JP6002782B2 - 赤外線センサ及びフォトカプラ - Google Patents

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Description

本発明は、赤外線センサ及びフォトカプラに関し、特に、赤外線センサの小型化を可能とした赤外線センサ及びフォトカプラに関する。
この種の従来技術としては、例えば特許文献1に開示されたものがある。かかる文献には、その図2に示されているように、赤外線のみを透過させる光学フィルタ付きのセンサ素子が、その受光面を除いて樹脂で覆われた構造の赤外線センサが開示されている。センサ素子は、赤外線によって光起電力効果を生じる量子型のフォトダイオードである。また、光学フィルタは、特定の波長の赤外線のみを透過させる機能を有する。
特開2010−133946号公報
ところで、特許文献1に開示されているように、センサ素子に光学フィルタを取り付け、これらをリードフレームの貫通した開口部内に配置して1パッケージ化する場合、リードフレームの開口部にはセンサ素子の厚さと光学フィルタの厚さ、及び、Au等からなるワイヤーのループ高さとを合計した大きさ以上の深さが必要とされる。即ち、図12に示すように、リードフレーム190の厚さ(=開口部191の深さ)をT´1とし、センサ素子195の厚さT´2とし、光学フィルタ196の厚さT´3と、センサ素子195とリードフレーム190を電気的に接続するワイヤー197のループ高さをT´4としたとき、T´1は下記の(1)式を満たす必要がある。
T´1>T´2+T´3+T´4…(1)
しかしながら、リードフレーム190を厚くすると開口部191の深さT´1だけでなく、開口部191の幅Wも広がってしまうため、赤外線センサを小型化することができない、という課題があった。
詳しく説明すると、図12に示すようなリードフレーム190の貫通した開口部191は、例えば、リードフレーム190を表面190a及び裏面190bの側からそれぞれエッチングすることにより形成することができる。このエッチングは等方性のウェットエッチングであり、リードフレーム190の深さ方向(Z方向)へのエッチングと同時に水平方向(X方向、Y方向)へのエッチングも進行する。このため、リードフレーム190の厚さが大きいほど、形成される開口部191の幅Wも大きくなってしまう。
また、このような開口部191を形成する他の方法として、金型を用いてリードフレーム190をパンチングする方法も考えられるが、この方法においても、リードフレーム190の厚さT´1よりも幅Wの小さい開口部を形成することはできない。
そこで、この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、赤外線センサの小型化を可能とした赤外線センサ及びフォトカプラの提供を目的とする
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る赤外線センサは、フィルタ部材と、センサ部材と、接続部材と、を備える赤外線センサであって、前記フィルタ部材は、第1のリード端子と、光学フィルタと、前記第1のリード端子と前記光学フィルタとをモールドする第1のモールド部材と、を備え、前記光学フィルタの光入射面と光出射面は、前記第1のモールド部材から露出しており、前記センサ部材は、赤外線センサ素子と、前記赤外線センサ素子と電気的に接続する第2のリード端子と、前記赤外線センサ素子と前記第2のリード端子とをモールドする第2のモールド部材と、を備え、前記赤外線センサ素子の受光面は、前記第2のモールド部材から露出しており、前記フィルタ部材は、前記光学フィルタの光出射面が前記センサ部材の前記赤外線センサ素子の受光面と対向するように前記センサ部材上に配置され、前記接続部材は、前記フィルタ部材と前記センサ部材との間に配置され、前記フィルタ部材の前記光学フィルタと前記センサ部材の前記赤外線センサ素子との間に、空洞部を有する。
また、上記の赤外線センサにおいて、前記第1のリード端子は、前記第1のモールド部材から露出しており、前記第2のリード端子は、前記第2のモールド部材から露出していてもよい。
また、上記の赤外線センサにおいて、前記フィルタ部材の側面のうち、前記光学フィルタの光出射面側の側面を第1の側面としたときに、前記第1のリード端子は、前記第1の側面で前記第1のモールド部材から露出していてもよい。
また、上記の赤外線センサにおいて、前記フィルタ部材の側面のうち、前記光学フィルタの光出射面側の側面を第1の側面としたときに、前記第1のリード端子は、前記第1の側面とは反対側の側面で前記第1のモールド部材から露出していてもよい。
また、上記の赤外線センサにおいて、前記フィルタ部材の側面のうち、前記光学フィルタの光出射面側の側面を第1の側面としたときに、前記第1のリード端子は、前記第1の側面と垂直に交わる側面で前記第1のモールド部材から露出していてもよい。
また、上記の赤外線センサにおいて、前記センサ部材の側面のうち、前記赤外線センサ素子の受光面側の側面を第2の側面としたときに、前記第2のリード端子は、前記第2の側面、前記第2の側面とは反対側の側面、前記第2の側面と垂直に交わる側面のうちの少なくとも1つの側面で前記第2のモールド部材から露出していてもよい。
また、上記の赤外線センサにおいて、前記フィルタ部材の前記第1のリード端子は、前記第1の側面で前記第1のモールド部材から露出しており、前記センサ部材の前記第2のリード端子は、前記第2の側面で前記第2のモールド部材から露出しており、前記接続部材は、前記第1の側面で露出している前記第1のリード端子と前記第2の側面で露出している前記第2のリード端子とを接続するようになっていてもよい。
また、上記の赤外線センサにおいて、前記接続部材は絶縁部材、又は導電性部材であってもよい。
た、上記の赤外線センサにおいて、前記光学フィルタは、前記第1のリード端子を構成する部材の間に配置され、前記赤外線センサ素子は、前記第2のリード端子を構成する部材の間に配置されていてもよい。
また、上記の赤外線センサにおいて、前記第1のリード端子と前記第2のリード端子は、同一の形状であってもよい。
また、上記の赤外線センサにおいて、前記第1のリード端子と前記第2のリード端子は、互いに対向する位置に配置されていてもよい。
本発明の一態様に係るフォトカプラは、上記の赤外線センサと、前記赤外線センサから離間して配置された発光装置と、を備え、前記発光装置の発光面と前記光学フィルタとが対向している。
本発明の一態様によれば、上記(1)式を満たすような厚いリードフレームを用いて、光学フィルタと赤外線センサ素子の両方を配置可能な深い開口部を形成する必要はない。例えば、光学フィルタを配置するための第1の開口部を第1のリードフレームに形成し、赤外線センサ素子を配置するための第2の開口部を第2のリードフレームに形成することで、開口部h1、h2の深さをそれぞれ小さくすることができ、深さに応じてその開口幅もそれぞれ小さくすることができる。これにより、従来技術と比べて、赤外線センサの小型化が可能となる。
第1実施形態に係るフォトカプラ100の構成例を示す図である。 IR受光装置20の構成例を示す図である。 フィルタ部材30の構成例を示す図である。 第1のリード端子31の構成例を示す図である。 センサ部材40の構成例を示す図である。 IR受光装置20の被接合面20cの構成例を示す図である。 フィルタ部材30の製造方法を示す図である。 センサ部材40の製造方法を示す図である。 フィルタ部材30とセンサ部材40の取付方法を示す図である。 第2実施形態に係るIR受光装置120の構成例を示す図である。 IR受光装置120の被接合面120cの構成例を示す図である。 課題を説明するための図である。
以下、本発明による実施形態を、図面を用いて説明する。なお、以下に説明する各図において、同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合もある。
<第1実施形態>
(1)フォトカプラの構成
図1(a)及び(b)は、本発明の第1実施形態に係るフォトカプラ100の構成例を示す斜視図である。なお、図1(b)では、フォトカプラ100の内部の構成例を示すために、筐体を取り外した状態を省略している。
図1(a)及び(b)に示すように、このフォトカプラ100は、例えば、配線基板1と、この配線基板1の表面1a上に接合された赤外線発光装置(以下、IR発光装置)10と、配線基板1の表面1a上であってIR発光装置10から離れた位置に接合された赤外線受光装置(以下、IR受光装置)20と、配線基板1の表面1a上に配置されて赤外線の発光、受光に関する信号処理を行う(例えば、IR発光装置10に制御信号を出力すると共に、IR受光装置から出力される電気信号を取得して、ガス等の検出処理を行う)大規模集積回路(以下、LSI)80と、配線基板1の表面1a上でIR発光装置10とIR受光装置20、LSI80を外側から囲む筐体90と、を備える。
ここで、IR発光装置10は赤外線を発光するものであり、例えばIR発光ダイオードや電球である(即ち、赤外線のみを発光するものでもよく、又は、赤外線とそれ以外の波長を含む光を発光するものでもよい。)。
また、IR受光装置20は赤外線を受光するセンサ装置であり、受光した赤外線を電気信号に変換し、変換した電気信号を出力するものである。このフォトカプラ100では、配線基板1の表面1a上において、IR発光装置10の発光面と、IR受光装置20の受光面(例えば、後述するフィルタ部材の光入射面)とが対向している。これにより、IR発光装置10の発光面から出力された赤外線は、フィルタ部材の光入射面に入射する。
また、筐体90は例えば遮光性の樹脂や金属で構成されており、その一部にガス流入用の開口部91が設けられている。遮光性の筐体90で囲まれることにより、フィルタ部材の光入射面にはIR発光装置10の発光面から出力された光のみが到達し、それ以外の光(即ち、筐体の外部からの光)は到達しないようになっている。このフォトカプラ100では、IR受光装置20のZ方向(即ち、厚み方向。光路に沿う方向でもある。)の寸法長をL1とし、IR受光装置20のY方向(即ち、高さ方向)の寸法長をH1としたとき、L1<H1となっており、IR受光装置20は縦方向実装型となっている。
縦方向実装型とは、換言すると、外形(パッケージ)が直方体であり、この直方体の6つの面のうちの最も面積が大きい第1の面が配線基板1の表面1aと直交し、且つ、この直方体の6つの面のうちの1つであって、第1の面よりも面積が小さい第2の面が配線基板1の表面1aに接合される形態のことである。本実施形態では、この「第2の面」が後述する被接合面20cであり、この被接合面からリード端子の側面が露出している。
そして、この露出した側面が複数の端子部として、配線基板1と電気的に接続(即ち、縦型実装接続)されている。これにより、配線基板1の表面1a上において、IR受光装置20の実装面積(即ち、フットプリント)の低減が図られている。
(2)IR受光装置の構成
図2はIR受光装置20の構成例を示す図である。詳しくは、図2(a)はIR受光装置20の正面図であり、図2(b)はA2−A´2断面図であり、図2(c)はIR受光装置20の背面図である。
図2(a)〜(c)に示すように、IR受光装置(赤外線センサの一例)20は、フィルタ部材30と、センサ部材40と、フィルタ部材30とセンサ部材40とを接続する接続部材と、を備える。フィルタ部材30は、光学フィルタ33、34の光出射面がセンサ部材40の赤外線センサ素子43、44の受光面と対向するようにセンサ部材30上に配置されている。即ち、フィルタ部材30とセンサ部材40は、接続部材を介して、その裏面を互いに接着させている。まず、フィルタ部材30について説明する。
(2.1)フィルタ部材の構成
図3はフィルタ部材30の構成例を示す図である。詳しくは、図3(a)はフィルタ部材30の正面図であり、図3(b)はA3−A´3断面図であり、図3(c)はフィルタ部材30の背面図である。
図3(a)〜(c)に示すように、フィルタ部材30は、第1のリード端子31と、第1のリード端子31同士の間に配置された(即ち、第1のリード端子31を構成する部材の間に配置された)2つの光学フィルタ33、34と、第1のリード端子31と光学フィルタ33の側面、及び光学フィルタ34の側面を覆ってモールドする第1のモールド部材35と、を有する。第1のリード端子31同士の間の領域を開口部h1とする。光学フィルタ33、34は開口部h1内にそれぞれ配置されている。この例では、光学フィルタ33、34の光の光入射面33a、34aと光出射面33b、34b及び、第1のリード端子31の側面の一部が第1のモールド部材35からそれぞれ露出している。
図4は第1のリード端子31の構成例を示す図である。詳しくは、図4(a)は第1のリード端子31の正面図であり、図4(b)はA4−A´4断面図であり、図4(c)はフィルタ部材30の背面図である。
図4(a)〜(c)に示すように、第1のリード端子31は、例えば、銅(Cu)板を、フォトリソグラフィ技術により、その表面31a及び裏面31bの側からそれぞれ選択的にエッチングし、ニッケル(Ni)−パラジウム(Pd)−金(Au)等のめっき(鍍金)処理を施すことにより形成したものである。貫通した2つの開口部h1は、例えば、銅(Cu)板を、表面31a及び裏面31bの両側からそれぞれエッチングすることにより形成される。また、第1のリード端子31は、表面31a又は裏面31bのそれぞれにおいて、ハーフエッチングされた領域(即ち、ハーフエッチング領域)と、エッチングされていない領域(即ち、非エッチング領域)とを有する。ハーフエッチング領域は第1のモールド部材35で覆われ、非エッチング領域は第1のモールド部材35から露出する。第1のリード端子31の両面ともエッチングされていない部分の厚さT1(後述するように、フィルタ部材の厚さに相当する。)は、例えば0.4mmである。
