JP5920064B2 - 液晶表示装置とその製造方法 - Google Patents
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<液晶表示装置の構造>
図1〜図3を用いて実施の形態1に係る液晶表示装置の構造を説明する。図1は本発明の実施の形態1に係る液晶表示装置の断面模式図であり、図2は本発明の実施の形態1に係るアレイ基板の平面模式図である。図3は本発明の実施の形態1に係る画素の平面模式図である。図1は、図3のA−A断面の模式図を示している。
本実施の形態に用いたアレイ基板1、対向基板16は、通常の液晶表示素子に用いる各基板の製造方法と同じ方法を用いて製造される。つまり、各電極、各配線の金属膜や上層電極15等のITO膜は、金属膜またはITO膜を成膜後、写真製版、エッチング、レジスト除去の工程により、パターニングを行った。半導体膜21は、プラズマCVD法で非晶質シリコン膜を作成し、レジストパターンを作成した後ドライエッチング法を用いて半導体膜21を形成した。ゲート絶縁膜20は、プラズマCVD法により酸化シリコン膜を成膜して作成した。
本実施の形態に用いた液晶表示装置は、通常のFFSモード液晶表示装置の製造方法と同じ方法を用いて製造した。つまり、上記により製造したアレイ基板1、対向基板16に液晶配向膜25,31を形成し、焼成後ラビング処理を行った。これらの基板間に液晶材料17を挟持して、シール材を用いて貼り合わせ、液晶表示装置を構成する液晶表示素子を得た。
本実施の形態で用いた液晶表示装置の画素構成で、層間絶縁膜24の比誘電率分布を種々変更して、上層電極15のスリット状の開口部の電界分布、電界強度を計算により求めた。一般的な液晶表示装置に用いられるガラス基板18の屈折率は1.4〜1.8であり、入射した光が界面で大きく反射することなく、十分な透過率を確保するためには、ガラス基板18面に用いる構成材料の屈折率は、約1〜約2.7である。屈折率の2乗が比誘電率と等しいので、液晶表示装置に用いられる構成材料の比誘電率は1〜約7.3であり、一般的な固体は、比誘電率が2以上であることを考慮すると、層間絶縁膜24として検討すべき範囲は比誘電率2〜7と考えることができる。
上記により作製した液晶表示装置を用いて、焼付き評価を行った。焼付きの評価は、表示面の半分の領域に白表示、残りの領域を黒表示とし、一定時間経過した後、全面に中間調を表示する。この中間調表示時に、以前白表示をしていた部分の透過光量Wと、以前黒表示をしていた部分の透過光量Bの差((W−B)/W%)を評価に用いた。
実施の形態1においては、上層電極15と下層電極14との間に形成された層間絶縁膜24は酸化シリコンのみからなり、スリット状の開口部を形成した上層電極15をセルフマスクとしてドライエッチングを行い、SOG溶液を塗布、乾燥して上層電極15の開口部下部に低比誘電率部26を形成した。本発明の実施の形態2においても、液晶表示装置の構成、アレイ基板1の上層電極15の構成、上記層間絶縁膜24のエッチング方法等を含む製造方法は基本的には実施の形態1と同じであるが、上層電極15と下層電極14との間に形成された層間絶縁膜が、第一の層間絶縁膜32と第二の層間絶縁膜33の材料の異なる2層からなる点が異なっている。
本実施の形態においては、実施の形態1と同じアレイ基板1、対向基板16を用いたが、実施の形態1においては各基板表面に液晶配向膜を形成し、配向処理であるラビング処理を行ったが、本実施の形態では、液晶配向膜を用いない点で異なっている。また用いた液晶材料も異なっており、実施の形態1では、室温においてネマチック層を示す液晶材料17を用いたが、本実施の形態においては、室温付近でブルー相を示すブルー相液晶材料34を用いた点で異なっている。
本実施の形態においては、基本的には実施の形態1と同様のアレイ基板1、対向基板16を用いるが、本実施の形態においては、層間絶縁膜24にSOG膜を用いる点で実施の形態1と異なっている。また層間絶縁膜24の上層にITOからなる上層電極15を形成し、スリット状の開口部をパターニングする工程までは実施の形態1と同じであるが、その後の低比誘電率部26を形成する工程が異なっている。
本実施の形態においては、基本的には実施の形態4と同様の、層間絶縁膜24にSOG膜を用いたアレイ基板1を用いている。図10を用いて低比誘電率部26を形成する工程を説明する。図10は、本発明の実施の形態5に係る加工方法を示す断面模式図である。図10(a)は、層間絶縁膜24に低比誘電率部26を形成する前の状態を示しており、層間絶縁膜24としてSOG膜を500nm形成した上層にITO膜を形成し、スリット状の開口部を有する上層電極15を形成した状態のアレイ基板1であり、層間絶縁膜24は均一な比誘電率を有している。
Claims (6)
- 複数の画素を有する表示領域を備えるアレイ基板と、
前記アレイ基板に対向して配置される対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持される液晶材料とを備える液晶表示装置であって、
前記画素内に、スリット状の開口部が形成された上層電極と、
前記上層電極の下層に形成され所定の比誘電率を有する層間絶縁膜と、
前記上層電極に対向し前記層間絶縁膜を介して下層に形成された下層電極とを備え、
前記層間絶縁膜中で前記開口部下部に前記所定の比誘電率より小さい比誘電率を有する領域を備える液晶表示装置。 - 上層電極と下層電極との間に少なくとも2層以上の異なる材料の層間絶縁膜を有することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- アレイ基板面に下層電極を形成する工程と、
前記下層電極上に所定の比誘電率を有する層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上にスリット状の開口部を有する上層電極を形成する工程と、
前記層間絶縁膜中で前記開口部下部に前記所定の比誘電率より小さい比誘電率を有する領域を、前記上層電極をマスクとして形成する工程と、を備える液晶表示装置の製造方法。 - 層間絶縁膜中で開口部下部に所定の比誘電率より小さい比誘電率を有する領域を形成する工程が、アレイ基板をレジスト現像液またはレジスト剥離液に浸漬する工程であることを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 層間絶縁膜がシリコン系材料であり、
前記層間絶縁膜中で開口部下部に所定の比誘電率より小さい比誘電率を有する領域を形成する工程が、アレイ基板を水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液に浸漬する工程であることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 層間絶縁膜がシリコン系材料であり、
前記層間絶縁膜中で開口部下部に、所定の比誘電率より小さい比誘電率を有する領域を形成する工程が、前記層間絶縁膜を形成したアレイ基板にイオン照射を行う工程であることを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置の製造方法。
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