JP5927605B2 - 表示装置の製造方法、および表示装置 - Google Patents
表示装置の製造方法、および表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5927605B2 JP5927605B2 JP2011252156A JP2011252156A JP5927605B2 JP 5927605 B2 JP5927605 B2 JP 5927605B2 JP 2011252156 A JP2011252156 A JP 2011252156A JP 2011252156 A JP2011252156 A JP 2011252156A JP 5927605 B2 JP5927605 B2 JP 5927605B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- potential
- light emitting
- supply line
- light emission
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 103
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims description 77
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 70
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 33
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 67
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 40
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 9
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 241000283973 Oryctolagus cuniculus Species 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002431 foraging effect Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- BIXMBBKKPTYJEK-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazin-2-one Chemical class C1=CC=C2OC(=O)N=CC2=C1 BIXMBBKKPTYJEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 241000282326 Felis catus Species 0.000 description 1
- 241000237858 Gastropoda Species 0.000 description 1
- 241000208818 Helianthus Species 0.000 description 1
- 235000003222 Helianthus annuus Nutrition 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015202 MoCr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000008425 anthrones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N benzoquinolinylidene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 229960005057 canrenone Drugs 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001846 chrysenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000001882 coronenes Chemical class 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical class C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 150000002219 fluoranthenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- LJJQENSFXLXPIV-UHFFFAOYSA-N fluorenylidene Chemical group C1=CC=C2[C]C3=CC=CC=C3C2=C1 LJJQENSFXLXPIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical class C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 150000002916 oxazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole Chemical class C1=NC2=CC=NC2=C1 RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007660 quinolones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical class [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N vinyl-ethylene Natural products C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本発明は、高輝度発光工程において、通常発光時における最大輝度よりも高輝度で発光素子を発光させることが可能な表示装置の製造方法等を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る表示装置の製造方法は、発光素子と、前記発光素子に直列に接続され、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する駆動トランジスタと、前記ゲート電極と前記ソース電極間に接続された容量素子と、前記発光素子と前記駆動トランジスタからなる直列回路の両端にそれぞれ接続され、前記直列回路に電力を供給するための第1および第2電源線と、を備え、前記第1電源線が前記直列回路の前記ソース電極側の端部に電気的に接続され、前記第2電源線が前記直列回路の前記ドレイン電極側の端部に電気的に接続された表示装置の製造方法であって、前記第1電源線の電位を、前記ゲート電極と前記ソース電極間の電圧が通常発光時よりも高くなるような電位にすることにより、前記容量素子を通常発光時よりも高い電圧で充電する充電工程と、前記充電工程において充電された前記容量素子の充電電圧に基づき、前記発光素子を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる高輝度発光工程と、を含む。
また、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法の特定の局面では、少なくとも前記高輝度発光工程においては、前記第2電源線の電位を通常発光時における前記第2電源線の電位よりも低くする。
また、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法の特定の局面では、前記駆動トランジスタはp型であり、前記第1電源線の電位は前記第2電源線の電位よりも高く、少なくとも前記充電工程においては、前記第1電源線の電位を通常発光時よりも高くする。
また、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法の特定の局面では、少なくとも前記高輝度発光工程においては、前記第2電源線の電位を通常発光時における前記第2電源線の電位以下とする。
また、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法の特定の局面では、前記充電工程および前記高輝度発光工程において、前記駆動トランジスタの前記ゲート電極には、通常発光時において使用される範囲の電圧が印加される。
また、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法の特定の局面では、前記表示装置は、前記発光素子が行列状に複数配列されてなる。
本発明の一態様に係る表示装置は、発光素子と、前記発光素子に直列に接続され、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する駆動トランジスタと、前記ゲート電極と前記ソース電極間に接続された容量素子と、前記発光素子と前記駆動トランジスタからなる直列回路に電力を供給する第1および第2電源線と、信号線と、前記信号線に映像信号を与える信号線駆動回路と、前記信号線と前記容量素子との間の導通および非導通を切り替えるスイッチングトランジスタと、前記スイッチングトランジスタのゲート電極に接続された走査線と、前記スイッチングトランジスタに対する制御信号を前記走査線に与える走査線駆動回路と、を備え、前記第1電源線が前記ソース電極に電気的に接続され、前記第2電源線が前記ドレイン電極に電気的に接続された表示装置であって、前記発光素子を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる高輝度発光時において、前記第1電源線は、前記信号線駆動回路のグラウンドおよび前記走査線駆動回路のグラウンドと絶縁されているとともに、通常発光時と異なる電位を前記第1電源線に与える電源回路に接続されている。
≪実施の態様1≫
[有機EL表示装置]
図1は、実施の態様1に係る有機EL表示装置1の構成を示す図であり、図2は、実施の態様1に係る有機EL表示パネル10の構成を示す平面図(XY平面図)である。
図2に示す有機EL表示パネル10は、有機材料の電界発光現象を利用した表示パネルであり、表示領域11、表示領域11を取り囲む周辺領域12からなる。表示領域11は複数の有機EL素子13が、XY方向に(行列状に)複数配列されてなる。図2においては、赤色(R),緑色(G),青色(B)の各色に対応する有機EL素子をそれぞれサブピクセル13R,13G,13Bとして示しており、13R,13G,13Bの3つのサブピクセルの組み合わせ14が、1画素に相当する。以下、13R,13G,13Bの3つのサブピクセルの組み合わせを、単に、画素14と記載する。
[有機EL表示パネル]
図3は、実施の態様1に係る有機EL表示パネル10の構成を示す部分断面図(ZX断面図)である。図3に示す部分断面図は図2におけるA−A’断面図に相当し、図2に示す平面図は図3におけるB−B’線矢視断面図に相当する。
EL基板15は、その主な構成として、TFT基板101、引き出し電極102、パッシベーション層103、層間絶縁膜104、陽極105、バンク106、有機発光層107、電子輸送層108、陰極109、封止膜110を備える。陽極105と陰極109からなる電極対、および当該電極対に挟まれた積層体が有機EL素子13に相当する。
<TFT基板101>
TFT基板101は、有機EL表示パネル10の背面基板であり、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料の何れかを用いて形成することができる。
引き出し電極102は、TFT基板101表面に形成されたTFTに対して、外部より電力を供給するための配線である。
<パッシベーション層103>
パッシベーション層103は、TFTおよび引き出し電極102を被覆して保護する目的で設けられているものであり、例えば、SiO(酸化シリコン)、SiN(窒化シリコン)、SiON(酸窒化シリコン)等の薄膜で構成される。
層間絶縁膜104は、引き出し電極102およびパッシベーション層103が配設されたことにより生じるTFT基板101における表面段差を、平坦に調整する目的で設けられる。層間絶縁膜104は、例えば、ポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂等の絶縁材料で構成される。
層間絶縁膜104の上には、画素14毎に陽極105が形成されている。陽極105は、例えば、APC(銀、パラジウム、銅の合金)、ARA(銀、ルビジウム、金の合金)、MoCr(モリブデンとクロムの合金)、NiCr(ニッケルとクロムの合金)等で形成することができる。陽極105は、サブピクセル13に対応するようにXY方向に行列状に形成されている。
バンク106は、有機発光層107の形成領域を区画する目的で設けられているものである。バンク106の材料としては、絶縁性の有機材料、例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等が選択される。
<有機発光層107>
バンク106で区画された領域には、陽極105と陰極109からなる電極対の間に介挿されるように有機発光層107が形成されている。有機発光層107は、キャリア(正孔と電子)の再結合による発光を行う部位である。Rに対応する区画には、Rに対応する有機発光材料を含む有機発光層107Rが、Gに対応する区画には、Gに対応する有機発光材料を含む有機発光層107G、Bに対応する区画には、Bに対応する有機発光材料を含む有機発光層107Bが形成される。
電子輸送層108は、陰極109から注入された電子を有機発光層107へ輸送する機能を有する。電子輸送層108に用いる材料としては、例えば、バリウム、フタロシアニン、フッ化リチウム等が挙げられる。
<陰極109>
電子輸送層108の上には陰極109が形成されている。図3に示すように、陰極109は電子輸送層108の上面全体に亘って形成されていることにより、複数の画素間で共通に設けられている。有機EL表示パネル10はトップエミッション型であるため、陰極109には、ITO(酸化インジウムスズ)、IZO(酸化インジウム亜鉛)等の透明電極材料が用いられている。
陰極109の上には、有機発光層107が水分や空気等に触れて劣化することを抑制する目的で封止膜110が設けられる。有機EL表示パネル10はトップエミッション型であるため、封止膜110の材料としては、例えば、SiN、SiON等の透光性材料を用いる必要がある。
ガラス基板111は、有機EL表示パネル10における表示面基板である。有機EL表示パネル10はトップエミッション型であるため、ガラス基板111に用いる材料は、良好な透明性を有している必要がある。
<カラーフィルター112R,112G,112B>
カラーフィルター112R,112G,112Bは、それぞれ、EL基板15側に形成されている有機発光層107R,107G,107Bの位置に合わせて配設されている。カラーフィルター112R,112G,112Bは、R,G,Bに対応する波長の可視光を透過する透明層であって、公知の樹脂材料(例えば市販製品として、JSR株式会社製カラーレジスト)等で構成されている。
ブラックマトリクス113,114は、有機EL表示パネル10の表示面への外光の照り返しや外光の入射を防止し、表示コントラストを向上させる目的で設けられる黒色層である。ブラックマトリクス113,114は、例えば、光吸収性および遮光性に優れる黒色顔料を含む紫外線硬化樹脂材料等で構成される。
周辺領域12には、EL基板15とCF基板16とを接合するためのシール材115が配設されている。シール材115は、緻密な樹脂材料で構成されており、このような材料としては、例えばシリコーン樹脂等を挙げることができる。
<その他>
陽極105と有機発光層107との間に、さらに、正孔注入層を設けられることもある。正孔注入層は、陽極105から有機発光層107への正孔の注入を促進させる目的で設けられるものである。正孔注入層としては、例えば、銀(Ag)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、バナジウム(V)、タングステン(W)、ニッケル(Ni)、イリジウム(Ir)等の酸化物、あるいは、PEDOT(ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物)等の導電性ポリマー材料を用いることができる。
さらに、電子輸送層108と陰極109との間に、陰極109から有機発光層107への電子注入性を向上させる目的で電子注入層が設けられることもある。電子注入層としては、例えば、電子注入性を有する有機材料にアルカリ金属またはアルカリ土類金属を混合させたものを用いることができる。電子注入性を有する有機材料としては、例えば、特開平5−163488号公報に記載のニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体、ジフェキノン誘導体、ペリレンテトラカルボキシル誘導体、アントラキノジメタン誘導体、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリノン誘導体、キノリン錯体誘導体等を用いることができる。
図4は、1つの有機EL素子13(サブピクセル13)を構成する回路116(以下、単に画素回路116と記載する。)の回路構成を示す図である。ここでは、2個のトランジスタと1個の容量からなる、いわゆる2Tr1Cの画素回路を示している。また、画素回路116は、有機EL素子13の陰極(カソード)109が共通電極となっている、いわゆるコモンカソード型の画素回路である。
スイッチングトランジスタ119のゲート電極には、走査線121が接続される。走査線121には走査線駆動回路23が接続されており、走査線駆動回路23は、スイッチングトランジスタ119に対する制御信号を走査線に与える。
駆動トランジスタ118のゲート電極とソース電極の間(以下、単に駆動トランジスタ118のゲート−ソース間と記載する。)には、容量素子123が接続されている。容量素子123には、駆動トランジスタ118のゲート電極に最大諧調の映像信号が入力された場合(通常発光時における最大輝度で有機EL素子13を発光させる場合)における、駆動トランジスタ118のゲート−ソース間に蓄積される静電容量よりも大きい定格容量を有するものが用いられている。
図5は、実施の態様1に係る有機EL表示装置1の製造方法を示すフローチャートである。以下、有機EL表示装置1の製造方法について、図1,3も併せて参照しながら説明する。
まず、一方の面にTFT層を形成したTFT基板101(図3)を準備し(ステップS101)、各TFTを配線で接続するように引き出し電極102(図3)を形成する(ステップS102)。ステップS102を終えたTFT基板101をチャンバー内に載置し、パッシベーション層103(図3)を蒸着法等の薄膜法により形成する(ステップS103)。
次に、形成した陽極105の上に、バンク106(図3)をフォトリソグラフィー法により形成する(ステップS106)。そして、バンク106で区画された領域に、インクジェット装置を用いたウェットプロセスにより、有機発光層107(図3)を形成する(ステップS107)。具体的には、有機発光層107を構成する有機発光材料が溶媒に分散されてなるインクを、バンク106で区画された領域に塗布する。塗布後、これを乾燥させることで有機発光層107が形成される。
次に、駆動制御部20(図1)を有機EL表示パネル10に接続する(ステップS114)。そして、最後に有機EL表示パネル10に対しエージング工程を行う(ステップS115)。
[エージング工程の概略]
本実施の態様におけるエージング工程には、容量素子123(図4)を充電する充電工程と有機EL素子13を通常発光時よりも高輝度で発光させる高輝度発光工程が含まれる。
図7(a)は通常発光時の動作を説明するための図であり、図7(b)はエージング工程における動作を説明するための図である。なお、図7(a),(b)に示す画素回路116は、図4で説明したものと同一である。
通常発光時におけるグラウンド線gndの電位をGNDと定義した場合、本実施の態様の充電工程時においては、グラウンド線gndの電位をGNDよりも低い電位−Vxとする。すなわち、充電工程時におけるグラウンド線gndの電位−Vxは、通常発光時に用いるグラウンド線gndの電位GNDとは異なり、かつ駆動トランジスタ118のゲート−ソース間の電圧が通常発光時よりも高くなるような電位である。
高輝度発光工程においては、充電工程において充電された容量素子123の充電電圧に基づき、有機EL素子13を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる。このようにすることで、従来と比較して、有機EL素子をより短時間で安定状態に移行させることができるため、エージング処理に要する時間のさらなる短縮化を図ることが可能である。
トランジスタの動作領域には線形領域と飽和領域とがある。本実施の態様における高輝度発光工程においては、有機EL表示装置1が備える有機EL表示パネル10の大きさや、有機EL表示パネル10に形成されたTFT層の材料に応じて、駆動トランジスタ118を線形領域で動作させる場合と、飽和領域で動作させる場合と選択することとしている。線形領域で動作させるか、または飽和領域で動作させるかの切り替えは、エージング工程時における電源線120の電位によって行うことが可能である。
(線形領域の場合)
まず通常発光時における動作について説明する。
一般的に、通常発光時においては駆動トランジスタ118を飽和領域で動作させる。この理由について図8を参照しながら説明する。
Vdd−GND=Voled+Vds・・・(n1)
(n1)式を整理すると、以下のようになる。
Vds=Vdd−GND−Voled・・・(n2)
また、駆動トランジスタ118のゲート−ソース電極間の電圧Vgsは、駆動トランジスタ118のゲート電極に入力される最大諧調の映像信号の電圧Vdata_maxを用いて、以下のように表される。
上述したように、通常発光時においては駆動トランジスタ118を飽和領域で動作させるため、
Vds≧Vgs−Vth・・・(n4)
の定義式が成り立つ。ここで、Vthは駆動トランジスタ118の閾値電圧である。そして、(n4)式に(n2)式および(n3)式を代入すると、
Vdd≧Vdata_max−Vth・・・(n5)
となる。
エージング工程時においては、次の関係式が成り立つ。
(n6)式を整理すると、以下のようになる。
Vds’=Vdd’+Vx−Voled’・・・(n7)
また、駆動トランジスタ118のゲート−ソース電極間の電圧Vgsは、上記Vdata_maxを用いて、以下のように表される。
ここでの高輝度発光工程は、駆動トランジスタ118を線形領域で動作させる場合であるので、
Vds’<Vgs’−Vth・・・(n9)
の定義式が成り立つ。(n9)式に(n7)式および(n8)式を代入すると、
Vdd’<Vdata_max−Vth・・・(n10)
となる。したがって、(n5)式および(n10)式より、
Vdd’<Vdd
となる。したがって、高輝度発光工程において駆動トランジスタ118を線形領域で動作させる場合には、高輝度発光工程における電源線120の電位を、通常発光時における電源線120の電位よりも低くすればよいことがわかる。つまり、電源線120の電位を通常発光時での電位Vddよりも低い電位Vdd’にする。
飽和領域で動作させる場合においても、線形領域で説明した(n1)〜(n8)式が成り立つ。ここでの高輝度発光工程は、駆動トランジスタ118を飽和領域で動作させる場合であるので、
Vds’≧Vgs’−Vth・・・(n11)
の定義式が成り立つ。
Vdd’≧Vdata_max−Vth・・・(n12)
となる。
したがって、(n5)式および(n12)式より、
Vdd’≧Vdd
となる。したがって、高輝度発光工程において駆動トランジスタ118を飽和領域で動作させる場合には、高輝度発光工程における電源線120の電位を、通常発光時における電源線120の電位以上とすればよいことがわかる。つまり、電源線120の電位を通常発光時での電位Vddと同じにするか、または電位Vddよりも高い電位Vdd’にする。
以上説明したように、本実施の態様によれば、高輝度発光工程において通常発光時における最高輝度よりも高輝度で有機EL素子を発光させることができる。この高輝度発光工程で有機EL素子のエージング処理を行うことで、従来よりも短期間でエージング処理を終了させることが可能である。また、通常発光時に用いるグラウンド線の電位よりも低い電位のグラウンド線を、充電工程および高輝度発光工程において用いるという簡便な方法であり、複雑な構成の専用装置を必要としない。したがって、充電工程および高輝度発光工程を低コストで行うことができる。
実施の態様1においては、いわゆるn型コモンカソード型の画素回路を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されない。本実施の態様においては、駆動トランジスタおよびスイッチングトランジスタをp型とするコモンカソード型の画素回路の場合について説明する。
図9は実施の態様2に係る画素回路125の回路構成を示す図である。
図9に示すように、画素回路125は、有機EL素子13、駆動トランジスタ126、スイッチングトランジスタ127、電源線120、走査線121、信号線122、容量素子128、低電位側電源線vssを備える。以下、画素回路116(図4)と相違する点にいて中心に説明する。
駆動トランジスタ126のソース電極側の端部には、有機EL素子13と駆動トランジスタ126からなる直列回路に電力を供給する第1電源線としての電源線120が接続されている。本実施の態様においても、電源線120は高電位側電源回路21(図1)に接続される。
低電位側電源線vssは、駆動トランジスタ126のドレイン電極側の端部、すなわち有機EL素子13の陰極109と電気的に接続される第2電源線である。低電位側電源線vssは低電位側電源回路22(図1)に接続されており、低電位側電源線vssの電位は電源線120の電位よりも低い。また、低電位側電源線vssは、当該低電位側電源線vssと陰極109との接続部分から有機EL表示パネル10の内部に存在する配線を指しており、有機EL表示パネル10の外から低電位側電源回路までの配線は含まない。
<充電工程>
図10(a)は通常発光時における画素回路125の動作を説明するための図であり、図10(b)はエージング工程における画素回路125の動作を説明するための図である。
充電工程時における電源線120の電位を、通常発光時における電位Vddよりも高い電位Vdd+Vxとすることにより、容量素子128を通常発光時における電圧の最大値よりも高い電圧で充電することが可能となる。この充電工程により、容量素子128の端子間電圧が、通常発光時における駆動トランジスタ126のソース−ゲート間電圧の最大値よりも高い電圧となる。なお、エージング工程においても、駆動トランジスタ126のゲート電極には通常発光時において使用される範囲の電圧が印加される。この点は実施の態様1と変わりがない。
また、エージング工程中は電源線120の電位をVdd+Vxとしており、また駆動回路は通常発光時およびエージング工程時を通じて同じ回路が使用されている。そのため、電源線120の電位(直列回路への電力供給路としての高電位側の電源線の電位)と駆動回路の高電位側の電源線の電位は異なることになる。すなわち、電源線120としてグラウンド線を用いた上で、通常発光時における電源線120の電位をグラウンド電位とする場合には、電源線120と駆動回路のグラウンドは、エージング工程においては絶縁されていることになる。
高輝度発光工程においては、実施に態様1の場合と同様に、充電工程において充電された容量素子128の充電電圧に基づき、有機EL素子13を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる。また、駆動トランジスタ126を線形領域で動作させるか、または飽和領域で動作させるかにより、図10(b)に示すように、低電位側電源線vssの電位を通常発光時における電位Vss(図10(a))とは異なる電位Vss’とする場合がある。低電位側電源回路22が、低電位側電源線vssに対してVss’の電位の電圧を出力することで、低電位側電源線vssの電位を電位Vss’となる。
(線形領域の場合)
図10(a)において、通常発光時での駆動トランジスタ126のソース電極とドレイン電極間の電圧(以下、単に駆動トランジスタ126のソース−ドレイン間の電圧と記載する。)をVsd、駆動トランジスタ126のソース−ゲート電極間の電圧をVsg、有機EL素子13の陽極105と陰極109間の電圧をVoledと定義して説明を続ける。
Vdd−Vss=Voled+Vsd・・・(p1)
(p1)式を整理すると、以下のようになる。
Vsd=Vdd−Vss−Voled・・・(p2)
また、駆動トランジスタ126のソース−ゲート電極間の電圧Vsgは、駆動トランジスタ126のゲート電極に入力される最小諧調の映像信号の電圧Vdata_minを用いて、以下のように表される。なお、駆動トランジスタ126はp型であるので、当該トランジスタのゲート電極に入力される映像信号が小さいほど、駆動トランジスタ126のソース−ゲート間電圧およびドレインからソースに流れる電流Idは大きくなる。
上述したように、通常発光時においては駆動トランジスタ126を飽和領域で動作させるため、
Vsd≧Vsg+Vth・・・(p4)
の定義式が成り立つ。そして、(p4)式に(p2)式および(p3)式を代入すると、
Vss≧Vdata_min−Vth−Voled・・・(p5)
となる。
エージング工程時においては、次の関係式が成り立つ。
(p6)式を整理すると、以下のようになる。
Vsd’=Vdd+Vx−Vss’−Voled’・・・(p7)
また、駆動トランジスタ126のソース−ゲート電極間の電圧Vsgは、上記Vdata_minを用いて、以下のように表される。
ここでの高輝度発光工程は、駆動トランジスタ126を線形領域で動作させる場合であるので、
Vsd’<Vsg’+Vth・・・(p9)
の定義式が成り立つ。(p9)式に(p7)式および(p8)式を代入すると、
Vss’>Vdata_min−Vth−Voled’・・・(p10)
となる。したがって、(p5)式および(p10)式より、
Vss’>Vss
となる。したがって、高輝度発光工程において駆動トランジスタ126を線形領域で動作させる場合には、高輝度発光工程における低電位側電源線vssの電位を、通常発光時における低電位側電源線vssの電位よりも高くすればよいことがわかる。つまり、低電位側電源線vssの電位を通常発光時での電位Vssよりも高い電位Vss’にする。
図11は、駆動トランジスタ126(p型)のソース−ドレイン間電圧Vsdと、駆動トランジスタ126のドレインからソースに流れる電流Idの関係を示す図である。図11では、(Vsg−Vth)が−3[V]と−5[V]の場合を図示しており、一点鎖線から右側の領域が線形領域、一点鎖線から左側の領域が飽和領域である。なお、電圧Vdsは横軸に示す矢印方向にいくほど大きくなり、図11の2本のグラフが横軸と交差する点が0[V]となっている。
飽和領域で動作させる場合においても、線形領域で説明した(p1)〜(p8)式が成り立つ。ここでの高輝度発光工程は、駆動トランジスタ126を飽和領域で動作させる場合であるので、
Vsd’≧Vsg’+Vth・・・(p11)
の定義式が成り立つ。(p11)式に(p7)式および(p8)式を代入すると、
Vss’≦Vdata_min−Vth−Voled’・・・(p12)
となる。したがって、(p5)式および(p12)式より、
Vss’≦Vss
となる。したがって、高輝度発光工程において駆動トランジスタ126を飽和領域で動作させる場合には、高輝度発光工程における低電位側電源線vssの電位を、通常発光時における低電位側電源線vssの電位以下とすればよいことがわかる。つまり、低電位側電源線vssの電位を通常発光時での電位Vssと同じにするか、または電位Vssよりも低い電位Vss’にする。
実施の態様1,2においては、いわゆるコモンカソード型の画素回路を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されない。本実施の態様においては、有機EL素子の陽極(アノード)が共通電極となっている、いわゆるコモンアノード型の画素回路129,130の場合について説明する。
図12は実施の態様3に係る画素回路129の回路構成を示す図である。
画素回路129は、画素回路116(図4)と同様に、有機EL素子13、駆動トランジスタ118、スイッチングトランジスタ119、電源線120、走査線121、信号線122、容量素子123、グラウンド線gndを備える。しかしながら、有機EL素子13周辺の接続関係が画素回路116とは少し異なる。
図13(a)は通常発光時における画素回路129の動作を説明するための図であり、図13(b)はエージング工程における画素回路129の動作を説明するための図である。
充電工程に続く高輝度発光工程においては、充電工程において充電された容量素子123の充電電圧に基づき、有機EL素子13を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる。
図14は実施の態様3に係る画素回路130の回路構成を示す図である。
画素回路130は、画素回路125(図9)と同様に、有機EL素子13、駆動トランジスタ126、スイッチングトランジスタ127、電源線120、走査線121、信号線122、容量素子128、低電位側電源線vssを備える。しかしながら、有機EL素子13周辺の接続関係が画素回路125とは少し異なる。
図15(a)は通常発光時における画素回路130の動作を説明するための図であり、図15(b)はエージング工程における画素回路130の動作を説明するための図である。
充電工程に続く高輝度発光工程においては、充電工程において充電された容量素子128の充電電圧に基づき、有機EL素子13を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる。
以上、実施の態様1〜3について説明したが、本発明は上記の実施の態様に限られない。例えば、以下のような変形例等が考えられる。
(1)上記の実施の態様では、充電工程および高輝度発光工程により、有機EL素子に対してエージング処理を行うこととしたが、本発明はこれに限定されない。背景技術の項で説明した滅点検査に本発明を適用することで、滅点検査に要する時間の短縮化を図ることが可能である。エージング工程および滅点検査以外でも、有機EL素子を高輝度で発光させることにより処理速度向上が期待される点灯検査等に広く適用することができる。
例えば、グラウンド線gndに−Vxの電位を与えるエージング工程用電源回路を低電位側電源回路とは別に準備し、エージング工程用電源回路をエージング工程中のみ有機EL表示パネル10に接続することで、グラウンド線gndに−Vxの電位を与えることとしてもよい。この場合、エージング工程が終了したら、エージング工程用電源回路と通常発光時に用いる低電位側電源回路とをつなぎ変えることになる。また、エージング工程用電源回路を用いる場合、有機EL素子における電極対のうちグラウンド線(第1電源線)と接続されている側の電極、すなわち陰極は各有機EL素子間で共通に設けられていることが望ましい。このようにすることで、エージング工程用電源回路から有機EL素子の個数分のプローブを設けた上で、エージング工程用電源回路と各有機EL素子とを接続するといった手間が不要となる。したがって、エージング工程の簡略化を図ることが可能である。ここでは実施の態様1の場合を例に挙げて説明したが、実施の態様2〜4についても、電極対のうち第1電源線と接続されている側の電極を共通電極とすることで、上記の効果を得ることができる。
(4)n型カソードコモン(図4,7)およびn型アノードコモン(図12,13)の画素回路についての実施態様においては、充電工程および高輝度発光工程の両工程でグラウンド線の電位を通常発光時よりも下げることとしたが、本発明はこれに限定されない。最低限、充電工程においてグラウンド線の電位を通常発光時よりも下げていれば足りる。また、電源線の電位を通常発光時と異なる電位にすることについても、最低限、高輝度発光工程においてなされていれば足りる。
(6)エージング処理時においては、有機EL表示パネルの表示領域を構成する有機EL素子の全てを点灯させることとしてもよいし(全面点灯)、表示領域を構成する有機EL素子の一部を順に発光させていくこととしてもよい(一部点灯)。
図16(a)における表示領域11のうち、黒く塗りつぶされている非発光領域18は発光させていない領域、換言すると最小階調(0階調)の映像信号が入力されている領域を示している。ハッチングが入っている発光領域17は最大諧調の映像信号が入力されている領域であり、通常発光時における最高輝度の領域である。このように、従来例の充電工程を経た場合には、黒色表示の非発光領域18の中を高輝度の発光領域17が移動することになる。
図17は、表示領域11における発光領域の形状に係る変形例を示す図である。図17(a)に示す発光領域31Aのように、表示領域11の左端から右端の向かって延びる帯状としてもよい。なお、図16,図17(a)においては発光領域が1個であったが、複数個とすることもできる。
(9)有機EL表示装置について、有機EL表示パネルに対する駆動制御部の配置や接続関係、および駆動制御部に含まれる回路については、図1に示すものに限られない。
10 有機表示パネル
11 表示領域
12 周辺領域
13、13R、13G、13B サブピクセル(有機EL素子)
14 画素
15 EL基板
16 CF基板
17 発光領域
18 非発光領域
20 駆動制御部
21 高電位側電源回路
22 低電位側電源回路
23 走査線駆動回路
24 信号線駆動回路
25 制御回路
30 エージング装置
31、31A、31B、31C、31D 発光領域
32 非発光領域
101 TFT基板
102 引き出し電極
103 パッシベーション層
104 層間絶縁膜
105 陽極
106 バンク
107、107R、107G、107B 有機発光層
108 電子輸送層
109 陰極
110 封止膜
111 ガラス基板
112R、112G、112B カラーフィルター
113、114 ブラックマトリクス
115 シール材
116、125、129、130 画素回路
117 TFT層
118、126 駆動トランジスタ
119、127 スイッチングトランジスタ
120 電源線
121 走査線
122 信号線
123、128 容量素子
Claims (13)
- 発光素子と、
前記発光素子に直列に接続され、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する駆動トランジスタと、
前記ゲート電極と前記ソース電極間に接続された容量素子と、
前記発光素子と前記駆動トランジスタからなる直列回路の両端にそれぞれ接続され、前記直列回路に電力を供給するための第1および第2電源線と、を備え、
前記第1電源線が前記直列回路の前記ソース電極側の端部に電気的に接続され、前記第2電源線が前記直列回路の前記ドレイン電極側の端部に電気的に接続された表示装置の製造方法であって、
前記第1電源線の電位を、前記ゲート電極と前記ソース電極間の電圧が通常発光時よりも高くなるような電位にすることにより、前記容量素子を通常発光時よりも高い電圧で充電する充電工程と、
前記充電工程において充電された前記容量素子の充電電圧に基づき、前記発光素子を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる高輝度発光工程と、を含み、
前記駆動トランジスタはn型であって、
前記第1電源線の電位は前記第2電源線の電位よりも低く、
少なくとも前記充電工程においては、前記第1電源線の電位を通常発光時よりも低くし、
少なくとも前記高輝度発光工程においては、前記第2電源線の電位を通常発光時における前記第2電源線の電位よりも低くするか、又は、前記第2電源線の電位を通常発光時における前記第2電源線の電位以上とする
表示装置の製造方法。 - 発光素子と、
前記発光素子に直列に接続され、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する駆動トランジスタと、
前記ゲート電極と前記ソース電極間に接続された容量素子と、
前記発光素子と前記駆動トランジスタからなる直列回路の両端にそれぞれ接続され、前記直列回路に電力を供給するための第1および第2電源線と、を備え、
前記第1電源線が前記直列回路の前記ソース電極側の端部に電気的に接続され、前記第2電源線が前記直列回路の前記ドレイン電極側の端部に電気的に接続された表示装置の製造方法であって、
前記第1電源線の電位を、前記ゲート電極と前記ソース電極間の電圧が通常発光時よりも高くなるような電位にすることにより、前記容量素子を通常発光時よりも高い電圧で充電する充電工程と、
前記充電工程において充電された前記容量素子の充電電圧に基づき、前記発光素子を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる高輝度発光工程と、を含み、
前記駆動トランジスタはp型であって、
前記第1電源線の電位は前記第2電源線の電位よりも高く、
少なくとも前記充電工程においては、前記第1電源線の電位を通常発光時よりも高くし、
少なくとも前記高輝度発光工程においては、前記第2電源線の電位を通常発光時における前記第2電源線の電位よりも高くするか、又は、前記第2電源線の電位を通常発光時における前記第2電源線の電位以下とする
表示装置の製造方法。 - 少なくとも前記高輝度発光工程においては、前記第2電源線の電位を通常発光時における前記第2電源線の電位よりも低くすることで、前記駆動トランジスタを線形領域で駆動させるか、又は、前記第2電源線の電位を通常発光時における前記第2電源線の電位以上とすることで、前記駆動トランジスタを飽和領域で動作させる
請求項1に記載の表示装置の製造方法。 - 少なくとも前記高輝度発光工程においては、前記第2電源線の電位を通常発光時における前記第2電源線の電位よりも高くすることで、前記駆動トランジスタを線形領域で動作させるか、又は、前記第2電源線の電位を通常発光時における前記第2電源線の電位以下とすることで、前記駆動トランジスタを飽和領域で動作させる
請求項2に記載の表示装置の製造方法。 - 前記駆動トランジスタは、低温ポリシリコンで構成された半導体層を有し、
少なくとも前記高輝度発光工程において、前記駆動トランジスタを線形領域で動作させる
請求項3又は4に記載の表示装置の製造方法。 - 前記駆動トランジスタは、アモルファスシリコン又は酸化物半導体で構成された半導体層を有し、
少なくとも前記高輝度発光工程において、前記駆動トランジスタを飽和領域で動作させる
請求項3又は4に記載の表示装置の製造方法。 - 前記高輝度発光工程により、前記発光素子のエージング処理を行う、
請求項1又は2に記載の表示装置の製造方法。 - 前記充電工程および前記高輝度発光工程において、前記駆動トランジスタの前記ゲート電極には、通常発光時において使用される範囲の電圧が印加される、
請求項1又は2に記載の表示装置の製造方法。 - 前記表示装置は、前記充電工程において、さらに、
信号線と、
前記信号線に映像信号を与える信号線駆動回路と
前記信号線と前記容量素子との間の導通および非導通を切り替えるスイッチングトランジスタと、
前記スイッチングトランジスタのゲート電極に接続された走査線と、
前記スイッチングトランジスタに対する制御信号を前記走査線に与える走査線駆動回路と、を備え、
前記充電工程は、前記信号線駆動回路と前記走査線駆動回路を用いて行われる、
請求項8に記載の表示装置の製造方法。 - 前記発光素子は有機EL素子である、
請求項1又は2に記載の表示装置の製造方法。 - 前記表示装置は、前記発光素子が行列状に複数配列されてなる、
請求項1又は2に記載の表示装置の製造方法。 - 発光素子と、
前記発光素子に直列に接続され、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する
駆動トランジスタと、
前記ゲート電極と前記ソース電極間に接続された容量素子と、
前記発光素子と前記駆動トランジスタからなる直列回路に電力を供給する第1および第
2電源線と、
信号線と、
前記信号線に映像信号を与える信号線駆動回路と、
前記信号線と前記容量素子との間の導通および非導通を切り替えるスイッチングトラン
ジスタと、
前記スイッチングトランジスタのゲート電極に接続された走査線と、
前記スイッチングトランジスタに対する制御信号を前記走査線に与える走査線駆動回路
と、
前記第1電源線に対して通常発光時の電位及び前記通常発光時と異なる電位の少なくとも2種類の電位を出力可能な電源回路とを備え、
前記第1電源線が前記ソース電極に電気的に接続され、前記第2電源線が前記ドレイン
電極に電気的に接続された表示装置であって、
前記発光素子を通常発光時における最高輝度よりも高輝度で発光させる高輝度発光時に
おいて、
前記第1電源線は、前記信号線駆動回路のグラウンドおよび前記走査線駆動回路のグラ
ウンドと絶縁されており、
前記電源回路は、前記通常発光時と異なる電位を前記第1電源線に与える
表示装置。 - 前記発光素子が行列状に複数配列されてなるとともに、各発光素子は、前記第1および第2電源線から電力供給を受ける電極対を含み、
前記電極対を構成する電極のうち、前記高輝度発光時において前記第1電源線と接続されている側の電極は各発光素子間で共通に設けられている、
請求項12に記載の表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011252156A JP5927605B2 (ja) | 2011-11-18 | 2011-11-18 | 表示装置の製造方法、および表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011252156A JP5927605B2 (ja) | 2011-11-18 | 2011-11-18 | 表示装置の製造方法、および表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013109868A JP2013109868A (ja) | 2013-06-06 |
JP5927605B2 true JP5927605B2 (ja) | 2016-06-01 |
Family
ID=48706459
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011252156A Active JP5927605B2 (ja) | 2011-11-18 | 2011-11-18 | 表示装置の製造方法、および表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5927605B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6167338B2 (ja) * | 2013-10-15 | 2017-07-26 | 株式会社Joled | 有機el表示装置の製造方法および検査装置 |
KR102077794B1 (ko) * | 2013-11-04 | 2020-02-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치와 그의 에이징 방법 |
JP6312105B2 (ja) * | 2014-06-05 | 2018-04-18 | 株式会社Joled | 表示装置の製造方法 |
KR102627274B1 (ko) * | 2016-12-30 | 2024-01-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
KR102380391B1 (ko) * | 2017-08-30 | 2022-03-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 구동 방법 |
TWI772888B (zh) * | 2020-09-11 | 2022-08-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板及拼接面板 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003001496A1 (en) * | 2001-06-22 | 2003-01-03 | Ibm Corporation | Oled current drive pixel circuit |
JP2005173299A (ja) * | 2003-12-12 | 2005-06-30 | Optrex Corp | 有機el表示装置および有機el表示装置の基板 |
JP4560306B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2010-10-13 | オプトレックス株式会社 | 有機el表示素子用基板及び有機el表示素子の製造方法 |
JP2009276744A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-11-26 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | El表示装置 |
JP2010078807A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Canon Inc | アクティブマトリックス型表示装置、その製造方法、およびその駆動方法 |
JP2010135685A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置およびエージング方法 |
JP2010231187A (ja) * | 2009-03-05 | 2010-10-14 | Casio Computer Co Ltd | 駆動回路アレイ基板及び駆動回路アレイ基板の検査方法 |
-
2011
- 2011-11-18 JP JP2011252156A patent/JP5927605B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013109868A (ja) | 2013-06-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6685675B2 (ja) | 有機el素子、それを用いた有機el表示パネル、及び有機el表示パネルの製造方法 | |
KR102166341B1 (ko) | 고 개구율 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 | |
KR101258259B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 | |
JP5927605B2 (ja) | 表示装置の製造方法、および表示装置 | |
JP6688701B2 (ja) | 有機el表示パネル、及び有機el表示パネルの製造方法 | |
US11107399B2 (en) | Organic light-emitting diode display device with pixel array | |
US9871086B2 (en) | Display device and method for manufacturing display device | |
KR102193886B1 (ko) | 고 개구율 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 | |
US7355342B2 (en) | Organic EL device and electronic apparatus capable of preventing a short circuit | |
JP5519537B2 (ja) | 有機el表示パネル及びその製造方法 | |
US8330353B2 (en) | Organic light emitting device and manufacturing method thereof | |
KR102443645B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
US9236422B2 (en) | Display panel and production method for same | |
WO2013118474A1 (ja) | 表示パネルおよびその製造方法 | |
US20150053948A1 (en) | Organic el panel and method for manufacturing same | |
JP6471308B2 (ja) | 表示装置および表示装置の製造方法 | |
JP5607728B2 (ja) | 有機el表示パネル及びその製造方法 | |
US20220115475A1 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
JP2020042955A (ja) | 表示パネル、表示パネルの検査方法、及び表示パネルの製造方法 | |
CN111903187B (zh) | 显示装置 | |
WO2019186835A1 (ja) | 表示装置 | |
US8692458B2 (en) | Light emitting device and electronic device | |
KR102609087B1 (ko) | 유기발광소자 | |
US20140332767A1 (en) | Thin film transistor and organic light emitting diode display including the same | |
KR20160092184A (ko) | 유기전계 발광소자 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20140606 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141105 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20150205 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150821 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150825 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151022 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160322 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160401 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5927605 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |