JP6013723B2 - 有機発光表示装置 - Google Patents
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Description
以下、図4及び5を参照して、本発明の第1の実施形態による有機発光表示装置2を説明する。以下、前述した従来の一般的な有機発光表示装置1との差異点を中心として、本実施形態による有機発光表示装置2を説明するが、図面に図示された同じ参照番号は同じ構成要素を表す。
Al)に比べて表面処理されたアルミニウム(Colden Al、Gray Al、Black Al)の反射率が低下することが分かる。もちろん、アルミニウムの表面色も変わることが分かる。
次に、図7及び図8を参照して、本発明の第2の実施形態に係る前面発光型有機発光表示装置3を説明する。以下、上述した第1の実施形態に係る有機発光表示装置2との差異点を中心に本実施形態による有機発光表示装置3を説明する。図面に図示された同じ参照番号は同じ構成要素を表す。
次に、図9〜図11を参照して、本発明の第3の実施形態に係る前面発光型有機発光表示装置4を説明する。以下、上述した第2の実施形態に係る有機発光表示装置3との差異点を中心に本実施形態に係る有機発光表示装置4を説明する。図面に図示された同じ参照番号は同じ構成要素を表す。
以下、図12を参照して本発明の第4の実施形態を説明する。以下、上述した第3の実施形態に係る有機発光表示装置4との差異点を中心に本実施形態に係る有機発光表示装置5を説明する。図面に図示された同じ参照番号は同じ構成要素を表す。
110 第1基板
111 バッファ層
112 ゲート絶縁膜
113 層間絶縁膜
114 パッシベーション層
21 第1薄膜トランジスタ
211 第1活性層
212 第1ゲート電極
213 第1ソース電極
214 第1データ電極
22 キャパシタ
221 キャパシタ第1電極
222 キャパシタ第2電極
23 第2薄膜トランジスタ
231 第2活性層
232 第2ゲート電極
233 第2ソース電極
234 第2ドレイン電極
24 有機発光素子
241 画素電極
242 有機発光層
243 共通電極
25 電源配線部
26 ゲート配線部
27 データ配線部
31、32、33、34 光特性変形層
50 第2基板
60 透明干渉層
Claims (21)
- 対向配置された第1基板と第2基板と、
前記第1基板と第2基板との間に設けられ、画素ごとに分離形成された画素電極、前記画素電極に対向配置された共通電極、及び前記画素電極と前記共通電極との間に配された有機発光層と、
前記第1基板と前記画素電極との間に設けられ、前記画素電極に発光信号を伝達する少なくとも一つの薄膜トランジスタ、少なくとも一つのキャパシタ、及び少なくとも一つの配線部を備え、
前記薄膜トランジスタ及び前記キャパシタを構成する電極部及び前記配線部は金属物質により形成され、
前記薄膜トランジスタ及び前記キャパシタを構成する電極部及び前記配線部のうち少なくとも一つにおいて、前記電極部又は前記配線部を構成する金属物質の表面における光学特性を変化させた光特性変化層が形成される、有機発光表示装置。 - 前記光特性変化層は、前記電極部及び前記配線部より低い反射率を有する、請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記光特性変化層は、前記電極部及び前記配線部より高い光吸収率を有する、請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記光特性変化層は、前記電極部及び前記配線部と、透過率、屈折率、回折及び色のうち少なくとも一つ以上の光学特性が異なる、請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 対向配置された第1基板と第2基板と、
前記第1基板と第2基板との間に設けられ、画素ごとに分離形成された画素電極、前記画素電極に対向配置された共通電極、及び前記画素電極と前記共通電極との間に配された有機発光層と、
前記第1基板と前記画素電極との間に設けられ、前記画素電極に発光信号を伝達する少なくとも一つの薄膜トランジスタ、少なくとも一つのキャパシタ、及び少なくとも一つの配線部を備え、
前記薄膜トランジスタ及び前記キャパシタを構成する電極部及び前記配線部は金属物質により形成され、
前記薄膜トランジスタ及び前記キャパシタを構成する電極部及び前記配線部のうち少なくとも一つにおいて、前記電極部又は前記配線部を構成する金属物質の表面における光学特性を変化させた光特性変化層が形成され、
前記光特性変化層は、前記電極部及び前記配線部のうち少なくとも一つの表面にフェムト秒持続レーザービームパルスを少なくとも1回以上照射する方法で形成される、
有機発光表示装置を製造する方法。 - 前記光特性変化層の、前記フェムト秒持続レーザービームパルスの照射による方法で変形された領域は、ナノスケールまたはマイクロスケールのサイズである、請求項5に記載の有機発光表示装置を製造する方法。
- 前記電極部は、前記薄膜トランジスタのゲート電極、ソース電極とドレイン電極、及び前記キャパシタの電極を含む、請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記配線部は、ゲート配線、データ配線、及び電源配線を含む、請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記有機発光層から放出された光は、前記第2基板側に放出され、
前記電極部及び前記配線部の前記有機発光層に近い表面に前記光特性変化層が形成され、
前記画素電極の前記有機発光層に近い表面に前記画素電極の光学特性を変化させた第2光特性変化層がさらに形成される、請求項1に記載の有機発光表示装置。 - 前記第2光特性変化層は、前記画素電極より低い反射率を有する、請求項9に記載の有機発光表示装置。
- 前記第2光特性変化層は、前記画素電極より高い光吸収率を有する、請求項9に記載の有機発光表示装置。
- 前記有機発光層から放出された光は、前記第1基板側に放出され、
前記電極部及び前記配線部の前記有機発光層から遠い表面に前記光特性変化層が形成され、
前記共通電極の前記有機発光層に近い表面に前記画素電極の光学特性を変化させた第2光特性変化層がさらに形成される、請求項1に記載の有機発光表示装置。 - 前記第2光特性変化層は、前記共通電極より低い反射率を有する、請求項12に記載の有機発光表示装置。
- 前記第2光特性変化層は、前記共通電極より高い光吸収率を有する、請求項12に記載の有機発光表示装置。
- 前記第2光特性変化層は、前記画素電極に対応する領域のみに形成される、請求項12に記載の有機発光表示装置。
- 前記第1基板と第2基板のうち少なくとも一つは透明基板であり、
前記透明基板の外光が入射する方向側の一面に透明干渉層がさらに備えられる、請求項1に記載の有機発光表示装置。 - 前記透明干渉層は、前記外光の1/4波長に同等な厚さを有する、請求項16に記載の有機発光表示装置。
- 前記透明干渉層は、前記透明基板の屈折率より小さな屈折率を有する、請求項16に記載の有機発光表示装置。
- 前記透明干渉層は、フッ化マグネシウム、シリカ、高屈折透明材料及びこれらの組み合わせから選択された一つの物質を含む、請求項18に記載の有機発光表示装置。
- 前記透明干渉層は複数層設けられ、複数の透明干渉層は透明基板に近いほど高い屈折率を有する、請求項16に記載の有機発光表示装置。
- 前記透明干渉層の各層は、前記外光の1/4波長に同等な厚さを有する、請求項20に記載の有機発光表示装置。
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