JP5928992B2 - 波長可変干渉フィルターの製造方法 - Google Patents
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Description
例えば、等方性エッチングにより溝部を所望の深さまでエッチングした場合には、溝部の内側面が大きくエッチングされて(サイドエッチングが大きくなって)、溝部の開口端縁が拡がって、基板同士を接合する接合部の領域及び可動部の領域がそれぞれ狭くなる。このため、接合部の領域及び可動部の領域を確保するためには、予め大きめの基板を用いる必要があり、基板が大型化するという問題がある。
また、上記特許文献1の波長可変干渉フィルターでは、第1の基板の一方の面にのみ溝部を形成するため、所望の深さまでエッチングするエッチング時間が長くなるという問題もある。
本発明の波長可変干渉フィルターは、第1基板と、前記第1基板と対向する可動面を有する可動部、及び前記可動部を前記第1基板の厚み方向に移動可能に保持する連結保持部が設けられた第2基板と、前記第1基板の前記第2基板に対向する面に設けられた第1反射膜と、前記第2基板の前記可動面に設けられ、前記第1反射膜と所定のギャップを介して対向する第2反射膜と、前記反射膜間のギャップを可変するギャップ可変部とを備え、前記第2基板の前記第1基板に対向する第1面には、等方性ウェットエッチングにより第1溝部が形成され、前記第2基板の前記第1基板とは反対側の第2面には、等方性ウェットエッチングにより第2溝部が形成され、前記連結保持部は、前記第2基板を厚み方向に見た平面視において、前記第1溝部における前記可動面と平行な第1底面と、前記第2溝部における前記可動面と平行な第2底面とが重なる領域で構成されることを特徴とする。
また、仮に、異方性エッチングを用いて、基板の両面にそれぞれ溝部を形成する場合、面毎にエッチングを行う必要があり、両面を同時にエッチングすることができず、片面のみをエッチングして溝部を形成する場合のエッチング時間と同じ時間を要する。
そこで、本発明では、等方性ウェットエッチングにより、第2基板の両面に対して溝部をそれぞれ形成するので、第2基板をエッチング液に浸漬させれば、第2基板の両面に同時に溝部をそれぞれ形成できる。すなわち、前述の従来のような基板の一方の面のみにエッチングにより溝部を形成して所望の厚み寸法のダイアフラムを形成する場合のエッチング時間と比較すると、所望の厚み寸法の連結保持部を形成するためのエッチング時間を短縮できる。
一方、深さ寸法が異なる場合には、深さ寸法を同一とした場合と比較して、深さ寸法の浅い方の溝部のサイドエッチングを小さくできる。これにより、接合面及び可動面の領域を確保できる。
このため、第1溝部の第1底面の面積を予め決めておき、第2面におけるパターニングされる領域(溝部の底面を形成するための形成パターン)を第1面におけるパターニングされる領域よりも積極的に大きくすれば、前述の誤差を考慮する必要がない。そして、等方性エッチングにより第1溝部及び第2溝部を形成すれば、第2溝部の第2底面の面積を第1溝部の第1底面の面積よりも大きく形成することができる。これにより、前述の誤差を考慮することなく、第1溝部の第1底面を所望の面積に確保できる。
ところで、各底面の面積が同一の場合において、各基板の接合がずれた場合には、連結保持部の領域を最大に確保することができないおそれがある。そこで、本発明では、第2溝部の底面の面積が第1溝部の底面の面積よりも大きいため、各基板を位置合わせする際に、第2溝部の底面の領域内に第1溝部の底面を容易に位置合わせすることができ、各基板の接合が多少ずれた場合でも、各底面の面積が異なる場合での最大の領域(第1溝部の底面の面積で規定される領域)を有した連結保持部を構成することができる。
また、前述の従来のような基板の一方の面のみに溝部を形成する場合のエッチング時間と比較すると、本発明では、各溝部の深さ寸法は同一寸法に形成されるので、所望の厚み寸法を有する連結保持部を形成するためのエッチング時間を半分に短縮できる。
また、平面視において、第1溝部の開口端縁は、第2溝部の開口端縁に重なっているので、第1溝部の深さ寸法を第2溝部の深さ寸法よりも大きく形成した場合でも、第1溝部のサイドエッチングが第2溝部のサイドエッチングよりも大きくなることがなく、接合面及び可動面の領域を十分に確保できる。そして、接合面、及び接合面と反対側の面の領域を同一の面積とすることができ、接合工程において、接合面の反対側の面を押圧した際に、押圧した力を接合面全体に加えることができて、基板同士の接合作業の作業性を向上できる。
そして、第2基板製造工程において、連結保持部が形成される箇所をパターニングする後、等方性ウェットエッチングにより第1面及び第2面に凹状の第1溝部及び第2溝部を同時に形成している。これによれば、前述の従来の片面のみに溝部を形成する場合と比較して、各溝部の深さ寸法をそれぞれ小さくできることで、溝部の内側面のサイドエッチングを小さくでき、溝部の開口面積も小さくできる。従って、予め大きめの基板を用いることなく、基板同士を接合する接合部及び可動部の領域を大きく確保しつつ、基板を小型化できる。
また、第2基板の両面に等方性エッチングにより、各溝部を同時に形成して、所望の厚み寸法の連結保持部を形成するので、前述の従来のような基板の一方の面のみにエッチングにより溝部を形成して所望の厚み寸法のダイアフラムを形成する場合のエッチング時間と比較すると、エッチング時間を短縮できる。
以下、本発明に係る第1実施形態を図面に基づいて説明する。
〔1.測色装置の概略構成〕
図1は、本発明に係る第1実施形態の波長可変干渉フィルターを備える測色装置1(光分析装置)の概略構成を示す図である。
この測色装置1は、図1に示すように、被検査対象Aに光を射出する光源装置2と、測色センサー3(光モジュール)と、測色装置1の全体動作を制御する制御装置4とを備えている。そして、この測色装置1は、光源装置2から射出される光を被検査対象Aにて反射させ、反射された検査対象光を測色センサー3にて受光し、測色センサー3から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度、すなわち被検査対象Aの色を分析して測定するモジュールである。
光源装置2は、光源21、複数のレンズ22(図1には1つのみ記載)を備え、被検査対象Aに対して白色光を射出する。また、複数のレンズ22には、コリメーターレンズが含まれてもよく、この場合、光源装置2は、光源21から射出された白色光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから被検査対象Aに向かって射出する。なお、本実施形態では、光源装置2を備える測色装置1を例示するが、例えば被検査対象Aが液晶パネルなどの発光部材である場合、光源装置2が設けられない構成としてもよい。
測色センサー3は、図1に示すように、エタロン5(波長可変干渉フィルター)と、エタロン5を透過する光を受光する受光素子31(受光手段)と、エタロン5で透過させる光の波長を可変する電圧制御部6とを備えている。また、測色センサー3は、エタロン5に対向する位置に、被検査対象Aで反射された反射光(検査対象光)を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。そして、この測色センサー3は、エタロン5により、入射光学レンズから入射した検査対象光のうち、所定波長の光のみを分光し、分光した光を受光素子31にて受光する。
受光素子31は、複数の光電交換素子により構成されており、受光量に応じた電気信号を生成する。そして、受光素子31は、制御装置4に接続されており、生成した電気信号を受光信号として制御装置4に出力する。
図2は、エタロン5の概略構成を示す平面図であり、図3は、エタロン5の概略構成を示す断面図である。なお、図1では、エタロン5に検査対象光が図中下側から入射しているが、図3では、検査対象光が図中上側から入射するものとする。
エタロン5は、図2に示すように、平面視正方形状の板状の光学部材であり、一辺が例えば10mmに形成されている。このエタロン5は、図3に示すように、第1基板51及び第2基板52を備え、これらの基板51,52が接合層53を介して互いに接合されて構成される。これらの2枚の基板51,52は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などにより形成されている。そして、これらの2つの基板51,52は、外周部近傍に形成される後述する接合部513,524が、例えば常温活性化接合やプラズマ重合膜を用いたシロキサン接合などにより、接合されることで、一体的に構成されている。
さらに、第1基板51と第2基板52との間には、固定ミラー56及び可動ミラー57の間のミラー間ギャップGの寸法を調整するための静電アクチュエーター54が設けられている。
第1基板51は、厚みが例えば500μmの石英ガラス基材(SiO2:二酸化珪素)をエッチングにより加工することで形成される。具体的に、第1基板51には、HF(フッ化水素)等で等方性ウェットエッチングすることにより、図3に示すように、電極形成溝511と、ミラー固定部512と、接合部513とが形成される。
電極形成溝511は、図2に示すようなエタロン5を厚み方向から見た平面視(以降、エタロン平面視と称す)において、平面中心点を中心とした円形に形成されている。
ミラー固定部512は、エタロン平面視における電極形成溝511の中心位置から、第2基板52側に突出して形成される。
なお、第1電極541の上面には、図示を省略したが、第1電極541及び第2電極542の間の放電等によるリークを防止するために絶縁膜が形成されている。この絶縁膜としては、SiO2やTEOS(TetraEthoxySilane)などを用いることができ、特に第1基板51を形成するガラス基板と同一光学特性を有するSiO2が好ましい。絶縁膜として、SiO2を用いる場合、第1基板51及び絶縁膜の間での光の反射等がないため、第1基板51上に第1電極541を形成した後、第1基板51の第2基板52に対向する側の面の全面に絶縁膜を形成することができる。
そして、静電アクチュエーター54を駆動時には、電圧制御部6(図1参照)により、第1電極パッド541Pに電圧が印加される。
そして、ミラー固定面512Aには、直径が約3mmで円形状の固定ミラー56が固定されている。この固定ミラー56は、TiO2−SiO2系の誘電体多層膜により形成されるミラーであり、スパッタリングなどの手法によりミラー固定面512Aに形成されている。
なお、本実施形態では、固定ミラー56として、TiO2−SiO2系の誘電体多層膜のミラーを用いる例を示すが、例えば分光可能な波長域として可視光全域をカバーできるAg合金単層のミラーを用いる構成などとしてもよい。
第2基板52は、厚みが例えば200μmの石英ガラス基材(SiO2:二酸化珪素)をエッチングにより加工することで形成される。具体的に、図2に示すように、第2基板52には、エタロン平面視において、HF(フッ化水素)等で等方性ウェットエッチングすることにより、基板中心点を中心とした円形の変位部521と、接合部524とが形成される。そして、この変位部521は、図3に示すように、円柱状の可動部522と、可動部522に同軸であり、エタロン平面視で円環状に形成され、可動部522を第2基板52の厚み方向に移動可能に保持する連結保持部523とを備えている。
ここで、第1溝部521Aは、可動面522Aと平行で円環状に形成された第1底面521A1と、可動部522及び接合部524の一部である第1内側面521A2とで構成される。また、第2溝部521Bは、可動面522Aと平行で円環状に形成された第2底面521B1と、可動部522及び接合部524の一部である第2内側面521B2とで構成される。
ここで、この可動ミラー57は、前述の固定ミラー56と同一の構成のミラーであり、例えば直径が3mmの円形状で、本実施形態では、TiO2−SiO2系の誘電体多層膜のミラーが用いられる。
そして、静電アクチュエーター54の駆動時には、電圧制御部6(図1参照)により、第2電極パッド542Pに電圧が印加される。
電圧制御部6は、制御装置4からの入力される制御信号に基づいて、静電アクチュエーター54の第1電極541及び第2電極542に印加する電圧を制御する。
制御装置4は、測色装置1の全体動作を制御する。この制御装置4としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。
そして、制御装置4は、図1に示すように、光源制御部41、測色センサー制御部42、及び測色処理部43(分析処理部)などを備えて構成されている。
測色センサー制御部42は、測色センサー3に接続されている。そして、測色センサー制御部42は、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー3にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー3に出力する。これにより、測色センサー3の電圧制御部6は、制御信号に基づいて、利用者が所望する光の波長のみを透過させるよう、静電アクチュエーター54への印加電圧を設定する。
測色処理部43は、測色センサー制御部42を制御して、エタロン5のミラー間ギャップを変動させて、エタロン5を透過する光の波長を変化させる。また、測色処理部43は、受光素子31から入力される受光信号に基づいて、エタロン5を透過した光の光量を取得する。そして、測色処理部43は、上記により得られた各波長の光の受光量に基づいて、被検査対象Aにより反射された光の色度を算出する。
次に、上記エタロン5の製造方法について、図4及び図5に基づいて説明する。
エタロン5を製造するためには、第1基板51及び第2基板52をそれぞれ製造し、形成された第1基板51と第2基板52とを貼り合わせる。
まず、第1基板51の形成素材である厚み寸法が500μmの石英ガラス基板を用意し、この石英ガラス基板の表面粗さRaが1nm以下となるまで両面を精密研磨する。そして、第1基板51の第2基板52に対向する面に電極形成溝511形成用のレジスト61を塗布して、塗布されたレジスト61をフォトリソグラフィ法により露光・現像して、図4(A)に示すように、電極形成溝511が形成される箇所をパターニングする。
次に、第1基板51をHF等のエッチング液に浸漬し、等方性ウェットエッチングを行う。これにより、図4(B)に示すように、電極形成溝511が所望の深さ寸法となるようにエッチングされて、第1基板51の第2基板52に対向する面に電極固定面511Aが形成される。さらに、ミラー固定面512Aが所望の位置までウェットエッチングされて形成される。そして、レジスト61を除去する。
以上により、第1基板51が形成される。
第2基板52の形成素材である厚み寸法が200μmの石英ガラス基板を用意し、このガラス基板の表面粗さRaが1nm以下となるまで両面を精密研磨する。そして、図5(A)に示すように、第2基板52の全面にレジスト62を塗布する(レジスト塗布工程)。次に、塗布されたレジスト62をフォトリソグラフィ法により露光・現像して、図5(B)に示すように、連結保持部523が形成される箇所をパターニングする(露光現像工程)。この際、連結保持部523を形成するためのパターンは、第2基板52の第1面52A及び第2面52Bにエタロン平面視において重なる位置に円環状に形成される。
次に、レジスト62を除去することで、厚さ50μmの連結保持部523が第2基板52の厚み方向の中央位置に形成されるとともに、可動部522及び接合部524が形成される(レジスト除去工程)。
次に、可動部522の可動面522Aの可動ミラー57形成部分以外にレジスト(リフトオフパターン)を形成する。そして、TiO2−SiO2系の薄膜をスパッタリング法により成膜する。そして、レジストを除去することで、図5(E)に示すように、可動部522の可動面522Aに直径が約3mmの円形状の可動ミラー57が形成される。
以上により、第2基板52が形成される。
次に、前述の第1基板製造工程及び第2基板製造工程で形成された各基板51,52を接合する(接合工程)。具体的には、各基板51,52の接合面513A,524Aに形成された接合層53を構成するプラズマ重合膜に活性化エネルギーを付与するために、O2プラズマ処理またはUV処理を行う。O2プラズマ処理は、O2流量30cc/分、圧力27Pa、RFパワー200Wの条件で30秒間実施する。また、UV処理は、UV光源としてエキシマUV(波長172nm)を用いて3分間処理を行う。プラズマ重合膜に活性化エネルギーを付与した後、2つの基板51,52のアライメントを行い、接合層53を介して接合面513A,524Aを重ね合わせて、接合部513,524に荷重をかけることにより、基板51,52同士を接合させる。この際、本実施形態では、各溝部521A,521Bの開口端縁521A3,521B3がエタロン平面視で重なっているため、接合部524の接合面524A、及び接合面524Aと反対側の面が同一の面積となる。そして、接合工程において、接合面524Aの反対側の面から荷重を加えた際に、荷重が接合面524A全体に伝わり、接合部513に均等に荷重が加わることとなる。
以上により、エタロン5が製造される。
前述の第1実施形態に係るエタロン5によれば、以下の効果を奏する。
(1)第2基板52の第1面52A及び第2面52Bに等方性ウェットエッチングにより第1溝部521A及び第2溝部521Bを形成することで、各溝部521A,521Bの各底面521A1,521B1により連結保持部523が構成されている。これによれば、前述の従来のような基板の一方の面にのみ形成される溝部の深さ寸法と比較すると、各溝部521A,521Bの深さ寸法D1,D2を小さくでき、所望の厚さ寸法の連結保持部523を形成できる。各溝部521A,521Bの深さ寸法D1,D2を従来よりも小さくできることで、各溝部521A,521Bの内側面521A2,521B2のサイドエッチングを小さくでき、各溝部521A,521Bの開口端縁521A3,521B3の拡がりを抑制できる。従って、予め大きめの基板を用いることなく、基板51,52同士を接合する接合部513,524及び可動部522の領域を大きく形成しつつ、各基板51,52を小型化できる。
(2)第2基板52の第1面52A及び第2面52Bに対して各溝部521A,521Bを等方性ウェットエッチングにより形成するので、第2基板52をHF等のエッチング液に浸漬させれば、第2基板52の各面52A,52Bに同時に溝部521A,521Bをそれぞれ形成できる。すなわち、前述の従来のような基板の一方の面のみにエッチングにより溝部を形成して所望の厚み寸法のダイアフラムを形成する場合のエッチング時間と比較すると、所望の厚み寸法の連結保持部523を形成するためのエッチング時間を短縮できる。
以下、本発明に係る第2実施形態について、図6及び図7を参照して説明する。
本実施形態のエタロン5Aは、前記第1実施形態のエタロン5と同様の構成を備えるが、前記エタロン5が備える第1溝部521A及び第2溝部521Bの各底面521A1,521B1の面積は同一に形成されていた。これに対し、本実施形態のエタロン5Aが備える第1溝部521A及び第2溝部521Bの各底面521A1,521B1の面積は異なり、第2溝部521Bの第2底面521B1の面積は、第1溝部521Aの第1底面521A1の面積より大きく形成されている点で相違する。
なお、以下の説明では、前記第1実施形態と同一構成要素については、同一符号を付し、その説明を省略する。
図8(B)に示すように、第2基板52の全面に塗布されたレジスト62をフォトリソグラフィ法により露光・現像して、連結保持部523が形成される箇所をパターニングする(露光現像工程)。この際、第2基板52の第1面52Aにパターニングされた領域Ar1は、第2面52Bにパターニングされた領域Ar2よりも小さくなっている。
これは、各面52A,52Bに同一領域のパターンを精度よく形成することが困難であり、通常、5μm程度の誤差が生じるため、各面52A,52Bにパターニングされる領域を積極的に異ならせておけば、前述の誤差を考慮する必要がないためである。そこで、例えば、溝部の底面の面積を大きく確保したい場合には、パターニングされる領域を大きくし、反対に溝部の底面の面積を小さく確保したい場合には、パターニングされる領域を小さくする。
この後は、前記第1実施形態と同様に、第2基板52をHF等のエッチング液に浸漬し、図8(C)に示すように、等方性ウェットエッチングを行うことで、第1溝部521A及び第2溝部521Bが形成されて、図8(D)、(E)に示すように、第2電極542及び可動ミラー57が形成されることで、第2基板52が形成される。
本実施形態によれば、第1溝部521Aの第1底面521A1の面積を予め決めておき、第2面52Bにおけるパターニングされる領域Ar2(溝部の底面を形成するための形成パターン)を第1面52Aにおけるパターニングされる領域Ar1よりも積極的に大きくすれば、前述の誤差を考慮する必要がない。そして、等方性エッチングにより第1溝部521A及び第2溝部521Bを形成すれば、第2溝部521Bの第2底面521B1の面積を第1溝部521Aの第1底面521A1の面積よりも大きく形成することができる。これにより、前述の誤差を考慮することなく、第1溝部521Aの第1底面521A1を所望の面積に確保できる。
また、第2溝部521Bの第2底面521B1の面積が第1溝部521Aの第1底面521A1の面積よりも大きいため、各基板51,52を位置合わせする際に、第2溝部521Bの第2底面521B1の領域内に第1溝部521Aの第1底面521A1を容易に位置合わせすることができ、各基板51,52の接合が多少ずれた場合でも、各底面521A1,521B1の面積が異なる場合での最大の領域(第1溝部521Aの第1底面521A1の面積で規定される領域)を有した連結保持部523を構成することができる。
以下、本発明に係る第3実施形態について、図9を参照して説明する。
本実施形態のエタロン5Bは、前記第1実施形態のエタロン5と同様の構成を備えるが、前記エタロン5が備える第1溝部521A及び第2溝部521Bの深さ寸法D1,D2は、同一寸法となるように形成され、第1溝部521A及び第2溝部521Bの各底面521A1,521B1の面積は同一に形成されていた。これに対し、本実施形態のエタロン5Bが備える第1溝部521Aの深さ寸法D1は第2溝部521Bの深さ寸法D2よりも小さく形成され、かつ、第2溝部521Bの第2底面521B1の面積は第1溝部521Aの第1底面521A1の面積より大きく形成されている点で相違する。すなわち、本実施形態のエタロン5Bの構成は、前記第2実施形態のエタロン5Aの第1溝部521Aの深さ寸法D1が第2溝部521Bの深さ寸法D2よりも小さく形成された点で相違する。
なお、以下の説明では、前記第1実施形態と同一構成要素については、同一符号を付し、その説明を省略する。
第1溝部521Aの深さ寸法D1は、前記第2実施形態のエタロン5Aの第1溝部521Aの深さ寸法D1よりも小さく形成されるので、エタロン5Bの第1溝部521Aの第1内側面521A2のエッチングが小さくなり(サイドエッチングが小さくなり)、第1溝部521Aの開口面積も小さくなっている。
本実施形態によれば、前記第1実施形態及び前記第2実施形態と比較すると、第1溝部521Aの深さ寸法D1が小さく形成されるので、第1溝部521Aのサイドエッチングをより小さくできる。従って、第1溝部521Aの開口面積を前記第1実施形態及び第2実施形態よりも小さくでき、接合面524Aの領域をより大きく形成することができることで、各基板51,52同士を接合する際の位置合わせが多少ずれた場合でも、各基板51,52同士を確実に接合できる。
以下、本発明に係る第4実施形態について、図10を参照して説明する。
本実施形態のエタロン5Cは、前記第2実施形態のエタロン5と同様の構成を備えるが、前記エタロン5Aが備える第1溝部521A及び第2溝部521Bの深さ寸法D1,D2は、同一寸法となるように形成され、第2溝部521Bの第2底面521B1の面積が第1溝部521Aの第1底面521A1の面積より大きく形成されて、第2溝部521Bの開口面積が第1溝部521Aの開口面積よりも大きく形成されていた。これに対し、本実施形態のエタロン5Cが備える第2溝部521Bの深さ寸法D2は、第1溝部521Aの深さ寸法D1よりも小さく形成され、エタロン平面視において各溝部521A,521Bの開口端縁521A3,521B3が重なり、各溝部521A,521Bの開口面積が同一に形成されている点で相違する。
なお、以下の説明では、前記第1実施形態と同一構成要素については、同一符号を付し、その説明を省略する。
本実施形態によれば、前記第1実施形態から前記第3実施形態と比較すると、第2溝部521Bの深さ寸法D2は小さく形成されているので、第2溝部521Bのサイドエッチングが小さくなる。これによれば、前記第1実施形態から前記第3実施形態と比較すると、第2溝部521Bの開口面積を小さく形成でき、第2基板52の接合部524における接合面524Aの反対側の面を大きく形成できる。
さらに、エタロン平面視において、第1溝部521Aの開口端縁521A3は、第2溝部521Bの開口端縁521B3に重なっているので、第1溝部521Aの深さ寸法D1を第2溝部521Bの深さ寸法D2よりも大きく形成した場合でも、第1溝部521Aのサイドエッチングが第2溝部521Bのサイドエッチングよりも大きくなることがなく、接合面524A及び可動面522Aの領域を十分に確保できる。これによれば、第2電極542を可動面522Aに設けることができ、連結保持部523に電極を設ける場合と比べて、電極間の寸法が小さくなって、各電極に印加する電圧を低くすることができ、省電力化することができる。また、接合面524Aの領域と接合部524における接合面524Aの反対側の領域とを同一の面積とすることができ、接合工程において、接合部524における接合面524Aの反対側の面を押圧した際に、接合面524A全体に力を加えることができて、基板51,52同士の接合作業の作業性を向上できる。
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
前記各実施形態では、連結保持部523は可動部522の周囲を囲うダイアフラムであったが、図11に示すように、可動部522の中心点に対し、点対称となる位置に各溝部521A,521Bを形成して、梁状に形成された連結保持部523が、可動部522を挟んで形成される構成などとしてもよい。
前記第3、第4実施形態では、各溝部521A,521Bの各底面521A1,521B1の面積が異なる構成であったが、前記第1実施形態のように面積が同一となる構成であってもよい。この際、面積の小さい第1溝部521Aに第2溝部521Bの面積の大きさを合わせるように形成すれば、第2溝部521Bの開口面積をより小さくでき、接合部524及び可動部522の領域を大きく確保できる。
前記各実施形態では、第2基板52の厚み寸法を例えば200μmとしたが、第1基板51と同じ500μmとしてもよい。この場合には、厚み寸法が200μmの場合と比べて、連結保持部を所望の厚み寸法にするために、各溝部のサイドエッチングが大きくなるが、従来のように基板の一方の面のみに溝部を形成する場合よりはサイドエッチングは小さくなる。また、可動部は厚くなるため、可動ミラーの撓みを抑制でき、各ミラーを平行により維持できる。
前記各実施形態において、接合面513A,524Aでは、接合層53により接合されるとしたが、これに限られない。例えば、接合層53が形成されず、接合面513A,524Aを活性化し、活性化された接合面513A,524Aを重ね合わせて加圧することにより接合する、いわゆる常温活性化接合により接合させる構成などとしてもよく、いかなる接合方法を用いてもよい。
また、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、光モジュールに設けられたエタロン5により特定波長の光を分光し、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができ、このようなデータ抽出用光モジュールを備えた光分析装置により、各波長の光のデータを処理することで、光通信を実施することもできる。
Claims (1)
- 第1反射膜を設けた第1基板と、前記第1反射膜にギャップを介して対向する第2反射
膜を設けた第2基板と、前記ギャップを可変するギャップ可変部と、を備えた波長可変干
渉フィルターの製造方法であって、
ウェットエッチングにより、前記第2基板の前記第1基板に対向する第1面に第1溝部
を形成するとともに、前記第2基板の前記第1基板とは反対側の第2面に第2溝部を形成
する溝部形成工程と、
前記第1面における前記第1溝部が周囲に設けられた内側の領域に前記第2反射膜を形
成する第2反射膜形成工程と、を有し、
前記第2基板を厚み方向に見た平面視において、前記第1溝部の第1底面と前記第2溝
部の第2底面とが重なり、
前記第2基板の厚み方向に、前記第1面、前記第1底面、前記第2底面、及び前記第2
面の順に配置されていることを特徴とする波長可変干渉フィルターの製造方法。
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