JP6004866B2 - 読出し回路及び半導体装置 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体記憶素子のデータを読出し且つ保持する読出し回路及び半導体装置に関し、より詳しくは静電気等のノイズによって保持したデータが反転したことを検出する機能を備えた読出し回路に関する。
図3に、従来の半導体記憶素子のデータを読み出す読出し回路の回路図を示す。従来の読出し回路は、第1のスイッチ32と、第2のスイッチ33と、ラッチ回路34と、を備えている。メモリ素子31は、例えば不揮発性の半導体メモリである。
第1のスイッチ32は、メモリ素子31と読出し端子OUTの間に接続され、制御信号Φ1で制御される。第2のスイッチ33は、読出し端子OUTと接地端子の間に接続され、制御信号Φ2で制御される。ラッチ回路34は、読出し端子OUTに接続される。
従来の読出し回路は、以下のようにしてメモリ素子31のデータを読出し端子OUTに読出し且つラッチ回路34にそのデータを保持する。
先ず、第2のスイッチ33によって、読出し端子OUTの電圧とラッチ回路34のデータが初期化される。次に、第1のスイッチ32が導通することにより、読出し端子OUTにメモリ素子31のデータが出力される。同時に、ラッチ回路34がメモリ素子31のデータを保持する。そして、第1のスイッチ32が遮断された後も、読出し端子OUTにメモリ素子31のデータが出力される(例えば、特許文献1参照)。
特開2010−192039号公報
しかしながら、従来の読出し回路では、ラッチ回路34がメモリ素子31のデータを保持した後に、静電気等のノイズによってデータが反転した場合に、それを検出する手段がなく、誤ったデータが読出し端子OUTから出力され続ける、という課題がある。
本発明は、以上のような課題を解決するために考案されたものであり、静電気等のノイズによってラッチ回路34のデータが反転した場合でも、誤ったデータが読出し端子OUTから出力され続けることがない読出し回路及び半導体装置を提供する。
本発明は上記課題を解決するために、読み出し回路を、読出し期間に第1のラッチ回路と第2のラッチ回路に相反するデータを保持するようにして、静電気などのノイズによってそのデータが同じ方向に反転することを利用して、保持したデータの異常を検出出来るように構成した。
本発明の読出し回路によれば、静電気などのノイズによってラッチ回路のデータが反転した場合でも、そのことを検出することが出来るので、誤ったデータが読出し端子OUTから出力され続けることがなく、信頼性の高い半導体装置を提供することが出来る。
本実施形態の読出し回路を示す回路図である。 本実施形態の読出し回路の動作を示すタイミングチャートである。 従来の読出し回路の回路図である。
図1は、本実施形態の読出し回路を示す回路図である。本実施形態の読出し回路1は、第1のラッチ回路11と、第2のラッチ回路12と、第1のスイッチ13と、第2のスイッチ14と、インバータ15a、15b、15cと、NOR回路16と、第3のスイッチ17と、第4のスイッチ18と、XNOR回路20と、を備えている。
第1のラッチ回路11は、第1ノードN1に接続される。第1のスイッチ13は、第1ノードN1と入力端子INの間に接続され、制御信号Φ1で制御される。第2のスイッチ14は、第1ノードN1と接地端子の間に接続され、制御信号Φ2で制御される。インバータ15aは、入力端子が第1ノードN1に接続される。インバータ15bは、入力端子にインバータ15aの出力端子が接続され、出力端子はラッチ回路11のデータを出力する出力端子OUTに接続される。NOR回路16は、一方の入力端子にインバータ15aの出力端子が接続され、他方の入力端子に制御信号Φ1が入力される。第3のスイッチ17は、第2ノードN2と電源端子の間に接続され、制御信号Φ2の反転した制御信号Φ2Xで制御される。第4のスイッチ18は、第2ノードN2と接地端子の間に接続され、NOR回路16の出力端子(第3ノードN3)の信号で制御される。インバータ15cは、入力端子が第2ノードN2に接続される。検出回路であるXNOR20は、一方の入力端子にインバータ15bの出力端子(第4ノードN4)が接続され、他方の入力端子にインバータ15cの出力端子が接続され、出力端子は検出端子DETに接続される。検出端子DETは、ラッチ回路のデータが異常になったことを示す検出信号を出力する端子である。
本実施形態の読出し回路1は、入力端子INに例えば不揮発性の半導体メモリが接続され、制御信号Φ1及びΦ2によってそのデータを第1のラッチ回路11及び第2のラッチ回路12に読み込み、出力端子OUTに接続された後段の回路にそのデータを出力する。また、読出し回路1は、第1のラッチ回路11に読み込まれたデータが静電気などのノイズによって反転したことを検出して、その検出信号を検出端子DETから後段の回路に出力する。ここで、検出信号はLowのときにラッチ回路のデータが異常になったことを示す。後段の回路は、信頼性のため定期的に、読出し回路1に半導体メモリのデータを読み出すように制御する。更に、後段の回路は、ラッチ回路のデータが異常になったことを検出端子DETの検出信号で検出すると、読出し回路1に半導体メモリのデータを読み出すように制御することが可能である。
図2は、本実施形態の読出し回路の動作を示すタイミングチャートである。
ここで、入力端子INにHighのデータが入力されている状態について、読出し回路の動作を説明する。
時間T0では、全ての信号は、前回の定期的な読出しの状態を維持している。時間T1から時間T4までが、定期的な読出しの期間である。そして、時間T5に半導体装置に静電気などのノイズが印加されて、第1のラッチ回路11のデータが反転した状態を示している。
時間T1になると、制御信号Φ1がHighになり、第2のスイッチ14がオンして第1ノードN1を初期化(Low)し、第1のラッチ回路11のデータもLowになる。第1ノードN1がLowになると、インバータ15aがHigh、インバータ15bがLowを出力して、出力端子OUTはLowを出力する。NOR回路16は、入力される制御信号Φ1とインバータ15aの出力信号がともにHighになるので、出力端子(第3ノードN3)にLowを出力する。従って、第4のスイッチ18はオフする。制御信号Φ2Xは、制御信号Φ2の反転信号であるためLowになり、第3のスイッチ17がオンして第2ノードN2を初期化(High)、第2のラッチ回路12のデータもHighになる。第2ノードN2がHighとなると、インバータ15cの出力(第4ノードN4)はLowになる。XNOR回路20は、出力端子OUTと第4ノードN4がともにLowになるので、出力端子からHighを出力し、検出端子DETの検出信号はHighを維持する。
時間T2にて、制御信号Φ2がLow、制御信号Φ2XがHighになると、第2のスイッチ14と第3のスイッチ17がオフする。第1のラッチ回路11によって、第1ノードN1はLowを保持する。また、第2のラッチ回路12によって、第2ノードN2はHighを保持する。
時間T3になると、制御信号Φ1がLowになり、第1のスイッチ13がオンして、読出し回路1は、入力端子INに接続される半導体メモリのデータを第1のラッチ回路11に読み出す。ここで、入力端子INの入力されているデータはHighなので、第1ノードN1はHighになり、第1のラッチ回路11のデータもHighになる。第1ノードN1がHighとなると、インバータ15aがLow、インバータ15bがHighを出力して、出力端子OUTはHighを出力する。NOR回路16は、入力される制御信号Φ1とインバータ15aの出力信号がともにLowになるので、出力端子(第3ノードN3)にHighを出力する。従って、第4のスイッチ18がオンして、第2ノードN2と第2のラッチ回路12のデータをLowにする。第2ノードN2がLowとなると、インバータ15cの出力(第4ノードN4)はHighになる。XNOR回路20は、出力端子OUTと第4ノードN4がともにHighになるので、出力端子からHighを出力し、検出端子DETの検出信号はHighを維持する。
時間T4になると、制御信号Φ1がHighになり、第1のスイッチ13がオフする。第1のラッチ回路11によって、第1ノードN1はHighを保持する。また、NOR回路16の出力はLowになるので、第4のスイッチ18はオフするが、第2のラッチ回路12によって、第2ノードN2はLowを保持する。
以上説明した時間T1から時間T4までが、読出し回路1の読出し期間の動作である。
時間T5において、静電気などのノイズが印加され、ラッチ回路のデータが反転したときの動作について説明する。
静電気などのノイズによって、第1のラッチ回路11と第2のラッチ回路12はデータが反転する可能性がある。ここで、第1のラッチ回路11と第2のラッチ回路12は同一の回路で構成しているので、データが反転するのであれば同じ値に反転する。従って、第1のラッチ回路11のデータがHighからLowに反転する場合は、第2のラッチ回路12のデータは、反転せずにLowを保持する。
第1のラッチ回路11のデータがLowに反転すると、インバータ15aがHigh、インバータ15bがLowを出力して、出力端子OUTは誤ったデータのLowを出力する。このとき、第2のラッチ回路12のデータはLowを保持しているので、第4ノードN4はHighである。XNOR回路20は、出力端子OUTのデータがLowで第4ノードN4がHighなので、出力端子からLowを出力し、検出端子DETの検出信号はLowになる。
以上説明したように本実施形態の読出し回路1は、ラッチ回路のデータが反転したことを検出して、検出端子DETの検出信号(Low)を出力することが可能である。従って、後段に接続された回路は、ラッチ回路の異常を検出することが出来るので、制御信号Φ1、Φ2を制御することによって、読出し回路1に半導体メモリのデータを読み出すように制御することが可能である。
なお、本実施形態では、入力端子INに入力されるデータがHighの場合を説明したが、データがLowあるいはHi−Zの場合であっても、読出し回路1は同様にラッチ回路の異常を検出することが出来る。
また、本実施形態の読出し回路1では、第1のラッチ回路11と第2のラッチ回路12は、静電気などのノイズで同じ方向に反転させるため、電源ラインを同一にしたり、隣接して配置したり、することが望ましい。また、ラッチ回路と各スイッチの構成や配置を同様にすることが望ましい。
また、本実施形態の読出し回路1の回路構成は一例であり、読出し期間に第1のラッチ回路11と第2のラッチ回路12に相反するデータを保持するようにして、静電気などのノイズによってそのデータが同じ方向に反転することを利用して保持したデータの異常を検出出来るように回路を構成すればよく、この回路構成に限定されものではない。
11、12 ラッチ回路
31 メモリ素子
34 ラッチ回路

Claims (3)

  1. 入力端子のデータを読み出す第1のスイッチと、
    前記第1のスイッチが読出したデータを保持する第1のラッチ回路と、
    前記第1のラッチ回路のデータを初期化する第2のスイッチと、
    前記第1のラッチ回路のデータを出力する出力端子と、
    前記第1のラッチ回路のデータを反転したデータを保持する第2のラッチ回路と、
    前記第1のラッチ回路のデータと前記第2のラッチ回路のデータのどちらが反転するデータ異常を検出する検出回路と、
    前記第1のラッチ回路の初期データを反転したデータに前記第2のラッチ回路を初期化する第3のスイッチと、
    前記第1のラッチ回路の保持したデータと前記第2のラッチ回路の初期データが同じ場合に、前記第2のラッチ回路のデータを反転する第4のスイッチと、を備えた読出し回路であって
    前記検出回路がデータ異常を検出すると、検出端子から検出信号を出力することを特徴とする読出し回路。
  2. 前記第1のラッチ回路と前記第2のラッチ回路は、電源ラインを同一にし、隣接して配置することを特徴とする請求項1に記載の読出し回路。
  3. 前記入力端子に接続されたメモリ素子と、
    前記メモリ素子から読出したデータを保持し、且つ前記保持したデータの異常を検出する請求項1または2に記載の読出し回路と、
    を備えた半導体装置。
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