JP5940885B2

JP5940885B2 - 排ガス処理装置

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Publication number: JP5940885B2
Application number: JP2012112425A
Authority: JP
Inventors: 泰三宮本; 山本　学; 学山本
Original assignee: Sumco Techxiv Corp
Current assignee: Sumco Techxiv Corp
Priority date: 2012-05-16
Filing date: 2012-05-16
Publication date: 2016-06-29
Anticipated expiration: 2032-05-16
Also published as: JP2013237021A

Description

本発明は、排ガス処理装置に関する。

シリコン単結晶の製造時には、単結晶引上げ装置内に発生するシリコン酸化物などの反応生成物を排除するために、引上げ装置のメインチャンバの上部に連設されたプルチャンバ上部のガス導入口からアルゴンなどの不活性ガスを導入し、メインチャンバ下部のガス排出口から装置外に排出することで、シリコン単結晶の汚染を防止している。

ガス排出口から排出される排ガスは、フィルター、真空ポンプ、湿式スクラバー、ブロアなどから構成された排ガス処理装置に送られる。ここで、フィルターや湿式スクラバーにより排ガス中の不純物が取り除かれ、不純物が取り除かれた排ガスは、最終的には大気中に放出される（例えば、特許文献１参照。）。また、排ガスから不純物を取り除くとともに、不活性ガスを回収し、回収した不活性ガスを精製して再利用する技術も知られている（例えば、特許文献２，３参照。）。

また、シリコン単結晶の引上げを終えた後は、引上げ装置の清掃が行われる。清掃に使用される集塵機は、引上げ装置の近傍に設置された集塵口に、フィルターや湿式スクラバー、ブロアなどが接続されることにより構成されている（例えば、特許文献４参照。）。清掃時にはこの集塵口に清掃ダクトを接続し、引上げ装置内などの清掃が行われる。清掃ダクトから集塵されたダストは湿式スクラバーにより取り除かれる。

特開２０００−２７１４２１号公報特開平０７−３３５８１号公報特開２０１１−５１８７２号公報特開平１１−２１６３８７号公報

従来、シリコン単結晶を引上げる際に引上げ装置から排出される排ガスを処理する排ガス処理装置と、引上げ装置の清掃に使用される集塵機とはそれぞれ別々に設置している。そのため、これらの装置を導入する場合には２台分の設置スペースやイニシャルコスト、ランニングコストが必要となっていた。
特許文献１〜３のような構成では排ガス処理装置が開示され、特許文献４のような構成では集塵機が開示されているが、排ガス処理機能と集塵機能を一体化することは開示されておらず、排ガス処理装置と集塵機とはそれぞれ別に設置する必要があった。

本発明の目的は、排ガス処理機能と集塵機能を一体化することで設置スペース、イニシャルコスト、ランニングコストを低減することができる、排ガス処理装置を提供することにある。

本発明の排ガス処理装置では、単結晶引上げ装置から排出される排ガスを処理する排ガス処理装置であって、前記単結晶引上げ装置の排ガスの排出管路が接続される第１チャンバ、前記第１チャンバの内部に設けられ、前記第１チャンバの内部に水を噴霧する第１散水手段、及び、前記第１チャンバの下部に設けられ、前記第１散水手段で噴霧された水を受けるタンクを備えた除害装置と、前記単結晶引上げ装置で生じた塵埃を回収する集塵管路が上部に接続される第２チャンバ、及び、前記第２チャンバの内部に設けられ、前記第２チャンバの内部に水を噴霧する第２散水手段を備えた集塵処理装置と、前記第１チャンバと管路を介して接続され、前記第１チャンバ内部の気体を外部に排出するブロアとを備え、前記集塵処理装置は、前記第２チャンバの下部が前記タンクの内部と連通し、前記第２チャンバを通過したガスが前記タンクの内部を介して前記第１チャンバ内部に導かれるように構成されていることを特徴とする。

本発明によれば、除害装置及び集塵処理装置を備え、集塵処理装置が、第２チャンバの下部がタンクの内部と連通していることにより、排ガス処理機能と集塵機能が一体化された構成となっている。このため、排ガス処理装置と集塵機とをそれぞれ別々に設置していたときに比べて、設置スペースやイニシャルコストを低減することができる。
また、除害装置と集塵処理装置とで、ガスを排気するブロアを共有する構成としているので、排ガス処理装置と集塵機とをそれぞれ別々に設置していたときに比べて、ランニングコストを低減することができる。
また、清掃時に集塵される塵埃は、集塵処理装置及び除害装置による２段階での処理によって取り除かれるため、従来の集塵機で処理する場合に比べて、外気に排出されるガスの清浄度が高まる。

本発明の排ガス処理装置では、前記第２チャンバは、チャンバを画成する筒体の一部が縮径するベンチュリ管であることが好ましい。
この発明によれば、集塵処理装置の第２チャンバにベンチュリ方式を採用している。ベンチュリ管にすることで、第２散水手段から散布する水がミスト状になり、塵埃との接触頻度が高まるため、除塵効率を向上させることができる。
また、一般的に使用される集塵機では、集塵効率を上げるために内部にフィルターが設置されているが、この内部フィルターを備えた集塵機では、フィルターが詰まり易いため、差圧異常警報が発報され、その都度にフィルターの清掃作業が発生するという不具合を生じていた。一方、ベンチュリ管ではフィルターを使用しないため、従来のフィルター方式を採用した集塵機を使用する場合のフィルター目詰まりの警報がなくなり、フィルター清掃作業を削減することができる。したがって、ランニングコストを更に低減することができる。

また、本発明の排ガス処理装置では、前記除害装置のみの使用と、前記除害装置及び前記集塵処理装置の併用との切替が制御手段により行われ、前記制御手段が前記ブロアの排気速度を制御可能なインバーターを備えることが好ましい。
本発明によれば、切替を行う制御手段がブロアの排気速度を制御可能なインバーターを備えるので、インバーターでブロアの排気速度を制御することにより、除害装置のみの使用と、除害装置及び集塵処理装置の併用との切替を容易に行うことができる。

また、本発明の排ガス処理装置では、前記タンクの下部にドレンを備えることが好ましい。
本発明によれば、タンクの下部にドレンを備えるので、タンク底部に溜まったダスト起因の汚泥量が増加しても、装置の稼働を停止することなく、連続運転しながら、汚泥を排出することができる。

また、本発明の排ガス処理装置では、前記単結晶引上げ装置で生じた塵埃を含むガスは、前記集塵処理装置から前記タンク内空間を通過して前記除害装置に流れ込むことで、前記集塵処理装置及び前記除害装置による２段階で処理されることが好ましい。
この発明によれば、清掃時に集塵される塵埃は、集塵処理装置及び除害装置による２段階での処理によって取り除かれるため、従来の集塵機で処理する場合に比べて、外気に排出されるガスの清浄度が高まる。

本発明の排ガス処理装置の概略図である。

以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。
〔単結晶引上げ装置の構成〕
先ず、単結晶引上げ装置の構成について説明する。
単結晶引上げ装置は、メインチャンバと、メインチャンバ内に配置された石英るつぼと、石英るつぼに熱を放射して加熱する加熱部としてのヒーターと、引上げ部としての引上げケーブルと、を備える。
またメインチャンバの上部には、育成したシリコン単結晶を収容し取り出すためのプルチャンバが連設されている。プルチャンバ上部にはガス導入口が、メインチャンバ下部にはガス排出口がそれぞれ設けられる。

〔排ガス処理装置の構成〕
次に、排ガス処理装置の構成について説明する。
図１に示すように、本発明の排ガス処理装置１は、単結晶引上げ装置２から排出される排ガスを処理する排ガス処理装置であり、除害装置３と、集塵処理装置４と、ブロア５とを備えて構成される。本実施形態では、排ガス処理装置１に接続される単結晶引上げ装置２は３台である。

除害装置３は、単結晶引上げ装置２の排ガスの排出管路２１が接続される第１チャンバ３１と、第１チャンバ３１の内部に設けられ、第１チャンバ３１の内部に水を噴霧する第１散水手段３２、及び、第１チャンバ３１の下部に設けられ、第１散水手段３２で噴霧された水を受けるタンク３３から構成される。除害装置３では、単結晶引上げ装置２から排出される排ガスが第１チャンバ３１を通過する際に、第１散水手段３２から噴霧される水により不純物を捕捉することにより、排ガスに含まれる不純物を取り除く。

また、タンク３３内には事前に水が貯留され、タンク３３内には、貯留水３３１がタンクの約半分程度貯められている。そして、タンク３３内の貯留水３３１を引上げて第１散水手段３２に供給する第１水供給手段３４が接続される。第１水供給手段３４には、ポンプ及びバルブ（図示省略）が設けられる。タンク３３の下部には、タンク３３底部に溜まった汚泥を排出可能なドレン３５が備えられる。ドレン３５にはバルブ３５１が設けられる。
また、複数台の単結晶引上げ装置２の排ガスの排出管路２１には、フィルター２２、ドライ真空ポンプ２３がそれぞれ設けられ、電動弁Ａ１を介して第１チャンバ３１の下側部に接続されている。

集塵処理装置４は、単結晶引上げ装置２で生じた塵埃を回収する集塵管路６１が上部に接続される第２チャンバ４１、及び、第２チャンバ４１の内部に設けられ、第２チャンバ４１の内部に水を噴霧する第２散水手段４２を備えて構成される。そして集塵処理装置４は、第２チャンバ４１の下部がタンク３３の内部と連通している。
集塵処理装置４では、単結晶引上げ装置２で生じた塵埃を含むガスが第２チャンバ４１を通過する際に、第２散水手段４２から噴霧される水により塵埃を捕捉することにより、ガス中に含まれる塵埃の大部分を取り除く。

集塵処理装置４の第２チャンバ４１は、チャンバを画成する筒体の一部が縮径するベンチュリ管であることが好ましい。ベンチュリ管は集束部４１１、スロート部４１２及び拡大部４１３から構成される。ベンチュリ管はスロート部４１２を通過するガス流速が９．５ｍ／ｓ以上５６．０ｍ／ｓ以下の範囲内となるように設定されることが好ましい。第２散水手段４２からの水は、ベンチュリ管の集束部４１１あるいはスロート部４１２付近に噴霧されるように構成されることが好ましい。そして、タンク３３内の貯留水３３１を引上げて第２散水手段４２に供給する第２水供給手段４３が接続される。第２水供給手段４３には、ポンプ及びバルブ（図示省略）が設けられる。
また、複数台の単結晶引上げ装置２の近傍にはそれぞれ集塵口６が設置される。そして、集塵管路６１の一方が集塵口６にそれぞれ接続され、集塵管路６１の他方が、電動弁Ａ２を介して第２チャンバ４１の上部に接続されている。

ブロア５の吸引側には、除害装置３の第１チャンバ３１の上部に接続された管路５１が接続され、ブロア５の排気側には、第１チャンバ３１内部の気体を外気に排出する排気ダクト５２が接続される。
本実施形態の排ガス処理装置１は、除害装置３のみの使用と、除害装置３及び集塵処理装置４の併用との切替が、制御手段７としての制御盤７１により行われる。制御盤７１は、電動弁Ａ１，電動弁Ａ２及びブロア５に電気的に接続され、この制御盤７１により、電動弁Ａ１及び電動弁Ａ２の開閉や開度調節、ブロア５の稼働などの制御が行われる。そして制御手段７には、インバーター７２が備えられ、このインバーター７２により、周波数変更することで、ブロア５の排気速度の制御が行われる。

〔排ガス処理装置の作用〕
＜除害装置３のみの使用（シリコン単結晶の引上げ稼働時）＞
複数台の単結晶引上げ装置２の引上げを行う際には、先ず、制御手段７により、電動弁Ａ１を開き、電動弁Ａ２は閉じておく。また、第１水供給手段３４によりタンク３３内の貯留水３３１を第１散水手段３２に供給する。そして、単結晶引上げ装置２を稼働させる。また、単結晶引上げ装置２にそれぞれ設置されているドライ真空ポンプ２３を稼働させるとともに、ブロア５を稼働させる。ブロア５はインバーター７２により低速動作させる。

（シリコン単結晶の引上げ）
チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の引上げ方法では、先ず、単結晶引上げ装置内に設けられた石英るつぼにシリコン原料としての多結晶シリコンを充填し、シリコン原料が充填された石英るつぼをヒーターで加熱することにより、シリコン原料を溶融してシリコン融液にする。
次いで、引上げケーブル先端に接続された種結晶をシリコン融液に接触させ、石英るつぼ及び引上げケーブルをそれぞれ同方向又は逆方向に回転させながら、種結晶を所定の引上げ速度で引上げることにより種結晶と同じ原子配列をしたシリコン単結晶を成長させる。

また、単結晶引上げ装置内に発生したシリコン酸化物やシリコン窒化物などの反応生成物や不純物を排除することを目的として、プルチャンバ上部のガス導入口からアルゴンなどの不活性ガスを導入し、メインチャンバ下部のガス排出口から単結晶引上げ装置外に排出することで、引上げるシリコン単結晶の汚染を防止する。
排出される排ガス中には、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの反応生成物の他、ＣＯ、ＣＯ_２、Ｏ_２、Ｎ_２及びＨ_２などの不純物ガスが含まれる。また、シリコン単結晶の抵抗値を調整するために、リンや砒素などのドーパントがドーピングされる場合には、これらのドーパントガスも含まれる。この排ガスは、ドライ真空ポンプ２３により単結晶引上げ装置２から排気される。ドライ真空ポンプ２３による排ガスの排気速度は、単結晶引上げ装置内が負圧雰囲気となる、３０００Ｌ／ｍｉｎ程度の範囲内にすることが好ましい。

（除害装置３の作用）
単結晶引上げ装置２から排出された排ガスは、排出管路２１を通り、フィルター２２、ドライ真空ポンプ２３、電動弁Ａ１を介して除害装置３の第１チャンバ３１の下側部に導かれる。なお、フィルター２２により、フィルター２２の目より大きな、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの不純物粒子はここで捕捉される。
第１チャンバ３１では、第１散水手段３２により、通過する排ガスに対して水が散布される。第１散水手段３２からの水の散布量は、第１チャンバ３１内を通過するガス流量に応じて、適宜調整される。例えば、第１チャンバ３１内を通過する排ガス流量が、１．５ｍ^３／ｍｉｎ以上９．５ｍ^３／ｍｉｎ以下の範囲内である場合、第１散水手段３２からの水の散布量を４５Ｌ／ｍｉｎ以上５５Ｌ／ｍｉｎ以下の範囲内にすることが好ましい。第１散水手段３２からの水の散布量が下限値未満では、十分に不純物を捕捉することができないおそれがあり、他方、第１散水手段３２からの水の散布量が上限値を超えても、その効果は変わらない。

これにより、排ガスに散布した水を接触させることで、排ガス中の不純物が水に捕捉され、水に捕捉された不純物は落下して、第１チャンバ３１の下部に位置するタンク３３に汚泥として回収される。なお、タンク３３によって回収された汚泥は、タンク３３の下部に設けられたバルブ３５１を開くことでドレン３５から適宜排出される。
そして、除害装置３を通過して処理された排ガスは、第１チャンバ３１の上部から管路５１を通り、ブロア５を経て、排気ダクト５２から外気に排出される。

＜除害装置３及び集塵処理装置４の併用（単結晶引上げ装置の清掃時）＞
複数台の単結晶引上げ装置２のうち、引上げを終えた単結晶引上げ装置２の清掃を行う際には、先ず、清掃を行う単結晶引上げ装置２の近傍に位置する集塵口６に清掃ダクト（図示省略）を接続する。そして制御手段７により電動弁Ａ２を開く。またインバーター７２により周波数を変更することで、ブロア５の排気速度を切替える。ブロア５の排気速度は、集塵処理装置４の第２チャンバ４１を通過するガス流量が、１．１ｍ^３／ｍｉｎ以上６．５ｍ^３／ｍｉｎ以下の範囲内になるように調整することが好ましい。第２チャンバ４１を通過するガス流量が下限値未満では、十分な吸引力が得られないおそれがあり、他方、第２チャンバ４１を通過するガス流量が上限値を超えると、配管や集塵処理装置４、除害装置３などに過度の負担がかかるおそれがある。
また、集塵口６に接続された清掃ダクトの吸引力は、ブロア５の排気速度に依存するので、通常は除害装置３のみの使用時に比べて、ブロア５の排気速度を高くすることが好ましい。またブロア５の排気速度を高くすると、清掃中の単結晶引上げ装置２以外の、稼働中の単結晶引上げ装置２にそれぞれ設置されているドライ真空ポンプ２３に過度の負担を生じるおそれがあるため、除害装置３のみの使用時に比べて、電動弁Ａ１の開度を狭めることが好ましい。また、第２水供給手段４３によりタンク３３内の貯留水３３１を第２散水手段４２に供給する。

（集塵処理装置４の作用）
そして清掃ダクトの吸引力により単結晶引上げ装置２内の清掃が行われる。ここで集塵される塵埃としては、シリコン酸化物、シリコンなどが含まれる。また引上げの際に、リンや砒素などのドーパントがドーピングされる場合には、これらのドーパント物質起因の塵埃も含まれる。清掃ダクトから集塵された塵埃を含むガスは、集塵口６から集塵管路６１を通り、電動弁Ａ２を介して集塵処理装置４の第２チャンバ４１の上部に導かれる。

第２チャンバ４１では、第２散水手段４２により、通過する塵埃を含むガスに対して水が散布される。第２散水手段４２からの水の散布量は、第２チャンバ４１内を通過するガス流量に応じて、適宜調整される。例えば、通過する塵埃を含むガス流量が、１．１ｍ^３／ｍｉｎ以上６．５ｍ^３／ｍｉｎ以下の範囲内である場合、第２散水手段４２からの水の散布量を５．５Ｌ／ｍｉｎ以上６．５Ｌ／ｍｉｎ以下の範囲内にすることが好ましい。第２散水手段４２からの水の散布量が下限値未満では、十分に塵埃を捕捉することができないおそれがあり、他方、第２散水手段４２からの水の散布量が上限値を超えても、その効果は変わらない。
これにより、塵埃に散布した水を接触させることで、塵埃を含むガス中の塵埃の大部分が水に捕捉され、水に捕捉された塵埃は落下して、第２チャンバ４１の下方に位置するタンク３３に汚泥として回収される。なお、タンク３３によって回収された汚泥は、タンク３３の下部に設けられたバルブ３５１を開くことでドレン３５から適宜排出される。

また、第２チャンバ４１がベンチュリ管であることにより、通過するガスは集束部４１１で絞られて流速が増すため、第２散水手段４２によって、集束部４１１あるいはスロート部４１２付近に散布された水は、集束部４１１下方のスロート部４１２を高速で通過することにより砕かれ、ミスト状となる。そのため、塵埃は無数のミストと効率よく接触するため、高い除塵効果が得られる。

（除害装置３の作用）
続いて、第２チャンバ４１で大部分の塵埃が取り除かれた塵埃の残部を含むガスは、第２チャンバ４１の下部から、第２チャンバ４１の下部に連通しているタンク３３内の空間を通過して第１チャンバ３１の下部に導かれる。
第１チャンバ３１では、第１散水手段３２により、通過する塵埃の残部を含むガスに対して水が散布される。第１散水手段３２からの水の散布量は、上記除害装置３のみの使用時と同様である。

これにより、塵埃の残部を含むガスに散布した水を接触させることで、ガス中の塵埃の残部が水に捕捉され、水に捕捉された塵埃は落下して、第１チャンバ３１の下方に位置するタンク３３に汚泥として回収される。
そして、除害装置３を通過して処理されたガスは、第１チャンバ３１の上部から管路５１を通り、ブロア５を経て、排気ダクト５２から外気に排出される。
なお、複数台の単結晶引上げ装置２のうち、清掃中の単結晶引上げ装置２以外の、引上げ稼働中の単結晶引上げ装置２からの排ガスは、上記除害装置３のみの使用時と同様に処理され、外気に排出される。

＜切替＞
単結晶引上げ装置２内の清掃を終えた後は、除害装置３及び集塵処理装置４の併用時の状態から、除害装置３のみの使用時の状態に戻す。
具体的には、集塵口６に接続した清掃ダクトを外し、制御手段７により電動弁Ａ２を閉じ、電動弁Ａ１の開度を広げる。インバーター７２により周波数を変更することで、ブロア５の排気速度を元の速度に切替える。また、第２水供給手段４３により第２散水手段４２に供給していた水を止める。

〔実施形態の作用効果〕
上述したように、上記実施形態では、以下のような作用効果を奏することができる。
（１）本発明によれば、除害装置３及び集塵処理装置４を備え、集塵処理装置４が、第２チャンバ４１の下部がタンク３３の内部と連通していることにより、排ガス処理機能と集塵機能が一体化された構成となっている。このため、排ガス処理装置と集塵機とをそれぞれ別々に設置していたときに比べて、設置スペースやイニシャルコストを低減することができる。
また、除害装置３と集塵処理装置４とで、ガスを排気するブロア５を共有する構成としているので、排ガス処理装置と集塵機とをそれぞれ別々に設置していたときに比べて、ランニングコストを低減することができる。
また、清掃時に集塵される塵埃は、集塵処理装置４及び除害装置３による２段階での処理によって取り除かれるため、従来の集塵機で処理する場合に比べて、外気に排出されるガスの清浄度が高まる。

（２）集塵処理装置４の第２チャンバ４１は、チャンバを画成する筒体の一部が縮径するベンチュリ管である。
ベンチュリ管にすることで、第２散水手段４２から散布する水がミスト状になり、塵埃との接触頻度が高まるため、除塵効率を向上させることができる。
また、従来のフィルター方式を採用した集塵機を使用する場合に比べて、ベンチュリ管ではフィルターを使用しないため、フィルターが目詰まりする際の警報がなくなり、またフィルター清掃作業を削減することができる。したがって、ランニングコストを更に低減することができる。

（３）除害装置３のみの使用と、除害装置３及び集塵処理装置４の併用との切替が制御手段７により行われる。そして、制御手段７は、ブロア５の排気速度を制御可能なインバーター７２を備えている。
このため、制御手段７で電動弁Ａ１，Ａ２の開閉を制御し、インバーター７２でブロア５の排気速度を制御することにより、除害装置３のみの使用と、除害装置３及び集塵処理装置４の併用との切替を容易に行うことができる。

（４）除害装置３のタンク３３の下部にはドレン３５を備えている。
このため、タンク３３によって回収されタンク３３底部に溜まった汚泥は、ドレン３５から適宜排出することができるため、単結晶引上げ装置２や排ガス処理装置１の稼働を停止することなく、連続運転できる。

（５）単結晶引上げ装置２で生じた塵埃を含むガスは、集塵処理装置４からタンク３３内空間を通過して除害装置３に流れ込むことで、集塵処理装置４及び除害装置３による２段階で処理される。
このため、清掃時に集塵される塵埃は、集塵処理装置及び除害装置による２段階での処理によって取り除かれるため、従来の集塵機で処理する場合に比べて、外気に排出されるガスの清浄度が高まる。

〔他の実施形態〕
なお、本発明は上記実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の改良ならびに設計の変更などが可能である。
すなわち、除害装置３で処理された後の排ガスは、ブロア５を経て外気に排出する構成としたが、排ガスを処理して不純物を取り除いた不活性ガスを回収し、この回収した不活性ガスを単結晶引上げ装置２へのキャリアガスとして再利用する構成としてもよい。
なお、上記構成では、除害装置３及び集塵処理装置４の併用時では、塵埃の集塵の際に大気中の空気が含まれてしまい、不活性ガスの回収及び再利用をすることが難しいため、除害装置３のみの使用時に回収した不活性ガスを単結晶引上げ装置２に再利用する構成とすることが好ましい。
また、集塵口６にフィルターを設けて、径の大きな塵埃をフィルターにより取り除く構成としてもよい。これにより、集塵処理装置４において径の小さな塵埃の除塵効率の向上が期待され、また、タンク３３底部に溜まる汚泥量も少なくなるため、ドレン３５からの汚泥排出頻度が低減される。

１…排ガス処理装置
２…単結晶引上げ装置
２１…排ガスの排出管路
３…除害装置
３１…第１チャンバ
３２…第１散水手段
３３…タンク
３５…ドレン
４…集塵処理装置
４１…第２チャンバ
４２…第２散水手段
５…ブロア
５１…管路
６１…集塵管路
７…制御手段
７２…インバーター

Claims

単結晶引上げ装置から排出される排ガスを処理する排ガス処理装置であって、
前記単結晶引上げ装置の排ガスの排出管路が接続される第１チャンバ、前記第１チャンバの内部に設けられ、前記第１チャンバの内部に水を噴霧する第１散水手段、及び、前記第１チャンバの下部に設けられ、前記第１散水手段で噴霧された水を受けるタンクを備えた除害装置と、
前記単結晶引上げ装置で生じた塵埃を回収する集塵管路が上部に接続される第２チャンバ、及び、前記第２チャンバの内部に設けられ、前記第２チャンバの内部に水を噴霧する第２散水手段を備えた集塵処理装置と、
前記第１チャンバと管路を介して接続され、前記第１チャンバ内部の気体を外部に排出するブロアとを備え、
前記集塵処理装置は、前記第２チャンバの下部が前記タンクの内部と連通し、前記第２チャンバを通過したガスが前記タンクの内部を介して前記第１チャンバ内部に導かれるように構成されていることを特徴とする排ガス処理装置。
請求項１に記載の排ガス処理装置において、
前記第２チャンバは、チャンバを画成する筒体の一部が縮径するベンチュリ管である
ことを特徴とする排ガス処理装置。
請求項１または請求項２に記載の排ガス処理装置において、
前記除害装置のみの使用と、前記除害装置及び前記集塵処理装置の併用との切替が制御手段により行われ、
前記制御手段が前記ブロアの排気速度を制御可能なインバーターを備える
ことを特徴とする排ガス処理装置。
請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の排ガス処理装置において、
前記タンクの下部にドレンを備える
ことを特徴とする排ガス処理装置。
請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の排ガス処理装置において、
前記単結晶引上げ装置で生じた塵埃を含むガスは、前記集塵処理装置から前記タンク内空間を通過して前記除害装置に流れ込むことで、前記集塵処理装置及び前記除害装置による２段階で処理される
ことを特徴とする排ガス処理装置。