図3(a)〜(c)に戻って、光学フィルタ33、34は、所望の波長範囲の光を選択的に(即ち、透過率高く)透過させる機能を有するものである。光学フィルタ33、34は、例えば赤外線のみを透過する機能を有する。また、光学フィルタ33と、光学フィルタ34は、例えば、その光学上の特性が異なる。例えば、光学フィルタ33は第1の波長範囲(長波長)の赤外線を選択的に透過させるものであり、光学フィルタ34は第2の波長範囲(短波長)の赤外線を選択的に透過させるものである。これにより、例えば、光学フィルタ33を通して赤外線を受光するIR受光素子から出力される電気信号と、光学フィルタ34を通して赤外線を受光するIR受光素子から出力される電気信号とに基づいて、入射してくる光の強度と、その波長範囲を特定することが可能となる。
光学フィルタ33、34を構成する光学部材の材料としては、シリコン(Si)、硝子(SiO)、サファイヤ(Al)、Ge、ZnS、ZnSe、CaF、BaFなどの所定の赤外線が透過する材料が用いられる。また、これら光学部材に蒸着される薄膜材料としては、シリコン(Si)、硝子(SiO)、サファイヤ(Al)、Ge、ZnS、TiO、MgF、SiO、ZrO、Taなどが用いられる。また、光学部材上に異なる屈折率を有する誘電体を層状に積層した誘電体多層膜フィルタは、表面、裏面異なる所定の厚み構成で両面に作られていてもよいし、また、片面のみに形成されていてもよい。また、不要な反射を防止する目的で反射防止膜が表面、裏面の両面、又は片面の最表層に形成されていても構わない。
第1のモールド部材35は、例えばエポキシ系の熱硬化型樹脂からなり、リフロー時の高熱に耐えられるようになっている。第1のモールド部材35の外形及びその大きさ、即ち、フィルタ部材30のパッケージ形状とその大きさは、例えば直方体であり、縦L1:横W1:厚さT1=4.5mm:1.15mm:0.4mmである。
フィルタ部材30の側面のうち、光学フィルタの光出射面33b、34b側の側面を第1の側面30bとし、フィルタ部材30の側面のうち、第1の側面30bと垂直に交わる側面を第3の側面30cとしたときに、第1のリード端子31は、第1の側面30b、第1の側面30bとは反対側の側面30a、第3の側面30cのそれぞれで第1のモールド部材35から露出している。これにより、第1の側面30b、第1の側面とは反対側の側面30a、第3の側面30cのそれぞれから通電や電気信号の取得が可能となる。
光学フィルタ33、34はフィルタ部材30の第1の側面30b及び第1の側面とは反対側の側面30aで第1のモールド部材35から露出している。これにより、光学フィルタ33、34を通過する光が第1のモールド部材35により吸収されることを防ぐことができる。
(2.2)センサ部材の構成
図5はセンサ部材40の構成例を示す図である。詳しくは、図5(a)はセンサ部材40の正面図であり、図5(b)はA5−A´5断面図であり、図5(c)はセンサ部材40の背面図である。
図5(a)〜(c)に示すように、センサ部材40は、第2のリード端子41と、第2のリード端子41同士の間に配置された(即ち、第2のリード端子41を構成する部材の間に配置された)2つのIRセンサ素子43、44と、IRセンサ素子43、44と第2のリード端子41とを電気的に接続する金(Au)等からなるワイヤー45と、第2のリード端子41とIRセンサ素子43、44及びワイヤー45を覆う第2のモールド部材46と、を有する。第2のリード端子41同士の間の領域を開口部h2とする。IRセンサ素子43、44は開口部h2内にそれぞれ配置されている。
IRセンサ素子43、44の受光面(即ち、裏面)43b、44bと、第2のリード端子41の側面の一部及び裏面41bの一部は、第2のモールド部材46からそれぞれ露出している。また、IRセンサ素子43、44の表面43a、44aは、第2のモールド部材46で被われており、第2のリード端子41の表面41aは、第2のモールド部材46から露出している。
第2のリード端子41は、例えば、第1のリード端子31と同一の形状で、且つ同一の大きさを有し、同一の材料からなる。この第2のリード端子41も、第1のリード端子31と同様に、フォトリソグラフィ技術により選択的にエッチングし、めっき(鍍金)処理を施すことにより形成したものである。
IRセンサ素子43、44は、赤外線を検出するセンサ素子であり、赤外線を透過する光透過基板と、この光透過基板の表面側に形成された受光部と、を備える。光透過基板としては、GaAs基板が用いられる。また、GaAs基板の他に、例えば、Si、InAs、InP、GaP、Geなどの半導体基板、若しくは、GaN、AlN、サファイヤ基板、ガラス基板などの基板が用いられる。このような基板を光透過基板として用いることにより、赤外線等の特定波長の光を、IRセンサ素子43、44の裏面(即ち、受光面)43b、44bから表面43a、44a側へ効率的に透過させることができる。
第2のモールド部材46は、例えばエポキシ系の熱硬化型樹脂からなり、リフロー時の高熱に耐えられるようになっている。第2のモールド部材46の外形及びその大きさ、即ち、センサ部材40のパッケージ形状とその大きさは、例えばフィルタ部材30と同じである。例えば、センサ部材40のパッケージ形状とその大きさは、例えば直方体であり、縦L2:横W2:厚さT2=4.5mm:1.15mm:0.4mmである。
第1のモールド部材35と第2のモールド部材46は同じモールド樹脂であってもよいし、異なるモールド樹脂であってもよいが、製造容易性の観点から第1のモールド部材35と第2のモールド部材46は同じモールド樹脂であることが好ましい。
センサ部材40の側面うち、IRセンサ素子43、44の受光面43b、44b側の側面を第2の側面40bとして、第2の側面40bと垂直に交わる側面を第4の側面40cとしたときに、第2のリード端子41は、第2の側面40b、第2の側面40bとは反対側の側面40a、第4の側面40cのそれぞれで第2のモールド部材46から露出している。これにより、第2の側面40b、第2の側面40bとは反対側の側面40a、第4の側面40cのそれぞれから通電や電気信号の取得が可能となる。
IRセンサ素子43、44の受光面はセンサ部材40の第2の側面40bで第2のモールド部材46から露出している。これにより、IRセンサ素子43、44の受光面に入射する光が第2のモールド部材46により吸収されることを防ぐことができる。
(2.3)接続部材
接続部材は、フィルタ部材30の第1の側面から露出している第1のリード端子31とセンサ部材40の第2の側面から露出している第2のリード端子41とを接続する。第1のリード端子31と第2のリード端子41は互いに対向する位置に配置され、この状態で接続部材により接続される。接続部材に特に限定はなく、絶縁性を有する粘着剤や絶縁性を有する接着剤であってもよいし、導電性を有する粘着剤又は導電性を有する接着剤であってもよい。接続部材は、例えば絶縁ペースト(一例として、熱硬化性のエポキシ樹脂)であってもよい。
(2.4)IR受光装置の被接合面
図6(a)〜(d)は、IR受光装置20の被接合面20cの構成例を示す図である。図6(a)〜(d)に示すように、IR受光装置20では、4つの側面のうちの一つの側面が配線基板1の表面1a上に接合される被接合面20cとなる。
フィルタ部材30が有する側面のうち、フィルタ部材30とセンサ部材40との接合面に対し垂直に交わる側面を側面31cとする。第1のリード端子31は、フィルタ部材30の側面31cで第1のモールド部材35から露出している。センサ部材40が有する側面のうち、フィルタ部材30とセンサ部材40との接合面に対し垂直に交わる側面を側面41cとする。第2のリード端子41は、センサ部材40の側面41cで第2のモールド部材46から露出している。フィルタ部材30をセンサ部材40に取り付けた状態で、第1のリード端子31の側面31cと、第2のリード端子41の側面41cは、同一の方向を向いており、被接合面20cで並んで配置されている。
これにより、側面31c、41cは、配線基板1に対して例えばハンダ22で接合され、側面31cと接する面31aと、側面41cと接する面41aは、ハンダ22がフィレット状(即ち、はみ出した状態)に接合される接合部として機能する。また、第2のリード端子41の側面41cはワイヤー45を介してIRセンサ素子43、44とそれぞれ電気的に接続しているため、外部接続用端子部としても機能する。
また、第1のリード端子31の接合部として機能する側面31cと側面31cと接する面31aと、第2のリード端子41の接合部であり、且つ外部接続用端子部としても機能する側面41cと側面41cと接する面41aとは、例えば、被接合面20cの中心線Lを軸に、被接合面20cの一方の側と他方の側とでそれぞれ対称となるように配置されている。即ち、側面31cと側面31cと接する面31aの形状と大きさ及びその配置と、側面41cと側面41cと接する面41aとの形状と大きさ及びその配置は、例えば、被接合面20cの中心線(即ち、フィルタ部材30とセンサ部材40の境界)Lを軸に、左右対称に配置されている。
(3)IR受光装置の製造方法
IR受光装置20の製造工程は、フィルタ部材30の製造工程と、センサ部材40の製造工程と、フィルタ部材40をセンサ部材30上に配置する配置工程と、に区分される。フィルタ部材30の製造工程は、センサ部材40の製造工程と前後して、又は並行して行う。ここでは、まず、フィルタ部材30の製造工程について説明し、次に、センサ部材40の製造工程について説明し、その後、両部材の配置工程について説明する。
(3.1)フィルタ部材の製造工程
図7(a)〜(e)は、フィルタ部材30の製造方法を示す工程図である。
図7(a)に示すように、まず始めに、耐熱性の粘着シート51を用意する。次に、この粘着シート51の粘着層に、Ni/Pd/Auを外装めっきした第1のリードフレーム231の裏面231bを貼付する。この第1のリードフレーム231は、第1のリード端子31となる部分と開口部h1を有する一枚の金属薄板である。この第1のリードフレーム231のうち、第1のリード端子31となる部分は、表面及び裏面の側からそれぞれ選択的にエッチングされており、ニッケル(Ni)−パラジウム(Pd)−金(Au)等のめっき(鍍金)処理が施されている。開口部h1は、第1のリードフレーム231の表面及び裏面をそれぞれエッチングすることにより形成される。
なお、粘着シート51としては、粘着性を有すると共に、耐熱性を有する樹脂製のテープが用いられる。粘着性については、粘着層の糊厚がより薄い方が好ましい。また、耐熱性については、約150℃〜200℃の温度に耐えることが必要とされる。このような粘着シート51として、例えばポリイミドテープを用いていることができる。ポリイミドテープは、約280℃に耐える耐熱性を有している。このような高い耐熱性を有するポリイミドテープは、後のトランスファーモールドや、ワイヤーボンディング時に加わる高熱にも耐えることが可能である。
また、粘着シート51としては、ポリイミドテープの他に、以下のテープを用いることも可能である。
・ポリエステルテープ 耐熱温度、約130℃(但し使用条件次第で耐熱温度は約200℃にまで達する)。
・テフロン(登録商標)テープ 耐熱温度:約180℃
・PPS(ポリフェニレンサルファイド) 耐熱温度:約160℃
・ガラスクロス 耐熱温度:約200℃
・ノーメックペーパー 耐熱温度:約150〜200℃
・他に、アラミド、クレープ紙が粘着シート51として利用し得る。
次に、図7(b)に示すように、第1のリードフレーム231が有する貫通した開口部h1内に光学フィルタ33、34を配置して、例えばその裏面(即ち、光出射面)33b、34bを粘着シート51の粘着層に貼付する。なお、光学フィルタ33、34の表面(即ち、光入射面)33a、34aや裏面(即ち、光出射面)33b、34bには、予め、図示しない保護膜を貼付してもよい。
次に、図7(c)に示すように、第1のリードフレーム231の表面231a側に上金型55を配置すると共に、第1のリードフレーム231の裏面231b側に下金型57を配置する。そして、上金型55と下金型57とにより第1のリードフレーム231を挟み込み、上金型55と下金型57とに挟まれた空間にサイドから溶融したエポキシ樹脂等を注入し、充填する。これにより、第1のモールド部材35を形成する。即ち、上金型55及び下金型57に挟まれた第1のリードフレーム231と光学フィルタ33、34との間に第1のモールド部材35を充填して、第1のリードフレーム231と光学フィルタ33、34とをモールドする。
また、この第1のモールド部材35の形成工程では、第1のリードフレーム231の表面231a側のハーフエッチングされていない領域(即ち、非エッチング領域)と上金型55とがフッ素樹脂製シート59を介して隙間無く接触し、且つ、第1のリードフレーム231の裏面231b側の非エッチング領域と下金型57とが粘着シート51を介して隙間無く接触した状態で、エポキシ樹脂等を注入し、充填する。これにより、第1のモールド部材35の形成後は、第1のリードフレーム231の表面231a及び裏面231bの各非エッチング領域と、光学フィルタ33、34の各表面33a、34aと各裏面33b、34bは、それぞれ第1のモールド部材35から露出した状態となる。
次に、上金型55及び下金型57をそれぞれ上方向及び下方向に移動させて、図7(d)に示すように、第1のモールド部材35が形成された第1のリードフレーム231を両金型間から取り出す。即ち、第1のリードフレーム231、光学フィルタ33、34及び第1のモールド部材35から、上金型55及び下金型57を取り外す。そして、第1のリードフレーム231の裏面231b側から粘着シート51を除去する。粘着シート51の除去後、第1のモールド部材35をより硬化させるためのポストキュアと、第1のモールド部材35による薄バリを完全に除去するのに必要ならばウェットブラストを施し、さらに、光学フィルタ33、34の表面33a、34aや裏面33b、34bに図示しない保護膜が形成されている場合は、当該保護膜を除去する。これにより、複数個のフィルタ部材30が連なったフィルタ部材230が完成する。
その後、フィルタ部材230を図示しないダイシングテープに貼付し、ダイシング装置によりダイシングして、図示したようなカーフ幅で切断する。これにより、図7(e)に示すように、フィルタ部材230は個々の製品に切り離され、図6に示した個片化したフィルタ部材30が完成する。
(3.2)センサ部材の製造工程
図8(a)〜(e)は、センサ部材40の製造方法を示す工程図である。 図8(a)に示すように、まず始めに、耐熱性の粘着シート61を用意する。次に、この粘着シート61の粘着層に、Ni/Pd/Auを外装めっきした第2のリードフレーム241の裏面241bを貼付する。この第2のリードフレーム241は、第2のリード端子41となる部分と開口部h2を有する一枚の金属薄板である。この第2のリードフレーム241のうち、第2のリード端子41となる部分は、表面及び裏面の側からそれぞれ選択的にエッチングされており、ニッケル(Ni)−パラジウム(Pd)−金(Au)等のめっき(鍍金)処理が施されている。開口部h2は、第2のリードフレーム241の表面及び裏面をそれぞれエッチングすることにより形成される。なお、粘着シート61としては、上記の粘着シート51と同様のテープを用いることができる。
次に、図8(b)に示すように、第2のリードフレーム241が有する貫通した開口部h2内にIRセンサ素子43、44を配置して、IRセンサ素子43、44の裏面(即ち、受光面)43b、44bを粘着シート61の粘着層に貼付する。
次に、図8(c)に示すように、IRセンサ素子43、44と第2のリードフレーム241をワイヤー45で電気的に接続する。なお、IRセンサ素子43、44と第2のリードフレーム241との接続は、第2のリードフレーム241の端子部からIRセンサ素子43、44のパッド電極に向かってワイヤー45を伸ばすこと(つまり、IRセンサ素子43、44から見て逆ボンディング)によって行うことが好ましい。IRセンサ素子43、44のパッド電極よりもリードフレーム41の端子部の方が低い位置にあるため、ボンディング後のワイヤー45の高さを低くすることができる。
次に、図8(d)に示すように、第2のリードフレーム241の表面241a側に上金型65を配置すると共に、第2のリードフレーム241の裏面241b側に下金型67を配置する。そして、上金型65と下金型67とにより第2のリードフレーム241を挟み込み、上金型65と下金型67とに挟まれた空間内にサイドから溶融したエポキシ樹脂等を注入し、充填する。これにより、第2のモールド部材46を形成する。なお、第2のモールド部材46の材料としては、上記の第1のモールド部材35と同様の材料を用いることができる。
次に、上金型65及び下金型67をそれぞれ上方向及び下方向に移動させて、図8(e)に示すように、第2のモールド部材46が形成された第2のリードフレーム241を両金型間から取り出す。そして、第2のリードフレーム241の裏面241b側から粘着シート61を除去する。粘着シート61の除去後、第2のモールド部材46をより硬化させるためのポストキュアと、第1のモールド部材35による薄バリを完全に除去するのに必要ならばウェットブラストを施す。これにより、複数個のセンサ部材40が連なったセンサ部材240が完成する。
その後、センサ部材240をダイシングテープに貼付し、ダイシング装置によりダイシングして、図示したようなカーフ幅で切断する。これにより、図8(f)に示すように、センサ部材240は個々の製品に切り離されて、図5に示した個片化されたセンサ部材40が完成する。
(3.3)配置工程
図9(a)〜(c)は、フィルタ部材30とセンサ部材40の取付方法を示す工程図である。図9(a)に示すように、まず、フィルタ部材30を用意する。次に、図9(b)に示すように、フィルタ部材30の裏面側に接続部材を塗布する。本実施形態では接続部材として絶縁ペースト71を用いる。絶縁ペースト71を塗布する領域は光学フィルタ33、34以外の領域であればよく、例えば、第1のリード端子31の第1のモールド部材35から露出している裏面31b上に絶縁ペースト71を塗布する。光学フィルタ33、34上には絶縁ペースト71を塗布しない。また、絶縁ペースト71は例えばエポキシ樹脂であり、その塗布はディスペンサ又はスタンプを用いて行う。
次に、図9(c)に示すように、絶縁ペースト71が塗布されたフィルタ部材30の裏面側に、センサ部材40の裏面側を接触させ、例えば熱処理を施して絶縁ペースト71を硬化させる。このようにフィルタ部材30をセンサ部材40に取り付けて、図2(a)〜(c)に示したIR受光装置20を完成させる。
なお、上記では、個片化されたフィルタ部材30と個片化されたセンサ部材40とを絶縁ペースト71等の接続部材で接続することでIR受光装置20(赤外線センサ)を製造しているが、複数個のフィルタ部材30が連なったフィルタ部材230と、複数個のセンサ部材40が連なったセンサ部材240とを絶縁ペースト71等の接続部材で接続し、接続後のフィルタ部材230及びセンサ部材240をダイシングすることでIR受光装置20(赤外線センサ)を製造してもよい。また、接続部材は導電性の接着剤でもよい。接続部材を導電性の接着剤にすることにより、フィルタ部材側から赤外線センサ素子の出力信号を取得することが可能となる。
ところで、IR受光装置20(赤外線センサ)は、フィルタ部材30とセンサ部材40とを接着部材で接着することにより形成されているので、IR受光装置20のフィルタ部材30とセンサ部材40との間には空洞部92が存在している。以下、この空洞部92を有することのメリットについて説明する。
フィルタ部材30又はセンサ部材40に接続部材を塗布する場合、接続部材中に空気が含まれないように接続部材を塗布することが好ましい。しかし、接続部材の塗布工程で接続部材中に空気が含まれてしまうことがある。空気を含んだ接続部材が高温にさらされると、接続部材中に含まれる空気が膨張し、これが原因で、接続部材が剥がれたり、赤外線センサ自体が壊れてしまうことがある。フィルタ部材30とセンサ部材40との間に空気が抜ける空洞部92があると、接続部材中に含まれる空気が空洞部92を通って外部に抜けるため、接続部材の剥離や赤外線センサの破壊が極めて少なくなる。
この第1実施形態では、開口部h1が第1の開口部に対応し、開口部h2が第2の開口部に対応している。また、IRセンサ素子43、44が赤外線センサ素子に対応し、ワイヤー45が導電部材に対応している。さらに、粘着シート51が基材に対応している。また、上金型55及び下金型57が第1の型に対応し、上金型65及び下金型67が第2の型に対応している。そして、IR受光装置20が赤外線センサに対応している。
(4)第1実施形態の効果
本発明の第1実施形態は、以下の効果を奏する。
(4.1)図1(a)及び(b)に示したフォトカプラ100によれば、IRセンサ素子43から出力される電気信号と、IRセンサ素子44から出力される電気信号とに基づいて、入射してくる光の強度と、その波長範囲を特定することが可能となる。例えばCOなど、特定のガス雰囲気中に照射された赤外線は、そのガス種やその濃度に応じて特定の波長成分が定量的に吸収される。このため、発光装置10から照射されて、IR受光装置20に入射してくる光の強度と、その波長範囲を特定することによって、光路上に存在するガス種やその濃度を検出することができる。従って、フォトカプラ100は、CO検知器など、特定のガスを検出するガス検出器に極めて好適に用いることができる。
(4.2)また、上記(1)式を満たすような厚いリードフレームを用いて、光学フィルタとIRセンサ素子の両方を配置可能な深い開口部を形成する必要はない。光学フィルタ33、34を配置するための開口部h1を第1のリードフレーム231に形成し、IRセンサ素子43、44を配置するための開口部h2を第2のリードフレーム241に形成することで、開口部h1、h2の深さをそれぞれ小さくすることができ、深さに応じてその開口幅もそれぞれ小さくすることができる。これにより、従来技術と比べて、IR受光装置の小型化が可能となる。
(4.3)また、フィルタ部材30をセンサ部材40に取り付けた状態で、第1のリード端子31の第1のモールド部材35から露出した側面31cと、第2のリード端子41の第2のモールド部材46から露出した側面41cは、同一の方向を向いている。これにより、IR受光装置20の被接合面20cにおいて、側面31c、41cをそれぞれ露出させることができ、側面31c、41cを配線基板1の表面1aにそれぞれハンダ付けすることができる。つまり、第1のリード端子31、第2のリード端子41の各側面31c、41cを、配線基板1に対する接合部として用いることができる。第1のリード端子31、第2のリード端子41がそれぞれ接合部を有することから、第1のリード端子31、第2のリード端子41の一方のみが接合部を有する場合と比べて、IR受光装置20と配線基板1との間の接合力を高めることができる。
(4.4)また、第2のリード端子41の側面41cは、ワイヤー45を介してIRセンサ素子43、44に接続している。これにより、特に側面41cは、単なる接合部ではなく、外部接続用端子部として用いることができる。
(4.5)また、第1のリード端子31、41の各側面31c、41cは、センサ部材40とフィルタ部材30との境界を軸に対称に配置されている。つまり、被接合面49において、側面31c、41cは上記境界を軸に左右対称に配置されている。これにより、ハンダの物性等に起因したモーメントの釣り合いを保つことが容易となり、例えばIR受光装置20が一方に傾いたり、倒れたり、或いは、いわゆるマンハッタン現象が発生したりすることを抑制することができる。
(4.6)また、第1のリード端子31と第2のリード端子41は、同一の形状で、且つ同一の大きさを有する。これにより、センサ部材40とフィルタ部材30との境界を軸に、第1のリード端子31、第2のリード端子41を完全に対称に配置することができる。ハンダの物性等に起因したモーメントの釣り合いを保つことがさらに容易となる。また、IR受光装置20を構成するリードフレームの種類を1種類にすることができ、第1のモールド部材35、第2のモールド部材46を形成する際に用いる金型を共通化することが可能となる。これにより、IR受光装置20の製造コストの低減に寄与することができる。
(4.7)また、上金型55と下金型57とを用いて(即ち、トランスファーモールド技術を用いて)、第1のモールド部材35を形成する。トランスファーモールド技術を使うことにより、第1のモールド部材35を予め設定した形状、大きさに精度良く形成することができる。また、粘着シート51とフッ素樹脂製シート59とを用いることにより、光学フィルタ33、34の光入射面33a、34aと光出射面33b、34bにエポキシ樹脂等が付着することを防ぐことができる。
(4.8)また、IR受光装置20を小型化することができるので、フォトカプラ100の小型化も可能となる。
(5)変形例
上記の第1実施形態では、フィルタ部材30とセンサ部材40との取り付けに、絶縁ペースト71を用いる場合について説明した。しかしながら、本実施形態では、絶縁ペースト71ではなく、導電ペースト(例えば、銀(Ag)ペースト)を用いてもよい。このような場合であっても、フィルタ部材30とセンサ部材40との裏面同士を接着することができる。また、導電ペーストのような導電性接着剤を用いることでフィルタ部材30側からIRセンサ素子43、44の出力信号を取得することが可能となる。
<第2実施形態>
上記の第1実施形態では、IR受光装置20が、2つの光学フィルタ33、34を有するフィルタ部材30と、2つのIRセンサ素子43、44を有するセンサ部材40とを備える場合について説明した。しかしながら、本発明において、フィルタ部材が有する光学フィルタの個数は2つに限定されない。フィルタ部材が有する光学フィルタの個数は1つ、又は3つ以上でもよい。同様に、センサ部材が有するIRセンサ素子の個数も2つに限定されない。センサ部材が有する光学フィルタの個数は1つ、又は3つ以上でもよい。
(1)IR受光装置の構成
図10は、本発明の第2実施形態に係るIR受光装置120の構成例を示す図である。詳しくは、図10(a)はIR受光装置120の正面図であり、図10(b)はA10−A´10断面図であり、図10(c)はIR受光装置120の背面図である。図10(a)〜(c)に示すように、IR受光装置120は、フィルタ部材130とセンサ部材140と、を備える。図示しないが、フィルタ部材130とセンサ部材140は、例えば絶縁性の接着剤により、その裏面を互いに接着させている。
フィルタ部材130は、第1のリード端子131と、第1のリード端子131同士の間に配置された光学フィルタ33と、第1のリード端子131と光学フィルタ33の各側面とを覆う第1のモールド部材35と、を有する。光学フィルタ33の光入射面33aと出射面及び、第1のリード端子131の側面の一部は、第1のモールド部材35からそれぞれ露出している。
センサ部材140は、第2のリード端子141と、第2のリード端子141同士の間に配置された1つのIRセンサ素子43と、IRセンサ素子43と第2のリード端子141とを電気的に接続するワイヤー45と、第2のリード端子141とIRセンサ素子43及びワイヤー45を覆う第2のモールド部材46と、を有する。IRセンサ素子43の受光面(即ち、裏面)と第2のリード端子141の側面の一部は、第2のモールド部材46からそれぞれ露出している。
図11(a)〜(d)は、IR受光装置120の被接合面120cの構成例を示す図である。図11(a)〜(d)に示すように、IR受光装置120においても、4つの側面のうちの一つの側面が配線基板1の表面1a上に接合される被接合面120cとなる。
例えば、フィルタ部材130を構成している第1のリード端子131は、第1のモールド部材35から露出した側面131cを有する。センサ部材140を構成している第2のリード端子141は、第2のモールド部材46から露出した側面141cを有する。フィルタ部材130をセンサ部材140に取り付けた状態で、第1のリード端子131の側面131cと、第2のリード端子141の側面141cは、同一の方向を向いており、被接合面120cで並んで配置されている。
これにより、側面131c、141cは、配線基板1に対して例えばハンダ22で接合される接合部として機能する。また、第2のリード端子141の側面141cはワイヤー45を介してIRセンサ素子43と電気的に接続しているため、外部接続用端子部としても機能する。
また、第1のリード端子131の接合部として機能する側面131cと、第2のリード端子141の接合部であり、且つ外部接続用端子部としても機能する側面141cは、例えば、被接合面120cの中心線L´を軸に、被接合面120cの一方の側と他方の側とでそれぞれ対称となるように配置されている。即ち、側面131cの形状と大きさ及びその配置と、側面141cの形状と大きさ及びその配置は、例えば、被接合面120cの中心線(即ち、フィルタ部材130とセンサ部材140の境界)L´を軸に、左右対称に配置されている。
(2)IR受光装置の製造方法
IR受光装置120の製造方法は、第1実施形態で説明したIR受光装置20の製造方法と同様である。この第2実施形態では、IR受光装置120が赤外線センサに対応している。
(3)第2実施形態の効果
本発明の第2実施形態によれば、第1実施形態の効果(4.2)〜(4.8)と同様の効果を奏する。また、図10(a)〜(c)に示したIR受光装置120は、例えばフォトカプラや、人感センサなどに用いることができる。
(4)変形例
第2実施形態においても、第1実施形態で説明した変形例を適用してよい。即ち、フィルタ部材130とセンサ部材140の取付には、絶縁ペーストを用いてもよいし、導電ペーストを用いてもよい。
<その他>
本発明は、以上に記載した各実施形態に限定されうるものではない。当業者の知識に基づいて各実施形態に設計の変更等を加えることが可能であり、そのような変更等を加えた態様も本発明の範囲に含まれる。
1 配線基板
1a (配線基板の)表面
10 IR発光装置
20、120 IR受光装置
20c 、120c (IR受光装置の)被接合面
22 ハンダ
30、130 フィルタ部材
30b フィルタ部材の第1の側面
30c フィルタ部材の第3の側面
31、131 第1のリード端子
41、141 第2のリードフレーム
231 第1のリードフレーム
241 第2のリードフレーム
31a、41a(リード端子の) 表面
31b、41b(リード端子の) 裏面
231a、241a(リードフレームの) 表面
231b、241b(リードフレームの) 裏面31c、41c、131c、141c (リード端子の)側面
33、34 光学フィルタ
33a、34a 表面(光入射面)
33b、34b 裏面(光出射面)
35、第1のモールド部材
46 第2のモールド部材
40、140 センサ部材
40b センサ部材の第2の側面
40c センサ部材の第4の側面
43、44 IRセンサ素子
43a、44a 表面
43b、44b 裏面(受光面)
45 ワイヤー
49 被接合面
51、61 粘着シート
55、65 上金型
57、67 下金型
59 フッ素樹脂製シート
71 絶縁ペースト
90 筐体
91 開口部
100 フォトカプラ
230 (複数個のフィルタ部材が連なった)フィルタ部材
240 (複数個のセンサ部材が連なった)センサ部材

Claims (13)

  1. フィルタ部材と、センサ部材と、接続部材と、を備える赤外線センサであって、
    前記フィルタ部材は、第1のリード端子と、光学フィルタと、前記第1のリード端子と前記光学フィルタとをモールドする第1のモールド部材と、を備え、前記光学フィルタの光入射面と光出射面は、前記第1のモールド部材から露出しており、
    前記センサ部材は、赤外線センサ素子と、前記赤外線センサ素子と電気的に接続する第2のリード端子と、前記赤外線センサ素子と前記第2のリード端子とをモールドする第2のモールド部材と、を備え、前記赤外線センサ素子の受光面は、前記第2のモールド部材から露出しており、
    前記フィルタ部材は、前記光学フィルタの光出射面が前記センサ部材の前記赤外線センサ素子の受光面と対向するように前記センサ部材上に配置され、
    前記接続部材は、前記フィルタ部材と前記センサ部材との間に配置され、
    前記フィルタ部材の前記光学フィルタと前記センサ部材の前記赤外線センサ素子との間に、空洞部を有する赤外線センサ。
  2. 前記第1のリード端子は、前記第1のモールド部材から露出しており、
    前記第2のリード端子は、前記第2のモールド部材から露出している請求項1に記載の赤外線センサ。
  3. 前記フィルタ部材の側面のうち、前記光学フィルタの光出射面側の側面を第1の側面としたときに、前記第1のリード端子は、前記第1の側面で前記第1のモールド部材から露出している請求項1又は請求項2に記載の赤外線センサ。
  4. 前記フィルタ部材の側面のうち、前記光学フィルタの光出射面側の側面を第1の側面としたときに、前記第1のリード端子は、前記第1の側面とは反対側の側面で前記第1のモールド部材から露出している請求項1から請求項3の何れか1項に記載の赤外線センサ。
  5. 前記フィルタ部材の側面のうち、前記光学フィルタの光出射面側の側面を第1の側面としたときに、前記第1のリード端子は、前記第1の側面と垂直に交わる側面で前記第1のモールド部材から露出している請求項1から請求項4の何れか1項に記載の赤外線センサ。
  6. 前記センサ部材の側面のうち、前記赤外線センサ素子の受光面側の側面を第2の側面としたときに、前記第2のリード端子は、前記第2の側面、前記第2の側面とは反対側の側面、前記第2の側面と垂直に交わる側面のうちの少なくとも1つの側面で前記第2のモールド部材から露出している請求項3から請求項5の何れか1項に記載の赤外線センサ。
  7. 前記フィルタ部材の前記第1のリード端子は、前記第1の側面で前記第1のモールド部材から露出しており、
    前記センサ部材の前記第2のリード端子は、前記第2の側面で前記第2のモールド部材から露出しており、
    前記接続部材は、前記第1の側面で露出している前記第1のリード端子と前記第2の側面で露出している前記第2のリード端子とを接続する請求項6に記載の赤外線センサ。
  8. 前記接続部材は絶縁部材、又は、導電性部材である請求項7に記載の赤外線センサ。
  9. 前記光学フィルタは、前記第1のリード端子を構成する部材の間に配置され、
    前記赤外線センサ素子は、前記第2のリード端子を構成する部材の間に配置される請求項1から請求項の何れか1項に記載の赤外線センサ。
  10. 前記第1のリード端子と前記第2のリード端子は、同一の形状である請求項1から請求項の何れか1項に記載の赤外線センサ。
  11. 前記第1のリード端子と前記第2のリード端子は、互いに対向する位置に配置される請求項1から請求項10の何れか1項に記載の赤外線センサ。
  12. 前記第1のリード端子と前記第2のリード端子が外部接続用端子部となる縦方向実装型である請求項1から請求項11の何れか1項に記載の赤外線センサ。
  13. 請求項1から請求項12の何れか1項に記載の赤外線センサと、
    前記赤外線センサから離間して配置された発光装置と、を備え、
    前記発光装置の発光面と前記光学フィルタとが対向しているフォトカプラ。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3081257B1 (fr) 2018-05-18 2020-07-31 St Microelectronics Grenoble 2 Circuit d'emission/reception optique
FR3081256B1 (fr) 2018-05-18 2020-07-31 St Microelectronics Grenoble 2 Circuit d'emission/reception optique
US11747273B2 (en) * 2020-09-28 2023-09-05 Asahi Kasei Microdevices Corporation Gas sensor

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011080772A (ja) * 2009-10-02 2011-04-21 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 赤外線センサ及びその製造方法
JP2012112728A (ja) * 2010-11-22 2012-06-14 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 光センサ装置及びその製造方法
JP2012199311A (ja) * 2011-03-18 2012-10-18 Asahi Kasei Electronics Co Ltd フォトカプラ
JP2012215445A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 赤外線センサ

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006194691A (ja) 2005-01-12 2006-07-27 Chugoku Electric Power Co Inc:The 樹木径測定器
US7262413B2 (en) * 2005-03-14 2007-08-28 Kauffman Christopher L Photoconductive bolometer infrared detector
CN102057495B (zh) * 2008-06-04 2013-10-09 旭化成微电子株式会社 量子型红外线传感器以及使用该量子型红外线传感器的量子型红外线气体浓度仪
JP5636557B2 (ja) 2008-10-31 2014-12-10 旭化成エレクトロニクス株式会社 赤外線センサの製造方法及び赤外線センサ並びに量子型赤外線ガス濃度計
CN101566502B (zh) * 2009-04-15 2011-11-16 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 热光型红外探测器及其制作方法
TWM426135U (en) * 2011-04-29 2012-04-01 Unimems Mfg Co Ltd Infrared thermal sensor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011080772A (ja) * 2009-10-02 2011-04-21 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 赤外線センサ及びその製造方法
JP2012112728A (ja) * 2010-11-22 2012-06-14 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 光センサ装置及びその製造方法
JP2012199311A (ja) * 2011-03-18 2012-10-18 Asahi Kasei Electronics Co Ltd フォトカプラ
JP2012215445A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 赤外線センサ

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