JP6072773B2 - パワーエレクトロニクス素子の冷却のためのシステムおよび方法 - Google Patents
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Description
本発明は、例えば、以下のものを提供する。
(項目1)
1つ以上の電力トランジスタ構成要素と、
1つ以上のコンデンサ構成要素と、
前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素および前記1つ以上のコンデンサ構成要素と電気的に連通している、1つ以上の電力相互接続構成要素と、
1つ以上のヒートシンク構成要素であって、前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素および前記1つ以上のコンデンサ構成要素は、前記1つ以上のヒートシンク構成要素と熱的に連通しており、前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素および前記1つ以上のコンデンサ構成要素はそれぞれ、前記1つ以上のヒートシンク構成要素の実質的に反対側に位置する、1つ以上のヒートシンク構成要素と
を備える、パワーエレクトロニクス素子。
(項目2)
前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素は、前記1つ以上のヒートシンク構成要素の表面に接触する表面を有する、項目1に記載のパワーエレクトロニクス素子。
(項目3)
前記1つ以上のコンデンサ構成要素は、前記1つ以上のヒートシンク構成要素の表面に接触する表面を有する、項目1に記載のパワーエレクトロニクス素子。
(項目4)
前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素は、1つ以上の中間構成要素の表面に接触する表面を有し、前記1つ以上の中間構成要素は、前記1つ以上のヒートシンク構成要素の表面に接触する表面を有する、項目1に記載のパワーエレクトロニクス素子。
(項目5)
前記1つ以上のコンデンサ構成要素は、1つ以上の中間構成要素の表面に接触する表面を有し、前記1つ以上の中間構成要素は、前記1つ以上のヒートシンク構成要素の表面に接触する表面を有する、項目1に記載のパワーエレクトロニクス素子。
(項目6)
前記1つ以上の電力相互接続構成要素は、前記1つ以上のヒートシンク構成要素と熱的に連通している前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素の側面の実質的に反対側にある側面上で前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素に接触する、項目1に記載のパワーエレクトロニクス素子。
(項目7)
前記1つ以上の電力相互接続構成要素は、前記1つ以上のヒートシンク構成要素と熱的に連通している前記1つ以上のコンデンサ構成要素の側面の実質的に反対側にある側面上で前記1つ以上のコンデンサ構成要素に接触する、項目1に記載のパワーエレクトロニクス素子。
(項目8)
実質的にいかなる間隙も、前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素と前記1つ以上のヒートシンク構成要素との間に提供されない、項目1に記載のパワーエレクトロニクス素子。
(項目9)
実質的にいかなる間隙も、前記1つ以上のコンデンサ構成要素と前記1つ以上のヒートシンク構成要素との間に提供されない、項目1に記載のパワーエレクトロニクス素子。
(項目10)
1つ以上の電力トランジスタ構成要素を提供するステップと、
1つ以上のコンデンサ構成要素を提供するステップと、
前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素および前記1つ以上のコンデンサ構成要素と電気的に連通している、1つ以上の電力相互接続構成要素を提供するステップと、
1つ以上のヒートシンク構成要素を提供するステップであって、前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素および前記1つ以上のコンデンサ構成要素は、前記1つ以上のヒートシンク構成要素と熱的に連通しており、熱が、前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素および前記1つ以上のコンデンサ構成要素から同一の1つ以上のヒートシンク構成要素に伝達され、それにより、前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素および前記1つ以上のコンデンサ構成要素を冷却するように、前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素および前記1つ以上のコンデンサ構成要素はそれぞれ、前記1つ以上のヒートシンク構成要素の実質的に反対側に位置する、ステップと
を含む、パワーエレクトロニクス素子を冷却するための方法。
(項目11)
前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素は、前記1つ以上のヒートシンク構成要素の表面に接触する表面を有する、項目10に記載の方法。
(項目12)
前記1つ以上のコンデンサ構成要素は、前記1つ以上のヒートシンク構成要素の表面に接触する表面を有する、項目10に記載の方法。
(項目13)
前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素は、1つ以上の中間構成要素の表面に接触する表面を有し、前記1つ以上の中間構成要素は、前記1つ以上のヒートシンク構成要素の表面に接触する表面を有する、項目10に記載の方法。
(項目14)
前記1つ以上のコンデンサ構成要素は、1つ以上の中間構成要素の表面に接触する表面を有し、前記1つ以上の中間構成要素は、前記1つ以上のヒートシンク構成要素の表面に接触する表面を有する、項目10に記載の方法。
(項目15)
前記1つ以上の電力相互接続構成要素は、前記1つ以上のヒートシンク構成要素と熱的に連通している前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素の側面の実質的に反対側にある側面上で前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素に接触する、項目10に記載の方法。
(項目16)
前記1つ以上の電力相互接続構成要素は、前記1つ以上のヒートシンク構成要素と熱的に連通している前記1つ以上のコンデンサ構成要素の側面の実質的に反対側にある側面上で前記1つ以上のコンデンサ構成要素に接触する、項目10に記載の方法。
(項目17)
実質的にいかなる間隙も、前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素と前記1つ以上のヒートシンク構成要素との間に提供されない、項目10に記載のパワーエレクトロニクス素子。
(項目18)
実質的にいかなる間隙も、前記1つ以上のコンデンサ構成要素と前記1つ以上のヒートシンク構成要素との間に提供されない、項目10に記載のパワーエレクトロニクス素子。
本明細書で記述される全ての出版物、特許、および特許出願は、各個別出版物、特許、または特許出願が、参照することにより組み込まれるように具体的かつ個別に示された場合と同一の程度に、参照することにより本明細書に組み込まれる。
Claims (16)
- パワーエレクトロニクス素子であって、前記パワーエレクトロニクス素子は、
1つ以上の電力トランジスタ構成要素と、
1つ以上のコンデンサ構成要素と、
前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素および前記1つ以上のコンデンサ構成要素と電気的に連通している1つ以上の電力相互接続構成要素を含む電力相互接続バスと、
1つ以上のヒートシンク構成要素であって、前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素および前記1つ以上のコンデンサ構成要素は、前記1つ以上のヒートシンク構成要素と熱的に連通しており、前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素および前記1つ以上のコンデンサ構成要素のそれぞれは、前記1つ以上のヒートシンク構成要素の実質的に反対側に位置する、1つ以上のヒートシンク構成要素と
を備え、
前記電力相互接続バスは、前記1つ以上のヒートシンク構成要素と熱的に連通している前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素の面の実質的に反対側にある面上で前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素に接触し、前記電力相互接続バスは、前記1つ以上のヒートシンク構成要素と熱的に連通している前記1つ以上のコンデンサ構成要素の面の実質的に反対側にある面上で前記1つ以上のコンデンサ構成要素に接触する、パワーエレクトロニクス素子。 - 前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素は、前記1つ以上のヒートシンク構成要素の表面に接触する表面を有する、請求項1に記載のパワーエレクトロニクス素子。
- 前記1つ以上のコンデンサ構成要素は、前記1つ以上のヒートシンク構成要素の表面に接触する表面を有する、請求項1に記載のパワーエレクトロニクス素子。
- 前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素は、1つ以上の中間構成要素の表面に接触する表面を有し、前記1つ以上の中間構成要素は、前記1つ以上のヒートシンク構成要素の表面に接触する表面を有する、請求項1に記載のパワーエレクトロニクス素子。
- 前記1つ以上のコンデンサ構成要素は、1つ以上の中間構成要素の表面に接触する表面を有し、前記1つ以上の中間構成要素は、前記1つ以上のヒートシンク構成要素の表面に接触する表面を有する、請求項1に記載のパワーエレクトロニクス素子。
- 実質的にいかなる間隙も、前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素と前記1つ以上のヒートシンク構成要素との間に提供されない、請求項1に記載のパワーエレクトロニクス素子。
- 実質的にいかなる間隙も、前記1つ以上のコンデンサ構成要素と前記1つ以上のヒートシンク構成要素との間に提供されない、請求項1に記載のパワーエレクトロニクス素子。
- パワーエレクトロニクス素子を冷却するための方法であって、前記方法は、
1つ以上の電力トランジスタ構成要素を提供することと、
1つ以上のコンデンサ構成要素を提供することと、
前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素および前記1つ以上のコンデンサ構成要素と電気的に連通している1つ以上の電力相互接続構成要素を含む電力相互接続バスを提供することと、
1つ以上のヒートシンク構成要素を提供することであって、前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素および前記1つ以上のコンデンサ構成要素は、前記1つ以上のヒートシンク構成要素と熱的に連通しており、熱が、前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素および前記1つ以上のコンデンサ構成要素から同一の1つ以上のヒートシンク構成要素に伝達され、それにより、前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素および前記1つ以上のコンデンサ構成要素を冷却するように、前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素および前記1つ以上のコンデンサ構成要素のそれぞれは、前記1つ以上のヒートシンク構成要素の実質的に反対側に位置する、ことと
を含み、
前記電力相互接続バスは、前記1つ以上のヒートシンク構成要素と熱的に連通している前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素の面の実質的に反対側にある面上で前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素に接触し、前記電力相互接続バスは、前記1つ以上のヒートシンク構成要素と熱的に連通している前記1つ以上のコンデンサ構成要素の面の実質的に反対側にある面上で前記1つ以上のコンデンサ構成要素に接触する、方法。 - 前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素は、前記1つ以上のヒートシンク構成要素の表面に接触する表面を有する、請求項8に記載の方法。
- 前記1つ以上のコンデンサ構成要素は、前記1つ以上のヒートシンク構成要素の表面に接触する表面を有する、請求項8に記載の方法。
- 前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素は、1つ以上の中間構成要素の表面に接触する表面を有し、前記1つ以上の中間構成要素は、前記1つ以上のヒートシンク構成要素の表面に接触する表面を有する、請求項8に記載の方法。
- 前記1つ以上のコンデンサ構成要素は、1つ以上の中間構成要素の表面に接触する表面を有し、前記1つ以上の中間構成要素は、前記1つ以上のヒートシンク構成要素の表面に接触する表面を有する、請求項8に記載の方法。
- 実質的にいかなる間隙も、前記1つ以上の電力トランジスタ構成要素と前記1つ以上のヒートシンク構成要素との間に提供されない、請求項8に記載の方法。
- 実質的にいかなる間隙も、前記1つ以上のコンデンサ構成要素と前記1つ以上のヒートシンク構成要素との間に提供されない、請求項8に記載の方法。
- 前記電力相互接続バスは、角度のあるC字形を形成する、請求項1に記載のパワーエレクトロニクス素子。
- 前記電力相互接続バスは、角度のあるC字形を形成する、請求項8に記載の方法。
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