JP5890271B2 - Tuning fork-type bending crystal resonator element and manufacturing method thereof - Google Patents

Tuning fork-type bending crystal resonator element and manufacturing method thereof Download PDF

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Description

本発明は、電子機器などに用いられる音叉型屈曲水晶振動素子及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a tuning-fork type bending crystal resonator element used in electronic equipment and the like and a method for manufacturing the same.

コンピュータ、携帯電話又は小型情報機器等の電子機器には、電子部品の一つとして水晶振動子又は水晶発振器が搭載されている。この水晶振動子又は水晶発振器は、基準信号源やクロック信号源として用いられる。そして、水晶振動子や水晶発振器の内部に、音叉型屈曲水晶振動素子(以下「振動素子」と略称する。)が搭載されている。以下、特許文献1に記載の振動素子について説明する。   In an electronic device such as a computer, a mobile phone, or a small information device, a crystal resonator or a crystal oscillator is mounted as one of electronic components. This crystal resonator or crystal oscillator is used as a reference signal source or a clock signal source. A tuning fork-type bending quartz crystal vibration element (hereinafter abbreviated as “vibration element”) is mounted inside the crystal resonator or the crystal oscillator. Hereinafter, the vibration element described in Patent Document 1 will be described.

図6及び図7に示すように、関連技術の振動素子100’は、水晶振動片10’、励振電極21a,21b、接続電極22a,22b、配線パターン23a,23bから主に構成されている。図中のX軸、Y’軸及びZ’軸は、水晶基板の結晶軸である。   As shown in FIGS. 6 and 7, the related art vibrating element 100 ′ is mainly composed of a quartz crystal vibrating piece 10 ′, excitation electrodes 21 a and 21 b, connection electrodes 22 a and 22 b, and wiring patterns 23 a and 23 b. The X axis, Y ′ axis, and Z ′ axis in the figure are crystal axes of the quartz crystal substrate.

水晶振動片10’は、基部11、振動腕部12、突起部13’により構成される。振動腕部12は、第一振動腕部12a及び第二振動腕部12bからなる。水晶振動片10’は、フォトリソグラフィ技術、化学エッチング技術、成膜技術により製造される。振動腕部12には、溝部161〜164が設けられている。   The quartz crystal vibrating piece 10 ′ is composed of a base portion 11, a vibrating arm portion 12, and a protruding portion 13 ′. The vibrating arm portion 12 includes a first vibrating arm portion 12a and a second vibrating arm portion 12b. The quartz crystal vibrating piece 10 ′ is manufactured by a photolithography technique, a chemical etching technique, and a film forming technique. The vibrating arm portion 12 is provided with groove portions 161 to 164.

突起部13’の先端側には、延設方向に沿ってスリット14が設けられている。スリット14は、突起部13’の厚み方向に貫通している。突起部13’の幅13w’は、先端から基端まで同じ大きさになっている。   A slit 14 is provided on the distal end side of the protruding portion 13 ′ along the extending direction. The slit 14 penetrates in the thickness direction of the protrusion 13 '. The width 13w 'of the protrusion 13' is the same size from the tip to the base end.

突起部13’に設けられたこのスリット14は、振動腕部12の側面に励振電極21a,21bをスパッタ技術及びフォトリソグラフィ技術にて形成する際に、第一振動腕部12aの側面の励振電極21bと第二振動腕部12bの側面の励振電極21aとが繋がらないようにする役割を果たす。   The slit 14 provided in the protrusion 13 ′ is used to form the excitation electrode on the side surface of the first vibrating arm portion 12 a when the excitation electrodes 21 a and 21 b are formed on the side surface of the vibrating arm portion 12 by the sputtering technique and the photolithography technique. 21b and the excitation electrode 21a on the side surface of the second vibrating arm portion 12b are prevented from being connected.

次に、このスリットの14の役割を説明するために、振動素子100’の製造方法を説明する。   Next, in order to explain the role of the slit 14, a method for manufacturing the vibration element 100 ′ will be described.

まず、水晶ウェハ(図示せず)の表裏に、耐食膜(図示せず)をスパッタリングにて成膜する。続いて、水晶ウエハ表裏の耐食膜上に感光性レジスト(ポジ型)を形成し、その感光性レジストを乾燥した後、表裏の両面に音叉形状の耐食膜が残るように耐食膜をパターン化(露光、現像、乾燥)し、音叉形状以外の耐食膜をエッチングで除去する。   First, a corrosion resistant film (not shown) is formed on the front and back of a quartz wafer (not shown) by sputtering. Subsequently, a photosensitive resist (positive type) is formed on the corrosion resistant film on both sides of the quartz wafer, and after drying the photosensitive resist, the corrosion resistant film is patterned so that a tuning fork-shaped corrosion resistant film remains on both sides of the front and back sides ( Exposure, development, and drying) and removing the anticorrosion film other than the tuning fork shape by etching.

続いて、表裏の耐食膜上に、電極の形状を決定するために感光性レジスト(ポジ型)をパターン化する。スリット14となる水晶部分は、耐食膜を介することなく、感光性レジストで直接覆われる。   Subsequently, a photosensitive resist (positive type) is patterned on the front and back corrosion resistant films in order to determine the shape of the electrodes. The crystal portion that becomes the slit 14 is directly covered with a photosensitive resist without using a corrosion-resistant film.

続いて、露出している水晶部分をウェットエッチングで除去する。このとき、スリット14の形状と水晶振動片10’の形状とが、同時に形成される。つまり、この感光性レジストを残した状態で、基部11と振動腕部12と突起部13’とが形成される。なお、突起部13’を覆う感光性レジストは、スリット14を跨いだ状態で残されている。   Subsequently, the exposed crystal portion is removed by wet etching. At this time, the shape of the slit 14 and the shape of the quartz crystal vibrating piece 10 'are formed simultaneously. That is, the base 11, the vibrating arm 12, and the protrusion 13 'are formed with the photosensitive resist remaining. Note that the photosensitive resist covering the protrusion 13 ′ is left in a state of straddling the slit 14.

続いて、水晶振動片10’の表裏面に露出した耐食膜を、エッチングで除去する。これにより、水晶表面を得る。   Subsequently, the corrosion-resistant film exposed on the front and back surfaces of the quartz crystal vibrating piece 10 'is removed by etching. Thereby, a crystal surface is obtained.

