され、この分割予定ラインによって区画された複数の領域それぞれにＩＣ，ＬＳＩなどのデバイスが形成される。そして、これらのデバイスが形成された各領域が分割予定ラインに沿って切断（ダイシング）加工されることにより、個々のチップが製造される。 In a semiconductor device manufacturing process, division lines are arranged in a lattice pattern on the surface of a workpiece, and devices such as IC and LSI are formed in each of a plurality of regions partitioned by the division lines. Each region in which these devices are formed is cut (diced) along a predetermined division line, whereby individual chips are manufactured.

被加工物をダイシングする装置としては、チャックテーブルに吸着保持された被加工物を、切削ブレードによって切削する切削装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。このような切削装置においては、被加工物の加工時及び洗浄時に静電気が発生し、この静電気が被加工物に形成されたデバイスにダメージを与え品質が低下する原因となることがあった。そこで、被加工物に帯電した静電気を除去するために、切削装置内に、イオン化されたエアを噴出するイオンブロー手段を設置する技術が提案されている（例えば、特許文献２参照）。 As a device for dicing a workpiece, a cutting device for cutting a workpiece sucked and held on a chuck table with a cutting blade is known (for example, see Patent Document 1). In such a cutting apparatus, static electricity is generated when the workpiece is processed and cleaned, and this static electricity may damage the device formed on the workpiece and cause the quality to deteriorate. Therefore, in order to remove static electricity charged on the workpiece, a technique has been proposed in which ion blowing means for ejecting ionized air is installed in the cutting apparatus (see, for example, Patent Document 2).

特開２００１−３５８０９３号公報JP 2001-358093 A 特開２００４−３２７６１３号公報JP 2004-327613 A

ところで、チャックテーブル又はスピンナーテーブルに吸着保持された被加工物をテーブルから剥離する際には、この剥離に伴って発生した静電気が被加工物に帯電されてしまう。静電気が帯電した状態で、被加工物を加工後の被加工物が収容されるカセットに搬送した場合、搬送中にイオンブロー手段によってイオン化されたエアを吹き付けたとしても除電が不十分であり、帯電した静電気によって製品不良が発生してしまう恐れがある。 By the way, when the work piece attracted and held on the chuck table or the spinner table is peeled off from the table, static electricity generated by the peeling is charged to the work piece. When the work piece is transported to a cassette containing the processed work piece while being charged with static electricity, even if the air ionized by the ion blowing means is blown during the transport, the static elimination is insufficient. There is a risk of product failure due to charged static electricity.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、被加工物をテーブルから剥離する際に帯電する静電気を適切に除電して、剥離帯電による被加工物の製品不良を防止することができる加工装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of this point, and can appropriately eliminate static electricity charged when the workpiece is peeled from the table, thereby preventing product defects of the workpiece due to peeling charging. An object is to provide a processing apparatus.

本発明の加工装置は、被加工物を吸引保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を加工する加工手段と、スピンナーテーブルに吸引保持された被加工物を洗浄する洗浄手段と、複数の被加工物を収容する収容カセットを載置するカセット載置手段と、該チャックテーブル、該スピンナーテーブル及び該収容カセットの間において被加工物を搬送する搬送手段と、を有する加工装置であって、該チャックテーブル又は該スピンナーテーブルに保持された被加工物にイオン化されたエアを噴射して被加工物の帯電を緩和するイオンブロー手段と、該搬送手段に配設され且つ被加工物の帯電量を測定する静電気測定センサと、該チャックテーブル、該スピンナーテーブル及び該搬送手段を制御する制御手段とを備え、該チャックテーブル及び該スピンナーテーブルの被加工物を保持する保持部は、負圧生成源及びエア供給源に切り替え弁を介して連通しており、該静電気測定センサにより測定された被加工物の帯電量が所定値以下であるか否かを判断する判断部を備え、該チャックテーブル又は該スピンナーテーブル上に保持された被加工物を該搬送手段により吸引すると共に該チャックテーブル又は該スピンナーテーブルの負圧生成源への連通をエア供給源への連通に切り替え、被加工物を該保持部から剥離した際に、該イオンブロー手段によりイオン化したエアが被加工物の上面側だけでなく、下面側にも行き渡るように噴射し、該判断部が被加工物の帯電量が所定値以下になったと判断した場合に、該搬送手段の搬送を許可することを特徴とする。
The processing apparatus of the present invention includes a chuck table for sucking and holding a workpiece, a processing means for processing the workpiece held on the chuck table, and a cleaning means for cleaning the workpiece sucked and held on the spinner table. And a cassette mounting means for mounting a storage cassette for storing a plurality of workpieces, and a transport means for transporting the workpiece between the chuck table, the spinner table and the storage cassette. An ion blow means for injecting ionized air to the work piece held on the chuck table or the spinner table to alleviate the charge of the work piece; An electrostatic measurement sensor for measuring the charge amount of the object, and a control means for controlling the chuck table, the spinner table and the transport means, The chuck table and the holding unit for holding the workpiece of the spinner table communicate with the negative pressure generation source and the air supply source via a switching valve, and the amount of charge of the workpiece measured by the electrostatic measurement sensor And a negative pressure of the chuck table or the spinner table, wherein the workpiece is sucked by the conveying means, and a negative pressure is applied to the chuck table or the spinner table. When communication with the generation source is switched to communication with the air supply source and the workpiece is peeled from the holding portion, the air ionized by the ion blowing means is not only on the upper surface side of the workpiece but also on the lower surface side. Further , when the determination unit determines that the charged amount of the workpiece is equal to or less than a predetermined value, the transfer of the transfer unit is permitted.

この構成によれば、チャックテーブル又はスピンナーテーブル上に保持された被加工物が搬送手段により吸引されると、チャックテーブル又はスピンナーテーブルがエア供給源への連通に切り替えられ、被加工物を保持部から剥離した際に、イオン化したエアが被加工物に噴射される。そして、被加工物の帯電量が所定値以下になったと判断されると、搬送手段による搬送が許可される。そのため、被加工物をチャックテーブル又はスピンナーテーブルから剥離する際に帯電する静電気が適切に除電されたことを確認した後に、搬送手段によって適切に除電された被加工物がチャックテーブル又はスピンナーテーブルから搬送されるので、剥離帯電による被加工物の製品不良を防止することができる。 According to this configuration, when the workpiece held on the chuck table or the spinner table is sucked by the conveying means, the chuck table or the spinner table is switched to the communication with the air supply source, and the workpiece is held by the holding unit. When it is peeled off, ionized air is jetted onto the workpiece. When it is determined that the charge amount of the workpiece is equal to or less than a predetermined value, the conveyance by the conveyance unit is permitted. Therefore, after confirming that the static electricity charged when the workpiece is peeled from the chuck table or spinner table has been properly removed, the workpiece appropriately discharged by the transfer means is transferred from the chuck table or spinner table. Therefore, it is possible to prevent the product defect of the workpiece due to peeling charging.

本発明によれば、被加工物をテーブルから剥離する際に帯電する静電気を適切に除電して、剥離帯電による被加工物の製品不良を防止することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the static electricity charged when peeling a workpiece from a table can be appropriately neutralized, and the product defect of the workpiece due to peeling charging can be prevented.

本発明の実施の形態に係る加工装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the processing apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本実施の形態に係る加工装置の加工手段を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the process means of the processing apparatus which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係る第２の搬送手段の搬送アーム近傍を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the conveyance arm vicinity of the 2nd conveyance means which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係る加工装置のイオンブロー処理を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the ion blow process of the processing apparatus which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係る加工装置のイオンブロー処理を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the ion blow process of the processing apparatus which concerns on this Embodiment.

以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の一実施の形態に係る加工装置の外観を示す斜視図である。最初に、本発明の実施の形態に係る加工装置について説明する前に、加工及び搬送対象となる被加工物（ウェーハＷ）について説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a perspective view showing an external appearance of a processing apparatus according to an embodiment of the present invention. First, before describing the processing apparatus according to the embodiment of the present invention, a workpiece (wafer W) to be processed and transported will be described.

図１に示すように、ウェーハＷは、略円板状に形成されており、表面に格子状に配列された分割予定ラインによって区画された複数の領域に、それぞれＩＣ，ＬＳＩなどのデバイス（図示省略）が形成されている。ウェーハＷは、拡張テープＴの粘着面に貼着されており、この拡張テープＴを介して金属材料からなる環状フレームＦに支持されている。拡張テープＴを介して環状フレームＦに支持されたウェーハＷは、ウェーハＷ側を上向きにし、水平状態で収容カセットＣ内に収容され、収容カセットＣ内に複数枚のウェーハＷが収容された状態で加工装置１に搬入及び搬出される。ウェーハＷとしては、特に限定されるものではないが、例えば、シリコン（Ｓｉ），ガリウムヒソ（ＧａＡｓ），シリコンカーバイト（ＳｉＣ）などの半導体ウェーハ、チップ実装用としてウェーハの裏面に設けられるＤＡＦ（ＤｉｅＡｔｔａｃｈＦｉｌｍ）などの粘着部材、半導体製品のパッケージ、セラミック，ガラス，サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）系の無機材料基板、ＬＣＤドライバなどの各種電子部品、ミクロンオーダーの加工位置精度が要求される各種加工材料などが挙げられる。 As shown in FIG. 1, the wafer W is formed in a substantially disc shape, and devices such as IC and LSI (illustrated) are respectively formed in a plurality of regions partitioned by division lines arranged in a lattice pattern on the surface. (Omitted) is formed. The wafer W is attached to the adhesive surface of the expansion tape T, and is supported by the annular frame F made of a metal material via the expansion tape T. The wafer W supported by the annular frame F via the expansion tape T is stored in the storage cassette C in a horizontal state with the wafer W side facing upward, and a plurality of wafers W are stored in the storage cassette C. Is carried into and out of the processing apparatus 1. The wafer W is not particularly limited. For example, a semiconductor wafer such as silicon (Si), gallium gallium (GaAs), or silicon carbide (SiC), or DAF (Die) provided on the back surface of the wafer for chip mounting. Attach Film (adhesive film), semiconductor product packages, ceramics, glass, sapphire (Al ₂ O ₃ ) based inorganic material substrates, various electronic components such as LCD drivers, and various processes that require micron-order processing position accuracy Materials and the like.

図１に示すように、加工装置１は、略直方体状の基台２と、基台２の後方側に設けられたキャビネット３とを備えている。キャビネット３内部には、ウェーハＷに切削加工を行う加工手段２０（図２参照）が収容されている。キャビネット３の側面３ａには、切削加工に関わる各種設定などを行うための操作表示盤４が設けられている。 As shown in FIG. 1, the processing apparatus 1 includes a substantially rectangular parallelepiped base 2 and a cabinet 3 provided on the rear side of the base 2. Processing means 20 (see FIG. 2) for cutting the wafer W is accommodated in the cabinet 3. On the side surface 3a of the cabinet 3, there is provided an operation display panel 4 for performing various settings related to cutting.

基台２上の中央には、円板状のチャックテーブル５が設けられている。チャックテーブル５の外縁部には、ウェーハＷの環状フレームＦを支持する複数のフレーム支持部６が、周方向に等間隔で設けられている。チャックテーブル５の上面には、多孔質材料からなる吸着チャック（保持部）７が形成されている。吸着チャック７は、基台２内に配設された負圧生成源８及びエア供給源９に切り替え弁１０を介して接続されている（図４参照）。ウェーハＷの切削加工時には、吸着チャック７が負圧生成源８に連通するように切り替え弁１０が切り替えられて、吸着チャック７にウェーハＷが吸着保持される。一方、後述するウェーハＷのイオンブロー処理時には、吸着チャック７がエア供給源９に連通するように切り替え弁１０が切り替えられ、エア供給源９から送られる圧縮エアによって吸着チャック７からウェーハＷが剥離される。チャックテーブル５は、基台２内に配設された回転駆動機構（図示省略）に接続され、吸着保持したウェーハＷを回転可能に構成されている。 A disc-shaped chuck table 5 is provided at the center on the base 2. A plurality of frame support portions 6 that support the annular frame F of the wafer W are provided on the outer edge portion of the chuck table 5 at equal intervals in the circumferential direction. An adsorption chuck (holding portion) 7 made of a porous material is formed on the upper surface of the chuck table 5. The suction chuck 7 is connected to a negative pressure generation source 8 and an air supply source 9 disposed in the base 2 via a switching valve 10 (see FIG. 4). At the time of cutting the wafer W, the switching valve 10 is switched so that the suction chuck 7 communicates with the negative pressure generation source 8, and the wafer W is sucked and held on the suction chuck 7. On the other hand, at the time of ion blow processing of the wafer W described later, the switching valve 10 is switched so that the suction chuck 7 communicates with the air supply source 9, and the wafer W is peeled off from the suction chuck 7 by the compressed air sent from the air supply source 9. Is done. The chuck table 5 is connected to a rotation drive mechanism (not shown) disposed in the base 2 and is configured to be able to rotate the wafer W held by suction.

チャックテーブル５は、チャックテーブル５をＸ軸方向に搬送可能なテーブル搬送機構の一部を構成するベーステーブル１１上に設けられている。このテーブル搬送機構は、基台２の内部に配設された駆動手段に接続され、切削加工前のウェーハＷを着脱する基台２上の着脱位置と、加工手段２０による加工位置との間でチャックテーブル５をＸ軸方向に往復移動可能に構成されている。 The chuck table 5 is provided on a base table 11 constituting a part of a table transport mechanism that can transport the chuck table 5 in the X-axis direction. This table transport mechanism is connected to driving means disposed inside the base 2, and is between an attachment / detachment position on the base 2 for attaching / detaching the wafer W before cutting and a processing position by the processing means 20. The chuck table 5 is configured to be reciprocally movable in the X-axis direction.

基台２上において、チャックテーブル５を挟んで左側には、カセット載置手段１２が設けられ、右側には、基台２に形成された開口部内に洗浄手段１３が設けられている。カセット載置手段１２には、環状フレームＦに貼付されたウェーハＷが複数枚収容された収容カセットＣが載置される。カセット載置手段１２は、不図示の昇降機構に接続されており、上下方向に移動可能に構成されている。 On the base 2, a cassette mounting means 12 is provided on the left side of the chuck table 5, and a cleaning means 13 is provided in an opening formed in the base 2 on the right side. On the cassette mounting means 12, a storage cassette C that stores a plurality of wafers W attached to the annular frame F is mounted. The cassette mounting means 12 is connected to an elevating mechanism (not shown) and is configured to be movable in the vertical direction.

洗浄手段１３は、スピンナーテーブル１４と、スピンナーテーブル１４の外縁部に設けられた複数のクランプ１５と、を備えている。スピンナーテーブル１４は、円板状に形成されており、Ｚ軸周りに回転可能に構成されている。スピンナーテーブル１４の上面には、多孔質材料からなる吸着チャック（保持部）１６が形成されている。吸着チャック１６は、チャックテーブル５の吸着チャック７と同様に、基台２内に配設された負圧生成源８（図４参照）及びエア供給源９（図４参照）に切り替え弁１０（図４参照）を介して接続されている。ウェーハＷの洗浄時には、吸着チャック１６が負圧生成源８に連通するように切り替え弁１０が切り替えられて、吸着チャック１６にウェーハＷが吸着保持される。一方、ウェーハＷをスピンナーテーブル１４上から剥離する際には、吸着チャック１６がエア供給源９に連通するように切り替え弁１０が切り替えられる。そして、エア供給源９から送られる圧縮エアーによって吸着チャック１６からウェーハＷが剥離され、後述するイオンブロー処理手段６０によってイオンブロー処理が行われる。スピンナーテーブル１４は、不図示の昇降機構によって、開口部内から基台２の上面に露出するウェーハＷの搬入搬出位置と開口部内部のウェーハＷの洗浄位置との間を昇降可能に構成されている。搬入搬出位置では、切削加工後または洗浄後のウェーハＷが着脱され、洗浄位置では、回転するウェーハＷに対して洗浄処理が施される。洗浄処理の際には、開口部内部に設けられた洗浄水ノズル（図示省略）から洗浄水が噴出されてウェーハＷが洗浄された後、エアノズル（図示省略）から乾燥エアが吹き付けられる。 The cleaning means 13 includes a spinner table 14 and a plurality of clamps 15 provided on the outer edge of the spinner table 14. The spinner table 14 is formed in a disc shape and is configured to be rotatable around the Z axis. An adsorption chuck (holding portion) 16 made of a porous material is formed on the upper surface of the spinner table 14. Similarly to the suction chuck 7 of the chuck table 5, the suction chuck 16 is switched to a negative pressure generating source 8 (see FIG. 4) and an air supply source 9 (see FIG. 4) disposed in the base 2 (see FIG. 4). (See FIG. 4). When cleaning the wafer W, the switching valve 10 is switched so that the suction chuck 16 communicates with the negative pressure generation source 8, and the wafer W is sucked and held on the suction chuck 16. On the other hand, when the wafer W is separated from the spinner table 14, the switching valve 10 is switched so that the suction chuck 16 communicates with the air supply source 9. Then, the wafer W is peeled from the suction chuck 16 by the compressed air sent from the air supply source 9, and ion blow processing is performed by an ion blow processing means 60 described later. The spinner table 14 is configured to be movable up and down between a loading / unloading position of the wafer W exposed on the upper surface of the base 2 and a cleaning position of the wafer W inside the opening by an elevating mechanism (not shown). . At the loading / unloading position, the wafer W after cutting or cleaning is attached and detached, and at the cleaning position, the rotating wafer W is subjected to a cleaning process. During the cleaning process, cleaning water is ejected from a cleaning water nozzle (not shown) provided inside the opening to clean the wafer W, and then dry air is blown from the air nozzle (not shown).

チャックテーブル５の上方には、ウェーハＷが一時的に載置される（仮置きされる）仮置部１７が設けられている。仮置部１７は、互いに接近及び離間可能に構成された一対のガイドレール１８ａ、１８ｂを備えている。 Above the chuck table 5, a temporary placement unit 17 on which the wafer W is temporarily placed (temporarily placed) is provided. The temporary placement portion 17 includes a pair of guide rails 18a and 18b configured to be able to approach and separate from each other.

チャックテーブル５の上方には、第１の搬送手段３０が設けられている。第１の搬送手段３０は、収容カセットＣ内のウェーハＷを、着脱位置に配置されたチャックテーブル５に搬送する。第１の搬送手段３０は、キャビネット３の前面部３ｂにおいてＹ軸方向に延在する上下一対のガイドレール３１と、一対のガイドレール３１にスライド可能に係合されたガイドブロック３２と、上端側がガイドブロック３２に取付けられた搬送アーム３３と、を備えている。 A first conveying means 30 is provided above the chuck table 5. The first transfer means 30 transfers the wafer W in the storage cassette C to the chuck table 5 arranged at the attachment / detachment position. The first transport means 30 includes a pair of upper and lower guide rails 31 extending in the Y-axis direction on the front surface portion 3b of the cabinet 3, a guide block 32 slidably engaged with the pair of guide rails 31, and an upper end side. And a transfer arm 33 attached to the guide block 32.

ガイドブロック３２には、キャビネット３の前面部３ｂにおいてＹ軸方向に延在するボールネジ３４が螺合され、ボールネジ３４の一端には駆動モータ３５が連結されている。この駆動モータ３５によりボールネジ３４が回転駆動され、ガイドブロック３２に連結された搬送アーム３３がＹ軸方向に移動される。 A ball screw 34 extending in the Y-axis direction on the front surface portion 3 b of the cabinet 3 is screwed to the guide block 32, and a drive motor 35 is connected to one end of the ball screw 34. The ball screw 34 is rotationally driven by the drive motor 35, and the transport arm 33 connected to the guide block 32 is moved in the Y-axis direction.

搬送アーム３３は、上下方向に伸縮自在に構成されると共に、キャビネット３の前面部３ｂから離れるようにＸ軸方向に折り曲げられたＬ字状に形成されている。搬送アーム３３の下面において、Ｘ軸方向における両端部には、一対の保持部３６が設けられ、一対の保持部３６間には、カセット載置手段１２側に延出するようにクランプ部３７が設けられている。一対の保持部３６は、Ｘ軸方向に延在した板状部材で形成されており、各保持部３６の延在方向における両端部の下面には、吸着パッド３８がそれぞれ設けられている。吸着パッド３８は、仮置部１７に載置された状態のウェーハＷが貼付された環状フレームＦを吸着保持すると共に、チャックテーブル５上に保持された状態のウェーハＷが貼付された環状フレームＦを吸着保持する。クランプ部３７は、収容カセットＣに収容された状態のウェーハＷが貼付された環状フレームＦを把持する。また、保持部３６には、複数の静電気測定センサ３９（図４参照）が設けられている。静電気測定センサ３９は、静電気による電界を検知し、検知した静電気の電圧を測定する。静電気測定センサ３９は、後述する制御手段４０に接続されており、測定した電圧値を制御手段４０に送るように構成されている。 The transfer arm 33 is configured to be extendable in the vertical direction, and is formed in an L shape that is bent in the X-axis direction so as to be separated from the front surface portion 3 b of the cabinet 3. On the lower surface of the transfer arm 33, a pair of holding portions 36 are provided at both ends in the X-axis direction, and a clamp portion 37 is provided between the pair of holding portions 36 so as to extend toward the cassette mounting means 12 side. Is provided. The pair of holding portions 36 are formed by plate-like members extending in the X-axis direction, and suction pads 38 are respectively provided on the lower surfaces of both end portions in the extending direction of each holding portion 36. The suction pad 38 sucks and holds the annular frame F to which the wafer W in a state of being placed on the temporary placement unit 17 is stuck, and also the annular frame F to which the wafer W in a state of being held on the chuck table 5 is stuck. Adsorb and hold. The clamp part 37 grips the annular frame F to which the wafer W accommodated in the accommodation cassette C is attached. In addition, the holding unit 36 is provided with a plurality of static electricity measurement sensors 39 (see FIG. 4). The static electricity measuring sensor 39 detects an electric field due to static electricity and measures the detected static voltage. The electrostatic measurement sensor 39 is connected to the control means 40 described later, and is configured to send the measured voltage value to the control means 40.

洗浄手段１３の上方には、第２の搬送手段５０が設けられている。第２の搬送手段５０は、チャックテーブル５上のウェーハＷをスピンナーテーブル１４上に搬送する一方、スピンナーテーブル１４上のウェーハＷを仮置部１７に搬送する。第２の搬送手段５０は、キャビネット３の前面部３ｂにおいてＹ軸方向に延在する上下一対のガイドレール５１と、一対のガイドレール５１にスライド可能に係合されたガイドブロック５２と、上端側がガイドブロック５２に取付けられた搬送アーム５３と、を備えている。 A second transport unit 50 is provided above the cleaning unit 13. The second transport unit 50 transports the wafer W on the chuck table 5 onto the spinner table 14, while transporting the wafer W on the spinner table 14 to the temporary placement unit 17. The second conveying means 50 includes a pair of upper and lower guide rails 51 extending in the Y-axis direction on the front surface portion 3b of the cabinet 3, a guide block 52 slidably engaged with the pair of guide rails 51, and an upper end side. A transfer arm 53 attached to the guide block 52.

ガイドブロック５２には、キャビネット３の前面部３ｂにおいてＹ軸方向に延在するボールネジ５４が螺合され、ボールネジ５４の一端には駆動モータ５５が連結されている。この駆動モータ５５によりボールネジ５４が回転駆動され、ガイドブロック５２に連結された搬送アーム５３がＹ軸方向に移動される。 A ball screw 54 extending in the Y-axis direction at the front surface portion 3 b of the cabinet 3 is screwed to the guide block 52, and a drive motor 55 is connected to one end of the ball screw 54. The ball screw 54 is rotationally driven by the drive motor 55, and the transfer arm 53 connected to the guide block 52 is moved in the Y-axis direction.

図３は、第２の搬送手段５０の搬送アーム５３の周辺部を示した斜視図である。図３に示すように、搬送アーム５３は、上下方向（Ｚ軸方向）に伸縮自在に構成されると共に、カセット載置手段１２側（Ｙ軸方向側）に折り曲げられたＬ字状に形成されている。搬送アーム５３の下面には、板状部材で形成された保持部５４が設けられている。保持部５４は、搬送アーム５３に接続されると共にＸ軸方向に延在した基部と、基部の両端部からＹ軸方向に延在した一対の延在部とから、上面視Ｈ字状に形成されている。保持部５４の各延在部の両端部下面には、吸着パッド５５がそれぞれ設けられている。吸着パッド５５は、スピンナーテーブル１４上に保持された状態のウェーハＷが貼付された環状フレームＦを吸着保持する。また、保持部５４には、第１の搬送手段３０の保持部３６と同様に、複数の静電気測定センサ５６が設けられている。静電気測定センサ５６は、静電気による電界を検知し、検知した静電気の電圧を測定する。静電気測定センサ５６は、制御手段４０に接続されており、測定した電圧値を制御手段４０に送るように構成されている。 FIG. 3 is a perspective view showing the periphery of the transfer arm 53 of the second transfer means 50. As shown in FIG. 3, the transfer arm 53 is configured to be extendable in the vertical direction (Z-axis direction) and is formed in an L shape that is bent toward the cassette mounting means 12 (Y-axis direction). ing. A holding portion 54 formed of a plate member is provided on the lower surface of the transfer arm 53. The holding portion 54 is formed in an H shape in a top view from a base portion connected to the transport arm 53 and extending in the X-axis direction and a pair of extending portions extending from both ends of the base portion in the Y-axis direction. Has been. Suction pads 55 are respectively provided on the lower surfaces of both ends of each extending portion of the holding portion 54. The suction pad 55 sucks and holds the annular frame F to which the wafer W held on the spinner table 14 is attached. In addition, the holding unit 54 is provided with a plurality of static electricity measurement sensors 56 similarly to the holding unit 36 of the first transport unit 30. The static electricity measurement sensor 56 detects an electric field due to static electricity and measures the voltage of the detected static electricity. The electrostatic measurement sensor 56 is connected to the control unit 40 and is configured to send the measured voltage value to the control unit 40.

図１に示すように、基台２上における洗浄手段１３の右側には、イオンブロー手段６０が設けられている。イオンブロー手段６０は、基台２上のＸ軸方向における両端部に立設された一対の支柱部６１と、一対の支柱部６１の上端部間に回動可能に取り付けられた回動部６２と、この回動部６２の一面側に、Ｘ軸方向に複数配列して設けられた円筒形状の噴出口６３と、を備えている。支柱部６１及び回動部６２の内部には、イオン化されたエア（以下、「イオン化エア」という）の流動路が形成され、この流動路が噴出口６３と連通されている。流動路は、基台２内の図示しないイオン化エア生成装置に接続されている。イオン化エア生成装置で生成されたイオン化エアが、支柱部６１及び回動部６２内の流動路を通過して噴出口６３から噴出される。なお、イオン化エア生成装置としては、例えば、針状の電極に電圧をかけてコロナ放電を起こし、この電極付近を通過するエアをイオン化する装置などを用いることが可能である。 As shown in FIG. 1, an ion blowing means 60 is provided on the right side of the cleaning means 13 on the base 2. The ion blowing means 60 includes a pair of support columns 61 provided on both ends of the base 2 in the X-axis direction, and a rotation unit 62 rotatably attached between the upper ends of the pair of support columns 61. And a cylindrical jet port 63 provided in a plurality of rows in the X-axis direction on one surface side of the rotating portion 62. A flow path of ionized air (hereinafter referred to as “ionized air”) is formed inside the support column 61 and the rotation section 62, and this flow path communicates with the jet outlet 63. The flow path is connected to an ionized air generator (not shown) in the base 2. The ionized air generated by the ionized air generating device passes through the flow path in the support column 61 and the rotating unit 62 and is ejected from the ejection port 63. In addition, as an ionized air production | generation apparatus, it is possible to use the apparatus etc. which ionize the air which raise | generates a corona discharge by applying a voltage to a needle-shaped electrode and passes this electrode vicinity, for example.

支柱部６１には、回動部６２の回動位置を調整する調整部６１ａが設けられており、調整部６１ａは、基台２内に装備された図示しない駆動機構に接続されている。回動部６２の回動位置を調整することで噴出口６３を任意の向きに調整され、噴出口６３からのイオン化エアの吹き付け位置が調整される。調整部６１ａによる回動部６２の回動位置の調整は、後述する制御手段４０からの制御信号に基づいて行われる。 The support column 61 is provided with an adjustment unit 61 a that adjusts the rotation position of the rotation unit 62, and the adjustment unit 61 a is connected to a drive mechanism (not shown) provided in the base 2. By adjusting the rotation position of the rotation unit 62, the jet outlet 63 is adjusted in an arbitrary direction, and the blowing position of ionized air from the jet outlet 63 is adjusted. The adjustment of the rotation position of the rotation unit 62 by the adjustment unit 61a is performed based on a control signal from the control unit 40 described later.

制御手段４０は、本実施の形態に係る加工装置１全体の制御を行う。具体的には、制御手段４０は、第１の搬送手段３０及び第２の搬送手段５０における搬送制御、チャックテーブル５における移動制御及び回転制御、並びに、洗浄手段１３における昇降制御、回転制御及び洗浄制御を行う。また、制御手段４０は、イオンブロー手段６０における噴出口６３からの噴出制御、回動部６２の回動制御（イオン化エアの吹き付け位置の調整制御）を行う。また、制御手段４０は、静電気測定センサ３９、５６で測定された電圧値からウェーハＷの帯電量が所定値以下か否かを判断する判断部４１を備えている。制御手段４０は、判断部４１の判断結果に基づいて、負圧生成源８及びエア供給源９の切り替え制御を行う。この制御手段４０及び判断部４１は、加工装置１内に組み込まれたＣＰＵ(Central Processing Unit)がＲＯＭ（Read Only Memory）内の各種プログラムに従ってＲＡＭ（Random Access Memory）内のデータを演算し、各部と協働して搬送制御、噴出制御、測定制御、切り替え制御等を実行するように構成されている。 The control means 40 controls the entire processing apparatus 1 according to the present embodiment. Specifically, the control means 40 includes conveyance control in the first conveyance means 30 and second conveyance means 50, movement control and rotation control in the chuck table 5, and elevation control, rotation control and cleaning in the cleaning means 13. Take control. Moreover, the control means 40 performs the ejection control from the jet outlet 63 in the ion blow means 60, and the rotation control of the rotation part 62 (adjustment control of the ionization air spray position). In addition, the control means 40 includes a determination unit 41 that determines whether the charge amount of the wafer W is equal to or less than a predetermined value from the voltage values measured by the static electricity measurement sensors 39 and 56. The control unit 40 performs switching control between the negative pressure generation source 8 and the air supply source 9 based on the determination result of the determination unit 41. In the control means 40 and the determination unit 41, a CPU (Central Processing Unit) incorporated in the processing apparatus 1 calculates data in a RAM (Random Access Memory) according to various programs in a ROM (Read Only Memory). It is configured to execute conveyance control, ejection control, measurement control, switching control and the like in cooperation with.

図２は、本実施の形態に係る加工装置１が有する加工手段２０の斜視図である。なお、図２においては、ベーステーブル１１がテーブル搬送機構により後方側に移動され、チャックテーブル５が加工位置に配置された状態について示している。 FIG. 2 is a perspective view of the processing means 20 included in the processing apparatus 1 according to the present embodiment. 2 shows a state in which the base table 11 is moved rearward by the table transport mechanism and the chuck table 5 is disposed at the processing position.

加工手段２０は、ウェーハＷを保持したチャックテーブル５と、切削ブレード２１を有する一対のブレードユニット２２ａ、２２ｂとを相対移動させてウェーハＷを切削するように構成されている。加工手段２０は、テーブル搬送機構を跨ぐように立設した門型の柱部２３を備えている。柱部２３の前面には、チャックテーブル５の上方において一対のブレードユニット２２ａ、２２ｂをＹ軸方向に移動させる一対のブレードユニット移動機構２４ａ、２４ｂが設けられている。ブレードユニット移動機構２４ａ、２４ｂは、Ｙ軸方向に延びる一対のガイドレールをスライド可能に設けられた一対のＹ軸テーブル２５ａ、２５ｂを備えている。また、ブレードユニット移動機構２４ａ、２４ｂは、各Ｙ軸テーブル２５ａ、２５ｂの前面に配置され、Ｚ軸方向に延びる一対のガイドレールをスライド可能なＺ軸テーブル２６ａ、２６ｂを備えている。これらのＺ軸テーブル２６ａ、２６ｂの下端部にブレードユニット２２ａ、２２ｂが取り付けられている。 The processing means 20 is configured to cut the wafer W by relatively moving the chuck table 5 holding the wafer W and the pair of blade units 22 a and 22 b having the cutting blade 21. The processing means 20 includes a gate-shaped column portion 23 erected so as to straddle the table transport mechanism. A pair of blade unit moving mechanisms 24 a and 24 b for moving the pair of blade units 22 a and 22 b in the Y-axis direction above the chuck table 5 are provided on the front surface of the column portion 23. The blade unit moving mechanisms 24a and 24b include a pair of Y-axis tables 25a and 25b that are slidably provided with a pair of guide rails extending in the Y-axis direction. The blade unit moving mechanisms 24a and 24b include Z-axis tables 26a and 26b that are arranged on the front surfaces of the Y-axis tables 25a and 25b and that can slide a pair of guide rails extending in the Z-axis direction. Blade units 22a and 22b are attached to the lower ends of the Z-axis tables 26a and 26b.

このような構成された加工手段２０は、加工位置に配置されたチャックテーブル５の位置が調整されると共に、ブレードユニット移動機構２４ａ、２４ｂでブレードユニット２２ａ、２２ｂの位置が調整され、チャックテーブル５上のウェーハＷに対して、高速回転した切削ブレード２１が切り込まれて切削加工が行われる。 In the processing means 20 configured as described above, the position of the chuck table 5 arranged at the processing position is adjusted, and the positions of the blade units 22a and 22b are adjusted by the blade unit moving mechanisms 24a and 24b. The cutting blade 21 rotated at a high speed is cut into the upper wafer W to perform cutting.

次に、加工装置１のイオンブロー手段６０のイオンブロー処理を説明する。図４及び図５は、加工装置１のイオンブロー手段６０のイオンブロー処理を説明するための説明図である。ここでは、チャックテーブル５に吸引保持されたウェーハＷに対してイオンブロー処理を行う場合を例に挙げて説明する。 Next, the ion blowing process of the ion blowing means 60 of the processing apparatus 1 will be described. 4 and 5 are explanatory diagrams for explaining the ion blowing process of the ion blowing means 60 of the processing apparatus 1. Here, a case where ion blow processing is performed on the wafer W sucked and held by the chuck table 5 will be described as an example.

図４に示すイオンブロー処理前においては、チャックテーブル５の吸着チャック７は負圧生成源８に連通されているため、ウェーハＷは吸着チャック７に吸着保持されている。そして、チャックテーブル５の上方から搬送アーム３３を下降させて、吸着パッド３８をフレーム支持部６に支持される環状フレームＦに接触させる。このとき、制御手段４０によって回動部６２を回動させ、噴出口６３から噴出されるイオン化エアの吹き付け位置調整が行われる。 Before the ion blowing process shown in FIG. 4, the chucking chuck 7 of the chuck table 5 is communicated with the negative pressure generating source 8, so that the wafer W is held by the chucking chuck 7. Then, the transport arm 33 is lowered from above the chuck table 5 to bring the suction pad 38 into contact with the annular frame F supported by the frame support portion 6. At this time, the rotation part 62 is rotated by the control means 40, and the blowing position adjustment of the ionized air ejected from the ejection port 63 is performed.

チャックテーブル５上のウェーハＷが貼付された環状フレームＦが吸着パッド３８に吸着保持されると、図５に示すように、制御手段４０によって切り替え弁１０が切り替えられ、吸着チャック７がエア供給源９に連通される。そして、エア供給源９から圧縮エアが送られ、環状フレームＦを吸着パッド３８とフレーム支持部６とで挟み込んだ状態でウェーハＷが上方に浮上し、ウェーハＷが吸着チャック７の上面から剥離される。そして、制御手段４０によってイオンブロー手段６０が駆動され、複数の噴出口６３からイオン化エアが噴射される。イオン化エアは、プラスイオンとマイナスイオンとを適宜生成する。ウェーハＷに帯電した静電気がプラスである場合は、マイナスイオンによって中和される。一方、ウェーハＷに帯電した静電気がマイナスである場合は、プラスイオンによって中和される。これにより、ウェーハＷをチャックテーブル５（吸着チャック７）から剥離する際に生じる静電気が除電される。 When the annular frame F on which the wafer W is stuck on the chuck table 5 is sucked and held by the suction pad 38, the switching valve 10 is switched by the control means 40 as shown in FIG. 9 is communicated. Then, compressed air is sent from the air supply source 9, the wafer W floats upward with the annular frame F sandwiched between the suction pad 38 and the frame support 6, and the wafer W is peeled off from the upper surface of the suction chuck 7. The And the ion blow means 60 is driven by the control means 40, and ionized air is injected from the several jet outlet 63. FIG. The ionized air appropriately generates positive ions and negative ions. When the static electricity charged on the wafer W is positive, it is neutralized by negative ions. On the other hand, when the static electricity charged on the wafer W is negative, it is neutralized by positive ions. Thereby, static electricity generated when the wafer W is peeled from the chuck table 5 (adsorption chuck 7) is neutralized.

そして、制御手段４０によって静電気測定センサ３９が駆動され、静電気の電圧が測定され、測定された電圧値が判断部４１に送られる。判断部４１では、静電気測定センサ３９から送られた電圧値からウェーハＷの帯電量が所定値以下であるか否か判断され、帯電量が所定値以下の場合には、第１の搬送手段３０による搬送が許可される。一方、ウェーハＷの帯電量が所定値より大きい場合には、噴出口６３からのイオン化エアの噴射が継続される。ウェーハＷの帯電量が所定値以下となって第１の搬送手段３０による搬送が許可されると、環状フレームＦを吸着パッド３８が吸着保持した状態で、搬送アーム３３が上昇されてウェーハＷが搬送される。 Then, the electrostatic measurement sensor 39 is driven by the control means 40, the electrostatic voltage is measured, and the measured voltage value is sent to the determination unit 41. The determination unit 41 determines whether or not the charge amount of the wafer W is equal to or less than a predetermined value from the voltage value sent from the electrostatic measurement sensor 39. If the charge amount is equal to or less than the predetermined value, the first transfer unit 30 is determined. Transport by is permitted. On the other hand, when the charge amount of the wafer W is larger than the predetermined value, the injection of ionized air from the jet outlet 63 is continued. When the charge amount of the wafer W becomes equal to or less than a predetermined value and the transfer by the first transfer means 30 is permitted, the transfer arm 33 is raised and the wafer W is moved with the annular frame F held by the suction pad 38. Be transported.

このように本実施の形態によれば、チャックテーブル５に保持されたウェーハＷが第１の搬送手段３により吸引されると、吸着チャック７がエア供給源９への連通に切り替えられ、ウェーハＷを吸着チャック７から剥離した際に、イオン化エアがウェーハＷに噴射される。そして、静電気測定センサ３９によって測定されるウェーハＷの帯電量が所定値以下に低減されたと判断されると、第１の搬送手段３０によるウェーハＷの搬送が許可される。そのため、ウェーハＷをチャックテーブル５から剥離する際に帯電する静電気が適切に除電されたことを確認した後に、適切に除電されたウェーハＷがチャックテーブル５から搬送されるので、剥離帯電によるウェーハＷの製品不良を防止することができる。 Thus, according to the present embodiment, when the wafer W held on the chuck table 5 is sucked by the first transfer means 3, the suction chuck 7 is switched to the communication with the air supply source 9, and the wafer W Is peeled from the suction chuck 7, ionized air is sprayed onto the wafer W. When it is determined that the charge amount of the wafer W measured by the static electricity measurement sensor 39 has been reduced to a predetermined value or less, the transfer of the wafer W by the first transfer means 30 is permitted. For this reason, after confirming that the static electricity charged when the wafer W is peeled from the chuck table 5 is properly removed, the appropriately discharged wafer W is transported from the chuck table 5, and therefore the wafer W due to the peeling charge. Product defects can be prevented.

なお、図４及び図５では、チャックテーブル５に吸着保持されたウェーハＷに対してイオンブロー処理を行う場合を例に挙げて説明したが、スピンナーテーブル１４に吸引保持されたウェーハＷに対してイオンブロー処理を行う場合も同様である。図１に示すように、洗浄手段１３によるウェーハＷの洗浄処理後には、スピンナーテーブル１４の吸着チャック１６は負圧生成源８（図４参照）に連通されているため、ウェーハＷは吸着チャック１６に吸着保持されている。そして、スピンナーテーブル１４の上方から、第２の搬送手段５０の搬送アーム５３を下降させて、吸着パッド５５を環状フレームＦに接触させる。そして、制御手段４０によって切り替え弁１０（図４参照）が切り替えられ、吸着チャック１６がエア供給源９（図４参照）に連通され、エア供給源９から圧縮エアが送られて、環状フレームＦを吸着パッド５５（図３参照）とクランプ１５とで挟持した状態でウェーハＷが浮上し、ウェーハＷが吸着チャック１６の上面から剥離される。そして、制御手段４０によってイオンブロー手段６０が駆動され、噴出口６３からイオン化エアが噴射される。エア供給源９からの圧縮エアによってウェーハＷは吸着チャック１６から浮上しているため、噴出口６３から噴出されるイオン化エアは、ウェーハＷの上面側だけでなく、吸着チャック１６との剥離面となる下面側にも行き渡る。これにより、ウェーハＷをスピンナーテーブル１４（吸着チャック１６）から剥離する際に生じる静電気が除電される。そして、制御手段４０によって静電気測定センサ５６（図３参照）が駆動され、静電気の電圧が測定され、測定された電圧値が判断部４１に送られ、静電気測定センサ５６から送られた電圧値からウェーハＷの帯電量が所定値以下であるか否か判断され、帯電量が所定値以下に低減されると、第２の搬送手段５０による搬送が許可され、搬送アーム５３が上昇されてウェーハＷが搬送される。 In FIGS. 4 and 5, the case where the ion blow process is performed on the wafer W attracted and held on the chuck table 5 is described as an example. However, the wafer W sucked and held on the spinner table 14 is described. The same applies to the ion blow process. As shown in FIG. 1, after the wafer W is cleaned by the cleaning means 13, the suction chuck 16 of the spinner table 14 is in communication with the negative pressure generation source 8 (see FIG. 4). Is held by adsorption. Then, the transport arm 53 of the second transport means 50 is lowered from above the spinner table 14 to bring the suction pad 55 into contact with the annular frame F. Then, the switching valve 10 (see FIG. 4) is switched by the control means 40, the suction chuck 16 is communicated with the air supply source 9 (see FIG. 4), compressed air is sent from the air supply source 9, and the annular frame F Is held by the suction pad 55 (see FIG. 3) and the clamp 15, the wafer W floats, and the wafer W is peeled off from the upper surface of the suction chuck 16. And the ion blow means 60 is driven by the control means 40, and ionized air is injected from the jet outlet 63. FIG. Since the wafer W is levitated from the suction chuck 16 by the compressed air from the air supply source 9, the ionized air ejected from the ejection port 63 is not only on the upper surface side of the wafer W, but also on the separation surface with the suction chuck 16. It spreads to the bottom side. Thereby, static electricity generated when the wafer W is peeled from the spinner table 14 (adsorption chuck 16) is removed. Then, the static electricity measuring sensor 56 (see FIG. 3) is driven by the control means 40, the electrostatic voltage is measured, the measured voltage value is sent to the determination unit 41, and the voltage value sent from the static electricity measuring sensor 56 is used. It is determined whether or not the charge amount of the wafer W is equal to or less than a predetermined value. When the charge amount is reduced to a predetermined value or less, transfer by the second transfer means 50 is permitted, and the transfer arm 53 is raised to raise the wafer W. Is transported.

なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment, It can change and implement variously. In the above-described embodiment, the size, shape, and the like illustrated in the accompanying drawings are not limited to this, and can be appropriately changed within a range in which the effect of the present invention is exhibited. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the object of the present invention.

上記実施の形態では、イオンブロー手段６０を洗浄手段１３の右側に設けたが、イオンブロー手段６０の数及び設置位置はこれに限定されるものではない。ウェーハＷの搬送を妨げない位置であれば、例えば、仮置き部１７と洗浄手段１３との間にイオンブロー手段６０を設けることも可能である。また、上記実施の形態では、イオンブロー手段６０を基台２上に設けたが、第１の搬送手段３０及び第２の搬送手段５０に設ける構成でもよい。この場合には、吸着パッド３８（５５）に吸着保持されたウェーハＷに対して、噴出口６３が対峙する位置に、イオンブロー手段６０を設けることが好ましい。これにより、チャックテーブル５及びスピンナーテーブル１４からウェーハＷを剥離した時から収容カセットＣに収容される直前まで、ウェーハＷに帯電した静電気を効果的に除去することが可能である。 In the above embodiment, the ion blowing means 60 is provided on the right side of the cleaning means 13, but the number and installation positions of the ion blowing means 60 are not limited to this. If the position does not hinder the transfer of the wafer W, for example, the ion blowing means 60 may be provided between the temporary placement portion 17 and the cleaning means 13. Further, in the above embodiment, the ion blowing unit 60 is provided on the base 2, but a configuration in which the first blowing unit 30 and the second conveying unit 50 are provided may be used. In this case, it is preferable to provide the ion blow means 60 at a position where the jet port 63 faces the wafer W sucked and held by the suction pad 38 (55). Thereby, it is possible to effectively remove the static electricity charged on the wafer W from the time when the wafer W is peeled off from the chuck table 5 and the spinner table 14 until just before being stored in the storage cassette C.

また、上記実施の形態では、拡張テープＴを介して環状フレームＦに支持されたウェーハＷを例に説明したが、環状フレームＦが無いウェーハＷにも適用可能である。 In the above embodiment, the wafer W supported by the annular frame F via the expansion tape T has been described as an example. However, the present invention can be applied to a wafer W without the annular frame F.

本発明は、ウェーハＷをテーブルから剥離する際に帯電する静電気を適切に除電して、剥離帯電によるウェーハＷの製品不良を防止することができ、レーザによるダイシング加工、研削加工、研磨加工などを行う種々の加工装置に適用することが可能である。 The present invention can appropriately eliminate static electricity charged when the wafer W is peeled from the table, and can prevent product defects of the wafer W due to peeling charging, such as laser dicing, grinding, polishing, etc. It is possible to apply to various processing apparatuses to be performed.

１加工装置
５チャックテーブル
７吸着チャック（保持部）
８負圧生成源
９エア供給源
１０切り替え弁
１２カセット載置手段
１３洗浄手段
１４スピンナーテーブル
１６吸着チャック（保持部）
２０加工手段
３０第１の搬送手段（搬送手段）
３３搬送アーム
３８吸着パッド
３９静電気測定センサ
４０制御手段
４１判断部
５０第２の搬送手段（搬送手段）
５３搬送アーム
５５吸着パッド
５６静電気測定センサ
６０イオンブロー手段
６３噴出口
Ｃ収容カセット
Ｗウェーハ（被加工物）
Ｆ環状フレーム
Ｔ拡張テープ 1 Processing device 5 Chuck table 7 Suction chuck (holding part)
8 Negative pressure generation source 9 Air supply source 10 Switching valve 12 Cassette mounting means 13 Cleaning means 14 Spinner table 16 Adsorption chuck (holding part)
20 Processing means 30 First conveying means (conveying means)
33 Transfer Arm 38 Adsorption Pad 39 Electrostatic Measurement Sensor 40 Control Unit 41 Judgment Unit 50 Second Transfer Unit (Transport Unit)
53 Transfer Arm 55 Adsorption Pad 56 Electrostatic Measurement Sensor 60 Ion Blow Means 63 Jet Port C Storage Cassette W Wafer (Workpiece)
F ring frame T expansion tape

Claims

A chuck table for sucking and holding the workpiece, a processing means for processing the workpiece held on the chuck table, a cleaning means for cleaning the workpiece sucked and held on the spinner table, and a plurality of workpieces A processing apparatus having a cassette mounting means for mounting a storage cassette for storing a workpiece, and a transport means for transporting a workpiece between the chuck table, the spinner table and the storage cassette,
Ion blowing means for jetting ionized air to the workpiece held on the chuck table or the spinner table to alleviate the charging of the workpiece;
A static electricity measuring sensor disposed on the conveying means and measuring the amount of charge of the workpiece;
A control means for controlling the chuck table, the spinner table and the transport means;
The chuck table and the holder for holding the work piece of the spinner table communicate with a negative pressure generation source and an air supply source via a switching valve,
A determination unit for determining whether or not the amount of charge of the workpiece measured by the electrostatic measurement sensor is equal to or less than a predetermined value;
The workpiece held on the chuck table or the spinner table is sucked by the conveying means, and the communication of the chuck table or the spinner table with the negative pressure generating source is switched to the communication with the air supply source. When the object is peeled from the holding part, the air ionized by the ion blowing means is sprayed so as to reach not only the upper surface side of the workpiece but also the lower surface side ,
A processing apparatus characterized in that, when the determination unit determines that the amount of charge of the workpiece has become equal to or less than a predetermined value, the transfer of the transfer means is permitted.