JP5913259B2 - スパッタリング用ランタンターゲット - Google Patents
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- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 title claims description 113
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 113
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims description 75
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 37
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 17
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- GXDVEXJTVGRLNW-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Cu] Chemical compound [Cr].[Cu] GXDVEXJTVGRLNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 11
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 10
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 4
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 4
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001361 White metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002604 lanthanum compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000010969 white metal Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21J—FORGING; HAMMERING; PRESSING METAL; RIVETING; FORGE FURNACES
- B21J1/00—Preparing metal stock or similar ancillary operations prior, during or post forging, e.g. heating or cooling
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- B21J1/025—Preliminary treatment of metal stock without particular shaping, e.g. salvaging segregated zones, forging or pressing in the rough affecting grain orientation
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- C22C—ALLOYS
- C22C28/00—Alloys based on a metal not provided for in groups C22C5/00 - C22C27/00
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Description
本発明は、表面にマクロ模様のムラがないスパッタリング用ランタンターゲット及びその製造方法に関する。
ランタン（Ｌａ）は希土類元素の中に含まれるものであるが、鉱物資源として混合複合酸化物として地殻に含有されている。希土類元素は比較的希（まれ）に存在する鉱物から分離されたので、このような名称がついたが、地殻全体からみると決して希少ではない。
ランタンの原子番号は５７、原子量１３８．９の白色の金属であり、常温で複六方最密構造を備えている。
ランタンの原子番号は５７、原子量１３８．９の白色の金属であり、常温で複六方最密構造を備えている。
融点は９２１°Ｃ、沸点３５００°Ｃ、密度６．１５ｇ／ｃｍ３であり、空気中では表面が酸化され、水には徐々にとける。熱水、酸に可溶である。延性はないが、展性はわずかにある。抵抗率は５．７０×１０−６Ωｃｍである。４４５°Ｃ以上で燃焼して酸化物（Ｌａ２Ｏ３）となる（理化学辞典参照）。
希土類元素は一般に酸化数３の化合物が安定であるが、ランタンも３価である。最近ではランタンをメタルゲート材料、高誘電率材料（Ｈｉｇｈ−ｋ）等の、電子材料として研究開発が進められており、注目されている金属である（非特許文献１参照）。
希土類元素は一般に酸化数３の化合物が安定であるが、ランタンも３価である。最近ではランタンをメタルゲート材料、高誘電率材料（Ｈｉｇｈ−ｋ）等の、電子材料として研究開発が進められており、注目されている金属である（非特許文献１参照）。
ランタン金属は精製時に酸化し易いという問題があるため、高純度化が難しい材料である。また、ランタン金属を空気中に放置した場合には短時間で酸化し黒色に変色するので、取り扱いが容易でないという問題がある。
最近、次世代のＭＯＳＦＥＴにおけるゲート絶縁膜として薄膜化が要求されているが、これまでゲート絶縁膜として使用されてきたＳｉＯ２では、トンネル効果によるリーク電流が増加し、正常動作が難しくなってきた。
最近、次世代のＭＯＳＦＥＴにおけるゲート絶縁膜として薄膜化が要求されているが、これまでゲート絶縁膜として使用されてきたＳｉＯ２では、トンネル効果によるリーク電流が増加し、正常動作が難しくなってきた。
このため、それに変わるものとして、高い誘電率、高い熱的安定性、シリコン中の正孔と電子に対して高いエネルギー障壁を有するＨｆＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３が提案されている。特に、これらの材料の中でも、Ｌａ２Ｏ３の評価が高く、電気的特性を調査し、次世代のＭＯＳＦＥＴにおけるゲート絶縁膜としての研究報告がなされている（非特許文献１参照）。しかし、この非特許文献の場合に、研究の対象となっているのは、Ｌａ２Ｏ３膜であり、Ｌａ元素の特性と挙動については、特に触れてはいない。
また、特許文献１に、主にターゲット材料となるランタン（及びその製造方法）に関し、ランタンでターゲットを製造するという記載があるものの、具体的なターゲットの製造方法（条件）の記載がないので、参考することはできなかった。
また、特許文献１に、主にターゲット材料となるランタン（及びその製造方法）に関し、ランタンでターゲットを製造するという記載があるものの、具体的なターゲットの製造方法（条件）の記載がないので、参考することはできなかった。
このようにランタン（酸化ランタン）については、まだ研究の段階にあると言えるが、このようなランタン（酸化ランタン）の特性を調べる場合において、ランタン金属自体がスパッタリング用ターゲット材として存在すれば、基板上にランタンの薄膜を形成することが可能であり、またシリコン基板との界面の挙動、さらにはランタン化合物を形成して、高誘電率ゲート絶縁膜等の特性を調べることが容易であり、また製品としての自由度が増すという大きな利点を持つものである。
しかしながら、スパッタリング用ランタンターゲットを作製しても、上記の通り、空気中で短時間に（１０分程度で）酸化してしまう。ターゲットに酸化膜が形成されると、電気伝導度の低下がおき、スパッタリングの不良を招く。また、空気中に長時間放置しておくと、空気中の水分と反応して水酸化物の白い粉で覆われるという状態に至り、正常なスパッタリングができないという問題すら起こる。このため、ターゲット作製後に酸化防止策を講ずることが検討されている。
しかし、上記のような問題を解決することができても、他にも問題がある。それは、溶解したインゴットからターゲットに作製する段階で、機械加工後のランタンターゲットの表面にマクロ模様のムラが発生することである。図１に、表面にマクロ模様のムラが発生したランタンターゲットの写真を示す。
この図１では、ターゲットの中心からやや外れた位置とターゲットの周辺に、マクロ模様のムラ（雲のように見える）が発生しているのが観察できる。これは、後述する比較例に示すように、粗大化した組織で、他の生地とのアンバランスな組織となっている。
この図１では、ターゲットの中心からやや外れた位置とターゲットの周辺に、マクロ模様のムラ（雲のように見える）が発生しているのが観察できる。これは、後述する比較例に示すように、粗大化した組織で、他の生地とのアンバランスな組織となっている。
これは、スパッタリング時に成膜の不均一性という問題とパーティクル発生の原因となる大きな問題を生ずることである。したがって、このようなマクロ模様のムラの発生を防止する方策を取る必要があるが、これまで、このような問題を解決するこができず、またランタンターゲットにおいて、このような問題があるという認識すらないのが現状である。
徳光永輔、外２名著、「Ｈｉｇｈ−ｋ ゲート絶縁膜用酸化物材料の研究」電気学会電子材料研究会資料、Ｖｏｌ．６−１３、Ｐａｇｅ．３７−４１、２００１年９月２１日発行
本発明は、表面にマクロ模様のムラがないスパッタリング用ランタンターゲット及びその製造方法を効率的かつ安定して提供できる技術を提供することを課題とする。
上記従来技術に記載するように、ランタンはターゲットへの製造過程において、表面にマクロ模様のムラが生じやすい材料であるが、本願発明者は、ランタンターゲットの硬度を高め、一定の硬度を維持することにより、表面にマクロ模様のムラの発生を減少させることができるとの知見を得た。これについては、新規な発明として出願を予定している。
しかしながら、このようにビッカース硬度６０以上としなくても、表面にマクロ模様のムラのないスパッタリング用ランタンターゲットを提供することができることを多くの試験により確認した。それは、スパッタリング用ランタンターゲットの組織を平均結晶粒径が１００μｍ以下の再結晶組織とすることである。
しかしながら、このようにビッカース硬度６０以上としなくても、表面にマクロ模様のムラのないスパッタリング用ランタンターゲットを提供することができることを多くの試験により確認した。それは、スパッタリング用ランタンターゲットの組織を平均結晶粒径が１００μｍ以下の再結晶組織とすることである。
これによって、表面にマクロ模様のムラのないスパッタリング用ランタンターゲットを得ることができ、スパッタリング時の成膜の均一性を図ることが可能となり、そしてパーティクルの発生を効果的に抑制することが可能となった。
ＭＯＳＦＥＴにおけるゲート絶縁膜として利用する場合に、形成するのは主としてＬａＯｘ膜であるが、このような膜を形成する場合には、任意の膜を形成するという、膜形成の自由度を増すために、ランタン金属が必要となる。本願発明は、これに適合するターゲット材料を提供することができる。
ＭＯＳＦＥＴにおけるゲート絶縁膜として利用する場合に、形成するのは主としてＬａＯｘ膜であるが、このような膜を形成する場合には、任意の膜を形成するという、膜形成の自由度を増すために、ランタン金属が必要となる。本願発明は、これに適合するターゲット材料を提供することができる。
本発明に使用するランタンの原料としては、なるべく純度の高い材料を用いるのが望ましいが、通常含まれる不純物は許容される。特に、ランタンに含有される希土類元素には、ランタン（Ｌａ）以外に、Ｓｃ，Ｙ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕがあるが、特性が似ているために、Ｌａから分離精製することが難しい。特に、ＣｅはＬａと近似しているので、Ｃｅの低減化は容易ではない。しかしながら、これらの希土類元素は、性質が近似しているが故に、希土類元素合計で１０００ｗｔｐｐｍ未満であれば、電子部品材料としての使用に際し、特に問題となるものでない。
したがって、本願発明のランタンターゲットは、このレベルの希土類元素の含有は許容されるものである。しかし、ランタン元素の特性を活かすためには、好ましくはランタン以外の希土類元素の合計量が１００ｗｔｐｐｍ以下、より好ましくは１０ｗｔｐｐｍ以下、さらに好ましくは、各希土類元素の含有量が１ｗｔｐｐｍ以下であることが望ましいと言える。本願発明は、これらを達成することが可能であり、これらを包含するものである。
一般に、ガス成分として、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｈが存在する。これらは単独の元素として存在する場合もあるが、多くは化合物（ＣＯ、ＣＯ２、ＳＯ２等）又は構成元素との化合物の形態で存在することもある。これらのガス成分元素は原子量及び原子半径が小さいので、多量に含有されない限り、不純物として存在しても、材料の特性に大きく影響を与えることは少ない。したがって、純度表示をする場合には、ガス成分を除く純度とするのが普通である。
この意味で、本願発明のランタンの純度は、ガス成分を除く純度が４Ｎ以上とするものである。このレベルに精製したランタンは、ガス成分もそれにつれて低減する。例えば、ランタンに含有する酸素が２０００ｗｔｐｐｍ以上、場合によっては５０００ｗｔｐｐｍ以下であれば、大きな問題とはならない場合がある。
しかしながら、本願発明は、５０００ｗｔｐｐｍ近傍の酸素含有量を目途とするものではないことは理解されるべきことである。すなわち、酸素もできるだけ少ない方が望ましいことは言うまでもない。本願発明においては、１５００ｗｔｐｐｍ以下、さらには１０００ｗｔｐｐｍ未満とすることを目途とし、これを達成するものである。
しかしながら、本願発明は、５０００ｗｔｐｐｍ近傍の酸素含有量を目途とするものではないことは理解されるべきことである。すなわち、酸素もできるだけ少ない方が望ましいことは言うまでもない。本願発明においては、１５００ｗｔｐｐｍ以下、さらには１０００ｗｔｐｐｍ未満とすることを目途とし、これを達成するものである。
さらに、本願発明のランタンターゲットは、希土類元素及びガス成分を除いた純度が４Ｎ以上であることが望ましい。特に、ランタン中のアルミニウム、鉄及び銅がそれぞれ１００ｗｔｐｐｍ以下、かつ酸素含有量が１５００ｗｔｐｐｍ以下、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の各元素がそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、上記以外の遷移金属及び高融点金属の各元素がそれぞれ１０ｗｔｐｐｍ以下、放射性元素がそれぞれ１０ｗｔｐｐｂ以下であることが望ましい。
スパッタリング用ランタンターゲットの製造に際しては、原料となるランタンを溶解、鋳造してインゴットを製造した後、このインゴットを３００〜５００°Ｃの温度でこねくり鍛造し、その後さらに３００〜５００°Ｃで、据え込み鍛造又は温間圧延してターゲット原形に形状を整え、次にこれを１５０〜３００°Ｃの温度で熱処理を行って再結晶させ、さらに機械加工してターゲットとしてスパッタリング用ランタンターゲットを製作するものである。なお、こねくり鍛造は、縦方向と横方向から交互に大きな歪を入れる熱間鍛造であり、これによりインゴットの鋳造組織を破壊するものである。
これによって、平均結晶粒径が１００μｍ以下の再結晶組織を有し、表面にマクロ模様のムラのないスパッタリング用ランタンターゲットを製造することが可能である。なお、再結晶組織の平均結晶粒径が１００μｍを超えると、マクロ模様のムラの発生が見られるので、平均結晶粒径が１００μｍ以下は必須の要件である。これを、さらに所定サイズに裁断し、研磨工程を経てスパッタリングターゲットにすることができる。
本発明は、平均結晶粒径が１００μｍ以下の再結晶組織を有し、機械加工後の表面にマクロ模様のムラのないスパッタリング用ランタンターゲットに関するが、このようにして得られたランタンターゲットを使用してスパッタリングを行うと、均一な成膜が可能となり、パーティクルの発生も抑制できるという優れた効果を有する。
本願発明においては、特にターゲットの再結晶組織の平均結晶粒径を微細化し、マクロ模様のムラをランタンターゲットから除去するものである。この再結晶組織の平均結晶粒径を微細化するためには、製造工程が重要となる。
本願発明のスパッタリング用ランタンターゲットを製造するには、ランタンを溶解し、これを鋳造して（凝固させて）インゴットを製造する。そして、このインゴットを３００〜５００°Ｃの温度でこねくり鍛造する。
本願発明のスパッタリング用ランタンターゲットを製造するには、ランタンを溶解し、これを鋳造して（凝固させて）インゴットを製造する。そして、このインゴットを３００〜５００°Ｃの温度でこねくり鍛造する。
従来の加工方法では、通常は、そのままインゴットを高温（８００°Ｃ程度）で鍛造し、ターゲット形状に整え、それを機械加工して製造されている。しかし、ランタンは軟らかく、展延性があるために、このような鍛造条件で作製した材料では、機械加工の際に、「むしれ」が発生し、ランタンターゲット表面に残存するという問題がある。
また、従来の製法では、機械加工したランタン表面に、マクロ模様のムラが生ずるという問題がある。このような、ランタンターゲット表面のマクロ模様のムラや「むしれ」が存在する場合には、スパッタリング時にパーティクルが発生し、また均一な成膜ができないという大きな問題を生ずる。さらに、ランタンインゴットは加工性に富むとは言っても、このような鍛造条件だけでは、ターゲットの大径化、すなわち３００ｍｍ以上の径のターゲットの製作は困難であった。
また、従来の製法では、機械加工したランタン表面に、マクロ模様のムラが生ずるという問題がある。このような、ランタンターゲット表面のマクロ模様のムラや「むしれ」が存在する場合には、スパッタリング時にパーティクルが発生し、また均一な成膜ができないという大きな問題を生ずる。さらに、ランタンインゴットは加工性に富むとは言っても、このような鍛造条件だけでは、ターゲットの大径化、すなわち３００ｍｍ以上の径のターゲットの製作は困難であった。
上記のような問題のある従来の製造方法に替えて、本発明者は数多くの実験により、製造条件に工夫を行い、表面にマクロ模様のムラのないスパッタリング用ランタンターゲットを得ることが可能となった。
ランタンを溶解、鋳造してインゴットを製造した後、このインゴットを３００〜５００°Ｃの温度でこねくり鍛造し、その後３００〜５００°Ｃで、据え込み鍛造してターゲット原形に形状を整え、次にこれを１５０〜３００°Ｃの温度で熱処理を行って再結晶させ、さらに機械加工してターゲットとする。
ランタンを溶解、鋳造してインゴットを製造した後、このインゴットを３００〜５００°Ｃの温度でこねくり鍛造し、その後３００〜５００°Ｃで、据え込み鍛造してターゲット原形に形状を整え、次にこれを１５０〜３００°Ｃの温度で熱処理を行って再結晶させ、さらに機械加工してターゲットとする。
本願発明はこの工程が大きな特徴である。一旦は、前記こねくり鍛造時に材料の組織を破壊し加工硬化させ、次に、このように歪みを蓄えた鍛造材に上記熱処理を行うことにより、微細な結晶粒径とすることが可能となる。
また、据え込み鍛造又は温間圧延してターゲット原形に形状を整える工程により、ターゲットの直径を３００ｍｍ以上とすることが可能となり、ランタンターゲットの利用をさらに拡大させ、作業能率を向上させることができる。
また、据え込み鍛造又は温間圧延してターゲット原形に形状を整える工程により、ターゲットの直径を３００ｍｍ以上とすることが可能となり、ランタンターゲットの利用をさらに拡大させ、作業能率を向上させることができる。
スパッタリング用ランタンターゲットを再結晶組織とするためには、上記の他に、ランタンを溶解、鋳造してインゴットを製造した後、このインゴットを３００〜５００°Ｃの温度でこねくり鍛造し、次に３００〜５００°Ｃの温度で温間圧延してターゲット原形に形状を整えると共に再結晶させ、これをさらに機械加工してターゲットとすることもできる。さらに、ランタンを溶解、鋳造してインゴットを製造した後、このインゴットを３００〜５００°Ｃの温度でこねくり鍛造し、次に３００〜５００°Ｃの温度で温間圧延してターゲット原形に形状を整え、これを３００〜５００°Ｃの温度で熱処理して再結晶させ、さらに機械加工してターゲットとすることも可能である。
本願発明は、これらの方法を用いて所定の再結晶組織を得るものであり、これらを包含するものである。
本願発明は、これらの方法を用いて所定の再結晶組織を得るものであり、これらを包含するものである。
これをさらに機械加工してターゲットとする。この後に、必要に応じて、仕上げ加工（研磨）を行うこともできる。
この結果、平均結晶粒径が１００μｍ以下の再結晶組織を有するスパッタリング用ランタンターゲットを得ることができる。このようにして作製したランタンターゲットの硬度は低下しているが、その表面には、マクロ模様のムラは一切見られなくなった。
この結果、平均結晶粒径が１００μｍ以下の再結晶組織を有するスパッタリング用ランタンターゲットを得ることができる。このようにして作製したランタンターゲットの硬度は低下しているが、その表面には、マクロ模様のムラは一切見られなくなった。
以上から、ランタンターゲット自体の平均結晶粒径が１００μｍ以下の再結晶組織であることと、機械加工によるマクロ模様のムラの発生を抑制できる作用（機能）とは、強い相関があることが分かる。このマクロ模様のムラの防止効果は必ずしも理論的に説明できるものではないが、微細なターゲットの組織が直接的な原因と考えられる。
本願発明のランタンターゲットの組織には、上記のように大きな相違が認められるので、この点の差異を調べるためにＸ線回折（ＸＲＤ）による結晶方位による組織観察を行った。しかし、このＸＲＤでは、大きな差異は認められなかった。
しかし、本願発明のランタンターゲットでは、後述する従来の製造方法で得たランタンターゲットに比べ、（１０１）のピーク強度よりも（１００）ピーク強度が強くなっているという結果があるものが多いが、そうでないものもあった。この結果については、後述する実施例及び比較例で、再度説明する。
しかし、本願発明のランタンターゲットでは、後述する従来の製造方法で得たランタンターゲットに比べ、（１０１）のピーク強度よりも（１００）ピーク強度が強くなっているという結果があるものが多いが、そうでないものもあった。この結果については、後述する実施例及び比較例で、再度説明する。
本願発明のランタンターゲットについては、ターゲットの作製後、バッキングプレートに結合するが、通常ロウ付けではなく、拡散接合（ＤＢ）して銅（通常：ＯＦＣ「無酸素銅」）のバッキングプレートに接合する。
しかし、接合部の剥がれや浮きが発生しないように、銅−クロム（Ｃｕ−１％Ｃｒ）合金製のバッキングプレートを使用するのが望ましい。このような銅−クロム合金製のバッキングプレートを使用した場合には、スパッタリング中に、ターゲットとバッキングプレートとの接合部の剥がれや浮きが発生せず、良好な接合が可能となる。このバッキングプレートの使用は、本願発明のランタンターゲットの固有の特徴の一つでもある。
しかし、接合部の剥がれや浮きが発生しないように、銅−クロム（Ｃｕ−１％Ｃｒ）合金製のバッキングプレートを使用するのが望ましい。このような銅−クロム合金製のバッキングプレートを使用した場合には、スパッタリング中に、ターゲットとバッキングプレートとの接合部の剥がれや浮きが発生せず、良好な接合が可能となる。このバッキングプレートの使用は、本願発明のランタンターゲットの固有の特徴の一つでもある。
次に、実施例について説明する。なお、この実施例は理解を容易にするためのものであり、本発明を制限するものではない。すなわち、本発明の技術思想の範囲内における、他の実施例及び変形は、本発明に含まれるものである。
（実施例１）
ランタンの原料として、純度９９．９％のランタンを使用した。この原料を７０ｋＷのＥＢ溶解炉を用い、真空度６．０×１０−５〜７．０×１０−４ｍｂａｒ、溶解出力１０ｋＷで溶解した。これを鋳造し、冷却してランタンインゴットを作成した。
次に、このインゴットを大気中、４００°Ｃの温度でこねくり鍛造し、その後３００°Ｃの温度で据え込み鍛造して径を大きくし、かつターゲット原形に形状を整え、次に１８０°Ｃ１ｈｒの熱処理を行い、再結晶組織とした。
さらにこれを機械加工してφ１４０×１４ｔ（単位は、いずれもｍｍである。以下同様。）の円盤状ターゲットとした。このターゲットの重量は１．４２ｋｇであった。これをさらに銅−クロム合金バッキングプレートに拡散接合して、スパッタリング用ランタンターゲットとした。
このことから、インゴットを３００〜５００°Ｃの温度でこねくり鍛造及び据え込み鍛造し、その後に再結晶させることが良いことが確認できた。
ランタンの原料として、純度９９．９％のランタンを使用した。この原料を７０ｋＷのＥＢ溶解炉を用い、真空度６．０×１０−５〜７．０×１０−４ｍｂａｒ、溶解出力１０ｋＷで溶解した。これを鋳造し、冷却してランタンインゴットを作成した。
次に、このインゴットを大気中、４００°Ｃの温度でこねくり鍛造し、その後３００°Ｃの温度で据え込み鍛造して径を大きくし、かつターゲット原形に形状を整え、次に１８０°Ｃ１ｈｒの熱処理を行い、再結晶組織とした。
さらにこれを機械加工してφ１４０×１４ｔ（単位は、いずれもｍｍである。以下同様。）の円盤状ターゲットとした。このターゲットの重量は１．４２ｋｇであった。これをさらに銅−クロム合金バッキングプレートに拡散接合して、スパッタリング用ランタンターゲットとした。
このことから、インゴットを３００〜５００°Ｃの温度でこねくり鍛造及び据え込み鍛造し、その後に再結晶させることが良いことが確認できた。
次に、このようにして得たスパッタリング用ランタンターゲットの組織を観察するために、１ｗｔ％硝酸水溶液を用いてエッチングした。この結果の顕微鏡写真（×２００）を図２に示す。ターゲットの組織は再結晶組織であった。結晶粒径は２０〜３０μｍとなった。平均結晶粒径は２５μｍとなり、本願発明の条件を満たしていた。この図２に示すように、スパッタリング用ランタンターゲットの表面にはマクロ模様のムラは観察されなかった。
因みに、この場合のビッカース硬度は４９であったが、このように硬度が低いにもかかわらず、マクロ模様のムラは観察されなかった。これは、微細な再結晶組織が、マクロ模様のムラの防止に、大きく影響しているものと考えられた。
一方、この実施例で得たスパッタリング用ランタンターゲットをＸ線回折（ＸＲＤ）による結晶方位の測定結果を図３に示す。後述する比較例１のランタンターゲットに比べ、（１００）のピーク強度よりも（１０１）ピーク強度が強くなっているという結果が出たが、それ以外の点については、大きな差異はなかった。この結果、結晶方位の相違は、本願発明のマクロ模様のムラの発生には、大きく影響はしていないと考えられた。
一方、この実施例で得たスパッタリング用ランタンターゲットをＸ線回折（ＸＲＤ）による結晶方位の測定結果を図３に示す。後述する比較例１のランタンターゲットに比べ、（１００）のピーク強度よりも（１０１）ピーク強度が強くなっているという結果が出たが、それ以外の点については、大きな差異はなかった。この結果、結晶方位の相違は、本願発明のマクロ模様のムラの発生には、大きく影響はしていないと考えられた。
さらに、スパッタリング用ランタンターゲットを用いて、パワー１００Ｗの条件でスパッタリングを実施した。この結果、パーティクルの発生はなく、基板への均一な膜が形成された。また、長時間のスパッタリングを実施しても、バッキングプレートからターゲットの浮き上がりやターゲットとバッキングプレートとの間の剥がれがなく、良好なスパッタリングが可能であった。この結果、銅−クロム合金バッキングプレートに拡散接合が有効であることが確認できた。
（実施例２）
ランタンの原料として、純度９９．９％のランタンを使用した。この原料を７０ｋＷのＥＢ溶解炉を用い、真空度６．０×１０−５〜７．０×１０−４ｍｂａｒ、溶解出力１０ｋＷで溶解した。これを鋳造し、冷却してランタンインゴットを作成した。
次に、このインゴットを大気中、５００°Ｃの温度でこねくり鍛造し、その後４００°Ｃの温度で据え込み鍛造して径を大きくし、かつターゲット原形に形状を整え、次に２９０°Ｃ１ｈｒの熱処理を行い、再結晶組織とした。
さらにこれを機械加工してφ１４０×１４ｔの円盤状ターゲットとした。このターゲットの重量は１．４２ｋｇであった。これをさらに銅−クロム合金バッキングプレートに拡散接合して、スパッタリング用ランタンターゲットとした。
ランタンの原料として、純度９９．９％のランタンを使用した。この原料を７０ｋＷのＥＢ溶解炉を用い、真空度６．０×１０−５〜７．０×１０−４ｍｂａｒ、溶解出力１０ｋＷで溶解した。これを鋳造し、冷却してランタンインゴットを作成した。
次に、このインゴットを大気中、５００°Ｃの温度でこねくり鍛造し、その後４００°Ｃの温度で据え込み鍛造して径を大きくし、かつターゲット原形に形状を整え、次に２９０°Ｃ１ｈｒの熱処理を行い、再結晶組織とした。
さらにこれを機械加工してφ１４０×１４ｔの円盤状ターゲットとした。このターゲットの重量は１．４２ｋｇであった。これをさらに銅−クロム合金バッキングプレートに拡散接合して、スパッタリング用ランタンターゲットとした。
次に、このようにして得たスパッタリング用ランタンターゲットの組織を観察するために、１ｗｔ％硝酸水溶液を用いてエッチングした。この結果の顕微鏡写真（×２００）を図４に示す。ターゲットの組織は再結晶組織であった。平均粒径は１００μｍとなり、本願発明の条件を満たしていた。この図４に示すように、スパッタリング用ランタンターゲットの表面にはマクロ模様のムラは観察されなかった。このことから、鍛造後の２９０°Ｃ１ｈｒの熱処理が良いことが確認できた。
因みに、この場合のビッカース硬度は３８であったが、このように硬度が低いにもかかわらず、マクロ模様のムラは観察されなかった。これは、微細な再結晶組織が、マクロ模様のムラの防止に、大きく影響しているものと考えられた。
一方、この実施例で得たスパッタリング用ランタンターゲットをＸ線回折（ＸＲＤ）による結晶方位の測定結果を図５に示す。後述する比較例１のランタンターゲットに比べ、（１００）のピーク強度よりも（１０１）ピーク強度が強くなっているという結果が出たが、それ以外の点については、大きな差異はなかった。この結果、結晶方位の相違は、本願発明のマクロ模様のムラの発生には、大きく影響はしていないと考えられた。
一方、この実施例で得たスパッタリング用ランタンターゲットをＸ線回折（ＸＲＤ）による結晶方位の測定結果を図５に示す。後述する比較例１のランタンターゲットに比べ、（１００）のピーク強度よりも（１０１）ピーク強度が強くなっているという結果が出たが、それ以外の点については、大きな差異はなかった。この結果、結晶方位の相違は、本願発明のマクロ模様のムラの発生には、大きく影響はしていないと考えられた。
さらに、スパッタリング用ランタンターゲットを用いて、パワー１００Ｗの条件でスパッタリングを実施した。この結果、パーティクルの発生はなく、基板への均一な膜が形成された。また、長時間のスパッタリングを実施しても、バッキングプレートからターゲットの浮き上がりやターゲットとバッキングプレートとの間の剥がれがなく、良好なスパッタリングが可能であった。この結果、銅−クロム合金バッキングプレートに拡散接合が有効であることが確認できた。
（実施例３）
ランタンの原料として、純度９９．９％のランタンを使用した。この原料を７０ｋＷのＥＢ溶解炉を用い、真空度６．０×１０−５〜７．０×１０−４ｍｂａｒ、溶解出力１０ｋＷで溶解した。これを鋳造し、冷却してランタンインゴットを作成した。
次に、このインゴットを大気中、３００°Ｃの温度でこねくり鍛造し、その後４００°Ｃの温度で温間圧延して径を大きくし、ターゲット原形に形状を整え、かつ再結晶組織とした。
さらにこれを機械加工してφ１４０×１４ｔの円盤状ターゲットとした。このターゲットの重量は１．４２ｋｇであった。これをさらに銅−クロム合金バッキングプレートに拡散接合して、スパッタリング用ランタンターゲットとした。
ランタンの原料として、純度９９．９％のランタンを使用した。この原料を７０ｋＷのＥＢ溶解炉を用い、真空度６．０×１０−５〜７．０×１０−４ｍｂａｒ、溶解出力１０ｋＷで溶解した。これを鋳造し、冷却してランタンインゴットを作成した。
次に、このインゴットを大気中、３００°Ｃの温度でこねくり鍛造し、その後４００°Ｃの温度で温間圧延して径を大きくし、ターゲット原形に形状を整え、かつ再結晶組織とした。
さらにこれを機械加工してφ１４０×１４ｔの円盤状ターゲットとした。このターゲットの重量は１．４２ｋｇであった。これをさらに銅−クロム合金バッキングプレートに拡散接合して、スパッタリング用ランタンターゲットとした。
次に、このようにして得たスパッタリング用ランタンターゲットの組織を観察するために、１ｗｔ％硝酸水溶液を用いてエッチングした。この結果の顕微鏡写真（×２００）を図６に示す。ターゲットの組織は再結晶組織であった。平均粒径は４０〜６０μｍとなり、本願発明の条件を満たしていた。この図６に示すように、スパッタリング用ランタンターゲットの表面にはマクロ模様のムラは観察されなかった。このことから、インゴットを３００〜５００°Ｃの温度でこねくり鍛造及びその後の温間圧延することが良いことが確認できた。
因みに、この場合のビッカース硬度は４６であったが、このように硬度が低いにもかかわらず、マクロ模様のムラは観察されなかった。これは、微細な再結晶組織が、マクロ模様のムラの防止に、大きく影響しているものと考えられた。
一方、この実施例で得たスパッタリング用ランタンターゲットをＸ線回折（ＸＲＤ）による結晶方位の測定結果を図７に示す。後述する比較例１のランタンターゲットに比べ、（１００）のピーク強度が（１０１）ピーク強度よりも強くなっているという結果が出たが、それ以外の点については、大きな差異はなかった。この結果、結晶方位の相違は、本願発明のマクロ模様のムラの発生には、大きく影響はしていないと考えられた。
一方、この実施例で得たスパッタリング用ランタンターゲットをＸ線回折（ＸＲＤ）による結晶方位の測定結果を図７に示す。後述する比較例１のランタンターゲットに比べ、（１００）のピーク強度が（１０１）ピーク強度よりも強くなっているという結果が出たが、それ以外の点については、大きな差異はなかった。この結果、結晶方位の相違は、本願発明のマクロ模様のムラの発生には、大きく影響はしていないと考えられた。
さらに、スパッタリング用ランタンターゲットを用いて、パワー１００Ｗの条件でスパッタリングを実施した。この結果、パーティクルの発生はなく、基板への均一な膜が形成された。また、長時間のスパッタリングを実施しても、バッキングプレートからターゲットの浮き上がりやターゲットとバッキングプレートとの間の剥がれがなく、良好なスパッタリングが可能であった。この結果、銅−クロム合金バッキングプレートに拡散接合が有効であることが確認できた。
（実施例４）
ランタンの原料として、純度９９．９％のランタンを使用した。この原料を７０ｋＷのＥＢ溶解炉を用い、真空度６．０×１０−５〜７．０×１０−４ｍｂａｒ、溶解出力１０ｋＷで溶解した。これを鋳造し、冷却してランタンインゴットを作成した。
次に、このインゴットを大気中、４００°Ｃの温度でこねくり鍛造し、その後４００°Ｃの温度で温間圧延して径を大きくし、ターゲット原形に形状を整え、さらに３００°Ｃで熱処理し再結晶組織とした。
さらにこれを機械加工してφ１４０×１４ｔの円盤状ターゲットとした。このターゲットの重量は１．４２ｋｇであった。これをさらに銅−クロム合金バッキングプレートに拡散接合して、スパッタリング用ランタンターゲットとした。
ランタンの原料として、純度９９．９％のランタンを使用した。この原料を７０ｋＷのＥＢ溶解炉を用い、真空度６．０×１０−５〜７．０×１０−４ｍｂａｒ、溶解出力１０ｋＷで溶解した。これを鋳造し、冷却してランタンインゴットを作成した。
次に、このインゴットを大気中、４００°Ｃの温度でこねくり鍛造し、その後４００°Ｃの温度で温間圧延して径を大きくし、ターゲット原形に形状を整え、さらに３００°Ｃで熱処理し再結晶組織とした。
さらにこれを機械加工してφ１４０×１４ｔの円盤状ターゲットとした。このターゲットの重量は１．４２ｋｇであった。これをさらに銅−クロム合金バッキングプレートに拡散接合して、スパッタリング用ランタンターゲットとした。
次に、このようにして得たスパッタリング用ランタンターゲットの組織を観察するために、１ｗｔ％硝酸水溶液を用いてエッチングした。この結果の顕微鏡写真（×２００）を図８に示す。ターゲットの組織は再結晶組織であった。結晶粒径は１０〜１５０μｍとなり、本願発明の条件を満たしていた。
この図８に示すように、スパッタリング用ランタンターゲットの表面にはマクロ模様のムラは観察されなかった。このことから、インゴットを３００〜５００°Ｃの温度でこねくり鍛造、その後の温間圧延及び３００°Ｃの熱処理による再結晶化が良いことが確認できた。
この図８に示すように、スパッタリング用ランタンターゲットの表面にはマクロ模様のムラは観察されなかった。このことから、インゴットを３００〜５００°Ｃの温度でこねくり鍛造、その後の温間圧延及び３００°Ｃの熱処理による再結晶化が良いことが確認できた。
因みに、この場合のビッカース硬度は４２であったが、このように硬度が低いにもかかわらず、マクロ模様のムラは観察されなかった。これは、微細な再結晶組織が、マクロ模様のムラの防止に、大きく影響しているものと考えられた。
一方、この実施例で得たスパッタリング用ランタンターゲットをＸ線回折（ＸＲＤ）による結晶方位の測定結果を図９に示す。後述する比較例１のランタンターゲットに比べ、（１００）のピーク強度よりも（１０１）ピーク強度が強くなっているという結果が出たが、それ以外の点については、大きな差異はなかった。この結果、結晶方位の相違は、本願発明のマクロ模様のムラの発生には、大きく影響はしていないと考えられた。
一方、この実施例で得たスパッタリング用ランタンターゲットをＸ線回折（ＸＲＤ）による結晶方位の測定結果を図９に示す。後述する比較例１のランタンターゲットに比べ、（１００）のピーク強度よりも（１０１）ピーク強度が強くなっているという結果が出たが、それ以外の点については、大きな差異はなかった。この結果、結晶方位の相違は、本願発明のマクロ模様のムラの発生には、大きく影響はしていないと考えられた。
さらに、スパッタリング用ランタンターゲットを用いて、パワー１００Ｗの条件でスパッタリングを実施した。この結果、パーティクルの発生はなく、基板への均一な膜が形成された。また、長時間のスパッタリングを実施しても、バッキングプレートからターゲットの浮き上がりやターゲットとバッキングプレートとの間の剥がれがなく、良好なスパッタリングが可能であった。この結果、銅−クロム合金バッキングプレートに拡散接合が有効であることが確認できた。
（比較例１）
ランタンの原料として、純度９９．９％のランタンを使用した。この原料を７０ｋＷのＥＢ溶解炉を用い、真空度６．０×１０−５〜７．０×１０−４ｍｂａｒ、溶解出力１０ｋＷで溶解した。これを鋳造し、冷却してランタンインゴットを作成した。
次に、このインゴットを真空中、８００°Ｃの温度でホットプレス（ＨＰ）し、これによって、径を大きくすると共にターゲット原形に形状を整え、さらにこれを機械加工してφ１４０×１４ｔの円盤状ターゲットとした。このターゲットの重量は１．４２ｋｇであった。これをさらに銅バッキングプレートに拡散接合して、スパッタリング用ランタンターゲットとした。因みに、この場合のビッカース硬度は５１であった。
ランタンの原料として、純度９９．９％のランタンを使用した。この原料を７０ｋＷのＥＢ溶解炉を用い、真空度６．０×１０−５〜７．０×１０−４ｍｂａｒ、溶解出力１０ｋＷで溶解した。これを鋳造し、冷却してランタンインゴットを作成した。
次に、このインゴットを真空中、８００°Ｃの温度でホットプレス（ＨＰ）し、これによって、径を大きくすると共にターゲット原形に形状を整え、さらにこれを機械加工してφ１４０×１４ｔの円盤状ターゲットとした。このターゲットの重量は１．４２ｋｇであった。これをさらに銅バッキングプレートに拡散接合して、スパッタリング用ランタンターゲットとした。因みに、この場合のビッカース硬度は５１であった。
次に、このようにして得たスパッタリング用ランタンターゲットの組織を観察するために、１ｗｔ％硝酸水溶液を用いてエッチングした。この結果の顕微鏡写真（×１００）を図１０に示す。この図１０に示すように、ターゲットの組織は結晶粒径が２００〜３００μｍの粗大結晶組織であり、スパッタリング用ランタンターゲットの表面にはマクロ模様のムラが観察された。
一方、この比較例で得たスパッタリング用ランタンターゲットをＸ線回折（ＸＲＤ）による結晶方位の測定結果を図１１に示す。前記実施例のランタンターゲットに比べ、（１０１）のピーク強度よりも（１００）ピーク強度が強くなっているという結果が出たが、それ以外の点については、大きな差異はなかった。この結晶方位は、マクロ模様のムラの発生には、大きく影響はしていないと考えられた。
さらに、この比較例で得たスパッタリング用ランタンターゲットを用いて、パワー１００Ｗの条件でスパッタリングを実施した。この結果、パーティクルの発生が実施例に比べて多くなり、基板への成膜も不均一となった。
また、スパッタリング実施時に、ターゲットとバッキングプレートとの間の剥がれはなかったが、若干バッキングプレートからターゲットが浮き上がる傾向が見られた。これは、スパッタリング時間が短時間であったため、大きな影響がなかったと思われる。
しかし、これを長時間実施したところ、予想通りターゲットとバッキングプレートとの間の剥がれが発生した。これにより、実施例に示す銅−クロム合金製バッキングプレートが好ましいことが確認することができた。
また、スパッタリング実施時に、ターゲットとバッキングプレートとの間の剥がれはなかったが、若干バッキングプレートからターゲットが浮き上がる傾向が見られた。これは、スパッタリング時間が短時間であったため、大きな影響がなかったと思われる。
しかし、これを長時間実施したところ、予想通りターゲットとバッキングプレートとの間の剥がれが発生した。これにより、実施例に示す銅−クロム合金製バッキングプレートが好ましいことが確認することができた。
（比較例２）
ランタンの原料として、純度９９．９％のランタンを使用した。この原料を７０ｋＷのＥＢ溶解炉を用い、真空度６．０×１０−５〜７．０×１０−４ｍｂａｒ、溶解出力１０ｋＷで溶解した。これを鋳造し、冷却してランタンインゴットを作成した。
次に、このインゴットを大気中、６００°Ｃの温度でこねくり鍛造し、その後３００°Ｃの温度で据え込み鍛造して径を大きくし、かつターゲット原形に形状を整え、次に１８０°Ｃ１ｈｒの熱処理を行い、再結晶組織とした。
さらに、これを機械加工してφ１４０×１４ｔの円盤状ターゲットとした。このターゲットの重量は１．４２ｋｇであった。これをさらに銅バッキングプレートに拡散接合して、スパッタリング用ランタンターゲットとした。
ランタンの原料として、純度９９．９％のランタンを使用した。この原料を７０ｋＷのＥＢ溶解炉を用い、真空度６．０×１０−５〜７．０×１０−４ｍｂａｒ、溶解出力１０ｋＷで溶解した。これを鋳造し、冷却してランタンインゴットを作成した。
次に、このインゴットを大気中、６００°Ｃの温度でこねくり鍛造し、その後３００°Ｃの温度で据え込み鍛造して径を大きくし、かつターゲット原形に形状を整え、次に１８０°Ｃ１ｈｒの熱処理を行い、再結晶組織とした。
さらに、これを機械加工してφ１４０×１４ｔの円盤状ターゲットとした。このターゲットの重量は１．４２ｋｇであった。これをさらに銅バッキングプレートに拡散接合して、スパッタリング用ランタンターゲットとした。
次に、このようにして得たスパッタリング用ランタンターゲットの組織を観察するために、１ｗｔ％硝酸水溶液を用いてエッチングした。ターゲットの組織は結晶粒径が１００〜２００μｍの粗大結晶組織であり、スパッタリング用ランタンターゲットの表面にはマクロ模様のムラが観察された。
因みに、この場合のビッカース硬度は５５であった。
因みに、この場合のビッカース硬度は５５であった。
一方、この比較例で得たスパッタリング用ランタンターゲットをＸ線回折（ＸＲＤ）による結晶方位の測定をした。前記実施例のランタンターゲットと同様に、（１００）のピーク強度よりも（１０１）ピーク強度が強くなっているという結果が出た。この結晶方位は、マクロ模様のムラの発生には、大きく影響はしていないと考えられた。
さらに、この比較例で得たスパッタリング用ランタンターゲットを用いて、パワー１００Ｗの条件でスパッタリングを実施した。この結果、パーティクルの発生が実施例に比べて多くなり、基板への成膜も不均一となった。
さらに、この比較例で得たスパッタリング用ランタンターゲットを用いて、パワー１００Ｗの条件でスパッタリングを実施した。この結果、パーティクルの発生が実施例に比べて多くなり、基板への成膜も不均一となった。
また、スパッタリング実施時に、ターゲットとバッキングプレートとの間の剥がれはなかったが、若干バッキングプレートからターゲットが浮き上がる傾向が見られた。これは、スパッタリング時間が短時間であったため、大きな影響がなかったと思われる。
しかし、これを長時間実施したところ、予想通りターゲットとバッキングプレートとの間の剥がれが発生した。これにより、実施例に示す銅−クロム合金製バッキングプレートが好ましいことが確認することができた。
しかし、これを長時間実施したところ、予想通りターゲットとバッキングプレートとの間の剥がれが発生した。これにより、実施例に示す銅−クロム合金製バッキングプレートが好ましいことが確認することができた。
本発明によって得られる平均結晶粒径が１００μｍ以下の再結晶組織を有し、表面にマクロ模様のムラのないスパッタリング用ランタンターゲットは、スパッタリング時にパーティクルの発生がなく、また均一な成膜が可能である。これによって、従来の問題を解消することが可能となり、本願発明のランタンターゲットをスパッタリングして得た薄膜は、電子材料として、特にゲート絶縁膜又はメタルゲート用薄膜等の材料として有用である。
Claims (1)
- 直径が３００ｍｍ以上のスパッタリング用ランタンターゲットであって、平均結晶粒径が１００μｍ以下の再結晶組織を有し、Ｘ線回折（ＸＲＤ）による（１００）のピーク強度よりも、（１０１）ピーク強度が大きいことを特徴とするスパッタリング用ランタンターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013233120A JP5913259B2 (ja) | 2009-03-31 | 2013-11-11 | スパッタリング用ランタンターゲット |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009084078 | 2009-03-31 | ||
| JP2009084078 | 2009-03-31 | ||
| JP2013233120A JP5913259B2 (ja) | 2009-03-31 | 2013-11-11 | スパッタリング用ランタンターゲット |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011507083A Division JP5456763B2 (ja) | 2009-03-31 | 2010-03-17 | スパッタリング用ランタンターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014095152A JP2014095152A (ja) | 2014-05-22 |
| JP5913259B2 true JP5913259B2 (ja) | 2016-04-27 |
Family
ID=42827938
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011507083A Active JP5456763B2 (ja) | 2009-03-31 | 2010-03-17 | スパッタリング用ランタンターゲット |
| JP2013233120A Active JP5913259B2 (ja) | 2009-03-31 | 2013-11-11 | スパッタリング用ランタンターゲット |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011507083A Active JP5456763B2 (ja) | 2009-03-31 | 2010-03-17 | スパッタリング用ランタンターゲット |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9382612B2 (ja) |
| EP (1) | EP2415899B1 (ja) |
| JP (2) | JP5456763B2 (ja) |
| KR (1) | KR101376453B1 (ja) |
| CN (1) | CN102378825B (ja) |
| TW (1) | TWI482869B (ja) |
| WO (1) | WO2010113638A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2224024A4 (en) * | 2007-12-28 | 2011-03-09 | Nippon Mining Co | HIGH PURITY LANTHANE, CATHODIC SPUTTER TARGET COMPRISING HIGH PURITY LANTHANE AND METAL GRID FILM COMPRISING HIGHLY PURETHYLANTANT LANTHANE |
| CN102089256A (zh) * | 2008-07-07 | 2011-06-08 | Jx日矿日石金属株式会社 | 氧化物烧结体、包含该烧结体的溅射靶、该烧结体的制造方法及该烧结体溅射靶的制造方法 |
| WO2010004861A1 (ja) * | 2008-07-07 | 2010-01-14 | 日鉱金属株式会社 | 酸化ランタン基焼結体、同焼結体からなるスパッタリングターゲット、酸化ランタン基焼結体の製造方法及び同製造方法によるスパッタリングターゲットの製造方法 |
| US9347130B2 (en) | 2009-03-27 | 2016-05-24 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Lanthanum target for sputtering |
| EP2503020B1 (en) | 2009-11-17 | 2014-11-26 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Method for storing lanthanum oxide target, and vacuum-packed lanthanum oxide target |
| WO2012067061A1 (ja) | 2010-11-19 | 2012-05-24 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 高純度ランタンの製造方法、高純度ランタン、高純度ランタンからなるスパッタリングターゲット及び高純度ランタンを主成分とするメタルゲート膜 |
| US9013009B2 (en) | 2011-01-21 | 2015-04-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Method for producing high-purity lanthanum, high-purity lanthanum, sputtering target formed from high-purity lanthanum, and metal gate film having highy-purity lanthanum as main component |
| CN112725675B (zh) * | 2020-12-23 | 2021-11-09 | 苏州希镝瑞新材料科技有限公司 | 一种镝/铽靶的制造方法 |
| CN113846298B (zh) * | 2021-09-27 | 2023-11-07 | 宁波江丰热等静压技术有限公司 | 一种铽靶坯的制备方法 |
Family Cites Families (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU511119A1 (ru) * | 1975-01-08 | 1976-04-25 | Московский Ордена Трудового Красного Знамени Институт Стали И Сплавов | Способ прокатки лантана |
| JPH07122119B2 (ja) | 1989-07-04 | 1995-12-25 | 健 増本 | 機械的強度、耐食性、加工性に優れた非晶質合金 |
| JPH09104972A (ja) | 1995-10-05 | 1997-04-22 | Hitachi Metals Ltd | スパッタリング用チタンターゲットおよびその製造方法 |
| JPH1025529A (ja) | 1996-03-28 | 1998-01-27 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 希土類元素含有水素吸蔵合金、その製造方法およびそれを用いたアルカリ蓄電池用負電極並びにアルカリ蓄電池 |
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| JP4342639B2 (ja) * | 1999-06-02 | 2009-10-14 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲット、および電極膜の製造方法 |
| CN1121507C (zh) | 1999-08-06 | 2003-09-17 | 上海交通大学 | 含混合稀土元素的高阻溅射靶材及其生产工艺 |
| JP4883546B2 (ja) | 2002-09-20 | 2012-02-22 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | タンタルスパッタリングターゲットの製造方法 |
| CN1552939A (zh) | 2003-06-04 | 2004-12-08 | 中国科学院金属研究所 | 一类含难熔金属颗粒的镧基非晶态合金复合材料 |
| US20050252268A1 (en) * | 2003-12-22 | 2005-11-17 | Michaluk Christopher A | High integrity sputtering target material and method for producing bulk quantities of same |
| JP2005304470A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Hisamitsu Pharmaceut Co Inc | アポトーシスを促進又は抑制する化合物をスクリーニングする方法、アポトーシス促進剤及びアポトーシス抑制剤 |
| EP2123791B1 (en) | 2005-03-28 | 2014-08-13 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Deep-pot-shaped copper sputtering target |
| JP2007009988A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 希土類金属部品 |
| JP4544425B2 (ja) * | 2005-06-29 | 2010-09-15 | 信越化学工業株式会社 | 希土類金属部材の製造方法 |
| EP1739196B1 (en) * | 2005-06-29 | 2009-02-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Rare earth metal member of high surface purity and making method |
| JP2007009288A (ja) | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Daido Steel Co Ltd | 軟磁性合金粉末 |
| JP2007169683A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Canon Inc | 成膜装置及び方法、露光装置、並びに、デバイス製造方法 |
| CN101374611B (zh) * | 2006-03-07 | 2015-04-08 | 卡伯特公司 | 制备变形金属制品的方法 |
| US20070209930A1 (en) * | 2006-03-09 | 2007-09-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma system |
| JP4974362B2 (ja) | 2006-04-13 | 2012-07-11 | 株式会社アルバック | Ｔａスパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| KR20090051170A (ko) | 2006-08-10 | 2009-05-21 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 란타노이드 함유 산화물 타겟 |
| WO2008079461A2 (en) * | 2006-09-08 | 2008-07-03 | Reactive Nanotechnologies, Inc. | Reactive multilayer joining with improved metallization techniques |
| JP2008127623A (ja) | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Kobelco Kaken:Kk | Ａｌ基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JP4377906B2 (ja) | 2006-11-20 | 2009-12-02 | 株式会社コベルコ科研 | Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲット、およびその製造方法 |
| EP2224024A4 (en) * | 2007-12-28 | 2011-03-09 | Nippon Mining Co | HIGH PURITY LANTHANE, CATHODIC SPUTTER TARGET COMPRISING HIGH PURITY LANTHANE AND METAL GRID FILM COMPRISING HIGHLY PURETHYLANTANT LANTHANE |
| CN102089256A (zh) | 2008-07-07 | 2011-06-08 | Jx日矿日石金属株式会社 | 氧化物烧结体、包含该烧结体的溅射靶、该烧结体的制造方法及该烧结体溅射靶的制造方法 |
| WO2010004861A1 (ja) | 2008-07-07 | 2010-01-14 | 日鉱金属株式会社 | 酸化ランタン基焼結体、同焼結体からなるスパッタリングターゲット、酸化ランタン基焼結体の製造方法及び同製造方法によるスパッタリングターゲットの製造方法 |
| KR101290941B1 (ko) | 2008-10-29 | 2013-07-29 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 희토류 금속 또는 이들의 산화물로 이루어지는 타깃의 보관 방법 |
| US8133368B2 (en) * | 2008-10-31 | 2012-03-13 | Applied Materials, Inc. | Encapsulated sputtering target |
| US9347130B2 (en) | 2009-03-27 | 2016-05-24 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Lanthanum target for sputtering |
| EP2503020B1 (en) | 2009-11-17 | 2014-11-26 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Method for storing lanthanum oxide target, and vacuum-packed lanthanum oxide target |
| WO2012067061A1 (ja) | 2010-11-19 | 2012-05-24 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 高純度ランタンの製造方法、高純度ランタン、高純度ランタンからなるスパッタリングターゲット及び高純度ランタンを主成分とするメタルゲート膜 |
| US9013009B2 (en) | 2011-01-21 | 2015-04-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Method for producing high-purity lanthanum, high-purity lanthanum, sputtering target formed from high-purity lanthanum, and metal gate film having highy-purity lanthanum as main component |
| KR20130109170A (ko) | 2011-03-01 | 2013-10-07 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 금속 란탄 타깃의 보관 방법, 진공 밀봉한 금속 란탄 타깃 및 금속 란탄 타깃을 이용하여 스퍼터링에 의해 형성한 박막 |
| JP5189229B1 (ja) | 2011-09-28 | 2013-04-24 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 高純度ランタンの製造方法、高純度ランタン、高純度ランタンからなるスパッタリングターゲット及び高純度ランタンを主成分とするメタルゲート膜 |
-
2010
- 2010-03-17 CN CN2010800123783A patent/CN102378825B/zh active Active
- 2010-03-17 WO PCT/JP2010/054494 patent/WO2010113638A1/ja active Application Filing
- 2010-03-17 EP EP10758414.6A patent/EP2415899B1/en active Active
- 2010-03-17 US US13/148,324 patent/US9382612B2/en active Active
- 2010-03-17 KR KR1020117018759A patent/KR101376453B1/ko active IP Right Grant
- 2010-03-17 JP JP2011507083A patent/JP5456763B2/ja active Active
- 2010-03-19 TW TW099108138A patent/TWI482869B/zh active
-
2013
- 2013-11-11 JP JP2013233120A patent/JP5913259B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201040298A (en) | 2010-11-16 |
| TWI482869B (zh) | 2015-05-01 |
| EP2415899A1 (en) | 2012-02-08 |
| CN102378825B (zh) | 2013-10-23 |
| US20110308940A1 (en) | 2011-12-22 |
| JPWO2010113638A1 (ja) | 2012-10-11 |
| JP5456763B2 (ja) | 2014-04-02 |
| CN102378825A (zh) | 2012-03-14 |
| KR20110106925A (ko) | 2011-09-29 |
| US9382612B2 (en) | 2016-07-05 |
| JP2014095152A (ja) | 2014-05-22 |
| EP2415899A4 (en) | 2012-12-19 |
| EP2415899B1 (en) | 2013-11-20 |
| WO2010113638A1 (ja) | 2010-10-07 |
| KR101376453B1 (ko) | 2014-03-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140813 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140819 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150421 |
|
| A02 | Decision of refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160120 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |