CN102694004B - 有机发光显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种有机发光显示装置，包括：彼此面对的第一衬底和第二衬底；有机发光装置，设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间，所述有机发光装置包括在每个像素中单独形成的像素电极、面对所述像素电极的公共电极以及设置在所述像素电极与所述公共电极之间的有机发光层；以及电极单元和至少一个接线单元，设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间，所述电极单元包括至少一个薄膜晶体管以及至少一个电容器，所述至少一个薄膜晶体管被配置为将发光信号传输至所述像素电极，其中，在所述电极单元和所述接线单元中的至少一个的表面上形成光学性质修改层，所述光学性质修改层具有从所述电极单元和所述接线单元中的所述至少一个的光学性质修改的光学性质。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2011年3月21日向韩国知识产权局提交的第10-2011-0024993号韩国专利申请的权益，其全部公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本文公开内容涉及有机发光显示装置，更具体地，涉及可以将外部光线反射导致的对比度的下降最小化的有机发光显示装置。
背景技术
有机发光显示装置作为自发光显示装置在宽视角和快速响应时间上具有优势。然而，有机发光显示装置的缺点是，如果有机发光显示装置在外部光线环境下显示图像，则外部光线被构成有机发光显示装置中的电极和接线的金属材料反射，从而降低对比度。
一般来说，为了使对比度的下降最小化，会使用价格偏高的偏振板。然而，使用这种偏振板会使成本增加，并会由于从发光层发射出的光被阻挡而降低透射率，并降低亮度。
为了使对比度的下降最小化，可以在电极或接线上形成黑矩阵。然而，使用这种黑矩阵的方法会需要额外的掩模过程来形成黑矩阵，这使得制作过程变得复杂。
发明内容
本发明的一个方面提供了一种有机发光显示装置，其可通过改变电极单元和接线单元表面的光学性质来改善对比度。
根据本发明的一个方面，提供了一种有机发光显示装置，包括：彼此面对的第一衬底和第二衬底；有机发光装置，设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间，所述有机发光装置包括在每个像素中单独形成的像素电极、面对所述像素电极的公共电极以及设置在所述像素电极与所述公共电极之间的有机发光层；以及电极单元和至少一个接线单元，设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间，所述电极单元包括至少一个薄膜晶体管以及至少一个电容器，所述至少一个薄膜晶体管被配置为将发光信号传输至所述像素电极，其中，在所述电极单元和所述接线单元中的至少一个的表面上形成光学性质修改层，所述光学性质修改层具有从所述电极单元和所述接线单元中的所述至少一个的光学性质修改的光学性质。
所述光学性质修改层的反射率可低于所述电极单元和所述至少一个接线单元中的每个的反射率。
所述光学性质修改层的光吸收率可高于所述电极单元和所述至少一个接线单元中的每个的光吸收率。
所述光学性质修改层可通过选自由透射率、折射率、衍射率以及颜色构成的组中的至少一种光学性质区别于所述电极单元和所述接线单元中的所述至少一个。
所述光学性质修改层可以是通过向所述电极单元和所述接线单元中的所述至少一个的表面施加飞秒级激光束脉冲至少一次而形成的。
所述光学性质修改层由飞秒级激光束脉冲修改的区域可具有纳米级或微米级尺寸。
所述至少一个薄膜晶体管包括栅电极、源电级和漏电极，所述至少一个电容器包括电极。
所述至少一个接线单元可包括栅接线单元、数据接线单元和功率接线单元。
从所述有机发光层发出的光可朝向所述第二衬底发射，其中，所述光学性质修改层形成在所述电极单元和所述接线单元中的所述至少一个的、面对所述第二衬底的表面上，其中，所述有机发光显示装置包括第二光学性质修改层，所述第二光学性质修改层具有从所述像素电极的光学性质修改的光学性质并且形成在所述像素电极靠近所述有机发光层的表面上。
所述第二光学性质修改层的反射率可低于所述像素电极的反射率。
所述第二光学性质修改层的光吸收率可高于所述像素电极的光吸收率。
从所述有机发光层发出的光可朝向所述第一衬底发射，其中，所述光学性质修改层形成在所述电极单元和所述接线单元中的所述至少一个的、面对所述第一衬底的表面上，其中，所述有机发光显示装置包括第二光学性质修改层，所述第二光学性质修改层具有从所述像素电极的光学性质修改的光学性质并且形成在所述公共电极靠近所述有机发光层的表面上。
所述第二光学性质修改层的反射率可低于所述公共电极的反射率。
所述第二光学性质修改层的光吸收率可高于所述公共电极的光吸收率。
所述第二光学性质修改层可仅形成在与所述像素电极相对应的区域上。
所述第一衬底和所述第二衬底中的至少一个可以是透明衬底，其中，所述有机发光显示装置还包括至少一个透明干涉层，所述至少一个透明干涉层设置在所述透明衬底的、外部光线入射的表面上。
所述透明干涉层的厚度可约等于外部光线的波长的1/4。
所述透明干涉层的折射率可低于所述透明衬底的折射率。
所述透明干涉层可包括氟化镁、二氧化硅、具有高折射率的透明材料、或其组合。
所述至少一个透明干涉层还包括多个透明干涉层，所述多个透明干涉层设置在所述透明衬底的、外部光线入射的表面上，其中所述至少一个透明干涉层包括第一透明干涉层和第二透明干涉层，所述第二透明干涉层比所述第一透明干涉层更靠近所述透明衬底，并且所述第二透明干涉层的折射率高于所述第一透明干涉层的折射率。
每个透明干涉层的厚度均可约等于外部光线的波长的1/4。
附图说明
通过参照附图对特定的实施方式进行详细描述，本发明的上述和其它特点及优点将变得更显而易见，在附图中：
图1为示出了有机发光显示装置的像素结构的平面图。
图2为沿图1中的线II-II所取的剖视图。
图3示出了图1中的有机发光显示装置的等效电路。
图4为根据本发明一个实施方式的有机发光显示装置的平面图。
图5为沿图4中的线V-V所取的剖视图。
图6为示出当飞秒级激光束脉冲作用在铝上时反射率与波长之间的关系的示意图。
图7是根据本发明另一实施方式的有机发光显示装置的平面图。
图8是沿图7中的线VIII-VIII所取的剖视图。
图9是根据本发明另一实施方式的有机发光显示装置的剖视图。
图10为示出了透明干涉层的剖视图。
图11为示出了多个透明干涉层的剖视图。
图12为根据本发明另一实施方式的有机发光显示装置的剖视图。
具体实施方式
现在将参照附图更全面地描述本发明的实施方式，附图中示出了本发明的实施方式。
图1为有机发光显示装置1的实施例的平面图。图2为沿图1中的II-II线所取的剖视图。图3是图1中的有机发光显示装置1的等效电路。
如图1至图3所示，有机发光显示装置1包括位于第一衬底110上的栅接线单元26、数据接线单元27以及功率接线单元25，有机发光显示装置1还包括第一薄膜晶体管21、第二薄膜晶体管23和电容器22。第二薄膜晶体管23连接至有机发光装置24，有机发光装置24包括像素电极241、公共电极243以及设置在像素电极241与公共电极243之间的有机发光层242。
为了使第一衬底110平坦化并防止杂质元素渗透至第一衬底110中，可在第一衬底110上设置由SiO2和/或SiNx形成的缓冲层111。第一薄膜晶体管21的第一活性层211和第二薄膜晶体管23的第二活性层231形成在缓冲层111上，栅绝缘膜112形成在第一活性层211和第二活性层231上。第一薄膜晶体管21的第一栅电极212和第二薄膜晶体管23的第二栅电极232形成在栅绝缘膜112上。第一栅电极212连接至栅接线单元26，第二栅电极232连接至电容器22的第一电极221。层间绝缘膜113形成在第一栅电极212、第二栅电极232和电容器22的第一电极221上。第一源电极213和第一漏电极214分别通过接触孔连接至第一活性层211的源区域(未示出)和漏区域(未示出)。第二源电极233和第二漏电极234分别连接至第二活性层221的源区域(未示出)和漏区域(未示出)。第一源电极213连接至数据接线单元27，以向第一活性层211施加数据信号，第一漏电极214连接至电容器22的第一电极221，以将数据信号存储在电容器22中。第二源电极233连接至电容器22的第二电极222，第二漏电极234连接至有机发光装置24的像素电极241。钝化层114形成在第一源电极213、第二源电极233、第一漏电极214、第二漏电极234以及电容器22的第二电极222上。像素电极241通过钝化层114中的通孔连接至第二漏电极234。
有机发光装置24包括对于每个像素单独形成的像素电极241、面对像素电极241的公共电极243以及设置在像素电极241与公共电极243之间的有机发光层242。
如果有机发光显示装置1为顶部发光型，则像素电极241可为反射电极，公共电极243可为透明电极。反之，如果有机发光显示装置为底部发光型，则像素电极241可为透明电极，公共电极243可为反射电极。
一般来说，构成第一薄膜晶体管21、第二薄膜晶体管23和电容器22的电极由具有高反射率的金属形成，连接至第一薄膜晶体管21、第二薄膜晶体管23和电容器22的接线由具有高反射率的金属形成。因此，从外部入射至有机发光显示装置1上的外部光线被设置在第一衬底110上的电极和接线反射，然后与从有机发光层242发出的光一同发射。被电极和接线反射的光线降低了有机发光显示装置1的对比度。
将参照图4和图5对根据本发明实施方式的有机发光显示装置2进行说明。将对有机发光显示装置2与有机发光显示装置1的不同之处进行说明。与图1相同的元件由相同的参考标记表示。
根据本发明的实施方式，图4是顶部发光型的有机发光显示装置2的平面图，图5是沿图4中的线V-V所取的剖视图。
如图4和图5所示，有机发光显示装置2包括位于第一衬底110上的功率接线单元25、栅接线单元26以及数据接线单元27，有机发光显示装置2还包括第一薄膜晶体管21、电容器22、第二薄膜晶体管23以及有机发光装置24。
在实施方式中，通过改变如下元件的光学性质，可得到光学性质修改层31、32、33、35、36和37，所述元件包括：接线单元25、26和27、第一薄膜晶体管21的第一栅电极212和第二薄膜晶体管23的第二栅电极232、第一薄膜晶体管21的第一源电极213和第二薄膜晶体管23的第二源电极233、第一薄膜晶体管21的第一漏电极214和第二薄膜晶体管23的第二漏电极234。因此，光学性质修改层31、32、33、35、36和37中的每个均具有改变的光学性质，并且不同于接线单元25、26和27、第一薄膜晶体管21的第一栅电极212、第二薄膜晶体管23的第二栅电极232、第一薄膜晶体管21的第一源电极213、第二薄膜晶体管23的第二源电极233、第一薄膜晶体管21的第一漏电极214和第二薄膜晶体管23的第二漏电极234中的每个的光学性质。光学性质修改层31、32、33、35、36和37中的每个均通过对接线单元25、26和27、第一薄膜晶体管21的第一栅电极212、第二薄膜晶体管23的第二栅电极232、第一薄膜晶体管21的第一源电极213、第二薄膜晶体管23的第二源电极233、第一薄膜晶体管21的第一漏电极214和第二薄膜晶体管23的第二漏电极234中的每个的表面进行处理来形成。
具体而言，光学性质修改层35、36和37分别形成在功率接线单元25、栅接线单元26和数据接线单元27的上表面上。光学性质修改层31的光学性质修改层312、313和314分别形成在第一薄膜晶体管21的第一栅电极212、第一源电极213和第一漏电极214的上表面上。光学性质修改层33的光学性质修改层332、333和334分别形成在第二薄膜晶体管23的第二栅电极232、第二源电极233和第二漏电极234的上表面上。光学性质修改层32的光学性质修改层321和322分别形成在电容器22的第一电极221和第二电极222的上表面上。
光学性质修改层31、32、33、35、36和37形成在接线单元25、26和27、薄膜晶体管21、23和电容器22的电极212、213、214、232、233、234、221、222的上表面上，并通过改变接线单元25、26、27和电极212、213、214、232、233、234、221、222的光学性质而获得。例如，光学性质修改层31、32、33、35、36和37可通过改变用于构成接线单元25、26、27和电极212、213、214、232、233、234、221、222的金属材料的反射率、光吸收率、透射率、折射率、衍射率和颜色中的至少一个光学性质来获得。在图4中，与用于构成接线单元25、26、27和电极212、213、214、232、233、234、221、222的金属材料相比，光学性质修改层31、32、33、35、36和37可具有更低的反射率和更高的光吸收率。
在图像远离第一衬底110形成的顶部发光型的有机发光显示装置2中，进入有机发光显示装置2的外部光线会被电极212、213、214、232、233、234、221、222和接线单元25、26、27的表面反射，从而降低了从有机发光层242发出的光的对比度。然而，光学性质修改层31、32、33、35、36和37形成在电极212、213、214、232、233、234、221、222和接线单元25、26、27背对第一衬底110的表面上，因此，被电极212、213、214、232、233、234、221、222和接线单元25、26、27反射的外部光线的量会减少，从而改善了对比度。
在Chunlei等人的、于2008年8月14日公开的、题为“Ultra-shortdurationlasermethodsforthenanostructuringofmaterials(材料的纳米构型的超短持续时间激光方法)”的WO2008/097374中公开了改变材料光学性质的方法，其全部内容通过引用并入本文。根据上述方法，应用在金属上的飞秒级激光束脉冲可改变金属的表面结构，从而使金属改变后的结构为纳米或微米级大小，并且金属表面层的光学性质可被改变。在实施方式中，金属可暴露于飞秒级激光束脉冲至少一次，从而得到金属的结构改变。
图6示出当由Ti：蓝宝石激光系统产生的、中央波长处于800nm的、约0.1毫焦/脉冲的65个飞秒脉冲施加于铝时的反射率与波长之间的关系。如图6所示，波长范围在250纳米至2500纳米之间时，具有已处理的表面的抛光铝(Al)的反射率高于具有未处理表面的金色铝、灰色铝和黑色铝的反射率。当然，可看出铝表面的颜色发生了变化。
因此，当铝用于有机发光显示装置2的接线单元25、26、27和电极212、213、214、232、233、234、221、222时，通过在接线单元25、26、27和电极212、213、214、232、233、234、221、222的上表面上使用上述飞秒激光束技术进行这种表面处理，这样可改变接线单元25、26、27和电极212、213、214、232、233、234、221、222的上表面的光学性质。换言之，具有比铝的未处理表面更低的反射率或更高的光吸收率的铝的已处理表面在接线单元25、26、27和电极212、213、214、232、233、234、221、222的上表面上形成光学性质修改层31、32、33、35、36、37。因此，被接线单元25、26、27和电极212、213、214、232、233、234、221、222反射的外部光线的量可减少。
因此，在不使用昂贵的偏振板且不通过执行额外的掩模过程形成黑矩阵的情况下，通过简单改变接线单元25、26、27和电极212、213、214、232、233、234、221、222的光学性质，对比度就能被改善。
虽然在图4和图5中，两个薄膜晶体管21、23和一个电容器22构成一个像素，但本实施方式并不限于此。因此，薄膜晶体管和电容器可通过各种方式组合。而且，虽然在图4和图5中，在每个像素中功率接线单元25、栅接线单元26和数据接线单元27相互垂直相交，但本实施方式并不仅限于此，可根据设计规则进行多种修改。
将参照图7和图8对根据本发明另一实施方式的顶部发光型的有机发光显示装置3进行说明。将重点对有机发光显示装置3与有机发光显示装置2的不同之处进行说明，与图4和图5中相同的元件由相同的参考标记表示。
图7为根据本发明另一实施方式的有机发光显示装置3的平面图，图8为沿图7中的线VIII-VIII所取的剖视图。
如图7和图8所示，有机发光显示装置3包括位于第一衬底110上的功率接线单元25、栅接线单元26和数据接线单元27，有机发光显示装置3还包括第一薄膜晶体管21、电容器22、第二薄膜晶体管23和有机发光装置24。
通过修改如下元件的光学性质获得光学性质修改层31、32、33、35、36和37：接线单元25、26和27、第一薄膜晶体管21的第一栅电极212、第二薄膜晶体管23的第二栅电极232、第一薄膜晶体管21的第一源电极213、第二薄膜晶体管23的第二源电极233、第一薄膜晶体管21的第一漏电极214、第二薄膜晶体管23的第二漏电极234，所获得的光学性质修改层31、32、33、35、36和37设置在接线单元25、26和27、第一薄膜晶体管21的第一栅电极212、第二薄膜晶体管23的第二栅电极232、第一薄膜晶体管21的第一源电极213、第二薄膜晶体管23的第二源电极233、第一薄膜晶体管21的第一漏电极214、第二薄膜晶体管23的第二漏电极234的上表面上。
此外，在示出的实施方式中，光学性质修改层34设置在像素电极241的上表面上。
在顶部发光型的有机发光显示装置3中，像素电极241为反射电极。因此，入射到有机发光显示装置3上的外部光线可被像素电极241的上表面反射，然后可与从有机发光层242发出的光共同发射。被像素电极241的上表面反射的外部光线会降低有机发光显示装置3的对比度。
然而，在图7和图8所示的有机发光显示装置3中，由于光学性质修改层34形成于作为反射电极的像素电极241的上表面上，其中光学性质修改层34的反射率低于像素电极241或光吸收率高于像素电极241，因此被像素电极241反射的外部光线的量可减少。
当然，与图4和图5类似，由于比接线单元25、26、27和电极212、213、214、232、233、234、221、222的反射率更低或光吸收率更高的光学性质修改层31、32、33、35、36和37分别形成在接线单元25、26、27和电极212、213、214、232、233、234、221、222的上表面上，因此，被接线单元25、26、27和电极212、213、214、232、233、234、221、222反射的外部光线的量可减少。
将参照图9至图11对根据本发明另一实施方式的顶部发光型的有机发光显示装置4进行说明。将重点对有机发光显示装置4与图7和图8所示的有机发光显示装置3的不同之处进行说明。与图7和图8中的相同元件由相同的参考标记表示。
图9为根据本发明另一实施方式的有机发光显示装置4的平面图。图10为透明干涉层60的剖视图。图11为第一至第三透明干涉层61、62、63的剖视图。
如图9所示，有机发光显示装置4包括位于第一衬底110上的功率接线单元25、栅接线单元26和数据接线单元27，有机发光显示装置4还包括第一薄膜晶体管21、电容器22、第二薄膜晶体管23和有机发光装置24。
通过修改如下元件的光学性质获得光学性质修改层31、32、33、34、35、36和37：接线单元25、26和27、第一薄膜晶体管21的第一栅电极212、第二薄膜晶体管23的第二栅电极232、第一薄膜晶体管21的第一源电极213、第二薄膜晶体管23的第二源电极233、第一薄膜晶体管21的第一漏电极214、第二薄膜晶体管23的第二漏电极234以及像素电极241，光学性质修改层31、32、33、34、35、36和37分别设置在接线单元25、26和27、第一薄膜晶体管21的第一栅电极212、第二薄膜晶体管23的第二栅电极232、第一薄膜晶体管21的第一源电极213、第二薄膜晶体管23的第二源电极233、第一薄膜晶体管21的第一漏电极214、第二薄膜晶体管23的第二漏电极234以及像素电极241的上表面上。
此外，透明干涉层60设置在第二衬底50的表面上。
透明干涉层60设置在第二衬底50的表面上，第二衬底50为外部光线入射在其上的透明衬底。外部光线通过第二衬底50进入有机发光显示装置4，但一部分外部光线被第二衬底50的表面直接反射。因此，被第二衬底50的表面所反射的光线可与从有机发光层242发出的光一起进入观察者眼中，并会降低对比度。
然而，在图9至图11所示的有机发光显示装置4中，由于厚度与外部光线波长的1/4相对应的透明干涉层60设置在第二衬底50的表面上，所以衬底50的表面反射的外部光线的量可被减少。
参照图10，外部光线Li中的Lt部分从空气穿过透明干涉层60并入射在第二衬底50上，而外部光线Li中的Lr0部分被透明干涉层60的表面反射。而且，光线Li中的Lr0’部分被第二衬底50和透明干涉层60之间的交界面反射。在这种情况下，如果透明干涉层60的厚度‘d’对应于外部光线Li的波长λ的1/4，则被透明干涉层60反射的光线Lr0和被第二衬底50反射的光线Lr0’由于干涉被抵消，因此可减少在第二衬底50的表面上反射的外部光线的量。
在这种情况下，透明干涉层60的厚度‘d’可通过各种方式确定，例如，基于外部光线的波长、通过利用限定光的可见光谱的波长的算术平均值或限定外部光线的光谱的波长的算术平均值。
优选地，透明干涉层60的折射率n1介于空气的折射率n0＝1和第二衬底50的折射率n2之间。如果第二衬底50为折射率n2大约为1.5的普通玻璃，则在一个实施方式中，透明干涉层60的折射率n1可约为1.23，但很难找到具有适合折射率的材料。
在该实施方式中，透明干涉层60由折射率约为1.38的氟化镁形成。氟化镁具有高耐用性，并且易于通过物理汽相沉积(PVD)进行沉积。可替换地，透明干涉层60可由二氧化硅或任何具有较高折射率的各种透明材料形成。
在图11中，第一至第三透明干涉层61、62、63设置在第二衬底50的表面上。
如图11所示，外部光线Li中的Lt部分从空气穿过第一至第三透明干涉层61、62、63，并入射在第二衬底50上。越靠近第二衬底50设置的透明干涉层，其折射率越高。在示出的实施方式中，透明干涉层63的折射率n13高于透明干涉层61的折射率n11和透明干涉层62的折射率n12，透明干涉层62的折射率n12高于透明干涉层61的折射率n11。这可以被表示为n11＜n12＜n13。
外部光线Li中的Lr1部分被第一透明干涉层61反射，光线Lt中的Lr1’部分在第二透明干涉层62与第一透明干涉层61之间的交界处被反射。在这种情况下，如果第一透明干涉层61的厚度d1对应于外部光线Li的波长λ的1/4，则被第一透明干涉层61反射的光Lr1和在第二透明干涉层62与第一透明干涉层61之间的交界处反射的光Lr1’由于干涉而抵消。
外部光线Li中的Lr2部分被第二透明干涉层62反射，光线Lt中的Lr2’部分在第三透明干涉层63与第二透明干涉层62之间的交界处反射。在这种情况下，如果第二透明干涉层62的厚度d2对应于外部光线Li的波长λ的1/4，则被第二透明干涉层62反射的光Lr2和在第三透明干涉层63与第二透明干涉层62之间的交界处反射的光Lr2’由于干涉而抵消。
外部光线Li中的Lr3部分被第三透明干涉层63反射，光线Lt中的Lr3’部分在第二衬底50与第三透明干涉层63之间的交界处反射。在这种情况下，如果第三透明干涉层63的厚度d3对应于外部光线Li的波长λ的1/4，则被第三透明干涉层63反射的光Lr3和在第二衬底50与第三透明干涉层63之间的交界处反射的光Lr3’由于干涉而抵消。因此，所反射的外部光线的量被减少，从而改善了对比度。
将参照图12对根据本发明另一实施方式的有机发光显示装置5进行说明。将重点对有机发光显示装置5与图9至图11中所示的有机发光显示装置4的不同之处进行说明，与图9至图11中相同的元件由相同的参考标记表示。
图12为根据本发明另一实施方式的底部发光型的有机发光显示装置5的剖视图。
如图12所示，有机发光显示装置5包括位于第一衬底110上的功率接线单元25、栅接线单元26和数据接线单元27，有机发光显示装置5还包括第一薄膜晶体管21、电容器22、第二薄膜晶体管23和有机发光装置24。
由于有机发光显示装置5为底部发光型，光线从有机发光层242朝向第一衬底110发射，所以第一衬底110为透明衬底。公共电极243为反射电极，像素电极241为透明电极。
通过第一衬底110进入有机发光显示装置5的外部光线可被具有高反射率的电极和接线单元反射，然后可与从有机发光层242发出的光共同发射，从而降低了对比度。
因此，在有机发光显示装置5中，由于通过改变如下元件的光学性质获得光学性质修改层41、42、43、45、46、47：接线单元25、26和27、第一薄膜晶体管21的第一栅电极212、第二薄膜晶体管23的第二栅电极232、第一薄膜晶体管21的第一源电极213、第二薄膜晶体管23的第二源电极233、第一薄膜晶体管21的第一漏电极214、第二薄膜晶体管23的第二漏电极234，光学性质修改层41、42、43、45、46、47设置在接线单元25、26和27、第一薄膜晶体管21的第一栅电极212、第二薄膜晶体管23的第二栅电极232、第一薄膜晶体管21的第一源电极213、第二薄膜晶体管23的第二源电极233、第一薄膜晶体管21的第一漏电极214、第二薄膜晶体管23的第二漏电极234的下表面上，所以由接线单元25、26和27以及电极212、213、214、232、233、234反射的外部光线的量可被减少。
此外，通过改变公共电极243的光学性质得到的光学性质修改层44形成在公共电极243的表面上，其为反射电极，面对有机发光层242。因此，由于光学性质修改层44的反射率低于公共电极243或光吸收率高于公共电极243，所以被作为反射电极的公共电极213反射的外部光线的量可被减少。虽然光学性质修改层44可形成在公共电极243的整个区域上，但光学性质修改层44也可形成在与形成有机发光层242的区域相对应的部分A上，如图12所示的那样。
此外，透明干涉层60设置在第一衬底110的表面上，其为外部光线入射在其上的透明衬底。透明干涉层60可降低第一衬底110的表面直接反射的外部光线的量，并可改善对比度。
如上所述，根据本发明的一个或多个实施方式的有机发光显示装置具有以下效果：
第一，由于光学性质修改层形成在电极和接线单元的表面上，所以可减少被电极和接线单元反射的外部光线的量，并可改善对比度。
第二，由于光学性质修改层形成在反射电极的表面上，所以可减少被反射电极反射的外部光线的量，并可使对比度的下降最小化。
第三，由于透明干涉层形成在有机发光显示装置的透明衬底上，所以可减少被透明衬底反射的外部光线的量，并可防止对比度降低。
虽然参照特定实施方式特别地示出并描述了本发明，但本领域技术人员将理解，在不背离权利要求书中限定的本发明的精神和范围的情况下，可对本发明进行形式和内容上的多种改变。
Claims (19)
1.一种有机发光显示装置，包括：
彼此面对的第一衬底和第二衬底；
有机发光装置，设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间，所述有机发光装置包括在每个像素中单独形成的像素电极、面对所述像素电极的公共电极以及设置在所述像素电极与所述公共电极之间的有机发光层；以及
电极单元和至少一个接线单元，设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间，所述电极单元包括至少一个薄膜晶体管的源电极、栅电极和漏电极以及至少一个电容器的电极，所述至少一个薄膜晶体管被配置为将发光信号传输至所述像素电极，
其中，在所述电极单元和所述接线单元中的至少一个的表面上形成光学性质修改层，所述光学性质修改层具有从所述电极单元和所述接线单元中的所述至少一个的光学性质修改的光学性质，
其中，所述光学性质修改层是通过向所述电极单元和所述接线单元中的所述至少一个的表面施加飞秒级激光束脉冲至少一次而形成。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述光学性质修改层的反射率低于所述电极单元和所述至少一个接线单元中的每个的反射率。
3.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述光学性质修改层的光吸收率高于所述电极单元和所述至少一个接线单元中的每个的光吸收率。
4.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述光学性质修改层通过选自由透射率、折射率、衍射率以及颜色构成的组中的至少一种光学性质区别于所述电极单元和所述接线单元中的所述至少一个。
5.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述光学性质修改层由飞秒级激光束脉冲修改的区域具有纳米级或微米级尺寸。
6.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述至少一个接线单元包括栅接线单元、数据接线单元和功率接线单元。
7.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，从所述有机发光层发出的光朝向所述第二衬底发射，
其中，所述光学性质修改层形成在所述电极单元和所述接线单元中的所述至少一个的、面对所述第二衬底的表面上，
其中，所述有机发光显示装置包括第二光学性质修改层，所述第二光学性质修改层具有从所述像素电极的光学性质修改的光学性质并且形成在所述像素电极靠近所述有机发光层的表面上。
8.如权利要求7所述的有机发光显示装置，其中，所述第二光学性质修改层的反射率低于所述像素电极的反射率。
9.如权利要求7所述的有机发光显示装置，其中，所述第二光学性质修改层的光吸收率高于所述像素电极的光吸收率。
10.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，从所述有机发光层发出的光朝向所述第一衬底发射，
其中，所述光学性质修改层形成在所述电极单元和所述接线单元中的所述至少一个的、面对所述第一衬底的表面上，
其中，所述有机发光显示装置包括第二光学性质修改层，所述第二光学性质修改层具有从所述公共电极的光学性质修改的光学性质并且形成在所述公共电极靠近所述有机发光层的表面上。
11.如权利要求10所述的有机发光显示装置，其中，所述第二光学性质修改层的反射率低于所述公共电极的反射率。
12.如权利要求10所述的有机发光显示装置，其中，所述第二光学性质修改层的光吸收率高于所述公共电极的光吸收率。
13.如权利要求10所述的有机发光显示装置，其中，所述第二光学性质修改层仅形成在与所述像素电极相对应的区域上。
14.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一衬底和所述第二衬底中的至少一个是透明衬底，
其中，所述有机发光显示装置还包括至少一个透明干涉层，所述至少一个透明干涉层设置在所述透明衬底的、外部光线入射的表面上。
15.如权利要求14所述的有机发光显示装置，其中，所述透明干涉层的厚度等于外部光线的波长的1/4。
16.如权利要求14所述的有机发光显示装置，其中，所述透明干涉层的折射率低于所述透明衬底的折射率。
17.如权利要求14所述的有机发光显示装置，其中，所述透明干涉层包括氟化镁、二氧化硅、或其组合。
18.如权利要求14所述的有机发光显示装置，其中，所述至少一个透明干涉层包括第一透明干涉层和第二透明干涉层，所述第二透明干涉层比所述第一透明干涉层更靠近所述透明衬底，并且所述第二透明干涉层的折射率高于所述第一透明干涉层的折射率。
19.如权利要求14所述的有机发光显示装置，其中，所述至少一个透明干涉层包括多个透明干涉层，每个透明干涉层的厚度均等于外部光线的波长的1/4。
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