JP6038737B2 - 半導体装置及びそれを用いた電力変換装置 - Google Patents
半導体装置及びそれを用いた電力変換装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6038737B2 JP6038737B2 JP2013131378A JP2013131378A JP6038737B2 JP 6038737 B2 JP6038737 B2 JP 6038737B2 JP 2013131378 A JP2013131378 A JP 2013131378A JP 2013131378 A JP2013131378 A JP 2013131378A JP 6038737 B2 JP6038737 B2 JP 6038737B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- semiconductor layer
- layer
- semiconductor
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 91
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 177
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 27
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 15
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- -1 phosphorus ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
NB…n型バッファ層
NS…n型ソース層
PE…p型ホールエミッタ層
PB…p型ベース層
PW…p型ウェル層
TG…トレンチゲート
SG…サイドゲート
DG…ダミーゲート
OX…ゲート酸化膜、
INT…層間絶縁膜
DFT…欠陥準位
EMT…エミッタ電極
COL…コレクタ電極
101〜106…IGBT
111〜116…ダイオード
121〜126…ゲート回路
200…P端子
201…N端子
210…U端子
211…V端子
212…W端子
300…モータ
Claims (4)
- 第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層に接する第2導電型の第2半導体層と、
前記第2半導体層における複数の溝内に設けられる複数の絶縁ゲートと、
互いに隣接する前記絶縁ゲートの間隔が異なる、第1領域および第2領域と、
を備え、
前記第2領域における前記絶縁ゲートの間隔は、前記第1領域における前記絶縁ゲートの間隔よりも広く、
前記第1領域においては、前記第2半導体層に接する前記第1導電型の第3半導体層と、前記第3半導体層内に位置する前記第2導電型の第4半導体層と、が設けられ、
前記第2領域においては、前記第2半導体層に接する前記第1導電型の複数の第5半導体層が設けられ、
前記第1半導体層に電気的に接続される第1電極と、
前記第3半導体層および前記第4半導体層に電気的に接続される第2電極と、
を備え、
前記絶縁ゲートと前記第5半導体層との間に介在する前記第2半導体層によって、前記絶縁ゲートと前記第5半導体層は互いに離れ、
前記複数の第5半導体層は前記溝よりも深く、
前記複数の第5半導体層は互いに連結し、
前記第2領域において、前記複数の第5半導体層は、絶縁膜によって前記第2電極と絶縁され、
互いに連結する前記複数の第5半導体層は、前記絶縁膜と前記複数の第5半導体層の界面に沿って、不純物濃度に複数のピークを有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記絶縁ゲートと、前記絶縁ゲートに隣接する前記第5半導体層との間の距離は2μm〜8μmの範囲内であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第5半導体層の不純物濃度の最大値は10 16 〜10 18 /cm 3 の範囲内であることを特徴とする半導体装置。 - 一対の直流端子と、
交流の相数に等しい個数の複数の交流端子と、
前記一対の直流端子と前記複数の交流端子の間に接続されるスイッチング素子と、
を備え、
前記スイッチング素子は請求項1に記載の半導体装置であることを特徴とする電力変換装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013131378A JP6038737B2 (ja) | 2013-06-24 | 2013-06-24 | 半導体装置及びそれを用いた電力変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013131378A JP6038737B2 (ja) | 2013-06-24 | 2013-06-24 | 半導体装置及びそれを用いた電力変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015005688A JP2015005688A (ja) | 2015-01-08 |
JP6038737B2 true JP6038737B2 (ja) | 2016-12-07 |
Family
ID=52301330
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013131378A Active JP6038737B2 (ja) | 2013-06-24 | 2013-06-24 | 半導体装置及びそれを用いた電力変換装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6038737B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7446212B2 (ja) * | 2020-12-07 | 2024-03-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4310017B2 (ja) * | 1999-02-17 | 2009-08-05 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置及び電力変換装置 |
JP4703138B2 (ja) * | 2004-06-18 | 2011-06-15 | 株式会社東芝 | 絶縁ゲート型半導体装置 |
JP5596278B2 (ja) * | 2007-07-10 | 2014-09-24 | 富士電機株式会社 | トレンチ型絶縁ゲートmos半導体装置 |
JP2009188290A (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-20 | Toshiba Corp | 電力用半導体装置 |
JP4644730B2 (ja) * | 2008-08-12 | 2011-03-02 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置及びそれを用いた電力変換装置 |
JP2012064641A (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-29 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP5767539B2 (ja) * | 2011-09-12 | 2015-08-19 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
-
2013
- 2013-06-24 JP JP2013131378A patent/JP6038737B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015005688A (ja) | 2015-01-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10777548B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
JP5891023B2 (ja) | 半導体装置及びそれを用いた電力変換装置 | |
US8809903B2 (en) | Semiconductor device and power conversion apparatus using the same | |
US12021118B2 (en) | Semiconductor device | |
US8653588B2 (en) | Semiconductor device and electric power conversion system using the same | |
JP4644730B2 (ja) | 半導体装置及びそれを用いた電力変換装置 | |
JP6072445B2 (ja) | 半導体装置およびそれを用いた電力変換装置 | |
JP2012227335A (ja) | 半導体装置 | |
KR20060047492A (ko) | 역 도통형 반도체소자와 그것의 제조 방법 | |
JP5932623B2 (ja) | 半導体装置およびそれを用いた電力変換装置 | |
JP2012089824A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
JP6302767B2 (ja) | 半導体装置及びそれを用いた電力変換装置 | |
JP6353804B2 (ja) | 半導体装置及びそれを用いた電力変換装置 | |
JP5686507B2 (ja) | トレンチゲート型半導体装置 | |
JP6038737B2 (ja) | 半導体装置及びそれを用いた電力変換装置 | |
WO2015107614A1 (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP6806213B2 (ja) | 半導体素子 | |
KR101534104B1 (ko) | 반도체 소자 | |
US20150364585A1 (en) | Power semiconductor device | |
JP2016012582A (ja) | 半導体装置及びそれを用いた電力変換装置 | |
KR102437047B1 (ko) | 전력 반도체 소자 및 전력 반도체 칩 | |
KR102013226B1 (ko) | 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 | |
JP2014212160A (ja) | 電力用半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150625 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160728 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160802 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160926 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161025 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161102 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6038737 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |