JP6060747B2 - 電力変換装置 - Google Patents

電力変換装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6060747B2
JP6060747B2 JP2013049910A JP2013049910A JP6060747B2 JP 6060747 B2 JP6060747 B2 JP 6060747B2 JP 2013049910 A JP2013049910 A JP 2013049910A JP 2013049910 A JP2013049910 A JP 2013049910A JP 6060747 B2 JP6060747 B2 JP 6060747B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cooling
pipes
semiconductor module
pipe
cooling tube
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013049910A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014175635A (ja
Inventor
哲矢 松岡
哲矢 松岡
浩史 清水
浩史 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2013049910A priority Critical patent/JP6060747B2/ja
Publication of JP2014175635A publication Critical patent/JP2014175635A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6060747B2 publication Critical patent/JP6060747B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Description

本発明は、半導体モジュールと、該半導体モジュールを冷却するための冷却器とを備えた電力変換装置に関する。
例えば、電気自動車やハイブリッド自動車には、インバータ等の電力変換装置が搭載されている。特許文献1に示された電力変換装置は、スイッチング素子を内蔵した半導体モジュールと、半導体モジュールを冷却するための冷却器と、冷却器と共に半導体モジュールを挟持する押圧部材とを備えている。
冷却器は、半導体モジュールの下面と接触する冷却面と、内部に冷媒を流通する流路とを有する冷却チューブを備えている。冷却チューブは、押圧部材が有する一対の脚部と当接する面に、細かな凹凸形状を有しており、一対の脚部の先端面に形成された凹凸形状と係合可能に構成されている。
押圧部材は、アルミニウム合金によって形成されており、半導体モジュールの上面と接触する押圧面と、冷却チューブに向かって突出した一対の脚部とを有している。一対の脚部は、冷却器と当接している。
半導体モジュールは、冷却チューブの冷却面と接触すると共に、押圧部材が有する一対の脚部の間に配されており、冷却チューブに押圧部材を締結固定することにより、冷却チューブと押圧部材との間に半導体モジュールを挟持している。
特許第3578335号公報
しかしながら、特許文献1の電力変換装置には以下の課題がある。
特許文献1の電力変換装置において、押圧部材は、押圧面を半導体モジュールに当接させると共に脚部を冷却チューブに当接させている。このとき、押圧面から脚部の先端までの距離が、半導体モジュールの上面から冷却面までの距離よりも大きい場合、押圧面と半導体モジュールとの間の接触圧が低下する。これに伴い、半導体モジュールと冷却面との間における接触圧が低下し、冷却チューブによる半導体モジュールの冷却性能が低下する。
また、押圧面から脚部の先端までの距離が、半導体モジュールの上面から冷却面までの距離よりも大きい場合、脚部と冷却面との間の接触圧が低下する。そのため、冷却チューブに対する押圧部材の固定が不安定となりやすく、ひいては半導体モジュールの固定が不安定となる。
したがって、電力変換装置を構成する部品には、高い寸法精度が要求されることとなる。
本発明は、かかる背景に鑑みてなされたものであり、押圧部材によって半導体モジュールを容易かつ安定して固定すると共に、半導体モジュールの冷却性能を確保することのできる電力変換装置を提供しようとするものである。
本発明の一態様は、スイッチング素子を内蔵した半導体モジュールと、
上記半導体モジュールを冷却するための冷却面を有する冷却チューブと、該冷却チューブ内部に形成された冷媒流路に冷却媒体を導入又は排出する一対のパイプと、上記冷却チューブと上記一対のパイプとをそれぞれつなぐ接続部とを備えた冷却器と、
上記半導体モジュールにおける上記冷却チューブとの当接面と反対の面に当接するモジュール当接面と、上記一対のパイプと当接するパイプ当接部とを有し、上記半導体モジュールを上記冷却チューブに向かって押圧する押圧部材とを有しており、
上記一対のパイプは、上記冷却チューブの上記冷却面側に配されており、
上記接続部は、上記冷却面の法線方向において、冷却チューブと上記パイプとの間に介在していると共に、上記法線方向に圧縮変形可能に構成されており、
上記パイプ当接部が上記一対のパイプにそれぞれ当接すると共に、上記モジュール当接面が上記半導体モジュールに当接していることを特徴とする電力変換装置にある(請求項1)。
上記電力変換装置においては、上記接続部が、上記法線方向に圧縮変形可能に構成されている。そのため、上記押圧部材の上記パイプ当接部が上記一対のパイプとそれぞれ当接しても、上記接続部を圧縮変形させることで、上記押圧部材と上記冷却チューブとの間の距離を縮めることができる。つまり、上記モジュール当接面と上記冷却面との距離を、上記一対のパイプによって阻害されることなく縮めることができる。これにより、上記パイプ当接部を上記一対のパイプに圧接しつつ、上記モジュール当接面を上記半導体モジュールに十分に圧接することができる。それゆえ、半導体モジュールを安定して固定し、半導体モジュールの冷却性能を確保することができる。
以上のごとく、上記電力変換装置によれば、押圧部材によって半導体モジュールを容易かつ安定して固定し、半導体モジュールの冷却性能を確保することができる。
実施例1における、電力変換装置の断面図(図2における、I−I矢視断面図)。 実施例1における、電力変換装置の断面図(図1における、II−II矢視断面図)。 実施例1における、半導体モジュールを示す説明図。 実施例1における、冷却器を示す説明図。 実施例1における、冷却チューブの断面図。 実施例1における、冷却チューブの部分断面図(図5における、VI−VI矢視断面の部分拡大図)。 実施例1における、変形時の接続部を示す部分拡大断面図。 実施例1における、変形前の接続部を示す部分拡大断面図。 実施例1における、押圧部材を示す説明図。 実施例1における、押圧部材の下面図(図9における、X矢視図)。
上記電力変換装置において、上記接続部が圧縮変形可能とは、上記法線方向にかかる力によって上記接続部が変形しやすく構成されているという意味である。具体的には、例えば、上記押圧部材によって上記半導体モジュールを上記冷却チューブに向かって押圧した際に、上記パイプ、上記冷却チューブ、上記半導体モジュール及び上記押圧部材が変形することなく、上記接続部が変形するよう構成することができる。
また、上記パイプの外周側面には、上記法線方向と直交する接続平面が形成されており、該接続平面において上記パイプと上記接続部とがつながっていてもよい(請求項2)。この場合には、上記押圧部材によってかかる荷重を、上記パイプを介して、効率よく上記接続部へと伝達することができる。これにより、上記接続部を確実に変形させることができる。
また、上記押圧部材を介して、上記半導体モジュールの熱を上記冷却チューブへ伝達可能に構成されていてもよい(請求項3)。上記一対のパイプは、その内部に冷媒を流通するように構成されており、上記冷却チューブと同様に冷却性能を備えている。したがって、上記パイプと接触する上記押圧部材を冷却し、上記押圧部材によっても上記半導体モジュールを冷却することができる。これにより、上記半導体モジュールの冷却効率をさらに向上することができる。
また、上記パイプ当接部は、上記パイプの少なくとも一部を収容する溝状凹面を備えていてもよい(請求項4)。この場合には、上記押圧部材と上記冷却器との間における位置決めを容易に行うことができる。
また、上記溝状凹面は、上記パイプの外周側面に沿うように形成されていてもよい(請求項5)。この場合には、上記パイプと上記押圧部材とをより確実に、かつ安定して接触させることができる。また、上記パイプと上記押圧部材との接触面積を増大し、上記押圧部材と上記一対のパイプとの間における熱交換をより効率よく行うことができる。
また、上記接続部は、上記法線方向に突出する突出管部と、突出管部の一端又は両端から上記法線方向と直交する方向に延びるダイアフラム部とからなり、該ダイアフラム部が上記法線方向に変形するよう構成されていてもよい(請求項6)。この場合には、容易かつ確実に上記接続部を変形させることができる。
また、上記パイプの内周面には、内側に向かって立設した冷却フィンを備えていてもよい(請求項7)。この場合には、上記冷却フィンによって、上記パイプと該パイプの内部を流通する冷媒との接触面積を増大し、上記パイプと冷媒との間における熱交換を効率よく行うことができる。これにより、上記パイプにおける冷却性能を向上することができる。
(実施例1)
上記電力変換装置にかかる実施例について、図1〜図10を参照して説明する。
図1及び図2に示すごとく、電力変換装置1は、スイッチング素子を内蔵した半導体モジュール11と、半導体モジュール11を冷却する冷却器2と、半導体モジュール11を冷却チューブ21に向かって押圧する押圧部材3とを有している。
図1及び図2に示すごとく、冷却器2は、半導体モジュール11を冷却するための冷却面211を有する冷却チューブ21と、冷却チューブ21内部に形成された冷媒流路212に冷却媒体を導入又は排出する一対のパイプ221、222と、冷却チューブ21と一対のパイプ221、222とをそれぞれつなぐ接続部25とを有している。
図1及び図2に示すごとく、押圧部材3は、半導体モジュール11における冷却チューブ21との当接面と反対の面に当接するモジュール当接面31と、一対のパイプ221、222と当接するパイプ当接部32とを有している。
図1及び図2に示すごとく、一対のパイプ221、222は、冷却チューブ21の冷却面211側に配されている。
図5及び図6に示すごとく、接続部25は、法線方向Zにおいて、冷却チューブ21とパイプ221、222との間に介在していると共に、法線方向Zに圧縮変形可能に構成されている。
図1及び図2に示すごとく、電力変換装置1においては、パイプ当接部32が一対のパイプ221、222にそれぞれ当接すると共に、モジュール当接面31が半導体モジュール11に当接している。
以下、さらに詳細に説明する。
本例において、冷却面211の法線方向Zは、上下方向と同一の方向としてある。また、パイプ221、222の長手方向を前後方向X、また、法線方向Z及び前後方向Xの両方に対して直交する方向を横方向Yとする。
また、法線方向Zにおいて、半導体モジュール11を配した側を上方とし、反対側を下方とする。また、前後方向Xにおいて、パイプ221、222が突出する側を前方とし、反対側を後方として、以下説明する。
図1及び図2に示すごとく、電力変換装置1は、電力変換回路の一部を構成する半導体モジュール11と、半導体モジュール11を冷却する冷却器2と、半導体モジュール11と冷却器2とを固定する押圧部材3と、これらを収容するケース4とを有している。
図3に示すごとく、本例の半導体モジュール11は、例えばIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)、MOSFET(MOS型電界効果トランジスタ)等のスイッチング素子を6個内蔵してなる。半導体モジュール11は、6個のスイッチング素子を樹脂モールドしてなる平板状の本体部111と、本体部111の前方及び後方端面に配された主電極端子12及び制御端子13からなる。図1及び図2に示すごとく、半導体モジュール11は、平板状の本体部111における主面が法線方向Zと直交しており、冷却チューブ21と重ね合わせてある。
図3に示すごとく、主電極端子12には、本体部111の前方端から前方に向かって延びる3本の交流端子121と、本体部111の後方端から後方に向かって延びる2本の直流端子122とがある。交流端子121は、図示しない端子台上に配され、三相交流回転電気と接続される。直流端子122は、バスバー(図示略)と接続されており、バスバーを介して被制御電力が半導体モジュール11に入出力される。
図3に示すごとく、制御端子13は、本体部111の前方端部及び後方端部にそれぞれ3組ずつ、計6組配されており、上方に向かって屈曲して形成されている。制御端子13は、制御回路基板5と接続されており、スイッチング素子を制御する制御電流が入力される。
図4に示すごとく、冷却器2は、半導体モジュール11の下方に配される冷却チューブ21と、冷却チューブ21へ冷却媒体を循環させるための冷媒導入管221及び冷媒排出管222からなる一対のパイプ221、222を有している。冷却チューブ21は、アルミニウム等の金属によって構成され、その上面は半導体モジュール11と当接する冷却面211をなしている。図5に示すごとく、冷却チューブ21の内部には、横方向Yに延びると共に前後方向Xに並んで形成された複数の冷却フィン24と、各冷却フィン24の間に形成された複数の冷媒流路212が形成されている。
図5に示すごとく、各冷媒流路212は、左右方向の両端において、一対のパイプ221、222と、各パイプ221、222と冷却チューブ21とをつなぐ接続部25とに連通している。
図4及び図5に示すごとく、一対のパイプ221、222は、円筒状をなしており、その軸方向が、冷却面211と平行でかつ、前後方向Xとなるように配されている。一対のパイプ221、222は、冷却チューブ21の前後方向Xにおける長さと略同一の長さを有する小径部231と、小径部231よりも直径の大きい大径部232と、小径部231と大径部232とをつなぐ、テーパ部233とを有している。
図5に示すごとく、一対のパイプ221、222は、上方から見たとき、横方向Yにおける冷却チューブ21の両端縁よりも内側に配されている。また、一対のパイプ221、222は、小径部231が冷却チューブ21の上方に配され、大径部232及びテーパ部233が、冷却チューブ21よりも前方側に突出している。
図6に示すごとく、一対のパイプ221、222の内周面には、内周側に向かって立設した冷却フィン24が形成されている。冷却フィン24は、各パイプ221、222における接続平面234と反対側に配された曲面の内周において、少なくとも小径部231の軸方向全長に形成されている。冷却フィン24は、略長方形の板状をなしており、曲面の法線とパイプ221、222の中心軸線からなる平面上に配されている。本例においては、各パイプ221、222にそれぞれ5つの冷却フィン24が放射状に形成されている。尚、本例においては、冷却フィン24を板状としたがこれに限るものではなく、ピン形状等の種々の形状によって構成することができる。
図4及び図5に示すごとく、各パイプ221、222には、2つの接続部25がそれぞれ設けられている。パイプ221、222における接続部25が連結される外周側面には、法線方向Zと直交する接続平面234が形成されている。接続平面234は、接続部25における法線方向Zと直交する断面の最大外径よりも大きく形成されており、接続平面234の内側に接続部25が納まっている。
図7及び図8に示すごとく、各パイプ221、222と冷却チューブ21とをつなぐ接続部25は、冷却チューブ21の冷却面211から垂直方向に突出する突出管部26と、この突出管部26の基端側に形成されたダイアフラム部27とを有している。
突出管部26は、冷却面211からパイプ221、222に向かって突出する大径突出管部261と、接続平面234から冷却チューブ21に向かって突出し大径突出管部261の内側に挿入配置される小径突出管部263とを有している。
図7及び図8に示すごとく、大径突出管部261には段部262が形成されており、この段部262に、小径突出管部263の先端を当接することにより軸方向への挿入長さが規制される。大径突出管部261の内面と、大径突出管部261の内側に配された小径突出管部263の外面との間は、ろう付けにより接合され密封される。また、大径突出管部261と冷却面211、及び小径突出管部263と接続平面234とは、一体に形成されていてもよいし、別部品をろう付けや溶接によって接合してあってもよい。
接合後の突出管部26は、これらの軸方向、すなわち法線方向Zにおいて、ダイアフラム部27が塑性変形する程度の加圧力を受けても坐屈しない程度の剛性を提供する。
図7及び図8に示すごとく、ダイアフラム部27は、大径突出管部261及び小径突出管部263の基端部から外周側に延びる円環上の鍔部271と、鍔部271の外周縁全周から、冷却チューブ21又はパイプ221、222に向かって突出する円筒部272とを有している。接続部25に、法線方向Zの力が加わるとダイアフラム部27は、鍔部271の内周側が冷却チューブ21又はパイプ221、222に向かって移動するように変形し、冷却チューブ21とパイプ221、222との間における距離が減少するよう構成されている。
図1及び図2に示すごとく、冷媒導入管221から導入された冷却媒体は、接続部25を通り、冷却チューブ21に流入する。そして、冷却媒体は、冷却チューブ21の内部の冷媒流路212を流通し、冷媒排出管に導かれ排出される。冷却器2内を流通する冷却媒体は半導体モジュール11及び冷却器2の周囲の空気との間で熱交換が行われ、これらを冷却する。冷却媒体としては、例えば、水やアンモニア等の自然冷媒、エチレングリコール系の不凍液を混入した水、フロリナート等のフッ化炭素系冷媒、HCFC123、HFC134a等のフロン系冷媒、メタノール、アルコール等のアルコール系冷媒、アセトン等のケトン系冷媒等の冷媒を用いることができる。
図9及び図10に示すごとく、冷却チューブ21と共に半導体モジュール11を挟持する押圧部材3は、アルミニウム合金に形成された略板状をなしており、半導体モジュール11と当接するモジュール当接面31と、一対のパイプ221、222とそれぞれ当接するパイプ当接部32とを有している。本例において、パイプ当接部32は、モジュール当接面31に対してY方向の両脇において、一対、X方向に平行に形成してある。
図9及び図10に示すごとく、パイプ当接部32のモジュール当接面31側において、一対のパイプ221、222と対応した位置には、一対のパイプ221、222の軸方向に沿って、パイプ当接部32の前後方向Xの全長に、溝状凹面321が形成されている。溝状凹面321は、パイプ221、222の外周側面に沿うように形成された円弧状の断面形状からなる曲面を有しており、溝状凹面321に収容されたパイプ221、222と面接触する。
また、押圧部材3は、図9及び図10に示すごとく、半導体モジュール11及び冷却器2の外形よりも外側の位置に形成された6つのボルト挿通穴33と、モジュール当接面31と反対側に配された上方面に形成された6つの基板固定ネジ穴34とを有している。
6つのボルト挿通穴33は、押圧部材3の外形から外側に向かって突出して形成された6つの外縁突部331に、モジュール当接面31の法線方向Zに沿って貫通形成されている。
図1、図2及び図9に示すごとく6つの基板固定ネジ穴34は、上方面に形成された6つの円柱部35に形成されており、基板固定ネジ穴34と螺号する基板固定ボルト(図示略)によって、制御回路基板5が締結固定されている。制御回路基板5には、上述した制御端子13が接続される。
図1及び図2に示すごとく、上述の半導体モジュール11及び冷却器2は、押圧部材3と冷却チューブ21とによって半導体モジュール11を挟持した状態で固定されている。
本例において、半導体モジュール11及び冷却器2は、押圧部材3とケース4とによって固定される。ケース4は、熱伝導性に優れるアルミニウム合金によって形成されている。ケース4は、上端が開口したケース本体41と、ケース本体41における上方の開口部を覆うように配される板状のケース蓋体44とを有している。
図1及び図2に示すごとく、ケース本体41は、上方から見て略矩形上をなす底部42と、底部42の外周縁全周から上方に向かって立設するとともに上方に開放した壁部43とを有している。ケース本体41の内側には、半導体モジュール11、冷却器2、押圧部材3を収容してある。
図1及び図2に示すごとく、ケース本体41の前方壁部431には、シール部材223を配した一対のパイプ221、222を嵌合する一対のパイプ配置凹部432と、一対のパイプ配置凹部432の間に貫通形成された交流端子配置孔(図示略)とを有している。また、ケース本体41の後方壁部433には、直流端子配置孔(図示略)が貫通形成されている。
図1及び図2に示すごとく、ケース本体41内に配置された半導体モジュール11及び冷却器2は、押圧部材3とケース本体41とによって固定されている。押圧部材3のボルト挿通穴33に挿通した固定ボルト45を、ケース本体41に形成された固定ネジ穴411に螺号することで、押圧部材3とケース本体41とによって半導体モジュール11及び冷却器2を挟持固定している。
ケース本体41内に、半導体モジュール11、冷却器2、押圧部材3及び制御回路基板5を配置した後、壁部43の上端にケース蓋体44を固定して電力変換装置1が形成される。
次に、本例の作用効果について説明する。
電力変換装置1においては、接続部25が、法線方向Zに圧縮変形可能に構成されている。そのため、押圧部材3のパイプ当接部32が一対のパイプ221、222とそれぞれ当接しても、接続部25を圧縮変形させることで、押圧部材3と冷却チューブ21との間の距離を縮めることができる。つまり、モジュール当接面31と冷却面211との距離を、一対のパイプ221、222によって阻害されることなく縮めることができる。これにより、パイプ当接部32を一対のパイプ221、222に圧接しつつ、モジュール当接面31を半導体モジュール11に十分に圧接することができる。それゆえ、半導体モジュール11を安定して固定し、半導体モジュール11の冷却性能を確保することができる。
また、パイプ221、222の外周側面には、接続部25の法線方向Zと直交する接続平面234が形成されており、接続平面234においてパイプ221、222と接続部25とがつながっている。そのため、押圧部材3によってかかる荷重を、パイプ221、222を介して、効率よく接続部25へと伝達することができる。これにより、接続部25を確実に変形させることができる。
また、押圧部材3を介して、半導体モジュール11の熱を冷却チューブ21へ伝達可能に構成されている。一対のパイプ221、222は、その内部に冷媒を流通するように構成されており、冷却チューブ21と同様に冷却性能を備えている。したがって、パイプ221、222と接触する押圧部材3を冷却し、押圧部材3によっても半導体モジュール11を冷却することができる。これにより、半導体モジュール11の冷却効率をさらに向上することができる。
また、パイプ当接部32は、パイプ221、222の少なくとも一部を収容する溝状凹面321を備えている。そのため、押圧部材3と冷却器2との間における位置決めを容易に行うことができる。
また、溝状凹面321は、パイプ221、222の外周側面に沿うように形成されている。そのため、パイプ221、222と押圧部材3とをより確実に、かつ安定して接触させることができる。また、パイプ221、222と押圧部材3との接触面積を増大し、押圧部材3と一対のパイプ221、222との間における熱交換をより効率よく行うことができる。
また、接続部25は、法線方向Zに突出する突出管部26と、突出管部26の一端又は両端から法線方向Zと直交する方向に延びるダイアフラム部27とからなり、ダイアフラム部27が法線方向Zに変形するよう構成されている。そのため、容易かつ確実に接続部25を変形させることができる。
また、パイプ221、222の内周面には、内側に向かって立設した冷却フィン24を備えている。そのため、冷却フィン24によって、パイプ221、222とパイプ221、222の内部を流通する冷媒との接触面積を増大し、パイプ221、222と冷媒との間における熱交換を効率よく行うことができる。これにより、パイプ221、222における冷却性能を向上することができる。
以上のごとく、本例の電力変換装置1によれば、押圧部材3によって半導体モジュール11を容易かつ安定して固定し、半導体モジュール11の冷却性能を確保することができる。
1 電力変換装置
11 半導体モジュール
2 冷却器
21 冷却チューブ
211 冷却面
212 冷媒流路
221、222 パイプ
25 接続部
3 押圧部材
31 モジュール当接面
32 パイプ当接部

Claims (7)

  1. スイッチング素子を内蔵した半導体モジュール(11)と、
    上記半導体モジュール(11)を冷却するための冷却面(211)を有する冷却チューブ(21)と、該冷却チューブ(21)内部に形成された冷媒流路(212)に冷却媒体を導入又は排出する一対のパイプ(221、222)と、上記冷却チューブ(21)と上記一対のパイプ(221、222)とをそれぞれつなぐ接続部(25)とを備えた冷却器(2)と、
    上記半導体モジュール(11)における上記冷却チューブ(21)との当接面と反対の面に当接するモジュール当接面(31)と、上記一対のパイプ(221、222)と当接するパイプ当接部(32)とを有し、上記半導体モジュール(11)を上記冷却チューブ(21)に向かって押圧する押圧部材(3)とを有しており、
    上記一対のパイプ(221、222)は、上記冷却チューブ(21)の上記冷却面(211)側に配されており、
    上記接続部(25)は、上記冷却面(211)の法線方向(Z)において、冷却チューブ(21)と上記パイプ(221、222)との間に介在していると共に、上記法線方向(Z)に圧縮変形可能に構成されており、
    上記パイプ当接部(32)が上記一対のパイプ(221、222)にそれぞれ当接すると共に、上記モジュール当接面(31)が上記半導体モジュール(11)に当接していることを特徴とする電力変換装置(1)。
  2. 請求項1に記載の電力変換装置(1)において、上記パイプ(221、222)の外周側面には、上記法線方向(Z)と直交する接続平面(234)が形成されており、該接続平面(234)において上記パイプ(221、222)と上記接続部(25)とがつながっていることを特徴とする電力変換装置(1)。
  3. 請求項1又は2に記載の電力変換装置(1)において、上記押圧部材(3)を介して、上記半導体モジュール(11)の熱を上記冷却チューブ(21)へ伝達可能に構成されていることを特徴とする電力変換装置(1)。
  4. 請求項1〜3に記載の電力変換装置(1)において、上記パイプ当接部(32)は、上記パイプ(221、222)の少なくとも一部を収容する溝状凹面321を備えていることを特徴とする電力変換装置(1)。
  5. 請求項4に記載の電力変換装置(1)において、上記溝状凹面321は、上記パイプ(221、222)の外周側面に沿うように形成されていることを特徴とする電力変換装置(1)。
  6. 請求項1〜5のいずれか一項に記載の電力変換装置(1)において、上記接続部(25)は、上記法線方向(Z)に突出する突出管部(26)と、突出管部(26)の一端又は両端から上記法線方向(Z)と直交する方向に延びるダイアフラム部(27)とからなり、該ダイアフラム部(27)が上記法線方向(Z)に変形するよう構成されていることを特徴とする電力変換装置(1)。
  7. 請求項1〜6のいずれか一項に記載の電力変換装置(1)において、上記パイプ(221、222)の内周面には、内側に向かって立設した冷却フィン(24)を備えていることを特徴とする電力変換装置(1)。
JP2013049910A 2013-03-13 2013-03-13 電力変換装置 Active JP6060747B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013049910A JP6060747B2 (ja) 2013-03-13 2013-03-13 電力変換装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013049910A JP6060747B2 (ja) 2013-03-13 2013-03-13 電力変換装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014175635A JP2014175635A (ja) 2014-09-22
JP6060747B2 true JP6060747B2 (ja) 2017-01-18

Family

ID=51696533

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013049910A Active JP6060747B2 (ja) 2013-03-13 2013-03-13 電力変換装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6060747B2 (ja)

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3578335B2 (ja) * 2000-06-29 2004-10-20 株式会社デンソー 電力用半導体装置
JP4107267B2 (ja) * 2004-06-15 2008-06-25 株式会社デンソー 積層型冷却器
JP4986064B2 (ja) * 2008-02-27 2012-07-25 アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 発熱体冷却装置
JP5743175B2 (ja) * 2009-03-31 2015-07-01 日本電気株式会社 電子装置、電子装置の冷却方法、電子装置の冷却ユニットおよび電子装置冷却ユニットの製造方法
JP2011009266A (ja) * 2009-06-23 2011-01-13 Sansha Electric Mfg Co Ltd ヒートシンク、及びヒートシンクの製造方法
JP2011017516A (ja) * 2009-07-10 2011-01-27 Mitsubishi Electric Corp プレート積層型冷却装置及びその製造方法
JP2011138959A (ja) * 2009-12-28 2011-07-14 Toshiba Corp 電子機器
JP5724709B2 (ja) * 2011-07-20 2015-05-27 ダイキン工業株式会社 冷媒冷却機構及び冷却ユニット

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014175635A (ja) 2014-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5737275B2 (ja) インバータ装置
US10147668B2 (en) Stacked cooler
JP5747869B2 (ja) 電力変換装置
JP2010200478A (ja) 電力変換装置
JP2012217315A (ja) 電力変換装置
US8707715B2 (en) Thermoelectric conversion unit
US9502331B2 (en) Electric power converter with a spring member
JP2014078599A (ja) 電力変換装置
JP6127784B2 (ja) 電力変換装置
US10548246B2 (en) Electrical power converter
JP6102641B2 (ja) 積層型冷却器
JP2012222943A (ja) 電力変換装置
JP5949602B2 (ja) 電力変換装置
JP6115430B2 (ja) 電力変換装置
JP6060747B2 (ja) 電力変換装置
JP6337707B2 (ja) 電力変換装置と電力変換装置の製造方法
JP2014236624A (ja) 電力変換装置
JP5928356B2 (ja) 電力変換装置
JP2008016718A (ja) 積層型冷却器
JP5888253B2 (ja) 電力変換装置
JP6171656B2 (ja) 電力変換装置
JP6088903B2 (ja) 電力変換装置
JP6544221B2 (ja) 電力変換装置
JP6327081B2 (ja) 冷却器モジュール、および冷却器モジュールの製造方法
CN216960622U (zh) 发热元件的散热装置、车载计算设备及车辆

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150520

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160415

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160426

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160513

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160906

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161003

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20161115

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20161128

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6060747

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250