JP5983523B2 - Multilayer substrate, electronic device using the same, and method for manufacturing electronic device - Google Patents
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Description
本発明は、電子部品が搭載されるランドを含む内縁パターンおよび内縁パターンの周囲に形成された外縁パターンを有する多層基板およびこれを用いた電子装置、電子装置の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a multilayer substrate having an inner edge pattern including lands on which electronic components are mounted and an outer edge pattern formed around the inner edge pattern, an electronic device using the same, and a method of manufacturing the electronic device.
従来より、基板の一面側に電子部品が搭載された電子装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。具体的には、この電子装置では、基板の一面には、ランドを含む内縁パターンおよび外縁パターンが形成されており、内縁パターンの一部および外縁パターンはソルダーレジスト等の保護膜に覆われている。なお、外縁パターンは内縁パターンの周囲に形成され、内縁パターンの一部および外縁パターンはソルダーレジストとの密着性を向上させるため、ソルダーレジストとの接触面が荒らされている。そして、電子部品は、内縁パターンのうちのランド上にはんだ等を介して搭載されている。また、電子部品を含む基板の一面側は、内縁パターンが封止されるように、モールド樹脂によって封止されている。 Conventionally, an electronic device in which an electronic component is mounted on one side of a substrate has been proposed (see, for example, Patent Document 1). Specifically, in this electronic device, an inner edge pattern and an outer edge pattern including lands are formed on one surface of the substrate, and a part of the inner edge pattern and the outer edge pattern are covered with a protective film such as a solder resist. . The outer edge pattern is formed around the inner edge pattern, and a part of the inner edge pattern and the outer edge pattern improve the adhesion with the solder resist, so that the contact surface with the solder resist is roughened. The electronic component is mounted on the land in the inner edge pattern via solder or the like. In addition, one side of the substrate including the electronic component is sealed with a mold resin so that the inner edge pattern is sealed.
このような電子装置は、次のように製造される。すなわち、まず、基板の一面に内縁パターンおよび外縁パターンを形成し、ソルダーレジストに接触する(覆われる)内縁パターンの一部および外縁パターンの接触面を荒らす。そして、内縁パターンの一部および外縁パターンを覆う保護膜を形成する。次に、電子部品をランド上にはんだ等を介して搭載する。続いて、一面に凹部が形成された金型を用意し、電子部品および内縁パターンが凹部内に配置されるように、金型の一面を基板の一面側に圧接する。つまり、電子部品および内縁パターンが凹部内に配置されるように、金型の一面を外縁パターンを覆う保護膜に圧接する。その後、基板と金型の凹部との間の空間にモールド樹脂を充填することにより、電子部品および内縁パターンを含む基板の一面側が封止された上記電子装置が製造される。 Such an electronic device is manufactured as follows. That is, first, an inner edge pattern and an outer edge pattern are formed on one surface of the substrate, and a part of the inner edge pattern that contacts (covers) the solder resist and a contact surface of the outer edge pattern are roughened. Then, a protective film that covers a part of the inner edge pattern and the outer edge pattern is formed. Next, the electronic component is mounted on the land via solder or the like. Subsequently, a mold having a recess formed on one surface is prepared, and one surface of the mold is pressed against one surface of the substrate so that the electronic component and the inner edge pattern are disposed in the recess. That is, one surface of the mold is pressed against the protective film covering the outer edge pattern so that the electronic component and the inner edge pattern are disposed in the recess. Thereafter, the space between the substrate and the concave portion of the mold is filled with mold resin, whereby the electronic device in which one surface of the substrate including the electronic component and the inner edge pattern is sealed is manufactured.
しかしながら、このような電子装置の製造方法では、金型の一面を基板の一面側に圧接すると、保護膜に発生する応力によって当該保護膜にクラックが発生する可能性があるという問題がある。 However, in such a method for manufacturing an electronic device, there is a problem that when one surface of the mold is pressed against one surface of the substrate, cracks may occur in the protective film due to stress generated in the protective film.
本発明は上記点に鑑みて、保護膜にクラックが発生することを抑制できる多層基板およびこれを用いた電子装置、電子装置の製造方法を提供することを目的とする。 In view of the above points, an object of the present invention is to provide a multilayer substrate capable of suppressing the generation of cracks in a protective film, an electronic device using the same, and a method for manufacturing the electronic device.
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、表面(20a)を有するコア層(20)と、コア層の表面に形成された内層配線(51)と、コア層の表面に内層配線を覆う状態で配置されたビルドアップ層(30)と、ビルドアップ層のうちコア層と反対側の一面(30a)に形成され、電子部品(121〜123)が搭載されるランド(61)を有し、電子部品と共にモールド樹脂(150)で封止される内縁パターン(61、62)と、ビルドアップ層の一面のうち内縁パターンが形成される部分の周囲に形成され、モールド樹脂(150)から露出する外縁パターン(63、65)と、内縁パターンの一部および外縁パターンを覆う保護膜(110)とを備え、外縁パターンは、側面(63b)を有する板状とされ、内縁パターンのうち保護膜で覆われる部分の表面粗さよりも少なくとも側面の表面粗さが小さくされていることを特徴としている。 In order to achieve the above object, in the invention according to claim 1, the core layer (20) having the surface (20a), the inner layer wiring (51) formed on the surface of the core layer, and the inner layer on the surface of the core layer. A buildup layer (30) arranged in a state of covering the wiring, and a land (61) formed on one surface (30a) on the opposite side of the core layer of the buildup layer, on which electronic components (121 to 123) are mounted An inner edge pattern (61, 62) sealed with a mold resin (150) together with an electronic component, and a mold resin (150). ), And a protective film (110) that covers a part of the inner edge pattern and the outer edge pattern. The outer edge pattern is a plate having a side surface (63b). At least a side surface roughness than the surface roughness of the portion covered by the protective film of the emission is characterized by being small.
このような多層基板では、ランドに電子部品を搭載した後、金型を多層基板の一面側に圧接してモールド樹脂を備える電子装置を製造する場合、外縁パターンを覆う保護膜が金型に圧接される。このとき、外縁パターンは側面の表面粗さが小さくされているため、保護膜が外縁パターンの側面から剥離し易くなる。したがって、保護膜が外縁パターンの側面から剥離した場合には保護膜に発生する応力を開放でき、保護膜にクラックが発生することを抑制できる。 In such a multilayer substrate, after an electronic component is mounted on a land, when a mold is pressed against one side of the multilayer substrate to manufacture an electronic device including a mold resin, a protective film covering an outer edge pattern is pressed against the mold. Is done. At this time, since the surface roughness of the side surface of the outer edge pattern is reduced, the protective film is easily peeled off from the side surface of the outer edge pattern. Therefore, when the protective film is peeled off from the side surface of the outer edge pattern, the stress generated in the protective film can be released, and the generation of cracks in the protective film can be suppressed.
また、請求項3に記載の発明では、請求項1または2に記載の多層基板と、ランドに搭載された電子部品と、電子部品および内縁パターンを封止するモールド樹脂(150)とを備える電子装置であることを特徴としている。 According to a third aspect of the present invention, there is provided an electronic device comprising the multilayer substrate according to the first or second aspect, an electronic component mounted on the land, and a mold resin (150) for sealing the electronic component and the inner edge pattern. It is a device.
そして、請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の電子装置の製造方法に関する発明であり、多層基板を用意する工程と、内縁パターンのうちのランドに電子部品を搭載する工程と、電子部品および内縁パターンを封止するモールド樹脂を形成する工程と、を行い、モールド樹脂を形成する工程では、一面(200a)に凹部(201)が形成された金型(200)を用意し、凹部内に電子部品および内縁パターンが配置されるように金型の一面を多層基板に圧接した後、多層基板と凹部との間の空間にモールド樹脂を充填することを特徴としている。 The invention described in claim 4 is an invention relating to a method of manufacturing an electronic device according to claim 3, wherein a step of preparing a multilayer substrate, a step of mounting electronic components on lands of the inner edge pattern, And a step of forming a mold resin for sealing the electronic component and the inner edge pattern. In the step of forming the mold resin, a mold (200) having a recess (201) formed on one surface (200a) is prepared, One surface of the mold is pressed against the multilayer substrate so that the electronic component and the inner edge pattern are disposed in the recess, and then a mold resin is filled in a space between the multilayer substrate and the recess.
これによれば、保護膜が外縁パターンの側面から剥離し易くなっている。このため、金型を多層基板の一面側に圧接したとき、保護膜が外縁パターンの側面から剥離した場合には当該保護膜に発生する応力を開放でき、保護膜にクラックが発生することを抑制できる。 According to this, the protective film is easily peeled from the side surface of the outer edge pattern. For this reason, when the mold is pressed against one side of the multilayer substrate, if the protective film peels off from the side surface of the outer edge pattern, the stress generated in the protective film can be released, and cracks are prevented from occurring in the protective film. it can.
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。 In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in this column and the claim shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, parts that are the same or equivalent to each other will be described with the same reference numerals.
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態について説明する。なお、本実施形態の電子装置は、例えば、自動車等の車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するために適用されると好適である。
(First embodiment)
A first embodiment of the present invention will be described. Note that the electronic device of the present embodiment is preferably mounted on a vehicle such as an automobile, for example, and applied to drive various electronic devices for the vehicle.
図1に示されるように、電子装置は、一面10aおよび他面10bを有する多層基板10と、多層基板10の一面10a上に搭載された電子部品121〜123と、を備えている。そして、多層基板10の一面10a側を電子部品121〜123と共にモールド樹脂150で封止することにより、電子装置が構成されている。
As shown in FIG. 1, the electronic device includes a
多層基板10は、絶縁樹脂層としてのコア層20と、コア層20の表面20aに配置された表面20a側のビルドアップ層30と、コア層20の裏面20b側に配置された裏面20b側のビルドアップ層40とを備える積層基板である。
The
なお、コア層20およびビルドアップ層30、40は、ガラスクロスの両面を樹脂で封止してなるプリプレグ等で構成され、プリプレグの樹脂としては、エポキシ樹脂等が挙げられる。また、プレプレグの樹脂には、必要に応じて、アルミナやシリカ等の電気絶縁性かつ放熱性に優れたフィラーが含有されていてもよい。
In addition, the
そして、コア層20とビルドアップ層30との界面には、パターニングされた表面側内層配線51(以下では、単に内層配線51という)が形成されている。同様に、コア層20とビルドアップ層40との界面には、パターニングされた裏面側内層配線52(以下では、単に内層配線52という)が形成されている。
A patterned surface-side inner layer wiring 51 (hereinafter simply referred to as an inner layer wiring 51) is formed at the interface between the
また、ビルドアップ層30の表面30aには、パターニングされた表面側表層配線61〜63(以下では、単に表層配線61〜63という)が形成されている。本実施形態では、表層配線61〜63は、電子部品121〜123が搭載される搭載用のランド61、電子部品121、122とボンディングワイヤ141、142を介して電気的に接続されるボンディング用のランド62、外部回路と電気的に接続される表面パターン63とされている。
Further, patterned surface-
なお、表面パターン63は、ランド61、62の周囲に形成されており、本実施形態では、ランド61、62が本発明の内縁パターンに相当し、表面パターン63が本発明の外縁パターンに相当している。
The
ビルドアップ層40の表面40aには、パターニングされた裏面側表層配線71、72(以下では、単に表層配線71、72という)が形成されている。本実施形態では、表層配線71、72は、後述するフィルドビアを介して内層配線52と接続される裏面パターン71、放熱用のヒートシンクが備えられるヒートシンク用パターン72(以下では、単にHS用パターン72という)とされている。
On the
なお、ビルドアップ層30の表面30aとは、ビルドアップ層30のうちコア層20と反対側の一面のことであり、多層基板10の一面10aとなる面のことである。また、ビルドアップ層40の表面40aとは、ビルドアップ層40のうちコア層20と反対側の一面のことであり、多層基板10の他面10bとなる面のことである。そして、内層配線51、52、表層配線61〜63、表層配線71、72は、具体的には後述するが、銅等の金属箔や金属メッキが適宜積層されて構成されている。
Note that the
内層配線51と内層配線52とは、コア層20を貫通して設けられた貫通ビア81を介して電気的および熱的に接続されている。具体的には、貫通ビア81は、コア層20を厚さ方向に貫通する貫通孔81aの壁面に銅等の貫通電極81bが形成され、貫通孔81aの内部に充填材81cが充填されて構成されている。
The
また、内層配線51と表層配線61〜63、および内層配線52と表層配線71、72とは、適宜各ビルドアップ層30、40を厚さ方向に貫通して設けられたフィルドビア91、101を介して電気的および熱的に接続されている。これにより、ランド61、62と表層配線63とは、内層配線51、52、裏面パターン71、貫通ビア81、フィルドビア91、101を介して適宜電気的に接続されている。
Further, the
なお、フィルドビア91、101は、各ビルドアップ層30、40を厚さ方向に貫通する貫通孔91a、101aが銅等の貫通電極91b、101bにて充填された構成とされている。また、充填材81cは、樹脂、セラミック、金属等が用いられるが、本実施形態では、エポキシ樹脂とされている。そして、貫通電極81b、91b、101bは、銅等の金属メッキにて構成されている。
The filled vias 91 and 101 are configured such that through
そして、ビルドアップ層30の表面30aには、ランド62の一部(内縁パターンの一部)および表面パターン63を覆うソルダーレジスト110が形成されている。同様に、ビルドアップ層40の表面40aには、裏面パターン71を覆うソルダーレジスト110が形成されている。
A solder resist 110 that covers a part of the land 62 (a part of the inner edge pattern) and the
なお、表面パターン63を覆うソルダーレジスト110には、表面パターン63のうち外部回路と接続される部分を露出させる開口部110aが形成されている。また、本実施形態では、ソルダーレジスト110が本発明の保護膜に相当している。
The solder resist 110 that covers the
電子部品121〜123は、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)やMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)等の発熱が大きいパワー素子121、マイコン等の制御素子122、チップコンデンサや抵抗等の受動素子123である。そして、各電子部品121〜123は、はんだ130を介してランド61上に搭載されてランド61と電気的、機械的に接続されている。また、パワー素子121および制御素子122は、周囲に形成されているランド62ともアルミニウムや金等のボンディングワイヤ141、142を介して電気的に接続されている。つまり、ランド62は、ボンディングワイヤ141、142が接続される部分と異なる部分がソルダーレジスト110に覆われている。
The
なお、ここでは、電子部品121〜123としてパワー素子121、制御素子122、受動素子123を例に挙げて説明したが、電子部品121〜123はこれらに限定されるものではない。
In addition, although the
モールド樹脂150は、ランド61、62および電子部品121〜123を封止するものであり、エポキシ樹脂等の一般的なモールド材料が金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等により形成されたものである。
The
なお、本実施形態では、モールド樹脂150は、多層基板10の一面10aのみに形成されている。つまり、本実施形態の電子装置は、いわゆるハーフモールド構造とされている。また、多層基板10の他面10b側には、特に図示していないが、HS用パターン72に放熱グリス等を介してヒートシンクが備えられている。
In the present embodiment, the
以上が本実施形態における電子装置の基本的な構成である。次に、本実施形態の特徴点である表面パターン63の構造について説明する。
The above is the basic configuration of the electronic device according to this embodiment. Next, the structure of the
表面パターン63は、図2に示されるように、ビルドアップ層30側と反対側の表面63aおよび側面63bを有する板状とされている。そして、表面パターン63は、表面63aに凹凸が形成されており、側面63bは平坦な面とされている。また、ランド62のうちソルダーレジスト110で覆われる部分(表面62aおよび側面62b)は、表面63aと同様に凹凸が形成されている。
As shown in FIG. 2, the
つまり、表面パターン63は、側面63bの表面粗さが、ランド62のうちソルダーレジスト110で覆われる部分および表面63aの表面粗さより小さくされている。すなわち、表面パターン63は、側面63bとソルダーレジスト110との密着性が、ランド62のうちソルダーレジスト110で覆われる部分および表面63aとソルダーレジスト110との密着性より小さくされている。
That is, in the
以上が本実施形態における電子装置の構成である。次に、上記電子装置の製造方法について図3〜図6を参照しつつ説明する。なお、図3〜図5は、多層基板10のうちパワー素子121が搭載される部分近傍の断面図である。
The above is the configuration of the electronic device in this embodiment. Next, a method for manufacturing the electronic device will be described with reference to FIGS. 3 to 5 are cross-sectional views in the vicinity of a portion of the
まず、図3(a)に示されるように、コア層20の表面20aおよび裏面20bに銅箔等の金属箔161、162が配置されたものを用意する。そして、図3(b)に示されるように、ドリル等によって金属箔161、コア層20、金属箔162を貫通する貫通孔81aを形成する。
First, as shown in FIG. 3A, one in which metal foils 161 and 162 such as copper foil are arranged on the
その後、図3(c)に示されるように、無電解メッキや電気メッキを行い、貫通孔81aの壁面および金属箔161、162上に銅等の金属メッキ163を形成する。これにより、貫通孔81aの壁面に、金属メッキ163にて構成される貫通電極81bが形成される。なお、無電解メッキおよび電気メッキを行う場合には、パラジウム等の触媒を用いて行うことが好ましい。
Thereafter, as shown in FIG. 3C, electroless plating or electroplating is performed to form a metal plating 163 such as copper on the wall surface of the through
続いて、図3(d)に示されるように、金属メッキ163で囲まれる空間に充填材81cを配置する。これにより、貫通孔81a、貫通電極81b、充填材81cを有する上記貫通ビア81が形成される。
Subsequently, as illustrated in FIG. 3D, a
その後、図4(a)に示されるように、無電解メッキおよび電気メッキ等でいわゆる蓋メッキを行い、金属メッキ163および充填材81c上に銅等の金属メッキ164、165を形成する。
Thereafter, as shown in FIG. 4A, so-called lid plating is performed by electroless plating, electroplating, or the like, and metal plating 164, 165 such as copper is formed on the
次に、図4(b)に示されるように、金属メッキ164、165上に図示しないレジストを配置する。そして、当該レジストをマスクとしてウェットエッチング等を行い、金属メッキ164、金属メッキ163、金属箔161を適宜パターニングして内層配線51を形成すると共に、金属メッキ165、金属メッキ163、金属箔162を適宜パターニングして内層配線52を形成する。つまり、本実施形態では、内層配線51は、金属箔161、金属メッキ163、金属メッキ164が積層されて構成され、内層配線52は、金属箔162、金属メッキ163、金属メッキ165が積層されて構成されている。
Next, as shown in FIG. 4B, a resist (not shown) is disposed on the
なお、次の図4(c)以降では、金属箔161、金属メッキ163、金属メッキ164、および金属箔162、金属メッキ163、金属メッキ165をまとめて1層として示してある。
In FIG. 4C and subsequent figures, the
その後、図4(c)に示されるように、コア層20における表面20a側において、内層配線51上にビルドアップ層30および銅等の金属板166を積層する。また、コア層20における裏面20b側において、内層配線52上にビルドアップ層40および銅等の金属板167を積層する。このようにして、上から順に、金属板166、ビルドアップ層30、内層配線51、コア層20、内層配線52、ビルドアップ層30および金属板167が順に積層された積層体168を構成する。
Thereafter, as shown in FIG. 4C, the
続いて、図4(d)に示されるように、積層体168の積層方向から加圧しつつ加熱することにより積層体168を一体化する。具体的には、積層体168を加圧することにより、ビルドアップ層30を構成する樹脂を流動させて内層配線51の間を埋め込むと共に、ビルドアップ層40を構成する樹脂を流動させて内層配線52の間を埋め込む。そして、積層体168を加熱することにより、ビルドアップ層30、40を硬化して積層体168を一体化する。
Subsequently, as illustrated in FIG. 4D, the
次に、図5(a)に示されるように、レーザ等により、金属板166、ビルドアップ層30を貫通して内層配線51に達する貫通孔91aを形成する。同様に、図5(a)とは別断面において、図1に示されるように、金属板167、ビルドアップ層40を貫通して内層配線52に達する貫通孔101aを形成する。
Next, as shown in FIG. 5A, a through
そして、図5(b)に示されるように、無電解メッキや電気メッキ等でいわゆるフィルドメッキを行い、貫通孔91a、101aを金属メッキ169で埋め込む。これにより、ビルドアップ層30、40に形成された貫通孔91a、101aに埋め込まれた金属メッキ169にて貫通電極91bおよび図1に示した貫通電極101bが構成される。また、貫通孔91a、101aに貫通電極91b、101bが埋め込まれたフィルドビア91、101が形成される。なお、次の図5(c)以降では、金属板166および金属メッキ169をまとめて1層として示してある。
Then, as shown in FIG. 5B, so-called filled plating is performed by electroless plating, electroplating, or the like, and the through
続いて、図5(c)に示されるように、金属板166上に図示しないレジストを配置する。次に、レジストをマスクとしてウェットエッチング等を行って金属板166をパターニングする。その後、ランド61、ランド62のうちボンディングワイヤ141、142と接続される部分、表面パターン63の側面63bをレジスト等で覆う。そして、ランド62のうちソルダーレジスト110で覆われる部分および表面パターン63の表面63aをスクラブ研磨したり薬液処理したりして表面に凹凸を形成することにより、表層配線61〜63を形成する。これにより、側面63bの表面粗さがランド62のうちソルダーレジスト110で覆われる部分および表面63aの表面粗さより小さい表面パターン63が形成される。
Subsequently, as shown in FIG. 5C, a resist (not shown) is disposed on the
同様に、金属板167上に図示しないレジストを配置し、レジストをマスクとしてウェットエッチング等を行って金属板167をパターニングすることにより、表層配線71、72を形成する。
Similarly, a resist (not shown) is arranged on the
つまり、本実施形態では、表層配線61〜63は、金属板166および金属メッキ169を有する構成とされ、表層配線71、72は、金属板167および金属メッキ169を有する構成とされている。
That is, in the present embodiment, the surface layer wirings 61 to 63 are configured to have the
次に、図6(a)に示されるように、ビルドアップ層30、40の表面30a、40aにそれぞれソルダーレジスト110を配置して適宜パターニングすることにより、多層基板10が製造される。なお、表面パターン63は、側面63bとソルダーレジスト110との密着性が、ランド62のうちソルダーレジスト110で覆われる部分および表面63aとソルダーレジスト110との密着性より小さくなっている。
Next, as shown in FIG. 6A, the multilayer resist 10 is manufactured by disposing solder resists 110 on the
続いて、図6(b)に示されるように、はんだ130を介して電子部品121〜123をランド61に搭載する。そして、パワー素子121および制御素子122とランド62との間でワイヤボンディングを行い、パワー素子121および制御素子122とランド62とを電気的に接続する。
Subsequently, as illustrated in FIG. 6B, the
その後、図6(c)に示されるように、ランド61、62および電子部品121〜123が封止されるように、金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等によってモールド樹脂150を形成する。
Thereafter, as shown in FIG. 6C, a
具体的には、一面200aにモールド樹脂150の外形を構成する凹部201が形成されている金型200を用意し、凹部201内に電子部品121〜123およびランド61、62が配置されるように、一面200aを多層基板10の一面10a側に圧接する。
Specifically, a
このとき、金型200の一面200aは、ソルダーレジスト110と当接するが、表面パターン63の側面63bの表面粗さは、ランド62のうちソルダーレジスト110で覆われる部分および表面63aの表面粗さより小さくされている。このため、図7に示されるように、表面パターン63の側面63bからソルダーレジスト110が剥離することにより、金型200が圧接されることによってソルダーレジスト110に発生する応力を開放でき、ソルダーレジスト110にクラックが発生することを抑制できる。言い換えると、表面パターン63の側面63bは、ソルダーレジスト110にクラックが発生する応力より小さい応力でソルダーレジスト110が剥離する構成とされているともいえる。
At this time, one
以上説明したように、本実施形態では、表面パターン63の側面63bの表面粗さは、ランド62のうちソルダーレジスト110で覆われる部分および表面63aの表面粗さより小さくされている。このため、金型200が多層基板10の一面10a側に圧接されたとき、表面パターン63の側面63bからソルダーレジスト110を剥離し易くできる。そして、表面パターン63の側面63bからソルダーレジスト110が剥離した場合には、金型200が圧接されることによってソルダーレジスト110に発生する応力を開放でき、ソルダーレジスト110にクラックが発生することを抑制できる。また、ソルダーレジスト110にクラックが発生することを抑制できるため、ソルダーレジスト110に発生したクラックがビルドアップ層30に伝播して当該ビルドアップ層30にクラックが発生することを抑制できる。
As described above, in the present embodiment, the surface roughness of the
(第2実施形態)
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して外縁パターンを変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(Second Embodiment)
A second embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, the outer edge pattern is changed with respect to the first embodiment, and the other aspects are the same as those in the first embodiment, and thus the description thereof is omitted here.
図8および図9に示されるように、本実施形態では、ビルドアップ層30の表面30に型踏み部64が形成されている。なお、図9では、理解をし易くするために、ソルダーレジスト110を省略して示してある。また、図8は、図9中のI-I断面に相当している。
As shown in FIGS. 8 and 9, in the present embodiment, a
型踏み部64は、ビルドアップ層30の表面30aに形成された表層導体65と、表層導体65を覆うソルダーレジスト110によって構成されている。なお、本実施形態では、表面パターン63および表層導体65が本発明の外縁パターンに相当している。
The
表層導体65は、図1および図2に示されるように、ランド61、62を囲む枠状とされ、ランド61、62と表面パターン63との間に形成されている。そして、図10に示されるように、表層導体65の側面65bの表面粗さは、ランド62のうちソルダーレジスト110で覆われる部分および表面65aの表面粗さより小さくされている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
また、表層導体65は、ランド61、62および表面パターン63とは絶縁されている。すなわち、表層導体65は、いわゆるダミーパターンであり、型踏み部64の高さを調整するためのものである。
The
そして、表層導体65は、表面パターン63を覆うソルダーレジスト110によって完全に覆われている。つまり、型踏み部64におけるソルダーレジスト110のビルドアップ層30の表面30aからの高さは、周方向において一定とされている。
The
また、型踏み部64におけるソルダーレジスト110のビルドアップ層30の表面30aからの高さは、ソルダーレジスト110のうち表面パターン63を覆う部分のビルドアップ層30の表面30aからの高さ以上とされている。本実施形態では、表面パターン63および表層導体65の膜厚が等しくされ、ソルダーレジスト110の部分毎の膜厚も等しくされている。このため、型踏み部64におけるソルダーレジスト110のビルドアップ層30の表面30aからの高さは、ソルダーレジスト110のうち表面パターン63を覆う部分のビルドアップ層30の表面30aからの高さと等しくされている。
Moreover, the height from the
そして、モールド樹脂150は、型踏み部64を構成するソルダーレジスト110の外縁側の部分を露出させつつ、型踏み部64を構成するソルダーレジスト110の内縁側の部分を封止している。つまり、型踏み部64は、多層基板10の一面10aにおいて、モールド樹脂150で封止される部分と封止されない部分との間の界面に形成されているともいえる。
The
なお、型踏み部64におけるソルダーレジスト110のビルドアップ層30の表面30aからの高さとは、言い換えると、表層導体65を覆うソルダーレジスト110のうち表層導体65と反対側の面からビルドアップ層30の表面30aまでの長さのことである。また、図8では、表面パターン63および表層導体65が同じソルダーレジスト110にて覆われているが、表面パターン63を覆うソルダーレジスト110と表層導体65を覆うソルダーレジスト110とが分離されていてもよい。
In addition, the height from the
以上説明したように、本実施形態では、ランド61、62と表面パターン63との間に表層導体65を有する型踏み部64が形成されている。このため、図6(c)の工程を行った際、多層基板10と金型200の凹部201との間の空間からモールド樹脂150が流出することを抑制できる。
As described above, in this embodiment, the
すなわち、型踏み部64におけるソルダーレジスト110のビルドアップ層30の表面30aからの高さは、ソルダーレジスト110のうち表面パターン63を覆う部分のビルドアップ層30の表面30aからの高さ以上とされている。このため、図6(c)の工程を行うと、型踏み部64が金型200に圧接される。また、型踏み部64におけるソルダーレジスト110のビルドアップ層30の表面30aからの高さは、周方向において一定とされているため、型踏み部64と金型200との間に隙間は形成されない。したがって、多層基板10と金型200の凹部201との間の空間からモールド樹脂150が流出することを抑制でき、表面パターン63のうちソルダーレジスト110の開口部110aから露出する部分がモールド樹脂150で覆われることを抑制できる。
That is, the height from the
(他の実施形態)
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
(Other embodiments)
The present invention is not limited to the embodiment described above, and can be appropriately changed within the scope described in the claims.
上記各実施形態では、内縁パターンがランド61、62にて構成されているものを説明したが、内縁パターンは、ランド61、62と、電子部品121〜123が搭載されず、ボンディングワイヤ142、143が接続されないパターンを備えていてもよい。
In each of the embodiments described above, the inner edge pattern is composed of the
また、上記各実施形態において、表面パターン63は、表面63aおよび側面63bの表面粗さがランド62のうちソルダーレジスト110で覆われる部分の表面粗さより小さくされていてもよい。
In each of the above embodiments, the
さらに、上記第2実施形態において、型踏み部64におけるソルダーレジスト110のビルドアップ層30の表面30aからの高さをソルダーレジスト110のうち表面パターン63を覆う部分のビルドアップ層30の表面30aからの高さ以上とする場合には、次のようにすればよい。例えば、図5(c)の工程において、表面パターン63および表層導体65をパターニングする際、表層導体65上のみに金属メッキ等を形成すればよい。
Furthermore, in the said 2nd Embodiment, the height from the
10 多層基板
20 コア層
20a 表面
30 ビルドアップ層
30a 一面
51 内層配線
61、62 ランド
63 表面パターン
63b 側面
110 保護膜
121〜123 電子部品
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記コア層の表面に形成された内層配線(51)と、
前記コア層の表面に前記内層配線を覆う状態で配置されたビルドアップ層(30)と、
前記ビルドアップ層のうち前記コア層と反対側の一面(30a)に形成され、電子部品(121〜123)が搭載されるランド(61)を有し、前記電子部品と共にモールド樹脂(150)で封止される内縁パターン(61、62)と、
前記ビルドアップ層の前記一面のうち前記内縁パターンが形成される部分の周囲に形成され、前記モールド樹脂(150)から露出する外縁パターン(63、65)と、
前記内縁パターンの一部および前記外縁パターンを覆う保護膜(110)と、を備え、
前記外縁パターンは、側面(63b)を有する板状とされ、前記内縁パターンのうち前記保護膜で覆われる部分の表面粗さよりも少なくとも前記側面の表面粗さが小さくされていることを特徴とする多層基板。 A core layer (20) having a surface (20a);
An inner wiring (51) formed on the surface of the core layer;
A buildup layer (30) arranged in a state of covering the inner layer wiring on the surface of the core layer;
The buildup layer has a land (61) formed on one surface (30a) opposite to the core layer, on which electronic components (121 to 123) are mounted, and is molded resin (150) together with the electronic components. Inner edge patterns (61, 62) to be sealed;
Outer edge patterns (63, 65) formed around a portion of the one surface of the buildup layer where the inner edge pattern is formed and exposed from the mold resin (150);
A protective film (110) covering a part of the inner edge pattern and the outer edge pattern,
The outer edge pattern is a plate having a side surface (63b), and at least the surface roughness of the side surface is smaller than the surface roughness of the portion of the inner edge pattern covered with the protective film. Multilayer board.
前記保護膜のうち前記表層導体を覆う部分の前記ビルドアップ層の前記一面からの高さは、前記保護膜のうち前記表面パターンを覆う部分の前記ビルドアップ層の前記一面からの高さ以上とされていることを特徴とする請求項1に記載の多層基板。 The outer edge pattern is electrically insulated from the inner edge pattern and the surface pattern, and is surrounded by the surface pattern (63) electrically connected to the inner edge pattern and the inner layer wiring, and surrounds the inner edge pattern and the inner edge pattern and the A frame-shaped surface conductor (65) formed between the surface pattern and at least the surface roughness of the side surface of the surface conductor is smaller than the surface roughness of the portion covered with the protective film in the inner edge pattern And
The height of the part of the protective film covering the surface conductor from the one surface of the buildup layer is equal to or higher than the height of the part of the protective film covering the surface pattern from the one surface of the buildup layer. The multilayer substrate according to claim 1, wherein the multilayer substrate is formed.
前記ランドに搭載された前記電子部品と、
前記電子部品および前記内縁パターンを封止するモールド樹脂(150)と、を備えることを特徴とする電子装置。 The multilayer substrate according to claim 1 or 2,
The electronic component mounted on the land;
An electronic device comprising: a mold resin (150) for sealing the electronic component and the inner edge pattern.
前記多層基板を用意する工程と、
前記内縁パターンのうちの前記ランドに前記電子部品を搭載する工程と、
前記電子部品および前記内縁パターンを封止する前記モールド樹脂を形成する工程と、を行い、
前記モールド樹脂を形成する工程では、一面(200a)に凹部(201)が形成された金型(200)を用意し、前記凹部内に前記電子部品および前記内縁パターンが配置されるように前記金型の一面を前記多層基板に圧接した後、前記多層基板と前記凹部との間の空間に前記モールド樹脂を充填することを特徴とする電子装置の製造方法。
In the manufacturing method of the electronic device according to claim 3,
Preparing the multilayer substrate;
Mounting the electronic component on the land of the inner edge pattern;
Forming the mold resin for sealing the electronic component and the inner edge pattern,
In the step of forming the molding resin, a mold (200) having a recess (201) formed on one surface (200a) is prepared, and the electronic component and the inner edge pattern are arranged in the recess. A method for manufacturing an electronic device, comprising: pressing a surface of a mold against the multilayer substrate; and then filling the space between the multilayer substrate and the recess with the mold resin.
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