JP6017107B2 - イメージセンサ及びその製造方法、並びにセンサデバイス - Google Patents
イメージセンサ及びその製造方法、並びにセンサデバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP6017107B2 JP6017107B2 JP2009298487A JP2009298487A JP6017107B2 JP 6017107 B2 JP6017107 B2 JP 6017107B2 JP 2009298487 A JP2009298487 A JP 2009298487A JP 2009298487 A JP2009298487 A JP 2009298487A JP 6017107 B2 JP6017107 B2 JP 6017107B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- well
- layer
- image sensor
- photoelectric conversion
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 12
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-diol;bis(4-fluorophenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1.C1=CC(F)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(F)C=C1 JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002068 genetic effect Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001139 pH measurement Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14632—Wafer-level processed structures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/01—Arrangements or apparatus for facilitating the optical investigation
- G01N21/03—Cuvette constructions
- G01N21/0303—Optical path conditioning in cuvettes, e.g. windows; adapted optical elements or systems; path modifying or adjustment
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
- G01N21/645—Specially adapted constructive features of fluorimeters
- G01N21/6452—Individual samples arranged in a regular 2D-array, e.g. multiwell plates
- G01N21/6454—Individual samples arranged in a regular 2D-array, e.g. multiwell plates using an integrated detector array
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14629—Reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14687—Wafer level processing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
- G01N21/645—Specially adapted constructive features of fluorimeters
- G01N2021/6482—Sample cells, cuvettes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By The Use Of Chemical Reactions (AREA)
- Optical Measuring Cells (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Description
本発明においては、光電変換部とウェルとが一体で形成されているので、アライメント手段が不要となる。これにより、装置を小型化及び簡素化することができると共に、低コスト化を実現することができる。
このイメージセンサでは、受光素子の1画素又は複数画素毎に、1つのウェルを形成してもよい。
また、前記光電変換部は、例えばCCD又はCMOSにより構成することができる。
更に、前記ウェルの表面には、保護膜が形成されていてもよい。
更にまた、前記ウェルが複数設けられている場合は、各ウェルの少なくとも側面に、前記試料から発せられた光が隣接するウェルに入射することを防止するための光吸収層又は光反射層を形成することもできる。
本発明においては、半導体装置の製造技術を応用してイメージセンサを製造しているため、光電変換部の直上域の所定の位置に、精度良くウェルを形成することができる。
この製造方法では、例えば、ウェルとなる部分にレジスト層を設け、それ以外の部分にめっき法により金属からなる壁構造体を形成し、その後前記レジスト層を除去することにより、ウェルを形成してもよい。
又は、前記絶縁層上にレジスト層及び金属層を形成し、該レジスト層のウェルとなる部分以外の部分を露光してレジスト樹脂を硬化させると共に、未硬化のレジスト樹脂及びその直上域に設けられた金属層を除去することによりウェルを形成してもよい。
この方法で複数のウェルを形成した場合、各ウェルの少なくとも側面には、一のウェルに充填された試料から発せられた光が前記一のウェルに隣接する他のウェルに入射することを防止するための反射層又は吸収層を形成してもよい。
本発明においては、光電変換部とウェルとが一体化されたイメージセンサが搭載されているため、光電変換部とウェルとの位置合わせのためのアライメント手段が不要となる。これにより、装置を小型化、簡素化及び低コスト化することが可能となる。
1.第1の実施の形態 (センサ構造の例)
2.第2の実施の形態
(製造方法:電鋳法によりウェルを形成する例)
3・第2の実施形態の変形例
(製造方法:ハードマスク層を備えた壁構造体でウェルを形成する例)
4.第3の実施の形態 (センサデバイスの例)
[イメージセンサの構成]
先ず、本発明の第1実施形態に係るイメージセンサについて説明する。図1は本実施形態のイメージセンサの構成を模式的に示す断面図である。図1に示すように、本実施形態のイメージセンサ1は、光電変換部2上に、絶縁層3を介して、測定対象のゲル状又は液体状の試料6が貯留される1又は複数のウェル5が形成されている。
光電変換部2は、試料6の光現象を検出して、電気信号として出力するものであり、複数の受光素子がマトリクス状に配設されている。このような光電変換部2は、例えばCCD(Charge Coupled Device:電荷結合素子)やCMOS(相補性金属酸化膜半導体)などの固体撮像素子により構成することができる。
絶縁層3は、光電変換部2とウェル5を構成する壁構造体4とを電気的に絶縁するものであり、試料6や受光素子での光検出に影響しない材料で形成されている。具体的には、絶縁層3は、例えば酸化シリコン(SiO2)及び窒化シリコン(SiNx)などの光透過性がある無機材料、ポリイミドなどの高融点でかつ光透過性がある高分子材料で形成することができる。
ウェル5は、壁構造体4よって区画された空間であり、例えば光電変換部2に設けられた受光素子の1画素又は複数画素毎に設けられている。そして、このウェル5内において、測定対象のゲル状又は液体状の試料6について、光現象の測定を行う。このウェル5を構成する壁構造体4の高さ、幅及び強度は特に限定されるものではなく、所定量の試料6を貯留できるものであればよい。
[イメージセンサの製造方法の概要]
次に、本発明の第2の実施形態として、前述した1の実施形態のイメージセンサの製造方法について説明する。図2(a)〜(c)は本実施形態のイメージセンサの製造方法をその工程順に示す図である。本実施形態においては、先ず、図2(a)に示すように、半導体ウエハ11に、光電変換素子2としてCCDやCMOSなどの固体撮像素子を形成し、その上に絶縁層3を形成する。これら光電変換素子2及び絶縁層3の製造方法は、特に限定されるものではなく、公知の方法を適用することができる。
以下、電鋳(めっき)法により、ウエハレベルでウェル5を作製する方法について、光電変換素子2が既存のCMOSである場合を例にして、具体的に説明する。電鋳法は、化学蒸着(CVD:Chemical Vapor Deposition)法や物理蒸着(PVD: Physical Vapor Deposition)法では製膜に時間がかかり、形成が困難な数μm〜数十μmの厚い金属膜を形成することができるため、半導体デバイスのバンプ形成やMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)デバイスの構造体形成などで一般的に用いられている。
[イメージセンサの製造方法の概要]
次に、本発明の第2の実施形態の変形例として、ハードマスク層を備えた壁構造体により、ウェル5を形成する方法について説明する。前述した第2の実施形態のイメージセンサの製造方法では、電鋳法により金属材料で壁構造体4を形成しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、金属材料からなるハードマスク層とレジスト層とを組み合わせて壁構造体4を形成することもできる。
図4(a)〜(g)はハードマスク層を備えた壁構造体によりウェル5を形成する方法を、その工程順に示す断面図である。本変形例では、先ず、図4(a)に示すように、複数のCMOS21が形成され、表面に絶縁層3が形成された半導体ウエハ表面に、スピンコート法などによりレジスト溶液を塗布するか、又はフィルムレジストを貼付し、厚膜レジスト層13を形成する。その際使用するレジスト材料としては、ポリイミド樹脂及びPEEKなどの200℃以上の耐熱性があるものが望ましい。
[センサデバイスの構造]
次に、本発明の第3の実施形態に係るセンサデバイスについて説明する。図5(a)〜(c)は本実施形態のセンサデバイスの製造方法をその工程順に示す断面図である。図5(c)に示すように、本実施形態のセンサデバイス30は、前述した第1の実施形態のイメージセンサ1を搭載したパッケージ基板31を、他の電子部品33a,33bと共に回路基板32上に実装したものである。
次に、前述したセンサデバイス30の製造方法について説明する。本実施形態のセンサデバイス30を製造する際は、先ず、図5(a)に示すイメージセンサ1を、パッケージ基板31に実装する(図5(b)参照)。次に、図5(c)に示すように、イメージセンサ1が搭載されたパッケージ基板31を、駆動回路などの周辺回路を備えた回路基板32に、例えばイメージセンサ1の検出データをリアルタイムで処理するための処理カード(FPGA:Field Programmable Gate Array)などの電子部品33a,33bと共に実装する。
本実施形態のセンサデバイス30は、イメージセンサ1に設けられたウェル5に試料6が充填されると、光電変換部2によりその光現象が検出され、二次元画像として出力される。その際、例えば本実施形態のセンサデバイス30を化学センサとして使用する場合などは、外部に設置された光源からウェル5内の試料6に光を照射してもよい。また、本実施形態のセンサデバイス30を、例えば遺伝子検査に用いる場合には、試料自身の発光を検知することも可能である。
2 光電変換部
3 絶縁層
4 壁構造体
5 ウェル
6 試料
7 保護膜
8 黒色レジスト層
9 反射層
11 半導体ウエハ
12 シード層
13、17 レジスト層
16 ハードマスク層
18 マスク
21 CMOS
31 パッケージ基板
32 回路基板
33a、33b 電子部品
34 キャップ
Claims (3)
- 半導体ウエハにマトリクス状に複数の受光素子が配設された光電変換部を形成する工程と、
前記光電変換部上に光透過性材料からなる絶縁層を形成する工程と、
前記光電変換部の直上域の絶縁層上に複数のウェルを形成する工程と、
1又は複数の前記受光素子毎に切断されるように、前記ウェル形成後のウエハを切断してチップ化する工程と、を有し、
前記光電変換部、前記絶縁層及び前記ウェルが一連のウエハプロセスにより一体で形成
されたイメージセンサを得る、イメージセンサの製造方法であって、
前記絶縁層上に第1のレジスト層及び金属層を形成し、さらに第2のレジスト層を形成し、該第2のレジスト層のウェルとなる部分以外の部分を露光してレジスト樹脂を硬化させると共に、前記第2のレジスト層の未硬化のレジスト樹脂、その直下域に設けられた金属層及びその直下域に設けられた第1のレジスト層のレジスト樹脂を除去することにより、複数のウェルを形成し、
各ウェルの側面に、一のウェルに充填された試料から発せられた光が前記一のウェルに隣接する他のウェルに入射することを防止するための光反射層又は光吸収層を形成し、さらに、該光吸収層又は該光反射層は該各ウェルの底面には形成されない、イメージセンサの製造方法。 - 1又は複数の前記受光素子毎に、1つのウェルが形成されている、請求項1に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記光電変換部が、CCD又はCMOSにより構成されている、請求項1又は2に記載
のイメージセンサの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009298487A JP6017107B2 (ja) | 2009-12-28 | 2009-12-28 | イメージセンサ及びその製造方法、並びにセンサデバイス |
US12/970,065 US20110157446A1 (en) | 2009-12-28 | 2010-12-16 | Image sensor and method of manufacturing the same, and sensor device |
EP10015888.0A EP2339632B1 (en) | 2009-12-28 | 2010-12-21 | Image sensor and method of manufacturing the same, and sensor device |
CN201010599279.1A CN102110704B (zh) | 2009-12-28 | 2010-12-21 | 图像传感器、制造图像传感器的方法以及传感器设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009298487A JP6017107B2 (ja) | 2009-12-28 | 2009-12-28 | イメージセンサ及びその製造方法、並びにセンサデバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011137742A JP2011137742A (ja) | 2011-07-14 |
JP6017107B2 true JP6017107B2 (ja) | 2016-10-26 |
Family
ID=43798482
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009298487A Expired - Fee Related JP6017107B2 (ja) | 2009-12-28 | 2009-12-28 | イメージセンサ及びその製造方法、並びにセンサデバイス |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110157446A1 (ja) |
EP (1) | EP2339632B1 (ja) |
JP (1) | JP6017107B2 (ja) |
CN (1) | CN102110704B (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5701532B2 (ja) * | 2010-07-23 | 2015-04-15 | オリンパス株式会社 | 撮像装置の製造方法 |
JP6035015B2 (ja) * | 2011-09-09 | 2016-11-30 | ソニー株式会社 | 回路基板 |
CA2930836A1 (en) | 2013-11-17 | 2015-05-21 | Quantum-Si Incorporated | Active-source-pixel, integrated device for rapid analysis of biological and chemical specimens |
JP2015194409A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 検体検出装置及び検体検出チップ |
WO2015192089A1 (en) | 2014-06-12 | 2015-12-17 | Axion Biosystems, Inc. | Multiwell microelectrode array with optical stimulation |
US9759658B2 (en) | 2014-08-08 | 2017-09-12 | Quantum-Si Incorporated | Integrated device for temporal binning of received photons |
MX2017001808A (es) | 2014-08-08 | 2018-02-08 | Quantum Si Inc | Dispositivo integrado con fuente de luz externa para el sondeo, deteccion y analisis de moleculas. |
WO2016023010A1 (en) | 2014-08-08 | 2016-02-11 | Quantum-Si Incorporated | Optical system and assay chip for probing, detecting, and analyzing molecules |
US10174363B2 (en) | 2015-05-20 | 2019-01-08 | Quantum-Si Incorporated | Methods for nucleic acid sequencing |
CN105543071A (zh) * | 2015-12-10 | 2016-05-04 | 严媚 | 一种用于高通量基因测序的cmos isfet双模式图像化学传感器芯片 |
CA3012705A1 (en) | 2016-02-17 | 2017-08-24 | Tesseract Health, Inc. | Sensor and device for lifetime imaging and detection applications |
AU2017297185B2 (en) * | 2016-06-01 | 2022-05-26 | Quantum-Si Incorporated | Integrated device for detecting and analyzing molecules |
JP6386122B2 (ja) * | 2016-09-20 | 2018-09-05 | 株式会社東芝 | 検体液の計測装置及び計測方法 |
KR102603196B1 (ko) * | 2016-11-03 | 2023-11-15 | 엠쥐아이 테크 컴퍼니 엘티디. | 생물학적 또는 화학적 분석을 위한 바이오센서들 및 이를 제조하는 방법 |
CN110168732B (zh) | 2016-12-22 | 2024-03-08 | 宽腾矽公司 | 具有直接合并像素的整合式光电侦测器 |
AU2019288394A1 (en) | 2018-06-22 | 2021-01-07 | Quantum-Si Incorporated | Integrated photodetector with charge storage bin of varied detection time |
CN111610155B (zh) * | 2020-06-02 | 2022-04-05 | 西安交通大学 | 一种用于循环肿瘤细胞捕获与检测的太赫兹器件 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0695073B2 (ja) * | 1988-09-01 | 1994-11-24 | 工業技術院長 | 蛍光測定用試料保持体 |
US5846708A (en) * | 1991-11-19 | 1998-12-08 | Massachusetts Institiute Of Technology | Optical and electrical methods and apparatus for molecule detection |
JPH0618421A (ja) | 1992-06-30 | 1994-01-25 | Toshiba Corp | 溶液成分センサ |
US5952645A (en) * | 1996-08-27 | 1999-09-14 | California Institute Of Technology | Light-sensing array with wedge-like reflective optical concentrators |
WO1999049974A1 (en) * | 1998-04-01 | 1999-10-07 | The Du Pont Merck Pharmaceutical Company | Plate apparatus for holding small volumes of liquids |
IT1301690B1 (it) | 1998-06-11 | 2000-07-07 | Sinco Ricerche Spa | Miscele di resine poliestere aventi elevate proprieta' di barriera aigas. |
US6440769B2 (en) * | 1999-11-26 | 2002-08-27 | The Trustees Of Princeton University | Photovoltaic device with optical concentrator and method of making the same |
JP2002131276A (ja) | 2000-10-27 | 2002-05-09 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 化学イメージセンサ |
JP4534352B2 (ja) * | 2000-12-27 | 2010-09-01 | 株式会社ニコン | 有機分子検出用半導体素子、有機分子検出用半導体装置及びこれを用いた有機分子の測定方法 |
JP2004109107A (ja) * | 2002-07-25 | 2004-04-08 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 生化学用容器 |
JP2004301648A (ja) | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Horiba Biotechnology Co Ltd | 分析装置 |
US7316930B1 (en) * | 2003-04-21 | 2008-01-08 | National Semiconductor Corporation | Use of vertically stacked photodiodes in a gene chip system |
US20050007346A1 (en) * | 2003-07-11 | 2005-01-13 | Guolin Ma | Optical conduit for channeling light onto a surface |
JP4332628B2 (ja) | 2004-02-13 | 2009-09-16 | 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学 | 生体組織測定用イメージセンサ及び該センサを用いた生体組織測定方法 |
KR100745985B1 (ko) * | 2004-06-28 | 2007-08-06 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
JP4744910B2 (ja) | 2004-11-11 | 2011-08-10 | 株式会社堀場製作所 | バイオセンサ、マルチバイオセンサ及びこれを用いた多成分測定システム |
JP4741855B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2011-08-10 | カシオ計算機株式会社 | 生体高分子分析チップ、分析支援装置及び生体高分子分析方法 |
FR2908888B1 (fr) * | 2006-11-21 | 2012-08-03 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif pour la detection exaltee de l'emission d'une particule cible |
US20080179572A1 (en) * | 2007-01-05 | 2008-07-31 | Cheil Industries Inc. | Photosensitive Resin Composition for Producing Color Filter and Color Filter for Image Sensor Produced Using the Composition |
JP4560633B2 (ja) | 2007-03-26 | 2010-10-13 | 国立大学法人埼玉大学 | 化学センサ |
JP4367663B2 (ja) * | 2007-04-10 | 2009-11-18 | ソニー株式会社 | 画像処理装置、画像処理方法、プログラム |
KR100822672B1 (ko) * | 2007-06-27 | 2008-04-17 | (주)실리콘화일 | 이미지센서를 이용한 진단장치 및 그 제조방법 |
JP5267907B2 (ja) | 2007-12-28 | 2013-08-21 | 国立大学法人九州工業大学 | 磁気力によるアクチュエータ及びそれを用いた駆動装置、並びにセンサ |
US20100146460A1 (en) * | 2008-12-10 | 2010-06-10 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | System and method for modifying a plurality of key input regions based on detected tilt and/or rate of tilt of an electronic device |
-
2009
- 2009-12-28 JP JP2009298487A patent/JP6017107B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-12-16 US US12/970,065 patent/US20110157446A1/en not_active Abandoned
- 2010-12-21 EP EP10015888.0A patent/EP2339632B1/en not_active Not-in-force
- 2010-12-21 CN CN201010599279.1A patent/CN102110704B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102110704A (zh) | 2011-06-29 |
US20110157446A1 (en) | 2011-06-30 |
JP2011137742A (ja) | 2011-07-14 |
EP2339632B1 (en) | 2014-03-12 |
CN102110704B (zh) | 2016-01-20 |
EP2339632A1 (en) | 2011-06-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6017107B2 (ja) | イメージセンサ及びその製造方法、並びにセンサデバイス | |
US9373660B2 (en) | Method of forming a low profile image sensor package with an image sensor substrate, a support substrate and a printed circuit board | |
US10157811B2 (en) | Chip package and method for forming the same | |
EP1325776B1 (en) | Semiconductor device for detecting organic molecules and method for measuring organic molecules using the same | |
TWI344694B (en) | Sensor-type package and method for fabricating the same | |
JP4148932B2 (ja) | 半導体装置、半導体モジュール及び半導体装置の製造方法 | |
JP2007537670A (ja) | マイクロエレクトロニクスイメージャ用カバー及びマイクロエレクトロニクスイメージャをウェファレベルでパッケージングする方法 | |
JP5806635B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
CN103733341B (zh) | 图像传感器、其制造方法及检查装置 | |
KR20070064273A (ko) | 반도체 장치 | |
CN101013711A (zh) | 成像设备、放射线成像设备及其制造方法 | |
US20110127619A1 (en) | Biosensor devices and method for fabricating the same | |
US9279730B2 (en) | Device having a membrane structure for detecting thermal radiation, and method for production thereof | |
US20100252902A1 (en) | Semiconductor device and imaging device using the semiconductor device | |
JP5455239B2 (ja) | サンドイッチ構造体を有する熱放射検出用デバイス、このデバイスの製造方法および使用方法 | |
JP2013004938A (ja) | 撮像素子、電子機器、製造方法、および検査装置 | |
TW201737503A (zh) | 電光感應晶片總成、其形成方法及組裝電光偵測器之方法 | |
US10381399B2 (en) | Semiconductor device | |
US7332725B2 (en) | Sensor arrangement for recording a radiation, computer tomograph comprising said sensor arrangement and corresponding production method | |
CN110318099B (zh) | Cis基因芯片及其制作方法 | |
EP2851953B1 (en) | Solid-state image pickup device | |
JP2006177709A (ja) | 断面形態観察方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121205 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131224 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140812 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141009 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150317 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150616 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20150623 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20150814 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160427 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160804 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160928 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6017107 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |