JP5896810B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
さらに、近年ウエハ直接接合が行われているが、ウエハ表面のレーザー刻印は、ウエハ接合後に確認困難となるという問題がある。ウエハ裏面のレーザー刻印は、ウエハ接合後でも識別に利用可能であるが、例えばフォトダイオード等において光を入射させる為にウエハを薄くするバックグラインド(BG)工程等が行われると、やはり識別が困難になる。
このように、より使い勝手の良いウエハの識別手段が求められている。
本発明の他の目的は、接合後でもウエハの識別が良好に行える半導体装置を提供することである。
前記ウエハ本体の周縁部に設けられ、一つ以上の溝を有する識別溝部と、
をそれぞれ備えた第一ウエハおよび第二ウエハを一体に接合することにより形成された半導体装置であって、
前記溝は、前記ウエハ本体の周縁に開口し、かつ前記ウエハ本体の厚み未満の深さを有するとともに、前記ウエハ本体の厚さ方向の一方の面であって前記第一ウエハおよび前記第二ウエハが互いに接合される接合面上に開口していることを特徴とする。
本発明の前記識別溝部は、前記第一ウエハおよび前記第二ウエハの種別に関する情報を表示する種別表示部と、それぞれの前記ウエハ本体に関する数字情報を表示する数字情報表示部とを有することができる。
本発明の前記数字情報表示部は、複数の領域を有し、前記領域ごとの溝のあるなしにより二進法で前記数字情報を表示することができる。
本発明の前記第二ウエハの識別溝部における種別表示部および数字情報表示部の並び順が前記第一ウエハの識別溝部における種別表示部および数字情報表示部の並び順と逆になっており、
前記第二ウエハの識別溝部と前記第一ウエハの識別溝部との位相が一致するように前記第一ウエハと前記第二ウエハとが接合されていることができる。
本発明の第一の態様は、シリコンからなる円盤状のウエハ本体と、前記ウエハ本体の周縁部に設けられ、一つ以上の溝を有する識別溝部とを備え、前記溝は、前記ウエハ本体の周縁に開口し、かつ前記ウエハ本体の厚み未満の深さを有することを特徴とする半導体ウエハである。
また、前記数字情報表示部は、複数の領域を有し、前記領域ごとの溝のあるなしにより二進法で前記数字情報を表示してもよい。
図1(a)は、本実施形態の半導体ウエハである第一ウエハ1を示す正面図である。第一ウエハ1は、シリコンからなる円盤状のウエハ本体10と、ウエハ本体10の周縁に設けられた識別溝部20とを備えている。
第二ウエハ2は、第一ウエハ1と同様に、ウエハ本体10を有しているが、接合面10A上に、電極および配線に加えて、画素としての半導体素子(不図示)が多数設けられたPD側ウエハである点が異なっている。
また、溝の形成方法には特に制限はなく、例えばレーザーで刻印してもよいし、エッチング等により形成してもよい。
したがって、使用者は、固体撮像装置100の周縁の一か所を見るだけで、接合された二枚の半導体ウエハの種別および識別番号等を容易に認識できる。さらに、第一ウエハと第二ウエハの識別番号が同一であるか否かを、識別番号表示部23を見ることにより直感的に判断することができる。
2 第二ウエハ(半導体ウエハ)
10 ウエハ本体
20、20A 識別溝部
21 範囲表示部
21A 開始溝(溝)
21B 終了溝(溝)
22 種別表示部
22A 溝
23 識別番号表示部(数字情報表示部)
23A、23B、23C、23D、23E 溝
100 固体撮像装置(半導体装置)
Claims (4)
- シリコンからなる円盤状のウエハ本体と、
前記ウエハ本体の周縁部に設けられ、一つ以上の溝を有する識別溝部と、
をそれぞれ備えた第一ウエハおよび第二ウエハを一体に接合することにより形成された半導体装置であって、
前記溝は、前記ウエハ本体の周縁に開口し、かつ前記ウエハ本体の厚み未満の深さを有するとともに、前記ウエハ本体の厚さ方向の一方の面であって前記第一ウエハおよび前記第二ウエハが互いに接合される接合面上に開口していることを特徴とする半導体装置。 - 前記識別溝部は、前記第一ウエハおよび前記第二ウエハの種別に関する情報を表示する種別表示部と、それぞれの前記ウエハ本体に関する数字情報を表示する数字情報表示部とを有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記数字情報表示部は、複数の領域を有し、前記領域ごとの溝のあるなしにより二進法で前記数字情報を表示することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第二ウエハの識別溝部における種別表示部および数字情報表示部の並び順が前記第一ウエハの識別溝部における種別表示部および数字情報表示部の並び順と逆になっており、
前記第二ウエハの識別溝部と前記第一ウエハの識別溝部との位相が一致するように前記第一ウエハと前記第二ウエハとが接合されている
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
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