JP6061217B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
12、50 化合物半導体層
14 多層配線層
16 電極
18 絶縁層
20 スクライブライン
22 金属層
24 Ni層
26 Au層
30 絶縁層
40 第1絶縁層
42 第2絶縁層
100、110 半導体装置
Claims (7)
- 化合物半導体層表面に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層を除去し前記化合物半導体層を露出してなるスクライブラインを形成する工程と、
前記スクライブライン外の前記絶縁層上に電極を形成する工程と、
前記スクライブラインの前記化合物半導体層の露出面全体に酸化処理を実施することにより、前記露出面全体を被覆する酸化層を形成する工程と、
前記酸化層が存在する状態で前記電極に対しメッキを施し、前記電極上に金属層を形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 化合物半導体層の表面に第1絶縁層およびその上に第2絶縁層を形成する工程と、
前記第2絶縁層上に電極を形成する工程と、
前記電極下の前記第2絶縁層を残存させ前記第2絶縁層を除去し前記第1絶縁層を露出してなるスクライブラインを形成する工程と、
前記第1絶縁層が存在する状態で前記電極に対しメッキを施し、前記電極上に金属層を形成する工程との順に実施することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記酸化処理は、硝酸あるいは過酸化水素水を用いた薬品処理、酸素を用いたプラズマ処理および300℃〜400℃の熱酸化処理の何れかであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1絶縁層は、前記化合物半導体層の表面全面を酸化処理することにより形成された酸化層であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸化処理は、硝酸あるいは過酸化水素水を用いた薬品処理、酸素を用いたプラズマ処理および300℃〜400℃の熱酸化処理の何れかであることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属層を形成する工程の後、前記スクライブラインに酸化層が存在する状態で前記スクライブラインにおいて前記化合物半導体層を切断する工程を含むことを特徴とする請求項1、3、4または5記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属層上に金属バンプを形成する工程を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
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