JP6038989B2 - リソグラフィ装置及びリソグラフィ装置を操作する方法 - Google Patents
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Description
適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路(IC)の製造に使用可能で
ある。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイス
を使用して、ICの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。この
パターンを、基板(例えばシリコンウェーハ)上のターゲット部分(例えば1つ又は幾つ
かのダイの一部を含む)に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた
放射感応性材料(レジスト)の層への結像により行われる。一般的に、1枚の基板は、順
次パターンが与えられる互いに近接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従
来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に1回で露光することによって
各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向(「スキャン」
方向)と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所定の方向(「ス
キャン」方向)に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される
、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パタ
ーニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている
。実施形態では液体は蒸留水であるが、別の液体を使用することができる。本発明の実施
形態は液体に関して説明されている。しかし別の流体、特に湿潤流体、非圧縮性流体及び
/又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。
気体を除く流体が特に望ましい。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いの
で、結像するフィーチャの小型化を可能にすることができることである。(液体の効果は
、システムの有効開口数(NA)を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこと
もできる。)固体粒子(例えば石英)が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁(例えば最
大10nmの最大寸法の粒子)がある液体などの、他の液浸液も提案されている。懸濁粒
子は、これが懸濁している液体と同様の屈折率又は同じ屈折率を有しても、有していなく
てもよい。適切になり得る他の液体は、芳香族、例えばデカリン、フルオロハイドロカー
ボンなどの炭化水素、及び/又は水溶液である。
,509,852号参照)は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることで
もある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が
望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
取り扱われる。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは液浸流体を供給すること
ができ、従って流体供給システムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステム
は、少なくとも部分的に流体を閉じ込めることができ、それによって流体閉じ込めシステ
ムになり得る。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、液浸流体へのバリアを
提供することができ、それによって流体閉じ込め構造などのバリア部材になり得る。ある
実施形態では、流体ハンドリングシステムは、例えば、フロー及び/又は液浸流体の位置
を制御するのを助けるために、ガスの流れを生成又は使用することができる。ガスの流れ
は、液浸流体を閉じ込める封止を形成することができ、従って、流体ハンドリング構造は
封止部材と呼ぶことができる。このような封止部材は、流体閉じ込め構造であってもよい
。ある実施形態では、液浸液は、液浸流体として使用することができる。その場合、流体
ハンドリングシステムは、液体ハンドリングシステムになり得る。上記説明に関連して、
この節での流体に関して定義された特徴への言及は、液体に関して定義された特徴を含む
ものと理解することができる。
して、基板の局所領域に、及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供する
(基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する)。これを配置構成す
るために提案されている1つの方法が、PCT特許出願公開WO99/49504号で開
示されている。図2及び図3に図示されているように、液体が少なくとも1つの入口IN
によって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給される。液
体は、投影システムの下を通過した後に少なくとも1つの出口OUTによって除去される
。つまり、基板が−X方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の+X側にて供
給され、−X側にて取り上げられる。図2は、液体が入口INを介して供給され、低圧源
に接続された出口OUTによって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したも
のである。図2の図では、液体が最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが
、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数
が可能であり、一例が図3に図示され、ここでは各側に4組の入口と出口が、最終要素の
周囲の規則的パターンで設けられる。
されている。液体が、投影システムPSのいずれかの側にある2つの溝入口INによって
供給され、入口INの半径方向外側に配置された複数の別個の出口OUTによって除去さ
れる。入口IN及びOUTは、投影される投影ビームが通る穴が中心にある板に配置する
ことができる。液体は、投影システムPSの一方側にある1つの溝入口INによって供給
され、投影システムPSの他方側にある複数の別個の出口OUTによって除去されて、投
影システムPSと基板Wの間に液体の薄膜の流れを引き起こす。どの組み合わせの入口I
Nと出口OUTを使用するかの選択は、基板Wの動作方向によって決定することができる
(他の組み合わせの入口IN及び出口OUTは動作しない)。
の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め部材を液体供給システムに設ける
。このような構成が図5に図示されている。液体閉じ込め部材は、投影システムに対して
XY面では実質的に静止しているが、Z方向(光軸の方向)には多少の相対運動があって
よい。液体閉じ込め構造と基板の表面の間にシールが形成される。実施形態では、シール
は液体閉じ込め構造と基板の表面の間に形成され、ガスシールなどの非接触シールとする
ことができる。このようなシステムが、米国特許出願公開US2004−0207824
号に開示され、参照により全体が本明細書に組み込まれる。
420300号及び米国特許出願公開第2004−0136494号では、ツイン又はデ
ュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置は、基板
を支持する2つのテーブルを備える。第1の位置にあるテーブルで、液浸液がない状態で
レベリング測定を実行し、液浸液が存在する第2の位置にあるテーブルで、露光を実行す
る。あるいは、装置は、1つのテーブルのみを有する。
基板を取り外して別の基板と交換することができる位置に移動する。これは、基板交換と
して周知である。2ステージリソグラフィ装置、例えば、ASMLの「ツインスキャン」
リソグラフィ装置では、投影システムの下で基板交換が行われる。
いオールウェット構成を開示している。このようなシステムでは、実質的に基板の上面全
体が液体で覆われる。これは、基板の上面全体が実質的に同じ状態に曝露しているので有
利なことがある。これは、基板の温度制御及び処理にとって利点を有する。WO2005
/064405号では、液体供給システムが投影システムの最終要素と基板の間のギャッ
プに液体を提供する。その液体は、基板の残りの部分の上に漏れることができる。基板テ
ーブルの縁部にあるバリアは、液体が逃げるのを防止し、従って制御された方法で基板テ
ーブルの上面からこれを除去することができる。このようなシステムは、基板の温度制御
及び処理を改良するが、それでも液浸液の蒸発が生じることがある。その問題の軽減に役
立つ1つの方法が、米国特許出願公開US2006/119809号に記載されている。
全ての位置で基板Wを覆い、液浸液を自身と基板及び/又は基板を保持する基板テーブル
の上面との間に延在させるように構成された部材が提供される。
では、流体ハンドリングシステムは、液浸流体又は液を供給することができ、従って、流
体又は液体供給システムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、流体
又は液体を閉じ込めることができ、それによって流体又は液体閉じ込めシステムになり得
る。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、流体又は液体へのバリアを提供す
ることができ、それによってバリア部材になり得る。ある実施形態では、流体ハンドリン
グシステムは、例えば、液体を取り扱うのを助けるために、ガスの流れを生成又は使用す
ることができる。ある実施形態では、液浸流体の代わりに液浸液が使用される。その場合
、流体ハンドリングシステムは、液体ハンドリングシステムになり得る。流体ハンドリン
グシステムは、投影システムと基板テーブルとの間に位置する。
にある表面(例えば、基板テーブル、基板テーブル上に支持された基板、シャッター部材
