JP5899468B2 - 波長変換装置及び画像表示装置 - Google Patents

波長変換装置及び画像表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5899468B2
JP5899468B2 JP2013508752A JP2013508752A JP5899468B2 JP 5899468 B2 JP5899468 B2 JP 5899468B2 JP 2013508752 A JP2013508752 A JP 2013508752A JP 2013508752 A JP2013508752 A JP 2013508752A JP 5899468 B2 JP5899468 B2 JP 5899468B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
wavelength conversion
conversion element
angle
resonator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2013508752A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2012137459A1 (ja
Inventor
健二 中山
健二 中山
水島 哲郎
哲郎 水島
達男 伊藤
達男 伊藤
大脇 洋彦
洋彦 大脇
友裕 松尾
友裕 松尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority to JP2013508752A priority Critical patent/JP5899468B2/ja
Publication of JPWO2012137459A1 publication Critical patent/JPWO2012137459A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5899468B2 publication Critical patent/JP5899468B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S3/0092Nonlinear frequency conversion, e.g. second harmonic generation [SHG] or sum- or difference-frequency generation outside the laser cavity
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B21/00Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
    • G03B21/14Details
    • G03B21/20Lamp housings
    • G03B21/2006Lamp housings characterised by the light source
    • G03B21/2033LED or laser light sources
    • G03B21/204LED or laser light sources using secondary light emission, e.g. luminescence or fluorescence
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/108Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
    • H01S3/109Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/025Constructional details of solid state lasers, e.g. housings or mountings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/0602Crystal lasers or glass lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/0619Coatings, e.g. AR, HR, passivation layer
    • H01S3/0621Coatings on the end-faces, e.g. input/output surfaces of the laser light
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • H01S3/163Solid materials characterised by a crystal matrix
    • H01S3/1671Solid materials characterised by a crystal matrix vanadate, niobate, tantalate
    • H01S3/1673YVO4 [YVO]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2383Parallel arrangements
    • H01S3/2391Parallel arrangements emitting at different wavelengths

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Lasers (AREA)

