JP5908414B2 - 粒子状物質検出装置 - Google Patents

Description

本発明は、内燃機関の排気中における粒子状物質の含有状態に応じた出力を発生するように構成された、粒子状物質検出装置に関する。なお、以下、必要に応じて、「粒子状物質」を「ＰＭ」と略称する（ＰＭはParticulate Matterの略）。

内燃機関（特にディーゼル機関）の排気中に含まれるＰＭを排気経路中にて捕集して外気へのＰＭの放出を抑制するために、排気経路中にＰＭ捕集フィルタ（例えばＤＰＦ：Diesel Particulate Filter）が設けられることがある。このＰＭ捕集フィルタにおいては、捕集により堆積したＰＭの量が多くなって目詰まりが生じると、排気抵抗が増加してしまう。このため、堆積したＰＭを酸化（燃焼）により除去する、いわゆる再生処理が、適宜（例えば算出あるいは推定されたＰＭ堆積量が所定量を超えたタイミングにて）実施される。

また、ＰＭ捕集フィルタに破損等が発生した場合、ＰＭ捕集フィルタよりも下流側の排気経路にＰＭが流出してしまう。このため、ＰＭ捕集フィルタよりも下流側の排気経路にて、排気中のＰＭ量（濃度）をモニターする必要性が生じることがある。

上述したような技術的背景に鑑み、排気中のＰＭ量を検出するためのＰＭセンサ（スモークセンサとも称される）が従来多数提案されている。特に、ＰＭがある程度の導電性を有することを利用した、いわゆる電気抵抗式のＰＭセンサが、従来種々提案されている（例えば、特開２０１２−１２９６０号公報等参照。）。この種のＰＭセンサは、検出部（この検出部は、絶縁性基板の表面に設けられた一対の検出用電極を有する。）を備えていて、この検出部に導入される（具体的には付着する）ＰＭの量に応じて変化する一対の検出用電極間の電気抵抗値を検出するように構成されている。

また、この種のＰＭセンサは、検出部を所定温度に加熱するヒータをさらに備えていて、検出部におけるＰＭの付着（堆積）量がある程度に達した場合にヒータに通電して検出部を加熱することで、堆積したＰＭを酸化（燃焼）により除去するようになっている。なお、このような、ＰＭセンサの検出部に堆積したＰＭの加熱による除去（強制燃焼）処理も、「再生処理」と称される。

特開２０１２−１２９６０号公報

この種のＰＭセンサにおいて、上述のような再生処理が行われても、依然として検出部に堆積物が残留することがある。かかる残留堆積物は、灰分（以下「アッシュ」と略称する）と称されるものであって、具体的には、硫酸カルシウムや硫酸マグネシウム等の金属塩（絶縁性物質）を主たる成分とするものである。かかる成分は、内燃機関の潤滑油等に含まれるカルシウム等の金属元素、燃料に含まれる硫黄、等に由来するものである。このアッシュは、内燃機関における燃焼によって発生することで最初からＰＭ内に含まれ、あるいは、ＰＭセンサの再生処理時における加熱により事後的に発生する。

検出部におけるアッシュの堆積が残留したままであると、ＰＭセンサの検出能力が劣化し、ひいては、ＰＭ捕集フィルタの再生処理制御や異常判定等にも支障が生じるおそれがある。本発明は、上述のような事情等に鑑みてなされたものである。

本発明の粒子状物質検出装置（以下、「ＰＭ検出装置」と称する。）は、検出部と、ヒータと、制御部と、を備えている。前記検出部は、排気中に暴露されることで当該排気中に含まれるＰＭが付着するように、内燃機関の排気通路に設けられている。この検出部は、ＰＭの付着状態に応じて電気抵抗が変化するように構成されている。前記ヒータは、通電により発熱して前記検出部を加熱することで、当該検出部に付着したＰＭを除去するように設けられている。前記制御部は、前記ヒータの動作を制御するものであって、特定処理時期（前記検出部の電気抵抗に基づいて決定される）が到来した場合に前記ヒータに所定条件で通電するようになっている。

本発明の特徴は、前記制御部が、特定処理時抵抗（前記特定処理時期が到来したときの前記検出部の電気抵抗）が基準値よりも高い場合は、前記所定条件としてのヒータ通電条件（前記ヒータの温度を含む）を第１の条件に設定し、前記特定処理時抵抗が前記基準値以下である場合は前記ヒータ通電条件を第２の条件に設定するようになっていることにある。ここで、前記第１の条件とは、前記検出部に堆積したアッシュを除去するための通電条件である。また、前記第２の条件とは、アッシュを除去しない（実質的に除去不可能な）通電条件である。典型的には、前記第１の条件は、前記第２の条件よりも、温度が高く及び／又は前記ヒータの通電時間が長くなるように設定され得る。また、前記基準値は、例えば、前記特定処理時抵抗の初期値よりも高い値に設定され得る。

上述の構成を有するＰＭ検出装置においては、前記検出部におけるＰＭの付着状態に応じて、当該検出部の電気抵抗が変化する。かかる電気抵抗（の変化）に基づいて、排気中のＰＭ量の検出や、ＰＭ捕集フィルタにおけるＰＭ堆積量の算出（推定）、等が行われる。

ところで、前記検出部におけるＰＭの付着（堆積）量がある程度に達した場合、当該検出部の電気抵抗もまた所定の程度に達する（具体的には付着したＰＭの有する導電性によって所定の程度にまで低下する）。一方、前記検出部にアッシュが堆積すると、当該検出部における電気抵抗が上昇する。このため、アッシュの堆積状態に応じて、前記検出部の電気抵抗の変化態様も異なる。よって、前記検出部の電気抵抗に基づいて、前記特定処理時期の到来が判定される。この特定処理時期の到来が判定されると、後述のようにして、アッシュの堆積状態が判定される。その後、前記制御部は、前記ヒータに通電する。すると、前記検出部が、前記ヒータにより加熱される。このようにして、アッシュの堆積状態の判定及び／又はセンサ再生処理としての特定処理を行うための前記特定処理時期が到来することで前記検出部におけるＰＭの付着（堆積）量がある程度に達した場合の、前記ＰＭ検出装置における再生処理が行われる。

ここで、前記特定処理時抵抗が前記基準値以下である場合は、前記検出部におけるアッシュの堆積量が少ないことが想定される。よって、この場合、前記制御部は、前記ヒータ通電条件を、前記第２の条件（通常のＰＭの燃焼除去に用いられる、加熱状態が抑制的な条件）に設定する。一方、前記特定処理時抵抗が前記基準値よりも高い場合は、前記検出部におけるアッシュの堆積量が多くなっていることが想定される。よって、この場合、前記制御部は、前記ヒータ通電条件を、前記検出部に堆積したアッシュを除去するための前記第１の条件に設定する。

このように、本発明のＰＭ検出装置においては、前記特定処理時抵抗と前記基準値との関係に応じて、前記検出部におけるアッシュの堆積状態が良好に判定され、かかる堆積状態に応じて前記ヒータ通電条件が設定される。これにより、前記検出部におけるアッシュの堆積状態に応じて、当該ＰＭ検出装置における再生処理が、良好に行われる。すなわち、本発明によれば、アッシュの堆積による検出能力の劣化が、良好に解消され得る。

本発明の一実施形態が適用された内燃機関システムの概略構成図。 図１に示された本実施形態のＰＭ検出装置の回路構成を示す概略図。 図２に示されたＰＭセンサ素子の分解斜視図。 図２及び図３に示されたヒータの通電条件を示すグラフ。 図２に示されたマイクロコンピュータによって実行されるセンサ状態判定処理の一具体例を示すフローチャート。

以下、本発明を具体化した一実施形態を、図面を参照しつつ説明する。なお、変形例は、当該実施形態の説明中に挿入されると首尾一貫した一実施形態の説明の理解が妨げられるので、末尾にまとめて記載されている。

＜実施形態の装置構成＞
図１を参照すると、図示しない車両に搭載される内燃機関システム１０においては、ディーゼル機関である内燃機関１１が設けられている。内燃機関１１には、吸気通路１２と排気通路１３とが接続されている。排気通路１３には、排気浄化装置１４が装着されている。排気浄化装置１４は、内燃機関１１から排出された排気から有害成分（窒素酸化物、燃料の未燃あるいは不完全燃焼によって生じたＨＣやＣＯ等の炭素化合物、ＰＭ、等。）を除去するように構成されている。特に、本実施形態においては、排気浄化装置１４には、ＰＭ捕集フィルタ１５が設けられている。かかる排気浄化装置１４の構成については周知であるので、本明細書においては説明を省略する。

また、内燃機関システム１０には、本発明の「粒子状物質検出装置」としてのＰＭ検出装置２０が設けられている。このＰＭ検出装置２０は、制御部３０を備えている。制御部３０は、内燃機関１１及びその補機類の動作を制御するとともに、ＰＭ検出装置２０の全体の動作（検出及び後述するセンサ状態判定処理等の動作）を制御するように構成されている。

図２を参照すると、制御部３０は、マイクロコンピュータ３１と、検出部制御回路３２と、ヒータ制御回路３３と、を備えている。マイクロコンピュータ３１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、不揮発性メモリ（給電中に書き換え可能にデータ等を記憶するとともに給電が停止されてもデータ等の記憶を保持する不揮発性メモリであって、バックアップＲＡＭとも称される。フラッシュＲＯＭやＥＥＰＲＯＭ（登録商標）等がこれに該当する。）等を備えている。

検出部制御回路３２は、ＰＭセンサ素子４０に設けられた検出部４１（一対の検出電極４２，４３を含む）に接続されている。また、検出部制御回路３２は、マイクロコンピュータ３１にも接続されている。この検出部制御回路３２は、ＰＭの付着状態に応じた検出部４１の電気抵抗を検出する（実際には当該電気抵抗に応じた出力電圧を発生する）とともに、検出した電気抵抗（実際には上述の出力電圧）をマイクロコンピュータ３１に入力するようになっている。

ヒータ制御回路３３は、ＰＭセンサ素子４０に設けられたヒータ４４に接続されている。また、ヒータ制御回路３３は、マイクロコンピュータ３１にも接続されている。このヒータ制御回路３３は、マイクロコンピュータ３１の制御下で（具体的にはマイクロコンピュータ３１によって設定されたヒータ通電条件で）ヒータ４４に通電するようになっている。すなわち、制御部３０（マイクロコンピュータ３１及びヒータ制御回路３３）は、検出部４１におけるアッシュの堆積状態の判定時期である、所定のセンサ状態判定時期（検出部制御回路３２によって検出された検出部４１の電気抵抗に基づいて決定される）が到来した場合に、アッシュの堆積状態の判定後にアッシュの堆積状態に応じてＰＭ及び／又はアッシュの処理のためのヒータ４４への通電を行うべく、ヒータ４４の動作を制御するようになっている。

ＰＭセンサ素子４０は、検出部４１に付着（堆積）したＰＭ量（これは排気通路１３に装着された位置におけるＰＭの存在状態あるいは通流状態に応じて変化する）に対応する出力電圧を発生するように構成されている。以下、図２及び図３を参照しつつ、ＰＭセンサ素子４０の具体的な構成について説明する。

検出部４１は、排気中に暴露されることで当該排気中に含まれるＰＭが付着するように、排気通路１３に装着されている。この検出部４１は、一対の検出電極４２，４３を備えていて、ＰＭの付着状態に応じて一対の検出電極４２，４３間の電気抵抗が変化するように構成されている。ヒータ４４は、通電により発熱して検出部４１を加熱することで、検出部４１に付着したＰＭを除去するように設けられている。

図３を参照すると、本実施形態においては、検出部４１は、絶縁基板４５における一の表面４５ａ上に形成されている。また、ヒータ４４は、絶縁基板４６における一の表面４６ａ上に形成されている。そして、検出部４１が形成された絶縁基板４５と、ヒータ４４が形成された絶縁基板４６とが、検出部４１とヒータ４４とが互いに向き合わないように積層（接合）されることで、ＰＭセンサ素子４０が形成されている。なお、かかるＰＭセンサ素子４０の構成については周知であるので、本明細書においてはこれ以上の説明を省略する。

＜動作説明＞
以下、上述の構成を有する本実施形態のＰＭ検出装置２０の動作について、図面を適宜参照しつつ説明する。

上述の構成を有するＰＭ検出装置２０においては、検出部４１におけるＰＭの付着状態に応じて、検出部４１の電気抵抗が変化する。かかる電気抵抗（の変化）に基づいて、排気中のＰＭ量（濃度）の検出や、ＰＭ捕集フィルタ１５におけるＰＭ堆積量の算出（推定）、等が行われる。

ところで、検出部４１におけるＰＭの付着（堆積）量がある程度に達した場合、付着したＰＭの有する導電性によって、検出部４１の電気抵抗もまた所定の程度まで低下する。一方、検出部４１にアッシュが堆積すると、当該検出部４１における電気抵抗が上昇する。このため、アッシュの堆積状態に応じて、検出部４１の電気抵抗の変化態様も異なる。そこで、本実施形態においては、制御部３０（マイクロコンピュータ３１）は、検出部４１の電気抵抗の変化（低下）が飽和状態となった時点（具体的には単位時間あたりの変化率が所定値未満となった時点）で、上述のセンサ状態判定時期の到来を判定する。このときの検出部４１の電気抵抗を、「センサ状態判定時抵抗」と称する。センサ状態判定時期の到来が判定されると、検出部４１には、アッシュの堆積状態にかかわらず、相当量のＰＭが付着していることが想定される。そこで、制御部３０は、ヒータ４４に所定条件で通電する。すると、検出部４１が、ヒータ４４により加熱される。このようにして、ＰＭセンサ素子４０における再生処理（以下、「センサ判定時再生処理」と略称する。）が行われる。

ここで、センサ状態判定時期の到来が判定された時点における検出部４１の電気抵抗であるセンサ状態判定時抵抗が、基準値（具体的には初期値よりも高い所定値：例えば初期値の１．５〜２倍）以下である場合は、検出部４１におけるアッシュの堆積量が少ないことが想定される。よって、この場合、制御部３０は、ヒータ通電条件を、通常のＰＭ除去条件（本発明における「第２の条件」に相当する）に設定する。一方、センサ状態判定時抵抗が基準値よりも高い場合は、検出部４１におけるアッシュの堆積量が多くなっていることが想定される。よって、この場合、制御部３０は、ヒータ通電条件を、アッシュ除去条件（検出部４１に堆積したアッシュを除去するための条件であって、本発明における「第１の条件」に相当する。）に設定する。

図４は、ヒータ通電条件を変化させたときの、アッシュ除去が可能か否かの実験結果に基づいて、アッシュ除去可能なヒータ通電条件の一例を示すグラフである（なお、このグラフは、あくまで一例であって、ＰＭセンサ素子４０の諸元に応じて具体的数値は適宜変動するものであることは、いうまでもない。）。図中、「○」は、アッシュ除去可能であった実験点を示し、「×」は、アッシュ除去ができなかった（不完全であった）実験点を示す。この図４の例においては、図中実線で示されている近似線よりも上側の領域に含まれるヒータ通電条件（温度及び通電時間）にて、アッシュ除去条件が設定される。一方、かかる近似線よりも下側の領域に含まれる、アッシュが実質的に除去不可能であったヒータ通電条件にて、ＰＭ除去条件が設定される。このＰＭ除去条件は、アッシュ除去条件よりも加熱状態が抑制的（例えば低温あるいは短時間）である。

以下、図５のフローチャートを用いて、センサ状態判定処理の一具体例を示す。本実施形態においては、この図５に示されているルーチン（プログラム）は、マイクロコンピュータ３１におけるＲＯＭに予め格納されていて、ＣＰＵによって読み出され、所定タイミング毎（例えば１秒毎）に実行されるものとする。なお、図中の「Ｓ」は「ステップ」を示すものとする。

図５のルーチンが起動されると、まず、ステップ５０５にて、現在、センサ通常再生処理（検出部４１の電気抵抗の低下が飽和状態となる前の通常のセンサ再生処理：当該電気抵抗が所定値に到達する毎に実行される）のためのヒータ４４の通電が停止中であるか否かが判定される。現在、センサ通常再生処理中である場合（ステップ５０５＝ＮＯ）、ステップ５１０以降のすべての処理がスキップされ、本ルーチンが一旦終了する。よって、以下、今回の図５のルーチンの起動時点にて、センサ通常再生処理中ではないものとして（ステップ５０５＝ＹＥＳ）、本ルーチンについての説明を続行する。

ステップ５１０においては、現在の検出部４１の電気抵抗（抵抗値Ｒ）が取得される。この抵抗値Ｒは、本実施形態においては、上述の検出部４１の出力電圧と、検出部４１の温度（ＰＭセンサ素子４０に設けられた図示しない温度センサの出力に基づく検出値、あるいは、排気温度等の他のパラメータに基づく推定値が用いられ得る。）と、ＲＯＭに予め格納されたマップ（ルックアップテーブル）と、に基づいて取得されるものとする。次に、処理がステップ５２０に進行し、センサ状態判定時期が到来したか否かが判定される。この判定は、具体的には、ステップ５１０にて取得された現在の検出部４１の電気抵抗（抵抗値Ｒ）と、前回のルーチン起動時に取得された電気抵抗と、の偏差（すなわち前回値からの低下量）が所定値未満であるか否かによって行われる。

センサ状態判定時期が未だ到来していない場合（ステップ５２０＝ＮＯ）、今回はセンサ状態判定処理を行う必要がないので、ステップ５３０以降の処理がすべてスキップされ、本ルーチンが一旦終了する。よって、以下、センサ状態判定時期が到来したものとして（ステップ５２０＝ＹＥＳ）、本ルーチンについての説明を続行する。

ステップ５３０においては、センサ状態判定時抵抗の初期値Ｒｓ０（内燃機関システム１０が構築されてから本ルーチンが初めて起動されたときに取得されたセンサ状態判定時抵抗：上述の不揮発性メモリに記憶されている）が読み込まれる。次に、ステップ５３５において、ステップ５１０にて今回取得された抵抗値Ｒ（ＲＡＭに記憶されている）が、センサ状態判定時抵抗の今回値Ｒｓとして読み込まれる。続いて、ステップ５４０において、センサ状態判定時抵抗の今回値Ｒｓが所定の基準値Ｒｓｔよりも高いか否かが判定される。ここで、基準値Ｒｓｔは、以下の式で表される値であるものとする。
Ｒｓｔ＝Ｋ・Ｒｓ０（Ｋ＞１：具体例としてはＫ＝２）

センサ状態判定時抵抗の今回値Ｒｓが基準値Ｒｓｔ以下である場合（ステップ５４０＝ＮＯ）、処理がステップ５５０に進行して、ヒータ通電条件が、センサ通常再生処理時と同様のＰＭ除去条件に設定された上で、ヒータ４４が駆動される（通電が開始される）。ステップ５５０にてヒータ４４の通電が開始されると、本ルーチンが一旦終了する。

一方、今回値Ｒｓが基準値Ｒｓｔよりも高い場合（ステップ５４０＝ＹＥＳ）、処理がステップ５６０に進行して、今回値Ｒｓが基準値Ｒｓｔよりも高いという判定が２回連続であるか否か（すなわち前回のセンサ状態判定時期でのステップ５４０の判定時においても判定結果が「ＹＥＳ」であったか否か）が判定される。今回値Ｒｓが基準値Ｒｓｔよりも高いという判定が２回連続ではない場合（ステップ５６０＝ＮＯ）、処理がステップ５７０に進行し、ヒータ通電条件がアッシュ除去条件に設定された上で、ヒータ４４が駆動される。ステップ５７０にてヒータ４４の通電が開始されると、本ルーチンが一旦終了する。

ここで、今回値Ｒｓが基準値Ｒｓｔよりも高いという判定が２回連続である場合（ステップ５６０＝ＹＥＳ）、検出部４１に堆積したアッシュが、前回のセンサ状態判定時期でのアッシュ除去条件によるセンサ判定時再生処理によっても除去されず、今回のセンサ状態判定時期においても残留している状態が想定される。かかる状態は、アッシュの堆積によるＰＭセンサ素子４０の劣化が著しいことを意味する。よって、この場合、処理がステップ５９０に進行し、ＰＭ検出装置２０（具体的にはＰＭセンサ素子４０）における異常の発生を判定し、異常時の各種の処理（運転者に対する報知等）を行い、本ルーチンが一旦終了する。

＜実施形態による作用・効果＞
上述のように、本実施形態においては、センサ状態判定時抵抗と基準値との関係に応じて、センサ判定時再生処理におけるヒータ通電条件が適宜設定される。すなわち、検出部４１におけるアッシュの堆積量が多くなって検出能力の劣化が懸念される場合に限定して、より温度が高く及び／又はより通電時間が長いアッシュ除去条件にてセンサ判定時再生処理が行われ、それ以外の場合は、より加熱状態が抑制的なＰＭ除去条件にてセンサ判定時再生処理が行われる。これにより、センサ判定時再生処理による過度の電力消費が抑えられるとともに、ＰＭセンサ素子４０の耐久性も良好となる。

また、本実施形態においては、専ら、ＰＭセンサ素子４０を用いた場合に通常必要とされる構成及び処理動作を用いることで、検出部４１におけるアッシュの堆積状況の判定及びアッシュ処理が良好に行われる。すなわち、本実施形態においては、検出部４１におけるアッシュの堆積状況の判定及びアッシュ処理のための、特別な装置構成の追加や特別な処理の追加が、最大限抑制されている。よって、ＰＭセンサ素子４０の再生処理が、装置コストや処理負荷の過大な上昇をもたらすことなく、良好に行われる。

このように、本実施形態の構成によれば、アッシュの堆積によるＰＭ検出能力の劣化が、良好に解消され得る。さらに、本実施形態においては、アッシュ除去条件にてヒータ４４に通電してアッシュ除去処理を実行した後に、最初にセンサ状態判定時期が再度到来した場合のセンサ状態判定時抵抗が、基準値よりも高い場合に、ＰＭセンサ素子４０における異常（劣化）の発生が判定される。したがって、本実施形態によれば、ＰＭセンサ素子４０の異常あるいは劣化の判定が、簡易かつ良好に行われ得る。

＜変形例＞
以下、代表的な変形例について、幾つか例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施形態にて説明されているものと同様の構成及び機能を有する部分に対しては、上述の実施形態と同様の符号が用いられ得るものとする。そして、かかる部分の説明については、技術的に矛盾しない範囲内において、上述の実施形態における説明が適宜援用され得るものとする。もっとも、言うまでもなく、変形例とて、以下に列挙されたものに限定されるものではない。また、上述の実施形態の一部、及び、複数の変形例の全部又は一部が、技術的に矛盾しない範囲内において、適宜、複合的に適用され得る。

例えば、上述の「基準値」は、初期値に基づいて設定された値に限定されない。具体的には、例えば、基準値は、実験等に基づいて設定され得る。

本発明の適用対象は、ディーゼル機関に限定されない。すなわち、本発明は、ガソリン、アルコール、天然ガス、等の燃料を用いる内燃機関に対しても、好適に適用され得る。また、ＰＭセンサ素子４０の構成も、上述の実施形態にて示された具体例に限定されない。

アッシュ除去条件は、典型的には、ＰＭ除去条件よりも高温で且つ通電時間が長く設定される。もっとも、本発明はこれに限定されない。例えば、アッシュ除去条件は、ＰＭ除去条件よりも高温ではあるが同一の通電時間に設定され得る。あるいは、例えば、アッシュ除去条件は、ＰＭ除去条件よりも長い通電時間ではあるが同一の温度に設定され得る。すなわち、アッシュ除去条件及びＰＭ除去条件は、図４に示されているような関係を用いて適宜設定され得る。

本発明の「特定処理」は、アッシュの堆積状態の判定処理（及びこれに付随する特別なセンサ再生処理であるセンサ判定時再生処理）に限定されない。すなわち、本発明の「特定処理」には、上述のセンサ通常再生処理も含まれ得る。

具体的には、上述の実施形態においては、検出部４１の電気抵抗の変化（低下）が立ち上がる時点を良好に検知するために、センサ通常再生処理は、かかる電気抵抗の変化が飽和状態となる前の、検出部４１の電気抵抗が所定値となった時点で行われていた。しかしながら、本発明はこれに限定されない。よって、例えば、センサ通常再生処理は、図５に示されているセンサ状態判定処理と兼ねて行われてもよい。換言すれば、センサ通常再生処理と、センサ判定時再生処理とは、同一であってもよい。この場合、図５のルーチンは、センサ（通常）再生処理ルーチンであってもよい。

１１…内燃機関、１３…排気通路、２０…ＰＭ検出装置、３０…制御部、３１…マイクロコンピュータ、４０…ＰＭセンサ素子、４１…検出部、４４…ヒータ。

Claims (4)

1. 排気中に暴露されることで当該排気中に含まれる粒子状物質が付着するように内燃機関（１１）の排気通路（１３）に設けられていて、前記粒子状物質の付着状態に応じて電気抵抗が変化するように構成された、検出部（４１）と、
   通電により発熱して前記検出部を加熱することで、当該検出部に付着した前記粒子状物質を除去するように設けられた、ヒータ（４４）と、
   前記検出部の電気抵抗の変化が飽和状態となった時点である特定処理時期が到来した場合に、前記ヒータに所定条件で通電するように、前記ヒータの動作を制御する、制御部（３０）と、
   を備え、
   前記制御部は、
   前記特定処理時期が到来したときの前記検出部の電気抵抗である特定処理時抵抗が基準値よりも高い場合は、前記所定条件としての、前記ヒータの温度を含むヒータ通電条件を、前記検出部に堆積した灰分を除去するための第１の条件に設定し、
   前記特定処理時抵抗が前記基準値以下である場合は、前記ヒータ通電条件を、前記灰分を除去しない第２の条件に設定する
   ことを特徴とする、粒子状物質検出装置（２０）。
2. 請求項１に記載の粒子状物質検出装置であって、
   前記第１の条件は、前記第２の条件よりも、温度が高く及び／又は前記ヒータの通電時間が長く設定されたことを特徴とする、粒子状物質検出装置。
3. 請求項１又は２に記載の粒子状物質検出装置であって、
   前記制御部は、前記第１の条件にて前記ヒータに通電した後に、最初に前記特定処理時期が再度到来した場合の、前記特定処理時抵抗が、前記基準値よりも高い場合に、当該粒子状物質検出装置における異常の発生を判定することを特徴とする、粒子状物質検出装置。
4. 請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の粒子状物質検出装置であって、
   前記基準値は、前記特定処理時抵抗の初期値よりも高い値に設定されたことを特徴とする、粒子状物質検出装置。

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