JP5931366B2 - 電力変換装置 - Google Patents

Description

この発明は、蓄電デバイスの充放電を制御して電気負荷へ電力供給および回生を行う電力変換装置に関するものである。

近年、エンジンとモータ・ジェネレータを組み合わせたハイブリッド自動車や、モータのみで走行する電気自動車などの電動車両の普及が進んできている。電動車両においては、モータ・ジェネレータにエネルギ供給を行うため高圧バッテリが用いられている。この高圧バッテリは、比較的長い時間、継続して出力することが求められるが、このような特性を有する持続型バッテリを用いると、瞬発的な大電流の充放電によってバッテリの寿命が低下するという問題点があった。このため、複数の蓄電デバイスを組み合わせて高圧バッテリに用いることが提案されている。

一方、複数の蓄電デバイスを用いて所望の電圧を得る従来の電力変換装置には、以下に示すものがある。
直流電源の後段に、各々半導体スイッチング素子と蓄電デバイスであるコンデンサとを有する複数の単相インバータを直列接続し、その後段に、整流ダイオードを介して接続された平滑コンデンサと、平滑コンデンサをバイパスさせる短絡用スイッチとを備える。各単相インバータの出力制御および短絡用スイッチのオンオフ制御の組み合わせによって、複数の蓄電デバイスを切り替えて、蓄電デバイスの電力をコンデンサ側に放電する。（例えば、特許文献１）。

特開２０１１−５５５９３号公報

上記特許文献１記載の電力変換装置では、複数の蓄電デバイスを選択的に用いて各蓄電デバイスの電力を平滑コンデンサ側に放電することはできるが、平滑コンデンサから電力を回生して蓄電デバイスへ充電することはできない。また平滑コンデンサをバイパスして蓄電デバイスを充電することはできるが、直流電源の電力を用いて充電するため、直流電源の電圧に基づいて決められた電圧でしか充電できないものであった。

この発明は、上記のような問題点を解消するために成されたものであって、複数の蓄電デバイスを選択的に用いて各蓄電デバイスを充放電させ、出力および回生の双方向電力移行を行うとともに、複数の蓄電デバイスの間で電圧に依らず電力授受が可能な電力変換装置を得ることを目的とする。

この発明による電力変換装置は、リアクトルと半導体スイッチング素子とを有し、双方向に電力変換するＤＣ／ＤＣコンバータと、
それぞれ蓄電デバイスと複数のスイッチング素子とを有して直流／交流間の電力変換を行う複数の電力変換ユニットを、該電力変換ユニットの交流側を直列接続して備え、該複数の電力変換ユニットの交流側が直列接続される入出力線により上記ＤＣ／ＤＣコンバータに接続される蓄電デバイス充放電装置と、上記ＤＣ／ＤＣコンバータおよび上記蓄電デバイス充放電装置を制御する制御装置とを備える。そして、上記各電力変換ユニットは、上記各蓄電デバイスを選択的に上記蓄電デバイス充放電装置の上記入出力線に直列接続させて、上記各蓄電デバイスの充放電を担うものであり、上記蓄電デバイス充放電装置内の上記複数の蓄電デバイス間で上記ＤＣ／ＤＣコンバータ内の上記リアクトルと上記半導体スイッチング素子とを介して昇降圧を伴う電力授受を可能にしたものである。

またこの発明による電力変換装置は、リアクトルと半導体スイッチング素子とを有し、双方向に電力変換するＤＣ／ＤＣコンバータと、
直流／交流間の電力変換を行う第１の電力変換ユニットと、直流／交流間の電力変換を行う複数の第２の電力変換ユニットの交流側を並列接続して構成した第２の電力変換ユニット群とを、上記第１の電力変換ユニットの交流側と上記第２の電力変換ユニット群の交流側とを直列接続して備え、上記第１の電力変換ユニットおよび上記第２の電力変換ユニット群の交流側が直列接続される入出力線により上記ＤＣ／ＤＣコンバータに接続される蓄電デバイス充放電装置と、上記ＤＣ／ＤＣコンバータおよび上記蓄電デバイス充放電装置を制御する制御装置とを備える。上記第１、第２の各電力変換ユニットは、直流側に接続された蓄電デバイスと、複数のスイッチング素子とを備えて、上記各蓄電デバイスを選択的に上記蓄電デバイス充放電装置の上記入出力線に直列接続させて、上記各蓄電デバイスの充放電を担う。そして、上記蓄電デバイス充放電装置の上記第１の電力変換ユニット内の蓄電デバイスと上記第２の電力変換ユニット内の蓄電デバイスとの２つの蓄電デバイス間で、上記ＤＣ／ＤＣコンバータ内の上記リアクトルと上記半導体スイッチング素子とを介して昇降圧を伴う電力授受を可能にしたものである。

この発明による電力変換装置は、蓄電デバイス充放電装置内の複数の蓄電デバイスを選択的に用いて各蓄電デバイスを充放電させ、ＤＣ／ＤＣコンバータを介して出力／回生する双方向電力移行が可能となる。また、蓄電デバイス充放電装置内の複数の蓄電デバイス間で電圧に依らず電力授受が可能になる。

この発明の実施の形態１による電力変換装置の構成図である。 この発明の実施の形態１による電力変換装置の充電動作を示す図である。 この発明の実施の形態１による電力変換装置の充電動作を示す図である。 この発明の実施の形態１による電力変換装置の充電動作を示す図である。 この発明の実施の形態１による電力変換装置の放電動作を示す図である。 この発明の実施の形態１による電力変換装置の放電動作を示す図である。 この発明の実施の形態１による電力変換装置の放電動作を示す図である。 この発明の実施の形態１による電力変換装置の蓄電デバイス間の昇圧を伴う電力授受動作を示す図である。 この発明の実施の形態１による電力変換装置の蓄電デバイス間の降圧を伴う電力授受動作を示す図である。 この発明の実施の形態１による電力変換装置の蓄電デバイス間の降圧を伴う電力授受動作を示す図である。 この発明の実施の形態１による電力変換装置の蓄電デバイス間の昇圧を伴う電力授受動作を示す図である。 この発明の実施の形態２による電力変換装置の構成図である。 この発明の実施の形態３による電力変換装置の構成図である。

実施の形態１．
以下、この発明の実施の形態１による電力変換装置を図に基づいて説明する。
図１は、この発明の実施の形態１による電力変換装置の構成図である。
図１に示すように、電力変換装置の主回路３は、負荷であるモータ／ジェネレータ１を駆動するインバータ２に接続され、インバータ２に直流電力を供給すると共に、インバータ２から電力を回生する。なおこの場合、インバータ２も、この発明による電力変換装置（主回路３）から見た負荷である。

電力変換装置の主回路３は、直流／交流間の電力変換を行う複数（この場合２個）の電力変換ユニットＡ、Ｂの交流側が直列接続された蓄電デバイス充放電装置４と、ＤＣ／ＤＣコンバータ５とを備える。ＤＣ／ＤＣコンバータ５は、リアクトル６と、第１、第２の半導体スイッチング素子７、８とコンデンサ９とを備える。電力変換ユニットＡは、４個の半導体スイッチング素子１１〜１４を有するフルブリッジ回路と蓄電デバイス１０とから成り、電力変換ユニットＢは、２個の半導体スイッチング素子１６、１７を有するハーフブリッジ回路と蓄電デバイス１５とから成る。

ＤＣ／ＤＣコンバータ５内の第１、第２の半導体スイッチング素子７、８および各電力変換ユニットＡ、Ｂ内の複数の半導体スイッチング素子１１〜１４、１６、１７は、それぞれダイオードが逆並列接続されたＭＯＳＦＥＴを用いているが、このダイオードはＭＯＳＦＥＴが内蔵する寄生ダイオードを用いても良い。また、ＭＯＳＦＥＴに限らず、ダイオードを逆並列に接続したＩＧＢＴ等の自己消弧型半導体スイッチング素子でも良い。
また電力変換装置は、主回路３の蓄電デバイス充放電装置４とＤＣ／ＤＣコンバータ５とを制御する制御装置３０を備える。制御装置３０には、ＤＣ／ＤＣコンバータ５のコンデンサ９の電圧Ｖｄｃと、蓄電デバイス充放電装置４内の各蓄電デバイス１０、１５の電圧ＶＡ、ＶＢおよびモータ／ジェネレータ１の駆動システム（図示せず）の制御信号等が入力され、それらに基づいて、ＤＣ／ＤＣコンバータ５内の第１、第２の半導体スイッチング素子７、８および各電力変換ユニットＡ、Ｂ内の複数の半導体スイッチング素子１１〜１４、１６、１７へのゲート信号３１、３２を生成して各半導体スイッチング素子７、８、１１〜１４、１６、１７のスイッチングを制御する。

次に、主回路３の接続構成を以下に示す。
ＤＣ／ＤＣコンバータ５のコンデンサ９の両端は、ＤＣ／ＤＣコンバータ５の高電圧側入出力端であり、インバータ２の直流側に接続される。また、コンデンサ９の一端（第１の端子）が第２の半導体スイッチング素子８のドレイン端子に接続される。第１の半導体スイッチング素子７のドレイン端子と第２の半導体スイッチング素子８のソース端子とリアクトル６の一端とが接続される。コンデンサ９の他端（第２の端子）が第１の半導体スイッチング素子７のソース端子に接続され、この接続線とリアクトル６の他端とが、ＤＣ／ＤＣコンバータ５の低電圧側入出力端となり、同時に蓄電デバイス充放電装置４の入出力線に接続される。

上記リアクトル６の他端は、蓄電デバイス充放電装置４の入出力線を介して半導体スイッチング素子１１のソース端子と半導体スイッチング素子１２のドレイン端子との接続点に接続される。蓄電デバイス１０の正極は半導体スイッチング素子１１のドレイン端子と半導体スイッチング素子１３のドレイン端子とに接続され、蓄電デバイス１０の負極は半導体スイッチング素子１２のソース端子と半導体スイッチング素子１４のソース端子とに接続される。半導体スイッチング素子１３のソース端子と半導体スイッチング素子１４のドレイン端子とが接続され、その接続点は、半導体スイッチング素子１６のソース端子と半導体スイッチング素子１７のドレイン端子とが接続された接続点に接続される。蓄電デバイス１５の正極は半導体スイッチング素子１６のドレイン端子に接続される。そして、蓄電デバイス１５の負極は半導体スイッチング素子１７のソース端子に接続されて、蓄電デバイス充放電装置４の入出力線を介してコンデンサ９の第２の端子および第１の半導体スイッチング素子７のソース端子に接続される。
このように、複数の電力変換ユニットＡ、Ｂの交流側は蓄電デバイス充放電装置４の入出力線に直列接続され、蓄電デバイス充放電装置４の入出力線はＤＣ／ＤＣコンバータ５の低電圧側入出力端に接続される。

次に動作について以下に示す。
蓄電デバイス充放電装置４では、複数の電力変換ユニットＡ、Ｂの交流側の各発生電圧の和を入出力線間に発生し、ＤＣ／ＤＣコンバータ５の低電圧側入出力端に接続する。
蓄電デバイス充放電装置４内の蓄電デバイス１０、１５に充放電される電力は、蓄電デバイス充放電装置４とインバータ２との間で、ＤＣ／ＤＣコンバータ５を介して電力授受される。蓄電デバイス１０、１５の充電動作時は、インバータ２からＤＣ／ＤＣコンバータ５を介して蓄電デバイス充放電装置４へ電力を回生し、放電動作時は、蓄電デバイス充放電装置４からＤＣ／ＤＣコンバータ５を介してインバータ２へ電力供給する。
そして、インバータ２と電力変換装置（主回路３）との間で電力の遣り取りが停止している間に、蓄電デバイス充放電装置４内の蓄電デバイス１０、１５間で互いに電力授受する。
制御装置３０は、上記のような蓄電デバイス１０、１５の充電動作時の制御である回生モードと、蓄電デバイス１０、１５の放電動作時の制御である力行モードと、蓄電デバイス充放電装置４内の蓄電デバイス１０、１５間の電力授受を制御する電力授受モードとの３種の制御モードを有する。

まず制御装置３０の回生モードにおける蓄電デバイス１０、１５の充電動作を、図２〜図４に基づいて３通りに分けて説明する。図中の点線および矢印は蓄電デバイス充放電装置４内の電流の流れを示す。
なお、この回生モードでは、インバータ２はモータ／ジェネレータ１からの電力を回生し、ＤＣ／ＤＣコンバータ５はインバータ２から回生される電力を蓄電デバイス充放電装置４へ移行する。この時、制御装置３０は、第２の半導体スイッチング素子８のスイッチング制御によりＤＣ／ＤＣコンバータ５を降圧動作させ、コンデンサ９の電圧Ｖｄｃを設定電圧に保持すると共に、蓄電デバイス充放電装置４へ電力移行する。このようなＤＣ／ＤＣコンバータ５の動作は、制御装置３０の回生モードにおいて共通であるため、各図（図２〜図４）の説明では図示および説明は省略する。

第１の充電動作は、図２に示すように、２つの電力変換ユニットＡ、Ｂの蓄電デバイス１０、１５の双方を充電する動作である。この場合、電力変換ユニットＡの半導体スイッチング素子１１、１４をＯＮ状態、半導体スイッチング素子１２、１３をＯＦＦ状態にすると共に、電力変換ユニットＢの半導体スイッチング素子１６をＯＮ状態、半導体スイッチング素子１７をＯＦＦ状態にする。これにより、電力変換ユニットＡ、Ｂの２つの蓄電デバイス１０、１５は直列接続されると共に、蓄電デバイス充放電装置４の入出力線に直列接続される。このとき、図に示す経路を流れる電流により蓄電デバイス１０、１５は充電動作状態となり、インバータ２からＤＣ／ＤＣコンバータ５を介して蓄電デバイス充放電装置４へ移行した電力が、蓄電デバイス１０、１５に充電される。

第２の充電動作は、図３に示すように、電力変換ユニットＡの蓄電デバイス１０には充電せず、電力変換ユニットＢの蓄電デバイス１５を充電する動作である。この場合、電力変換ユニットＡの半導体スイッチング素子１２、１４をＯＮ状態、半導体スイッチング素子１１、１３をＯＦＦ状態にすると共に、電力変換ユニットＢの半導体スイッチング素子１６をＯＮ状態、半導体スイッチング素子１７をＯＦＦ状態にする。これにより、電力変換ユニットＡの蓄電デバイス１０はバイパスされ、電力変換ユニットＢの蓄電デバイス１５のみ蓄電デバイス充放電装置４の入出力線に直列接続される。このとき、図に示す経路を流れる電流により蓄電デバイス１５は充電動作状態となり、インバータ２からＤＣ／ＤＣコンバータ５を介して蓄電デバイス充放電装置４へ移行した電力が、蓄電デバイス１５に充電される。

第３の充電動作は、図４に示すように、電力変換ユニットＡの蓄電デバイス１０を充電し、電力変換ユニットＢの蓄電デバイス１５には充電しない動作である。この場合、電力変換ユニットＡの半導体スイッチング素子１１、１４をＯＮ状態、半導体スイッチング素子１２、１３をＯＦＦ状態にすると共に、電力変換ユニットＢの半導体スイッチング素子１６をＯＦＦ状態、半導体スイッチング素子１７をＯＮ状態にする。これにより、電力変換ユニットＡの蓄電デバイス１０のみ蓄電デバイス充放電装置４の入出力線に直列接続され、電力変換ユニットＢの蓄電デバイス１５はバイパスされる。このとき、図に示す経路を流れる電流により蓄電デバイス１０は充電動作状態となり、インバータ２からＤＣ／ＤＣコンバータ５を介して蓄電デバイス充放電装置４へ移行した電力が、蓄電デバイス１０に充電される。

次に、制御装置３０の力行モードにおける蓄電デバイス１０、１５の放電動作を、図５〜図７に基づいて３通りに分けて説明する。図中の点線および矢印は蓄電デバイス充放電装置４内の電流の流れを示す。
なお、この力行モードでは、蓄電デバイス充放電装置４から出力された電力がＤＣ／ＤＣコンバータ５を介してインバータ２に供給される。この時、制御装置３０は、第１の半導体スイッチング素子７のスイッチング制御によりコンデンサ９の電圧Ｖｄｃが設定電圧に保持されるようにＤＣ／ＤＣコンバータ５を昇圧動作させる。このようなＤＣ／ＤＣコンバータ５の動作は、制御装置３０の力行モードにおいて共通であるため、各図（図５〜図７）の説明では図示および説明は省略する。

第１の放電動作は、図５に示すように、２つの電力変換ユニットＡ、Ｂの蓄電デバイス１０、１５の双方を放電する動作である。この場合、電力変換ユニットＡの半導体スイッチング素子１１、１４をＯＮ状態、半導体スイッチング素子１２、１３をＯＦＦ状態にすると共に、電力変換ユニットＢの半導体スイッチング素子１６をＯＮ状態、半導体スイッチング素子１７をＯＦＦ状態にする。これにより、電力変換ユニットＡ、Ｂの２つの蓄電デバイス１０、１５は直列接続されると共に、蓄電デバイス充放電装置４の入出力線に直列接続される。このとき、図に示す経路を電流が流れて蓄電デバイス１０、１５は放電動作状態となり、蓄電デバイス１０、１５からの放電電力は蓄電デバイス充放電装置４から出力され、ＤＣ／ＤＣコンバータ５を介してインバータ２に供給される。

第２の放電動作は、図６に示すように、電力変換ユニットＡの蓄電デバイス１０は放電せず、電力変換ユニットＢの蓄電デバイス１５を放電する動作である。この場合、電力変換ユニットＡの半導体スイッチング素子１２、１４をＯＮ状態、半導体スイッチング素子１１、１３をＯＦＦ状態にすると共に、電力変換ユニットＢの半導体スイッチング素子１６をＯＮ状態、半導体スイッチング素子１７をＯＦＦ状態にする。これにより、電力変換ユニットＡの蓄電デバイス１０はバイパスされ、電力変換ユニットＢの蓄電デバイス１５のみ蓄電デバイス充放電装置４の入出力線に直列接続される。このとき、図に示す経路を電流が流れて蓄電デバイス１５は放電動作状態となり、蓄電デバイス１５からの放電電力は蓄電デバイス充放電装置４から出力され、ＤＣ／ＤＣコンバータ５を介してインバータ２に供給される。

第３の放電動作は、図７に示すように、電力変換ユニットＡの蓄電デバイス１０を放電し、電力変換ユニットＢの蓄電デバイス１５は放電しない動作である。この場合、電力変換ユニットＡの半導体スイッチング素子１１、１４をＯＮ状態、半導体スイッチング素子１２、１３をＯＦＦ状態にすると共に、電力変換ユニットＢの半導体スイッチング素子１６をＯＦＦ状態、半導体スイッチング素子１７をＯＮ状態にする。これにより、電力変換ユニットＡの蓄電デバイス１０のみ蓄電デバイス充放電装置４の入出力線に直列接続され、電力変換ユニットＢの蓄電デバイス１５はバイパスされる。このとき、図に示す経路を電流が流れて蓄電デバイス１０は放電動作状態となり、蓄電デバイス１０からの放電電力は蓄電デバイス充放電装置４から出力され、ＤＣ／ＤＣコンバータ５を介してインバータ２に供給される。

次に、制御装置３０の電力授受モードにおける蓄電デバイス１０、１５の電力授受動作を、図８〜図１１に基づいて４通りに分けて説明する。図中の点線および矢印は蓄電デバイス充放電装置４内の電流の流れを示す。
なお、この電力授受モードでは、インバータ２と電力変換装置（主回路３）との間で電力の遣り取りが停止しており、蓄電デバイス充放電装置４内の蓄電デバイス１０、１５間でＤＣ／ＤＣコンバータ５を介して互いに電力授受する。

第１の電力授受動作は、図８に示すように、電力変換ユニットＡの蓄電デバイス１０から電力変換ユニットＢの蓄電デバイス１５へ昇圧動作を伴って電力移行する動作である。
まず図８（ａ）に示すように、ＤＣ／ＤＣコンバータ５の第１の半導体スイッチング素子７をＯＮ状態にし、第２の半導体スイッチング素子８をＯＦＦ状態にし、電力変換ユニットＡの半導体スイッチング素子１２、１３をＯＮ状態、半導体スイッチング素子１１、１４をＯＦＦ状態にすると共に、電力変換ユニットＢの半導体スイッチング素子１６をＯＦＦ、半導体スイッチング素子１７をＯＮする。これにより、蓄電デバイス充放電装置４では電力変換ユニットＡの蓄電デバイス１０のみ入出力線に直列接続され、図に示す経路を電流が流れて、蓄電デバイス１０は電力を放電してＤＣ／ＤＣコンバータ５のリアクトル６は電力を蓄える。

次いで図８（ｂ）に示すように、電力変換ユニットＢの半導体スイッチング素子１６をＯＮ、半導体スイッチング素子１７をＯＦＦすると、蓄電デバイス充放電装置４では電力変換ユニットＡの蓄電デバイス１０が放電、電力変換ユニットＢの蓄電デバイス１５が充電するように蓄電デバイス１０、１５が入出力線に直列接続され、図に示すように電流経路が切り替わる。蓄電デバイス１０の放電電力はリアクトル６に蓄えられていた電力と共に、蓄電デバイス１５へ移行する。
電力変換ユニットＢの半導体スイッチング素子１６、１７のＯＮ／ＯＦＦを切り替えて図８（ａ）、図８（ｂ）で示す動作を交互に繰り返すことにより、半導体スイッチング素子１６、１７およびリアクトル６による昇圧動作が行われ、電力変換ユニットＡの蓄電デバイス１０から電力変換ユニットＢの蓄電デバイス１５へ電力が移行する。
なお、半導体スイッチング素子７、１６はＯＦＦ状態のままで、半導体スイッチング素子１７のＯＮ／ＯＦＦを切り替えても同様の効果が得られる。

第２の電力授受動作は、図９に示すように、電力変換ユニットＡの蓄電デバイス１０から電力変換ユニットＢの蓄電デバイス１５へ降圧動作を伴って電力移行する動作である。
まず図９（ａ）に示すように、ＤＣ／ＤＣコンバータ５の第１の半導体スイッチング素子７をＯＮ状態にし、第２の半導体スイッチング素子８をＯＦＦ状態にし、電力変換ユニットＡの半導体スイッチング素子１３をＯＮ状態、半導体スイッチング素子１４をＯＦＦ状態にし、電力変換ユニットＢの半導体スイッチング素子１６をＯＮ状態、半導体スイッチング素子１７をＯＦＦ状態にする。そして、電力変換ユニットＡの半導体スイッチング素子１１をＯＦＦ、半導体スイッチング素子１２をＯＮにする。これにより、蓄電デバイス充放電装置４では電力変換ユニットＡの蓄電デバイス１０が放電、電力変換ユニットＢの蓄電デバイス１５が充電するように蓄電デバイス１０、１５が入出力線に直列接続され、図に示す経路を電流が流れて、蓄電デバイス１０は放電し、蓄電デバイス１５は充電すると共に、ＤＣ／ＤＣコンバータ５のリアクトル６は電力を蓄える。

次いで図９（ｂ）に示すように、電力変換ユニットＡの半導体スイッチング素子１１をＯＮ、半導体スイッチング素子１２をＯＦＦすると、蓄電デバイス充放電装置４では電力変換ユニットＡの蓄電デバイス１０がバイパスされ、電力変換ユニットＢの蓄電デバイス１５のみ入出力線に直列接続され、図に示すように電流経路が切り替わる。これによりリアクトル６に蓄えられていた電力は蓄電デバイス１５へ移行する。
電力変換ユニットＡの半導体スイッチング素子１１、１２のＯＮ／ＯＦＦを切り替えて図９（ａ）、図９（ｂ）で示す動作を交互に繰り返すことにより、半導体スイッチング素子１１、１２およびリアクトル６による降圧動作が行われ、電力変換ユニットＡの蓄電デバイス１０から電力変換ユニットＢの蓄電デバイス１５へ電力が移行する。
なお、半導体スイッチング素子７、１１はＯＦＦ状態のままで、半導体スイッチング素子１２のＯＮ／ＯＦＦを切り替えても同様の効果が得られる。

第３の電力授受動作は、図１０に示すように、電力変換ユニットＢの蓄電デバイス１５から電力変換ユニットＡの蓄電デバイス１０へ降圧動作を伴って電力移行する動作である。
まず図１０（ａ）に示すように、ＤＣ／ＤＣコンバータ５の第１の半導体スイッチング素子７をＯＮ状態にし、第２の半導体スイッチング素子８をＯＦＦ状態にし、電力変換ユニットＡの半導体スイッチング素子１２、１３をＯＮ状態、半導体スイッチング素子１１、１４をＯＦＦ状態にし、電力変換ユニットＢの半導体スイッチング素子１６をＯＮ、半導体スイッチング素子１７をＯＦＦする。これにより、蓄電デバイス充放電装置４では電力変換ユニットＡの蓄電デバイス１０が充電、電力変換ユニットＢの蓄電デバイス１５が放電するように蓄電デバイス１０、１５が入出力線に直列接続され、図に示す経路を電流が流れて、蓄電デバイス１５は放電し、蓄電デバイス１０は充電すると共に、ＤＣ／ＤＣコンバータ５のリアクトル６は電力を蓄える。

次いで図１０（ｂ）に示すように、電力変換ユニットＢの半導体スイッチング素子１６をＯＦＦ、半導体スイッチング素子１７をＯＮすると、蓄電デバイス充放電装置４では電力変換ユニットＢの蓄電デバイス１５がバイパスされ、電力変換ユニットＡの蓄電デバイス１０のみ入出力線に直列接続され、図に示すように電流経路が切り替わる。これによりリアクトル６に蓄えられていた電力は蓄電デバイス１０へ移行する。
電力変換ユニットＢの半導体スイッチング素子１６、１７のＯＮ／ＯＦＦを切り替えて図１０（ａ）、図１０（ｂ）で示す動作を交互に繰り返すことにより、半導体スイッチング素子１６、１７およびリアクトル６による降圧動作が行われ、電力変換ユニットＢの蓄電デバイス１５から電力変換ユニットＡの蓄電デバイス１０へ電力が移行する。
なお、半導体スイッチング素子１６はＯＦＦ状態のままで、半導体スイッチング素子１７のＯＮ／ＯＦＦを切り替えても同様の効果が得られる。

第４の電力授受動作は、図１１に示すように、電力変換ユニットＢの蓄電デバイス１５から電力変換ユニットＡの蓄電デバイス１０へ昇圧動作を伴って電力移行する動作である。
まず図１１（ａ）に示すように、ＤＣ／ＤＣコンバータ５の第１の半導体スイッチング素子７をＯＮ状態にし、第２の半導体スイッチング素子８をＯＦＦ状態にし、電力変換ユニットＡの半導体スイッチング素子１３をＯＮ状態、半導体スイッチング素子１４をＯＦＦ状態にし、電力変換ユニットＢの半導体スイッチング素子１６をＯＮ状態、半導体スイッチング素子１７をＯＦＦ状態にする。そして、電力変換ユニットＡの半導体スイッチング素子１１をＯＮ、半導体スイッチング素子１２をＯＦＦする。これにより、蓄電デバイス充放電装置４では電力変換ユニットＢの蓄電デバイス１５のみ入出力線に直列接続され、図に示す経路を電流が流れて、蓄電デバイス１５は電力を放電してＤＣ／ＤＣコンバータ５のリアクトル６は電力を蓄える。

次いで図１１（ｂ）に示すように、電力変換ユニットＡの半導体スイッチング素子１１をＯＦＦ、半導体スイッチング素子１２をＯＮすると、蓄電デバイス充放電装置４では電力変換ユニットＢの蓄電デバイス１５が放電、電力変換ユニットＡの蓄電デバイス１０が充電するように蓄電デバイス１０、１５が入出力線に直列接続され、図に示すように電流経路が切り替わる。蓄電デバイス１５の放電電力はリアクトル６に蓄えられていた電力と共に、蓄電デバイス１０へ移行する。
電力変換ユニットＡの半導体スイッチング素子１１、１２のＯＮ／ＯＦＦを切り替えて図１１（ａ）、図１１（ｂ）で示す動作を交互に繰り返すことにより、半導体スイッチング素子１１、１２およびリアクトル６による昇圧動作が行われ、電力変換ユニットＢの蓄電デバイス１５から電力変換ユニットＡの蓄電デバイス１０へ電力が移行する。
なお、半導体スイッチング素子１１はＯＦＦ状態のままで、半導体スイッチング素子１２のＯＮ／ＯＦＦを切り替えても同様の効果が得られる。

以上のように、この実施の形態では、蓄電デバイス充放電装置４内の複数の蓄電デバイス１０、１５を選択的に充放電させ、ＤＣ／ＤＣコンバータ５を介して出力／回生する双方向電力移行が可能となる。また、蓄電デバイス充放電装置４内の複数の蓄電デバイス１０、１５間で電圧に依らず双方向に電力授受が可能になり、蓄電デバイス１０、１５に耐圧の異なるデバイスを用いることができる。例えば蓄電デバイス１５から蓄電デバイス１０へ電力移行する際、各蓄電デバイス１０、１５の電圧ＶＡ、ＶＢに応じて昇圧あるいは降圧することで容易に電力移行できる。
また、２つの蓄電デバイス１０、１５を特性の異なるデバイス、例えばニッケル水素バッテリやリチウムイオンバッテリ等から成り、比較的長い時間、継続して出力するのに適する持続型バッテリと、例えばリチウムイオンバッテリや電気二重層コンデンサ等から成り、瞬発的な大電流の充放電に適する瞬発型バッテリとで構成し、モータ／ジェネレータ１の駆動制御に応じて各蓄電デバイス１０、１５の特性を生かした制御を行う等、自由度の高い制御に対応でき、利便性が向上する。またこれにより、蓄電デバイス１０、１５の劣化を抑制して長寿命化が図れると共に、高い電力変換効率を実現できる。また複数の蓄電デバイス１０、１５の中で安価な蓄電デバイスを優先的に用いる制御が可能になり、それにより蓄電デバイスの保守管理の低コスト化も図れる。

なお、図２〜図１１を用いて説明した各半導体スイッチング素子のオン／オフ動作は、一例であり、例えば、電力変換ユニットＡの半導体スイッチング素子１２、１４をＯＮ状態にして半導体スイッチング素子１１、１３をＯＦＦ状態にするのは、半導体スイッチング素子１１、１３をＯＮ状態にして半導体スイッチング素子１２、１４をＯＦＦ状態にするものでも良く、上述した動作に限るものではない。また例えば、図２〜図１１において、電流経路によっては一部の各半導体スイッチング素子の逆並列ダイオードを用いて、蓄電デバイス１０、１５の充電動作である回生モードと、蓄電デバイス１０、１５の放電動作である力行モードと、蓄電デバイス１０、１５間の電力授受である電力授受モードの動作をさせることができ、同様の効果が得られる。
また、電力変換ユニットＢは、２個の半導体スイッチング素子１６、１７を有するハーフブリッジ回路と蓄電デバイス１５とから成るものを示したが、フルブリッジ回路と蓄電デバイス１５とから成るものでも良い。

実施の形態２．
上記実施の形態１では、２個の電力変換ユニットＡ、Ｂを備えるものを示したが、この実施の形態２による電力変換装置は、４個の電力変換ユニットＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄを備える。
図１２は、この発明の実施の形態２による電力変換装置の構成図である。以下、実施の形態１との差分を中心に示す。
図１２に示すように、電力変換装置の主回路３ａは、直流／交流間の電力変換を行う電力変換ユニットＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの交流側が直列接続された蓄電デバイス充放電装置４ａと、ＤＣ／ＤＣコンバータ５とを備える。電力変換ユニットＡは、４個の半導体スイッチング素子１１〜１４を有するフルブリッジ回路と蓄電デバイス１０とから成り、電力変換ユニットＢは、４個の半導体スイッチング素子１６〜１９を有するフルブリッジ回路と蓄電デバイス１５とから成り、電力変換ユニットＣは、４個の半導体スイッチング素子２１〜２４を有するフルブリッジ回路と蓄電デバイス２０とから成る。そして、最も低電圧側に接続される電力変換ユニットＤは、２個の半導体スイッチング素子２６、２７を有するハーフブリッジ回路と蓄電デバイス２５とから成る。各電力変換ユニットＡ〜Ｄ内の複数の半導体スイッチング素子は、それぞれダイオードが逆並列接続されたＭＯＳＦＥＴを用いているが、このダイオードはＭＯＳＦＥＴが内蔵する寄生ダイオードを用いても良い。また、ＭＯＳＦＥＴに限らず、ダイオードを逆並列に接続したＩＧＢＴ等の自己消弧型半導体スイッチング素子でも良い。

また電力変換装置は、主回路３ａの蓄電デバイス充放電装置４ａとＤＣ／ＤＣコンバータ５とを制御する制御装置３０ａを備える。制御装置３０ａには、ＤＣ／ＤＣコンバータ５のコンデンサ９の電圧Ｖｄｃと、蓄電デバイス充放電装置４ａ内の各蓄電デバイス１０、１５、２０、２５の電圧ＶＡ、ＶＢ、ＶＣ、ＶＤおよびモータ／ジェネレータ１の駆動システム（図示せず）の制御信号等が入力され、それらに基づいて、ＤＣ／ＤＣコンバータ５内および各電力変換ユニットＡ〜Ｄ内の半導体スイッチング素子へのゲート信号３１、３２ａを生成してＤＣ／ＤＣコンバータ５および蓄電デバイス充放電装置４ａを制御する。その他の構成は、上記実施の形態１と同様である。

次に、主回路３ａの接続構成について、実施の形態１との差分を中心に以下に示す。
蓄電デバイス１５の正極は半導体スイッチング素子１６のドレイン端子と半導体スイッチング素子１８のドレイン端子とに接続され、蓄電デバイス１５の負極は半導体スイッチング素子１７のソース端子と半導体スイッチング素子１９のソース端子とに接続される。半導体スイッチング素子１８のソース端子と半導体スイッチング素子１９のドレイン端子とが接続され、その接続点は、半導体スイッチング素子２１のソース端子と半導体スイッチング素子２２のドレイン端子とが接続された接続点に接続される。
蓄電デバイス２０の正極は半導体スイッチング素子２１のドレイン端子と半導体スイッチング素子２３のドレイン端子とに接続され、蓄電デバイス２０の負極は半導体スイッチング素子２２のソース端子と半導体スイッチング素子２４のソース端子とに接続される。半導体スイッチング素子２３のソース端子と半導体スイッチング素子２４のドレイン端子とが接続され、その接続点は、半導体スイッチング素子２６のソース端子と半導体スイッチング素子２７のドレイン端子とが接続された接続点に接続される。

蓄電デバイス２５の正極は半導体スイッチング素子２６のドレイン端子に接続される。そして、蓄電デバイス２５の負極は半導体スイッチング素子２７のソース端子に接続されて、蓄電デバイス充放電装置４ａの入出力線を介してコンデンサ９の第２の端子および第１の半導体スイッチング素子７のソース端子に接続される。その他の接続構成は、上記実施の形態１と同様である。
このように、複数の電力変換ユニットＡ〜Ｄの交流側は蓄電デバイス充放電装置４ａの入出力線に直列接続され、蓄電デバイス充放電装置４ａの入出力線はＤＣ／ＤＣコンバータ５の低電圧側入出力端に接続される。

次に動作について以下に示す。
蓄電デバイス充放電装置４ａでは、複数の電力変換ユニットＡ〜Ｄの交流側の各発生電圧の和を入出力線間に発生し、ＤＣ／ＤＣコンバータ５の低電圧側入出力端に接続する。
蓄電デバイス充放電装置４ａ内の蓄電デバイス１０、１５、２０、２５に充放電される電力は、蓄電デバイス充放電装置４ａとインバータ２との間で、ＤＣ／ＤＣコンバータ５を介して電力授受される。
制御装置３０ａは、上記実施の形態１と同様に、蓄電デバイス１０、１５、２０、２５の充電動作時の制御である回生モードと、蓄電デバイス１０、１５、２０、２５の放電動作時の制御である力行モードと、インバータ２と電力変換装置（主回路３ａ）との間で電力の遣り取りが停止している間に、蓄電デバイス充放電装置４ａ内の蓄電デバイス１０、１５、２０、２５間の電力授受を制御する電力授受モードとの３種の制御モードを有する。

回生モードでは、インバータ２はモータ／ジェネレータ１からの電力を回生し、ＤＣ／ＤＣコンバータ５はインバータ２から回生される電力を蓄電デバイス充放電装置４ａへ移行する。この時、制御装置３０ａは、第２の半導体スイッチング素子８のスイッチング制御によりＤＣ／ＤＣコンバータ５を降圧動作させ、コンデンサ９の電圧Ｖｄｃを設定電圧に保持すると共に、蓄電デバイス充放電装置４ａへ電力移行する。そして、蓄電デバイス充放電装置４ａ内の各電力変換ユニットＡ〜Ｄを駆動制御して、各蓄電デバイス１０、１５、２０、２５を選択的に蓄電デバイス充放電装置４ａの入出力線に直列接続して充電する。

力行モードでは、蓄電デバイス充放電装置４ａから出力された電力がＤＣ／ＤＣコンバータ５を介してインバータ２に供給される。この時、制御装置３０ａは、蓄電デバイス充放電装置４ａ内の各電力変換ユニットＡ〜Ｄを駆動制御して、各蓄電デバイス１０、１５、２０、２５を選択的に蓄電デバイス充放電装置４ａの入出力線に直列接続して放電する。そして、第１の半導体スイッチング素子７のスイッチング制御によりコンデンサ９の電圧Ｖｄｃが設定電圧に保持されるようにＤＣ／ＤＣコンバータ５を昇圧動作させてインバータ２に電力供給する。

そして電力授受モードでは、蓄電デバイス充放電装置４ａ内の複数の蓄電デバイス１０、１５、２０、２５内から選択された２つの蓄電デバイス間で、ＤＣ／ＤＣコンバータ５のリアクトル６および第１の半導体スイッチング素子７を用いて、昇圧動作あるいは降圧動作を伴って互いに電力授受する。
個別の動作については上記実施の形態１と同様である。

以上のように、この実施の形態においても上記実施の形態１と同様に、蓄電デバイス充放電装置４ａ内の複数の蓄電デバイス１０、１５、２０、２５を選択的に充放電させ、ＤＣ／ＤＣコンバータ５を介して出力／回生する双方向電力移行が可能となる。また、蓄電デバイス充放電装置４ａ内の複数の蓄電デバイス１０、１５、２０、２５内の２つを選択して、その蓄電デバイス１０、１５、２０、２５間で電圧に依らず双方向に電力授受が可能になる。これにより、上記実施の形態１で示したように、耐圧や特性の異なる複数の蓄電デバイスを用いることができ、また自由度の高い制御に対応でき、利便性が向上する。またこれにより、蓄電デバイスの劣化を抑制して長寿命化が図れると共に、高い電力変換効率を実現できる。

なお、電力変換ユニットＤはフルブリッジ回路を用いても良い。
また、蓄電デバイス充放電装置４ａ内の電力変換ユニットＡ〜Ｄの個数は、３個または５個以上でも良い。

実施の形態３．
上記実施の形態１では、２個の電力変換ユニットＡ、Ｂを直列接続したものを示したが、この実施の形態３による電力変換装置は、一方の電力変換ユニットＢの代わりに、複数の第２の電力変換ユニットを並列接続して用いる。
図１３は、この発明の実施の形態３による電力変換装置の構成図である。以下、実施の形態１との差分を中心に示す。
図１３に示すように、電力変換装置の主回路３ｂは、直流／交流間の電力変換を行う電力変換ユニットＡ（第１の電力変換ユニット）および第２の電力変換ユニット群を構成する複数の第２の電力変換ユニット３３〜３５を備える。各第２の電力変換ユニット３３〜３５は、２個の半導体スイッチング素子１６−１７、２１−２２、２６−２７を有するハーフブリッジ回路と蓄電デバイス１５、２０、２５とから成り、交流側が並列接続される。
各第１、第２の電力変換ユニットＡ、３３〜３５内の複数の半導体スイッチング素子は、それぞれダイオードが逆並列接続されたＭＯＳＦＥＴを用いているが、このダイオードはＭＯＳＦＥＴが内蔵する寄生ダイオードを用いても良い。また、ＭＯＳＦＥＴに限らず、ダイオードを逆並列に接続したＩＧＢＴ等の自己消弧型半導体スイッチング素子でも良い。

また電力変換装置は、主回路３ｂの蓄電デバイス充放電装置４ｂとＤＣ／ＤＣコンバータ５とを制御する制御装置３０ｂを備える。制御装置３０ｂには、ＤＣ／ＤＣコンバータ５のコンデンサ９の電圧Ｖｄｃと、蓄電デバイス充放電装置４ｂ内の各蓄電デバイス１０、１５、２０、２５の電圧ＶＡ、ＶＢ１、ＶＢ２、ＶＢ３およびモータ／ジェネレータ１の駆動システム（図示せず）の制御信号等が入力され、それらに基づいて、ＤＣ／ＤＣコンバータ５内および各第１、第２の電力変換ユニットＡ、３３〜３５内の半導体スイッチング素子へのゲート信号３１、３２ｂを生成してＤＣ／ＤＣコンバータ５および蓄電デバイス充放電装置４ｂを制御する。その他の構成は、上記実施の形態１と同様である。

次に、主回路３ｂの接続構成について、実施の形態１との差分を中心に以下に示す。
蓄電デバイス１５の正極は半導体スイッチング素子１６のドレイン端子に接続され、蓄電デバイス２０の正極は半導体スイッチング素子２１のドレイン端子に接続され、蓄電デバイス２５の正極は半導体スイッチング素子２６のドレイン端子に接続される。蓄電デバイス１５の負極と半導体スイッチング素子１７のソース端子とが接続された接続点と、蓄電デバイス２０の負極と半導体スイッチング素子２２のソース端子とが接続された接続点と、蓄電デバイス２５の負極と半導体スイッチング素子２７のソース端子とが接続された接続点とが並列接続され、さらに、蓄電デバイス充放電装置４ａの入出力線を介してコンデンサ９の第２の端子および第１の半導体スイッチング素子７のソース端子に接続される。

また、半導体スイッチング素子１６のソース端子と半導体スイッチング素子１７のドレイン端子とが接続された接続点と、半導体スイッチング素子２１のソース端子と半導体スイッチング素子２２のドレイン端子とが接続された接続点と、半導体スイッチング素子２６のソース端子と半導体スイッチング素子２７のドレイン端子とが接続された接続点とが並列接続され、さらに、半導体スイッチング素子１３のソース端子と半導体スイッチング素子１４のドレイン端子とが接続された接続点に接続される。その他の接続構成は、上記実施の形態１と同様である。
このように、第１の電力変換ユニットＡと、複数の第２の電力変換ユニット３３〜３５の交流側が並列接続されて構成される第２の電力変換ユニット群とは、蓄電デバイス充放電装置４ｂの入出力線に直列接続され、蓄電デバイス充放電装置４ｂの入出力線はＤＣ／ＤＣコンバータ５の低電圧側入出力端に接続される。

次に動作について以下に示す。
蓄電デバイス充放電装置４ｂでは、第１の電力変換ユニットＡの交流側の発生電圧と、第２の電力変換ユニット３３〜３５の交流側の並列接続点での発生電圧との和を入出力線間に発生し、ＤＣ／ＤＣコンバータ５の低電圧側入出力端に接続する。
蓄電デバイス充放電装置４ｂ内の蓄電デバイス１０、１５、２０、２５に充放電される電力は、蓄電デバイス充放電装置４ｂとインバータ２との間で、ＤＣ／ＤＣコンバータ５を介して電力授受される。
制御装置３０ｂは、上記実施の形態１と同様に、蓄電デバイス１０、１５、２０、２５の充電動作時の制御である回生モードと、蓄電デバイス１０、１５、２０、２５の放電動作時の制御である力行モードと、インバータ２と電力変換装置（主回路３ｂ）との間で電力の遣り取りが停止している間に、蓄電デバイス充放電装置４ｂ内の蓄電デバイス１０、１５、２０、２５間の電力授受を制御する電力授受モードとの３種の制御モードを有する。

回生モードでは、インバータ２はモータ／ジェネレータ１からの電力を回生し、ＤＣ／ＤＣコンバータ５はインバータ２から回生される電力を蓄電デバイス充放電装置４ｂへ移行する。この時、制御装置３０ｂは、第２の半導体スイッチング素子８のスイッチング制御によりＤＣ／ＤＣコンバータ５を降圧動作させ、コンデンサ９の電圧Ｖｄｃを設定電圧に保持すると共に、蓄電デバイス充放電装置４ｂへ電力移行する。そして、蓄電デバイス充放電装置４ｂ内の各第１、第２の電力変換ユニットＡ、３３〜３５を駆動制御して、各蓄電デバイス１０、１５、２０、２５を選択的に蓄電デバイス充放電装置４ｂの入出力線に接続して充電する。

力行モードでは、蓄電デバイス充放電装置４ｂから出力された電力がＤＣ／ＤＣコンバータ５を介してインバータ２に供給される。この時、制御装置３０ｂは、蓄電デバイス充放電装置４ｂ内の各第１、第２の電力変換ユニットＡ、３３〜３５を駆動制御して、各蓄電デバイス１０、１５、２０、２５を選択的に蓄電デバイス充放電装置４ｂの入出力線に直列接続して放電する。そして、第１の半導体スイッチング素子７のスイッチング制御によりコンデンサ９の電圧Ｖｄｃが設定電圧に保持されるようにＤＣ／ＤＣコンバータ５を昇圧動作させてインバータ２に電力供給する。

そして電力授受モードでは、蓄電デバイス充放電装置４ｂ内の第１の電力変換ユニットＡの蓄電デバイス１０と、複数の第２の電力変換ユニット３３〜３５内の蓄電デバイス１５、２０、２５から選択された１つの蓄電デバイスとの間で、ＤＣ／ＤＣコンバータ５のリアクトル６および第１の半導体スイッチング素子７を用いて、昇圧動作あるいは降圧動作を伴って互いに電力授受する。
個別の動作については上記実施の形態１と同様である。

以上のように、この実施の形態においても、蓄電デバイス充放電装置４ｂ内の複数の蓄電デバイス１０、１５、２０、２５を選択的に充放電させ、ＤＣ／ＤＣコンバータ５を介して出力／回生する双方向電力移行が可能となる。また、第１の電力変換ユニットＡの蓄電デバイス１０と、第２の電力変換ユニット３３〜３５内の１つの蓄電デバイス１５（、２０、２５）との間で、電圧に依らず双方向に電力授受が可能になる。これにより、上記実施の形態１で示したように、耐圧や特性の異なる複数の蓄電デバイスを用いることができ、また自由度の高い制御に対応でき、利便性が向上する。またこれにより、蓄電デバイスの劣化を抑制して長寿命化が図れると共に、高い電力変換効率を実現できる。
また、最も低電圧側に接続される第２の電力変換ユニット３３〜３５を並列構成としたため、ハーフブリッジ回路を用いて複数の第２の電力変換ユニット３３〜３５を構成でき、素子数を低減できる。また、並列構成することで、容量の小さい蓄電デバイス１５、２０、２５を用いることができる。

２ 負荷としてのインバータ、３，３ａ，３ｂ 電力変換装置（主回路）、
４，４ａ，４ｂ 蓄電デバイス充放電装置、５ ＤＣ／ＤＣコンバータ、
６ リアクトル、７ 第１の半導体スイッチング素子、
８ 第２の半導体スイッチング素子、９ コンデンサ、１０ 蓄電デバイス、
１１〜１４ 半導体スイッチング素子、１５ 蓄電デバイス、
１６〜１９ 半導体スイッチング素子、２０ 蓄電デバイス、
２１〜２４ 半導体スイッチング素子、２５ 蓄電デバイス、
２６，２７ 半導体スイッチング素子、３０，３０ａ，３０ｂ 制御装置、
３１ ゲート信号、３２，３２ａ，３２ｂ ゲート信号、
Ａ 電力変換ユニット（第１の電力変換ユニット）、Ｂ，Ｃ，Ｄ 電力変換ユニット、
３３〜３５ 第２の電力変換ユニット。

Claims (8)

1. リアクトルと半導体スイッチング素子とを有し、双方向に電力変換するＤＣ／ＤＣコンバータと、
   それぞれ蓄電デバイスと複数のスイッチング素子とを有して直流／交流間の電力変換を行う複数の電力変換ユニットを、該電力変換ユニットの交流側を直列接続して備え、該複数の電力変換ユニットの交流側が直列接続される入出力線により上記ＤＣ／ＤＣコンバータに接続される蓄電デバイス充放電装置と、
   上記ＤＣ／ＤＣコンバータおよび上記蓄電デバイス充放電装置を制御する制御装置とを備え、
   上記各電力変換ユニットは、上記各蓄電デバイスを選択的に上記蓄電デバイス充放電装置の上記入出力線に直列接続させて、上記各蓄電デバイスの充放電を担うものであり、
   上記蓄電デバイス充放電装置内の上記複数の蓄電デバイス間で上記ＤＣ／ＤＣコンバータ内の上記リアクトルと上記半導体スイッチング素子とを介して昇降圧を伴う電力授受を可能にしたことを特徴とする電力変換装置。
2. 上記ＤＣ／ＤＣコンバータは、上記リアクトルと、上記半導体スイッチング素子として第１、第２の半導体スイッチング素子とを備え、上記リアクトルおよび上記第１の半導体スイッチング素子を用いて、上記複数の蓄電デバイス内の２つの蓄電デバイス間で昇降圧を伴う電力授受を可能にしたことを特徴とする請求項１に記載の電力変換装置。
3. 上記ＤＣ／ＤＣコンバータは、上記リアクトルと、上記半導体スイッチング素子として第１、第２の半導体スイッチング素子とを備え、
   上記制御装置は、
   上記各電力変換ユニットを駆動制御して上記各蓄電デバイスを選択的に放電させると共に、上記第１の半導体スイッチング素子のスイッチング制御により上記ＤＣ／ＤＣコンバータを昇圧動作させて負荷に電力を出力する力行モードと、
   上記各電力変換ユニットを駆動制御して上記各蓄電デバイスを選択的に充電させると共に、上記第２の半導体スイッチング素子のスイッチング制御により上記ＤＣ／ＤＣコンバータを降圧動作させて上記負荷からの電力を回生する回生モードと、
   上記負荷と上記ＤＣ／ＤＣコンバータとの間の電力移行が停止している間に、上記各電力変換ユニットを駆動制御すると共に、上記ＤＣ／ＤＣコンバータ内の上記リアクトルおよび上記第１の半導体スイッチング素子を用いて、上記複数の蓄電デバイス内の２つの蓄電デバイス間で昇降圧を伴って電力授受させる電力授受モードを備え、
   該電力授受モードにおいて、上記２つの蓄電デバイスの一方を放電させ他方を充電させ、上記２つの蓄電デバイスの各電圧に応じて昇圧／降圧するように上記一方の蓄電デバイスから上記他方の蓄電デバイスへ電力を移行させることを特徴とする請求項１に記載の電力変換装置。
4. 上記各電力変換ユニットは、上記複数のスイッチング素子を有するブリッジ回路を備えたことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の電力変換装置。
5. 上記複数の蓄電デバイスは、それぞれ特性が異なることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の電力変換装置。
6. 上記複数の蓄電デバイスは２個であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の電力変換装置。
7. 上記複数の電力変換ユニットの内、最も低電圧側に接続される電力変換ユニットのみ、上記ブリッジ回路としてハーフブリッジ回路を備え、その他の電力変換ユニットは上記ブリッジ回路としてフルブリッジ回路を備えることを特徴とする請求項４に記載の電力変換装置。
8. リアクトルと半導体スイッチング素子とを有し、双方向に電力変換するＤＣ／ＤＣコンバータと、
   直流／交流間の電力変換を行う第１の電力変換ユニットと、直流／交流間の電力変換を行う複数の第２の電力変換ユニットの交流側を並列接続して構成した第２の電力変換ユニット群とを、上記第１の電力変換ユニットの交流側と上記第２の電力変換ユニット群の交流側とを直列接続して備え、上記第１の電力変換ユニットおよび上記第２の電力変換ユニット群の交流側が直列接続される入出力線により上記ＤＣ／ＤＣコンバータに接続される蓄電デバイス充放電装置と、
   上記ＤＣ／ＤＣコンバータおよび上記蓄電デバイス充放電装置を制御する制御装置とを備え、
   上記第１、第２の各電力変換ユニットは、直流側に接続された蓄電デバイスと、複数のスイッチング素子とを備えて、上記各蓄電デバイスを選択的に上記蓄電デバイス充放電装置の上記入出力線に直列接続させて、上記各蓄電デバイスの充放電を担うものであり、
   上記蓄電デバイス充放電装置の上記第１の電力変換ユニット内の蓄電デバイスと上記第２の電力変換ユニット内の蓄電デバイスとの２つの蓄電デバイス間で、上記ＤＣ／ＤＣコンバータ内の上記リアクトルと上記半導体スイッチング素子とを介して昇降圧を伴う電力授受を可能にしたことを特徴とする電力変換装置。

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