JP5991790B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
アッシャーの電極面積:4000cm2
プラズマのパワー:800W(パワー密度0.2W/cm2に相当)
RF周波数:13.56MHz
処理時間:1分
表1に示すように、比較例ではN/Ga比が0.82であった。これに対して、実施例1ではN/Ga比が0.48であった。このことから、酸素プラズマ処理により、キャップ層18のGaの組成比が大きくなったことが分かった。
バリア層 12
チャネル層 14
電子供給層 16
キャップ層 18
ソース電極 20
ドレイン電極 22
ゲート電極 24
導電層 26
SiN層 30,32,34
Claims (3)
- 窒化物半導体により形成されるチャネル層および電子供給層、ならびに窒化ガリウムにより形成されるキャップ層を順に形成する工程と、
前記キャップ層の表面にソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極とを形成した後、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記キャップ層の表面に、パワー密度が0.2〜0.3W/cm2である酸素プラズマ処理を行うことにより、当該酸素プラズマ処理前の前記キャップ層よりもガリウムの組成が大きい導電層を形成する工程と、
前記導電層の形成後のキャップ層の上面に絶縁膜を形成する工程と、
前記導電層上の前記絶縁膜の一部および前記絶縁膜の一部の下の前記導電層を除去して前記キャップ層の前記導電層下の部分を露出する工程と、
前記露出したキャップ層の前記導電層下の部分にゲート電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記酸素プラズマ処理を行う工程で供給されるガスは、酸素ガスのみであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記電子供給層は窒化アルミニウムガリウムにより形成され、前記チャネル層および前記キャップ層は窒化ガリウムにより形成されることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置の製造方法。
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