JP6026585B2 - 赤外線撮像装置 - Google Patents
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Gth_IMG=κ2・S/L
Cth_IMG=c2・d2・Lc・Wc・Hc (3) と表される。ここで、Sは支持構造部167a、167bの断面積を表し、Lは支持構造部167a、167bの長さを表し、Lc、Wcはそれぞれ熱電変換部161の長さおよび幅を表し、Hcは熱電変換部161の高さを表し埋め込み絶縁膜182の厚さを含んでいる。なお、κ2、c2、d2はそれぞれ、支持構造部167a、167bの熱伝導率、比熱、密度を表す。
Gth_TB=κ1・STB/LTB
Cth_TB=c1・d1・Lc・WcTB・Hc (4)と表される。ここで、STB、LTBはそれぞれ、熱電変換部161aと配線165a、165bとの接続部166の断面積および長さを表し、Lc、WcTBはそれぞれ熱電変換部161aの長さおよび幅を表し、Hcは熱電変換部161aの高さを表し埋め込み絶縁膜182の厚さを含んでいる。なお、κ1、c1、d1はそれぞれ、熱電変換部161aと配線165a、165bとの接続部166の熱伝導率、比熱、密度を表す。
Cth_TB<Cth_IMG
図4(a)、4(b)に、赤外線検出画素12ij(i,j=1,2)と、参照画素11i(i=1,2)それぞれにおける、自己加熱量のグラフを示す。図4(a)は、参照画素11i(i=1,2)の熱容量Cth_TBが赤外線検出画素12ij(i,j=1,2)の熱容量Cth_IMGと等しい場合、すなわちセル160、160aの面積が等しくなるように設計された場合の自己加熱を示している。通電が始まってから、各画素の温度は式(1)に従って上昇する。赤外線検出画素12ij(i,j=1,2)に関しては熱コンダクタンスGth_IMGが非常に小さく、Cth_IMG/Gth_IMGで表される比が大きいため、熱時定数が大きく、短時間の通電では式(2)に従って温度が上昇する。これに対して、参照画素11i(i=1,2)に関しては熱コンダクタンスGth_TBが赤外線検出画素の熱コンダクタンスに比べて大きいため、式(1)に示すように、時間の経過に従って温度上昇率は緩やかになる。この場合、通電が終了した時刻において、両画素の自己加熱温度上昇は異なっている。この差分は、例えば1μAの電流を印加している場合100mK程度のオーダーになり、被写体温度変化に対する信号よりも2桁程度大きくなる。
本実施形態においては、図1に示すように、赤外線検出画素の一つの列の信号線に1個の参照画素が接続され、参照画素と赤外線検出画素は別の行に存在している。そして参照画素の行と、赤外線検出画素の行は、別の時間にバイアス電圧が印加されるため、信号を同時に比較することができない。そのため、参照画素から出力された信号をホールドし、赤外線検出画素を選択する際に差分信号のみを増幅する差動クランプ回路が用いられている。この差動クランプ回路は、結合容量22i(i=1、2)、差動増幅器20i(i=1、2)、フィードバックスイッチ23i(i=1、2)、およびフィードバック容量24i(i=1、2)を備えている。
6 列選択回路
111、112 参照画素
12ij(i,j=1,2) 赤外線検出画素
201、202 差動増幅器
221、222 結合容量
231、232 フィードバックスイッチ、
241、242 フィードバック容量
321、322 読み出しトランジスタ
33 読み出し線
411、412 負荷トランジスタ
441、442 垂直信号線(信号線)
450〜452 行選択線
160 赤外線検出画素のセル
160a 参照画素のセル
161 赤外線検出画素の熱電変換部
161a 参照画素の熱電変換部
162 ダイオード
162a ダイオード
163 配線
163a 配線
164 赤外線吸収膜
164a 赤外線吸収膜
165a、165b 接続配線
166 接続部
167a、167b 支持構造部
168a、168b 接続配線
169a、169b 絶縁膜
181 支持基板
182 埋め込み絶縁膜
185 凹部
185a 凹部
Claims (9)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の表面の一部に設けられた第1凹部と、前記第1凹部内に設けられ熱を電気信号に変換する第1熱電変換素子を含む第1熱電変換部と、を有する参照画素と、
前記半導体基板の表面の一部に設けられた第2凹部と、前記第2凹部内に設けられ熱を電気信号に変換する第2熱電変換素子を含む第2熱電変換部と、前記第2熱電変換部を前記第2凹部の上方に支持する第1および第2支持部と、を有し赤外線を検出する赤外線検出画素と、
それぞれが第1方向に沿って設けられた第1および第2選択線と、
前記第1方向と交差する第2方向に沿って設けられ信号線と、
を備え、
前記第1熱電変換部は第1および第2端子を有し、前記第1端子は第1配線を介して前記第1選択線に接続され、前記第2端子は第2配線を介して前記信号線に接続され、前記第1および第2配線は前記第1凹部が設けられた領域には配置されず、
前記第2熱電変換部は第3および第4端子を有し、前記第3端子は第3配線を介して前記第2選択線に接続され、前記第4端子は第4配線を介して前記信号線に接続される赤外線撮像装置。 - 前記第1熱電変換部の体積は前記第2熱電変換部の体積よりも小さい請求項1記載の赤外線撮像装置。
- 前記第2選択線は複数であって前記第2方向に配列され、
前記信号線は複数であって前記第1方向に配列され、
前記参照画素は複数であって前記複数の信号線に対応して前記第1方向に配列され、各参照画素の前記第1熱電変換部は前記第1端子および前記第1配線を介して前記第1選択線に接続されかつ前記第2端子および第2配線を介して対応する信号線に接続され、
前記赤外線検出画素は複数であって前記複数の第2選択線に対応して前記第1方向に配列されるとともに前記複数の信号線に対応して前記第2方向に配列され、各赤外線検出画素の前記第2熱電変換部は前記第3端子および前記第3配線を介して対応する前記第2選択線に接続されかつ前記第4端子および前記第4配線を介して対応する信号線に接続される請求項1または2記載の赤外線撮像装置。 - 各信号線に対応して設けられた複数の差動クランプ回路を更に備え、前記差動クランプ回路は、
一端子が対応する信号線に接続された結合容量と、
前記結合容量の他の端子に正側入力端子が接続された差動増幅器と、
前記差動増幅器の前記正側入力端子と前記差動増幅器の出力端子との間に設けられたフィードバック容量と、
前記フィードバック容量と並列に接続されたフィードバックスイッチと、
を備えている請求項1乃至4のいずれかに記載の赤外線撮像装置。 - 各信号線に対応して設けられた複数の読み出しトランジスタを更に備え、各読み出しトランジスタは、ソース/ドレインの一方が前記差動増幅器の出力端子に接続され、ソース/ドレインの他方が読み出し線に接続され、ゲートが列選択回路からの選択信号を受ける請求項5記載の赤外線撮像装置。
- 前記赤外線検出画素と前記参照画素から得られた信号電圧の差分を増幅する差動増幅器を備えている請求項1乃至4のいずれかに記載の赤外線撮像装置。
- 前記第1および第2熱電変換素子は直列に接続されたダイオードである請求項1乃至7のいずれかに記載の赤外線撮像装置。
- 前記第1および第2熱電変換素子は直列に接続された抵抗体である請求項1乃至7のいずれかに記載の赤外線撮像装置。
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