及び/又は測定テーブル)、および局所領域液浸システムの場合には流体ハンドリングシ
ステム又は液体閉じ込め構造と下にある構造との間の、すなわち液浸空間内の液体メニス
カスによって、空間に、例えば閉じ込め構造内に、閉じ込められる。オールウェットシス
テムの場合は、液体は、液浸空間から基板及び/又は基板テーブルの上面へ流出すること
ができる。
上にはね散ることがある。そのような液滴は、蒸発して最終光学(例えば、レンズ)要素
に冷点を形成し、画像エラー及び/又は合焦エラーを引き起こすことがある。
る線の周囲の液体の蒸発は投影システムの最終要素の熱障害に強い影響を与えることがあ
る。この接触線は液体閉じ込め構造と基板との相対的な運動の間、液浸液のスロッシング
のために移動する場合がある。線が下へ動くと液体の薄い膜が残されて蒸発し、投影シス
テムの最終要素の熱障害を引き起こすことがある。
影響を低減し、又はそのような液滴の形成を実質的に回避するシステムを提供することが
望ましい。
液体閉じ込め構造、並びに基板及び/又は基板テーブルによって画定された液浸空間に少
なくとも部分的に液浸液を閉じ込める液体閉じ込め構造と、投影システムから液体閉じ込
め構造へ及び装置の光軸の周囲へと延在して、投影システムと液体閉じ込め構造との間の
ギャップを実質的に封止するバリアであって、投影システムと液体閉じ込め構造との間の
力の伝達を実質的に防止する役割を果たすバリアとを備える、リソグラフィ装置が提供さ
れる。
板及び/又は基板テーブルによって画定された液浸空間に少なくとも部分的に液浸液を閉
じ込める液体閉じ込め構造と、液浸液を、半径方向外側に、且つ投影システムの最終要素
の表面と接触させるように強い、及び/又は液体を、投影システムと液体閉じ込め構造と
の間に使用時に延在するメニスカスの半径方向外側にて投影システムの最終要素の表面と
接触するように保つデバイスとを備える、リソグラフィ装置が提供される。
構造との間に配置され、光学要素絶縁体が装置の光路の外側にあるリソグラフィ装置が提
供される。
板及び/又は基板テーブルによって画定された液浸空間に少なくとも部分的に液浸液を閉
じ込める液体閉じ込め構造とを備えるリソグラフィ装置であって、液体閉じ込め構造が透
過性の板によって分離された上部容積と下部容積とに区画され、上部容積と下部容積内の
液体が異なっている、リソグラフィ装置が提供される。
なる例示としてのものにすぎない。図面において、対応する参照符号はその対応する部材
を示す。
る。この装置は、
[0040] − 放射ビームB(例えばUV放射又はDUV放射)を調節するように構成され
た照明システム(イルミネータ)ILと、
[0041] − パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構成され、特
定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第
1のポジショナPMに接続された支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
[0042] − 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、特定
のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPW
に接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
[0043] − パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基
板Wのターゲット部分C(例えば1つ又は複数のダイを含む)に投影するように構成され
た投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSとを含む。
、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタ
イプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
グデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真
空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この
支持構造MTは、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のク
ランプ技術を使用することができる。支持構造MTは、例えばフレーム又はテーブルでよ
く、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造MTは、パターニングデバイスが例
えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において
「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語
である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
ゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使
用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビ
ームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシ
ストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対
応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、
集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
は、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルLCDパネルがある。マ
スクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン
型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのよ
うなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブ
ルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各
々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜
したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学シ
ステム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学シス
テム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システム
を網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」と
いう用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見
なされる。
る)。あるいは、装置は反射タイプでもよい(例えば上記で言及したようなタイプのプロ
グラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する)。
び/又は2つ以上のパターニングデバイス支持構造)を有するタイプでよい。このような
「マルチステージ」機械においては、追加のテーブル及び/又は支持構造を並行して使用
するか、1つ又は複数の他のテーブル及び/又は支持構造を露光に使用している間に1つ
又は複数のテーブル及び/又は支持構造で予備工程を実行することができる。
射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成
要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見
なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び/又はビームエクスパンダなどを
備えるビームデリバリシステムBDの助けにより、放射源SOからイルミネータILへと
渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装
置の一体部分であってもよい。放射源SO及びイルミネータILは、必要に応じてビーム
デリバリシステムBDとともに放射システムと呼ぶことができる。
えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び/又は内側半径
範囲(一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる)を調節することができる。ま
た、イルミネータILは、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の種々のコン
ポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面に
わたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
ニングデバイス(例えばマスク)MAに入射し、パターニングデバイスによってパターン
が与えられる。放射ビームBはパターニングデバイスMAを通り抜けて、投影システムP
Sを通過し、これは、基板Wのターゲット部分C上にビームを集束する。第2のポジショ
ナPW及び位置センサIF(例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ)
の助けにより、基板テーブルWTを、例えば放射ビームBの経路において様々なターゲッ
ト部分Cに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第1のポジショナPM及び別
の位置センサ(図1には明示されていない)を使用して、例えばマスクライブラリから機
械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームBの経路に対してパターニングデバ
イスMAを正確に位置決めすることができる。一般的に、支持構造MTの移動は、第1の
ポジショナPMの部分を形成するロングストロークモジュール(粗動位置決め)及びショ
ートストロークモジュール(微動位置決め)の助けにより実現できる。同様に、基板テー
ブルWTの移動は、第2のポジショナPWの部分を形成するロングストロークモジュール
及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合(スキャナとは
対照的に)、支持構造MTをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定
してもよい。パターニングデバイスMA及び基板Wは、パターニングデバイスアラインメ
ントマークM1、M2及び基板アラインメントマークP1、P2を使用して位置合わせす
ることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット部分を占
有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい(スクライブラインアラインメン
トマークとして知られる)。同様に、パターニングデバイスMA上に複数のダイを設ける
状況では、パターニングデバイスアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。
る。
的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部
分Cに投影される(すなわち単一静止露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できる
ように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは
、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光で像が形成されるターゲット部分
Cのサイズが制限される。
にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する
(つまり単一動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向
は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。スキ
ャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲッ
ト部分の(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲ
ット部分の(スキャン方向における)高さが決まる。
保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら
、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一
般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させる毎に、又はスキャン中に
連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新す
る。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなど
のプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用
できる。
できる。
液浸システムIHである。このシステムでは、液体が基板の局所領域にのみ提供される液
体ハンドリングシステムが使用される。液体によって充填された空間は、基板の上面より
も平面視で小さく、液体が充填した領域は、投影システムPSに対して実質的に静止して
いるが、基板Wはその領域の下を移動する。図2から図5には、4つの異なるタイプの局
所液体供給システムが図示されている。図2から図4に開示した液体供給システムは、以
上で説明されている。
体閉じ込め構造12は投影システムの最終要素と基板テーブルWT又は基板Wとの間の空
間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。(以下の文章で基板Wの表面に言及する場
合、それは他に明記しない限り、追加的又は代替的に基板テーブルの表面も指すことに留
意されたい。)液体閉じ込め構造12は、投影システムに対してXY面では実質的に静止
しているが、Z方向(光軸の方向)には多少の相対運動があってよい。実施形態では、液
体閉じ込め構造と基板Wの表面との間にシールが形成され、流体シールのような非接触シ
ール、望ましくはガスシールとすることができる。
間11内に液体を少なくとも部分的に閉じ込める。液体が基板Wの表面と投影システムP
Sの最終要素との間の空間内に閉じ込められるように、基板Wへの非接触封止16を投影
システムの画像フィールドの周囲に形成することができる。液浸空間は、下に位置し、投
影システムPSの最終要素を取り囲む液体閉じ込め構造12によって少なくとも部分的に
形成される。液体は、液体入口13によって、投影システムの下の空間、及び液体閉じ込
め構造12内に運び込まれる。液体は、液体出口13によって除去することができる。液
体閉じ込め構造12は、投影システムの最終要素の少し上に延在することができる。液面
は、最終要素より上に上昇し、液体のバッファが提供される。ある実施形態では、液体閉
じ込め構造12は、上端で投影システム又はその最終要素の形状に正確に一致し、例えば
、円形であってもよい内周を有する。底部で、内周は、画像フィールドの形状に正確に一
致し、例えば、矩形であってもよいが、そうでなくてもよい。
との間に形成されるガスシール16によって液浸空間内11に封じ込められる。封止なし
(例えば、オールウェット実施形態で)、又は液体閉じ込め構造12の下面と基板Wの表
面、基板テーブルWTなどの対向面との間の毛管力によって達成される封止、又は両者の
組み合わせなどのその他のタイプの封止も可能である。
ある実施形態ではN2又は他の不活性ガスによって形成される。ガスシール16内のガス
は、圧力下で入口15を介して液体閉じ込め構造12と基板Wとの間のギャップに提供さ
れる。ガスは、出口14を介して抽出される。ガス入口15の過剰圧力、出口14の真空
レベル、及びギャップの幾何構造は、液体を閉じ込める内側への高速ガスフロー16が存
在するようにアレンジされる。液体閉じ込め構造12と基板Wとの間の液体にかかるガス
の力が、液体を液浸空間11に封じ込める。入口/出口は、空間11を取り囲む環状の溝
であってもよい。環状溝は、連続的であっても不連続的であってもよい。ガスのフローは
、液体を空間11に封じ込めるのに有効がある。このようなシステムが米国特許出願公開
US2004−0207824号に開示されている。
は、いかなるタイプの局所液体供給システムも液体供給システムとして使用することがで
きる。
間を封止する。封止は、液体供給システムの一部と基板Wとの間の液体のメニスカスによ
って画定されてもよい。液体供給システムのその部分と基板Wとの相対的な動きによって
封止、例えばメニスカスが破壊され、液体が漏れることがある。この問題は、高速スキャ
ンでより重要になる。スループットが増加するため、スキャン速度を上げることが望まし
い。
込め構造12は、液体閉じ込め構造(バリア部材又は封止部材と呼ばれることもある)が
例えば全体形状として実質的に環状になるように、投影システムPSの最終要素の周辺部
(例えば、周縁)の周りに、基板テーブルの上面に平行な、及び/又は光軸に垂直な平面
にて延在する。すなわち、液体閉じ込め構造は、最終光学(例えば、レンズ)要素を密閉
する。液体閉じ込め構造12は、環状でもリング状であってもよい。投影システムPSは
円形でなくてもよく、液体閉じ込め構造12の外縁部もリング状でなくてもよいため、液
体閉じ込め構造12がリング状である必要はない。液体閉じ込め構造は、また、投影ビー
ムを投影システムPSの最終要素から放射できる開口を有する限り、他の形状であっても
よい。開口は、中央にあってもよい。従って、露光時に、投影ビームは、液体閉じ込め構
造の開口に閉じ込められた液体を通過して基板W上に到達できる。液体閉じ込め構造12
は、例えば、実質的に矩形でもよく、また投影システムPSの最終要素の液体閉じ込め構
造12の高さの形状と同じ形状でなくてもよい。
ステムPSと基板Wとの間の空間11内に液体を少なくとも部分的に保持するか又は閉じ
込めることである。この空間11は、液浸空間として周知である。液体の上面は、単に液
体閉じ込め構造12の存在によって封じ込められている。空間内の液面は、液体が液体閉
じ込め構造12の最上部からあふれないように維持されている。
リング構造と考えられる)によって空間11に提供される。液浸液の通路又はフロー経路
は、液体閉じ込め構造12を通過する。フロー経路の一部はチャンバ26から構成される
。チャンバ26は、2つの側壁28、22を含む。液体は、第1の側壁28を通してチャ
ンバ24からチャンバ26へ流れ、次に、第2の側壁22を通して空間11へ流れる。複
数の出口20が液体を空間11に提供する。液体は、それぞれ側壁28、22の貫通穴2
9、20を通過して空間11に流入する。貫通穴20、29の場所は不規則であってもよ
い。
体閉じ込め構造12が流体ハンドリング構造であるということを示す)。図6で、封止デ
バイスは、非接触封止を提供するように構成され、いくつかのコンポーネントからなる。
投影システムPSの光軸から半径方向外側に、出口20から空間を横切る液浸液の実質的
に平行なフローを維持する助けとなる、空間内に(しかし投影ビームの経路内にではなく
)延在する(オプションの)フロー制御板50が提供される。フロー制御板50は、投影
システムPS及び/又は基板Wに対する液体閉じ込め構造12の光軸の方向の動きへの抵
抗を低減させる貫通穴55を有する。
がある。入口180は、基板Wへの方向に液体を提供することができる。結像の間、これ
は、基板Wと基板テーブルWTとの間のギャップを液体で充填することで液浸液内の気泡
の形成を防止するのに役立つ。
基板テーブルWTとの間から液体を抽出する抽出器アセンブリ70がある。抽出器アセン
ブリ70は、以下に詳述するが、液体閉じ込め構造12と基板Wとの間に形成された非接
触封止の一部を形成する。抽出器アセンブリ70は、単相又は2相抽出器として動作でき
る。
2を通して大気に接続されている。くぼみ80は、出口84を通して低圧力源に接続され
ている。入口82は、出口84に対して半径方向外側に位置していてもよい。くぼみ80
から半径方向外側にガスナイフ90がある。抽出器アセンブリ、くぼみ及びガスナイフの
ある構成が、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願公開US
2006/0158627号に詳細に開示されている。しかし、その文書では、抽出器ア
センブリの構成は異なる。
開示された抽出器アセンブリのような液体除去デバイス又は抽出器又は入口を含む。その
内容は参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする。任意のタイプの液体抽出器
を使用することができる。ある実施形態では、液体除去デバイス70は、単一液相の液体
抽出を可能にするためにガスから液体を分離するための多孔質の材料110で覆われた入
口を含む。多孔質の材料110の下流にあるチャンバ120は、わずかに圧力がかかった
状態に保たれ、液体で満たされている。チャンバ120内の加圧は、多孔質の材料110
の穴に形成されたメニスカスによって周囲ガスが液体除去デバイス70のチャンバ120
内に引き込まれない程度の大きさである。しかし、多孔質材料110の表面が液体に接触
すると、フローを制限するメニスカスは存在せず、液体は、液体除去デバイス70のチャ
ンバ120内に自由に流入できる。多孔質材料110の表面は、液体閉じ込め構造12に
沿って(また空間の周囲に)半径方向内側に延在する。多孔質材料110の表面を通る抽
出速度は、多孔質の材料110のうちどの程度が液体によって覆われているかによって変
わる。
eなどといった幅、を持つ多数の小さい孔を有する。多孔質の材料110は、液体が除去
される表面、例えば基板Wの表面上の50〜300μmの範囲の高さに維持できる。ある
実施形態では、多孔質の材料110は、少なくともわずかに親液性であり、すなわち、例
えば水などの液浸液に対して90°未満、望ましくは85°未満、又は望ましくは、80
°未満の接触角を有する。
ないかもしれないが、多孔質の材料110は、振動を引き起こす可能性がある大量の不均
一なフローを防止する。電気鋳造、フォトエッチング、及び/又はレーザカッティングで
形成されるマイクロふるい(micro sieve)を多孔質の材料110として使用することがで
きる。適したふるいは、オランダ、EerbeekのStork Veco B.V.製
である。孔のサイズが使用時に受ける圧力差をメニスカスに与えるのに適している限り、
他の多孔質の板又は多孔質の材料の中実ブロックも使用することができる。
PSの下で移動する)、基板Wと液体閉じ込め構造12との間に延在するメニスカス11
5は、移動する基板Wによって印加される抵抗力によって光軸に向かって、又は光軸と逆
方向に引かれる。これは、上述したように液体の蒸発、基板の冷却、そして結果的な収縮
及びオーバーレイエラーをもたらし得る、液体の損失を引き起こすことができる。液滴と
レジストの光化学との相互作用によって、液体の汚れが追加的に又は代替的に残されるこ
とがある。
する構成を有する。これは、投影システムPSと液体閉じ込め構造12との間に蓄積する
液体が処理され、こぼれないためである。こうした液体の蓄積は、下記の液体閉じ込め構
造12と投影システムPSとの間の相対的な動きの最中に発生する恐れがある。このよう
な運動は、スロッシングと呼ばれることがある。この液体に対処する1つの方法は、それ
が極めて大きいために、液体閉じ込め構造12と投影システムPSとの間の相対的な動き
の間に液体閉じ込め構造12の周辺部(例えば、周縁)上でほとんど圧力勾配がないよう
な液体閉じ込め構造12を提供することである。代替又は追加の構成では、例えば、抽出
器アセンブリ70のような単相抽出器などの抽出器を用いて、液体閉じ込め構造12の最
上部から液体を除去することができる。代替的又は追加的フィーチャは、疎液性(例えば
、疎水性)コーティングである。このコーティングは、開口を取り囲む液体閉じ込め構造
12の最上部の周囲及び/又は投影システムPSの最終(光学)要素の周囲に帯を形成す
ることがある。コーティングは、投影システムPSの光軸から半径方向外側であってよい
。疎液性(例えば、疎水性)コーティングは液浸液を空間11内に保持するのを助ける。
て以下に説明する。しかし、投影システムPSの最終要素と基板Wとの間の液浸空間に液
体を提供する別のタイプの任意の液体閉じ込め構造又は液体ハンドリングシステムを本発
明の実施形態で適用することができることは言うまでもない。局所液浸リソグラフィ装置
及びオールウェット構成の両方の液体閉じ込め構造又は流体ハンドリングシステムを本発
明の実施形態で適用することができる。
に形成される冷点の問題を解決するのを助けるように企図されている。本発明のある実施
形態は、不要な熱負荷をa)液体閉じ込め構造12(最終要素ほどは重要な問題ではない
が)、及び/又はb)最終光学要素に与える可能性があるガス空間200内の液滴205
の蒸発を防止することができる。解決策は、投影システムPSの最終要素、液体閉じ込め
構造12、及び液浸空間11の間のガス空間200内に液浸液の蒸気が飽和又はほとんど
飽和した環境を持つことである。以下、飽和ガスについて説明する。この用語は、近飽和
ガス、すなわち飽和状態の蒸気圧の少なくとも50%又は60%又は75%又は80%又
は90%のレベルの液浸液の蒸気圧を備えたガスを含むものと意図されている。ガスは、
バリア220によって貯留されている。別の形態のバリア220を図6〜図9に示す。
、例えば最大限にするように配置されるのが望ましい。ガス空間220は、液浸液の蒸気
がガス飽和又はほとんど飽和した環境を画定できる。前節で挙げた理由によって、ガス空
間220が望ましいであろう。ガス空間200内のガスは、バリア220の半径方向外側
のガスに対して閉じ込められる。すなわち、バリア220の外側のガスはガスフローに乗
せられ得る。従って、可能な限り半径方向外側に遠くにバリア220を配置することが有
利である。これによって、液体閉じ込め構造12と投影システムの最終要素との間の容積
の半径方向外側の部分を最小限になる。しかし、これは、ガス空間200が大きすぎる場
合スループットにおいてあり得る損失とのバランスをとらねばならず、ガス空間200内
に平衡を達成するには時間がかかり、空間200が大きければ大きいほどスキャンの開始
前に達成すべき平衡を達成するのにより長い時間がかかる。すべての実施形態に共通であ
るが、少なくとも投影システムの最終要素の表面、例えば下向きの表面全体が高い熱負荷
から確実に保護されることが望ましい。従って、図6に示すように、バリア220は投影
システムの最終要素の半径方向外側の縁部235に提供される。別の方法としては、バリ
ア220をさらに半径方向外側に提供してもよい。ある実施形態では、バリア220は、
外向き縁部235の半径方向内側に提供される(図8を参照)。
(以後、液滴は特に断りのない限り膜を含む)としての液体の蒸発によって液体が存在す
る表面に熱負荷がかかる。飽和の一定のしきい値又はそれより上で、蒸発は、停止しない
までも大幅に低減する。ガスは、液浸液の蒸気で飽和する。従って、冷点が蒸発によって
そのような上に形成されている場合に光学的性能を低減させる全領域を飽和ガス(流体の
蒸発を回避することができる十分な飽和)によって確実に取り囲むことで、蒸発は低減又
は抑止することができる。この容積は、液体閉じ込め構造12と投影システムPSの最終
要素との間のバリア220を使用することで閉じ込めることができる。蒸発が回避される
と温度オフセットが回避され、光収差が回避される。
、飽和ガスは絶縁体と考えることができる。すなわち、飽和ガスの存在によって気化熱負
荷が投影システムPSなどの該当する表面に印加されることが防止される。従って、飽和
ガスは、投影システムPS上(及び特に(液浸液と接触する)投影システムPSの最終要
素上)などの該当する表面への絶縁効果を有する。従って、飽和ガスは、投影システムP
Sと液体閉じ込めシステムとの間に存在する絶縁体又はアイソレータである。
2の上方に位置する。飽和ガスは、ガス空間200内に封じ込めるか又は閉じ込めること
ができる。半径方向内側にてガス空間は液浸空間11の液体のメニスカス210によって
囲まれている。半径方向外側にて湿りガス空間200はバリア220によって囲まれてい
る。
投影システムPSから液体閉じ込め構造12まで延在する。バリアは、装置の光軸周りに
延在し、それにより投影システムPSと液体閉じ込め構造12との間のギャップを封止し
、ガス空間200を画定する。バリア220は、蛇腹の形態をしているため、投影システ
ムPSと液体閉じ込め構造12との間の力の伝達を実質的に防止することができる。
2との間にあって両者に接続されているが、これはそうでなくてもよい。例えば、バリア
220は、投影システムPSのマウント又はシールド構造から液体閉じ込め構造12まで
延在していてもよい。
12に接続されている。しかし、これはそうでなくてもよい。一実施形態では、バリア2
20は、一端又は両端が取り付けられていないが、投影システムPS及び/又は液体閉じ
込め構造12に接触している。バリア220は、バリア220の材料の弾力性によって、
投影システムPSと液体閉じ込め構造12の少なくとも一方に接触させておくことができ
る。
封止する。それによって、バリア220は、ガス空間200を部分的に画定する。ガス空
間200は、バリア220、投影システムPS、投影システムPSと液体閉じ込め構造1
2との間に延在するメニスカス210によって画定される。
/mm未満の剛性を有する。
00へガスを供給する飽和ガス源250を提供することができる。それによって、飽和ガ
スをガス空間200内に補充できる。例えば、液体閉じ込め構造12には、ガス空間20
0からガスを取り出す開口があってもよい。開口は、液浸空間11から液体を除去する役
割も果たす。この1つの利点は、存在するガスはすべて飽和されるため、流体除去システ
ム内の蒸発が防止されることである。また、抽出されたガスは、飽和ガス源250からガ
ス空間200に再度供給することができる。別の方法としては、この開口をガス抽出専用
にして、1つ又は複数の別の開口を液浸空間11からの液体の除去のために提供すること
ができる。
2との間の空間を飽和ガスのための半径方向内側の空間(すなわち、ガス空間200)と
、液体閉じ込め構造12及び投影システムPSの半径方向外側の外気に流体連通する半径
方向外側の部分とに区画する。
ア220の材料の弾力性のために液体閉じ込め構造12に接触する細長い封止などの封止
の形態をしている。別の方法としては、バリア220は液体閉じ込め構造12に装着しバ
リア220の材料の弾力性によって投影システムPSに接触させることもできる。バリア
220の断面は、実質的にL字形である。バリア220の端部ではなく表面が自由端で投
影システムPS又は液体閉じ込め構造12に接触している。バリア220はフルオロポリ
マー(例えば、バイトン)などのポリマーから構成されてもよい。
は、板ばねに類似している。バリア220はV字の一辺に沿って投影システムPSに接着
、粘着、又は装着することができる。バリア220は、バリア220の材料の弾力性のた
めに液体閉じ込め構造12に接触する。バリア220は、クランピングによって、又は締
め具を用いるなどの別の方法で投影システムPSに装着することができる。ある実施形態
では、バリア220を液体閉じ込め構造12に接着、粘着、又は装着し、投影システムに
接触させることができる。
め構造12との概略断面図である。液体閉じ込め構造12は、図6に示すような任意のタ
イプの液体閉じ込め構造であってよい。図9の実施形態は、以下の点を除いて図6の実施
形態と同じである。
材料700によって少なくとも部分的に満たされている。セル状材料700は、望ましく
は、オープンセル(open cell)材料である。セル状材料700は、図6の実施形態の蛇腹
の形態のバリア220と同様にバリアとしての働きをする。セル状材料700は、投影シ
ステムPSと液体閉じ込め構造12の一方又は両方に粘着などによって装着してもよいし
、又はしなくてもよい。セル状材料700は、投影システムPSとバリア12との間のギ
ャップを封止する。
延在する。この結果、セル状材料700を通して、投影システムPSと液体閉じ込め構造
12との間に力の伝達は実質的にない。セル状材料700の半径方向内側に、液体のメニ
スカス210又は、メニスカス210がセル状材料700に接触する前にガス空間200
を配置してもよい。
システムPSとの間に延在する、液浸空間11内の液体のメニスカス210まで存在する
。セル状材料700は、例えば、図6の実施形態のような投影システムPSからの液浸液
の蒸発を防止する効果を有する。セル状材料は、セル状材料がない時と比較して蒸発を防
止/大幅に低減する。セル状材料700の半径方向内側のガス空間は、受動的に(又は能
動的に)飽和し、その結果、ガス空間が飽和し蒸発が低減する。セル状材料の気泡は、飽
和ガスを含むことができ、気泡内に局所的な飽和ガス空間を提供する。図に示すように、
セル状材料700は、投影システムPSの実質的に縁部235aまで延在する。縁部23
5aは、投影システムPS全体の縁部でもよく、又は投影システムPSの最終要素の縁部
でもよい。
閉じ込め構造12との間の力の伝達を実質的に防止する働きがある。
相互作用を効果的に低減させるため、セル状材料700の存在は有益である。このことで
、液浸液の蒸発とそれに関連する冷却効果が低減し又は解消されることがある。液浸液は
、セル状材料700を通過しない。その結果、投影システムにかかる熱負荷は低減する。
セル状材料はガスを通過させる。
又は2つの点で有益である。第1に、セル状材料内のガス環境は液浸液の蒸気が飽和し、
図6の実施形態のガス空間200と同じ方法で蒸発の熱負荷が低減する。代替的に又は追
加的に、このようにして液浸液をセル泡内で投影システムPSと接触させておくことがで
きる。これは、下記の図10の実施形態と同じ利点を有し、及び/又は液浸液がセル内に
閉じ込められ、従ってスプラッシングが実質的に発生しないという追加の利点を有する。
システムPSと液体閉じ込め構造12との間の絶縁体として考えることができることが分
かる。セル状材料は、ガス及び/又は液体が半径方向外側に通過するのを妨害又は防止し
て封止としての働きをする。封止は、投影システムPSと液体閉じ込め構造12との間の
力の伝達を実質的に阻止する。ある実施形態では、セル状材料はスポンジなどの発泡体で
ある。
の実施形態と同じである。図10〜図17に示す実施形態は、投影システムPSと液体閉
じ込め構造12との間の接触を含まない。すなわち、投影システムPSと液体閉じ込め構
造12と投影システムPSと液体閉じ込め構造12との間の、投影システムPS又は液体
閉じ込め構造12に装着された任意の構造とは離間している。すべての実施形態で、投影
システムPSと液体閉じ込め構造12の少なくとも一方が、液体閉じ込め構造12と投影
システムPSとの間の構造から機械的に分離されている。投影システムPSと液体閉じ込
め構造12との間に相互接続構造はない。
で記載するすべての半径方向は原点として投影システムPSの光軸を指す)に強制される
。この結果、メニスカス210は、実質的に投影システムPSの半径方向外側の縁部25
3aに位置するか、少なくとも投影システムPSの最終要素の半径方向外側の縁部253
aに位置する。こうして、投影システムPSの最終要素の表面、例えば下向きの表面から
の液浸液の蒸発は不可能になる。投影システムの最終要素のその表面に液浸液を接触させ
ておくことで、その表面からの液浸液の蒸発は効果的に防止される。従って、特に液浸液
の比較的高い熱容量と低い熱伝導係数のために、液浸液自体が液体閉じ込め構造12から
投影システムPSを遮断していることが分かる。
性表面を使用することができる。例えば、投影システムPS及び液体閉じ込め構造10は
互いに近くに位置してよく、2つのコンポーネントの間の毛管ギャップ820が形成され
るように協働するような形状の底面と上面とをそれぞれ有していてよい。これは、液体を
毛管作用で半径方向外側に駆動する効果がある。代替的に又は追加的に、液体閉じ込め構
造12の上向きの表面800及び/又は投影システムPSの下向きの表面810は、液浸
液が90°未満、望ましくは、80、70、60、50、40、30、20又は10°未
満の後退接触角を有する(すなわち、親液性である)材料からなるか、コーティングを有
していてよい。このような手段は、また、それらの表面が液浸液に関してその特性がなか
った場合の結果と比較して、半径方向外側に液浸液を強いる効果を有する。
面だけが液浸液に対して親液性である。しかし、他の構成も可能である。例えば、水平な
表面の一部だけが液浸液に対して親液性であってもよい。代替的に又は追加的に、図示の
水平な表面の半径方向内側の投影システムPSの水平でない下向きの表面及び/又は液体
閉じ込め構造12の水平でない上向きの表面を液浸液に対して親液性にしてもよい。望ま
しくは、少なくとも投影システムPSの縁部235a又は投影システムPSの最終要素ま
での表面の部分を液浸液に対して親液性にしてもよい。
実施形態と同じである。
バリアを提供することができる。
2は、開口253を介してガス空間200に液体を供給する。液体は、望ましくは、噴霧
254として提供される。その場合、開口253は噴霧ノズルであってよい。望ましくは
、液体は、液浸液と同じである。
と外向きの両方に提供することができる。液体は、望ましくは、連続的に提供される。液
体リフレッシュ速度は、メニスカス210からの液体の蒸発速度よりも速い。その結果、
メニスカス210からの液体又は投影システムPS上の液滴205が蒸発するよりも速く
ガス空間200内が飽和する。
素の望ましくは縁部235まで接触するように、噴霧254が提供される。こうして、投
影システムPSの最終要素からの蒸発が低減し、それによって、温度変化が低減するか回
避される。従って、飽和ガスの提供と同様、噴霧は投影システムPSの絶縁体と考えるこ
とができる。
投影システムPSの最終要素の表面、例えば下向きの表面と接触するように強いる。液体
供給装置252はまた、液体を、投影システムPSと液体閉じ込め構造12との間に延在
するメニスカス210の半径方向外側の位置にて投影システムPSの最終要素の表面を接
触するように保つ。
成されているようになっているが、これはそうでなくてもよい。ある実施形態では、液体
供給装置252及び開口253は、液体閉じ込め構造12及び投影システムPSとは別の
部材内に形成することができる。ある実施形態では、液体供給装置252及び/又は開口
253は、投影システムPS内に提供される。
テムPS上に提供される。湿潤媒体600はシートでよく、メッシュ又はシートメッシュ
の形態でよい。湿潤媒体600は、投影システムPSの最終要素に装着されている。例え
ば、湿潤媒体は、粘着によって表面に装着することができる。湿潤媒体600は、投影シ
ステムの最終要素に液浸液が跳ねかかるような領域に配置される。
る位置まで延在する。毛管作用によって、液浸空間内から液体がメッシュ600内に吸い
上げられる。それによって、湿潤媒体600は、パターン付ビームの投影の間、実質的に
常に液浸液で濡れている。
例えば、液体を強制的に吸い上げ)、投影システムPSの最終要素の表面、例えば下向き
の表面と接触させる。湿潤媒体600はまた、液体を、投影システムと液体閉じ込め構造
12との間に延在するメニスカス210の半径方向外側にて投影システムPSの最終要素
の表面と接触するように保つ。
。従って、その液体の蒸発によって加えられる熱負荷は小さい局所領域には加えられず、
湿潤媒体600によって覆われる広い領域に加えられる。
十分な毛管力)を有する任意の多孔質媒体でよい。ある実施形態では、湿潤媒体600は
メッシュである。
から蒸発する。この結果、飽和した液浸液の蒸気が、メニスカス210の隣に来る。それ
によって、この実施形態では、投影システムPSに熱負荷が加えられるが、熱負荷は、湿
潤媒体600が実質的に常時濡れているように構成することで実質的に一定に維持される
ということが受け入れられている。熱負荷は実質的に一定なため、これは、周知の方法で
他の手段によって補償できる。
在する場合、蒸発のために投影システムPS上に相当量の熱負荷を与えることができない
という原理を用いるという点で図10の実施形態と類似である。大量の液体とは、液滴で
なく、望ましくは空間11内の液体に接する液体を意味する。従って、図13の実施形態
では、投影システムPSと液体閉じ込め構造12との間に延在するメニスカス210の半
径方向外側に投影システムの最終要素の表面、例えば下向きの表面と液浸液が接触するよ
うに保つデバイスが提供される。図13に示す実施形態では、これは、投影システムPS
から延在する突起900を提供することで達成される。突起900は、光軸へ向かって半
径方向内側に延在する。突起900は、液体閉じ込め構造12へ向かって下方に延在する
。突起900は、任意の断面形状を有することができる。平面視で、突起900は、投影
システムPSの光軸を取り囲む。
は、突起900の自由端と液体閉じ込め構造12との間に延在する。メニスカス210の
位置から半径方向外側に、液浸液は、突起900が投影システムPSの表面に装着された
位置235bまで投影システムの表面、例えば下向きの表面に接触した状態に保たれる。
位置235bは、例えば、投影システムPSの最終要素の半径方向に最も外側の縁部であ
ってもよく、又は投影システムPS全体の半径方向に最も外側の位置であってもよい。し
かし、位置235bは他の任意の位置にあってもよい。
投影システムPSと液体閉じ込め構造12との間の力の伝達を行わないため有利である。
さらに、メニスカス210の位置がやや変化した場合、この装着位置の変化は、温度変化
(例えば、蒸発による)に対して投影システムPSほど影響を受けない液体閉じ込め構造
12に及ぶ。
これは、突起900の表面の自由端での液浸液の接触角を変化させることで達成すること
ができる。代替的に又は追加的に、自由端を鋭利にしてメニスカス210の端部を突起9
00の自由端に固定してもよい。突起900の自由端は、一点を有していてもよい。突起
900は、液体閉じ込め構造12と投影システムとの間の一定の運動が可能なように柔軟
であってもよい。
210が突起と投影システムの表面とを相互接続している。この構成は、図13に示す実
施形態について説明するように別の方法である。
いて図6の実施形態と同じである。図14の実施形態は、大量の液浸液が投影システムP
Sの表面に接触する場合、液体の蒸発のためにその表面には低い熱負荷が加えられるとい
う原理に基づくという点で、図10、図12及び図13の各実施形態と類似している。
下向きの表面と接触した状態で液浸液を半径方向外側に強いるデバイス1000が提供さ
れる。図14の実施形態では、この装置は部材1000である。部材1000と投影シス
テムPSの表面との間には毛管路が形成されている。空間11からの液体は部材1000
と表面との間に吸い上げられ、表面に接触し、図12及び図13の実施形態と同じ方法で
投影システムPSに加えられる熱負荷を低減させる。
面及び/又は投影システムPSの最終要素の表面は、図10の実施形態と同様、液浸液に
対して親液性にされる。
液体閉じ込め構造12と部材1000の端部との間に延在する。メニスカス210が装着
された部材1000の端部は半径方向に最も内側の自由端である。メニスカス210の端
部をその自由端に固定するために、その半径方向に最も内側の自由端を図13の実施形態
の突起900の自由端と同様に扱ってもよい。ある実施形態では、メニスカス210は、
液体閉じ込め構造12と部材1000の外側を向いた表面との間に延在できる。
PSのマウントもしくはケーシングに装着することができる。部材1000は、投影シス
テム以外のコンポーネント、例えばそのマウント又はハウジングに接続されるのが望まし
い。投影システムへの力及び/又は熱負荷の伝達が低減するため、このことは望ましい。
力は部材1000の外部又はレンズの外部からの妨害力であってもよい。力は液浸液、基
板テーブルWT、液体閉じ込め構造12又は基板Wの動きによって引き起こされる。別の
実施形態では、部材1000は、毛管力によって投影システムPSの所定位置に固定され
る。別の方法としては、部材1000は、液体閉じ込め構造12に装着することができる
が、あまり望ましくないが、他の任意の構造にも装着することができる。
ことができる。例えば、複数の離散的な装着部材を、部材1000と投影システムPSと
の間の毛管路内に提供して投影システムPSに装着することができる。
テムPSの表面の形状と正確に一致するような形状を有する。従って、図14から分かる
ように、部材1000によって、投影システムPSと液体閉じ込め構造12との間に延在
するメニスカス210の半径方向外側にて投影システムPSの最終要素の表面と液浸液が
接触する状態に確実に保たれる。
さでよい。ある実施形態では、投影システムPSの最終要素の表面、例えば、下向きの表
面の全体が覆われる。すなわち、部材1000は、実質的に投影システムPSの最終要素
の半径方向外側の縁部まで、又はさらに半径方向外側に延在する。代替実施形態では、要
素1000は、さらに、例えば投影システムPS全体の縁部まで延在できる。
そのような表面では、液浸液の液滴が形成されにくいため、疎液性表面は望ましい。液滴
に加わる熱負荷は回避することができる。
実施形態と同じである。
内の液浸液の圧力変化を防止するため、液浸空間は、上部容積11aと下部容積11bと
に分割される。この分割は、透明な板1100によって実行される。従って、上部容積及
び下部容積11a、11bは流体連通せず、上部容積11a内のメニスカス210の熱安
定性及び位置はより正確に制御することができる。それによって、メニスカス210の位
置の変化を低減でき、スプラッシ発生の確率が低減でき、投影システムPS上に液滴が形
成される確率も低減できる。透過性板1100は、投影システムPSの波長で高い透過性
を有することが望ましく、ある実施形態では、上部容積及び下部容積11a、11bのい
ずれか又は両方の屈折率にできるだけ近い屈折率を有する。透過性板1100は、所望の
結像要件を満足するために、望ましくは、平坦で面平行である。平面からのずれ(例えば
、重力による)は、米国特許出願公開第2005/0280789号に記載するように、
投影システムPSによって補償できる。上部容積及び下部容積11a、11bに対して液
体を供給し排出する個別の開口が液体閉じ込め構造12内に提供される。
部容積11a内の液体は、下部容積11b内の液体と温度が異なる。代替的に又は追加的
に、上部容積11a内の液体の組成又は濃度は、下部容積11b内の液体の組成又は濃度
と異なる場合がある。
15の実施形態と同じである。
い。しかし、投影システムPSの最終要素の縁部と部材1200との間の容積1210を
画定するために、部材1200が提供される。この容積1210は、投影システムPSの
最終要素の温度を調整する流体で満たされている。
1210を通過しない。すなわち、容積1210は、投影ビームが投影システムPSを抜
ける投影システムPSの最終要素の底面の下に延在していない。部材1200は、容積1
210の底面が容積1210の底面で液浸空間11と流体連通しないように容積1210
の底面を封止する。
。容積1210内の流体は、投影システムPSを温度変化から効果的に遮断するため、メ
ニスカス210又は部材上に形成される液滴の位置の変化は、投影システムPSの最終要
素の温度プロファイルに重大な影響を与えない。従って、容積1210内の流体は、装置
の光路外の光学要素絶縁体として考えることができる。
容積1210に流入する流体の温度を調節する流体調節装置を含むことができる。投影シ
ステムPSの最終要素と部材1200の材料と化学的に適合する限り、流体はいかなる流
体でもよい。
い。流体は、所望の温度でこれらの離散的な通路の各々に個別に提供することができる。
所望の温度は、例えばフィードフォワード方式で決定することができる。ある実施形態で
は、センサ1230が通路の全部又は各々に関連する。コントローラ1260が通路に関
連するセンサ1230によって測定された温度に応じて、通路に提供される流体の温度を
調整することができる。これは、フィードバックループ内で制御することができる。
影システムの能動光学部品を遮断する図16の実施形態と同じ原理に基づいている。これ
は、投影システムPSの最終要素を必要以上に大きくすることで達成することができる。
図17の実施形態の最終要素は、投影ビームPB(網掛けで示す)が通過する能動光学部
品1300と装置の光路外にある非能動光学部品1310とを備える。非能動光学部品1
310は、光軸を取り囲み、投影システムPSの外縁部の周囲を取り囲む。最終要素の絶
縁体は、投影システムPSの底面まで延在せず、装置の光軸の外側にある。非能動光学部
品1310は、例えば、蒸発する液滴205による任意の温度変化2205を投影システ
ムPSの最終要素の能動光学部品1300に達する前に実質的に減衰させる助けをする絶
縁体として機能する。従って、図16の実施形態と同様、投影システムPSの能動光学部
品1300は、温度変化から遮断される。非能動光学部品1310は、望ましくは、少な
くとも3mmの厚さを有する。
にある投影システムPSの最終要素の半径方向外側の縁部にコーティングを塗布すること
ができる。
くとも部分的に画定する表面を有する液体閉じ込め構造を含む。望ましくは、液体閉じ込
め構造は投影システムに対して実質的に静止している。望ましくは、液体閉じ込め構造は
液体を基板の上面の局所領域に閉じ込める。
きる。すなわち、液浸空間11の液浸液のメニスカス210は、バリア220又はセル状
材料700まで、又はその付近まで半径方向外側に延在できる。メニスカス210はバリ
ア220又はセル状材料700に固定することができる。バリア220又はセル状材料7
00は、投影システム(投影システムの最終要素など)の表面の縁部の半径方向外側、又
は半径方向内側、又はそれと一致する。従って、蒸発する液浸液との相互作用の結果とし
ての未調整の温度変化による悪影響がある。ある実施形態では、液浸液は、投影システム
PS、例えば最終要素のある表面全体、例えば最終要素の下面に接触する。液浸液は、液
浸液と相互作用し、及び/又は接触する投影システムの表面の温度を維持する助けになる
。望ましくは、液浸システムの投影システムの表面温度はその方法で調整することができ
る。液浸システムに接触する可能性がある投影システムの表面温度の変化を防止できなく
とも低減させることができる。
形態と同じである。この実施形態は投影システムPSの最終要素の能動光学部品に隣接し
て配置された部材130を使用する。使用時に、この部材は液浸液と能動光学部品との間
にある。
局所領域より広い能動光学部品の領域に広げるように構成されている。熱負荷は、例えば
、液浸液の液滴又は液浸空間11の液浸液によって加えることができる。
わち、部材130は、高い熱伝導性を備えた材料(例えば、投影システムPSの能動光学
部品の材料より熱伝導係数が高い材料)から構成される。こうして、部材上の温度変化は
、熱伝導によって迅速にならされる。こうして、部材の一方の側に加えられた熱負荷は、
部材の他方の側(投影システムPSの能動光学部品に近い側)に重大な影響が感じられる
前に拡散する。
130は、装置の光路外にある。部材130は、装置の光軸を取り囲み、投影システムP
Sの最終要素の外縁部の周囲を取り囲む。図示のように、部材130は、投影システムP
Sの底面まで延在せず、装置の光路の外側にある。部材130は、液浸空間11内に延在
するので、液浸空間11内の液体のメニスカス210は、部材130と液体閉じ込め構造
12との間に延在する。
、部材130と投影システムPSとの間にはギャップ131が存在する。このギャップ1
31は、ガス又は絶縁体を充填でき、又は真空下に保持できる。ギャップ131の存在は
、部材130内に実際に発生するいかなる温度変化も投影システムPSの最終要素には実
質的に確実に伝達されないようにする助けになる。部材130の端部と投影システムPS
の底部の投影システムPSの最終端部との間に封止132を形成することができる。
影システムPSの最終端部に装着することができる。例えば部材130は、投影システム
PSの最終端部に接着できる。部材130を投影システムPSの最終端部に固定するその
他の手段も可能である。ある実施形態では、部材130は、投影システムPSの最終要素
から離間していない。
離されている。これは部材130と投影システムPSの最終端部との間のアイソレータで
あってもよい。部材130は、そうでなければ、投影システムPSの最終端部の不要な振
動を引き起こす液浸空間11内の液体の圧力変化を防止する助けになる。投影システムP
Sの最終端部の不要な振動は、基板のターゲット部分に投影された画像を劣化させること
があるため、望ましくない。
成することがある。部材130は熱伝導係数が高い材料であるため、熱負荷は部材130
の隅々まで迅速に放散する。この熱放散は、部材130の端部を液浸空間11内の液浸液
に浸漬することで促進される。これで部材130の熱安定性が確保される。すなわち、部
材130は、液浸液によって熱調節される。
は存在しない。
面の一部と下面の一部に対向する液体閉じ込め構造の対向面との間にメニスカスを備えた
液体を含み、固定表面は複数のメニスカス固定特徴部を含み、固定表面は液体閉じ込め構
造の表面に対向する下面の一部、又は下面に対向する液体閉じ込め構造の表面、又はその
両方である。
体閉じ込め構造の表面、又はその両方に複数のメニスカス固定特徴部を提供することで、
スロッシングによるメニスカス210の動きは低減する。例えば、下面の周辺部にはまっ
たくメニスカスの高さの位置がない場合があるので、複数のメニスカス固定特徴部は有用
である。同じタイプの液浸リソグラフィ装置の間に相違点がある場合があるので、これら
の装置内でメニスカスの高さの位置が異なるという結果になる。1つの装置内で、装置の
動作条件が変わると、メニスカスの高さ位置が変化することがある。例えば、液体閉じ込
め構造を上下させるか異なる相対速度(スキャン速度)で操作する時など、液体閉じ込め
構造を下面からさまざまな距離に変位させる際、メニスカスの位置は変化する。
り返す複数のタイプの固定特徴部を含む。望ましくは、特徴部の1つのタイプは第1の表
面で、特徴部の別のタイプは、第1の表面とは異なる表面接触角を備えた第2の表面であ
る。望ましくは、第1の表面は親液性であり、第2の表面は疎液性である。ある実施形態
では、特徴部の1つのタイプは突起で、特徴部の別のタイプはくぼみである。望ましくは
、複数の突起の少なくともいくつかは複数の段を画定し、及び/又は複数の突起の少なく
ともいくつかは複数の溝を含み、及び/又は複数の突起は投影システムの光軸から離れる
方向に実質的にランダムに位置する。望ましくは、突起の各々の表面は、中間輪郭から1
〜1000μmだけ変位し、中間輪郭は、基準面に対して固定表面の複数の固定特徴部の
平均変位である。望ましくは、一連の特徴部は、投影システムの光軸から離れる方向に繰
り返す。望ましくは、隣接する特徴部の間にはピッチが画定され、ピッチは5mmより小
さい。ある実施形態では、固定特徴部の少なくとも1つが繊維を含む。望ましくは、複数
のメニスカス固定特徴部は、液体閉じ込め構造の表面に対向する下面の一部、又は下面の
一部に対向する液体閉じ込め構造の表面、又はその両方の実質的に全周囲に存在する。あ
る実施形態では、液体閉じ込め構造又は投影システムは、固定表面を含む着脱式コンポー
ネントを備える。望ましくは、着脱式コンポーネントは粘着シートである。望ましくは、
着脱式コンポーネントは金属を含む。
の任意の実施形態と複数の固定特徴部の実施形態を図14〜図18の実施形態のいずれか
と組み合わせることができる。
てきたが、本明細書に記載するリソグラフィ装置は、集積光システム、磁気ドメインメモ
リの案内及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)
、薄膜磁気ヘッドなどの製造を含む他の用途を有することができることを理解されたい。
当業者には明らかなように、そのような別の用途においては、本明細書で使用する「ウェ
ーハ」又は「ダイ」という用語は、いずれも、それぞれより一般的な「基板」又は「ター
ゲット部分」という用語と同義であると考えてよい。本明細書に記載する基板は、露光の
前又は後に、例えば、トラック(通常、基板にレジスト層を塗布し、露光したレジストを
現像するツール)、メトロロジーツール、及び/又はインスペクションツール内で処理さ
れてもよい。本明細書中の開示内容を、適宜、上記の基板処理ツール及び他の基板処理ツ
ールに適用することができる。さらに、基板は、例えば、多層ICを作成するために、複
数回処理できるので、本明細書で使用する基板という用語は、すでに多重処理層を含む基
板を指すこともできる。
射(例えば、365nm、248nm、193nm、157nm若しくは126nm、又
はこれら辺りの波長を有する)を含むあらゆるタイプの電磁放射を包含する。
を含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか1つ又は組合せを指すことができる
。
なる方法で実施することができることを理解されたい。例えば、本発明の各実施形態は、
上記の方法を記述するマシン可読命令の1つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプ
ログラム、又はそのようなコンピュータプログラムを記憶したデータ記憶媒体(例えば、
半導体メモリ、磁気又は光ディスク)の形態をとることができる。さらに、マシン可読命
令は、複数のコンピュータプログラムに具体化することができる。複数のコンピュータプ
ログラムは、1つ又は複数の異なるメモリ及び/又はデータ記憶媒体に記憶することがで
きる。
成を有することができる。例えば、各コントローラは、上記の方法のためのマシン可読命
令を含むコンピュータプログラムを実行する1つ又は複数のプロセッサを含むことができ
る。コントローラは、このようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体、及
び/又はこのような媒体を収容するハードウェアを含むことができる。
板の局所表面領域のみに提供されるか、又は基板及び/又は基板テーブル上に閉じ込めら
れていないかに関わらず、任意の液浸リソグラフィ装置、特に、これに限定はされないが
、上記のタイプに適用することができる。非閉じ込め構成では、液浸液は、基板及び/又
は基板テーブル上を流れることができ、基板テーブル及び/又は基板の露出した表面の実
質的に全体が湿っている。このような非閉じ込め液浸システムでは、液体供給システムは
、液浸液を閉じ込めないか、又は液浸液を一部閉じ込めることはあるが、液浸液を実質的
に完全に閉じ込めることはない。
る実施形態では、液体供給システムは、液体を投影システムと基板及び/又は基板テーブ
ルとの間の空間に提供する機構又は構造の組み合わせである。液体供給システムは、1つ
又は複数の構造の組み合わせ、1つ又は複数の液体入口、1つ又は複数のガス入口、1つ
又は複数のガス出口、及び/又は液体を空間に提供する1つ又は複数の液体出口を含むこ
とができる。ある実施形態では、空間の表面は基板及び/又は基板テーブルの一部であっ
てよく、又は空間の表面は基板及び/又は基板テーブルの表面を完全に覆っていてよく、
又は空間は基板及び/又は基板テーブルを覆っていてよい。液体供給システムは、オプシ
ョンとして液体の位置、量、質、形状、流速又は他の任意の特徴部を制御する1つ又は複
数の要素をさらに含んでいてもよい。
は具体的な開示された実施形態を超えて本発明の他の代替実施形態及び/又は使用に適用
することができ、当業者であれば、本発明の自明の変形形態及び等価物が可能であること
は明らかであろう。さらに、本発明のいくつかの変形形態を図示し、詳述してきたが、当
業者は、本開示に基づいて本発明の範囲内である他の変形形態を直ちに思い付くであろう
。例えば、各実施形態の特定の特徴と態様の様々な組み合わせ又は下位の組み合わせが可
能であり、本発明の範囲内である。従って、開示された実施形態の様々な特徴及び態様を
互いに組み合わせ、又は代用して開示された発明の様々なモードを形成することができる
ことを理解されたい。従って、本明細書に開示された本発明の範囲は、上記開示された特
定の実施形態に限定されず、添付の特許請求の範囲を正しく読むことで決定されなければ
ならない。
から逸脱することなく、本発明を様々に変更できることは当業者には明らかであろう。
びに基板及び/又は基板テーブルによって画定された液浸空間に少なくとも部分的に液浸
液を閉じ込めるように構成された液体閉じ込め構造とを含むリソグラフィ装置が提供され
る。リソグラフィ装置は、投影システムから液体閉じ込め構造へ及び装置の光軸の周囲へ
と延在して、投影システムと液体閉じ込め構造との間のギャップを実質的に封止するバリ
アをさらに含む。バリアは、投影システムと液体閉じ込め構造との間の力の伝達を実質的
に防止する役割を果たす。
い。また、バリアは、投影システムと液体閉じ込め構造の他方と接触していてもよい。バ
リアは、投影システムと液体閉じ込め構造の両方に装着されていてもよい。別の方法とし
ては、バリアは、投影システムと液体閉じ込め構造のいずれにも装着されていなくてもよ
い。
め構造に接触した状態に保つことができる。例えば、バリアは蛇腹である。
できる。バリアは、セル状材料、例えば、オープンセル材料から構成することができる。
バリア、及び使用時には液浸空間内の液浸液の間に画定されたガス空間を備えることがで
きる。ガス空間は、液浸液の蒸気が実質的に飽和したガスを封じ込めるように構成するこ
とができる。リソグラフィ装置は、液浸液の蒸気が実質的に飽和したガスをガス空間に提
供するように構成されたガス源をさらに備えることができる。
で延在することがある。ある実施形態では、バリアの剛性は、1N/mm未満である。あ
る実施形態では、液体閉じ込め構造は、使用時に、液体を液浸空間の半径方向外側に基板
上面に流出させる。液体閉じ込め構造は、液浸空間に液体を閉じ込めるための基板との非
接触封止を形成する特徴部を含むことができる。
液体閉じ込め構造、並びに基板及び/又は基板テーブルによって画定された液浸空間に少
なくとも部分的に液浸液を閉じ込めるように構成された液体閉じ込め構造とを備えること
ができる。リソグラフィ装置は、液浸液を、半径方向外側に、且つ投影システムの最終要
素の表面と接触するように強い、及び/又は液体を、投影システムと液体閉じ込め構造と
の間に使用時に延在するメニスカスの半径方向外側にて投影システムの最終要素の表面と
接触するように保つデバイスをさらに備えることができる。
間にあって投影システム又は液体閉じ込め構造に装着された任意の構造は離間させること
ができる。投影システム及び/又は液体閉じ込め構造はデバイスから機械的に分離できる
。デバイスは表面に液浸液を提供するための開口を備えることができる。開口は、液体閉
じ込め構造に設けてもよい。開口は噴霧ノズルであってよい。デバイスは、毛管力によっ
て、液浸液を半径方向外側に強いる、又は液浸液を投影システムの最終要素の表面と接触
するように保つように構成することができる。デバイスは、投影システムの最終要素に装
着された湿潤媒体を備えることができる。デバイスは、投影システムの最終要素の一部と
液体閉じ込め構造との間に配置された部材を備えることができ、液浸液を半径方向外側に
強いる毛管路が部材と投影システムの最終要素との間に形成される。部材は、最終要素の
表面の形状に正確に一致する形状の板部材でよい。
在するメニスカスの半径方向外側にて投影システムの最終要素の表面と接触するように保
つように構成することができる。デバイスは、投影システムから、望ましくは半径方向内
側に液体閉じ込め構造に向かって延在する突起を備えることができる。突起は、装置の光
軸周囲に延在できる。突起は、液体閉じ込め構造に接触しなくてもよく、使用時に投影シ
ステムと液体閉じ込め構造との間に延在するメニスカスは、突起の自由端と液体閉じ込め
構造との間に延在する。
うに構成することができる。
態を保つように構成することができる。
終要素の底面の半径方向外側に容積を画定できる。部材は、容積が容積の下端部で液浸液
と流体連通しないように容積を封止できる。容積は、流体で満たすことができる。リソグ
ラフィ装置は、容積内の流体の温度を調節するように構成された流体調節ユニットをさら
に備えることができる。使用時に、液浸液のメニスカスが液体閉じ込め構造と部材との間
に延在できる。容積は、複数の離散的な通路を備えることができる。リソグラフィ装置は
、複数のセンサ及びコントローラをさらに備えることができる。各センサを通路に対応さ
せることができ、対応する通路の付近の温度を検出するように構成することができる。コ
ントローラは、対応するセンサによって測定された温度により各管の流体の温度を調整す
るように構成することができる。
0、70、60、50、40、30、20又は10°未満の後退接触角を有する表面を備
えることができる。表面は、投影システムの表面及び/又はバリア又は装置の表面でよく
、少なくとも投影システムの最終要素の表面を含むことができる。
ることができ、望ましくは毛管作用は液体閉じ込め構造の上向きの表面と投影システムの
最終要素の下向きの表面との間に起こる。
閉じ込め構造との間に位置する光学要素絶縁体を備える。光学要素絶縁体は、装置の光路
の外側にあってもよい。光学要素絶縁体は、能動光学部品ではなく少なくとも3mmの厚
さがある投影システムの最終要素の材料であってよい。光学要素絶縁体は、投影システム
の最終要素の表面上のコーティングでもよく、投影システムの最終要素に接着できる。使
用時に、液体のメニスカスは、光学要素絶縁体と液体閉じ込め構造との間に延在できる。
光学要素絶縁体は、液体を含んでいてよい。液体は、基板の結像時に放射ビームが通過す
る液体と別であってもよい。
液体閉じ込め構造並びに基板及び/又は基板テーブルによって画定された液浸空間に少な
くとも部分的に液浸液を閉じ込めるように構成された液体閉じ込め構造とを備えることが
できる。液体閉じ込め構造は、透過性の板によって分離された上部容積と下部容積とに区
画できる。上部容積と下部容積内の液体は異なっていてもよい。部液体と下部液体は、少
なくとも、温度、組成、又は濃度の各特性から選択した特性が異なっていてもよい。
Claims (12)
- 投影システムと、
前記投影システム、液体閉じ込め構造、並びに、基板及び/又は基板テーブルによって画定された液浸空間に液浸液を少なくとも部分的に閉じ込める液体閉じ込め構造と、
前記投影システムの最終要素の能動光学部品に隣接する部材であって、通常使用時、液浸液及び前記能動光学部品の間にある部材と、を備え、
前記部材は、その上の液浸液によって前記部材の局所領域に加えられた熱負荷を、前記局所領域より広い前記能動光学部品の領域に広げ、
前記部材は、前記最終要素から離れて配置されて前記最終要素との間にギャップを形成し、前記部材の端部で前記投影システムの最終端部に装着される、リソグラフィ装置。 - 前記熱負荷は、前記部材の一方の側に加えられ、前記部材の他方の側に重大な影響が感じられる前に拡散され、前記部材の前記他方の側は前記能動光学部品に面する、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記投影システムの底部で前記部材の端部と前記最終要素との間にギャップが存在する、請求項1又は2に記載のリソグラフィ装置。
- 前記投影システムの底部で前記部材の端部と前記最終要素との間に封止が形成される、請求項1〜3のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 通常使用時、前記部材の端部が前記液浸液内に浸漬されることによって前記部材を熱調整する、請求項1〜4のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 通常使用時、前記液浸空間の前記液浸液のメニスカスは、前記液体閉じ込め構造と前記部材との間に延在する、請求項1〜5のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記部材は、前記最終要素の材料とは異なる材料から構成される、請求項1〜6のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記部材は、前記能動光学部品の材料よりも高い熱伝導係数を有する材料を含む、請求項1〜7のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記部材は、前記最終要素から動的に隔離されている、請求項1〜8のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記部材は、複数のメニスカス固定特徴部を含む固定表面を備える、請求項1〜9のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記液体閉じ込め構造又は前記投影システムは着脱式コンポーネントを備える、請求項1〜10のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記着脱式コンポーネントは粘着シート及び/又は金属である、請求項11に記載のリソグラフィ装置。
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US6954256B2 (en) * | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
EP2261740B1 (en) * | 2003-08-29 | 2014-07-09 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus |
US7411653B2 (en) * | 2003-10-28 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US7352433B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7394521B2 (en) | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4843503B2 (ja) * | 2004-01-20 | 2011-12-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置 |
TWI606485B (zh) | 2004-03-25 | 2017-11-21 | 尼康股份有限公司 | 曝光裝置、曝光方法、及元件製造方法 |
US7369332B2 (en) | 2004-04-13 | 2008-05-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Closing module for an optical arrangement |
DE102004018659A1 (de) * | 2004-04-13 | 2005-11-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Abschlussmodul für eine optische Anordnung |
CN1954408B (zh) * | 2004-06-04 | 2012-07-04 | 尼康股份有限公司 | 曝光装置、曝光方法及元件制造方法 |
JP4515335B2 (ja) | 2004-06-10 | 2010-07-28 | 株式会社ニコン | 露光装置、ノズル部材、及びデバイス製造方法 |
JP4491382B2 (ja) | 2004-06-17 | 2010-06-30 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびペリクルを有するマスク |
US20060001851A1 (en) | 2004-07-01 | 2006-01-05 | Grant Robert B | Immersion photolithography system |
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JP2006128192A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Nikon Corp | 保持装置、鏡筒、及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US20080106718A1 (en) * | 2004-12-02 | 2008-05-08 | Nikon Corporation | Exposure Apparatus and Device Manufacturing Method |
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US7405805B2 (en) * | 2004-12-28 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG124359A1 (en) | 2005-01-14 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7903233B2 (en) | 2005-01-21 | 2011-03-08 | Nikon Corporation | Offset partial ring seal in immersion lithographic system |
US7710653B2 (en) | 2005-01-28 | 2010-05-04 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure system, and exposure method |
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WO2007005769A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-11 | Applera Corporation | Automated quality control method and system for genetic analysis |
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