JP6020100B2 - Physical quantity sensor - Google Patents

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Description

本発明は、センサ信号を出力するセンシング部と電気的に接続されるパッドにワイヤが接続され、パッドとワイヤとの接続部分が封止部材に封止されてなる物理量センサに関するものである。   The present invention relates to a physical quantity sensor in which a wire is connected to a pad that is electrically connected to a sensing unit that outputs a sensor signal, and a connecting portion between the pad and the wire is sealed with a sealing member.

従来より、センサ信号を出力するセンシング部と、このセンシング部と電気的に接続されるパッドとが形成されたセンサチップのパッドにワイヤが接続され、パッドとワイヤとの接続部分が封止部材にて封止されてなる物理量センサが提案されている。なお、封止部材は、エポキシ樹脂等の液状樹脂が塗布された後に硬化されることで構成される。   Conventionally, a wire is connected to a pad of a sensor chip in which a sensing part that outputs a sensor signal and a pad that is electrically connected to the sensing part are formed, and the connection part between the pad and the wire is used as a sealing member. A physical quantity sensor that has been sealed has been proposed. The sealing member is configured by being cured after a liquid resin such as an epoxy resin is applied.

このような物理量センサでは、例えば、センサチップとして、センシング部およびパッドが形成された半導体基板の表面に保護膜が配置され、この保護膜にセンシング部およびパッドを露出させる開口部が形成されたものが用いられる（例えば、特許文献１参照）。   In such a physical quantity sensor, for example, as a sensor chip, a protective film is disposed on the surface of a semiconductor substrate on which a sensing unit and a pad are formed, and an opening that exposes the sensing unit and the pad is formed on the protective film. Is used (for example, see Patent Document 1).

特開２００１−５０７８７号公報JP 2001-50787 A

しかしながら、上記センサチップを用いた物理量センサでは、パッドとワイヤとの接続部分に封止部材（液状樹脂）を塗布すると、封止部材が保護膜上を広がってセンシング部を露出させる開口部に入り込んでしまうことがある。このため、センシング部に封止部材が付着し、センシング部の特性変動が発生するという問題がある。   However, in the physical quantity sensor using the sensor chip, when a sealing member (liquid resin) is applied to the connection portion between the pad and the wire, the sealing member spreads over the protective film and enters the opening that exposes the sensing portion. It may be. For this reason, there exists a problem that the sealing member adheres to a sensing part and the characteristic fluctuation | variation of a sensing part generate | occur | produces.

本発明は上記点に鑑みて、センシング部に封止部材が付着することを抑制できる物理量センサを提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the physical quantity sensor which can suppress that a sealing member adheres to a sensing part in view of the said point.

上記目的を達成するため、請求項１および２に記載の発明では、一面側に物理量に応じたセンサ信号を出力するセンシング部（３２）が形成されていると共に、センシング部と電気的に接続されてセンサ信号を出力するパッド（３３）が形成された半導体基板（３１）と、半導体基板の一面に配置され、センシング部およびパッドを露出させる開口部（３５、３６）が形成された保護膜（３４）と、を有するセンサチップ（３０）と、パッドと電気的に接続されるワイヤ（４０）と、パッドとワイヤとの接続部分を封止する封止部材（５０）とを備え、以下の点を特徴としている。 In order to achieve the above object, in the first and second aspects of the invention, a sensing unit (32) for outputting a sensor signal corresponding to a physical quantity is formed on one side and is electrically connected to the sensing unit. And a protective film (31) on which a pad (33) for outputting a sensor signal is formed and a protective film (35, 36) disposed on one surface of the semiconductor substrate and exposing the sensing part and the pad. 34), a wire (40) that is electrically connected to the pad, and a sealing member (50) that seals a connection portion between the pad and the wire. Characterized by dots.

すなわち、保護膜は、センシング部とパッドとの間に位置する部分に段差を構成する堰止手段（３７ａ、３７ｂ）が形成され、センシング部側に位置する第１領域（３４ａ）の表面と、パッド側に位置する第２領域（３４ｂ）の表面とが堰止手段によって分離されていることを特徴としている。また、請求項１に記載の発明では、堰止手段は、溝部であり、保護膜の表面と溝部の側面との成す角度（θ１）は、９０°未満とされていることを特徴としている。請求項２に記載の発明では、堰止手段は、凸部であり、凸部の先端面と凸部の側面との成す角度（θ２）は、９０°未満とされていることを特徴としている。 That is, the protective film is formed with damming means (37a, 37b) forming a step in a portion located between the sensing portion and the pad, and the surface of the first region (34a) located on the sensing portion side, The surface of the second region (34b) located on the pad side is separated by a damming means. Further, the invention described in claim 1 is characterized in that the blocking means is a groove portion, and an angle (θ1) formed between the surface of the protective film and the side surface of the groove portion is less than 90 °. The invention according to claim 2 is characterized in that the damming means is a convex portion, and an angle (θ2) formed between the tip end surface of the convex portion and the side surface of the convex portion is less than 90 °. .

これによれば、パッドとワイヤとの接続部分に封止部材が配置されたとき、封止部材がパッド側に位置する第２領域の表面上を広がっても封止部材は堰止手段によって堰き止められる。したがって、第１領域の表面に封止部材が広がることを抑制でき、センシング部に封止部材が付着することを抑制できる。   According to this, when the sealing member is disposed at the connection portion between the pad and the wire, the sealing member is dammed by the damming means even if the sealing member spreads on the surface of the second region located on the pad side. It can be stopped. Therefore, it can suppress that a sealing member spreads on the surface of the 1st field, and it can control that a sealing member adheres to a sensing part.

なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in this column and the claim shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.

本発明の第１実施形態における物理量センサの断面図である。It is sectional drawing of the physical quantity sensor in 1st Embodiment of this invention. 図１に示す物理量センサの平面図である。It is a top view of the physical quantity sensor shown in FIG. 図１に示すセンサチップおよびセンサチップ近傍に配置された封止部材の斜視図である。It is a perspective view of the sealing member arrange | positioned in the sensor chip and sensor chip vicinity shown in FIG. 封止部材を塗布したときの状態を示す平面図である。It is a top view which shows a state when apply | coating the sealing member. 本発明の第２実施形態における物理量センサの断面図である。It is sectional drawing of the physical quantity sensor in 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３実施形態における物理量センサの断面図である。It is sectional drawing of the physical quantity sensor in 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第４実施形態における物理量センサの断面図である。It is sectional drawing of the physical quantity sensor in 4th Embodiment of this invention. 図７に示す物理量センサの平面図である。It is a top view of the physical quantity sensor shown in FIG. 本発明の第５実施形態における物理量センサの断面図である。It is sectional drawing of the physical quantity sensor in 5th Embodiment of this invention. 図９に示す物理量センサの平面図である。FIG. 10 is a plan view of the physical quantity sensor shown in FIG. 9.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, parts that are the same or equivalent to each other will be described with the same reference numerals.

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について図面を参照しつつ説明する。図１および図２に示されるように、物理量センサは、リードフレーム１０と、リードフレーム１０を封止して保持するモールド樹脂２０と、モールド樹脂２０上に搭載されたセンサチップ３０と、センサチップ３０とリードフレーム１０のリード１１とを接続するボンディングワイヤ４０と、主にボンディングワイヤ４０の接続部分を封止する封止部材５０と、を備えている。 (First embodiment)
A first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. As shown in FIGS. 1 and 2, the physical quantity sensor includes a lead frame 10, a mold resin 20 that seals and holds the lead frame 10, a sensor chip 30 mounted on the mold resin 20, and a sensor chip. 30 and a bonding wire 40 that connects the lead 11 of the lead frame 10 and a sealing member 50 that mainly seals a connecting portion of the bonding wire 40.

なお、図１は図２中のI−I線に相当する断面図である。また、図２では、封止部材５０を省略して示してある。   1 is a cross-sectional view corresponding to the line I-I in FIG. In FIG. 2, the sealing member 50 is omitted.

リードフレーム１０は、一方の板面である一面１０ａと他方の板面である他面１０ｂとが表裏の関係にある板状のものであり、板材をパターニングすることで複数本のリード１１およびアイランド１２を形成するものである。すなわち、リードフレーム１０の一面１０ａ、他面１０ｂは、そのままリード１１、アイランド１２の一面１０ａ、他面１０ｂに相当する。   The lead frame 10 has a plate-like shape in which one surface 10a, which is one plate surface, and the other surface 10b, which is the other plate surface, are in a front-back relationship, and a plurality of leads 11 and islands are formed by patterning a plate material. 12 is formed. That is, the one surface 10a and the other surface 10b of the lead frame 10 correspond to the one surface 10a and the other surface 10b of the lead 11 and the island 12 as they are.

このようなリードフレーム１０は、Ｃｕや４２アロイ等の金属製の板材より構成され、当該板材をプレスやエッチングでパターニングすることで、図示しない外枠およびタイバーによってリード１１、アイランド１２が一体に連結された状態で形成される。   Such a lead frame 10 is made of a metal plate material such as Cu or 42 alloy, and the lead 11 and the island 12 are integrally connected by an outer frame and a tie bar (not shown) by patterning the plate material by pressing or etching. Formed in the state.

そして、リードフレーム１０は、モールド樹脂２０で封止された後、上記外枠、タイバーがカットされることにより、リード１１、アイランド１２が互いに分離したものとされる。つまり、図１に示される物理量センサにおいては、リード１１とアイランド１２とは、モールド樹脂２０で支持されつつ互いに分離した状態とされている。   Then, after the lead frame 10 is sealed with the mold resin 20, the outer frame and the tie bar are cut so that the leads 11 and the islands 12 are separated from each other. That is, in the physical quantity sensor shown in FIG. 1, the lead 11 and the island 12 are separated from each other while being supported by the mold resin 20.

なお、各リード１１は、それぞれ電気的に分離されているが、モールド樹脂２０内にて図示しないポリイミド等の電気絶縁性のテープ等により一体に連結されている。例えば、テープは、複数本のリード１１の配列方向に沿って全リードを横断するように、各リード１１の他面１０ｂに貼り付けられている。そして、このようなテープは、リード１１と共にモールド樹脂２０にて封止されている。   Each lead 11 is electrically separated, but is integrally connected in the mold resin 20 by an electrically insulating tape such as polyimide (not shown). For example, the tape is affixed to the other surface 10 b of each lead 11 so as to cross all the leads along the arrangement direction of the plurality of leads 11. Such a tape is sealed with a mold resin 20 together with the leads 11.

各リード１１は、細長板状とされており、一面１０ａが同一平面に位置するように、長手方向を揃えた状態で互いに等間隔の隙間を設けて配置されている。そして、各リード１１の一面１０ａにバンプ６０が配置されている。このバンプ６０は、金や銀等よりなる導電性のものであって、ボールボンディング法やメッキ、あるいはスパッタや蒸着等の典型的手法により形成される。   Each lead 11 is formed in an elongated plate shape, and is arranged with gaps equidistant from each other with the longitudinal direction aligned so that one surface 10a is located on the same plane. A bump 60 is disposed on one surface 10a of each lead 11. The bump 60 is made of a conductive material such as gold or silver, and is formed by a typical method such as a ball bonding method, plating, sputtering or vapor deposition.

そして、図１に示されるように、各リード１１、隣り合うリード１１間の隙間、および、バンプ６０の周りがモールド樹脂２０で埋められている。これにより、複数本のリード１１およびバンプ６０は、モールド樹脂２０に保持されている。   As shown in FIG. 1, each lead 11, the gap between adjacent leads 11, and the periphery of the bump 60 are filled with the mold resin 20. Thereby, the plurality of leads 11 and the bumps 60 are held by the mold resin 20.

なお、モールド樹脂２０は、例えば、エポキシ樹脂等がトランスファーモールド法によって成形されることで構成されている。そして、モールド樹脂２０には凹部２１が形成されており、バンプ６０の先端面は凹部２１の底面から露出している。特に限定されるものではないが、本実施形態では、バンプ６０は円柱状とされている。   Note that the mold resin 20 is configured, for example, by molding an epoxy resin or the like by a transfer molding method. A recess 21 is formed in the mold resin 20, and the front end surface of the bump 60 is exposed from the bottom surface of the recess 21. Although not particularly limited, in the present embodiment, the bump 60 has a cylindrical shape.

また、リード１１における長手方向の一端の外側にはセンサチップ３０が配置され、他端の外側にはモールド部品７０が配置されている。センサチップ３０は、凹部２１の底面に、エポキシ樹脂等よりなる接着剤８０を介して搭載されている。つまり、センサチップ３０は、モールド樹脂２０より露出した状態でモールド樹脂２０に固定されている。   In addition, the sensor chip 30 is disposed outside one end of the lead 11 in the longitudinal direction, and the mold component 70 is disposed outside the other end. The sensor chip 30 is mounted on the bottom surface of the recess 21 via an adhesive 80 made of epoxy resin or the like. That is, the sensor chip 30 is fixed to the mold resin 20 while being exposed from the mold resin 20.

センサチップ３０は、矩形板状の半導体基板３１等を用いて構成され、表面側に物理量に応じてセンサ信号を出力するセンシング部３２が形成されると共に、このセンシング部３２と図示しない配線を介して電気的に接続されるパッド３３が形成されたものである。センシング部３２は、特に限定されるものではないが、例えば、流量、加速度、角速度等に応じたセンサ信号を出力するものであり、半導体基板３１の裏面に凹部が形成されることで構成されるダイヤフラムを有するものであってもよい。   The sensor chip 30 is configured using a rectangular plate-shaped semiconductor substrate 31 or the like, and a sensing unit 32 that outputs a sensor signal according to a physical quantity is formed on the surface side, and the sensing unit 32 and a wiring (not shown) are provided. Thus, a pad 33 to be electrically connected is formed. The sensing unit 32 is not particularly limited. For example, the sensing unit 32 outputs a sensor signal corresponding to the flow rate, acceleration, angular velocity, and the like, and is configured by forming a recess on the back surface of the semiconductor substrate 31. It may have a diaphragm.

なお、特に図示しないが、本実施形態では、センシング部３２とパッド３３とは、センシング部３２とパッド３３との最短距離を結ぶＡｌ配線等の配線部によって電気的に接続されている。また、パッド３３は、Ｃｕ等がパターニングされて構成されている。   Although not particularly illustrated, in the present embodiment, the sensing unit 32 and the pad 33 are electrically connected by a wiring unit such as an Al wiring that connects the shortest distance between the sensing unit 32 and the pad 33. The pad 33 is formed by patterning Cu or the like.

半導体基板３１には、表面にレジスト等からなる保護膜３４が半導体基板３１の端部と一致するように形成されている。そして、この保護膜３４には、センシング部３２を露出させる開口部３５が形成されていると共に、パッド３３を露出させる開口部３６が形成されている。   A protective film 34 made of a resist or the like is formed on the semiconductor substrate 31 so as to coincide with the end portion of the semiconductor substrate 31. The protective film 34 has an opening 35 that exposes the sensing unit 32 and an opening 36 that exposes the pad 33.

また、保護膜３４には、センシング部３２とパッド３３との間の部分に段差を構成する溝部３７ａが形成されており、センシング部３２側の第１領域３４ａの表面と、パッド３３側の第２領域３４ｂの表面とが溝部３７ａによって分離されている。言い換えると、第１領域３４ａの表面と第２領域３４ｂの表面とは繋がっていない。本実施形態の溝部３７ａは後述するようにウェットエッチングによって形成されており、保護膜３４の表面と溝部３７ａの側面との成す角度θ１が９０°以下とされている。   Further, the protective film 34 is formed with a groove portion 37a forming a step at a portion between the sensing portion 32 and the pad 33, and the surface of the first region 34a on the sensing portion 32 side and the first portion on the pad 33 side. The surface of the two regions 34b is separated by the groove 37a. In other words, the surface of the first region 34a and the surface of the second region 34b are not connected. The groove part 37a of this embodiment is formed by wet etching as will be described later, and the angle θ1 formed by the surface of the protective film 34 and the side surface of the groove part 37a is 90 ° or less.

なお、保護膜３４（第１、第２領域３４ａ、３４ｂ）の表面とは、保護膜３４のうち半導体基板３１側と反対側の一面のことである。また、本実施形態では、半導体基板３１の表面が本発明の半導体基板３１の一面に相当し、溝部３７ａが本発明の堰止手段に相当している。   The surface of the protective film 34 (first and second regions 34a and 34b) is one surface of the protective film 34 opposite to the semiconductor substrate 31 side. In the present embodiment, the surface of the semiconductor substrate 31 corresponds to one surface of the semiconductor substrate 31 of the present invention, and the groove 37a corresponds to the damming means of the present invention.

そして、開口部３６から露出しているパッド３３がバンプ６０とボンディングワイヤ４０を介して電気的に接続されている。   The pad 33 exposed from the opening 36 is electrically connected to the bump 60 and the bonding wire 40.

また、図１および図３に示されるように、パッド３３およびバンプ６０と、ボンディングワイヤ４０との接続部分は、封止部材５０によって封止されて保護されている。この封止部材５０は、パッド３３とボンディングワイヤ４０との接続部分を覆うように凹部２１および第２領域３４ｂの表面上に配置され、溝部３７ａによって堰き止められている。つまり、封止部材５０は、第１領域３４ａ上には配置されていない。なお、封止部材５０は、例えば、シリカよりなるフィラーを含有するエポキシ樹脂等の液状樹脂が塗布された後に硬化されることで構成される。   As shown in FIGS. 1 and 3, the connection portion between the pad 33 and the bump 60 and the bonding wire 40 is sealed and protected by a sealing member 50. The sealing member 50 is disposed on the surface of the recess 21 and the second region 34b so as to cover the connection portion between the pad 33 and the bonding wire 40, and is blocked by the groove 37a. That is, the sealing member 50 is not disposed on the first region 34a. In addition, the sealing member 50 is comprised by hardening after applying liquid resin, such as an epoxy resin containing the filler which consists of silicas, for example.

モールド部品７０は、図１および図２に示されるように、モールド樹脂２０に封止されており、モールド樹脂２０内にてアイランド１２の一面１０ａ上に搭載されている。このようなモールド部品７０としては、例えば、回路チップ等の表面実装部品や回路基板等が挙げられる。   As shown in FIGS. 1 and 2, the mold component 70 is sealed with the mold resin 20 and mounted on the one surface 10 a of the island 12 in the mold resin 20. Examples of such a molded component 70 include surface mount components such as circuit chips, circuit boards, and the like.

そして、モールド樹脂２０内にて、モールド部品７０とリード１１の一面１０ａの他端側とが、ボンディングワイヤ４１を介して電気的に接続されている。つまり、リード１１およびモールド部品７０とボンディングワイヤ４１との接続部分は、モールド樹脂２０によって封止されている。   In the mold resin 20, the mold component 70 and the other end side of the one surface 10 a of the lead 11 are electrically connected via the bonding wire 41. That is, the connection portion between the lead 11 and the mold component 70 and the bonding wire 41 is sealed with the mold resin 20.

また、アイランド１２の一部である外部接続端子１３は、モールド樹脂２０より露出している。この外部接続端子１３には、図示しない外部の配線部材等が接続されるようになっており、この外部接続端子１３によって物理量センサと外部との電気的接続が行われるようになっている。   Further, the external connection terminals 13 that are part of the island 12 are exposed from the mold resin 20. An external wiring member (not shown) or the like is connected to the external connection terminal 13, and electrical connection between the physical quantity sensor and the outside is performed by the external connection terminal 13.

以上が本実施形態における物理量センサの構成である。このような物理量センサでは、センサチップ３０からの信号がボンディングワイヤ４０、リード１１を介して、アイランド１２上のモールド部品７０に伝わり、さらに、外部接続端子１３から外部に出力されるようになっている。次に、上記物理量センサの製造方法について説明する。   The above is the configuration of the physical quantity sensor in the present embodiment. In such a physical quantity sensor, a signal from the sensor chip 30 is transmitted to the mold part 70 on the island 12 via the bonding wire 40 and the lead 11 and further output to the outside from the external connection terminal 13. Yes. Next, a method for manufacturing the physical quantity sensor will be described.

まず、センシング部３２やパッド３３が形成された半導体基板３１の表面全面に保護膜３４を形成し、センシング部３２やパッド３３を露出させる開口部３５、３６および溝部３７ａをエッチングにより形成してセンサチップ３０を用意する。   First, the protective film 34 is formed on the entire surface of the semiconductor substrate 31 on which the sensing unit 32 and the pad 33 are formed, and the openings 35 and 36 and the groove 37a that expose the sensing unit 32 and the pad 33 are formed by etching. A chip 30 is prepared.

なお、本実施形態では、少なくとも溝部３７ａは、ウェットエッチングによって形成され、保護膜３４の表面と溝部３７ａの側面との成す角度θ１が９０°以下とされている。   In the present embodiment, at least the groove 37a is formed by wet etching, and the angle θ1 formed by the surface of the protective film 34 and the side surface of the groove 37a is 90 ° or less.

また、外枠およびタイバーによって、複数本のリード１１とアイランド１２とが一体に連結された状態のリードフレーム１０を用意する。なお、このリードフレーム１０は、外枠およびタイバー以外にも上記電気絶縁性のテープにより一体に連結されている。   In addition, a lead frame 10 is prepared in a state where a plurality of leads 11 and islands 12 are integrally connected by an outer frame and a tie bar. In addition to the outer frame and the tie bar, the lead frame 10 is integrally connected by the electrically insulating tape.

そして、各リード１１の一面１０ａのうち所定領域にバンプ６０を形成する。バンプ６０は、例えば、上記のようにボールボンディングやメッキ等によって形成される。   Then, a bump 60 is formed in a predetermined region of the one surface 10a of each lead 11. The bump 60 is formed by, for example, ball bonding or plating as described above.

次に、アイランド１２の一面１０ａ上にモールド部品７０を搭載し、ワイヤボンディングを行ってモールド部品７０とリード１１とをボンディングワイヤ４１で電気的に接続する。   Next, the mold component 70 is mounted on the one surface 10 a of the island 12, and wire bonding is performed to electrically connect the mold component 70 and the lead 11 with the bonding wire 41.

なお、ボンディングワイヤ４１の形成は、金やアルミニウム等のワイヤを用いたボールボンディング、ウェッジボンディング等のワイヤボンディングにより行われる。また、この工程は、バンプ６０を形成する前に行ってもよいし、バンプ６０を形成した後に行ってもよい。   The bonding wire 41 is formed by wire bonding such as ball bonding or wedge bonding using a wire such as gold or aluminum. Further, this step may be performed before the bump 60 is formed, or may be performed after the bump 60 is formed.

次に、樹脂成型用の金型を用い、バンプ６０の先端面およびアイランド１２の外部接続端子１３が露出するように、複数本のリード１１、アイランド１２、バンプ６０、モールド部品７０を覆うモールド樹脂２０を成形する。   Next, a mold resin for covering the plurality of leads 11, the islands 12, the bumps 60, and the mold component 70 is exposed using a mold for resin molding so that the front end surfaces of the bumps 60 and the external connection terminals 13 of the islands 12 are exposed. 20 is molded.

その後、モールド樹脂２０より露出するリードフレーム１０のタイバーおよび外枠をカットすることにより、リード１１とアイランド１２とをモールド樹脂２０で支持されつつ互いに分離した状態とする。   Thereafter, the tie bar and the outer frame of the lead frame 10 exposed from the mold resin 20 are cut so that the leads 11 and the island 12 are separated from each other while being supported by the mold resin 20.

続いて、モールド樹脂２０の表面上に接着剤８０を配置し、接着剤８０を介してセンサチップ３０をモールド樹脂２０に搭載する。   Subsequently, an adhesive 80 is disposed on the surface of the mold resin 20, and the sensor chip 30 is mounted on the mold resin 20 via the adhesive 80.

そして、センサチップ３０に形成された各パッド３３と各バンプ６０とをボンディングワイヤ４０を介して電気的に接続する。ボンディングワイヤ４０の形成は、上記ボンディングワイヤ４１と同様に、金やアルミニウム等のワイヤを用いたボールボンディング、ウェッジボンディング等のワイヤボンディングにより行われる。   Then, each pad 33 formed on the sensor chip 30 and each bump 60 are electrically connected via the bonding wire 40. The bonding wire 40 is formed by wire bonding such as ball bonding or wedge bonding using a wire such as gold or aluminum in the same manner as the bonding wire 41.

次に、パッド３３およびバンプ６０とボンディングワイヤ４０との接続部分に封止部材（液状樹脂）５０を塗布して硬化することにより、上記物理量センサが製造される。   Next, the physical quantity sensor is manufactured by applying and curing a sealing member (liquid resin) 50 on the connection portion between the pad 33 and the bump 60 and the bonding wire 40.

具体的には、図４（ａ）に示されるように、パッド３３およびバンプ６０とボンディングワイヤ４０との接続部分を覆うように、凹部２１の底面および第２領域３４ｂ上に封止部材５０を塗布する。このとき、封止部材５０は第２領域３４ｂの表面を広がるが、図４（ｂ）に示されるように、封止部材５０は、溝部３７ａに流れ込んで滞留するか、または、溝部３７ａに流れ込んだ後は溝部３７ａに沿って半導体基板３１の側面に流れる。つまり、封止部材５０は、溝部３７ａによって堰き止められる。このため、封止部材５０が第１領域３４ａの表面上に広がることが抑制される。   Specifically, as shown in FIG. 4A, the sealing member 50 is provided on the bottom surface of the recess 21 and the second region 34b so as to cover the connection portion between the pad 33 and the bump 60 and the bonding wire 40. Apply. At this time, the sealing member 50 spreads over the surface of the second region 34b. However, as shown in FIG. 4B, the sealing member 50 flows into the groove 37a and stays there, or flows into the groove 37a. After that, it flows to the side surface of the semiconductor substrate 31 along the groove 37a. That is, the sealing member 50 is blocked by the groove portion 37a. For this reason, it is suppressed that the sealing member 50 spreads on the surface of the 1st area | region 34a.

以上説明したように、本実施形態では、保護膜３４には段差を構成する溝部３７ａが形成されており、センシング部３２側の第１領域３４ａの表面とパッド３３側の第２領域３４ｂの表面とが分離されている。このため、第２領域３４ｂの表面上を封止部材５０が広がってもこの封止部材５０は溝部３７ａによって堰き止められる。したがって、第１領域３４ａの表面に封止部材５０が広がることを抑制でき、センシング部３２に封止部材５０が付着することを抑制できる。   As described above, in the present embodiment, the protective film 34 is formed with the groove 37a forming a step, and the surface of the first region 34a on the sensing unit 32 side and the surface of the second region 34b on the pad 33 side. And are separated. For this reason, even if the sealing member 50 spreads on the surface of the second region 34b, the sealing member 50 is blocked by the groove 37a. Therefore, it can suppress that the sealing member 50 spreads on the surface of the 1st area | region 34a, and can suppress that the sealing member 50 adheres to the sensing part 32. FIG.

また、溝部３７ａはウェットエッチングで形成されており、保護膜３４の表面と溝部３７ａの側面との成す角度θ１が９０°以下とされている。つまり、第１領域３４ａの表面と溝部３７ａの側面との成す角度θ１が９０°以下とされている。このため、第１領域３４ａの表面と溝部３７ａの側面との成す角度θ１が９０°より大きくされている場合と比較して、溝部３７ａに流れ込んだ封止部材５０が第１領域３４ａの表面に這い上がることを抑制し易くなる。   Moreover, the groove part 37a is formed by wet etching, and the angle θ1 formed by the surface of the protective film 34 and the side surface of the groove part 37a is 90 ° or less. That is, the angle θ1 formed by the surface of the first region 34a and the side surface of the groove 37a is 90 ° or less. For this reason, the sealing member 50 that has flowed into the groove portion 37a is formed on the surface of the first region 34a as compared with the case where the angle θ1 formed by the surface of the first region 34a and the side surface of the groove portion 37a is larger than 90 °. It becomes easy to suppress climbing.

さらに、保護膜３４の端部は半導体基板３１の端部と一致している。つまり、第１領域３４ａの端部が半導体基板３１の端部と一致している。このため、半導体基板３１の表面のうち第１領域３４ａの外側に位置する部分が露出している場合には、溝部３７ａに流れ込んだ封止部材５０が半導体基板３１の表面のうち第１領域３４ａの外側に位置する部分に流れ込んだ後に第１領域３４ａの表面に這い上がる可能性があるが、本実施形態では、溝部３７ａ以外の領域から封止部材５０が第１領域３４ａの表面に這い上がることを抑制できる。   Further, the end of the protective film 34 coincides with the end of the semiconductor substrate 31. That is, the end portion of the first region 34 a coincides with the end portion of the semiconductor substrate 31. Therefore, when a portion of the surface of the semiconductor substrate 31 located outside the first region 34 a is exposed, the sealing member 50 that has flowed into the groove 37 a is in the first region 34 a of the surface of the semiconductor substrate 31. However, in this embodiment, the sealing member 50 crawls up from the region other than the groove 37a to the surface of the first region 34a. This can be suppressed.

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態の物理量センサは、第１実施形態に対して堰止手段を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。 (Second Embodiment)
A second embodiment of the present invention will be described. The physical quantity sensor of the present embodiment is obtained by changing the damming means with respect to the first embodiment, and the other aspects are the same as those of the first embodiment, and thus description thereof is omitted here.

図５に示されるように、本実施形態では、保護膜３４には、溝部３７ａの代わりに、堰止手段として段差を構成する凸部３７ｂが形成されている。そして、この凸部３７ｂにより、センシング部３２側の第１領域３４ａの表面と、パッド３３側の第２領域３４ｂの表面とが分離されている。   As shown in FIG. 5, in the present embodiment, the protective film 34 is provided with a convex portion 37 b constituting a step as a damming means instead of the groove portion 37 a. The convex portion 37b separates the surface of the first region 34a on the sensing unit 32 side and the surface of the second region 34b on the pad 33 side.

このようなセンサチップ３０を用いた物理量センサとしても、封止部材５０は凸部３７ｂにて第１領域３４ａに広がることが抑制されるため、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。   Even in the physical quantity sensor using such a sensor chip 30, since the sealing member 50 is suppressed from spreading to the first region 34a by the convex portion 37b, the same effect as the first embodiment can be obtained. it can.

なお、このようなセンサチップ３０は、例えば、半導体基板３１の表面上に保護膜３４を構成するレジスト等を２度形成して２層構造とし、凸部３７ｂを構成するように上層（半導体基板３１と反対側の層）を除去することによって形成される。また、凸部３７ｂの先端面と側面との成す角度θ２は、上記θ１と同様に、９０°以下とされている。   Note that such a sensor chip 30 has, for example, a two-layer structure in which a resist or the like constituting the protective film 34 is formed twice on the surface of the semiconductor substrate 31 and an upper layer (semiconductor substrate) so as to constitute the convex portion 37b. The layer on the side opposite to 31 is removed. Further, the angle θ2 formed by the tip surface and the side surface of the convex portion 37b is set to 90 ° or less, similar to the above θ1.

（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態の物理量センサは、第１実施形態に対して第１領域３４ａの厚さを変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。 (Third embodiment)
A third embodiment of the present invention will be described. The physical quantity sensor of the present embodiment is obtained by changing the thickness of the first region 34a with respect to the first embodiment, and is otherwise the same as that of the first embodiment, so that the description thereof is omitted here.

図６に示されるように、本実施形態では、保護膜３４は、第１領域３４ａの厚さが第２領域３４ｂの厚さより厚くされている。これによれば、溝部３７ａ内の封止部材５０が第１領域３４ａの表面に這い上がることをさらに抑制できる。   As shown in FIG. 6, in the present embodiment, the protective film 34 has a thickness of the first region 34a larger than that of the second region 34b. According to this, it can further suppress that the sealing member 50 in the groove part 37a creeps up to the surface of the 1st area | region 34a.

なお、このようなセンサチップ３０は、例えば、半導体基板３１の表面上に保護膜３４を構成するレジスト等を形成した後、第２領域３４ｂが構成される部分のレジストを除去する。その後、再びレジスト等を形成することにより、第１領域３４ａの厚さが第２領域３４ｂの厚さより厚くなる保護膜３４を形成することができる。   Note that such a sensor chip 30 is formed by, for example, forming a resist or the like constituting the protective film 34 on the surface of the semiconductor substrate 31 and then removing the resist in a portion constituting the second region 34b. Thereafter, by forming a resist or the like again, the protective film 34 in which the thickness of the first region 34a is thicker than the thickness of the second region 34b can be formed.

（第４実施形態）
本発明の第４実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して溝部３７ａを複数形成したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。 (Fourth embodiment)
A fourth embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, a plurality of groove portions 37a are formed with respect to the first embodiment, and the other aspects are the same as those in the first embodiment, and thus the description thereof is omitted here.

図７および図８に示されるように、本実施形態では、保護膜３４には、２つの溝部３７ａが形成されている。これによれば、封止部材５０がパッド３３側の溝部３７ａを這い上がったとしても、封止部材５０はセンシング部３２側の溝部３７ａによって堰き止められる。このため、センシング部３２に封止部材５０が付着することをさらに抑制できる。   As shown in FIGS. 7 and 8, in the present embodiment, the protective film 34 is formed with two grooves 37a. According to this, even if the sealing member 50 scoops up the groove part 37a on the pad 33 side, the sealing member 50 is blocked by the groove part 37a on the sensing part 32 side. For this reason, it can further suppress that sealing member 50 adheres to sensing part 32.

なお、本実施形態では、第１領域３４ａがさらに２つの領域に分離されているといえる。また、図７は図８中のVII−VII線に相当する断面図であり、図８では、封止部材５０を省略して示してある。   In the present embodiment, it can be said that the first region 34a is further divided into two regions. 7 is a cross-sectional view corresponding to the line VII-VII in FIG. 8. In FIG. 8, the sealing member 50 is omitted.

（第５実施形態）
本発明の第５実施形態について説明する。本実施形態は、第４実施形態に対してセンシング部３２側の溝部３７ａの形状を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。 (Fifth embodiment)
A fifth embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, the shape of the groove 37a on the sensing unit 32 side is changed with respect to the fourth embodiment, and the other aspects are the same as those in the first embodiment, and thus the description thereof is omitted here.

図９および図１０に示されるように、本実施形態では、センシング部３２側の溝部３７ａは、センシング部３２を囲むように枠状に形成されている。このようなセンサチップ３０としても、上記第４実施形態と同様の効果を得ることができる。   As shown in FIGS. 9 and 10, in this embodiment, the groove 37 a on the sensing unit 32 side is formed in a frame shape so as to surround the sensing unit 32. Even with such a sensor chip 30, the same effects as those of the fourth embodiment can be obtained.

なお、このような枠状の溝部３７ａは、例えば、第１領域３４ａの端部と半導体基板３１の端部とが一致しておらず、半導体基板３１の表面のうち第１領域３４ａの外側に位置する部分が露出しているようなセンサチップ３０に形成されると特に好ましい。言い換えると、溝部３７ａ以外の領域から封止部材５０が第１領域３４ａの表面に這い上がる可能性があるセンサチップ３０に形成されると好ましい。   Note that such a frame-shaped groove 37a has, for example, the end of the first region 34a and the end of the semiconductor substrate 31 not aligned with each other, and on the outside of the first region 34a on the surface of the semiconductor substrate 31. It is particularly preferable that the sensor chip 30 is formed so that a portion to be exposed is exposed. In other words, it is preferable that the sealing member 50 is formed on the sensor chip 30 that may crawl up from the region other than the groove 37a to the surface of the first region 34a.

また、図９は図１０中のIX−IX線に相当する断面図であり、図１０では、封止部材５０を省略して示してある。   9 is a cross-sectional view corresponding to the line IX-IX in FIG. 10, and the sealing member 50 is omitted in FIG.

（他の実施形態）
上記各実施形態を適宜組み合わせた物理量センサとしてもよい。例えば、上記第２実施形態を上記第３〜第５実施形態に組み合わせ、堰止手段を凸部３７ｂとしてもよい。また、上記第３実施形態を上記第４、第５実施形態に組み合わせ、第１領域３４ａを第２領域３４ｂより厚くしてもよい。 (Other embodiments)
It is good also as a physical quantity sensor which combined each said embodiment suitably. For example, the second embodiment may be combined with the third to fifth embodiments, and the damming means may be the convex portion 37b. Further, the third embodiment may be combined with the fourth and fifth embodiments, and the first region 34a may be thicker than the second region 34b.

さらに、上記第１、第３、第４実施形態を組み合わせ、第１領域３４ａを第２領域３４ｂより厚くしつつ、複数の溝部３７ａを形成してもよい。同様に、上記第２、第３、第４実施形態を組み合わせてもよいし、第１、第２実施形態の一方と、第３、第５実施形態とを組み合わせてもよい。   Furthermore, the first, third, and fourth embodiments may be combined to form the plurality of groove portions 37a while making the first region 34a thicker than the second region 34b. Similarly, the second, third, and fourth embodiments may be combined, or one of the first and second embodiments may be combined with the third and fifth embodiments.

また、上記第４、第５実施形態において、複数の堰止手段を形成する場合には、溝部３７ａおよび凸部３７ｂをそれぞれ形成してもよい。そして、上記第１、第２実施形態において、上記第５実施形態のように、堰止手段を枠状としてもよい。さらに、上記第５実施形態において、複数の溝部３７ａを全て枠状としてもよい。   Moreover, in the said 4th, 5th embodiment, when forming a some damming means, you may form the groove part 37a and the convex part 37b, respectively. In the first and second embodiments, the damming means may have a frame shape as in the fifth embodiment. Furthermore, in the fifth embodiment, all of the plurality of groove portions 37a may have a frame shape.

さらに、センシング部３２とパッド３３とを繋ぐ配線部を半導体基板３１の略中央部に密集させて形成してもよい。このようなセンサチップ３０では、配線部を覆う第２領域３４ｂの表面に若干の凹凸が形成され、封止部材５０は凹凸が密集している部分を広がり易い。このため、第２領域３４ｂから溝部３７ａに流れ込む封止部材５０の領域を特定し易くなる。したがって、例えば、第３実施形態のように第１領域３４ａを厚くする場合には、第１領域３４ａのうち封止部材５０が流れ込み易い溝部３７ａの近傍領域を特に厚くすることにより、第１領域３４ａに封止部材５０が這い上がることをさらに抑制できる。   Furthermore, the wiring part that connects the sensing part 32 and the pad 33 may be formed densely in the substantially central part of the semiconductor substrate 31. In such a sensor chip 30, some unevenness is formed on the surface of the second region 34b covering the wiring part, and the sealing member 50 tends to spread a portion where the unevenness is dense. For this reason, it becomes easy to specify the area | region of the sealing member 50 which flows into the groove part 37a from the 2nd area | region 34b. Therefore, for example, when the first region 34a is thickened as in the third embodiment, the first region 34a is particularly thickened in the vicinity of the groove 37a in which the sealing member 50 easily flows. It is possible to further suppress the sealing member 50 from creeping up to 34a.

また、上記各実施形態において、保護膜３４は半導体基板３１の端部まで形成されていなくてもよい。すなわち、半導体基板３１の端部が露出していてもよい。   Further, in each of the above embodiments, the protective film 34 may not be formed up to the end of the semiconductor substrate 31. That is, the end of the semiconductor substrate 31 may be exposed.

そして、上記第１、第３〜第５実施形態において、溝部３７ａをドライエッチングにより形成してもよい。この場合、保護膜３４の表面と溝部３７ａの側面との成す角度θ１は９０°未満となるが、第１領域３４ａと第２領域３４ｂとの間に溝部３７ａによって段差が形成されるため、第１領域３４ａに封止部材５０が這い上がることを抑制できる。同様に、上記第２実施形態において、凸部３７ｂの先端面と側面との成す角度θ２が９０°未満とされていてもよい。   And in the said 1st, 3rd-5th embodiment, you may form the groove part 37a by dry etching. In this case, the angle θ1 formed by the surface of the protective film 34 and the side surface of the groove portion 37a is less than 90 °, but a step is formed between the first region 34a and the second region 34b by the groove portion 37a. It is possible to suppress the sealing member 50 from creeping up in the one region 34a. Similarly, in the said 2nd Embodiment, angle (theta) 2 which the front end surface and side surface of the convex part 37b comprise may be made into less than 90 degrees.

３０ センサチップ
３１ 半導体基板
３２ センシング部
３３ パッド
３４ 保護膜
３４ａ 第１領域
３４ｂ 第２領域
３５、３６ 開口部
３７ａ 溝部
３７ｂ 凸部
４０ ワイヤ
５０ 封止部材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 30 Sensor chip 31 Semiconductor substrate 32 Sensing part 33 Pad 34 Protective film 34a 1st area | region 34b 2nd area | region 35,36 Opening part 37a Groove part 37b Projection part 40 Wire 50 Sealing member

Claims (7)

一面側に物理量に応じたセンサ信号を出力するセンシング部（３２）が形成されていると共に、前記センシング部と電気的に接続されて前記センサ信号を出力するパッド（３３）が形成された半導体基板（３１）と、前記半導体基板の一面に配置され、前記センシング部および前記パッドを露出させる開口部（３５、３６）が形成された保護膜（３４）と、を有するセンサチップ（３０）と、
前記パッドと電気的に接続されるワイヤ（４０）と、
前記パッドと前記ワイヤとの接続部分を封止する封止部材（５０）と、を備え、
前記保護膜は、前記センシング部と前記パッドとの間に位置する部分に段差を構成する堰止手段（３７ａ）が形成され、前記センシング部側に位置する第１領域（３４ａ）の表面と、前記パッド側に位置する第２領域（３４ｂ）の表面とが前記堰止手段によって分離されており、
前記堰止手段は、溝部であり、
前記保護膜の表面と前記溝部の側面との成す角度（θ１）は、９０°未満とされていることを特徴とする物理量センサ。 A semiconductor substrate in which a sensing part (32) for outputting a sensor signal corresponding to a physical quantity is formed on one surface side, and a pad (33) for outputting the sensor signal by being electrically connected to the sensing part is formed A sensor chip (30) having (31) and a protective film (34) disposed on one surface of the semiconductor substrate and formed with openings (35, 36) exposing the sensing portion and the pad;
A wire (40) electrically connected to the pad;
A sealing member (50) for sealing a connection portion between the pad and the wire,
The protective film is formed with damming means (37a ) forming a step at a portion located between the sensing unit and the pad, and the surface of the first region (34a) located on the sensing unit side The surface of the second region (34b) located on the pad side is separated by the damming means ,
The damming means is a groove,
An angle (θ1) formed between the surface of the protective film and the side surface of the groove is less than 90 ° . 一面側に物理量に応じたセンサ信号を出力するセンシング部（３２）が形成されていると共に、前記センシング部と電気的に接続されて前記センサ信号を出力するパッド（３３）が形成された半導体基板（３１）と、前記半導体基板の一面に配置され、前記センシング部および前記パッドを露出させる開口部（３５、３６）が形成された保護膜（３４）と、を有するセンサチップ（３０）と、
前記パッドと電気的に接続されるワイヤ（４０）と、
前記パッドと前記ワイヤとの接続部分を封止する封止部材（５０）と、を備え、
前記保護膜は、前記センシング部と前記パッドとの間に位置する部分に段差を構成する堰止手段（３７ｂ）が形成され、前記センシング部側に位置する第１領域（３４ａ）の表面と、前記パッド側に位置する第２領域（３４ｂ）の表面とが前記堰止手段によって分離されており、
前記堰止手段は、凸部であり、
前記凸部の先端面と前記凸部の側面との成す角度（θ２）は、９０°未満とされていることを特徴とする物理量センサ。 A semiconductor substrate in which a sensing part (32) for outputting a sensor signal corresponding to a physical quantity is formed on one surface side, and a pad (33) for outputting the sensor signal by being electrically connected to the sensing part is formed A sensor chip (30) having (31) and a protective film (34) disposed on one surface of the semiconductor substrate and formed with openings (35, 36) exposing the sensing portion and the pad;
A wire (40) electrically connected to the pad;
A sealing member (50) for sealing a connection portion between the pad and the wire,
The protective film is formed with a blocking means ( 37b) forming a step at a portion located between the sensing unit and the pad, and the surface of the first region (34a) located on the sensing unit side The surface of the second region (34b) located on the pad side is separated by the damming means ,
The damming means is a convex part,
The physical quantity sensor characterized in that an angle (θ2) formed by the tip surface of the convex portion and the side surface of the convex portion is less than 90 ° . 前記保護膜は、前記第１領域の厚さが前記第２領域の厚さより厚くされていることを特徴とする請求項１または２に記載の物理量センサ。 The protective layer, the physical quantity sensor according to claim 1 or 2, characterized in that the thickness of the first region is thicker than the thickness of the second region. 前記堰止手段は、前記センシング部と前記パッドとの間に位置する部分に複数形成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の物理量センサ。 The physical quantity sensor according to any one of claims 1 to 3 , wherein a plurality of the damming means are formed in a portion located between the sensing unit and the pad. 前記堰止手段は、前記センシング部を囲む枠状とされていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の物理量センサ。 It said damming means, the physical quantity sensor according to any one of claims 1 to 4, characterized in that there is a frame shape surrounding the sensing portion. 前記保護膜の端部は、前記半導体基板の端部と一致していることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の物理量センサ。   The physical quantity sensor according to claim 1, wherein an end portion of the protective film coincides with an end portion of the semiconductor substrate. 凹部（２１）が形成され、前記凹部に前記センサチップを搭載するモールド樹脂（２０）を有し、A recess (21) is formed, and has a mold resin (20) for mounting the sensor chip in the recess,
前記センサチップは、前記一面と反対側の面の全面が前記凹部に接着剤（８０）を介して前記モールド樹脂に搭載されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の物理量センサ。7. The sensor chip according to claim 1, wherein the entire surface of the sensor chip opposite to the one surface is mounted on the mold resin via an adhesive (80) in the recess. 8. The physical quantity sensor described.
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JP3610484B2 (en) * 1999-08-10 2005-01-12 株式会社日立製作所 Thermal air flow meter
JP3821426B2 (en) * 2000-08-31 2006-09-13 三井金属鉱業株式会社 Electronic component mounting board
JP5212159B2 (en) * 2009-02-16 2013-06-19 株式会社デンソー Sensor device
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