JP5922467B2 - 磁気共鳴イメージング装置 - Google Patents

Description

本発明は、代謝物質のスペクトルを測定する磁気共鳴イメージング装置に関する。

磁気共鳴現象を利用した磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ：Magnetic Resonance Imaging）装置は、生体内の各臓器の画像診断に不可欠な手法として広く利用されている。さらに、磁気共鳴イメージング装置は、臓器等を画像として表示するだけでなく、その高磁場装置によって各種の被検体内の代謝物質のスペクトルを測定する磁気共鳴スペクトロスコピー（ＭＲＳ：Magnetic Resonance Spectroscopy）を可能にする。

ＭＲＳによって測定する代謝物質は、例えば、γ−アミノ酪酸（ＧＡＢＡ：gammaaminobutyricacid）、グルタチオン（ＧＳＨ：glutathione）、グルタミン（Ｇｌｎ：glutamin）又はグルタメート（Ｇｌｕ：glutamate）等の脳内代謝物質が挙げられる。特許文献１は、これらの代謝物質の良好なスペクトルを得るためのＭＥＧＡ ＰＲＥＳＳ法及び磁気共鳴イメージング装置を提案している。

特開２００７−１５９９２８号公報

しかし、特許文献１に開示されたＭＥＧＡ ＰＲＥＳＳ法及び磁気共鳴イメージング装置では、体内の低濃度又は微小の代謝物質を測定する場合、自由誘導減衰（ＦＩＤ＊Free Induction Decay）又はスティミュレーテッド・エコー（Stimulated echo）等からの信号が、代謝物質のスペクトルにノイズとして混入してしまうことがあった。このようなノイズを低減することは、低濃度の代謝物質を精度よく検出することになる。
そこで、本発明は、ノイズを低減して低濃度の代謝物質を測定する磁気共鳴イメージング装置を提供することを目的とする。

第１の観点の磁気共鳴イメージング装置は、被検体内の原子核のスピンを横磁化励起する横磁化用励起パルス、横磁化用励起パルスに引き続き被検体の選択された部位の原子核のスピンを励起する第１励起パルス、第１励起パルスに引き続きスピンの位相をリフォーカスするリフォーカスパルス、及びリフォーカスパルスに引き続き部位の原子核のスピンを励起する第２励起パルスを有するパルスシーケンスを、被検体に印加するＲＦパルス印加部と、リフォーカスパルスの印加前後に、スピンの位相を変化させる一対の第１クラッシャー勾配磁場を印加する勾配磁場印加部と、を備える。そして、勾配磁場印加部は、第１クラッシャー勾配磁場と同じ極性で且つ位相変化量が異なる一対の第２クラッシャー勾配磁場を印加する。

パルスシーケンスはスピンエコーシーケンスであり、リフォーカスパルスは１８０度ＲＦパルスであり、第１クラッシャー勾配磁場及び第２クラッシャー勾配磁場は、互いに異なる３軸の勾配磁場にそれぞれ印加される。
また、第２クラッシャー勾配磁場の位相変化量は、第１クラッシャー勾配磁場の位相変化量よりも小さい。
さらに、パルスシーケンスが連続で印加される際に、勾配磁場印加部は、次回の第１クラッシャー勾配磁場の位相変化量が、前回の第１クラッシャー勾配磁場の位相変化量と第２クラッシャー勾配磁場の位相変化量とを積分した値と異ならせる。
さらに勾配磁場印加部は、空間的に互いに直交する３軸に対して、第１クラッシャー勾配磁場及び第２クラッシャー勾配磁場を印加する。

第２の観点の磁気共鳴イメージング装置は、被検体内の原子核のスピンを横磁化励起する横磁化用励起パルス、横磁化用励起パルスに引き続き被検体の選択された部位の原子核のスピンを励起する第１励起パルス、第１励起パルスに引き続きスピンの位相をリフォーカスするリフォーカスパルス、及びリフォーカスパルスに引き続き部位の原子核のスピンを励起する第２励起パルスを有するパルスシーケンスを、被検体に印加するＲＦパルス印加部と、リフォーカスパルスの印加前後に、スピンの位相を変化させる一対の第１クラッシャー勾配磁場を印加する勾配磁場印加部と、を備える。そして、ＲＦパルス印加部は、第１励起パルスと第２励起パルスとにそれぞれ異なる送信位相を付与する。
第２の観点の磁気共鳴イメージング装置において、勾配磁場印加部は、第１クラッシャー勾配磁場と同じ極性で且つ位相変化量が異なる一対の第２クラッシャー勾配磁場を印加する。

本発明の磁気共鳴イメージング装置によると、ノイズを低減することができるので、低濃度の代謝物質を正確に測定することができる。

磁気共鳴イメージング装置１０の概略構成図である。 従来の方法である基本的なパスルのシーケンスチャートを示す。 ノイズ低減方法１のシーケンスチャートを示す。 ノイズ低減方法２のシーケンスチャートを示す。 ノイズ低減方法３のシーケンスチャートを示す。 （ａ）は、従来の方法により得られたスペクトルグラフである。 （ｂ）は、ノイズ低減方法３により得られたスペクトルグラフである。 （ａ）は、従来の方法により得られたスペクトルグラフである。 （ｂ）は、ノイズ低減方法１及び３を同時に適用して得られたスペクトルグラフである。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明の技術的範囲はこれらの形態に限られるものではない。
＜磁気共鳴イメージング装置の構成＞

図１は本実施形態の磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）装置１０の概略構成図である。図１を参照して、ＭＲＩ装置１０の構成及びその基本動作について述べる。特にＭＲＩ装置１０が、代謝物質のスペクトルを測定する場合について説明する。

本実施形態のＭＲＩ装置１０は、マグネットシステム１００、勾配コイル駆動部１３０、ＲＦコイル駆動部１４０、データ収集部１５０、シーケンス制御部１６０、演算部１７０、表示部１８０及び操作部１９０を有する。

マグネットシステム１００は、主磁場コイル部１０２、勾配コイル部１０６及びＲＦコイル部１０８を有している。これら各コイル部は概ね円筒状の形状を有し、概ね円柱状のボアに互いに同軸状に配置されている。ボア内には被検体ＨＢが寝台１１０に載置されており、寝台１１０は、撮影部位に応じて、マグネットシステム１００内のボア内を移動可能になっている。

主磁場コイル部１０２は、マグネットシステム１００の内部空間に静磁場を形成する。静磁場の方向は、概ね被検体ＨＢの体軸の方向に平行であり水平磁場を形成する。主磁場コイル部１０２は、通常、超伝導コイルを用いて構成されるが、超伝導コイルに限らず永久磁石等を用いて構成してもよい。

勾配コイル部１０６は、互いに直交する３軸方向において、それぞれ主磁場コイル部１０２によって形成された静位相変化量に勾配を持たせるための３種の勾配磁場を発生する。勾配コイル部１０６は、第１スライス軸、第２スライス軸及び第３スライス軸用に図示しない３系統の勾配コイルを有する。このような勾配磁場の発生を可能にするために、勾配コイル部１０６は、３系統の駆動回路を有する勾配コイル駆動部１３０に接続されている。勾配コイル駆動部１３０は、勾配コイル部１０６に駆動信号を与えて勾配磁場を発生させる。

第１スライス軸方向の勾配磁場を第１スライス勾配磁場と言い、第２スライス軸方向の勾配磁場を第２スライス勾配磁場と言い、第３スライス軸方向の勾配磁場を第３スライス勾配磁場と言う。

三次元直交座標系において、静磁場空間における互いに直交する座標軸をＸ軸，Ｙ軸，Ｚ軸としたとき、いずれの軸も第１スライス軸とすることができる。本実施形態においては、第１スライス軸を被検体ＨＢの体軸の方向をＺ軸方向とし、残り２軸のうちの一方を第２スライス軸とし、他方を第３スライス軸とする。なお、第１スライス軸、第２スライス軸及び第３スライス軸は、相互間の直交性を保ったまま、Ｘ，Ｙ，Ｚ軸に関して任意の傾きを持たせることも可能である。

ＲＦコイル部１０８は、静磁場空間に被検体ＨＢの体内のスピンを励起するための高周波磁場を形成する。高周波磁場を形成することをＲＦ励起信号の送信といい、ＲＦ励起信号をＲＦパルスという。ＲＦコイル部１０８には、ＲＦコイル駆動部１４０が接続されており、ＲＦコイル駆動部１４０は、ＲＦコイル部１０８に駆動信号を与えてＲＦパルスを送信する。励起されたスピンが生じる電磁波すなわち磁気共鳴信号は、ＲＦコイル部１０８によって受信される。ＲＦコイル部１０８には、データ収集部１５０が接続されている。データ収集部１５０は、ＲＦコイル部１０８が受信したエコーデータ（又はＭＲ受信信号）をデジタルデータとして収集する。ＲＦコイル部１０８は、複数のＲＦパルス間で移送がランダムに分散するように、ＲＦパルスの横磁化を乱して定常状態を“スポイル（spoil）”させることもできる。

シーケンス制御部１６０は、勾配コイル駆動部１３０、ＲＦコイル駆動部１４０及びデータ収集部１５０に接続されている。シーケンス制御部１６０は、操作者に入力された撮影条件、すなわち撮影プロトコルに従い、勾配コイル駆動部１３０及びＲＦコイル駆動部１４０を駆動する。

表示部１８０は、グラフィックディスプレー等で構成されている。表示部１８０は、演算部１７０に接続されている。表示部１８０は、操作画面、及び、被検体の代謝物質についてスペクトルを表示することができる。代謝物質は、例えば、神経伝達物質である、γ−アミノ酪酸（ＧＡＢＡ）、グルタミン（Ｇｌｎ）、グルタメート（Ｇｌｕ）である。

操作部１９０は、ポインティングデバイスを備えたキーボード等で構成される。操作部１９０は、演算部１７０に接続されている。操作部１９０は、操作者によって表示部１８０を介して操作される。操作部１９０は、キーボード等の代わりに表示部１８０にタッチパネルを配置してもよい。

演算部１７０は、制御部１７１、記憶部１７２及びデータ処理部１７４で構成される。演算部１７０は、各種データを処理し、プログラムを実行する。制御部１７１は、操作部１９０からの操作信号に基づいて、決められたパルスシーケンスを実施するよう、寝台１１０及びシーケンス制御部１６０に制御信号を送って制御する。記憶部１７２は、エコーデータを記憶したり、所定のＲＦパルスのシーケンスが記憶したりする。記憶部１７２には、ＲＦパルスのシーケンスのプログラム等がインストールされている。

データ処理部１７４は、記憶部１７２からエコーデータを読み出し、そのエコーデータに対して画像再構成を行う。そしてデータ処理部１７４は、代謝物質のスペクトルを算出したりする。

次に、ＭＲＩ装置１０が、ＲＦコイル部１０８から被検体に印加するスピンエコーシーケンス（以下、ＳＥシーケンスと略記する）の一例を説明する。まず、ＳＥシーケンスの基本的なパルスについて説明する。

＜従来の方法である基本的なパルス＞
シーケンス制御部１６０は、ノイズ低減方法１のシーケンスチャートに基づいて、勾配コイル駆動部１３０及びＲＦコイル駆動部１４０を制御し、繰り返し時間（ＴＲ）毎にこのシーケンスを繰り返し実行する。そして、シーケンス制御部１６０は、代謝物質の良好なスペクトルを得るように、勾配コイル駆動部１３０及びＲＦコイル駆動部１４０を制御する。

図２は、ＳＥシーケンスの一繰り返し時間（ＴＲ）分のシーケンスチャートを示しており、ＲＦ、Ｇｚ、Ｇｘ、Ｇｙ、ｓｉｇｎａｌはそれぞれ、ＲＦパルス、第１スライス勾配磁場、第２スライス勾配磁場、第３スライス勾配磁場、エコーデータの軸を表す。以下、図２のＳＥシーケンスを説明する。

励起ＲＦパルスＲＦ０１は、撮影すべき所定のスライスを選択して、そのスライスにおける原子核スピンを励起する例えば９０°パルスである。つまり、励起ＲＦパルスＲＦ０１は、画像生成に用いるエコーデータＥＣを得るため横磁化させる励起ＲＦパルスである。本明細書では、この励起ＲＦパルスＲＦ０１を、他の励起ＲＦパルスと区別するため、横磁化用励起ＲＦパルスと呼ぶ。

スライス勾配磁場パルスＧＭ０１は、励起ＲＦパルスＲＦ０１と共に印加されることにより被検体の所望の撮影面のみ横磁化に励起されることになる。

ＲＦコイル駆動部１４０は、励起ＲＦパルスＲＦ０１に引き続いて、１８０°ＲＦパルスＲＦ１１をリフォーカス用に印加し、次に、選択された部位の原子核のスピンを励起する第１励起パルスＭＲＦ２１を印加する。ＲＦコイル駆動部１４０は、その第１励起パルスＭＲＦ２１に続いて、１８０°ＲＦパルスＲＦ１２をリフォーカス用に印加する。さらにＲＦコイル駆動部１４０は、１８０°ＲＦパルスＲＦ１２に続いて、選択された部位の原子核のスピンを励起する第２励起パルスＭＲＦ２２を印加する。

１８０°ＲＦパルスＲＦ１１及び１８０°ＲＦパルスＲＦ１２は、横磁化用励起ＲＦパルスＲＦ０１により励起された所定のスライスにおいて、原子核スピンのＴ２緩和もしくはＴ２＊緩和で分散する位相を再集束させるためのリフォーカスパルスである。

勾配コイル駆動部１３０は、被検体の第２スライス軸方向に勾配磁場パルスＧＭ１１を印加し、第３スライス軸方向に勾配磁場パルスＧＭ１２を印加する。励起ＲＦパルスＲＦ１１およびスライス勾配磁場ＧＭ１１は、被検体の位相方向のスライスを選択し、励起ＲＦパルスＲＦ１２およびスライス勾配磁場ＧＭ１２は、被検体の周波数方向のスライスを選択する。これによって、横磁化用励起ＲＦパルスＲＦ０１により励起された立方体の励起領域を特定している。

第１スライス勾配磁場の軸Ｇｚに印加されるクラッシャー勾配磁場パルスＣＧ０１は、横磁化用励起ＲＦパルスＲＦ０１によって生じるスティミュレーティッドエコー及び自由誘導減衰（ＦＩＤ）の発生を抑制するために印加される。また、クラッシャー勾配磁場パルスＣＧ０２は、クラッシャー勾配磁場パルスＣＧ０１の印加量を相殺するための勾配磁場パルスである。クラッシャー勾配磁場パルスＣＧ０１は、クラッシャー勾配磁場パルスＣＧ０２より小さい印加量である。クラッシャー勾配磁場パルスＣＧ０１とＣＧ０２とは、基本的に同じ印加量であるが、クラッシャー勾配磁場パルスＣＧ０１は、負極性のリフェーズ勾配磁場を含んでいるため、小さい印加量となる。負極性のリフェーズ勾配磁場は、スライス勾配磁場パルスＧＭ０１による分散した位相を、元に戻すために印加される。

第２スライス勾配磁場の軸Ｇｘ及び第３スライス勾配磁場の軸Ｇｙに示されるように、勾配コイル駆動部１３０は、クラッシャー勾配磁場パルスＣＧ１１及びＣＧ１２、並びにクラッシャー勾配磁場パルスＣＧ２１及びＣＧ２２を、１８０°ＲＦパルスＲＦ１１を挟んで印加する。これらも、横磁化用励起ＲＦパルスＲＦ０１によって生じるスティミュレーティッドエコー及びＦＩＤの発生を抑制するために印加される。

次に、ＳＥシーケンスの特徴的なパルスについて説明する。
第１励起パルスＭＲＦ２１及び第２励起パルスＭＲＦ２２は、被検体の特定の部位からのエコーデータＥＣを抑制するために印加するパルスである。

第１スライス勾配磁場の軸Ｇｚ、第２スライス勾配磁場の軸Ｇｘ、及び第３スライス勾配磁場の軸Ｇｙには、それぞれクラッシャー勾配磁場パルスＣＧ０３及びＣＧ０４、クラッシャー勾配磁場パルスＣＧ１３及びＣＧ１４並びにクラッシャー勾配磁場パルスＣＧ２３及びＣＧ２４が印加される。クラッシャー勾配磁場パルスＣＧ０３及びＣＧ０４、クラッシャー勾配磁場パルスＣＧ１３及びＣＧ１４並びにクラッシャー勾配磁場パルスＣＧ２３及びＣＧ２４は、第１励起パルスＭＲＦ２１及び第２励起パルスＭＲＦ２２で励起された原子核スピンの位相を分散させる。

クラッシャー勾配磁場パルスＣＧ０３及びＣＧ０４は、１８０°ＲＦパルスＲＦ１２を挟んで配置され、対を成している。同様に、クラッシャー勾配磁場パルスＣＧ１３及びＣＧ１４は、１８０°ＲＦパルスＲＦ１２を挟んで配置され、クラッシャー勾配磁場パルスＣＧ２３及びＣＧ２４は、１８０°ＲＦパルスＲＦ１２を挟んで配置される。

＜ノイズ低減方法１＞
さて、第１励起パルスＭＲＦ２１及び第２励起パルスＭＲＦ２２は、第１励起パルスＭＲＦ２１及び第２励起パルスＭＲＦ２２により発生する定常状態にあるスピンの横磁化のコヒーレンスがスポイル（spoil）するように印加される。第１励起パルスＭＲＦ２１及び第２励起パルスＭＲＦ２２は、その位相を毎回の励起においてランダムに変化させてスポイルされる、又は新規の勾配磁場を加えることでスポイルされる。横磁化をスポイルすることにより、横磁化成分により生じる観測されるエコーデータＥＣの横磁化成分を抑制することができる。

図３は、ノイズ低減方法１のシーケンスチャートを示す。
シーケンス制御部１６０は、ノイズ低減方法１のシーケンスチャートに基づいて、勾配コイル駆動部１３０及びＲＦコイル駆動部１４０を制御し、代謝物質の良好なスペクトルを得る。

ノイズ低減方法１は、従来の方法である基本的なパルスと比較して、ＲＦの位相変化の仕方が異なる。これ以外は同じである。

同じクラッシャー勾配磁場パルスの配置であっても、スポイルされた第１励起パルスＭＲＦ２１及び第２励起パルスＭＲＦ２２は、第１励起パルスＭＲＦ２１及び第２励起パルスＭＲＦ２２の横磁化成分により生じる観測されるエコーデータの横磁化成分を抑制することができる。

＜ノイズ低減方法２＞
図４は、ノイズ低減方法２のシーケンスチャートを示す。
シーケンス制御部１６０は、ノイズ低減方法２のシーケンスチャートに基づいて、勾配コイル駆動部１３０及びＲＦコイル駆動部１４０を制御し、代謝物質の良好なスペクトルを得る。

ノイズ低減方法２は、従来の方法である基本的なパルスと比較して、新たに補助クラッシャー勾配磁場パルスＳＣ０１〜ＣＧ２２が加えられている。これ以外のパルスは同じである。

図６（ａ）は、特開２００７−１５９９２８号公報等に開示された従来の方法により得られたスペクトルグラフである。スペクトルグラフの横軸は、基準物質からの周波数のずれの割合（ｐｐｍ）を示し、その縦軸はその周波数の波高、つまり水素原子の量を示している。図６（ｂ）並びに図７（ａ）及び（ｂ）のスペクトルグラフの横軸及び縦軸も同様である。

図６（ａ）の領域９１には、大きなノイズ（不要なＦＩＤ）が表示され、γ−アミノ酪酸（ＧＡＢＡ）、グルタチオン（ＧＳＨ）、グルタミン（Ｇｌｎ）又はグルタメート（Ｇｌｕ）等の脳内代謝物質の領域９３が小さく表示される。不要なノイズは、１８０°ＲＦパルスＲＦ１２と第１励起パルスＭＲＦ２１及び第２励起パルスＭＲＦ２２（図４を参照）との信号共鳴によって生じている。このため、この信号共鳴を抑えるためには、第１スライス勾配磁場の軸Ｇｚ、第２スライス勾配磁場の軸Ｇｘ、及び第３スライス勾配磁場の軸Ｇｙに、さらに大きなクラッシャー勾配磁場パルスＣＧ０３及びＣＧ０４、ＣＧ１３及びＣＧ１４並びにＣＧ２３及びＣＧ２４を印加するようにすればよい。しかしながら、勾配コイル駆動部１３０の最大能力以上に、クラッシャー勾配磁場パルスＣＧ０３及びＣＧ０４、クラッシャー勾配磁場パルスＣＧ１３及びＣＧ１４並びにクラッシャー勾配磁場パルスＣＧ２３及びＣＧ２４を大きくすることはできない。また、１８０°ＲＦパルスＲＦ１２と第１励起パルスＭＲＦ２１及び第２励起パルスＭＲＦ２２との信号共鳴を抑えるには、１８０°ＲＦパルスＲＦ１２と第１励起パルスＭＲＦ２１及び第２励起パルスＭＲＦ２２とをアンバランスにすればよい。

そこで、ノイズ低減方法２は、勾配コイル駆動部１３０が補助クラッシャー勾配磁場パルスをさらに印加する。図４に示されるように、第１スライス勾配磁場の軸Ｇｚ、第２スライス勾配磁場の軸Ｇｘ、及び第３スライス勾配磁場の軸Ｇｙに、補助クラッシャー勾配磁場パルスＳＣ０１及びＳＣ０２、補助クラッシャー勾配磁場パルスＳＣ１１及びＳＣ１２並びに補助クラッシャー勾配磁場パルスＳＣ２１及びＳＣ２２を印加する。補助クラッシャー勾配磁場パルスＳＣ０１及びＳＣ０２、ＳＣ１１及びＳＣ１２並びＳＣ２１及びＳＣ２２は、クラッシャー勾配磁場パルスＣＧ０３及びＣＧ０４、ＣＧ１３及びＣＧ１４並びにＣＧ２３及びＣＧ２４と同じ極性である。

第１スライス勾配磁場の軸Ｇｚの補助クラッシャー勾配磁場パルスＳＣ０１は、第１励起パルスＭＲＦ２１の後に印加され、その補助クラッシャー勾配磁場パルスＳＣ０１による影響を無くすため、補助クラッシャー勾配磁場パルスＳＣ０２が第２励起パルスＭＲＦ２２の後に印加される。第２スライス勾配磁場の軸Ｇｘの補助クラッシャー勾配磁場パルスＳＣ１１は、第１励起パルスＭＲＦ２１の前に印加され、その補助クラッシャー勾配磁場パルスＳＣ１１による影響を無くすため、補助クラッシャー勾配磁場パルスＳＣ１２が第２励起パルスＭＲＦ２２の前に印加される。第３スライス勾配磁場の軸Ｇｙの補助クラッシャー勾配磁場パルスＳＣ２１は、第１励起パルスＭＲＦ２１の前に印加され、その補助クラッシャー勾配磁場パルスＳＣ２１による影響を無くすため、補助クラッシャー勾配磁場パルスＳＣ２２が第２励起パルスＭＲＦ２２の後に印加される。

補助クラッシャー勾配磁場パルスＳＣ０１及びＳＣ０２の傾斜磁場強度は、クラッシャー勾配磁場パルスＣＧ０３及びＣＧ０４の傾斜磁場強度と異なっている。傾斜磁場強度は、位相変化量の大きさに比例する。クラッシャー勾配磁場パルスＣＧ０３及びＣＧ０４の傾斜磁場は、一般に勾配コイル駆動部１３０の最大能力であるため、補助クラッシャー勾配磁場パルスＳＣ０１及びＳＣ０２の傾斜磁場強度は、クラッシャー勾配磁場パルスＣＧ０３及びＣＧ０４の傾斜磁場より小さい。

１回の繰り返し時間（ＴＲ）を考える際に、補助クラッシャー勾配磁場パルスＳＣ０１及びＳＣ０２の傾斜磁場強度は、クラッシャー勾配磁場パルスＣＧ０３及びＣＧ０４の傾斜磁場強度の２０〜８０％でよい。これはバランスを崩してスティミュレーティッドエコーの発生を抑制するためである。クラッシャー勾配磁場パルスＣＧ０３の傾斜磁場強度と補助クラッシャー勾配磁場パルスＳＣ０１の傾斜磁場強度とを積分しても、クラッシャー勾配磁場パルスＣＧ０４の傾斜磁場強度と異なるからである。

補助クラッシャー勾配磁場ＳＣ１１及びＳＣ１２並びに補助クラッシャー勾配磁場ＳＣ２１及びＳＣ２２の傾斜磁場強度葉も、補助クラッシャー勾配磁場パルスＳＣ０１及びＳＣ０２の傾斜磁場強度と同様な関係である。

このように、補助クラッシャー勾配磁場パルスＳＣ０１及びＳＣ０２、ＳＣ１１及びＳＣ１２並びＳＣ２１及びＳＣ２２が印加されるシーケンスで、エコーデータＥＣを得る。そして、データ処理部１７４は、そのエコーデータＥＣに基づいて代謝物質のスペクトルを算出し、図６（ｂ）に示されるスペクトルグラフを表示部１８０に表示する。図６（ｂ）のスペクトルグラフの横軸は、図６（ａ）の横軸と同じスケールであるが、図６（ｂ）の縦軸は図６（ａ）の縦軸の１０倍で表示してある。図６（ｂ）の領域９５に示されるように、不要なノイズは１０分の１以下に減少している。

＜ノイズ低減方法３＞
図５は、ノイズ低減方法３のシーケンスチャートを示す。

ノイズ低減方法３は、ノイズ低減方法２と比較して、クラッシャー勾配磁場パルスＣＧ３３〜ＣＧ５４の配置が異なる。このため、補助クラッシャー勾配磁場パルスＳＣ０１及びＳＣ０２、ＳＣ１１及びＳＣ１２並びＳＣ２１及びＳＣ２２の配置も異なっている。

具体的には、補助クラッシャー勾配磁場パルスＳＣ０１は、第１励起パルスＭＲＦ２１の後に印加され、その補助クラッシャー勾配磁場パルスＳＣ０１による影響を無くすため、補助クラッシャー勾配磁場パルスＳＣ０２が第２励起パルスＭＲＦ２２の前に印加される。補助クラッシャー勾配磁場パルスＳＣ１１は、第１励起パルスＭＲＦ２１の後に印加され、その補助クラッシャー勾配磁場パルスＳＣ１１による影響を無くすため、補助クラッシャー勾配磁場パルスＳＣ１２が第２励起パルスＭＲＦ２２の後に印加される。補助クラッシャー勾配磁場パルスＳＣ２１は、第１励起パルスＭＲＦ２１の前に印加され、その補助クラッシャー勾配磁場パルスＳＣ２１による影響を無くすため、補助クラッシャー勾配磁場パルスＳＣ２２が第２励起パルスＭＲＦ２２の前に印加される。

＜その他のノイズ低減方法＞
ノイズ低減方法１は、第１励起パルスＭＲＦ２１及び第２励起パルスＭＲＦ２２をスポイルしてノイズを低減した。また、ノイズ低減方法２及び３は、補助クラッシャー勾配磁場パルスを印加してノイズを低減した。その他のノイズ低減方法は、これら２つの方法を組み合わせることができる。

図７（ａ）は、従来の方法により得られたスペクトルグラフである。図７（ａ）のスペクトルグラフは、図６（ａ）のスペクトルグラフと同じである。図７（ｂ）は、ノイズ低減方法１及びノイズ低減方法２を組み合わせたシーケンスで得られたエコーデータＥＣに基づいて算出されたスペクトルグラフである。図７（ｂ）のスペクトルグラフの横軸は、図７（ａ）の横軸と同じスケールであるが、図７（ｂ）の縦軸は図７（ａ）の縦軸の約１５倍で表示してある。図６（ｂ）の領域９５に示されるように、不要なノイズは２０分の１以下に減少している。

なお、発明の実施形態は、発明の趣旨を逸脱しない範囲において変更が可能である。例えば、上記の実施形態では、第１スライス軸方向を軸とするスライスを撮影スライスとし、エコーデータを抑制したい特定の部位として、第２スライス軸方向や第３スライス軸方向を軸とする所定のスライスを選択している。しかし、第２スライス軸方向や第３スライス軸方向を軸とするスライスを撮影スライスとし、エコー信号を抑制したい特定の部位として、他の方向を軸とする所定のスライスを選択してもよい。

また例えば、上記の実施形態では、リフォーカスパルスを挟んで印加する信号抑制用磁場群を一対としているが、二対以上としてもよい。

１０ … 磁気共鳴イメージング装置
１００ … マグネットシステム（１０２… 主磁場コイル部、１０６… 勾配コイル部、１０８… ＲＦコイル部）
１１０ … 寝台
１３０ … 勾配コイル駆動部
１４０ … ＲＦコイル駆動部
１５０ … データ収集部
１６０ … シーケンス制御部
１７０ … 演算部
１７１ … 制御部
１７２ … 記憶部
１７４ … データ処理部
１８０ … 表示部
１９０ … 操作部

Claims (3)

1. 被検体内の原子核のスピンを横磁化励起する横磁化用励起パルス、前記横磁化用励起パルスに引き続き前記被検体の選択された部位の原子核のスピンを励起する第１励起パルス、前記第１励起パルスに引き続き前記スピンの位相をリフォーカスするリフォーカスパルス、及び前記リフォーカスパルスに引き続き前記部位の原子核のスピンを励起する第２励起パルスを有するパルスシーケンスを、前記被検体に印加するＲＦパルス印加部と、
   前記リフォーカスパルスの印加前後に、前記スピンの位相を変化させる一対のクラッシャー勾配磁場を印加するとともに、前記リフォーカスパルスの印加前後に他の一対のクラッシャー勾配磁場を印加する勾配磁場印加部と、を備え、
   前記一対のクラッシャー勾配磁場は、第１のクラッシャー勾配磁場と、前記第１のクラッシャー勾配磁場の後に印加される第２のクラッシャー勾配磁場とを含み、
   前記他の一対のクラッシャー勾配磁場は、前記第１のクラッシャー勾配磁場と前記リフォーカスパルスとの間に印加される第３のクラッシャー勾配磁場と、前記第３のクラッシャー勾配磁場の後に印加される第４のクラッシャー勾配磁場とを含み、
   前記勾配磁場印加部は、
   前記第２のクラッシャー勾配磁場の位相変化量が、前記第１のクラッシャー勾配磁場の位相変化量と前記第３のクラッシャー勾配磁場の位相変化量との積分により得られる値と異なるように、前記一対のクラッシャー勾配磁場および前記他の一対のクラッシャー勾配磁場を印加する、磁気共鳴イメージング装置。
2. 前記パルスシーケンスはスピンエコーシーケンスであり、
   前記リフォーカスパルスは１８０度ＲＦパルスであり、
   前記一対の第１クラッシャー勾配磁場は、空間的に互いに直交する３軸に印加され、
   前記他の一対の第１クラッシャー勾配磁場は、空間的に互いに直交する３軸に印加される請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
3. 前記第３および第４のクラッシャー勾配磁場の位相変化量は、前記第１および第２のクラッシャー勾配磁場の位相変化量よりも小さい請求項１又は請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置。