JP5948640B2 - マイクロチャンネル反応器における粒子状物質の充填及び除去 - Google Patents
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Description
本発明は契約W56HZV−07−C−0276に基づく政府基金により成されたものであり、合衆国政府は本発明に一定の権利を有する。
マイクロチャンネル内への粒子状物質充填に関する重要なパラメータの中には、1)各チャンネルが均一に充填されること、2)2つ以上の別個の粒子状物質が各マイクロチャンネル内に充填され得、各粒子状物質がその所望の位置に配置されること、3)充填後のマイクロチャンネルが、充填後の見掛嵩密度に達し(ユニット運転中または輸送中の追加的沈下回避のため)且つ、充填触媒床内に空隙または含有物が含まれないこと、がある。これらのパラメータは圧力損失や流体の不均衡分布を生じさせることから、多チャンネル型装置ではチャンネル毎の床高及び床密度を十分に一様化させることが重要になる。
仮に、反応プロセス中に十分な熱が生成または消費される場合は触媒をヒートシンク(例えば、冷却剤を担持する隣接チャンネル)に十分接近させる必要が生じることから、各チャンネルには触媒及びまたは不活性粒子状物質を正確に充填することが重要である。吸熱反応に際しては、触媒を熱源に十分接近させて反応を維持させる必要がある。触媒及びまたは不活性粒子状物質の配置が不正確であると、副産物形成量の増大または変換量低下による反応器生産性の損失を招き得る。
マイクロチャンネルから粒状触媒を除去する方法にして、2つ以上の用途に対する反応器ハードウェアの再使用を可能とする方法も記載される。ある実施例では、反応器が数十回または数百回再使用され得る。反応器は各再充填サイクルに際して同一または異なる触媒を充填して再使用され得る。触媒は、通常運転条件下では負の影響を受けず、その機能終了時において尚、自由な粒子または粉末が重力またはその他の弱い物理的刺激の影響下に流動して反応器を出る如きものであることが理想的である。触媒除去を困難化させ得る要因には、圧縮、焼結、凝集、が含まれる。
圧縮は床密度の物理変化により生じ、本来、床を充填後の見掛嵩密度に適正設定することで回避され得る。しかし当該状況は、触媒または不活性物質が物理的に分解すると悪化され得る。焼結は、隣接する触媒粒子の熱による接着により生じ、一般に高温時に発生する。反応器は焼結が生じ得る温度付近で動作させざるを得ないが、運転不調時または無制御反応状況下において問題となるに過ぎない。粒子または粉末の凝集には、個々の粒子と異物、例えば、Fischer−Tropsch合成の場合では高分子重量パラフィンワックスとの相互粘着が関与する。当該プロセスを物理的、化学的、熱的またはそれらの組み合わせにより逆転させることが、ここで説明する各実施例の幾つかにおける焦点とされる。
本発明の他の様相において、粒子状物質を充填した少なくとも100のマイクロチャンネルを含む充填床マイクロチャンネル化学反応器または分離器にして、空隙率(粒子状物質を充填した少なくとも100のマイクロチャンネルに渡る平均値)が0.50またはそれ未満であり、チャンネルの任意の一部における充填密度が10%未満、好ましくは5%未満、尚好ましくは2%未満である充填床マイクロチャンネル化学反応器または分離器が提供される。
本発明には、ここで説明する方法または装置の任意のものも含まれる。例えば、本発明には、ここで説明した方法の任意のものが含まれる。
“間隙”とは、マイクロチャンネルの最小寸法を意味するものとする。代表的には、積層化装置において、間隙は積層方向(即ち高さ)におけるものとする。“間隙”を使用する場合、“間隙”は、好ましい実施例におけるマイクロチャンネルの高さに代えて説明され得るものとする。
マイクロチャンネルまたはマニホルドの容積は開放空間に基づく。チャンネル壁は容積計算に含まない。
粒子状物質とは、マイクロチャンネル内に充填する触媒粒子等の粒子に対して参照される。粒子は(最大で)2mmまたはそれ未満、ある実施例では1mmまたはそれ未満の寸法を有することが好ましい。粒子サイズは篩または顕微鏡法またはその他適宜の技法により測定され得る。比較的大きい粒子に対しては篩を使用する。粒子状物質は、触媒、吸着材、または不活性物質であり得る。
マイクロ加工技術で使用するマイクロチャンネル装置内に充填する触媒は、作業を確実に成功させるべく、厳しい物理及び化学的基準を満たすべきである。高水準の性能を達成するには、触媒の粒子状物質の全体的品質のみならず、高さ及び床の一様性の管理を比較的狭い許容値ウィンドウ内に維持しつつ、装置のマイクロチャンネル内に材料を実装する能力に依存する。
チャンネル容積の測定及び必要量触媒のチャンネルへの充填に際しては、反応器組み立て用の製造プロセスによる個々のマイクロチャンネルの寸法形状上のばらつきが課題となる。チャンネル寸法形状の変動により、個別の各チャンネルに充填する触媒質量の、チャンネル間のばらつきを十分一様に維持する上で負の影響を与え得る。
・含水量:特には吸湿性の触媒粉末はクランプまたは塊状化して流れを阻止する傾向が強い。これにより、触媒が狭いマイクロチャンネルの横断方向に“架橋”し、結局、触媒床全体に間隙を生じさせ得る。
・静電力:乾燥環境条件及び材料取り扱い設備は、特にプラスチック製である場合は帯電し易くなり得る。静電力は、粉末を、当該粉末が接触する表面に引き寄せまたははじくことで流れを妨害する。
・摩滅:粉末は、過剰な取り扱いにより、取り扱い設備、チャンネル壁、の表面との接触や各粒子間摩擦を介して摩滅して微粉化し、結局、空隙率低下及び、触媒床を横断してのΔP増大を招き得る。
・空隙率:密填触媒床を横断してのΔPに影響を与え、また、間隙接触及び触媒活性が生じ得る入手可能表面積に関する情報を提供する。
・見掛嵩密度(PABD):単位容積当たりの触媒質量決定に必要。
・粒径分布:やはり材料流れ及び粉末密度に影響を与える。
・化学組成:成分及び、クランピング低減または滑り(slippage)改善用の添加物の固有の特性もまた、粉末流れ特性に影響する。
・休止時間。
が含まれる。
以下の実験を実施し、多重チャンネルを成すマイクロチャンネル充填用の本発明を実証した。マイクロチャンネルハードウェアが平行な40のマイクロチャンネルから構成され、各マイクロチャンネルが約1〜3mmの断面寸法及び約18.7cmの深さ寸法を有していた。反応器が、同数のチャンネルから成る2つのチャンネルアレイ内に配置した270以上の個別のマイクロチャンネルを含んでいた。深さ寸法が約18.7cmであることから、触媒を16.8cmまで充填し、各マイクロチャンネルにおける触媒床の頂部の深さ位置をマイクロチャンネル頂部から約1.9cmの位置とするのが望ましい。これは、約1.9cmの深さ位置としたプロセスマイクロチャンネルの頂部が、当該プロセスマイクロチャンネルと平行な各平面を交差流れ形態下に通過する冷却剤マイクロチャンネルと隣接しないことによる。各プロセスマイクロチャンネルの冷却剤非隣接部分にはSiCを充填した。触媒床の端部位置での熱負荷は小さく、かくして、プロセスマイクロチャンネルの、冷却剤非隣接部分にはFT触媒を充填した。
反応器容積を決定後、反応器内に充填する触媒のターゲット質量を決定する必要があった。これは、先ず、コバルト−シリカベースの触媒のPABDを決定することにより実施した。前記コバルト−シリカベースの触媒の粒径分布はMalvern Mastersizer2000を用いて決定され、図2に示される。PABDは、ASTM D4164−03(2008)、“Standard Test Method for Mechanically Tapped Packing Density of Formed Catalyst and Catalyst Carriers using the alternative method involving a vibrating table”により決定した。PABDは1.08グラム/mlであり、かくして、目標充填触媒量は147グラムであった。
・反応器容積の決定:正確な容積は設計上の形状寸法から、または反応器チャンネルを充填する液体量の物理的計測によって算出され得る(好ましくは、液体充填チャンネル内での気泡同伴及び間隙を大幅に低減させるエタノール等の流体を使用することによって)。
図A:FT触媒Dp50の公称粒径分布は約260ミクロンである。
以下のプロセスは、公称チャンネル寸法が1016ミクロン×3175ミクロン(1.02mm×3.2mm)及び、1016ミクロン×5715ミクロン(1.02mm×5.7mm)である試験装置の波状マイクロチャンネル中に触媒粉末を一体形成(integrated)する上で有効であることが証明された。
1.〜30%までの重量を追加する。
2.触媒床を振動テーブル上で3600Hzで30〜60秒間振動させることで、または20kHz(振幅1mm)のドライ超音波処理を5〜10秒実施して高密度化する。
3.以上を2回反復する。
4.反応器を触媒で充填する(最後の10%)。
5.触媒床を振動テーブル上で3600Hzで30〜60秒間振動させることで、または20kHz(振幅1mm)のドライ超音波処理を5〜10秒実施して高密度化する。
粒状材料の示す流れ形式は、バルク取り扱い機器により当該粒状材料に誘発される流れ形式と合致し得る。
・ろうと状流れ:進行粒子、自由流れ材料、非分解固形物に対して、また、粒子分離が問題とはならない用途に対して特に好適である。この種の粉末流れレジームでは、ある物質は、残余物質が停滞する間に移動する。
・質量流れ:質量流れは、凝集性固体、微粉末、分解性材料、凝集傾向を持つ固体、に対して有効である。当該レジームでは、そのある部分の放出時には常に、全ての材料が動きを生じる。
フィードホッパ及び分与ファンネルの振動運動が、有効且つ調整下の材料流れを許容し、他方、無用の摩擦効果を最小化すると考えられる。
粉末搬送用ホッパは既知のものである。例えば、Schenck Solids Flow(商標名)Model 5000 Streamout Feeder は、制御された、カーテン状の一様な流れをフィードトレー出口を横断して送達し、20.3cm〜167.6cmの流れ幅を入手可能である。
マイクロチャンネルまたはマルチチャンネル反応器に粒子状物質を充填する方法の1つに流動化がある。顆粒状粒子が反応器上方に配置され得、または、図1aの如く、チャンネル内に部分的または完全に充填され得る。ヘッダは、粒子がチャンネルを離れ、チャンネルを覆い且つ出口配管から排出されない流動化懸濁物を達成するに必要十分な容積を持つ設計とされる。図1bには、本プロセスを用いた場合に想定し得る床充填例を示す。図1cに示す如く、ガスを上方に流動させ、その速度をホッパ内の、またはチャンネル上方の容積内の全粒状物質を完全に流動化させるための粒子終端速度に合致させる。図1dに示す如く、ガス速度を減少させて粒子状物質を降下またはチャンネル内に落下させる。二次的ステップを使用してチャンネル間で粒子を再分布させ、ガスを初期流動化ポイントまで流動させ、粒子の幾分かを反応器上部から排出させ且つ再分布させることで一様性を向上させ得る。当該二次的ステップは、図1eに示す如く、十分に一様な触媒充填を達成するための再分布を助成する。十分な一様性は、充填床を通しての不均衡分布割合が20%を超えないものとして定義され、10%未満であることが好ましく、5%未満であればより好ましく、2%未満であれば尚好ましい。不均衡分布は、チャンネル当たりの最大流量からチャンネル当たりの最小流量を減算した値をチャンネル当たりの最大流量で除算した値として定義され得る。あるいは、充填の不均衡分布は、チャンネル内の触媒の最大長さからチャンネル内の触媒の最小長さを減算した値をチャンネル内の触媒の最大長さで除算した値としても定義され得る。
初期流動化は、見掛け速度が流動化速度(Vf)と等しく、且つ床内の粒子が上昇し始める場合に生じ得る。
Dp[m]=床内の粒子径
ε[−]=床内の流体の空隙率
g[m/s2]=重力加速度
μ[kg/m/s]=流体粘度
Ρp[kg/m3]=粒子密度
Ρf[kg/m3]=流体密度
であり、
終端速度Vt[m/s]は以下の如く算出され得る。
C[−]=粒子の抗力係数
mp[kg]=粒子質量
終端速度はチャンネルにおける速度であり、マニホルドにおける速度ではない。抗力係数は既知であり、Lapple and Shepherd,Ind. Chem.Eng.Chem 32,605(1940)等の文献に見い出し得る。
触媒粉末の特定の一部を平行なマイクロチャンネル内に素早く且つ効率的に付着させ、反復アレイ状に配置させ、マイクロチャンネルの2次元平行アレイを創出するための機構を設計した。充填装置が一連の試行を通して評価された。次いで、反応器運転及び性能試験のための準備において、マイクロチャンネル反応器の波状チャンネル内に装置を使用して触媒粉末を成功裡に充填した。
全チャンネル容積の測定及び各チャンネルへの必要量触媒の充填は一見簡単そうであるが、チャンネル寸法形状の変動及びその他の処理上の変動により、チャンネル間の充填密度にばらつきが生じる恐れがある。以下の方法発明は、個別のチャンネル毎の充填を回避しつつ、平行な多数のチャンネルに粒子の一部を時間効率的に充填することに関するものである。
装置は矩形の胴部を含み、当該胴部は、理想的にはアルミニュームまたは任意のその他稠密材料から構成され、楔状長孔32(図3)が中央部に位置付けられる。楔状長孔は、1+nアレイのマイクロチャンネル(nは少なくとも1、好ましくは5、ある実施例では5〜500のマイクロチャンネル)の位置、長さ、幅、と合致するよう設計されるが、楔状長孔のカバー範囲が、当該楔状長孔に充填させるべく設計したチャンネル開口より大きい限り、その幅に限定されない。楔状長孔はその他形状を有し得る。装置の底部には“摺動床”が組み込まれる。当該摺動床は、長孔付きインサートリザーバの底部と接面する。本方法発明の他の形態では、摺動ドア33が、マイクロチャンネルと当該摺動ドアとの間の開放空間上に配置され得る。
楔状長孔に随意的なインサートを組み込み、校正済みリザーバとして作用させ得る。当該インサートは実際は、一連の、個別の、長孔付きリザーバであり、各マイクロチャンネルアレイに1つを設け、完全充填状態において既知の材料質量または容積を保持する寸法形状を有する。
触媒粉末が高い自由流れ特性を有さない限り、触媒を部分的に一体化させるのが最良である。材料追加後、床の充填品質改善及び空隙排除のために、材料をタッピングまたは機械的に振動させて高密度化させ得る。粒子状物質の床の所望の堅さ及び充填密度に基づき、3600Hzの周波数において30秒間、より良好には60秒間、尚良好には90秒間実行し得る。全てのチャンネルの重量部分が充填されるのを待って振動運動を印加し、最初に充填したマイクロチャンネルアレイがより強く振動することによる床の不均一圧密を回避するのが良策であり得る。
6.〜30重量%を追加充填。
7.少なくとも60回のタッピングによる床の高密度化。
8.以上を2回繰り返す。
9.反応器に触媒を最終充填する(最後の10%)
10.少なくとも60回のタッピングによる床高密度化。
11.必要量の触媒を除去し、保護床バックフィル用空間を設ける。
12.少なくとも30回のタッピングによる床再高密度化。
13.ピンゲージまたは深さ測定具を介して床深さを測定。
14.高さ一様性の条件である±3mmに合致しない任意のチャンネルを調整。
15.保護床(例えば、SiC)をチャンネル上部に追加。
16.少なくとも60回のタッピングによるSiC床高密度化。
反応器がプロセス側チャンネルを通る直線流れを含む場合、触媒または不活性粒子は全チャンネルを同時に流動され得る。粒子流れ確立後、金属フォームまたはセラミックフォームまたはワイヤメッシュまたはその他好適材料製の、粒子保持材を出口を横断して摺動させることで、チャンネル内の触媒または不活性粒子を捕捉し得る。余剰の粒子状材料を、掬い法、真空法、またはその他好適な方法により除去し得る。
特定のプロセスマイクロチャンネル全体に活性触媒(または、吸着材等のその他活性材料)を充填することが望ましい場合と、望ましくない場合とがある。チャンネルの特定チャンネルまたはゾーンに触媒を配置しない理由には、能動伝熱(冷却剤への、隣り合う平面内で生じる第2反応への、または、隣り合う平面内で生じる反応からの)が生じないこと、または、プロセスマイクロチャンネルを異なる触媒を有する各ゾーンに分割する要望があることが含まれる。ある実施例では冷却剤チャンネルは、製造プロセス中に且つ反応器保護のために閉鎖され得、反応器は、これらの位置に相当するプロセスチャンネル内の不活性材料と共に動作され得る。他の例では、冷却剤チャンネルは入口及びまたは出口付近には設けられず、不活性材料が、触媒作用による熱偏倚またはホットスポット形成を防止するべく、プロセスマイクロチャンネルの相当位置に配置され得る。
例2.1:
FT反応器においてハイドロブラスチング処理を使用した。ハイドロブラスチング処理は、マイクロチャンネルからの触媒除去手段として、反応器の1100時間の運転時間に渡り運転された。内側リザーバ加熱容量及び、ゲージ厚での約20690000Pa(3000psig)の送り圧を有する工業用粉末洗浄機を使用した。反応器のヘッダ及びフッタは、水を反応器を通して完全に流動させるために取り外した。
反応器を208L(55ガロン)ドラム缶上に持ち上げ、当該ドラム缶内に垂直方向において半分沈め、水及び触媒を収集した。水を伝導洗浄器内で93℃に加熱し、ゲージ圧での2758kPag(400psig)の圧力下に反応器に搬送した。送り圧監視用の圧力ゲージを電動洗浄器のノズルに取り付けた。ハイドロブラスチング処理を、反応器からの触媒流出が止まるまで継続した。当該時間において、ステンレススチール製ワイヤ(種々の熱電対で使用する)をマイクロチャンネルに挿通して任意の残留触媒を遊離させた。反応器へのハイドロブラスチング処理を再開し、水を208L(55ガロン)ドラム缶に収集した。反応器からの触媒流れが減少した後、反応器と180°回転して垂直とした。反応器を新たな一方向からハイドロブラスチング処理した。反応器からの触媒流出が停止した後、ステンレススチール製ワイヤをマイクロチャンネルに挿通して触媒除去を促進させた。遊離した触媒をハイドロブラスチング処理により除去した。反応器からの触媒流れが無くなった後、反応器をラバーマレットで攪拌し、再度ハイドロブラチング処理した。
ノズルは手動操作の必要はないが、移動式キャリッジまたはプログラム可能な軸方向位置決め装置上に配置され得る。また、ハイドロブラスチング溶媒の成分は水のみである必要はなく、溶媒、洗剤、粒子状物質、またはその他の、触媒破壊を促進する添加物であり得る。ある実施例ではブラスチング溶媒は水を含有しない。
ある実施例では粒子状触媒は操作後に自由流れ状況を維持する。他の実施例では、ある形態の熱化学処理により粒子状触媒を自由流れ状況に復帰させる必要がある。プロセスヘッダ、フッタの何れかまたは両方を取り外して、自由流れ状況の触媒粒子を除去可能とした後、反応器ブロックを、振動プラットフォーム上に取り付けた触媒受け用器の上部に配置する。配置後、プラットフォームまたはテーブルを1〜10000Hzの周波数及び0.1〜10cmの振幅下に振動するようセットし得る。触媒除去時間は0.1秒〜20時間の間であり得る。テーブルは、周波数及び振幅を共に、触媒質量または回収容積及びまたは時間の関数として変化させるべくプログラム可能である。
超音波理論及び超音波洗浄を介しての触媒除去:
水性媒体内の超音波は、マイクロチャンネル壁からの触媒またはクーポン除去用に有効な技法であること、また、液体中における顕微鏡的気泡の形成及び崩壊に直接貢献することが分かっている。液体中の当該“顕微鏡的気泡”の形成及び成長は揺動する正負圧力の影響によるものである。揺動サイクルの負圧ゾーンは減圧される。正圧ゾーンは加圧される。各ゾーンは、震動源またはトランスデューサから放出される移動音波形態下に発生する。
課題は、マイクロチャンネル反応器内に同伴されるクラスタに超音波出力を移行させることである。この目的上、超音波の振幅、周波数、伝搬方向を制御する必要がある。
種々の周波数(15〜40kHz)及び振幅(0〜±1mm)を持つトランスデューサが好ましい。トランスデューサの設計及び反応器胴部上の位置もまた、反応器のチャンネル内への超音波エネルギー移行量を最大化させる上で重要である。以下に、トランスデューサの方向及び設計に関する概念を示す。
2.単数または複数のチャンネル内での超音波出力の入手可能性を高めるため、トランスデューサを、各チャンネル内にフィットする寸法の幾つかのホーン枝を持つフォークとして設計した。図4b及び4cには2つの方法における当該方策を例示す。
装置の一方側のみを溶媒(3a)中に浸漬させ、チャンネルを溶媒で満たす処置を施した。
装置を適宜の溶媒を含むプール内に完全浸漬させ、超音波を両側から各ホーン枝(3b)を介して装置内に移行させた。
プロセス条件下に製品が凝縮するプロセスでは、触媒粒子及び内側チャンネル壁が反応操作中にコーティングされ得る。触媒の除去または交換が所望される場合、コーティングは粒子の結合材として作用して粒子を然るべく保持する。結合粒子は新規の触媒粒子の如く円滑には流動せず、従って、単なる重力投棄または加圧ガスと共にマイクロチャンネルから吹き出すことによる除去はより困難である。
溶媒は、触媒粒子やチャンネル壁からのコーティング材料除去のために使用し得る。それらの溶媒は充填床を貫いて、液体として流動可能であり、またはある場合には圧縮ガスまたは超臨界相として押し通され得る。
溶媒は、操作中、プロセス流れの流れ方向とは逆方向において、充填床を貫いて流動することが好ましい。ある場合において、溶媒は沸点付近に加熱され、触媒床の直前で凝縮可能とされ、高温のまま床を貫いて流動する。
反応器は、代表的には下方であるプロセス流れ方向が、溶媒洗浄中は重力に関して逆向きとなるよう位置決めされ得る。この場合、反応器は、洗浄中は操作中のプロセス流れ方向とは逆方向で触媒を貫いて下方に流動するよう回転される。溶媒洗浄プロセス中に反応器から触媒を洗浄排出させ得る流れ模様が好ましい。
水素処理式のワックス除去処理が、反応器から除去する使用済みFT触媒をどの程度うまく処理/遊離するのかを判定する試験を実施した。
当該反応器はFT条件(ゲージ圧での入口圧が2572kPag(373psig)、温度が220℃、水素対CO=2:1、4%アルゴン希釈)下においておよそ42時間動作された。反応器へのフィード流量は、接触時間が177ms(20,304hr−1 GHSV)、WHSVが5.0の如きものであった。プロセスチャンネル間隙は0.09525cmであった。プロセスチャンネル幅は0.762cmであった。
装置を、クラムシェル形の電気抵抗セラミックヒーターにより加熱し、出口流れを二重管で冷却し、冷却器からの外側シェル流動液体と熱交換させた。試験には少なくとも5000GHSVが必要とされたが、当該値は、充填容積が〜0.2ccである当該使用反応器装置では、約17sccmの流量に相当する。無人GC分析に必要な流量を収受するために、入口H2流量として50sccmを選択した(〜15,000GHSV)。この流量及びワックス充填を触媒重量の〜5%(即ち、0.2グラムの充填触媒の5%)、ワックス除去率を一定と仮定し、CH4の出口濃度及び合計ワックス除去時間を以下の表2.5.1に示した如く測定した。
1.初期低温流れ試験をアンビエントT及びP下に実施した。
a.試験中の反応器dPは、高圧下での試験中は入手可能な機器で測定し得ないほど小さかった。
2.不活性物質によるパージを実施値、次いで加圧及びニートH2をフィードした。
3.反応器をゆっくり加熱(毎分1℃)した。
4.1924kPag(279psig)の圧力及び450〜460℃の最大温度下にワックス除去処理を実施した。
a.15分毎に記録を取り、加温中(7時間)及びワックス除去中(夜通し、〜15時間)にメタンが放出された。
b.メタンが漸減するまで(または15時間後)最大温度を450℃に維持した。当該450℃で3.5時間経過後、出口流れ中にメタンはもはや検出されなくなったが、装置を夜通し(15時間)450℃の温度下に保持した。
5.装置を冷却及びシャットダウン(スタートアップの逆、しかし毎分3℃冷却される)した。反応器装置のワックス除去中に使用した条件を表2に示す。
マイクロチャンネル反応器のアルミナFischer−Tropsch触媒上に、30重量%コバルト313.5g、5重量%のRe、1771.1gのSiC不活性物質を充填した。マイクロチャンネル反応器を交差流れモード下に運転し、部分沸騰水を冷却剤とした。マイクロチャンネル反応器は平行な平面内に20の入口プロセスマイクロチャンネルを2アレイ(冷却剤チャンネルを含む層により分離される)有する段付きタイプのものとした。各入口プロセスマイクロチャンネルは0.1016cm(0.040インチ)の間隙を有し、幅が1.364cm(0.537インチ)、プロセス流れ方向における長さは約29.5cm(11.6インチ)であった。入口プロセスマイクロチャンネルの29.5cm(11.6インチ)の位置に冷却剤チャンネルの終端位置をマーク付けし、各入口プロセスマイクロチャンネルを連結し、0.3010cm(0.122インチ)の間隙(ステンレスチールを波状に加工して形成した)と、29.5cm(11.6インチ)の長さとを有する1つの大型チャンネルを形成した。入口プロセスマイクロチャンネルの入口及び出口位置、及び冷却剤チャンネル終端位置(段)の上方及び下方にSiCを充填した。
次いで、プロセス側、または触媒含有側を、10SLPMの流量で窒素を流動させることで、2651kpag(348.5psig)に加圧した。10SLPMの流量で窒素が流動する圧力下に、窒素を、10SLPMの流量で流動する100%水素で置換させた。水素流れが確立された後、反応器温度を反応器胴部に締着した電気ヒータを用いて毎分1℃の割合で室温から220℃に上昇させた。反応器を約12時間に渡り220℃に保持し、12時間の終了時に、10SLPMで流動する水素を5.4SLPMで流動する窒素で置換させた。窒素流れが確立された後、反応器を減圧し、かくして反応器は周囲温度に冷却された。全システムは48時間に渡り、窒素下にパージされた。当該時間は下流側機器のみならず反応器自体をパージするために必要とされた。
流れをプロセス空気のみとした状態で装置を毎分約0.5℃の割合で約80℃の平均温度に加熱した。80℃に達した後、反応器を約4.5時間に渡り当該80℃に維持し、次いで周囲温度に冷却させた。
これらの処理に続き、上述の反応器をセクション2.1で説明した如くハイドロブラスチング処理した。更に、且つ当該ハイドロブラスチング処理の後、反応器にヘキサンを充填し、数時間放置した。当該処置を2回反復し、次いで反応器を約48時間に渡りドライ処理し、反応器を金属ヘッド付きハンマーで打動させた。この処置により更に3.7gの材料を回収した。
炭化水素合成反応において酸性種を触媒として用いる、または高変換率下に操作する場合、通常、表面上には触媒活性を低下させるコークスが形成される。コークスは隣接する触媒粒子を結合させ、反応器を再生または触媒を交換したい場合に、反応器から除去しにくい凝集を創出させる傾向がある。高分子重量の炭化水素は通常プロセス操作中に触媒表面上に蓄積し、粒子を相互結合させるワックスを形成し得る。粒子凝集の何れのメカニズムも、触媒反応器がマイクロチャンネル寸法形状を有する場合は特に問題となり得る。
代表的には、コークスを、触媒表面から拭掃し得る揮発性成分に変換させる酸化環境が望ましい。蒸気はシンプル且つ安価な酸化用媒体である。蒸気は重い炭化水素を溶融及び又は揮発させるために好都合な熱源でもある。文献によれば、蒸気を特定触媒種に適用する場合、特に炭化水素合成反応にFischer−Tropschケミストリが関与する場合は注意が必要である。
気体分が0.0〜1である飽和蒸気を120〜400℃の範囲で使用し得る。第2実施例では、120〜600℃の温度範囲内で過熱蒸気を使用し得る。蒸気を過酸化水素、空気、または純粋酸素等のその他酸化用化合物と共に、考え得る任意の割合において混合させ得る。
触媒除去手段が、流動化充填プロセスに関して先のセクションで説明した、床に対するガス終端速度を提供し得る。図1cのシステムを使用する場合、流れを重力方向に向け、流体を追加的に重力加速させることが有益であり得る。
セクション3:マイクロチャンネル内への触媒または不活性材料の充填の品質管理に関する概念。
各チャンネルの対流れ抵抗測定値は、マイクロチャンネル内粉末の充填密度の均等品質の他の目安となる。充填密度が均等なチャンネルは圧力損失が非常に類似し、充填床の通過流れに関するErgun式により以下の如く予測される。
Dp[m]=粒子径
ε=流体流れに対する空隙(開放)部分
φ=粒子の球形度
ΔL[m]=床長さ
μ[kg/m/s]=流体粘度
ΔP[Pa]=粒子床を横断しての圧力損失
ρ[kg/m3]=流体密度
U[m/s]=チャンネルに対する比速度
である。
1つ以上のチャンネルにおける流体流動により粒子充填を確認し得る。課題は、流体源を各チャンネルに対する密封シールが形成されるよう装置に取り付けることである。流体源の取り付けは、管その他連結部を1つ以上のチャンネルに据え付ける開口のサイズ及び形状により、幾つかのチャンネルでは困難となり得る。当該取り付けを達成する1つの手段は、ガスケット材料を貫くマイクロチャンネル断面積のオーダーの小孔を利用して当該ガスケット材料を管または管連結部に被着させ、外部力を用いて表面に押し付けることである。前記連結部をアレイ状において全てのマイクロチャンネルに取り付け得、または代表的サンプル(例えば、平行チャンネルから成る直線アレイにおける連続する10の平行なチャンネル等の、10または100の隣り合うマイクロチャンネル)に対して取り付け得る。連結部を表面に一時取り付けする他の手段は当業者には明らかである。
充填分布は、圧力損失変動が平均の10%またはそれ未満であれば良好となり、平均の5%以内であれば更に良好となり、平均の2%以内であれば尚、良好となる。触媒の長さ変化に関する圧力損失変動も同水準であることが好ましい。先に説明した如く、これらの測定値は、少なくとも10の隣り合うマイクロチャンネルに基づくものであり、各セットからの最大変動(分布の各側から5%)は含まれない。
マイクロチャンネル内の粒子充填高さは、長さが既知のピンの使用を介して粒子床頂部を位置出しすることで直接決定する。当該状況は図3.2.1に例示され、長さ一様のピンが、触媒及び不活性粒状物を共に充填した2層のマイクロチャンネル内に挿通される。この特定ケースでは、マイクロチャンネルは0.09525cm(0.0375インチ)の公称間隙と、0.3023cm(0.119インチ)の公称幅とを有する。床をチャンネル内の所望の軸方向位置付近に持ち来すに十分な触媒及び不活性物質とが充填されたと判断されたらピンを挿通し、校正背景と比較する。このようにして各チャンネルにおける実際の充填高さを決定し、最終充填量を、所望の軸方向高さ及び一様度を生じさせるべく調整する。
上述例では、方法を手動で、しかも充填プロセスの終了時近くにおいてのみ実施した。他の実施例では、所定層または多重層内の全チャンネルを、ピンアレイを用いて同時に実施し得、高さを自動的方法(光学的またはその他の)を介して記録し得る。より大型のピンを使用することで、充填プロセス全体(床の0高さ〜全高さ)を通して測定を実施し得る。各ピンは隙間ゲージ形態である必要はなく、1〜1000μの間隙を通してマイクロチャンネルに好適に挿通する寸法形状を持つリボンまたはストリップ等の任意の好適形状を有し得る。仮に個別のマイクロチャンネルの幅が十分であれば、多数のピンまたは隙間ゲージを使用して任意の所定のチャンネル内の粒子床の頂部プロファイルを生成させ得る。
直接測定のためのアクセス性が無い場合、色々の画像処理法を用いてマイクロチャンネル装置内の触媒床高さを決定し得る。マイクロチャンネル装置は通常、触媒を組み入れる開放チャンネルを創出するべくリブで分割した金属プレートから構成される。
最も簡単なのは、印画紙または検出器と共にX線源を使用する方法であり、当該方法は配管や圧力容器における溶接検査で使用するそれと類似のものである。当該方法では、多数のマイクロチャンネル層を含む厚い装置を通して十分な解像度を達成するという制約がある。
マイクロチャンネル装置はチャンネル内圧により発生する応力のため、装置外側に厚い金属プレートを有する場合がしばしばある。厚い金属プレートにより、X線その他を透過させるための必要出力は大きくなる。各端部プレート内の、触媒床の必要高さ位置に小ポケットを加工し得る。これらのポケットは測定位置における金属厚を減少させ、かくして、必要解像度を維持しつつ低出力源の使用を可能とする。
触媒床の高さ測定を提供するその他方法には、MRI(磁気共鳴映像法)、超音波検査法、蛍光透視画像法、がある。
マイクロチャンネル内の粒子床の充填高さ及び密度は、不可聴音(約20Hz以下)、可聴音(約20Hz〜20kHz)、または超可聴音(20kHz以上の周波数)、の範囲内の移行音波を使用して測定され得る。固定かまたは可動の多数の送受信対を使用する装置を介して伝搬される音響が、チャンネル内に充填した粒子状物質により減衰される。第2実施例では、1台の送信機を数台の受信機と組み合わせて使用し得、各送信機及び受信機は固定または可動とされ得る。第3実施例では多数の送信機を1台のまたは多数の受信機と共に使用し、各送信機及び受信機は全てが固定または可動とされる。送信機からの放出物は連続的またはパルス状であり得、多数の送信機を使用する場合は異なる時間及びまたは異なる周波数及び強度下に伝搬される。
減衰レベルは特定充填密度に相関し、かくして品質管理用に使用される。強度の急変は粒子床の頂部及びまたは床内の何れかにおける空隙の存在を表す。減衰レベルの変化は、例えば、触媒に代えてSiCを充填したゾーンである、異質材料の配置及び高さの検出にも使用し得る。平行平面の被スキャン数増大に伴い、3D画像形成や、構造内の深部における空隙及び密度差検出が可能となる。音響の周波数及び強度の変動により追加の解像度も提供され得る。
マイクロチャンネルアレイの充填を決定するための非侵襲的手段は、熱線流速計(G.Comte−Bellot,“The Handbook of Fluid Dynamics”,CRC Press,1998,Section 34,R.W.Johnson,editor)の使用である。全チャンネルへの流れに関し、マニホルドを使用して流体流れをチャンネルの一端に分与する場合、校正済みの熱線流速計を使用することでチャンネル間流れ分布をより直接的に入手可能となる。
充填床を離れる各流れの速度プロファイルはプラグ流に近いので、出口に近い位置でのガス流れの測定値はチャンネル内の流れを反映する。熱線流速計による測定は出口と直交する方向で約1.3〜6.4mm(0.05〜0.25インチ)の範囲内で実施すべきである。全てのまたは代表数でのチャンネル出口速度を測定すべきである。個別の且つ平均速度を測定すべきである。良好な速度分布は、出口速度が±20%、より好ましくは±15%、より好ましくは±10%、更に好ましくは±5%、の範囲内とすべきである。分布が良好であれば、充填密度は当然、分布の一様性の度合いに対するものとなる。
マイクロチャンネル反応器胴部の壁を通して超音波を伝播させる問題を解決するために、超音波源ホーン(オハイオ州グローブシティのToolTex社の製造する、2.54cm×20.3cmのチタン製ホーンを備えた、Ultra Sonic Seal,Model ST,1500ワット超音波電源(Broomall,PA)を、垂直配行させたチャンネルの入口位置に位置決めした。
ホーンをこのように位置決めすると、波状の各チャンネル(粒状触媒を含むマイクロチャンネル形態の)は、各チャンネルの壁を通して超音波振動を長手方向に伝達する横断方向波を創出し、かくして超音波エネルギー集束媒体として機能する。これは、マイクロチャンネルの全長(61cmの長さまでにおいて実証され、少なくとも1mまたはそれ以上の長さにおいて予測される)を通して振動周波数を伝達させる上で有効であることが分かった。この場合、超音波構成部品には1500Wの供給変圧器と、振幅ブースタと、長さ20.3cm、幅2.54cmのチタン製の調整した超音波ホーンとから構成された。当該アセンブリを、ドリルプレススタンド(図7)に類似する設計を有する丸形のスチールカラムに装着したプレナムに取り付けた。超音波ユニットはスチールカラムの長手方向に沿った垂直平面内で空気圧により調節自在であった。空気圧制御器は、装置表面に対するその接触圧の調節性を利用してホーンをチャンネル上縁部に直接位置決めした。チャンネルの頂部と、放出用のホーンとの間に金属スクリーンまたは薄い金属プレートの何れかを配置して、波状のチャンネルの各端部への接触損傷を防止した。この方策は、波情形態を用いないステンレススチール製のマイクロチャンネルに対しても有効であると考えられる。波情形態またはマイクロチャンネルの材料は、それらの材料は金属であることが好ましいものの、本方法の実施上臨界的なものであるとは思われない。
高密度化は、機械的手段を使用した場合より10倍早く、しかもそれを上回るものであった。例えば、長さ61cmの波状形態部に平均粒径300μmの支持材料である粒子を充填し、装置胴部をラバーマレットで、最大高密度化が達成されたと感じられるまで〜400回以上、10分間に渡り打撃して高密度化させた。チャンネル頂部を通して超音波を5秒間のみ導入すると粉末床が約2.54cm(1インチ)沈下した。全チャンネルを横断する充填高さの一様性もまた、機械的振動におけるそれと比較して改善された。この場合、チャンネルに対するホーンの接触圧力は172400Pa(25psi)であった。過剰エネルギーを入力すると接触圧力は310300Pa(45psi)に増大し、各チャンネル内の粉末は流動化を通して分裂し、密度の一貫性が失われ、充填高さの一様性が低下した。
図8にはプロセスチャンネルの断面寸法形状が示される。図には主たる反復ユニットが示され、右側部には垂直の対称線を含んでいる。当該反復ユニットは実際のプロセスチャンネル(石及びセラミックテクスチャ)から成り、格納壁(灰色)と、冷却剤チャンネル(青色)とが、図示平面に関して内外に伸延するプロセス流れと直交する方向に整列する。プロセスチャンネルは2つの分離セクション、即ち、断面積が“段”変化する以前の、チャンネルの両側で除熱がなされる上流側セクションと、その下流側の、対称平面の一方側についてチャンネルの一方側のみにおいて除熱が成される反応器“段”セクションと、を有する。
上流側セクションは、高さ0.1cm長さ28.1cmの間隙を対称軸の一方側に1つ有する。当該上流側セクションでは、隣り合う部分沸騰冷却剤チャンネルにより、対称線に最も近い側の中央冷却剤チャンネルアレイの最後の0.64cm部分を除き、両側から除熱が成される。
下流側の反応器“段”セクションは長さが28.1cmであり、格納壁から対称線までは0.15cmである。先に説明した格納壁は、厚さ0.75mmの上流側セクションの端部位置を除き、厚さが0.25mmであった。
FT反応器を、頂部からの粉末追加により触媒を充填して高さ0.1cmのチャンネルとした。充填高さは既知の長さの直線状のワイヤ片により測定し、定規により床深さを決定した。
1.底部をSiC粉末で充填し且つ高密度化した。
2.“段”部の下方に触媒粉末を充填し且つ高密度化した。
3.段部の直上及び直下部分にSiC粉末を充填し且つ高密度化した。
4.反応器チャンネルの、チャンネル頂部の1.9cmまでに触媒粉末を充填し且つ高密度化した。
5.残余部分の頂部までにSiC粉末を充填し且つ高密度化した。
40のチャンネルを手動で充填し、高さを測定した。
頂部の0インチの開始位置から下方の1.95cmまでがSiC粉末であり、標準偏差は0.3cmであった。次いで触媒セクションが開始され、頂部から28.14cmまで伸延され、標準偏差は0.63cmであった。SiC層が0.1cm高さのセクション状態下に“段”部まで30.8cm伸延した。段部の0.31cm高さのセクションの下方は波状形態を有し、SiC層が、標準偏差1.31cmで35.3cm下方に伸延した。チャンネル底部は触媒粉末で55.37cm間で充填され、最後の4.47cmがSiC粉末で充填され、密度は1.80gm/ccであった。次セクションは頂部触媒セクションであり、幅1.36cm、高さ0.1cm、長さ26.2cmであり、145.198グラムの充填により平均充填密度は0.97gm/ccであった。次セクションは“段”SiC粉末層であり、“段“部上方長さが2.67cm、同下方長さが4.5cmであり、76.516グラムが充填され、密度は1.38gm/ccであった。当該セクションに172.291グラムを追加して密度を0.94gm/ccとした。底部位置の最終SiC層は67.596グラムを有し、密度は1.39gm/ccであった。セクションの高さ、重量、容積、密度、を下の表に示す。
・ハンドツールを使用する手動的方法
・蒸気または高圧H2O(加熱した)
・振動テーブルによる触媒の機械的除去
溶媒
・d−リモネン
・n−ヘキサン
・トルエン
・n−デカン
・n−オクタン
・シクロヘキサン
・10%ダラクリン212
・20%KOH
ドライ超音波
・例えば、改変Sawzall(商標名) blade ♯5184を備えたUltraform(商標名)UF DME Ultrasonic Die Polisher等の個別のチャンネルまたはチャンネル小群からの触媒除去を目的とするカテーテル、または金属カテーテル。
ソックスレー抽出器を用いての、候補溶媒(上に列挙)のベンチスケールでの測定によれば、残留FTワックスの溶解及び凝集粒子の破壊に最も有効なのは温暖化したヘキサンであることが示された。しかしながら、温暖化した溶媒の連続流れ及び引き続く抽出に対する装置でのソックスレー法実施は、装置のサイズ及び設計形態から困難であった。代替法として、充填及び浸漬法を用いた。この方法は結局、反応器胴部内に導入した溶媒が急冷却されることから効果的ではないことが分かった。しかも、ヘキサン溶媒は残留ワックスを破壊するほど十分な深さで触媒に侵入しない。この方法を使用して除去された触媒は結局3.7グラムであった。
初期の方法には、床高密度化を目的とする方法と類似の、装置全体を機械的に振動させて各チャンネルから触媒を除去するものがある。しかしながら、発生する機械的振動力は、強く捕捉された触媒を幾つかの装置チャンネルから除去するには不十分であり、超音波法とは異なり、振動エネルギーを特定位置に集中させ得ないことが分かった。
実効ベンチスケールでの触媒試験反応器をも使用して除去性能を評価した。これらの装置の幾つかは運転サイクル終了時点で標準の脱ワックスプロセスを受けなかった。これにより、製品ワックスがチャンネル内で触媒粉末と共に同伴残留され、かくして、触媒閉じ込みの最悪ケースのシナリオが本来シミュレートされた。乾燥反応器内における超音波伝達により、装置チャンネルから材料が成功裏に除去された。
以下の材料を用いて超音波試験を実施した。
・Engelhard社(BASF)により供給され指定された押し出し成型品A1−4126E。この材料をフライス削り及び篩い分けして50×80メッシュに粒子分布させた。
・上述のアルミナ担体材料から成り且つ30%コバルトを含浸させたFT触媒粉末。
・50×80メッシュのシリカ担体からなり且つ50%コバルトを含浸させたFT触媒粉末。
粉末は19.05cm及び61cmの各長さを有し、断面測定寸法が0.3175cm×0.1cm及び0.57cm×0.1cmのチャンネル内で高密度化された。粒子摩耗、充填床の長さを横断しての粒子分離凝集並びに、ASTM PABDとの関係を調査した。
・超音波周波数
・超音波の振幅
・ホーンの、接触表面に対する圧力
・装置胴部のホーン位置
・バースト時間(装置に伝達される超音波エネルギーの単一または多数のバースト)
バースト時間測定値は3〜30秒であるが、3〜10秒でも十分であることが分かった。実際、バースト時間は適正な床高密度化を達成する上で最も有効であった。より短い、最適化されたバースト時間もまた、材料の物理的完全性に対する負の影響は小さかった。
バースト時間とパルス時間とは区別され得る。本発明では超音波エネルギーは1〜30秒続く1またはそれ以上のバーストにおいて波状チャンネルに印加される。一連の非常に短い“パルス”を、一定バーストとは対照的な、所定期間に渡り装置に印加し得ると考えられる。これにより効率的な高密度化が、触媒に対する物理的損傷を最小化する状態下に提供され得ることは明白である。
適正な床高密度化は、1〜30秒、好ましくは3〜10秒、最も好ましくは3〜5秒の範囲のバースト時間を使用して達成し得る。超音波印加時間が30秒より大きい場合は床の追加的高密度化は生じない。超音波印加時間が30〜90秒の場合は床の若干の層化の形跡が示された。バースト時間が30秒未満である場合は摩損は問題にならなかった。ターゲット充填を達成するために必要な期間に渡る超音波エネルギー印加によって床が粒子サイズの異なる各部分に著しく分離することはなかった。触媒を過剰に加熱または物理的に劣化させることの無いバースト時間は、床充填の高密度化の度合い及び品質管理上最大の影響を持つパラメータである。
・触媒または不活性物質に依存して達成された1〜1.8g/ccのPABDを評価した。
・ASTM PABD(タッピング/振動)をf=20kHzで3〜5秒以内に達成し得るか。
・20kHzでの5〜10秒のバースト時間により、長さ61cmの床の最大PABD(ASTM PABDより大きい)が達成された。
・超音波を使用するFT形式の触媒含有床の充填量は、ASTM PABDのそれに対して3〜5%多かった。
接触圧:
・ホーンの好ましい接触圧範囲は200kPa(30psi)〜280kPa(40psi)、より好ましくは23kPa〜248kPa(34〜36psi)である。
・円滑且つ有効な高密度化とは対照的に、過剰の接触圧及びまたは制御性の低いホーン配置は極めて所望されざる床流動化を生じ得る。
空隙部分
・充填床の、材料に依存して達成された空隙率31〜38%を評価した。
波状インサートを持たない反応器:
Al2O3触媒担体材料を、長さ61cm、幅0.1cm、高さ0.57cmの寸法形状の単一チャンネルを含む異なるマイクロチャンネル反応器において超音波により高密度化した。チャンネルを完全充填し、床を振動テーブル上で達成可能な最大限まで予備高密度化し、次いで超音波により高密度化した。超音波ホーンをチャンネルの上端部位置(重力に関して)に配置した。周波数20kHzにおいて装置上部に10秒間の超音波バーストを3回印加し、2.54cm追加沈下させた。アルミナの見掛け嵩密度及びチャンネル容積が共に予め決定されたため、61cmのチャンネル長さに沿った予測沈下量算出は容易であった。実際、床はアルミナ粉末のASTM PABDに関して測定したそれとほぼ同等レベルに高密度化された。先に説明した如く、超音波ホーンは好ましくは推奨接触圧下に装置との超音波接触を維持すべきである。高密度化における良好な結果は、チャンネル(またはチャンネルの多数のアレイ)を反応器内部の薄い分離壁間に接近配置させる必要がないことの有力な証拠である。実際、当該実施例の反応器は、比較的重い反応器胴部(〜6kg)の中央に〜2.3cm×1.52cm厚のスチール壁を持つ単一のチャンネルから構成される。
33 摺動ドア
34 チャンネル間隙
Claims (5)
- マイクロチャンネル装置から粒子状物質を除去するための方法であって、
粒状物質を含む複数のマイクロチャンネルを含むマイクロチャンネル装置を提供すること、
複数のマイクロチャンネルの一端に超音波発生用ヘッドを位置決めし、該超音波発生用ヘッドを、複数のマイクロチャンネルと直接又は固形媒体を介して接触する状態の何れかに配置すること、
前記超音波発生用ヘッドから複数のマイクロチャンネルに超音波エネルギーを印加させること、
を含み、
前記マイクロチャンネルが少なくとも50cmの長さを有し、
前記超音波エネルギーの印加ステップが、前記マイクロチャンネルが液体の容積以上の大きなガス容積を含む状況下における前記複数のマイクロチャンネルに対して実施される方法。 - 粒状物質を含む少なくとも10のマイクロチャンネルのアレイからマイクロチャンネル反応器内に粒状物質を移動させる方法であって、
少なくとも10のホーン枝アレイを含む超音波発生装置を提供すること、
ホーン枝を前記少なくとも10のマイクロチャンネルの各々の内部に位置決めし、該少なくとも10のマイクロチャンネル内の粒状物質を超音波処理すること、
を含む方法。 - 前記ホーン枝アレイが色々の長さにおいて前記マイクロチャンネル内部に侵入する請求項2に記載の方法。
- 前記複数のマイクロチャンネルが、波形状のシートを金属プレート間に挟持させることで形成される請求項1に記載の方法。
- 前記複数のマイクロチャンネルが残留FTワックスを含む請求項1又は4に記載の方法。
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