JP6006611B2 - 半導体光変調素子 - Google Patents
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Description
図2(a)に、本発明の実施形態1に係るn−SI−n構造のDC電圧印加時のバンド構造を示し、図2(b)に、本発明の実施形態1に係るn−SI−n構造における電圧印加時の電界強度分布の周波数依存性を示す。このn−SI−n構造は、低い電子濃度の半導体コア層(例えば電子濃度が1×1015cm−3)に、1×104Ω・cm以上の抵抗値が確保される範囲において低濃度の電子トラップドーパント(例えば1×1016cm−3)をドーピングしたものである。
図6(a)に、本発明の実施形態2に係るn−SI−n構造のDC電圧印加時のバンド構造を示し、図6(b)に、本発明の実施形態2に係るn−SI−n構造における電圧印加時の電界強度分布の周波数依存性を示す。半導体コア層中に1×104Ω・cm以上の抵抗値が確保される電子トラップドーパント(例えば8×1016cm−3)に加えて、浅いドナーとして機能する不純物ドーパントを、それを単独でドープした場合の電子濃度が例えば2×1016cm−3となるドープ量でコドープした場合の図である。浅いドナーと深いアクセプターをコドープすることで実施形態1におけるn層からSI層への空乏層の広がりが抑制され、且つ耐圧が確保されることでDC電圧印加時においても一様な電界強度分布を得ることができる。
102、202、204、602、606 n型InPクラッド層
103、203 光電子伝搬路
104、205、603、607 n型InGaAs電極コンタクト層
105、206、608 接地電極
106、207、609 信号電極
107、210 MMIカプラ
604 コア層
605 SI層
Claims (6)
- 少なくとも1×104Ω・cm以上の抵抗値を有し、直流から10GHzの変調周波数範囲において、半導体コア層中心での電界強度が直流電圧印加時に最大となるように電子トラップのドーピング濃度が設定された半絶縁性コア層と、
前記半絶縁性コア層を挟み込むように配置された少なくとも導電性を有するn型半導体クラッド層と、
前記n型半導体クラッド層上に配置され、前記半絶縁性コア層を介して電気的に接続された第1の電極及び第2の電極と
を備え、前記半絶縁性コア層と前記n型半導体クラッド層とは、伝搬光の光強度分布曲線の半値全幅が規定される領域内に当該半絶縁性コア層の中心が含まれるように光を閉じ込めることを特徴とする半導体光変調素子。 - 少なくとも1×104Ω・cm以上の抵抗値を有し、ホールキャリア濃度が電子キャリア濃度の1000倍を超えない範囲で、浅いドナー及び電子トラップとして機能するドーパントをコドープされた半絶縁性コア層と、
前記半絶縁性コア層を挟み込むように配置された少なくとも導電性を有するn型半導体クラッド層と、
前記n型半導体クラッド層上に配置され、前記半絶縁性コア層を介して電気的に接続された第1の電極及び第2の電極と
を備え、前記半絶縁性コア層と前記n型半導体クラッド層とは、伝搬光の光強度分布曲線の半値全幅が規定される領域内に当該半絶縁性コア層の中心が含まれるように光を閉じ込めることを特徴とする半導体光変調素子。 - 前記半絶縁性コア層と前記n型半導体クラッド層とはマッハ・ツェンダー干渉型光伝搬路を構成し、且つ前記第1及び第2の電極のいずれかに電気信号を入力するプッシュ・プル光変調動作によって駆動することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体光変調素子。
- 前記第1及び第2の電極は、前記マッハ・ツェンダー干渉型光伝搬路の2つのアーム伝搬路の内側及び外側のクラッド層上にそれぞれ配置されたことを特徴とする請求項3に記載の半導体光変調素子。
- 前記第1及び第2の電極は、前記マッハ・ツェンダー干渉型光伝搬路の2つのアーム伝搬路上のクラッド層上にそれぞれ配置されたことを特徴とする請求項3に記載の半導体光変調素子。
- 前記第1の電極及び第2の電極と前記n型半導体クラッド層との間にコンタクト層を有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体光変調素子。
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