続いて、感光性レジストを残した状態の水晶振動片10’の全面に、電極膜をスパッタ技術により形成する。このとき、スリット14を跨いで突起部13’を覆う感光性レジストにより、スリット14を跨いで突起部13’の側面に電極膜が形成される。   Subsequently, an electrode film is formed on the entire surface of the quartz crystal vibrating piece 10 ′ with the photosensitive resist left by a sputtering technique. At this time, an electrode film is formed on the side surface of the protrusion 13 ′ across the slit 14 by the photosensitive resist that covers the protrusion 13 ′ across the slit 14.

続いて、水晶振動片10’の表裏に形成した感光性レジストと、その上に形成された電極膜と、を剥離する。これは、感光性レジストを溶解する液に、これらを浸すことにより実現される。このとき、スリット14を跨いでいた感光性レジストも除去されるため、感光性レジスト上の電極膜を介して接続されていた第一振動腕部12aの側面の励振電極21bと第二振動腕部12bの側面の励振電極21aとが、切断された状態となる。   Subsequently, the photosensitive resist formed on the front and back surfaces of the quartz crystal vibrating piece 10 ′ and the electrode film formed thereon are peeled off. This is realized by immersing these in a solution for dissolving the photosensitive resist. At this time, since the photosensitive resist straddling the slit 14 is also removed, the excitation electrode 21b and the second vibrating arm portion on the side surface of the first vibrating arm portion 12a connected via the electrode film on the photosensitive resist. The excitation electrode 21a on the side surface of 12b is cut off.

最後に、感光性レジストの下で残っていた耐食膜を、エッチングにより除去する。   Finally, the corrosion-resistant film remaining under the photosensitive resist is removed by etching.

このようにして、水晶振動片10’に電極が形成されるので、スパッタ技術を用いても、第一振動腕部12aの側面の励振電極21bと第二振動腕部12bの側面の励振電極21aとをスリット14で切断した状態にすることができる。   In this way, since the electrodes are formed on the crystal vibrating piece 10 ′, the excitation electrode 21b on the side surface of the first vibrating arm portion 12a and the excitation electrode 21a on the side surface of the second vibrating arm portion 12b can be used even when the sputtering technique is used. Can be cut by the slit 14.

特開2011−151567号公報JP 2011-151567 A

しかしながら、関連技術の振動素子100’には次のような問題があった。   However, the related art vibrating element 100 ′ has the following problems.

突起部13’の幅13w’は極めて狭く、かつ、その狭さが先端から基端まで続いている。そのため、ウェットエッチングの作用が進みすぎると、突起部13’の一部が欠けるなど、突起部13’の形状が大きく損なわれることがあった。また、突起部13’上に形成するレジストパターンの幅も極めて狭くなることにより、レジストパターンの位置ずれ(特に±X軸方向)によっては、レジストパターンがスリット14を十分に跨げないことがあった。そして、突起部13’とその上に形成されるレジストパターンとの接触面積も狭くなることにより、ウェットエッチング液の圧力などによってレジストパターンがはがれることがあった。更に、その微細な形状ゆえに、突起部13’形成後の電極膜形成、電気的検査、パッケージ実装、移送などの際に、突起部13’が損傷することがあった。このように、振動素子100’では、突起部13’の形状が製造歩留まり低下の要因になっていた。   The width 13w 'of the protrusion 13' is extremely narrow, and the narrowness continues from the distal end to the proximal end. For this reason, when the action of wet etching proceeds excessively, the shape of the protruding portion 13 ′ may be greatly impaired, such as a part of the protruding portion 13 ′ being cut off. In addition, since the width of the resist pattern formed on the protrusion 13 ′ is extremely narrow, the resist pattern may not sufficiently straddle the slit 14 depending on the positional deviation of the resist pattern (particularly in the ± X axis direction). It was. Further, since the contact area between the protrusion 13 'and the resist pattern formed thereon becomes narrow, the resist pattern may be peeled off by the pressure of the wet etching solution. Further, due to the fine shape, the protrusion 13 ′ may be damaged during the formation of the electrode film after the formation of the protrusion 13 ′, electrical inspection, package mounting, transfer, and the like. As described above, in the vibration element 100 ′, the shape of the protrusion 13 ′ has been a factor in reducing the manufacturing yield.

また、水晶は、シリコンと酸素で構成される三方晶系の単結晶からなり、成長軸(光軸)をZ軸とし、これと垂直に稜線を結ぶ軸をX軸(電気軸)とし、これと直交する軸をY軸(機械軸)として表現される。それらの三つの軸のウェットエッチング中のエッチング速度は、Z>X>Yの順となる。そのため、図6及び図7に示すように、突起部13’では、ウェットエッチング後の水晶に残渣15a’,15b’が生じてしまう。ところが、第一振動腕部12a側に生じる残渣15a’と第二振動腕部12b側に生じる残渣15b’とは、形状及び大きさが異なったものになる。その結果、音叉の右側と左側とで振動周波数がアンバランスとなることにより、振動が基部11側へ伝播してしまうので、CI(Crystal Impedance)値の増加を招いていた。   Quartz is composed of a trigonal single crystal composed of silicon and oxygen. The growth axis (optical axis) is the Z axis, and the axis connecting the ridge line perpendicular to this is the X axis (electric axis). An axis perpendicular to the axis is expressed as a Y axis (machine axis). The etching rates during the wet etching of these three axes are in the order of Z> X> Y. Therefore, as shown in FIGS. 6 and 7, residues 15a 'and 15b' are generated in the crystal after the wet etching at the protrusion 13 '. However, the residue 15a 'generated on the first vibrating arm portion 12a side and the residue 15b' generated on the second vibrating arm portion 12b side have different shapes and sizes. As a result, the vibration frequency is unbalanced between the right side and the left side of the tuning fork, so that the vibration propagates to the base 11 side, resulting in an increase in CI (Crystal Impedance) value.

そこで、本発明の主な目的は、製造歩留まりを向上させつつ、CI値の低減も達成し得る、振動素子及びその製造方法を提供することにある。   Accordingly, a main object of the present invention is to provide a vibration element and a method of manufacturing the same that can achieve a reduction in CI value while improving the manufacturing yield.

本発明に係る振動素子は、
基部と、この基部から同じ一方向に延設された二本の振動腕部と、これらの二本の振動腕部の間の前記基部から前記一方向へ延設された突起部と、この突起部に設けられたスリットと、からなる水晶振動片を備え、
前記突起部は、前記基部から最も離れた先端と、前記基部に最も近い基端と、この基端と前記先端との間の移行領域と、に分けられ、
前記スリットは前記基部側から前記一方向に沿って前記先端まで設けられ、
前記移行領域において前記一方向と垂直かつ前記二本の振動腕部に交差する方向の長さを幅としたとき、この幅は前記先端から前記基端へ進むに従い広くなる、
ことを特徴とする。
The vibration element according to the present invention is
A base, two vibrating arms extending in the same direction from the base, a protrusion extending in the one direction from the base between the two vibrating arms, and the protrusion A crystal vibrating piece comprising a slit provided in the section,
The protrusion is divided into a tip farthest from the base, a base end closest to the base, and a transition region between the base and the tip,
The slit is provided from the base side to the tip along the one direction,
When the length in a direction perpendicular to the one direction and intersecting the two vibrating arm portions in the transition region is defined as a width, the width increases as the distance from the distal end increases to the proximal end.
It is characterized by that.

本発明に係る振動素子の製造方法は、本発明に係る水晶振動素子を製造する方法であって、
水晶基板上に耐食膜を成膜しパターン化する第一工程と、
前記耐食膜上及び前記スリットとなる前記水晶基板の露出部分上にレジストパターンを形成する第二工程と、
前記耐食膜で覆われていない前記水晶基板の露出部分をウェットエッチングで除去することにより前記水晶振動片を形成する第三工程と、
前記レジストパターンで覆われていない前記耐食膜を除去する第四工程と、
前記スリット内を除く前記水晶振動片の露出部分上及び前記レジストパターン上に電極膜を形成する第五工程と、
前記レジストパターン上に形成された前記電極膜を前記レジストパターンとともに除去する第六工程と、
前記レジストパターンが除去されたことにより露出した前記耐食膜を除去する第七工程と、
を含むことを特徴とする。
A method for manufacturing a resonator element according to the present invention is a method for manufacturing a crystal resonator element according to the present invention,
A first step of forming and patterning a corrosion-resistant film on a quartz substrate;
A second step of forming a resist pattern on the corrosion-resistant film and on the exposed portion of the quartz crystal substrate serving as the slit;
A third step of forming the quartz crystal vibrating piece by removing the exposed portion of the quartz substrate not covered with the corrosion-resistant film by wet etching;
A fourth step of removing the corrosion-resistant film not covered with the resist pattern;
A fifth step of forming an electrode film on the exposed portion of the crystal vibrating piece excluding the inside of the slit and on the resist pattern;
A sixth step of removing the electrode film formed on the resist pattern together with the resist pattern;
A seventh step of removing the corrosion-resistant film exposed by removing the resist pattern;
It is characterized by including.

本発明によれば、二本の振動腕部間にある突起部の幅が先端から基端へ進むに従い広くなることにより、製造上の諸問題を解決できるので製造歩留まりを向上でき、しかも、二本の振動腕部の根元に生ずる残渣を小さくかつ等しくできるのでCI値を低減できる。   According to the present invention, since the width of the protrusion between the two vibrating arms increases as the distance from the distal end to the proximal end increases, various manufacturing problems can be solved, so that the manufacturing yield can be improved. Since the residue generated at the base of the vibrating arm portion of the book can be made small and equal, the CI value can be reduced.

実施形態1の振動素子を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view illustrating a vibration element according to the first embodiment. 実施形態1の振動素子を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing the resonator element according to the first embodiment. 図2におけるIII−III線縦断面の製造工程を示す断面図であり、図3[1]、図3[2]、図3[3]、図3[4]の順に工程が進行する。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the III-III line longitudinal cross section in FIG. 2, and a process progresses in order of FIG. 3 [1], FIG. 3 [2], FIG. 3 [3], and FIG. 図2におけるIII−III線縦断面の製造工程を示す断面図であり、図4[5]、図4[6]、図4[7]の順に工程が進行する。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the III-III line longitudinal cross section in FIG. 2, and a process progresses in order of FIG. 4 [5], FIG. 4 [6], and FIG. 4 [7]. 実施形態2の振動素子の一部を示す平面図である。6 is a plan view illustrating a part of the vibration element according to Embodiment 2. FIG. 関連技術の振動素子を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the vibration element of related technology. 関連技術の振動素子を示す平面図である。It is a top view which shows the vibration element of related technology.

以下、添付図面を参照しながら、本発明を実施するための形態(以下「実施形態」という。)について説明する。なお、図面に描かれた形状は、当業者が理解しやすいように描かれているため、実際の寸法及び比率とは必ずしも一致していない。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention (hereinafter referred to as “embodiments”) will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, since the shape drawn in drawing is drawn so that those skilled in the art can understand easily, it does not necessarily correspond with an actual dimension and ratio.

図1は、実施形態1の振動素子を示す斜視図である。図2は、実施形態1の振動素子を示す平面図である。以下、これらの図面に基づき説明する。   FIG. 1 is a perspective view illustrating a vibration element according to the first embodiment. FIG. 2 is a plan view showing the resonator element according to the first embodiment. Hereinafter, description will be given based on these drawings.

本実施形態1の振動素子100は水晶振動片10を備えている。水晶振動片10は、基部11と、基部11から同じ一方向(Y’軸方向)に延設された二本の振動腕部12と、二本の振動腕部12の間の基部11から一方向(Y’軸方向)へ延設された突起部13と、突起部13に設けられたスリット14とからなる。   The resonator element 100 according to the first embodiment includes a crystal resonator element 10. The quartz crystal resonator element 10 includes a base portion 11, two vibrating arm portions 12 extending from the base portion 11 in the same direction (Y′-axis direction), and one base portion 11 between the two vibrating arm portions 12. It consists of a protrusion 13 extending in the direction (Y′-axis direction) and a slit 14 provided in the protrusion 13.

突起部13は、基部11から最も離れた先端131と、基部11に最も近い基端133と、基端133と先端131との間の移行領域132とに分けられる。スリット14は、基部11側から一方向(Y’軸方向)に沿って先端131まで設けられている。移行領域132において一方向(Y’軸方向)と垂直かつ二本の振動腕部12に交差する方向の長さを幅13wとしたとき、幅13wは先端131から基端133へ進むに従い広くなる。   The protrusion 13 is divided into a distal end 131 farthest from the base 11, a proximal end 133 closest to the base 11, and a transition region 132 between the proximal end 133 and the distal end 131. The slit 14 is provided from the base 11 side to the tip 131 along one direction (Y′-axis direction). In the transition region 132, when the length in the direction perpendicular to one direction (Y′-axis direction) and intersecting the two vibrating arm portions 12 is defined as the width 13w, the width 13w becomes wider as the distance from the distal end 131 toward the proximal end 133 increases. .

この場合、基端133は、図示するように、二本の振動腕部12の基部11に対する根元まで達するようにしてもよい。また、移行領域132の形状は、図示するように、三角形状としてもよい。   In this case, the proximal end 133 may reach the roots of the two vibrating arm portions 12 with respect to the base portion 11 as illustrated. Further, the shape of the transition region 132 may be triangular as shown in the figure.

次に、振動素子100の構成について更に詳しく説明する。   Next, the configuration of the vibration element 100 will be described in more detail.

図1及び図2に示すように、振動素子100は、水晶振動片10と、水晶振動片10に設けられた励振電極21a,21b、接続電極22a,22b及び配線パターン23a,23bと、から主に構成されている。なお、必要に応じ、水晶振動片10に周波数調整用金属膜を設けてもよい。   As shown in FIGS. 1 and 2, the resonator element 100 includes a quartz crystal vibrating piece 10, excitation electrodes 21 a and 21 b, connection electrodes 22 a and 22 b, and wiring patterns 23 a and 23 b provided on the quartz crystal vibrating piece 10. It is configured. If necessary, a frequency adjusting metal film may be provided on the crystal vibrating piece 10.

水晶振動片10は、音叉形状となっており、基部11と、基部11から延設された二本一対の振動腕部12と、二本の振動腕部12の間であって基部11から延設された突起部13と、により概略構成される。振動腕部12には、水晶を挟んで対向する平面同士に同極となる励振電極21a,21bが設けられている。   The quartz crystal vibrating piece 10 has a tuning fork shape, and extends from the base 11 between the base 11, the pair of two vibrating arms 12 extending from the base 11, and the two vibrating arms 12. It is roughly comprised by the provided projection part 13. FIG. The vibrating arm portion 12 is provided with excitation electrodes 21a and 21b having the same polarity on opposite surfaces across the quartz.

基部11は、平面視略四角形の平板となっている。振動腕部12は、第一振動腕部12a及び第二振動腕部12bからなる。第一振動腕部12a及び第二振動腕部12bは、基部11の一辺から同一方向(Y’軸方向)に延設されている。水晶振動片10は、基部11と振動腕部12とが一体となって音叉形状をなしており、フォトリソグラフィ技術、化学エッチング技術、成膜技術により製造される。   The base 11 is a flat plate having a substantially rectangular shape in plan view. The vibrating arm portion 12 includes a first vibrating arm portion 12a and a second vibrating arm portion 12b. The first vibrating arm portion 12a and the second vibrating arm portion 12b extend from one side of the base portion 11 in the same direction (Y′-axis direction). The quartz crystal vibrating piece 10 has a tuning fork shape in which a base portion 11 and a vibrating arm portion 12 are integrated, and is manufactured by a photolithography technique, a chemical etching technique, and a film forming technique.

なお、第一振動腕部12a及び第二振動腕部12bの長さ方向には、それぞれ溝部161〜164を設けてもよい。それらの溝部161〜164は、例えば、第一振動腕部12aの表裏面に二本ずつ及び第二振動腕部12bの表裏面に二本ずつ、基部11との境界部分から振動腕部12の先端に向って、振動腕部12の長さ方向と平行に所定の長さで設けられる。なお、溝部161〜164は、表裏のどちらか片面にのみ設けてもよい。また、溝部161〜164は、本実施形態1では第一振動腕部12aの表裏面に二本ずつ及び第二振動腕部12bの表裏面に二本ずつ設けられているが、それらの本数に制限はなく、例えば第一振動腕部12aの表裏面に一本ずつ及び第二振動腕部12bの表裏面に一本ずつ設けてもよい。   In addition, you may provide the groove parts 161-164 in the length direction of the 1st vibration arm part 12a and the 2nd vibration arm part 12b, respectively. The groove portions 161 to 164 are, for example, two on the front and back surfaces of the first vibrating arm portion 12a and two on the front and back surfaces of the second vibrating arm portion 12b. A predetermined length is provided parallel to the length direction of the vibrating arm portion 12 toward the tip. In addition, you may provide the groove parts 161-164 only in either one side of the front and back. In the first embodiment, two grooves 161 to 164 are provided on the front and back surfaces of the first vibrating arm portion 12a and two grooves on the front and back surfaces of the second vibrating arm portion 12b. There is no limitation, and for example, one may be provided on the front and back surfaces of the first vibrating arm portion 12a and one on the front and back surfaces of the second vibrating arm portion 12b.

励振電極21aは、第一振動腕部12aの一方及び他方の主面、並びに、第二振動腕部12bの内側及び外側の側面に設けられている。励振電極21bは、第二振動腕部12bの一方及び他方の主面、並びに、第一振動腕部12aの内側及び外側の側面に設けられている。   The excitation electrode 21a is provided on one and the other main surfaces of the first vibrating arm portion 12a, and on the inner and outer side surfaces of the second vibrating arm portion 12b. The excitation electrode 21b is provided on one and the other main surfaces of the second vibrating arm portion 12b, and on the inner and outer side surfaces of the first vibrating arm portion 12a.

基部11には、接続電極22a,22bが設けられる。また、基部11及び振動腕部12には、所定の電極間を電気的に接続させるための配線パターン23a,23bが設けられる。励振電極21a、接続電極22a及び配線パターン23aは、互いに電気的に導通している。励振電極21b、接続電極22b及び配線パターン23bも、互いに電気的に導通している。   The base 11 is provided with connection electrodes 22a and 22b. Further, the base portion 11 and the vibrating arm portion 12 are provided with wiring patterns 23a and 23b for electrically connecting predetermined electrodes. The excitation electrode 21a, the connection electrode 22a, and the wiring pattern 23a are electrically connected to each other. The excitation electrode 21b, the connection electrode 22b, and the wiring pattern 23b are also electrically connected to each other.

これら励振電極21a,21b、接続電極22a,22b及び配線パターン23a,23bは、フォトリソグラフィ技術により形成され、例えばTi層の上にPd又はAu層が設けられた積層構造となっている。   The excitation electrodes 21a and 21b, the connection electrodes 22a and 22b, and the wiring patterns 23a and 23b are formed by a photolithography technique, and have a laminated structure in which, for example, a Pd or Au layer is provided on a Ti layer.

音叉型の水晶振動片10を振動させる場合、接続電極22a,22bに交番電圧を印加する。印加後のある電気的状態を瞬間的に捉えると、第一振動腕部12aの両主面に設けられた励振電極21aはプラス電位となり、第一振動腕部12aの両側面に設けられた励振電極21bはマイナス電位となり、プラスからマイナスに電界が生じる。このとき、第二振動腕部12bの両主面に設けられた励振電極21bはマイナス電位となり、第二振動腕部12bの両側面に設けられた励振電極21aはプラス電位となり、第一振動腕部12aに生じた極性とは反対の極性となり、プラスからマイナスに電界が生じる。この交番電圧で生じた電界によって、第一振動腕部12a及び第二振動腕部12bに伸縮現象が生じ、振動腕部12に設定した共振周波数の屈曲振動モードが得られる。   When the tuning fork type crystal vibrating piece 10 is vibrated, an alternating voltage is applied to the connection electrodes 22a and 22b. When an electrical state after application is captured instantaneously, the excitation electrodes 21a provided on both main surfaces of the first vibrating arm portion 12a have a positive potential, and excitation provided on both side surfaces of the first vibrating arm portion 12a. The electrode 21b has a negative potential, and an electric field is generated from positive to negative. At this time, the excitation electrodes 21b provided on both main surfaces of the second vibrating arm portion 12b have a negative potential, the excitation electrodes 21a provided on both side surfaces of the second vibrating arm portion 12b have a positive potential, and the first vibrating arm. The polarity is opposite to that generated in the portion 12a, and an electric field is generated from plus to minus. The electric field generated by the alternating voltage causes an expansion / contraction phenomenon in the first vibrating arm portion 12a and the second vibrating arm portion 12b, and a bending vibration mode having a resonance frequency set in the vibrating arm portion 12 is obtained.

突起部13は、二本一対の振動腕部12の中間にあって、振動腕部12に沿って基部11から延設されている。また、突起部13は、幅13wが先端131から基端133へ進むに従い広くなるように設けられる。突起部13の先端131には、延設方向に沿ってスリット14が設けられている。スリット14は、突起部13の厚み方向に貫通している。   The protrusion 13 is in the middle of the pair of vibrating arms 12 and extends from the base 11 along the vibrating arms 12. Further, the protruding portion 13 is provided so that the width 13 w becomes wider as it advances from the distal end 131 to the proximal end 133. A slit 14 is provided at the tip 131 of the protrusion 13 along the extending direction. The slit 14 penetrates in the thickness direction of the protrusion 13.

突起部13に設けられたこのスリット14は、振動腕部12の側面に励振電極21a,21bをスパッタ技術及びフォトリソグラフィ技術にて形成する際に、第一振動腕部12aの側面の励振電極21bと第二振動腕部12bの側面の励振電極21aとを切り離す役割を果たす。   The slit 14 provided in the protrusion 13 is formed on the side surface of the vibrating arm portion 12 when the excitation electrodes 21a and 21b are formed by the sputtering technique and the photolithography technique. And the excitation electrode 21a on the side surface of the second vibrating arm portion 12b.

図3及び図4は、図2におけるIII−III線縦断面に相当する各工程での断面図である。以下、図1乃至図4に基づき、振動素子100の製造方法について説明する。   3 and 4 are cross-sectional views at each step corresponding to the vertical cross section taken along line III-III in FIG. Hereinafter, a method for manufacturing the vibration element 100 will be described with reference to FIGS.

本実施形態1の製造方法は、次の第一乃至第七工程を含む。   The manufacturing method of Embodiment 1 includes the following first to seventh steps.

図3[1]に示す第一工程では、水晶基板31上に、耐食膜32を成膜しパターン化する。例えば、水晶基板31の表裏に、Cr又はCr+Auなどの耐食膜32をスパッタリングにて成膜する。そして、耐食膜32上に感光性レジスト(ポジ型)を形成し、その感光性レジストの乾燥後に、水晶基板31の表裏に音叉形状の耐食膜32が残るようにパターン化(露光、現像、乾燥)し、音叉形状以外の耐食膜32をエッチングで除去する。   In the first step shown in FIG. 3 [1], a corrosion-resistant film 32 is formed on the quartz substrate 31 and patterned. For example, a corrosion-resistant film 32 such as Cr or Cr + Au is formed on the front and back of the quartz substrate 31 by sputtering. Then, a photosensitive resist (positive type) is formed on the corrosion-resistant film 32, and after the photosensitive resist is dried, patterning is performed so that the tuning-fork-shaped corrosion-resistant film 32 remains on the front and back of the quartz substrate 31 (exposure, development, drying). Then, the anticorrosion film 32 other than the tuning fork shape is removed by etching.

図3[2]に示す第二工程では、耐食膜32上及びスリット14となる水晶基板31の露出部分311上に、レジストパターン33を形成する。例えば、水晶基板31の表裏の耐食膜32上に電極の形状を決定するために、感光性レジスト(ポジ型)をパターン化する。   In the second step shown in FIG. 3 [2], a resist pattern 33 is formed on the corrosion-resistant film 32 and on the exposed portion 311 of the quartz crystal substrate 31 to be the slit 14. For example, a photosensitive resist (positive type) is patterned in order to determine the shape of the electrodes on the corrosion-resistant films 32 on the front and back surfaces of the quartz substrate 31.

図3[3]に示す第三工程では、耐食膜32で覆われていない水晶基板31の露出部分をウェットエッチングで除去することにより、水晶振動片10を形成する。このとき、スリット14の形状と水晶振動片10の形状とが、同時に形成される。このとき、スリット14は、レジストパターン33の下からアンダーエッチングによって形成される。そのため、レジストパターン33は、スリット14を跨いだ状態で少なくとも突起部13に残されている。すなわち、レジストパターン33を残した状態で、基部11と振動腕部12と突起部13とが形成される。   In the third step shown in FIG. 3 [3], the quartz vibrating piece 10 is formed by removing the exposed portion of the quartz substrate 31 that is not covered with the corrosion-resistant film 32 by wet etching. At this time, the shape of the slit 14 and the shape of the crystal vibrating piece 10 are formed simultaneously. At this time, the slit 14 is formed by under-etching from below the resist pattern 33. Therefore, the resist pattern 33 is left at least on the protrusion 13 in a state of straddling the slit 14. That is, the base 11, the vibrating arm 12, and the protrusion 13 are formed with the resist pattern 33 left.

なお、振動腕部12に溝部161〜164を設ける場合は、この第三工程で水晶振動片10の形状と同時に溝部161〜164を形成してもよい。ただし、振動腕部12の表裏面に溝部161〜164を設ける場合は、溝部161〜164の貫通を避けるために、溝部161〜164内にエッチング抑制パターンを形成することが望ましい。   In addition, when providing the groove parts 161-164 in the vibration arm part 12, you may form the groove parts 161-164 simultaneously with the shape of the crystal vibrating piece 10 at this 3rd process. However, when the groove portions 161 to 164 are provided on the front and back surfaces of the vibrating arm portion 12, it is desirable to form an etching suppression pattern in the groove portions 161 to 164 in order to avoid penetration of the groove portions 161 to 164.

図3[4]に示す第四工程では、レジストパターン33で覆われていない耐食膜32を、除去する。つまり、水晶振動片10の表裏面に露出した耐食膜32をエッチングで除去することにより、水晶表面を得る。   In the fourth step shown in FIG. 3 [4], the corrosion resistant film 32 not covered with the resist pattern 33 is removed. That is, the crystal surface is obtained by removing the corrosion-resistant film 32 exposed on the front and back surfaces of the crystal vibrating piece 10 by etching.

図4[5]に示す第五工程では、スリット14内を除く水晶振動片10の露出部分上及びレジストパターン33上に、電極膜34を形成する。例えば、水晶振動片10の全面に電極膜34をスパッタ技術により形成する。このとき、スリット14を跨いで突起部13を覆うレジストパターン33により、スリット14を跨いで突起部13の側面に電極膜34が形成される。   In the fifth step shown in FIG. 4 [5], the electrode film 34 is formed on the exposed portion of the crystal vibrating piece 10 and the resist pattern 33 except for the inside of the slit 14. For example, the electrode film 34 is formed on the entire surface of the quartz crystal vibrating piece 10 by a sputtering technique. At this time, the electrode film 34 is formed on the side surface of the protrusion 13 across the slit 14 by the resist pattern 33 covering the protrusion 13 across the slit 14.

図4[6]に示す第六工程では、レジストパターン33上に形成された電極膜34を、レジストパターン33とともに除去する。つまり、水晶振動片10の表裏に形成されたレジストパターン33と、その上に形成された電極膜34と、を剥離する。これは、感光性レジストを溶解する液(例えばアセトン)に、これらを浸すことにより容易に除去できる。ただし、レジストパターン33の下にある耐食膜32は残る。スリット14を跨いだレジストパターン33も除去されるため、第一振動腕部12aの側面の励振電極21bと第二振動腕部12bの側面の励振電極21aとはスリット14で切断された状態となる。この第六工程の電極膜形成方法は、一般にリフトオフ法と呼ばれる。   In the sixth step shown in FIG. 4 [6], the electrode film 34 formed on the resist pattern 33 is removed together with the resist pattern 33. That is, the resist pattern 33 formed on the front and back surfaces of the quartz crystal vibrating piece 10 and the electrode film 34 formed thereon are peeled off. This can be easily removed by immersing them in a solution (for example, acetone) for dissolving the photosensitive resist. However, the corrosion resistant film 32 under the resist pattern 33 remains. Since the resist pattern 33 straddling the slit 14 is also removed, the excitation electrode 21b on the side surface of the first vibrating arm portion 12a and the excitation electrode 21a on the side surface of the second vibrating arm portion 12b are cut by the slit 14. . This electrode film forming method in the sixth step is generally called a lift-off method.

図4[7]に示す第七工程では、レジストパターン33が除去されたことにより露出した耐食膜32を、除去する。つまり、最後まで残った耐食膜32をエッチングで除去する。   In the seventh step shown in FIG. 4 [7], the corrosion-resistant film 32 exposed by removing the resist pattern 33 is removed. That is, the corrosion-resistant film 32 remaining until the end is removed by etching.

このようにして水晶振動片10に励振電極21a,21bが形成されるので、スパッタ技術を用いても、第一振動腕部12aの側面の励振電極21bと第二振動腕部12bの側面の励振電極21aとをスリット14で切断した状態にできる。   Since the excitation electrodes 21a and 21b are thus formed on the quartz crystal vibrating piece 10, even if sputtering technology is used, the excitation electrodes 21b on the side surfaces of the first vibrating arm portion 12a and the side surfaces of the second vibrating arm portion 12b are excited. The electrode 21 a can be cut by the slit 14.

次に、本実施形態1の振動素子100について、関連技術と比較した場合の作用及び効果を説明する。   Next, the action and effect when the vibration element 100 of the first embodiment is compared with related technology will be described.

図1及び図2に示すように、突起部13の幅13wは先端131から基端133へ進むに従い広くなる。そのため、ウェットエッチングの作用が進みすぎることによる、突起部13が一部かけやすくなるなど突起部13の形状への影響を、突起部13の幅13wが広くなることにより低減できる。また、突起部13上に形成するレジストパターン33の幅も同様に広くなることにより、レジストパターン33に位置ずれが多少生じても、レジストパターン33がスリット14を十分に跨ぐことができる(図3[2]参照)。そして、突起部13とその上に形成されるレジストパターン33との接触面積も広くなることにより、ウェットエッチング液の圧力などによるレジストパターン33のはがれを抑制できる(図3[3]参照)。更に、幅広な形状ゆえに、突起部13形成後の電極膜形成、電気的検査、パッケージ実装、移送などの際に、突起部13が損傷することを抑制できる。このように、振動素子100によれば、突起部13の形状が前述のように幅広になっているので、製造歩留まりを向上できる。   As shown in FIGS. 1 and 2, the width 13 w of the protrusion 13 increases as the distance from the distal end 131 toward the proximal end 133 increases. For this reason, the influence on the shape of the protrusion 13 such that the protrusion 13 is likely to be partially applied due to excessive wet etching action can be reduced by increasing the width 13 w of the protrusion 13. Further, since the width of the resist pattern 33 formed on the protrusion 13 is also widened, the resist pattern 33 can sufficiently straddle the slit 14 even if the position of the resist pattern 33 is slightly shifted (FIG. 3). [Refer to [2]). Further, since the contact area between the protrusion 13 and the resist pattern 33 formed thereon is increased, peeling of the resist pattern 33 due to the pressure of the wet etching solution can be suppressed (see FIG. 3 [3]). Furthermore, because of the wide shape, it is possible to prevent the protrusion 13 from being damaged during electrode film formation, electrical inspection, package mounting, transfer, and the like after the protrusion 13 is formed. Thus, according to the vibration element 100, since the shape of the protrusion 13 is wide as described above, the manufacturing yield can be improved.

また、突起部13の幅13wは先端131が細く基端133が広くなっているので、スパッタ又は蒸着などの成膜時に電極材料が振動腕部12の内側の根元まで入り込みやすい。つまり、突起部13は、振動腕部12の内側側面に電極膜34を形成することを、妨害しにくい構造になっている(図4[5]参照)。したがって、振動腕部12の内側の根元まで十分に電極膜34を形成できるので、振動素子100の電界効率の低下を防止できる。特に、移行領域132の形状を三角形状とする場合は、移行領域132が外側に膨らまないので、すなわち成膜時に飛来する電極材料を遮蔽しにくいので、突起部13の面積を確保しつつ、電極材料を振動腕部12の内側の根元まで導くことができる。   Further, since the width 13w of the protrusion 13 is narrow at the tip 131 and the base end 133 is wide, the electrode material is likely to enter the root inside the vibrating arm 12 during film formation such as sputtering or vapor deposition. That is, the protrusion 13 has a structure that does not obstruct the formation of the electrode film 34 on the inner side surface of the vibrating arm 12 (see FIG. 4 [5]). Therefore, since the electrode film 34 can be sufficiently formed up to the inner base of the vibrating arm portion 12, it is possible to prevent a reduction in electric field efficiency of the vibrating element 100. In particular, when the shape of the transition region 132 is triangular, the transition region 132 does not bulge outward, that is, it is difficult to shield the electrode material flying during film formation. The material can be guided to the inner root of the vibrating arm portion 12.

更に、突起部13の幅13wは先端131から基端133へ進むに従い広くなることにより、ウェットエッチング後に水晶の残渣が生じる領域を狭くできる。そのため、図1及び図2に示すように、第一振動腕部12a側に生じる残渣15aと第二振動腕部12b側に生じる残渣15bとを、小さくかつ等しく形成できる。その結果、音叉の右側と左側との振動周波数を等しくできるので、CI値を低減できる。特に、振動腕部12の基部11に対する根元まで基端133が達するようにした場合は、振動腕部12に影響を与えることなく、水晶の残渣が生じる領域を最も狭くできるので、この効果がより顕著になる。   Further, the width 13w of the protrusion 13 increases as the distance from the distal end 131 to the proximal end 133 increases, so that a region where crystal residue is generated after wet etching can be reduced. Therefore, as shown in FIGS. 1 and 2, the residue 15a generated on the first vibrating arm portion 12a side and the residue 15b generated on the second vibrating arm portion 12b side can be formed small and equal. As a result, the vibration frequency on the right side and the left side of the tuning fork can be made equal, and the CI value can be reduced. In particular, when the base end 133 reaches the base of the base portion 11 of the vibrating arm portion 12, the region where the crystal residue is generated can be narrowed without affecting the vibrating arm portion 12. Become prominent.

以上のように、振動素子100によれば、突起部13の幅13wが先端131から基端133へ進むに従い広くなることにより、製造上の諸問題を解決できるので製造歩留まりを向上でき、しかも、二本の振動腕部12の根元に生ずる残渣15a,15bを小さくかつ等しくできるのでCI値を低減できる。   As described above, according to the vibration element 100, the width 13w of the protrusion 13 becomes wider as it advances from the distal end 131 to the proximal end 133, so that various manufacturing problems can be solved, so that the manufacturing yield can be improved. Since the residues 15a and 15b generated at the bases of the two vibrating arm portions 12 can be made small and equal, the CI value can be reduced.

図5は、実施形態2の振動素子の一部を示す平面図である。以下、この図面に基づき説明する。   FIG. 5 is a plan view illustrating a part of the resonator element according to the second embodiment. Hereinafter, description will be given based on this drawing.

本実施形態2の振動素子は、突起部43の形状が実施形態1と異なる。すなわち、本実施形態2における突起部43は、基部11から最も離れた先端431と、基部11に最も近い基端433と、基端433と先端431との間の移行領域432とに分けられる。スリット14は、基部11側から一方向(Y’軸方向)に沿って先端431まで設けられている。移行領域432において一方向(Y’軸方向)と垂直かつ二本の振動腕部12に交差する方向の長さを幅43wとしたとき、幅43wは先端431から基端433へ進むに従い広くなる。そして、移行領域432の形状は、外側に凸となる半円状である。   In the resonator element according to the second embodiment, the shape of the protrusion 43 is different from that of the first embodiment. That is, the protrusion 43 in the second embodiment is divided into a distal end 431 farthest from the base 11, a proximal end 433 closest to the base 11, and a transition region 432 between the proximal end 433 and the distal end 431. The slit 14 is provided from the base 11 side to the tip 431 along one direction (Y′-axis direction). In the transition region 432, when the length in the direction perpendicular to one direction (Y′-axis direction) and intersecting the two vibrating arm portions 12 is the width 43 w, the width 43 w becomes wider as the distance from the distal end 431 toward the proximal end 433 increases. . The shape of the transition region 432 is a semicircular shape that protrudes outward.

本実施形態2の振動素子によれば、移行領域432の形状を外側に凸となる半円状としたことにより、突起部43の面積及び突起部43とレジストパターン33との接触面積をより広くできるので、前述の効果がより顕著になる。本実施形態2のその他の構成、作用及び効果は、実施形態1のそれらと同様である。   According to the resonator element of the second embodiment, the shape of the transition region 432 is a semicircular shape that protrudes outward, so that the area of the protrusion 43 and the contact area between the protrusion 43 and the resist pattern 33 are wider. As a result, the above-described effects become more prominent. Other configurations, operations, and effects of the second embodiment are the same as those of the first embodiment.

以上、上記各実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細については、当業者が理解し得るさまざまな変更を加えることができる。また、本発明には、上記各実施形態の構成の一部又は全部を相互に適宜組み合わせたものも含まれる。   Although the present invention has been described with reference to the above embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments. Various changes that can be understood by those skilled in the art can be made to the configuration and details of the present invention. Further, the present invention includes a combination of some or all of the configurations of the above-described embodiments as appropriate.

100 振動素子
10 水晶振動片
11 基部
12 振動腕部
12a 第一振動腕部
12b 第二振動腕部
13 突起部
131 先端
132 移行領域
133 基端
13w 幅
14 スリット
15a,15b 残渣
161,162,163,164 溝部
21a,21b 励振電極
22a,22b 接続電極
23a,23b 配線パターン
31 水晶基板
311 露出部分
32 耐食膜
33 レジストパターン
34 電極膜
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Vibrating element 10 Crystal vibrating piece 11 Base 12 Vibrating arm part 12a 1st vibrating arm part 12b 2nd vibrating arm part 13 Protrusion part 131 Tip 132 Transition area 133 Base end 13w Width 14 Slit 15a, 15b Residues 161, 162, 163 164 Groove portion 21a, 21b Excitation electrode 22a, 22b Connection electrode 23a, 23b Wiring pattern 31 Quartz substrate 311 Exposed portion 32 Corrosion resistant film 33 Resist pattern 34 Electrode film

43 突起部
431 先端
432 移行領域
433 基端
43w 幅
43 Protruding part 431 Tip 432 Transition region 433 Base 43w Width

100’ 振動素子
10’ 水晶振動片
13’ 突起部
13w’ 幅
15a’,15b’ 残渣
100 'vibrating element 10' crystal vibrating piece 13 'protrusion 13w' width 15a ', 15b' residue

Claims (5)

基部と、この基部から同じ一方向に延設された二本の振動腕部と、これらの二本の振動腕部の間の前記基部から前記一方向へ延設された突起部と、この突起部に設けられたスリットと、からなる水晶振動片を備え、
前記突起部は、前記基部から最も離れた先端と、前記基部に最も近い基端と、この基端と前記先端との間の移行領域と、に分けられ、
前記スリットは前記基部側から前記一方向に沿って前記先端まで設けられ、
前記移行領域において前記一方向と垂直かつ前記二本の振動腕部に交差する方向の長さを幅としたとき、この幅は前記先端から前記基端へ進むに従い広くなる、
ことを特徴とする音叉型屈曲水晶振動素子。
A base, two vibrating arms extending in the same direction from the base, a protrusion extending in the one direction from the base between the two vibrating arms, and the protrusion A crystal vibrating piece comprising a slit provided in the section,
The protrusion is divided into a tip farthest from the base, a base end closest to the base, and a transition region between the base and the tip,
The slit is provided from the base side to the tip along the one direction,
When the length in a direction perpendicular to the one direction and intersecting the two vibrating arm portions in the transition region is defined as a width, the width increases as the distance from the distal end increases to the proximal end.
A tuning fork-type bending crystal resonator element characterized by that.
前記基端は、前記二本の振動腕部の前記基部に対する根元まで達する、
請求項1記載の音叉型屈曲水晶振動素子。
The proximal end reaches the root of the two vibrating arms with respect to the base,
The tuning-fork type bending crystal resonator element according to claim 1.
前記移行領域の形状が三角形状である、
請求項1又は2記載の音叉型屈曲水晶振動素子。
The transition region has a triangular shape;
The tuning-fork type bending crystal resonator element according to claim 1 or 2.
前記移行領域の形状が外側に凸となる半円状である、
請求項1乃至3のいずれか一つに記載の音叉型屈曲水晶振動素子。
The shape of the transition region is a semicircular shape that is convex outward,
The tuning fork-type bending quartz crystal vibrating element according to any one of claims 1 to 3.
請求項1乃至4のいずれか一つに記載の音叉型屈曲水晶振動素子を製造する方法であって、
水晶基板上に耐食膜を成膜しパターン化する第一工程と、
前記耐食膜上及び前記スリットとなる前記水晶基板の露出部分上にレジストパターンを形成する第二工程と、
前記耐食膜で覆われていない前記水晶基板の露出部分をウェットエッチングで除去することにより前記水晶振動片を形成する第三工程と、
前記レジストパターンで覆われていない前記耐食膜を除去する第四工程と、
前記スリット内を除く前記水晶振動片の露出部分上及び前記レジストパターン上に電極膜を形成する第五工程と、
前記レジストパターン上に形成された前記電極膜を前記レジストパターンとともに除去する第六工程と、
前記レジストパターンが除去されたことにより露出した前記耐食膜を除去する第七工程と、
を含むことを特徴とする音叉型屈曲水晶振動素子の製造方法。
A method for manufacturing a tuning-fork type bending crystal resonator element according to any one of claims 1 to 4,
A first step of forming and patterning a corrosion-resistant film on a quartz substrate;
A second step of forming a resist pattern on the corrosion-resistant film and on the exposed portion of the quartz crystal substrate serving as the slit;
A third step of forming the quartz crystal vibrating piece by removing the exposed portion of the quartz substrate not covered with the corrosion-resistant film by wet etching;
A fourth step of removing the corrosion-resistant film not covered with the resist pattern;
A fifth step of forming an electrode film on the exposed portion of the crystal vibrating piece excluding the inside of the slit and on the resist pattern;
A sixth step of removing the electrode film formed on the resist pattern together with the resist pattern;
A seventh step of removing the corrosion-resistant film exposed by removing the resist pattern;
A method for manufacturing a tuning-fork-type bending crystal resonator element, comprising:
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