Description

本発明は、基本波光を高調波光に波長変換する波長変換装置及び波長変換装置を備える画像表示装置に関する。
近年、光源として、レーザ光源を用いたプロジェクタや液晶表示装置といった画像表示装置が、研究開発されている。理想的な点光源に近いレーザ光源は、狭い領域に効率よく集光することができる。したがって、レーザ光源は、画像表示装置に組み込まれた光学系の小型化に貢献する。レーザ光源が利用されるならば、画像表示装置は、小型化される。
直線偏光のレーザ光が、液晶表示装置のバックライトとして利用されるならば、液晶表示装置は、高い効率で光を利用することができる。したがって、液晶表示装置は、低い消費電力を達成することができる。
液晶表示装置は、画像を表示するための液晶パネルを備える。液晶パネルは、直線偏光の光の偏向方向を空間的に変調し、画像を表示する。したがって、直線偏光の光が、液晶パネルに入射される。
液晶表示装置の光源として、ランダム偏光の光を照射するランプやLEDが用いられることもある。この場合、液晶表示装置は、ランダム偏光から直線偏光に変換する偏光フィルタを備える。しかしながら、偏光フィルタは、光源からの光の一部を吸収或いは反射する。
上述の如く、液晶表示装置の光源として、直線偏光のレーザ光を出射する光源が用いられるならば、液晶表示装置は、偏光フィルタを必要としない。液晶表示装置が偏光フィルタを備えないならば、偏光フィルタに起因する光の損失は生じない。したがって、液晶表示装置は、効率的に光を利用し、低い消費電力を達成することができる。
上述の画像表示装置は、典型的には、三原色を用いて、画像を生成する。したがって、画像表示装置は、赤の色相の光を出射する赤色レーザ光源と、緑の色相の光を出射する緑色レーザ光源と、青の色相の光を出射する青色レーザ光源と、を備える。赤色レーザ光源及び青色レーザ光源として、典型的には、半導体レーザが用いられる。半導体レーザを用いて、高出力で、赤色及び青色のレーザ光線が生成される。
赤色レーザ光源及び青色レーザ光源と異なり、緑色レーザ光源は、レーザ光を発生させるための材料において困難性を有する。現状において、高出力の緑色レーザ光を生成でき、且つ、半導体レーザに実用的に適用可能な材料組成は見出されていない。
緑色のレーザ光を出射する半導体レーザの代わりに、固体レーザ装置と波長変換装置との組み合わせを用いて、高出力の緑色レーザ光を生成する波長変換装置が提案されている。固定レーザ装置は、基本波光を発生させる。波長変換素子は、基本波光を高調波光に波長変換し、高出力の緑色レーザ光を生成する(例えば、特許文献1及び2参照)。波長変換装置に対して、量産化に向けた開発が進められている。尚、固体レーザ装置は、レーザ媒質を用いてレーザ光を作り出すための構造を意味する。固体レーザ装置として、半導体レーザを用いて励起される半導体レーザ励起式の固体レーザ装置が例示される。
特許第4144642号公報 国際公開WO2009/047888号公報
上述の波長変換装置は、緑色レーザ光を生成することができるが、波長の変換効率において課題を有する。
以下の開示は、高い波長変換効率の達成に貢献する。
以下の様々な実施形態に関連して、波長変換装置が開示される。波長変換装置は、励起光を発生させる光源と、前記励起光を用いて基本波光を発生させるレーザ媒質と、該レーザ媒質と協働して、前記基本波光に対する共振器を形成する共振器ミラーと、前記基本波光を高調波光に波長変換する波長変換素子と、を備え、該波長変換素子は、前記共振器の光軸に対して直交する面に対して角度θだけ傾斜した第1端面と、該第1端面に対して平行な第2端面と、を含む。角度θは、以下の実施形態に関連して説明される数式によって規定される特定の範囲に設定される。
上述の波長変換装置は、基本波光を高調波光へ効率的に波長変換することができる。
本発明の目的、特徴及び利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。
波長変換効率に関する課題を内包する波長変換装置の概略的な平面図である。 第1実施形態の波長変換装置の概略的な平面図である。 共振器の光軸に対して垂直な面に対して傾斜した波長変換素子の概略図である。 本発明者が用いた試験装置の共振器構造の概略図である。 傾斜角度と高調波光の出力との間の予測された関係を表す概略的なグラフである。 傾斜角度と高調波光の出力との間の実際の関係を表す概略的なグラフである。 本発明者が用いた試験装置の概略図である。 傾斜角度の変動に伴う基本波光の損失の変化を表す概略的なグラフである。 傾斜角度が0度であるときの基本波光の波長の分布を表す概略的なグラフである。 傾斜角度が0度より大きいときの基本波光の波長の分布を表す概略的なグラフである。 傾斜角度の変動に伴う高調波光の出力の変動を表す概略的なグラフである。 図4に示される試験装置の概略図である。 高調波光の出力と傾斜角度との関係を表すグラフである。 数式によって定義された角度の範囲の演算においてパラメータに代入された例示的な数値を表す表である。 図2に示される波長変換装置の共振器構造の概略的な斜視図である。 図13に示される波長変換装置の波長変換素子の製造工程の概略図である。 図2に示される波長変換装置の共振器構造の概略的な斜視図である。 図2に示される波長変換装置の概略的な斜視図である。 図16に示される波長変換装置のホルダの概略的な斜視図である。 図17に示されるホルダの概略的な斜視図である。 第2実施形態の画像表示装置の概略図である。
(波長変換装置に関する新たな課題)
本発明者は、波長変換装置に関する新たな課題を見出した。後述される様々な実施形態は、本発明者が見出した課題を適切に解消する。
図1は、波長変換装置900の概略的な平面図である。図1を用いて、波長変換装置900が内包する課題が説明される。
波長変換装置900は、励起光PLを発生させるレーザ光源910と、励起光PLを用いて基本波光FLを発生させるレーザ媒質920と、を備える。波長変換装置900は、レーザ光源910とレーザ媒質920との間に配置された集光レンズ930を更に備える。集光レンズ930は、励起光PLをレーザ媒質920に向けて集光する。この結果、レーザ媒質920は、励起光PLを用いて、基本波光FLを効率的に発生させることができる。
波長変換装置900は、波長変換素子940と、凹面ミラー950と、を備える。波長変換素子940は、凹面ミラー950とレーザ媒質920との間に配置される。
凹面ミラー950は、波長変換素子940に対向する凹面951と、凹面951とは反対側の出射面952と、を含む。レーザ媒質920は、励起光PLが入射される入射端面921と、入射端面921とは反対側の出射端面922と、を含む。波長変換装置900は、入射端面921に取り付けられた第1共振器ミラー961と、凹面951に取り付けられた第2共振器ミラー962と、を更に備える。
上述の如く、レーザ光源910から出射された励起光PLは、集光レンズ930によって集光される。集光された励起光PLは、レーザ媒質920へ入射する。レーザ媒質920は、励起光PLを吸収し、基本波光FLを生成する。基本波光FLは、第1共振器ミラー961と第2共振器ミラー962との間で往復する。
波長変換素子940は、第1共振器ミラー961と第2共振器ミラー962との間に配置される。波長変換素子940は、第1共振器ミラー961と第2共振器ミラー962との間で往復する基本波光FLを、波長変換素子940から凹面ミラー950に向かって伝播する第1高調波光HL1と、波長変換素子940からレーザ媒質920へ向かって伝播する第2高調波光HL2と、に波長変換する。
基本波光FLの出力の増大は、第1高調波光HL1及び第2高調波光HL2の出力の増大に帰結する。第1共振器ミラー961と第2共振器ミラー962との間で基本波光FLの損失が低減されるならば、基本波光FLの出力は増大する。
波長変換素子940は、レーザ媒質920に対向する第1端面941と、凹面ミラー950に対向する第2端面942と、を含む。波長変換装置900は、レーザ媒質920の出射端面922に形成された第1透過膜971と、波長変換素子940の第1端面941に形成された第2透過膜972と、波長変換素子940の第2端面942に形成された第3透過膜973と、を更に備える。第1透過膜971は、レーザ媒質920の出射端面922での基本波光FLの反射を抑制する。第2透過膜972は、波長変換素子940の第1端面941での基本波光FLの反射を抑制する。第3透過膜973は、波長変換素子940の第2端面942での基本波光FLの反射を抑制する。したがって、第1透過膜971、第2透過膜972及び第3透過膜973は、第1共振器ミラー961と第2共振器ミラー962との間での基本波光FLの反射に起因する損失の低減に貢献する。
上述の如く、基本波光FLは、第1共振器ミラー961と第2共振器ミラー962との間で往復する。この結果、第1高調波光HL1と第2高調波光HL2が生成される。第1高調波光HL1は、凹面ミラー950を通じて、波長変換装置900から適切に出射される。第2高調波光HL2は、レーザ媒質920を通過し、第1共振器ミラー961と第2共振器ミラー962とを用いて形成された共振器から出射される。しかしながら、第2高調波光HL2の光路上には、集光レンズ930及びレーザ光源910が存在するので、第2高調波光HL2は、波長変換装置900から出射されにくい。
第1共振器ミラー961に第2高調波光HL2を反射させる反射膜が形成されるならば、第2高調波光HL2は、凹面ミラー950に向けて反射される。この結果、第2高調波光HL2は、波長変換装置900から適切に出射される。レーザ媒質920は、凹面ミラー950に向けて伝播する第2高調波光HL2の一部を吸収する。したがって、レーザ媒質920によって吸収された一部の第2高調波光HL2は、波長変換装置900から出射されないこととなる。
上述の特許文献1の教示に従い、第1共振器ミラー961と第2共振器ミラー962との間に配設されたダイクロイックミラー及び折返レンズを用いて、第2高調波光HL2が波長変換装置900から出射されてもよい。この結果、第1共振器ミラー961と第2共振器ミラー962との間でのダイクロイックミラー及び折返レンズの適切な配置の下、第2高調波光HL2は、集光レンズ930及びレーザ光源910に妨げられることなく、波長変換装置900から出射される。
第1共振器ミラー961と第2共振器ミラー962との間に配設されたダイクロイックミラーは、基本波光FLを吸収及び/又は散乱させる。ダイクロイックミラーに起因する基本波光FLの吸収及び/又は散乱は、第1共振器ミラー961と第2共振器ミラー962との間で往復する基本波光FLの損失の増大を意味する。したがって、基本波光FLの出力は低下する。上述の如く、基本波光FLの出力が低下するならば、基本波光FLから変換された第1高調波光HL1及び第2高調波光HL2の出力も低下する。
ダイクロイックミラー及び折返レンズの追加の結果、波長変換装置900は、構造的に複雑化する。この結果、波長変換装置900は、大型化する。また、ダイクロイックミラー及び折返レンズの追加は、波長変換装置900の部品点数の増加を意味する。したがって、波長変換装置900の製造コストは増大する。
レーザ媒質920の出射端面922に、第2高調波光HL2を反射する反射膜が形成されてもよい。出射端面922に形成された反射膜は、第2高調波光HL2を凹面ミラー950に向けて反射する。この結果、第2高調波光HL2は、波長変換装置900から適切に出射される。
レーザ媒質920の出射端面922で反射された第2高調波光HL2の光路上には、波長変換素子940が存在する。第2高調波光HL2が波長変換素子940を通過する間、波長変換素子940は、第2高調波光HL2を基本波光FLに変換(以下、「逆変換」と称される)する。
上述の逆変換プロセスに起因して生じた基本波光(以下、「逆変換光」と称される)とレーザ媒質920によって生成された基本波光FLとの干渉は、基本波光FLの出力を低下させる。
上述の特許文献2の教示に従い、波長変換素子940が、第1共振器ミラー961と第2共振器ミラー962との間で往復する基本波光FLの光路に対して傾斜されてもよい。この結果、基本波光FLと第2高調波光HL2から生成された逆変換光との光路は、適切にずらされる。これらの光路のずれの結果、第2高調波光HL2から生成された逆変換光と基本波光FLとの干渉は生じにくくなる。この結果、第2高調波光HL2は、波長変換装置900から効率的に出射されることとなる。
上述の波長変換素子940の傾斜角度は、波長変換素子940の傾斜角度、第1高調波光HL1の出力及び第2高調波光HL2の出力の間の関係を何ら考慮することなく設定されていた。波長変換素子940の傾斜角度の設定に関する既存の背景思想が以下に説明される。
波長変換素子940が第1共振器ミラー961と第2共振器ミラー962との間で規定される光軸に対して傾斜するならば、波長変換素子940の波長変換効率は低下する。しかしながら、第1共振器ミラー961及び第2共振器ミラー962は、基本波光FLを反射するので、基本波光FLの出力は高くなる。上述の背景思想において、第1共振器ミラー961と第2共振器ミラー962との間に挿入された波長変換素子940の傾斜に起因する損失は、小さいと考えられてきた。背景思想において、波長変換素子940の傾斜に起因する波長変換効率の低下は、基本波光FLの高い出力の下では、無視できる程度のものであると考えられてきた。
上述の如く、波長変換装置900は、第1共振器ミラー961と第2共振器ミラー962とを用いて形成された共振器を備える。共振器内に配置された波長変換素子940が基本波光FLを第1高調波光HL1及び第2高調波光HL2に効率的に変換するならば、共振器内の基本波光FLの出力は小さくなる。波長変換素子940が、共振器の光軸に対して傾斜するならば、波長変換素子940の波長変換効率は低減する。低い波長変換効率に起因して、基本波光FLは、第1高調波光HL1及び第2高調波光HL2に効率的に変換されないので、共振器内の基本波光FLの出力は高いレベルを維持する。第1高調波光HL1及び第2高調波光HL2に変換される基本波光FLの出力が高いレベルで維持されるので、結果として、第1高調波光HL1及び第2高調波光HL2の出力も高くなる。
上述の背景思想に従うならば、第1共振器ミラー961と第2共振器ミラー962とを用いて形成された共振器を備える波長変換装置900の波長変換素子940の傾斜角度に対する適切な設定範囲は、広いこととなる。したがって、波長変換素子940は、一般的な機械的手法を用いて固定されてもよいと考えられてきた。
後述される本発明者の調査の結果、本発明者は、波長変換素子940と高調波光(第1高調波光HL1及び第2高調波光HL2)との間には密接した相関があることを見出した。本発明者の知見によれば、上述の背景思想とは異なり、基本波光FLの出力特性は、波長変換素子940の傾斜角度に大きく依存する。即ち、背景思想に基づき想定された出力変動と比べて、波長変換素子940の傾斜角度の傾斜は、高調波光の出力を大きく変動させる因子となる。
本発明者は、基本波光FLの出力を変動させる原因を詳細に調査した。この結果、本発明者は、波長変換素子940に起因するエタロン効果が、基本波光FLの出力の変動に影響していることを見出した。
エタロン効果は、互いに平行な一対の面を横切る光に対して観察される現象である。一対の面(入射端面及び出射端面)において、光の波長が節を有するならば、当該波長の光の透過損失は低減される。他の波長の光に対しては、透過損失の低減は観察されない。
波長変換素子940の第1端面941が第2端面942に対して平行であるならば、エタロン効果に起因して、波長変換素子940を透過する特定の波長の透過損失が低減される。尚、本実施形態において、「平行」との用語は、数学的に完全な平行な状態を意味するものではなく、エタロン効果が得られる程度に一対の面が平行である状態を意味する。
上述の特定の波長以外の波長を有する光は、第1端面941及び第2端面942によって反射され、第1共振器ミラー961又は第2共振器ミラー962に向かう。本発明者の知見によれば、後述される様々な数式によって表現される条件下で設定された波長変換素子940の傾斜角度の設定によって、特定の波長以外の光は有効に利用される。
(第1実施形態)
図2は、第1実施形態の波長変換装置100の概略的な平面図である。図1を用いて、波長変換装置100が説明される。
波長変換装置100は、励起光PLを発生させるレーザ光源110を備える。本実施形態において、レーザ光源110として、半導体レーザが用いられる。レーザ光源110から出射される励起光PLの波長は、例えば、約808nmである。本実施形態において、レーザ光源110は、光源として例示される。
波長変換装置100は、レーザ光源110から出射された励起光PLを受ける集光レンズ130を更に備える。集光レンズ130として、例えば、ボールレンズといった集光能力を有するレンズが利用される。
波長変換装置100は、集光レンズ130によって集光された励起光PLを受けるレーザ媒質120を更に備える。集光レンズ130は、レーザ媒質120に励起光PLを集光する。
レーザ媒質120として、Neodymium(以下、「Nd」と称される)がドープされたYttrium Vanadate(以下、「YVO」と称される)が例示される。以下の説明において、NdがドープされたYVOは、「Nd:YVO」と称される。
レーザ媒質120は、800nm帯のレーザ光(即ち、励起光PL)を吸収する。この結果、レーザ媒質120は、1064nmの波長の光を発生させる。本実施形態において、1064nmの波長の光は、基本波光FLとして利用される。
波長変換装置100は、凹面ミラー150を更に備える。凹面ミラー150は、レーザ媒質120に対向する凹面151と、凹面151とは反対側の出射面152と、を含む。レーザ媒質120は、励起光PLが入射する平坦な入射端面121と、基本波光FLが出射される平坦な出射端面122と、を含む。
波長変換装置100は、レーザ媒質120の入射端面121を覆う反射膜161と、凹面ミラー150の凹面151を覆う反射膜162と、を更に備える。反射膜161及び反射膜162は、基本波光FLを反射する。したがって、基本波光FLは、反射膜161,162の間で往復することとなる。かくして、反射膜161,162は、レーザ媒質120によって発生された基本波光FLに対する共振器として機能する。尚、基本波光FLのビーム径は、入射端面121において最も小さくなる。本実施形態において、反射膜161,162は、共振器ミラーとして例示される。
本実施形態において、反射膜161,162は、基本波光FLに対して、95%以上の反射率を有する。この結果、基本波光FLは、反射膜161,162を用いて形成された共振器内に適切に閉じ込められる。
波長変換装置100は、出射端面122を覆う透過膜171を更に備える。透過膜171は、基本波光FLに対して、例えば、95%以上の透過率を有する。この結果、共振器内における基本波光FLの損失は低減される。
波長変換装置100は、基本波光FLの波長を変換し、高調波光HLを生成する波長変換素子140を更に備える。波長変換素子140は、レーザ媒質120と凹面ミラー150との間に挿入される。波長変換素子140は、共振器内で往復する基本波光FLを高調波光HLに変換する。本実施形態において、波長変換素子140によって生成される高調波光HLの波長は、約532nmである。
波長変換素子140は、例えば、マグネシウム(以下、「Mg」と称される)がドープされた強誘電体結晶体を用いて形成される。強誘電体結晶体として、ニオブ酸リチウム(以下、「LN」と称される)が用いられてもよい。波長変換素子140には、分極反転した領域が形成される。基本波光FLが分極反転領域を通過すると、高調波光HLが生成される。
図2には、共振器の光軸OA及び光軸OAに対して直交する面PSが示されている。波長変換素子140は、レーザ媒質120に対向する第1端面141と、第1端面141とは反対側の第2端面142と、を含む。第2端面142は、凹面ミラー150に対向する。第1端面141は、面PSに対して、角度θだけ傾斜している。第2端面142は、第1端面141に対して平行である。尚、本開示において用いられる「平行」との用語は、数学的に完全な平行であることだけを意味するものではない。本開示において用いられる「平行」との用語は、上述のエタロン効果が得られる程度に、第1端面141及び第2端面142が平行であることをも意味する。第1端面141と第2端面142との間の平行度は、0.2度以下に設定されてもよい。0.2度以下の平行度で、第1端面141及び第2端面142が形成されるならば、エタロン効果を利用して、高い変換効率が達成される。尚、角度θは、後述される。
波長変換装置100は、第1端面141を覆う透過膜172と、第2端面142を覆う透過膜173と、を更に備える。透過膜172,173は、基本波光FLに対して、例えば、99.7%以上の透過率を有してもよい。この結果、共振器内を往復する基本波光FLの損失は低減される。
反射膜161,162間で往復する基本波光FLが波長変換素子140を通過すると、高調波光HLとして、波長変換素子140から凹面ミラー150へ向かう第1高調波光HL1並びに波長変換素子140からレーザ媒質120へ向かう第2高調波光HL2が発生する。波長変換装置100は、透過膜172とともに波長変換素子140の第1端面141を覆う反射膜180を更に備える。
反射膜180は、波長変換素子140が発生させた第2高調波光HL2を凹面ミラー150に向けて反射する。したがって、反射膜180は、第2高調波光HL2がレーザ媒質120へ入射することを防止する。レーザ媒質120は、高調波光HLを吸収する。本実施形態において、反射膜180は、第2高調波光HL2がレーザ媒質120へ入射することを防止するので、第2高調波光HL2は、波長変換装置100から効率的に出射される。
上述の如く、第1端面141は、面PSに対して、角度θだけ傾斜している。この結果、第2高調波光HL2の光路は、第1高調波光HL1の光路からずらされることとなる。
(波長変換素子の傾斜)
図3は、共振器の光軸OAに対して垂直な面PSに対して傾斜した波長変換素子240を示す。尚、波長変換素子240は、図2に関連して説明された共振器と同様の構造の共振器内に挿入されている。したがって、図3に関連して説明される波長変換素子240の有利な効果は、図2に関連して説明された波長変換素子140に適用される。
波長変換素子240は、レーザ媒質に対向する第1端面241と、凹面ミラーに対向する第2端面242と、を含む。第1端面241は、面PSに対して角度αだけ傾斜している。
レーザ媒質と凹面ミラーとの間を往復する基本波光FLは、波長変換素子240を通過する。波長変換素子240は、高調波光HLとして、凹面ミラーに向かって伝播する基本波光FLを第1高調波光HL1に変換する。波長変換素子240は、高調波光HLとして、レーザ媒質に向かって伝播する基本波光FLを第2高調波光HL2に変換する。
図3には、第1端面241を覆う反射膜280が示されている。レーザ媒質に向かう第2高調波光HL2は、反射膜280によって反射される。この結果、第2高調波光HL2は、凹面ミラーに向かって伝播する。
波長変換素子240が行う波長変換プロセスは、基本波光FLを第1高調波光HL1及び第2高調波光HL2に変換する。しかしながら、波長変換素子240内で、第1高調波光HL1及び第2高調波光HL2の一部が基本波光FLに変換されることもある。高調波光HLから基本波光FLへの波長変換プロセスは、以下の説明において、「逆変換」と称される。
第2高調波光HL2から逆変換された基本波光(以下、「逆変換光」と称される)の光路が、基本波光FLの光路に重なるならば、逆変換光は、基本波光FLと干渉し、基本波光FLの出力を不安定にする。不安定な基本波光FLの出力は、基本波光FLの出力低下を引き起こす。基本波光FLの出力低下は、高調波光HLの出力低下に帰結する。
波長変換素子240の第1端面241が面PSから傾斜しているならば、逆変換光の光路は、基本波光FLの光路からずれることとなる。したがって、逆変換光と基本波光FLとの間の干渉はほとんど生じない。加えて、第2高調波光HL2の光路は、第1高調波光HL1の光路と分離されるので、第1高調波光HL1と第2高調波光HL2との間の干渉も生じにくくなる。
「波長変換装置に関する新たな課題」の項で説明された如く、波長変換素子240の傾斜角度が、0度から数度の範囲に設定されるならば、高調波光HLの出力は、波長変換素子240の傾斜角度にほとんど依存しないと考えられてきた。
波長変換素子240が、周期的な分極反転構造を有するならば、傾斜された波長変換素子240を通過する基本波光FLの光路は、分極反転構造に対して斜めになる。この結果、基本波光FLに対する分極反転周期は、見かけ上変動する。この結果、波長変換効率は低下する。
基本波光が1回だけ通過するように配設された波長変換素子を備える波長変換装置と異なり、波長変換素子240は共振器内に挿入されるので、基本波光FLは、波長変換素子240を複数回通過する。この結果、低減された波長変換効率の下においても、高調波光HLの出力レベルはほとんど変動しない。
基本波光が1回だけ通過するように配設された波長変換素子を備える波長変換装置の高調波光の出力は、波長変換効率の低下に比例して低下する。波長変換素子240は、共振器内に挿入されるので、波長変換効率の低下は、共振器内の基本波光FLの損失低下を意味することとなる。即ち、共振器内の基本波光FLの出力は、向上することとなる。基本波光FLの出力の増大は、高調波光HLの出力の増大を意味する。したがって、共振器内に挿入された波長変換素子240が用いられるならば、波長変換素子240の低減された波長変換効率下においても、一般的な波長変換装置と比べて、高いレベルの高調波光HLの出力が維持される。
上述の如く、基本波光FLに対する波長変換は、基本波光FLの損失の増大を意味する。同様に、共振器内に挿入された波長変換素子240の波長変換効率の低下は、共振器内の基本波光FLの損失の低下を意味する。
本発明者は、波長変換素子240の傾斜角度、高調波光HLの出力及び基本波光FLの間の関係を詳細に調査した。調査の結果、本発明者は、これらの間の関係に関する新たな事実を見出した。上述の背景思想の下において、高いレベルの出力の高調波光HLを得るための波長変換素子240の傾斜の角度αの範囲は広い。しかしながら、本発明者の新たな知見によれば、高いレベルの出力の高調波光HLを得るための設定は、波長変換効率の低下だけでなく、共振器の光軸OAと波長変換素子240との間の傾斜の角度αにも依存する。
波長変換素子240は、共振器内に挿入される。この場合、基本波光FLに対する共振器の損失が低減されるならば、基本波光FLの出力は向上する。基本波光FLが、波長変換素子240の第1端面241において反射及び/又は拡散しないならば、損失は低減される。また、波長変換素子240内における基本波光FLの吸収の低減も、基本波光FLの出力の向上に帰結する。本発明者は、波長変換素子240の第1端面241での反射光と共振器の光軸OAとが揃っているならば、反射光に起因する損失が低減されることを見出した。
図4は、上述の知見を得るために用いられた試験装置200の共振器構造の概略図である。試験装置200は、図2に関連して説明された波長変換装置100と同様の構造を有する。また、図3に関連して説明された波長変換素子240が試験装置200に組み込まれている。図4において、図2に関連して説明された波長変換装置100の要素と同等の要素に対して、同一の符号が付されている。
試験装置200は、レーザ媒質120と凹面ミラー150とを備える。試験装置200は、レーザ媒質120と凹面ミラー150との間に挿入された波長変換素子240を更に備える。
試験装置200は、レーザ媒質120の入射端面121を覆う反射膜161と、凹面ミラー150の凹面151を覆う反射膜162と、を更に備える。基本波光に対する反射膜161,162は、共振器として機能する。
図4には、共振器の光軸OA並びに光軸OAに対して直交する面PSが示されている。面PSは、光軸OAと波長変換素子240の第1端面241との交点を通過する。第1端面241は、面PSから角度αだけ傾斜されている。
本発明者は、角度αを変化させ、高調波光の出力と角度αとの関係を調査した。「波長変換装置に関する新たな課題」の項で説明された背景思想に従うならば、角度αの変動は、高調波光の出力にほとんど影響しないと予測される。
図5Aは、上述の背景思想に基づき予測される角度αと高調波光の出力との関係を表す概略的なグラフである。図5Bは、実際の測定から得られた角度αと高調波光の出力との関係を表す概略的なグラフである。図4乃至図5Bを用いて、本発明者の知見が説明される。
図5Aと図5Bとを比較すると、角度αの変動は、予測されたよりも、高調波光の出力を大幅に低下させることが分かる。尚、図5A及び図5Bのグラフにおいて、角度αが「0度」に近づくにつれて、高調波光の出力が低下している。このことは、逆変換光とレーザ媒質120が発生させた基本波光との干渉が高調波光の出力を低下させていることを意味する。
本発明者は、図5Aと図5Bとの出力特性の差異の原因を更に調査した。追加的な調査の結果、本発明者は、角度αの変化に伴って、基本波光の波長が変化することを見出した。
図6は、追加的な調査に用いられた試験装置205の概略図である。図4及び図6を用いて、追加的な調査が説明される。
試験装置205は、分極反転構造を有する波長変換素子240に代えて、分極反転構造を有さないダミー素子245を備える。ダミー素子245は、レーザ媒質120と凹面ミラー150との間に配設されている。ダミー素子245の構造、寸法、形状及び組成は、分極反転構造を除いて、波長変換素子240と同一である。
ダミー素子245は、レーザ媒質120に対向する第1端面246と、凹面ミラー150に対向する第2端面247と、を備える。第2端面247は、第1端面246に対して平行である。尚、ダミー素子245は、分極反転構造を有さないので、波長変換プロセスを行わない。
本発明者は、試験装置205を用いて、面PSに対する第1端面246の傾斜の角度αを変化させ、基本波光の損失の変化と波長との関係を調査した。
図7は、角度αの変動に伴う基本波光の損失の変化を表す概略的なグラフである。図7を用いて、角度αの変動に伴う基本波光の損失の変化が説明される。
図7のグラフから、角度αが「0度」からずれるにつれて、基本波光の損失が大きくなることが分かる。
図8Aは、角度αが「0度」であるときの基本波光の波長の分布を表す概略的なグラフである。図8Bは、角度αが、「0度」よりも大きな「α1」であるとき(図7参照)の基本波光の波長の分布を表す概略的なグラフである。図6乃至図8Bを用いて、基本波光の波長の分布が説明される。
基本波光の波長の分布は、レーザ媒質120の発振特性に依存する。例えば、Nd:YVOを用いて形成されたレーザ媒質120は、1064nmの波長帯の基本波光を生成する。
図7に関連して説明された如く、角度αが0度に近いならば、基本波光の損失は小さい。このとき、基本波光の波長に対する出力のピークは1つである。
図7に示される如く、角度αが「0度」から離れるにつれて、基本波光の損失は大きくなる。角度αが、「0度」よりも十分に大きくなると(即ち、α=α1)、基本波光の波長に対する出力のピークが複数現れる。このことは、波長の増大又は減少に応じて、基本波光の損失が周期的に変動することを意味する。
本発明者は、出力変動の周期を計算した。また、本発明者は、出力変動の周期は、平行な一対の面を通過する光に現れるエタロン効果の周期と一致することを確認した。
本発明者の知見によれば、平行な一対の面を有する素子が共振器内に挿入されるならば、エタロン効果が現れる。エタロン効果の結果、特定の周期を有する波長の光の反射率はゼロになる。したがって、特定の周期を有する波長の光の透過損失は小さくなる。
反射率がゼロではない波長の光は、平行な一対の面において反射される。角度αがゼロに近いならば、平行な一対の面で反射された波長の光は、レーザ媒質120に戻る。レーザ媒質120に戻った光は、基本波光として再利用される。角度αが増大されるならば、平行な一対の面で反射された光は、レーザ媒質120に戻らない。この結果、平行な一対の面で反射された光は、損失される。
図9は、波長変換素子240の角度αの変動に伴う高調波光の出力の変動を表す概略的なグラフである。図9のグラフにおいて、「波長変換装置に関する新たな課題」の項で説明された背景思想に基づき想定された出力変動は、点線で表されている。実験において測定された出力変動は、実線で表されている。図2、図4及び図9を用いて、波長変換素子240の角度αの変動に伴う高調波光の出力の変動が説明される。
図9に示される如く、実際の高調波光の出力は、想定よりも、角度αの変化に伴って大きく変動する。したがって、想定された高調波光の出力レベルに到達できる角度αの範囲は、狭い範囲に限定される。
図2に関連して説明された角度θは、図9に示される想定された高調波光の出力レベルに到達できる角度αの範囲内に設定されている。
本発明は、想定された高調波光の出力レベルに到達できる角度αの範囲を調査した。調査の結果、以下の数式に示される範囲内に角度θが設定されるならば、逆変換光に起因する出力低下をほとんど生じないことを見出した。適切な角度θの設定の下、波長変換装置100は、基本波光FLの損失を低減させ、高出力の高調波光HLを出射することができる。
以下に示される数式1乃至数式5によって定義される角度θの範囲は、本発明者によって見出された適切な角度範囲の条件である。以下の数式に示される様々なパラメータは、図4に示されている。
[数式1]
Figure 0005899468
また、φ1及びφ2は、数式2で定義される。
[数式2]
Figure 0005899468
また、nは、数式3で定義される。
[数式3]
Figure 0005899468
なお、n’は、数式4で定義され、L'は数式5で定義される。
[数式4]
Figure 0005899468
[数式5]
Figure 0005899468
上述の数式1乃至5は、少ないパラメータを用いた簡易式である。より詳細には、角度θの範囲は、以下の数式6乃至10によって定義されてもよい。以下の数式に示される様々なパラメータは、図4に示されている。
[数式6]
Figure 0005899468
また、φ1及びφ2は、数式7で定義される。
[数式7]
Figure 0005899468
また、L及びnは、数式8で定義される。
[数式8]
Figure 0005899468
n’は数式9で定義され、L’は数式10で定義される。
[数式9]
Figure 0005899468
[数式10]
Figure 0005899468
尚、上述の数式1乃至数式5によって演算された角度θの範囲と、上述の数式6乃至数式10によって演算された角度θの範囲と、の間での数値的な差異は、ほとんど無視できる程度のものである。したがって、数式1乃至数式5によって演算された角度θの範囲で波長変換素子140が傾斜されてもよいし、或いは、数式6乃至数式10によって演算された角度θの範囲で波長変換素子140が傾斜されてもよい。
図10は、試験装置200の概略図である。図2及び図10を用いて、上述の数式の物理的な意味が説明される。
数式1及び数式6において、角度θは、「高調波光HLの広がり角」より大きく設定される。尚、高調波光HLの広がり角とは、半値全角(FWHM:Full Width at Half Maximum)の2分の1の値として定義される。
角度θが、「高調波光HLの広がり角」以下であるならば、第2高調波光HL2の光路は第1高調波光HL1の光路に重なるので、第1高調波光HL1と第2高調波光HL2との干渉により、波長変換装置100から出射される高調波光HLの出力は低下される。数式1及び数式2に従うならば、角度θは、第2高調波光HL2の光路は第1高調波光HL1の光路に重ならないので、波長変換装置100は、高い出力の高調波光HLを出射することができる。
数式1及び数式6において、パラメータ「φ1」が用いられている。数式1に用いられているパラメータ「φ1」は、数式2によって定義されている。数式6に用いられているパラメータ「φ1」は、数式7によって定義されている。
レーザ媒質120及び反射膜161,162は、協働して基本波光FLを生成する。パラメータ「φ1」は、入射端面121を覆う反射膜161の表面における基本波光FLの直径を意味する。
数式1及び数式6において、パラメータ「φ2」が用いられている。数式1に用いられているパラメータ「φ2」は、数式2によって定義されている。数式6に用いられているパラメータ「φ2」は、数式7によって定義されている。
基本波光FLの一部は、波長変換素子240(又は、波長変換素子140)の第1端面241(又は、第1端面141)によって反射され、レーザ媒質120へ戻る。図10において、波長変換素子240(又は、波長変換素子140)の第1端面241(又は、第1端面141)によって反射された一部の基本波光は、記号「RFL」を用いて表されている。パラメータ「φ2」は、入射端面121を覆う反射膜161の表面における基本波光RFLの直径を意味する。
数式1及び数式6の右側の項で算出されるパラメータ「θ1」よりも波長変換素子240の傾斜の角度αが大きいならば、図10に示される如く、入射端面121を覆う反射膜161の表面において、基本波光RFLの断面は、基本波光FLの断面に重ならない。基本波光RFLの断面が、基本波光FLの断面に重ならないならば、基本波光RFLのエネルギは、共振器内で往復する基本波光FLとして再度利用されない。この結果、基本波光RFLの有するエネルギは、基本波光FLの出力損失となる。
本実施形態において、波長変換素子140の傾斜の角度θは、パラメータ「θ1」より小さく設定されるので、入射端面121を覆う反射膜161の表面において、基本波光RFLの断面は、基本波光FLの断面に重なることとなる。基本波光RFLの断面が、基本波光FLの断面に重なるならば、基本波光RFLのエネルギは、反射膜161の表面において、基本波光FLに乗り移る。この結果、基本波光RFLのエネルギは、基本波光FLとして有効に再利用される。したがって、共振器内での基本波光FLの損失は少なくなる。
数式7において、パラメータ「L」が用いられている。パラメータ「L」は、数式8によって定義されている。パラメータ「L」は、空間的な距離及び屈折率が考慮された共振器長を意味する。
上述のパラメータ「φ2」の算出のために、数式2及び数式7において、パラメータ「n」が用いられている。パラメータ「n」は、数式3及び数式8を用いて定義されている。パラメータ「n」は、レーザ媒質120及び反射膜161,162の間の空間の見かけ上の屈折率の平均値を表す。
上述のパラメータ「n」の算出のために、数式3及び数式8において、パラメータ「n’」が用いられている。パラメータ「n’」は、数式4及び数式9によって定義されている。パラメータ「n’」は、空間的な距離、屈折率及び波長変換素子140の傾きを考慮した共振器長を意味する。
上述のパラメータ「n」の算出のために、数式3及び数式8において、パラメータ「L’」が用いられている。パラメータ「n’」は、数式5及び数式10によって定義されている。パラメータ「L’」は、空間的な距離及び波長変換素子140の傾きを考慮した共振器長を意味する。
図11は、高調波光HLの出力と波長変換素子240の傾斜の角度αとの関係を表すグラフである。図2、図10及び図11を用いて、数式1又は数式6によって定義される角度θの臨界的意義が説明される。
図11に示される「0度」周囲の角度範囲RG1は、第1高調波光HL1及び第2高調波光HL2が重なり合う角度範囲である。図11に示される角度範囲RG2,RG3(傾斜の角度αの絶対値が、約1.7度を超えた角度範囲)において、入射端面121を覆う反射膜161の表面において、基本波光RFLの断面は、基本波光FLの断面に重ならない。
角度範囲RG1、RG2、RG3において、高調波光HLの出力は、顕著に低減する。一方、角度範囲RG1と角度範囲RG2との間の角度範囲及び角度範囲RG1と角度範囲RG3との間の角度範囲において、高調波光HLの出力は、高いレベルで略一定に維持される。したがって、数式1又は数式6によって定義される角度θの範囲は、臨界的な意義を有する。
高調波光HLの広がり角は、0.2度以下であることが望ましい。高調波光HLの広がり角が0.2度を超えると、第1高調波光HL1と第2高調波光HL2との干渉が生じやすくなる。
レーザ媒質120と波長変換素子140との間の距離(数式4及び数式6において、パラメータ「L」として定義されている)は、1mm以下であることが望ましい。波長変換素子140の波長変換効率は、基本波光FLの密度に略比例する。レーザ媒質120と波長変換素子140との間の距離が1mm以下であるならば、波長変換素子140の波長変換効率は、高いレベルで維持される。
光軸OA方向における共振器長(数式2において、パラメータ「L」として定義されている)は、10mm以下であることが望ましい。光軸OA方向における共振器長が10mm以下であるならば、波長変換素子140によって反射された光は、レーザ媒質120に戻りやすくなる。
図12は、上述の数式1乃至数式5を用いた、角度θの範囲の演算においてパラメータに代入された例示的な数値を表す表である。図12を用いて、角度θの演算が説明される。
図12に示される数値を用いて算出された角度θの範囲は、0.2度より大きく、且つ、2.1度より小さくなる。
数式1乃至数式5又は数式6乃至数式10が用いられるならば、様々な種類の共振器に対して、適切な波長変換素子の傾斜角度が算出される。
上述の数式による定義は、波長変換装置100の様々な構造に適用可能である。
レーザ光源110として、880nm帯の励起光PLを発生させる半導体レーザが用いられてもよい。代替的に、レーザ媒質120によって吸収される波長の励起光を発生させることができる他のレーザ装置がレーザ光源110として用いられてもよい。したがって、レーザ媒質120の種類に応じて、レーザ光源110として利用されるレーザ装置が選定されてもよい。
レーザ媒質120は、NdがドープされたGadolinium Vanadate(以下、「GdVO」と称される)であってもよい。以下の説明において、NdがドープされたGdVOは、「Nd:GdVO」と称される。Nd:GdVOのレーザ結晶体の熱伝導率は高い。したがって、レーザ媒質120として、Nd:GdVOのレーザ結晶体が用いられるならば、レーザ媒質120の昇温は抑制される。レーザ媒質120は低温に維持されるので、レーザ媒質120は、励起光PLから基本波光FLを効率的に生成することができる。かくして、波長変換装置100は、高調波光HLを効率的に出射することができる。
レーザ媒質120は、NdがドープされたYttrium Aluminum Garnet(以下、「Yag」と称される)であってもよい。以下の説明において、NdがドープされたYagは、「Nd:Yag」と称される。Nd:Yagは、安価であるので、波長変換装置100は、低コストで製造される。
波長変換素子140の第1端面141を覆う透過膜172及び第2端面142を覆う透過膜173は、必須ではない。しかしながら、99.7%以上の透過率を有する透過膜172,173が波長変換素子140上に形成されるならば、第1端面141及び第2端面142での反射は抑制される。この結果、共振器内の基本波光FLの損失は低くなる。かくして、波長変換装置100は、高調波光HLを高い効率で出射することができる。
上述の数式で定義される角度θに関する条件が満たされるならば、光軸OAに対して、波長変換素子140の第1端面141がブリュースター角をなすように、波長変換素子140が傾斜されてもよい。この結果、基本波光FLの特定の方向の偏光成分は、波長変換素子140によって反射されにくくなる。したがって、共振器内での損失は小さくなる。かくして、波長変換装置100は、高調波光HLを高い効率で出射することができる。
(波長変換素子の傾斜方向)
図13は、波長変換装置100の共振器構造の概略的な斜視図である。図2、図11及び図13を用いて、波長変換素子140の傾斜方向が説明される。
図13には、波長変換装置100の共振器構造として、レーザ媒質120、波長変換素子140及び凹面ミラー150が示されている。波長変換装置100の特性に応じて、共振器内において、基本波光FLのビーム形状は、略楕円形となることもある。尚、「ビーム形状」との用語は、光線の断面形状を意味する。図13には、基本波光FLの楕円状のビーム形状が波長変換素子140の第2端面142上に点線で描かれている。
図13には、光軸OAに加えて、光軸OAに対して直交し、且つ、基本波光FLの楕円状のビーム形状の長軸に一致する軸VAと、光軸OA及び軸VAに対して直交する軸HAが示されている。
波長変換素子140の第1端面141が、図2を参照して説明された面PSに一致するように波長変換素子140が設定された後、軸VA周りに波長変換素子140が回転されてもよい。軸VA周りの波長変換素子140の回転の結果、角度θが上述の数式で定義される範囲内に設定される。
上述の如く、第1高調波光HL1と第2高調波光HL2との光路が重なっているならば、逆変換に起因する干渉によって、波長変換装置100から出射される高調波光HLの出力は低下される。共振器内で往復する基本波光FLのビーム形状が楕円形となる条件の下、波長変換素子140が軸VA周りに回転されるならば、第1高調波光HL1及び第2高調波光HL2の干渉は、波長変換素子140の小さな回転量によって防止される。このことは、図11に関連して説明された角度範囲RG1の低減を意味する。したがって、波長変換素子140の角度設定が容易になる。
図14は、波長変換素子140の製造工程の概略図である。図2及び図14を用いて、波長変換素子140の製造工程が説明される。
図14には、光軸OA、軸VA及び軸HAを用いて表された座標が示されている。波長変換素子140は、波長変換を行うための分極反転した領域を有する。このため、本実施形態において、波長変換素子140として用いられる結晶体からなる結晶板340が用意される。結晶板340に分極反転構造が形成される。尚、分極反転構造の形成は、既知の形成技術にしたがってもよい。軸VAは、分極反転方向に沿って設定されている。
分極反転構造の形成の後、結晶板340は、軸HAに沿って切断される。この結果、結晶板340から複数の結晶ロッド345が切り出される。
光軸OAに略直交する345の一対の面341,342に対して、研磨処理が施与される。研磨処理の結果、得られた光軸OA方向の寸法は、上述の数式8において用いられたパラメータ「L」に相当する。
研磨処理の後、結晶ロッド345は、光軸OAの方向に裁断される。この結果、結晶ロッド345は、複数の波長変換素子140に分割される。
結晶板340の厚さ(軸VAの方向)は、分極反転構造が形成可能な寸法に制限される。一方、軸HAの方向における結晶ロッド345の寸法は、軸VAの方向の寸法よりも大きく設定可能である。したがって、研磨処理における誤差は、軸VAの方向に大きくなりやすい。したがって、軸VAの方向における基本波光FLの位置に応じて、波長変換素子140による波長変換効率は変動しやすくなる。
図15は、波長変換装置100の共振器構造の概略的な斜視図である。図2及び図15を用いて、波長変換素子140の傾斜方向が説明される。
図15には、波長変換装置100の共振器構造として、レーザ媒質120、波長変換素子140及び凹面ミラー150が示されている。波長変換素子140は、軸VAに沿って、レーザ媒質120と凹面ミラー150との間に挿入される。軸VAの方向の波長変換素子140の位置は、波長変換素子140による波長変換の効率が最大化されるように設定されることが望ましい。
軸VA周りに波長変換素子140が回転され、角度θが、上述の数式によって定められる範囲に設定される。角度θの調整の間、波長変換素子140の位置は、軸VAの方向に沿って変動しないので、波長変換素子140による波長変換の効率は適切に維持される。
(波長変換素子の保持構造)
図16は、波長変換装置100の概略的な斜視図である。図2、図15及び図16を用いて、波長変換装置100が説明される。
図16に示される波長変換装置100は、台座部ST上に据え付けられている。図16において、レーザ光源110、集光レンズ130、レーザ媒質120、波長変換素子140及び凹面ミラー150が示されている。
図16には、光軸OA、軸HA及び軸VAからなる座標が示されている。図15を参照して説明されたように、波長変換素子140の分極反転方向は、軸VAの方向に一致している。レーザ媒質120と凹面ミラー150との間で往復する基本波光FLのビーム形状が楕円形であるならば、レーザ光源110、集光レンズ130、レーザ媒質120や凹面ミラー150の設定が調整され、基本波光FLの断面の長軸が軸VAに合わせられてもよい。加えて、レーザ光源110、集光レンズ130、レーザ媒質120や凹面ミラー150の設定が調整され、基本波光FLの偏光方向が軸HAに略一致されてもよい。
波長変換装置100は、波長変換素子140を保持するためのホルダ190を更に備える。波長変換素子140は、ホルダ190を用いて、精度よく位置決めされる。
図17は、ホルダ190の概略的な斜視図である。図18は、波長変換素子140を保持したホルダ190の概略的な斜視図である。図14、図16乃至図18を用いて、ホルダ190が説明される。
ホルダ190は、波長変換素子140が収容される凹部191が形成された保持体192と、保持体192から下方に突出する3つの脚部193と、を備える。
台座部STには、脚部193が収容される溝部Gが形成される。溝部Gは、脚部193より僅かに大きく形成される。したがって、ホルダ190は、軸VA周りに僅かに回転可能である。ホルダ190は、波長変換装置100に隣接して配設された回転機構(図示せず)によって軸VA周りに回転される。その一方で、回転機構は、光軸OAの方向及び軸HAの方向に対するホルダ190の変位を防止する。したがって、波長変換素子140に対して、台座部ST上において、軸VA周りの僅かな回転のみが許容される。波長変換素子140が軸VA周りに回転され、上述の角度θの設定がなされる。
波長変換素子140は、高さ(軸VAの方向)において、約1.5mmである。波長変換素子140は、幅(軸HAの方向)において、約1mmである。波長変換素子140は、厚さ(光軸OAの方向)において、約1.5mmである。図14に関連して説明された如く、波長変換素子140の第1端面141及び第2端面142は、研磨されるので、高い精度を有する。
上述の高調波光HLの生成に必要とされる領域は、直径約1mmの大きさである。上述の波長変換素子140の寸法は、高調波光HLの生成に十分な大きさである。また、波長変換素子140は、不必要に大きく形成されないので、波長変換素子140のコストは低減される。
図17に示される如く、ホルダ190は、透光穴194が形成された立設壁195と、波長変換素子140の第2端面142に当接するボス196,197,198と、を更に備える。ボス196,197,198は、立設壁195から波長変換素子140に向けて突出する。ボス196は、他のボス197,198より上方に配置される。ボス197,198は、軸HAの方向に整列される。
波長変換素子140の第2端面142は、ボス196,197,198に押し当てられる。研磨された第2端面142がボス196,197,198に押し当てられることにより、波長変換素子140の角度設定に関する精度は向上する。
上述の数式によって定義される角度θの範囲は、非常に狭い。したがって、波長変換素子140の平行度やレーザ媒質120の取付精度、台座部STの寸法精度、ホルダ190の垂直度といった様々な誤差因子が考慮されるならば、ボス196,197,198の高さ(光軸OAの方向)の誤差は、3μm以上5μm以下の範囲である。「波長変換装置に関する新たな課題」の項で説明された背景思想の下において、許容されるボス196,197,198の高さの誤差が20μm以上50μm以下であることを鑑みれば、上述の許容誤差は非常に小さい。このことからも、上述の角度θの範囲が、上述の背景思想の下で想定された角度範囲と比べて、非常に狭い範囲に限定されていることが分かる。
(第2実施形態)
図19は、画像表示装置500の概略図である。図16及び図19を用いて、画像表示装置500が説明される。
画像表示装置500は、複数のレーザ光源610r,610g,610bを有する照明装置600を備える。レーザ光源610rは、赤の色相のレーザ光LBrを出射する。レーザ光源610gは、緑の色相のレーザ光LBgを出射する。レーザ光源610bは、青の色相のレーザ光LBbを出射する。本実施形態において、レーザ光源610rは、赤色レーザ光源として例示される。レーザ光源610gは、緑色レーザ光源として例示される。レーザ光源610bは、青色レーザ光源として例示される。
本実施形態において、レーザ光源610gには、第1実施形態に関連して説明された波長変換装置100が組み込まれている。したがって、レーザ光源610gは、効率的に、レーザ光LBgを出射することができる。
照明装置600は、レーザ光源610r,610g,610bに対応して配置されたコリメートレンズ620を更に備える。レーザ光源610rの近くに配置されたコリメートレンズ620は、レーザ光LBrを平行ビームにする。レーザ光源610gの近くに配置されたコリメートレンズ620は、レーザ光LBgを平行ビームにする。レーザ光源610bの近くに配置されたコリメートレンズ620は、レーザ光LBbを平行ビームにする。
照明装置600は、レーザ光LBg,LBbを受ける第1ダイクロイックミラー631を備える。第1ダイクロイックミラー631は、レーザ光LBbと透過する一方で、レーザ光LBgを反射する。この結果、レーザ光LBg,LBbは適切に合波される。
照明装置600は、レーザ光LBrを受ける第2ダイクロイックミラー632を更に備える。第1ダイクロイックミラー631は、第2ダイクロイックミラー632に向けて、レーザ光LBgを反射する。第1ダイクロイックミラー631を透過したレーザ光LBbも第2ダイクロイックミラー632に向かう。第2ダイクロイックミラー632は、レーザ光LBg,LBbを反射する。その一方で、第2ダイクロイックミラー632は、レーザ光LBrを透過する。この結果、レーザ光LBr,LBg,LBbは、合波され、合波レーザ光LBとなる。
画像表示装置500は、合波レーザ光LBを拡散する拡散板510と、フィールドレンズ520と、を備える。フィールドレンズ520は、拡散板510によって拡散された合波レーザ光LBを略平行な照明光CLBにする。
画像表示装置500は、ビームスプリッタ530を更に備える。ビームスプリッタ530は、偏光方向に応じてビームを分離する。
画像表示装置500は、画像信号に応じて、空間的に照明光CLBを変調する反射型の液晶パネル540を更に備える。フィールドレンズ520によって生成された照明光CLBは、ビームスプリッタ530によって、液晶パネル540に反射される。かくして、液晶パネル540は、照明装置600によって適切に照明される。液晶パネル540は、照明光CLBを空間的に変調し、映像光ILを作り出す。液晶パネル540は、略長方形の受光面541を含む。フィールドレンズ520及びビームスプリッタ530を経由して受光面541を照明する照明光CLBは、略長方形のビーム形状を有する。本実施形態において、液晶パネル540は、空間変調素子として例示される。
画像表示装置500は、投影レンズ550を更に備える。ビームスプリッタ530は、映像光ILを透過させる。その後、映像光ILは、投影レンズ550に至る。画像表示装置500は、投影レンズ550を通じて、画像表示装置500に対向して配置されたスクリーンといった表示面に投影される。
液晶パネル540によって生成される映像光ILのビーム形状は矩形である。したがって、表示面上の映像は、矩形となる。図19において、投影された映像の長軸の方向は、X軸を用いて表されている。図19において、投影された映像の短軸の方向は、Y軸を用いて表されている。図19において、映像光ILの伝播方向は、Z軸を用いて表されている。
X軸は、図16を参照して説明された軸HAに対応する。Y軸は、図16を参照して説明された軸VAに対応する。Z軸は、図16を参照して説明された光軸OAに対応する。第1実施形態に関連して説明された如く、波長変換素子140は、Y軸に対応する軸VA周りに回転され、角度θが調整される。
画像表示装置500から投影される映像の長軸と短軸との間の寸法比は、一般的なプロジェクタや他の表示装置と同様に、4:3或いは16:9であってもよい。本実施形態において、照明光CLBは、長方形のビーム形状を有するので、液晶パネル540に対する照明ロスは低減される。したがって、画像表示装置500は、照明光CLBを効率的に利用し、映像光ILを生成することができる。
波長変換素子140が、Y軸に対応する軸VA周りに回転されるので、照明光CLBの長方形のビーム形状は、容易に作り出される。したがって、画像表示装置500は、照明光CLBを効率的に利用し、映像光ILを生成することができる。この結果、画像表示装置500は、少ない電力消費の下、映像を投影することができる。
上述の一連の実施形態は、波長変換装置及び画像表示装置の一例にすぎない。したがって、上述の説明は、上述の実施形態の原理の適用範囲を限定するものではない。上述の原理の真意及び範囲を逸脱することなしに、当業者は、様々な変形や組み合わせを行うことが可能であることは容易に理解されるべきである。
上述された実施形態は、以下の構成を主に備える。
上述の実施形態の一局面に係る波長変換装置は、励起光を発生させる光源と、前記励起光を用いて基本波光を発生させるレーザ媒質と、該レーザ媒質と協働して共振器を形成する共振器ミラーと、前記基本波光を高調波光に波長変換する波長変換素子と、を備え、該波長変換素子は、前記共振器の光軸に対して直交する面に対して角度θだけ傾斜した第1端面と、該第1端面に対して平行な第2端面と、を含み、前記角度θは、上述の実施形態に関連して説明された数式1乃至数式5を用いて表される関係を満たすことを特徴とする。
上記構成によれば、光源が発生させた励起光は、レーザ媒質へ入射する。レーザ媒質は、励起光を用いて、基本波光を発生させる。レーザ媒質及び共振器ミラーは、基本波光に対する共振器を形成する。波長変換素子は、基本波光を高調波光に波長変換する。波長変換素子は、共振器の光軸に対して直交する面に対して角度θだけ傾斜した第1端面と、第1端面に対して平行な第2端面と、を含む。角度θは、上述の実施形態に関連して説明された数式1乃至数式5を用いて表される関係を満たすので、波長変換素子が高調波光を逆変換して作り出した基本波光は、レーザ媒質が生成した基本波光と干渉しにくくなる。
波長変換素子の第1端面で反射された基本波光は、レーザ媒質に戻る。この結果、波長変換素子の第1端面での基本波光に反射に起因する損失は少なくなる。したがって、波長変換装置は、高い効率で波長を変換することができる。
上述の実施形態の他の局面に係る波長変換装置は、励起光を発生させる光源と、前記励起光を用いて基本波光を発生させるレーザ媒質と、該レーザ媒質と協働して、前記基本波光に対する共振器を形成する共振器ミラーと、前記基本波光を高調波光に波長変換する波長変換素子と、を備え、該波長変換素子は、前記共振器の光軸に対して直交する面に対して角度θだけ傾斜した第1端面と、該第1端面に対して平行な第2端面と、を含み、前記角度θは、上述の実施形態に関連して説明された数式6乃至数式10を用いて表される関係を満たすことを特徴とする。
上記構成によれば、光源が発生させた励起光は、レーザ媒質へ入射する。レーザ媒質は、励起光を用いて、基本波光を発生させる。レーザ媒質及び共振器ミラーは、基本波光に対する共振器を形成する。波長変換素子は、基本波光を高調波光に波長変換する。波長変換素子は、共振器の光軸に対して直交する面に対して角度θだけ傾斜した第1端面と、第1端面に対して平行な第2端面と、を含む。角度θは、上述の実施形態に関連して説明された数式6乃至数式10を用いて表される関係を満たすので、波長変換素子が高調波光を逆変換して作り出した基本波光は、レーザ媒質が生成した基本波光と干渉しにくくなる。
波長変換素子の第1端面で反射された基本波光は、レーザ媒質に戻る。この結果、波長変換素子の第1端面での基本波光に反射に起因する損失は少なくなる。したがって、波長変換装置は、高い効率で波長を変換することができる。
上記構成において、広がり角は、半値全角の2分の1の値として定義されてもよい。
上記構成によれば、角度θは、半値全角の2分の1の値として定義された広がり角より大きく設定されるので、波長変換素子が高調波光を逆変換して作り出した基本波光は、レーザ媒質が生成した基本波光と干渉しにくくなる。
上記構成において、前記広がり角は、0.2度以下であってもよい。
上記構成によれば、広がり角は、0.2度以下であるので、波長変換素子内での基本波光のビーム径は小さくなる。この結果、波長変換素子内での基本波光の密度は、大きくなる。波長変換素子における波長変換効率は、基本波光の密度に略比例するので、波長変換装置は、高い効率で波長を変換することができる。
上記構成において、前記第1端面と前記第2端面との間の平行度は、0.2度以下であってもよい。
上記構成によれば、第1端面と第2端面との間の平行度は、0.2度以下であるので、波長変換素子において、有効なエタロン効果が得られる。エタロン効果によって、波長変換素子における透過損失が大幅に低減される。したがって、波長変換素子に取り付けられた透過膜が低い透過率を有していても、波長変換素子は、低い透過損失を達成することができる。したがって、波長変換装置は、高い効率で波長を変換することができる。
波長変換素子の不存在下における基本波光の軸は、共振器の主軸に略一致する。第1端面と第2端面との間の平行度は、0.2度以下であるので、波長変換素子の存在下における基本波光の軸は、波長変換素子の不存在下における波長変換素子の存在下における基本波光の軸が共振器の主軸から平行移動されたものに略相当する。角度θは、上述の数式で定義される関係を充足するので、波長変換素子の存在下と不存在下との間での基本波光の平行移動量は非常に小さくなる。したがって、レーザ媒質と共振器ミラーは、波長変換素子の不存在下においても、適切な位置に配置可能となる。したがって、波長変換装置は、容易に組み立てられる。
上記構成において、波長変換装置は、前記第1端面及び前記第2端面上に形成された透過膜を更に備えてもよい。透過膜は、前記基本波光に対して、99.7%以上の透過率を有してもよい。
波長変換素子におけるエタロン効果は、第1端面及び/又は第2端面における基本波光の透過率に大きく依存する。上記構成によれば、第1端面及び第2端面上に形成された透過膜は、基本波光に対して、99.7%以上の透過率を有するので、エタロン効果に起因して低減された透過損失で波長変換素子を透過する波長と、エタロン効果の影響を受けにくい波長との間での透過率の差異が低減される。このことは、角度θだけ傾斜された波長変換素子中で生じたエタロン効果に起因する反射光の影響が低減されることを意味する。波長変換素子の傾斜角度に起因する出力低下は、緩和されるので、波長変換装置は、高い効率で波長を変換することができる。
上記構成において、前記基本波光は、楕円状のビーム形状を有してもよい。前記波長変換素子は、前記楕円状のビーム形状の長軸周りに傾斜してもよい。
上記構成によれば、基本波光は、楕円状のビーム形状を有し、且つ、波長変換素子は、楕円状のビーム形状の長軸周りに傾斜しているので、出射方向に伝播する高調波光と、出射方向とは逆の戻り方向に伝播する高調波光との重なりは生じにくくなる。この結果、高調波光から基本波光への逆変換に起因する出力低下は、生じにくくなる。
高調波光のビーム形状は、励起光のビーム形状や共振器ミラーの位置や傾斜に応じて、楕円状となることもある。波長変換素子が長軸周りに傾斜されるならば、波長変換素子が短軸周りに傾斜されるよりも小さな角度で、出射方向へ伝播する楕円形状の高調波光と戻り方向へ伝播する楕円形状の高調波光との間での光路差が作り出されることとなる。出射方向へ伝播する高調波光と戻り方向へ伝播する高調波光との間での光路差を作り出すための波長変換素子の傾斜角度の設定範囲が拡がるので、波長変換装置の組立コストは低減される。
上記構成において、前記波長変換素子は、分極反転した領域を有してもよい。前記第1端面は、前記領域の分極反転方向に延びる軸周りに傾斜してもよい。
上記構成によれば、波長変換素子は、分極反転した領域を有するので、基本波光は、高調波光へ適切に波長変換される。波長変換素子の波長変換効率は、分極反転方向に変動する。第1端面は、分極反転した領域の分極反転方向に延びる軸周りに傾斜するので、波長変換素子内における基本波光の通過領域は、分極反転方向にはほとんど変動しない。したがって、波長変換素子の傾斜は、波長変換効率にほとんど影響しない。かくして、波長変換装置は、波長を高い効率で変換することができる。
上記構成において、前記レーザ媒質と前記波長変換素子との間の距離は、1mm以下であってもよい。
波長変換素子の波長変換効率は、基本波光の密度に略比例する。上記構成によれば、レーザ媒質と波長変換素子との間の距離は、1mm以下であるので、波長変換素子中の基本波光のビーム径は、小さくなる。波長変換素子中での基本波光の密度が高くなるので、波長変換装置は、高い効率で波長を変換することができる。
波長変換素子を通過する基本波光のビーム径が小さいので、出射方向へ伝播する高調波光と戻り方向へ伝播する高調波光との間での光路差を作り出すのに必要とされる波長変換素子の傾斜角度は小さくなる。したがって、小さな角度で傾斜された波長変換素子を用いて、レーザ媒質によって作り出された基本波光と、高調波光からの逆変換によって生じた基本波光の干渉は好適に防止される。したがって、波長変換装置は、高い効率で波長を変換することができる。
上記構成において、前記光軸方向における前記共振器の長さは、10mm以下であってもよい。
上記構成によれば、光軸方向における共振器の長さは、10mm以下であるので、波長変換素子によって反射された光は、レーザ媒質に戻りやすくなる。したがって、波長変換装置は、高い効率で波長を変換することができる。
上記構成において、前記波長変換素子と前記基本波光との間の角度は、ブリュースター角であってもよい。
上記構成によれば、波長変換素子と基本波光との間の角度は、ブリュースター角であるので、特定の方向に偏光した光の反射率はゼロになる。したがって、基本波光の透過損失は低減される。この結果、波長変換素子に基本波光に対する透過膜が形成されているか否かにかかわらず、共振器内での損失は低減される。したがって、波長変換装置は、高い効率で波長を変換することができる。
上記構成において、前記基本波光の偏光方向に延びる軸周りの回転及び前記光軸周りの回転が規制されるように、前記波長変換素子は、機械的に固定されてもよい。
上記構成によれば、波長変換素子は、機械的に固定され、基本波光の偏光方向に延びる軸周りの回転及び前記光軸周りの回転が規制されるので、波長変換素子の第1端面は、角度θに調整されやすくなる。したがって、波長変換装置は、低い製造コストで製造されやすくなる。
上述の実施形態の他の局面に係る画像表示装置は、複数のレーザ光源を有する照明装置と、該照明装置によって照明され、前記光を用いて映像光を作り出す空間変調素子と、を備え、前記複数のレーザ光源は、赤の色相のレーザ光を出射する赤色レーザ光源と、緑の色相のレーザ光を出射する緑色レーザ光源と、青の色相のレーザ光を出射する青色レーザ光源と、を含み、前記緑色レーザ光源は、上述の波長変換装置を備えることを特徴とする。
上記構成によれば、複数のレーザ光源を有する照明装置は、空間変調素子を照明する。空間変調素子は、照明装置からの光を用いて映像光を作り出す。複数のレーザ光源は、赤の色相のレーザ光を出射する赤色レーザ光源と、緑の色相のレーザ光を出射する緑色レーザ光源と、青の色相のレーザ光を出射する青色レーザ光源と、を含むので、画像表示装置は、三原色を用いて、カラーの映像を表示することができる。緑色レーザ光源は、上述の波長変換装置を備えるので、緑の色相のレーザ光は、高い効率で生成される。
上記構成において、前記空間変調素子は、長方形であってもよい。前記波長変換素子は、前記空間変調素子の短軸周りに傾斜していてもよい。
波長変換素子は、空間変調素子の短軸周りに傾斜しているので、画像表示装置は、高い効率で長方形の映像を表示することができる。
上述の一連の実施形態の原理は、高効率且つ高出力の光を作り出すための波長変換装置及び波長変換装置によって生成された光を用いて画像を表示する画像表示装置に好適に適用される。

Claims (14)

  1. 励起光を発生させる光源と、
    前記励起光を用いて基本波光を発生させるレーザ媒質と、
    前記レーザ媒質と協働して、前記基本波光に対する共振器を形成する凹面ミラーを含む共振器ミラーと、
    前記基本波光を高調波光に波長変換する波長変換素子と、を備え、
    前記波長変換素子は、前記共振器の光軸に対して直交する面に対して角度θだけ傾斜した第1端面と、前記第1端面に対して平行な第2端面と、を含み、
    前記角度θは、下記数式1乃至数式5を用いて表される関係を満たすことを特徴とする波長変換装置。
    Figure 0005899468

    また、φ1及びφ2は、数式2で定義される。
    Figure 0005899468

    また、nは、数式3で定義される。
    Figure 0005899468

    なお、n’は、数式4で定義され、L'は数式5で定義される。
    Figure 0005899468

    Figure 0005899468
  2. 励起光を発生させる光源と、
    前記励起光を用いて基本波光を発生させるレーザ媒質と、
    前記レーザ媒質と協働して、前記基本波光に対する共振器を形成する凹面ミラーを含む共振器ミラーと、
    前記基本波光を高調波光に波長変換する波長変換素子と、を備え、
    前記波長変換素子は、前記共振器の光軸に対して直交する面に対して角度θだけ傾斜した第1端面と、前記第1端面に対して平行な第2端面と、を含み、
    前記角度θは、下記数式6乃至数式10を用いて表される関係を満たすことを特徴とする波長変換装置。
    Figure 0005899468

    また、φ1及びφ2は、数式7で定義される。
    Figure 0005899468

    また、L及びnは、数式8で定義される。
    Figure 0005899468

    n’は数式9で定義され、L’は数式10で定義される。
    Figure 0005899468

    Figure 0005899468
  3. 前記広がり角は、半値全角の2分の1の値として定義されることを特徴とする請求項1又は2に記載の波長変換装置。
  4. 前記広がり角は、0.2度以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の波長変換装置。
  5. 前記第1端面と前記第2端面との間の平行度は、0.2度以下であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の波長変換装置。
  6. 前記第1端面及び前記第2端面上に形成された透過膜を更に備え、
    該透過膜は、前記基本波光に対して、99.7%以上の透過率を有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の波長変換装置。
  7. 前記基本波光は、楕円状のビーム形状を有し、
    前記波長変換素子は、前記楕円状のビーム形状の長軸周りに傾斜していることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の波長変換装置。
  8. 前記波長変換素子は、分極反転した領域を有し、
    前記第1端面は、前記領域の分極反転方向に延びる軸周りに傾斜していることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の波長変換装置。
  9. 前記レーザ媒質と前記波長変換素子との間の距離は、1mm以下であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の波長変換装置。
  10. 前記光軸方向における前記共振器の長さは、10mm以下であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の波長変換装置。
  11. 前記波長変換素子と前記基本波光との間の角度は、ブリュースター角であることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の波長変換装置。
  12. 前記基本波光の偏光方向に延びる軸周りの回転及び前記光軸周りの回転が規制されるように、前記波長変換素子は、機械的に固定されることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の波長変換装置。
  13. 複数のレーザ光源を有する照明装置と、
    前記照明装置によって照明され、映像光を作り出す空間変調素子と、を備え、
    前記複数のレーザ光源は、赤の色相のレーザ光を出射する赤色レーザ光源と、緑の色相のレーザ光を出射する緑色レーザ光源と、青の色相のレーザ光を出射する青色レーザ光源と、を含み、
    前記緑色レーザ光源は、請求項1乃至12のいずれか1項に記載の波長変換装置を備えることを特徴とする画像表示装置。
  14. 前記空間変調素子は、長方形であり、
    前記波長変換素子は、前記空間変調素子の短軸周りに傾斜していることを特徴とする請求項13に記載の画像表示装置。
JP2013508752A 2011-04-04 2012-04-02 波長変換装置及び画像表示装置 Expired - Fee Related JP5899468B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013508752A JP5899468B2 (ja) 2011-04-04 2012-04-02 波長変換装置及び画像表示装置

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011082481 2011-04-04
JP2011082481 2011-04-04
JP2013508752A JP5899468B2 (ja) 2011-04-04 2012-04-02 波長変換装置及び画像表示装置
PCT/JP2012/002262 WO2012137459A1 (ja) 2011-04-04 2012-04-02 波長変換装置及び画像表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2012137459A1 JPWO2012137459A1 (ja) 2014-07-28
JP5899468B2 true JP5899468B2 (ja) 2016-04-06

Family

ID=46968870

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013508752A Expired - Fee Related JP5899468B2 (ja) 2011-04-04 2012-04-02 波長変換装置及び画像表示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9048611B2 (ja)
EP (1) EP2696452B1 (ja)
JP (1) JP5899468B2 (ja)
WO (1) WO2012137459A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9413989B2 (en) 2012-05-15 2016-08-09 Honeywell International Inc. Dual band imager
JP6402906B2 (ja) * 2014-09-17 2018-10-10 カシオ計算機株式会社 光源装置及び投影装置
CN114063375B (zh) * 2020-08-10 2024-01-23 成都极米科技股份有限公司 一种光源系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04229677A (ja) * 1990-04-30 1992-08-19 Amoco Corp マイクロレーザ
JP2000307179A (ja) * 1999-04-21 2000-11-02 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザー励起固体レーザー
WO2009047888A1 (ja) * 2007-10-10 2009-04-16 Panasonic Corporation 固体レーザー装置及び画像表示装置
WO2009069282A1 (ja) * 2007-11-27 2009-06-04 Panasonic Corporation 波長変換レーザ

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3043388B2 (ja) 1990-10-05 2000-05-22 希光 泉谷 コーヒー豆の品質改良方法及び品質の改良されたコーヒー豆
US5315433A (en) * 1991-02-28 1994-05-24 Fuji Photo Film Co., Ltd. Optical wavelength converting apparatus
JP3013121B2 (ja) * 1991-05-10 2000-02-28 富士写真フイルム株式会社 光波長変換装置
JPH07193310A (ja) 1993-12-27 1995-07-28 Topcon Corp レーザー用調整装置
JP3539030B2 (ja) * 1996-01-17 2004-06-14 ソニー株式会社 レーザ光発生装置
JP4636315B2 (ja) * 2004-04-22 2011-02-23 ソニー株式会社 1次元照明装置及び画像生成装置
KR100717788B1 (ko) 2005-04-13 2007-05-11 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
JP4144642B2 (ja) 2006-10-30 2008-09-03 ソニー株式会社 レーザ光源装置及びこれを用いた画像生成装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04229677A (ja) * 1990-04-30 1992-08-19 Amoco Corp マイクロレーザ
JP2000307179A (ja) * 1999-04-21 2000-11-02 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザー励起固体レーザー
WO2009047888A1 (ja) * 2007-10-10 2009-04-16 Panasonic Corporation 固体レーザー装置及び画像表示装置
WO2009069282A1 (ja) * 2007-11-27 2009-06-04 Panasonic Corporation 波長変換レーザ

Also Published As

Publication number Publication date
US9048611B2 (en) 2015-06-02
EP2696452A1 (en) 2014-02-12
EP2696452B1 (en) 2017-09-27
US20130329276A1 (en) 2013-12-12
EP2696452A4 (en) 2014-10-15
JPWO2012137459A1 (ja) 2014-07-28
WO2012137459A1 (ja) 2012-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4636315B2 (ja) 1次元照明装置及び画像生成装置
JP5214630B2 (ja) 波長変換レーザ
WO2009104392A1 (ja) 光源装置、照明装置及び画像表示装置
JP5180235B2 (ja) 波長変換レーザ及び画像表示装置
JP5096480B2 (ja) 固体レーザー装置及び画像表示装置
WO2006028078A1 (ja) 受動qスイッチレーザ装置
JPWO2007026510A1 (ja) ファイバレーザおよび光学装置
JP4144642B2 (ja) レーザ光源装置及びこれを用いた画像生成装置
JP5899468B2 (ja) 波長変換装置及び画像表示装置
JP4428382B2 (ja) レーザ光源装置及びこれを用いた画像生成装置
JP5529153B2 (ja) 波長変換レーザ光源及び画像表示装置
JP4760954B2 (ja) レーザ光源装置及びこれを用いた画像生成装置
JP5380461B2 (ja) 波長変換レーザ及び画像表示装置
JP2015115509A (ja) レーザ光源装置及びスクリーン投影装置
JP2009259854A (ja) 固体レーザー装置およびこれを用いた画像表示装置
JP5826409B2 (ja) レーザ装置
JP2012248558A (ja) レーザ光源装置
JP4870237B1 (ja) レーザ光源装置
JP2007287886A (ja) レーザー装置及びそのレーザー装置を用いた検査装置
JP2010122282A (ja) 光学ユニット、レーザ出射装置およびレーザプロジェクタ
JP2008026873A (ja) 波長変換装置及び二次元画像表示装置
JP2012230941A (ja) レーザ光源装置
JP2012150230A (ja) 画像表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140910

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20141009

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20141015

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150428

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150619

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20151201

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20151211

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5899468

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees