JP5906210B2 - 光変調器 - Google Patents
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Description
前記ノンドープ半導体コア層と前記第1の導電性半導体クラッド層との間、または、前記ノンドープ半導体コア層と前記第2の導電性半導体クラッド層との間の少なくとも一方に、第3のノンドープクラッド層もしくはp型の半導体クラッド層が挿入され、前記ノンドープ半導体コア層と、前記第3のノンドープクラッド層もしくはp型の半導体クラッド層とがヘテロ接合を構成し、前記ヘテロ接合の接合面において前記第3のノンドープクラッド層の電子親和力は前記ノンドープ半導体コア層の電子親和力に比べ小さいことを特徴とする。
(1/1+1/0.4)a ×106 +((1/1)2 +(1/0.4)2)b×1012
=3.5a ×106 + 7.25b × 1012
(1/0.7) ×2a × 106 + (1/0.7)2×2b × 1012
=2.86a× 106 + 4.08b × 1012
図6は、本発明の第4の実施例の単電極型のマッハツェンダ変調器の構成を示す図である。図6において、入力光を2つに分岐する手段としてのMMIカプラ602の2つの出力端にはそれぞれ、実施例1から実施例3のいずれかの光変調導波路603a、603bが連結されている。光変調導波路603a、603bの出力端はそれぞれ、2つの入力光を合波する手段としてのMMIカプラ604の2つの入力端に連結されている。
102、302、402 n型InPクラッド層
103、303、403 ノンドープ半導体コア層
104、304 p−InPクラッド層
105、106、306、307、406、407、505a、505b、506a、506b、605a、605b 電極
305、405 第2のn型InPクラッド層
404 第3のノンドープInAlAsクラッド層
501、601 マッハツェンダ変調器
502、504、602、604 MMIカプラ
503a、503b、603a、603b 光変調導波路
Claims (8)
- 進行波型電極構造を有する光変調器において、
第1の導電性半導体クラッド層と、ノンドープ半導体コア層と、第2の導電性半導体クラッド層とが順次積層して形成された導波路構造を備え、
光の伝搬方向に沿って、前記ノンドープ半導体コア層が、第1の厚さを有する第1のコア層および第2の厚さを有する第2のコア層を含む、少なくとも2種類以上の異なる厚さのコア層が交互に形成された周期的構造を持つことを特徴とする光変調器。 - 前記周期的構造の繰り返しピッチは、前記コア層に印加される高周波電気信号の波長の長さよりも十分に短く、
前記第1のコア層および前記第2のコア層の組成が異なることを特徴とする請求項1に記載の光変調器。 - 前記第1の導電性半導体クラッド層および前記第2の導電性半導体クラッド層のうち、一方はn型半導体であって、他方はp型半導体であることを特徴とする請求項1または2に記載の光変調器。
- 前記第1の導電性半導体クラッド層および前記第2の導電性半導体クラッド層の両方がn型半導体であって、
前記ノンドープ半導体コア層と前記第1の導電性半導体クラッド層との間、または、前記ノンドープ半導体コア層と前記第2の導電性半導体クラッド層との間の少なくとも一方に、p型の第3の導電性半導体クラッド層が挿入されていること
を特徴とする請求項1または2に記載の光変調器。 - 前記第1の導電性半導体クラッド層および前記第2の導電性半導体クラッド層の両方がn型半導体であって、
前記ノンドープ半導体コア層と前記第1の導電性半導体クラッド層との間、または、前記ノンドープ半導体コア層と前記第2の導電性半導体クラッド層との間の少なくとも一方に、第3のノンドープクラッド層もしくはp型の半導体クラッド層が挿入され、
前記ノンドープ半導体コア層と、前記第3のノンドープクラッド層もしくはp型の半導体クラッド層とがヘテロ接合を構成し、前記ヘテロ接合の接合面において前記第3のノンドープクラッド層の電子親和力は前記ノンドープ半導体コア層の電子親和力に比べ小さいこと
を特徴とする請求項1または2に記載の光変調器。 - 前記ノンドープ半導体コア層の少なくとも一部は、多重量子井戸層構造を有することを特徴とする請求項1乃至5いずれかに記載の光変調器。
- 入射された信号光を分岐させる光分岐手段と、
前記光分岐手段からの分岐された信号光がそれぞれ伝播する、請求項1乃至5いずれかに記載の導波路構造を有する少なくとも2本の導波手段と、
前記少なくとも2本の導波手段の各々で高周波電気信号により変調を受けた変調光を合流させる光合流手段と
を備えたことを特徴とするマッハツェンダー干渉計型光変調器。 - 前記第1の導電性半導体クラッド層に接続された第1の電極と、前記第2の導電性半導体クラッド層に接続された第2の電極とで構成された進行波型電極、または、
前記少なくとも2本の導波路構造において、各々の導波路構造の前記第2の導電性半導体クラッド層に接続された少なくとも2本以上の電極により構成された進行波型電極
を備えたこと特徴とする請求項7に記載のマッハツェンダー干渉計型光変調器。
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