JP5888403B2

JP5888403B2 - 低融点な電気アルミニウムめっき用めっき液の調製方法、電気アルミニウムめっき用めっき液、アルミニウム箔の製造方法、および、電気アルミニウムめっき用めっき液の融点を低下させる方法

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Publication number: JP5888403B2
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Inventors: 篤志岡本; 松田　純一; 純一松田
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Description

本発明は、リチウムイオン二次電池やスーパーキャパシター（電気二重層キャパシター、レドックスキャパシター、リチウムイオンキャパシターなど）といった蓄電デバイスの正極集電体などとして用いることができるアルミニウム箔を電解法によって製造する際などに好適に用いることができる、低融点な電気アルミニウムめっき用めっき液の調製方法、電気アルミニウムめっき用めっき液、アルミニウム箔の製造方法、および、電気アルミニウムめっき用めっき液の融点を低下させる方法に関する。

携帯電話やノートパソコンなどのモバイルツールの電源に、大きなエネルギー密度を持ち、かつ、放電容量の著しい減少が無いリチウムイオン二次電池が用いられていることは周知の事実であるが、近年、モバイルツールの小型化に伴い、そこに装着されるリチウムイオン二次電池にも小型化の要請がなされている。また、地球温暖化防止対策などの観点からのハイブリッド自動車や太陽光発電などの技術の進展に伴い、電気二重層キャパシター、レドックスキャパシター、リチウムイオンキャパシターなどの大きなエネルギー密度を持つスーパーキャパシターの新しい用途展開が加速しつつあり、これらのさらなる高エネルギー密度化が要求されている。
リチウムイオン二次電池やスーパーキャパシターといった蓄電デバイスは、例えば、電解質としてＬｉＰＦ_６やＮＲ_４・ＢＦ_４（Ｒはアルキル基）などの含フッ素化合物を含んだ有機電解液中に、正極と負極がポリオレフィンなどからなるセパレータを介して配された構造を持つ。正極はＬｉＣｏＯ_２（コバルト酸リチウム）や活性炭などの正極活物質と正極集電体からなるとともに、負極はグラファイトや活性炭などの負極活物質と負極集電体からなり、それぞれの形状は集電体の表面に活物質を塗布してシート状に成型したものが一般的である。各電極とも、大きな電圧がかかることに加え、腐食性が高い含フッ素化合物を含んだ有機電解液に浸漬されることから、特に、正極集電体の材料は、電気伝導性に優れるとともに、耐腐食性に優れることが求められる。このような事情から、現在、正極集電体の材料としては、ほぼ１００％に、電気良導体であり、かつ、表面に不働態膜を形成することで優れた耐腐食性を有するアルミニウムが採用されている。なお、負極集電体の材料としては銅やニッケルなどが挙げられる。

蓄電デバイスの小型化や高エネルギー密度化のための方法の一つとして、シート状に成型された電極を構成する集電体の薄膜化がある。現在のところ、正極集電体には、圧延法によって製造された厚みが１５〜２０μｍ程度のアルミニウム箔が用いられるのが一般的であるので、このアルミニウム箔の厚みをより薄くすることで目的を達成することができる。しかしながら圧延法では、工業的製造規模でこれ以上、箔の厚みを薄くすることは困難である。
そこで圧延法にかわるアルミニウム箔の製造方法として、アルミニウム箔を電解法によって製造する方法が考えられる。電解法による金属箔の製造は、例えば、ステンレス板などの基材の表面に電気めっきで金属被膜を形成した後、当該被膜を基材から剥離することによって行われるものであり、例えば銅箔の製造方法としてはよく知られているものである。しかしながら、アルミニウムは電気化学的に卑な金属であるため電気めっきが非常に難しいこともあり、アルミニウム箔を電解法によって製造することは容易なことではない。特許文献１には、アルミニウム箔を電解法によって製造する方法として、塩化アルミニウム５０〜７５モル％とアルキルピリジニウムクロリド２５〜５０モル％とからなる電解浴またはこの浴に有機溶媒を添加した電解浴を用いる方法が開示されているが、この方法は、めっき液の塩素濃度が非常に高い。そのため、めっき液に含まれる塩素がめっき処理中に大気中の水分と反応することで塩化水素ガスが発生し、設備の腐食を引き起こすといった問題があるので、塩化水素ガスの発生を防ぐための対策や発生した塩化水素ガスで設備が腐食することを防ぐための対策を講じる必要がある。また、特許文献１に記載の方法には、印加できる電流密度が最大でも２Ａ／ｄｍ^２程度であるため、成膜速度が遅いといった問題もある（印加電流密度をこれ以上高くするとめっき液の分解などが起こることによって安定にめっき処理を行うことができなくなる）。成膜速度はめっき液にベンゼンやトルエンなどの有機溶媒を添加することで改善を期待することができるが、これらの有機溶媒は毒性が高く、また、引火性が高いといった危険性があるため、廃液処理の容易性や安全性の点からは、めっき液にこれらの有機溶媒を添加することには問題があると言わざるを得ない。

以上の点に鑑み、本発明者らの研究グループは、塩素濃度が低いめっき液を用いた電解法によって、速い成膜速度で延性に富む高純度のアルミニウム箔を製造する方法の研究をこれまで精力的に行ってきており、その成果として、（１）ジアルキルスルホン、（２）アルミニウムハロゲン化物、および、（３）ハロゲン化アンモニウム、第一アミンのハロゲン化水素塩、第二アミンのハロゲン化水素塩、第三アミンのハロゲン化水素塩、一般式：Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４Ｎ・Ｘ（Ｒ^１〜Ｒ^４は同一または異なってアルキル基、Ｘは第四アンモニウムカチオンに対するカウンターアニオンを示す）で表される第四アンモニウム塩からなる群から選択される少なくとも１つの含窒素化合物を少なくとも含むめっき液を用いた電解法によって基材の表面にアルミニウム被膜を形成した後、当該被膜を基材から剥離する方法を特許文献２において提案している。特許文献２によれば、この電気アルミニウムめっき用めっき液におけるジアルキルスルホン、アルミニウムハロゲン化物、含窒素化合物の配合割合は、ジアルキルスルホン１０モルに対し、アルミニウムハロゲン化物は１．５〜４．０モルが望ましく、含窒素化合物は０．０１〜２．０モルが望ましいとされている。こうした配合割合のめっき液は、速い成膜速度で延性に富む高純度のアルミニウム箔を製造する際などに有用であるが、取扱性の点などにおいて改良の余地を残している。具体的には、こうした配合割合のめっき液は、溶媒成分として用いるジアルキルスルホンの融点が高いことから（例えばジメチルスルホンの融点は約１１０℃である）、電気めっき処理を行うに際してはめっき液の温度をジアルキルスルホンの融点以上にしなければめっき液が固化してしまって処理を行うことができないといった点や、２５℃の常温ではめっき液は固化しているので、めっき液の調製や廃棄などを簡易かつ円滑に行えないといった点から、めっき液の配合割合を大幅に変更することなく融点を低下させる方法が望まれていた。

電気アルミニウムめっき用めっき液の融点を低下させる方法に関して、本発明者らの研究グループによって提案した特許文献３には、ジアルキルスルホンとアルミニウムハロゲン化物を含む電気アルミニウムめっき用めっき液の場合、両者の配合割合をジアルキルスルホン１０モルに対しアルミニウムハロゲン化物４モルとすれば融点が低下して６０℃でも電気めっき処理が可能になると記載されている。しかしながら、特許文献３に記載のめっき液は、特許文献２に記載の含窒素化合物を含まないので、特許文献２に記載の含窒素化合物を含むめっき液においてもジアルキルスルホンとアルミニウムハロゲン化物の配合割合を前者１０モルに対し後者４モルとすれば必ず融点を低下させることができるかといえば、必ずしもできないことが本発明者らの検討によって明らかになった。

特開平１−１０４７９１号公報国際公開第２０１１／００１９３２号特許第４６０９７７７号公報

そこで本発明は、速い成膜速度で延性に富む高純度のアルミニウム箔を製造する際などに有用な電気アルミニウムめっき用めっき液であって、２５℃でも固化せずに電気めっき処理を行うことができる、取扱性に優れためっき液を調製する方法、この方法によって調製される電気アルミニウムめっき用めっき液、この電気アルミニウムめっき用めっき液を用いたアルミニウム箔の製造方法、および、電気アルミニウムめっき用めっき液の融点を低下させる方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記の点に鑑みて鋭意検討を行った結果、ジアルキルスルホン、アルミニウムハロゲン化物、含窒素化合物を含む電気アルミニウムめっき用めっき液を調製するに際してのジアルキルスルホンに対するアルミニウムハロゲン化物と含窒素化合物の配合割合が、前者の配合割合を後者の配合割合に依存させた所定の関係にある場合、得られるめっき液は低融点であって、２５℃でも固化せずに流動性を有することを見出した。

上記の知見に基づいてなされた本発明の融点が２５℃以下の電気アルミニウムめっき用めっき液の調製方法は、請求項１記載の通り、（１）ジアルキルスルホン、（２）アルミニウムハロゲン化物、および、（３）含窒素化合物を、ジアルキルスルホン１０モルに対し、アルミニウムハロゲン化物は３．５＋ｎ〜４．２＋ｎモル、含窒素化合物はｎモル（ただしｎは０．００１〜０．１モル）に配合することを特徴とする。
また、請求項２記載の電気アルミニウムめっき用めっき液の調製方法は、請求項１記載の電気アルミニウムめっき用めっき液の調製方法において、ジアルキルスルホンがジメチルスルホンであることを特徴とする。
また、請求項３記載の電気アルミニウムめっき用めっき液の調製方法は、請求項１記載の電気アルミニウムめっき用めっき液の調製方法において、含窒素化合物が、ハロゲン化アンモニウム、第一アミンのハロゲン化水素塩、第二アミンのハロゲン化水素塩、第三アミンのハロゲン化水素塩、一般式：Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４Ｎ・Ｘ（Ｒ^１〜Ｒ^４は同一または異なってアルキル基、Ｘは第四アンモニウムカチオンに対するカウンターアニオンを示す）で表される第四アンモニウム塩、含窒素芳香族化合物からなる群から選択される少なくとも１つであることを特徴とする。
また、本発明のアルミニウム箔の製造方法は、請求項４記載の通り、（１）ジアルキルスルホン、（２）アルミニウムハロゲン化物、および、（３）含窒素化合物を、ジアルキルスルホン１０モルに対し、アルミニウムハロゲン化物は３．５＋ｎ〜４．２＋ｎモル、含窒素化合物はｎモル（ただしｎは０．００１〜０．１モル）に配合することによって調製されてなる融点が２５℃以下の電気アルミニウムめっき用めっき液を用いた電解法によって基材の表面にアルミニウム被膜を形成した後、当該被膜を基材から剥離することを特徴とする。
また、請求項５記載のアルミニウム箔の製造方法は、請求項４記載のアルミニウム箔の製造方法において、めっき液の温度が２５〜８０℃であることを特徴とする。
また、本発明の電気アルミニウムめっき用めっき液の融点を低下させる方法は、請求項６記載の通り、（１）ジアルキルスルホン、（２）アルミニウムハロゲン化物、および、（３）含窒素化合物を少なくとも含む電気アルミニウムめっき用めっき液を調製するに際してのジアルキルスルホン、アルミニウムハロゲン化物、含窒素化合物の配合割合を、ジアルキルスルホン１０モルに対し、アルミニウムハロゲン化物は３．５＋ｎ〜４．２＋ｎモル、含窒素化合物はｎモル（ただしｎは０．００１〜０．１モル）とすることを特徴とする。

本発明によれば、速い成膜速度で延性に富む高純度のアルミニウム箔を製造する際などに有用な電気アルミニウムめっき用めっき液であって、２５℃でも固化せずに電気めっき処理を行うことができる、取扱性に優れためっき液を調製する方法、この方法によって調製される電気アルミニウムめっき用めっき液、この電気アルミニウムめっき用めっき液を用いたアルミニウム箔の製造方法、および、電気アルミニウムめっき用めっき液の融点を低下させる方法を提供することができる。また、本発明の方法によって調製される電気アルミニウムめっき用めっき液には、通電量に対するアルミニウムの析出効率が高い電気めっき処理が可能であり、よって電気使用量の削減が図れて経済性に優れるという利点がある。

本発明の方法によって調製される電気アルミニウムめっき用めっき液を用いて製造されたアルミニウム箔を蓄電デバイス用正極集電体として利用した蓄電デバイスの一例の概略図である。図１のＡ−Ａ断面である。

本発明の電気アルミニウムめっき用めっき液の調製方法は、（１）ジアルキルスルホン、（２）アルミニウムハロゲン化物、および、（３）含窒素化合物を少なくとも含む電気アルミニウムめっき用めっき液の調製方法であって、めっき液を調製するに際してのジアルキルスルホン、アルミニウムハロゲン化物、含窒素化合物の配合割合を、ジアルキルスルホン１０モルに対し、アルミニウムハロゲン化物は３．５＋ｎ〜４．２＋ｎモル、含窒素化合物はｎモル（ただしｎは０．００１〜２．０モル）とすることで、めっき液の融点を２５℃以下とすることを特徴とするものである。本発明の方法は、電気アルミニウムめっき用めっき液の構成成分の配合割合を特許文献２において望ましいとされている配合割合から大幅に変更することなく２５℃でも固化せずに流動性を有する低融点なめっき液を調製することができる方法である。とりわけ、めっき液の電気伝導性の改善に基づく高電流密度印加でのめっき処理の実現による成膜速度の向上、アルミニウム箔の高純度化や延性の向上などに寄与する含窒素化合物のジアルキルスルホンに対する配合割合を、特許文献２において望ましいとされている配合割合から変更していないので、本発明の方法によって調製されるめっき液は、速い成膜速度で延性に富む高純度のアルミニウム箔を製造する際などに有用である。また、本発明の方法によって調製されるめっき液には、通電量に対するアルミニウムの析出効率が高い電気めっき処理が可能であり、よって電気使用量の削減が図れて経済性に優れるという利点がある。

めっき液を調製するに際してのジアルキルスルホンに対するアルミニウムハロゲン化物と含窒素化合物の配合割合が、前者の配合割合を後者の配合割合に依存させた上記の関係にある場合、２５℃でも固化せずに流動性を有する低融点なめっき液が得られる理由は必ずしも明らかではないが、現時点において本発明者らは次のように推察している。特許文献３に記載の通り、ジアルキルスルホン１０モルに対するアルミニウムハロゲン化物の配合割合が４モルの場合、めっき液の融点が低下するが、これは、ジアルキルスルホンに対するアルミニウムハロゲン化物の配合割合がこの数値付近においては、めっき液中におけるアルミニウムイオンに配位して錯体を形成するジアルキルスルホンの割合が高く、錯体を形成していない遊離のジアルキルスルホンの割合が低いことに起因すると考えられる。ここに含窒素化合物が配合されると、アルミニウムイオンに配位して錯体を形成するジアルキルスルホンの割合が減少することで、錯体を形成していない遊離のジアルキルスルホンの割合が増加するが、含窒素化合物の配合モル数の分だけアルミニウムハロゲン化物を追加配合すると、アルミニウムイオンに配位して錯体を形成するジアルキルスルホンの割合が増加することで、錯体を形成していない遊離のジアルキルスルホンの割合が減少し、その結果、めっき液の融点が低下すると考えられる。

本発明の方法によって調製される電気アルミニウムめっき用めっき液に含ませるジアルキルスルホンとしては、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ジプロピルスルホン、ジヘキシルスルホン、メチルエチルスルホンなどのアルキル基の炭素数が１〜６のもの（直鎖状でも分岐状でもよい）を例示することができるが、良好な電気伝導性や入手の容易性などの観点からはジメチルスルホンを好適に採用することができる。

アルミニウムハロゲン化物としては、塩化アルミニウムや臭化アルミニウムなどを例示することができるが、アルミニウムの析出を阻害する要因となるめっき液に含まれる水分の量を可能な限り少なくするという観点から、用いるアルミニウムハロゲン化物は無水物であることが望ましい。

含窒素化合物は、１つの分子中に１つ以上の窒素原子を有する化合物を意味する。好適に採用することができる含窒素化合物としては、ハロゲン化アンモニウム、第一アミンのハロゲン化水素塩、第二アミンのハロゲン化水素塩、第三アミンのハロゲン化水素塩、一般式：Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４Ｎ・Ｘ（Ｒ^１〜Ｒ^４は同一または異なってアルキル基、Ｘは第四アンモニウムカチオンに対するカウンターアニオンを示す）で表される第四アンモニウム塩、含窒素芳香族化合物などが挙げられる。これらの含窒素化合物は単独で用いてもよいし、複数種類を混合して用いてもよい。

含窒素化合物として採用することができるハロゲン化アンモニウムとしては、塩化アンモニウムや臭化アンモニウムなどを例示することができる。また、第一アミン〜第三アミンとしては、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、プロピルアミン、ジプロピルアミン、トリプロピルアミン、ヘキシルアミン、メチルエチルアミンなどのアルキル基の炭素数が１〜６のもの（直鎖状でも分岐状でもよい）を例示することができる。ハロゲン化水素としては、塩化水素や臭化水素などを例示することができる。一般式：Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４Ｎ・Ｘ（Ｒ^１〜Ｒ^４は同一または異なってアルキル基、Ｘは第四アンモニウムカチオンに対するカウンターアニオンを示す）で表される第四アンモニウム塩におけるＲ^１〜Ｒ^４で示されるアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ヘキシル基などの炭素数が１〜６のもの（直鎖状でも分岐状でもよい）を例示することができる。Ｘとしては塩素イオンや臭素イオンやヨウ素イオンなどのハロゲン化物イオンの他、ＢＦ_４ ⁻やＰＦ_６ ⁻などを例示することができる。具体的な化合物としては、塩化テトラメチルアンモニウム、臭化テトラメチルアンモニウム、ヨウ化テトラメチルアンモニウム、四フッ化ホウ素テトラエチルアンモニウムなどを例示することができる。含窒素芳香族化合物としては、フェナントロリンなどを例示することができる。好適な含窒素化合物としては、速い成膜速度で延性に富む高純度のアルミニウム箔の製造を容易にする点において第三アミンの塩酸塩、例えばトリメチルアミン塩酸塩を挙げることができる。

本発明の方法によって調製される電気アルミニウムめっき用めっき液においては、ジアルキルスルホン、アルミニウムハロゲン化物、含窒素化合物の配合割合を、ジアルキルスルホン１０モルに対し、アルミニウムハロゲン化物は３．５＋ｎ〜４．２＋ｎモル、含窒素化合物はｎモル（ただしｎは０．００１〜２．０モル）とする。本発明において重要な点は、ジアルキルスルホンに対するアルミニウムハロゲン化物の配合割合を、ジアルキルスルホンに対する含窒素化合物の配合割合に依存させる点であり、上記の関係を満たす配合割合でこれらの成分を混合してめっき液を調製すると、２５℃でも固化せずに流動性を有する低融点なめっき液を得ることができる。また、本発明の方法によって調製されるめっき液には、通電量に対するアルミニウムの析出効率が高い電気めっき処理が可能であり、よって電気使用量の削減が図れて経済性に優れるという利点がある。なお、めっき液の調製は、窒素ガスや不活性ガスの雰囲気下、これらの成分の混合物をジアルキルスルホンの融点まで加温し、アルミニウムハロゲン化物と含窒素化合物を溶融したジアルキルスルホンに溶解させることで行うことが望ましい。ジアルキルスルホンに対する含窒素化合物の配合割合を、ジアルキルスルホン１０モルに対し０．００１〜２．０モルとするのは、０．００１モルを下回ると配合することの効果、即ち、めっき液の電気伝導性の改善に基づく高電流密度印加でのめっき処理の実現による成膜速度の向上、アルミニウム箔の高純度化や延性の向上などの効果が得られにくくなる恐れがある一方、２．０モルを超えるとめっき液の組成が本質的に変わってしまうことでアルミニウムが析出しなくなってしまう恐れがあるからである。ジアルキルスルホンに対する含窒素化合物の配合割合は、ジアルキルスルホン１０モルに対し０．０５〜１．５モルが望ましい。ジアルキルスルホンに対するアルミニウムハロゲン化物の配合割合を、ジアルキルスルホン１０モルに対する含窒素化合物の配合割合ｎモルに依存させて３．５＋ｎ〜４．２＋ｎモルとするのは、３．５＋ｎモルを下回っても４．２＋ｎモルを超えてもめっき液の融点が低下しない恐れや通電量に対するアルミニウムの析出効率が低下する恐れがあるからである。また、ジアルキルスルホンに対するアルミニウムハロゲン化物の配合割合は、少なすぎると形成されるアルミニウム被膜が黒ずんでしまう現象（焼けと呼ばれる現象）が発生する恐れや成膜効率が低下する恐れがある一方、多すぎるとめっき液の液抵抗が高くなりすぎることでめっき液が発熱して分解する恐れがある。ジアルキルスルホンに対するアルミニウムハロゲン化物の配合割合は、ジアルキルスルホン１０モルに対し３．８＋ｎ〜４．０＋ｎモルが望ましい。

本発明の方法によって調製される電気アルミニウムめっき用めっき液を用いてアルミニウム箔を製造する場合、電解法によって基材の表面にアルミニウム被膜を形成した後、当該被膜を基材から剥離することで行えばよい。本発明の方法によって調製されるめっき液は、２５℃でも固化せずに流動性を有する低融点なものである。従って、めっき液の温度が２５℃でも電気めっき処理を行うことができる。例えばめっき液の温度が２５〜８０℃で電気めっき処理を行う場合、印加電流密度は２〜１５Ａ／ｄｍ^２が望ましい。印加電流密度が２Ａ／ｄｍ^２を下回ると成膜効率が低下する恐れがある一方、１５Ａ／ｄｍ^２を超えると含窒素化合物の分解などが原因で安定なめっき処理が行えなくなったり延性に富む高純度のアルミニウム箔が得られなくなったりする恐れがある。印加電流密度は３〜１２Ａ／ｄｍ^２がより望ましい。本発明の方法によって調製されるめっき液は、電気めっき処理を行う際に８０℃を超える温度に加温して用いることもできる。めっき液の温度を高めると、めっき液の粘度が低下することで電気伝導性が向上する。本発明の方法によって調製されるめっき液は、８０℃を超える温度に加温した場合、１５Ａ／ｄｍ^２を超える電流密度を印加することができるので、効率的な電気めっき処理が可能となる（印加電流密度の上限は例えば６０Ａ／ｄｍ^２である）。なお、電気めっき処理を行う際のめっき液の温度の上限は例えば１５０℃である。めっき液の温度が１５０℃を超えると、めっき液の無視できない蒸発が起こることでその組成が変化してしまう恐れや、基材の表面に形成されたアルミニウム被膜とめっき液との間での反応が活発化し、アルミニウム被膜中に不純物が多く取り込まれることでその純度が低下する恐れがある。電気めっき処理の時間は、アルミニウム箔の所望する厚み、めっき液の温度や印加電流密度などにも依存するが、通常、０．５〜９０分間である。電気めっき処理の環境は、めっき液の劣化を防いでその寿命の延長を図る観点から、乾燥雰囲気にすることが望ましい。

アルミニウム被膜を形成するための基材（陰極）としては、ステンレス板、チタン板、アルミニウム板、ニッケル板、銅板などを例示することができる。通常、基材からのアルミニウム被膜の剥離を容易ならしめるためには、基材の表面は鏡面加工が施されるなどすることによって可能な限り平滑であることが望ましいが、本発明の方法によって調製される電気アルミニウムめっき用めっき液を用いて基材の表面に形成されたアルミニウム被膜は、基材に対してこのような加工を施さなくても剥離が容易であるという特徴を有する（その理由は必ずしも明らかではないが基材の表面にアルミニウム被膜が形成される際に基材に接する側のアルミニウム被膜の表面付近にめっき液に由来するＳとＣｌが濃化することが関係しているものと推察される）。なお、陽極の材料としては、例えばアルミニウムを例示することができる。基材からのアルミニウム被膜の剥離はバッチ的に行うことができる他、陰極ドラムを用いてアルミニウム被膜の形成と剥離を連続的に行うこともできる（例えば特開平６−９３４９０号公報）。

本発明の方法によって調製される電気アルミニウムめっき用めっき液を用いれば、めっき液の温度が８０℃以下であっても、現在のところ、圧延法では製造が非常に困難である厚みが１５μｍ以下のアルミニウム箔、さらには圧延法では製造が不可能といっても過言ではない厚みが１０μｍ以下のアルミニウム箔を、電解法によって製造することができる。また、本発明の方法によって調製されるめっき液には、通電量に対するアルミニウムの析出効率が高い電気めっき処理が可能であり、よって電気使用量の削減が図れて経済性に優れるという利点がある。さらに、本発明の方法によって調製されるめっき液を用いて得られるアルミニウム箔は延性に富むことに加え、高純度である。具体的には、本発明の方法によって調製されるめっき液を用いれば、例えば、アルミニウムの含量が９７．０〜９９．９ｍａｓｓ％、ＳとＣｌの含量がともに１．５ｍａｓｓ％以下であり（標準的には０．０１〜０．５ｍａｓｓ％）、厚みが１〜１５μｍであるアルミニウム箔（大気中からの混入不可避のＣやＯを微量含むこともある）を容易に製造することができる。製造されたアルミニウム箔は、蓄電デバイスの小型化や高エネルギー密度化のための薄膜化された正極集電体などとして用いることができる。なお、本発明の方法によって調製されるめっき液は、速い成膜速度で延性に富む高純度のアルミニウム箔を製造する際に利用することができるだけでなく、意匠性や耐候性を各種の物品に付与するためのアルミニウムコーティングを行う際に利用することもできる。また、本発明の方法によって調製されるめっき液は、成膜速度を速めるためにベンゼンやトルエンなどの有機溶媒を添加するといった必要がないので、その水洗が可能であり廃液処理を容易に行うことができるという利点を有する。

以下、本発明を実施例によって詳細に説明するが、本発明は以下の記載に限定して解釈されるものではない。

実施例１：
窒素ガス雰囲気下、ジメチルスルホン、無水塩化アルミニウム、トリメチルアミン塩酸塩を表１に示す６種類のモル比で混合し、１１０℃で溶解させて電気アルミニウムめっき用めっき液を調製した。自然放熱によってめっき液を室温（２５℃）まで冷却した後、２４時間放置してからその性状を目視によって観察した。結果を表１に示す。なお、表１における「本発明該当性」は、含窒素化合物であるトリメチルアミン塩酸塩のモル数をｎとした時に無水塩化アルミニウムのモル数が３．５＋ｎ〜４．２＋ｎの範囲内にあれば「該当」、範囲外であれば「非該当」とする。

表１から明らかなように、めっき液がトリメチルアミン塩酸塩を含む場合、特許文献３の記載に従ってジメチルスルホンと無水塩化アルミニウムの配合割合を前者１０モルに対し後者４モルとすれば必ず融点が低下するというわけではなく、ジメチルスルホンに対するトリメチルアミン塩酸塩の配合割合が多いと２５℃で固化することがわかった。

表１に記載のめっき液Ｎｏ．１〜４のそれぞれを用い、３Ａ／ｄｍ^２の印加電流密度で、めっき液を３０℃に保って攪拌しながら電気めっき処理を１５分間行った。なお、陽極には純度９９．９９％のアルミニウム板、陰極（アルミニウム被膜を形成するための基材）には銅板を用いた。１５分後、銅板をめっき液から取り出し、水洗を行ってから乾燥した後、その表面を目視によって観察したところ、銅板の表面には白色のアルミニウム被膜が形成されていた。また、１８Ａ／ｄｍ^２の印加電流密度で、めっき液を１００℃に保って攪拌しながら電気めっき処理を５分間行った場合も、銅板の表面に白色のアルミニウム被膜を形成することができた。いずれの電気めっき処理によって表面にアルミニウム被膜が形成された銅板も、その端部からアルミニウム被膜と銅板の間に介入させたピンセットを銅板に沿って滑らせるように移動させると、アルミニウム被膜は銅板から容易に剥離し、白色のアルミニウム箔が得られた。

また、表１に記載のめっき液Ｎｏ．１〜６のそれぞれを用い、３Ａ／ｄｍ^２の印加電流密度で、めっき液を１００℃に保って攪拌しながら電気めっき処理を１５分間行って、それぞれの通電量に対するアルミニウムの析出効率（電析効率）を以下の数式にて算出した。その結果、本発明のめっき液に該当するめっき液Ｎｏ．１は８７％、めっき液Ｎｏ．２は９４％、めっき液Ｎｏ．３は９５％、めっき液Ｎｏ．４は８５％であり、いずれの電析効率も８５％以上であったが、本発明のめっき液に該当しないめっき液Ｎｏ．５は８３％、めっき液Ｎｏ．６は７９％であり、いずれの電析効率も８５％未満であった。なお、本発明のめっき液に該当するめっき液Ｎｏ．１〜４は、めっき液を３０℃に保って電気めっき処理を行った場合でも電析効率は同じ数値であった。

電析効率（％）＝析出したアルミニウム質量（ｇ）／［通電電流値（Ａ）×通電時間（秒）×２７÷３÷９６５００（Ｃ）］×１００
（式中、通電電流値（Ａ）は印過電流密度（Ａ／ｄｍ^２）と陰極表面積（ｄｍ^２）の積、２７はアルミニウムの原子量、３はアルミニウムの原子価である）

実施例２：
窒素ガス雰囲気下、ジメチルスルホン、無水塩化アルミニウム、トリメチルアミン塩酸塩を表２に示す６種類のモル比で混合し、１１０℃で溶解させて電気アルミニウムめっき用めっき液を調製した。また、窒素ガス雰囲気下、ジメチルスルホン、無水塩化アルミニウム、塩化テトラメチルアンモニウムを表３に示す６種類のモル比で混合し、１１０℃で溶解させて電気アルミニウムめっき用めっき液を調製した。さらに、窒素ガス雰囲気下、ジメチルスルホン、無水塩化アルミニウム、トリメチルアミン塩酸塩を表４に示す６種類のモル比で混合し、１１０℃で溶解させて電気アルミニウムめっき用めっき液を調製した。自然放熱によってめっき液を室温（２５℃）まで冷却した後、２４時間放置してからその性状を目視によって観察した。結果を表２〜４に示す。なお、表２〜４における「本発明該当性」は、含窒素化合物であるトリメチルアミン塩酸塩または塩化テトラメチルアンモニウムのモル数をｎとした時に無水塩化アルミニウムのモル数が３．５＋ｎ〜４．２＋ｎの範囲内にあれば「該当」、範囲外であれば「非該当」とする。

表２〜４から明らかなように、ジアルキルスルホンに対する含窒素化合物の配合割合に応じてアルミニウムハロゲン化物の配合割合を変化させることで、２５℃でも固化せずに流動性を有するめっき液が得られることがわかった。以上の結果をもとに、めっき液を調製するに際してのジアルキルスルホン、アルミニウムハロゲン化物、含窒素化合物の配合割合をさらに検討したところ、ジアルキルスルホン１０モルに対し、アルミニウムハロゲン化物は３．５＋ｎ〜４．２＋ｎモル、含窒素化合物はｎモル（ただしｎは０．００１〜２．０モル）とした場合、得られるめっき液は低融点であって、２５℃でも固化せずに流動性を有することがわかった。

表２〜４に記載のめっき液Ｎｏ．２〜５のそれぞれを用い、３Ａ／ｄｍ^２の印加電流密度で、めっき液を３０℃に保って攪拌しながら電気めっき処理を１５分間行った。なお、陽極には純度９９．９９％のアルミニウム板、陰極（アルミニウム被膜を形成するための基材）には銅板を用いた。１５分後、銅板をめっき液から取り出し、水洗を行ってから乾燥した後、その表面を目視によって観察したところ、銅板の表面には白色のアルミニウム被膜が形成されていた。また、１８Ａ／ｄｍ^２の印加電流密度で、めっき液を１００℃に保って攪拌しながら電気めっき処理を５分間行った場合も、銅板の表面に白色のアルミニウム被膜を形成することができた。いずれの電気めっき処理によって表面にアルミニウム被膜が形成された銅板も、その端部からアルミニウム被膜と銅板の間に介入させたピンセットを銅板に沿って滑らせるように移動させると、アルミニウム被膜は銅板から容易に剥離し、白色のアルミニウム箔が得られた。

また、表２に記載のめっき液Ｎｏ．１〜６のそれぞれの通電量に対するアルミニウムの析出効率（電析効率）を実施例１に記載の方法と同様にして算出した。その結果、本発明のめっき液に該当するめっき液Ｎｏ．２は９２％、めっき液Ｎｏ．３は９５％、めっき液Ｎｏ．４は９３％、めっき液Ｎｏ．５は９３％であり、いずれの電析効率も８５％以上であったが、本発明のめっき液に該当しないめっき液Ｎｏ．１は８４％、めっき液Ｎｏ．６は８４％であり、いずれの電析効率も８５％未満であった。表３と表４に記載のめっき液Ｎｏ．１〜６のそれぞれの通電量に対するアルミニウムの析出効率（電析効率）も実施例１に記載の方法と同様にして算出したところ、本発明のめっき液に該当するめっき液Ｎｏ．２〜５の電析効率はいずれも８５％以上であったが、本発明のめっき液に該当しないめっき液Ｎｏ．１，６の電析効率はいずれも８５％未満であった。

実施例３：
窒素ガス雰囲気下、ジメチルスルホン、無水塩化アルミニウム、トリメチルアミン塩酸塩をモル比で１０：３．８：０．００１の割合で混合し、１１０℃で溶解させて電気アルミニウムめっき用めっき液を調製した。自然放熱によってめっき液を室温（２５℃）まで冷却した後、２４時間放置してからその性状を目視によって観察したところ、固化せずに流動性を有するものであった。このめっき液を用い、５０Ａ／ｄｍ^２の印加電流密度で、めっき液を１４５℃に保って攪拌しながら電気めっき処理を３分間行うと（陽極：純度９９．９９％のアルミニウム板、陰極：銅板）、白色のアルミニウム被膜が銅板の表面に形成された。こうして行った電気めっき処理における通電量に対するアルミニウムの析出効率（電析効率）を実施例１に記載の数式にて算出したところ９９％であった。表面にアルミニウム被膜が形成された銅板の端部からアルミニウム被膜と銅板の間に介入させたピンセットを銅板に沿って滑らせるように移動させると、アルミニウム被膜は銅板から容易に剥離し、白色のアルミニウム箔が得られた。

実施例４：
窒素ガス雰囲気下、ジメチルスルホン、無水塩化アルミニウム、トリメチルアミン塩酸塩をモル比で１０：３．８：０．１の割合で混合し、１１０℃で溶解させて電気アルミニウムめっき用めっき液を調製した。自然放熱によってめっき液を室温（２５℃）まで冷却した後、２４時間放置してからその性状を目視によって観察したところ、固化せずに流動性を有するものであった。実施例３に記載の方法と同様にして電気めっき処理を行うと、白色のアルミニウム被膜が銅板の表面に形成された。こうして行った電気めっき処理における通電量に対するアルミニウムの析出効率（電析効率）を実施例１に記載の数式にて算出したところ９０％であった。表面にアルミニウム被膜が形成された銅板の端部からアルミニウム被膜と銅板の間に介入させたピンセットを銅板に沿って滑らせるように移動させると、アルミニウム被膜は銅板から容易に剥離し、白色のアルミニウム箔が得られた。

実施例５：
窒素ガス雰囲気下、ジメチルスルホン、無水塩化アルミニウム、塩化アンモニウムをモル比で１０：３．８：０．０１の割合で混合し、１１０℃で溶解させて電気アルミニウムめっき用めっき液を調製した。自然放熱によってめっき液を室温（２５℃）まで冷却した後、２４時間放置してからその性状を目視によって観察したところ、固化せずに流動性を有するものであった。このめっき液を用い、７Ａ／ｄｍ^２の印加電流密度で、めっき液を６０℃に保って攪拌しながら電気めっき処理を１５分間行うと（陽極：純度９９．９９％のアルミニウム板、陰極：銅板）、白色のアルミニウム被膜が銅板の表面に形成された。こうして行った電気めっき処理における通電量に対するアルミニウムの析出効率（電析効率）を実施例１に記載の数式にて算出したところ８９％であった。表面にアルミニウム被膜が形成された銅板の端部からアルミニウム被膜と銅板の間に介入させたピンセットを銅板に沿って滑らせるように移動させると、アルミニウム被膜は銅板から容易に剥離し、白色のアルミニウム箔が得られた。

実施例６：
窒素ガス雰囲気下、ジメチルスルホン、無水塩化アルミニウム、ジメチルアミン塩酸塩をモル比で１０：３．８：０．０１の割合で混合し、１１０℃で溶解させて電気アルミニウムめっき用めっき液を調製した。自然放熱によってめっき液を室温（２５℃）まで冷却した後、２４時間放置してからその性状を目視によって観察したところ、固化せずに流動性を有するものであった。このめっき液を用い、実施例５に記載の方法と同様にして電気めっき処理を行うと、白色のアルミニウム被膜が銅板の表面に形成された。こうして行った電気めっき処理における通電量に対するアルミニウムの析出効率（電析効率）を実施例１に記載の数式にて算出したところ９２％であった。表面にアルミニウム被膜が形成された銅板の端部からアルミニウム被膜と銅板の間に介入させたピンセットを銅板に沿って滑らせるように移動させると、アルミニウム被膜は銅板から容易に剥離し、白色のアルミニウム箔が得られた。

実施例７：
窒素ガス雰囲気下、ジメチルスルホン、無水塩化アルミニウム、塩化テトラメチルアンモニウムをモル比で１０：３．８：０．０１の割合で混合し、１１０℃で溶解させて電気アルミニウムめっき用めっき液を調製した。自然放熱によってめっき液を室温（２５℃）まで冷却した後、２４時間放置してからその性状を目視によって観察したところ、固化せずに流動性を有するものであった。このめっき液を用い、実施例５に記載の方法と同様にして電気めっき処理を行うと、白色のアルミニウム被膜が銅板の表面に形成された。こうして行った電気めっき処理における通電量に対するアルミニウムの析出効率（電析効率）を実施例１に記載の数式にて算出したところ８５％であった。表面にアルミニウム被膜が形成された銅板の端部からアルミニウム被膜と銅板の間に介入させたピンセットを銅板に沿って滑らせるように移動させると、アルミニウム被膜は銅板から容易に剥離し、白色のアルミニウム箔が得られた。

実施例８：
窒素ガス雰囲気下、ジメチルスルホン、無水塩化アルミニウム、フェナントロリンをモル比で１０：３．８：０．００１の割合で混合し、１１０℃で溶解させて電気アルミニウムめっき用めっき液を調製した。自然放熱によってめっき液を室温（２５℃）まで冷却した後、２４時間放置してからその性状を目視によって観察したところ、固化せずに流動性を有するものであった。このめっき液を用い、実施例５に記載の方法と同様にして電気めっき処理を行うと、白色のアルミニウム被膜が銅板の表面に形成された。こうして行った電気めっき処理における通電量に対するアルミニウムの析出効率（電析効率）を実施例１に記載の数式にて算出したところ９０％であった。表面にアルミニウム被膜が形成された銅板の端部からアルミニウム被膜と銅板の間に介入させたピンセットを銅板に沿って滑らせるように移動させると、アルミニウム被膜は銅板から容易に剥離し、白色のアルミニウム箔が得られた。

実施例９：
表３に記載のめっき液Ｎｏ．４を用い、１５Ａ／ｄｍ^２の印加電流密度で、めっき液を９０℃に保って攪拌しながら電気めっき処理を１５分間行うと（陽極：純度９９．９９％のアルミニウム板、陰極：銅板）、白色のアルミニウム被膜が銅板の表面に形成された。こうして行った電気めっき処理における通電量に対するアルミニウムの析出効率（電析効率）を実施例１に記載の数式にて算出したところ８５％であった。表面にアルミニウム被膜が形成された銅板の端部からアルミニウム被膜と銅板の間に介入させたピンセットを銅板に沿って滑らせるように移動させると、アルミニウム被膜は銅板から容易に剥離し、白色のアルミニウム箔が得られた。

実施例１０：
窒素ガス雰囲気下、ジメチルスルホン、無水塩化アルミニウム、塩化テトラメチルアンモニウムをモル比で１０：５．８：２．０の割合で混合し、１１０℃で溶解させて電気アルミニウムめっき用めっき液を調製した。自然放熱によってめっき液を室温（２５℃）まで冷却した後、２４時間放置してからその性状を目視によって観察したところ、固化せずに流動性を有するものであった。このめっき液を用い、１５Ａ／ｄｍ^２の印加電流密度で、めっき液を１１５℃に保って攪拌しながら電気めっき処理を１５分間行うと（陽極：純度９９．９９％のアルミニウム板、陰極：銅板）、白色のアルミニウム被膜が銅板の表面に形成された。こうして行った電気めっき処理における通電量に対するアルミニウムの析出効率（電析効率）を実施例１に記載の数式にて算出したところ９７％であった。表面にアルミニウム被膜が形成された銅板の端部からアルミニウム被膜と銅板の間に介入させたピンセットを銅板に沿って滑らせるように移動させると、アルミニウム被膜は銅板から容易に剥離し、白色のアルミニウム箔が得られた。

実施例１１：
表２に記載のめっき液Ｎｏ．３を用い、１８Ａ／ｄｍ^２の印加電流密度で、めっき液を９５℃に保って攪拌しながら電気めっき処理を５分間行うと（陽極：純度９９．９９％のアルミニウム板、陰極：銅板）、白色のアルミニウム被膜が銅板の表面に形成された。こうして行った電気めっき処理における通電量に対するアルミニウムの析出効率（電析効率）を実施例１に記載の数式にて算出したところ９８％であった。表面にアルミニウム被膜が形成された銅板の端部からアルミニウム被膜と銅板の間に介入させたピンセットを銅板に沿って滑らせるように移動させると、アルミニウム被膜は銅板から容易に剥離し、白色のアルミニウム箔が得られた。得られたアルミニウム箔は、厚みが５μｍであり、アルミニウムの純度が高く（アルミニウムの含量：９９．３６ｍａｓｓ％、Ｓの含量：０．２１ｍａｓｓ％、Ｃｌの含量：０．４３ｍａｓｓ％）、圧延法によって製造されるアルミニウム箔と同様、延性に富むものであった。なお、アルミニウム箔の厚みはマイクロメータ（ＭＣＤ１９１−３０ＷＤ：新潟精機社製）を用いて測定した（以下の実施例でも採用）。アルミニウム箔の純度はその両面を水洗した後に硫黄分析装置（ＥＭＩＡ−８２０Ｗ：堀場製作所社製）を用いてＳの含量を測定するとともに波長分散蛍光Ｘ線分析装置（ＲＩＸ−２１００：リガク社製）を用いてＣｌの含量を測定し、その残りをアルミニウムの含量とした（以下の実施例でも採用）。

実施例１２：
表２に記載のめっき液Ｎｏ．３を用い、２５Ａ／ｄｍ^２の印加電流密度で、めっき液を１１５℃に保って攪拌しながら電気めっき処理を３分間行った。なお、陽極には純度９９．９９％のアルミニウム板、陰極（アルミニウム被膜を形成するための基材）にはチタン板を用いた。３分後、表面にアルミニウム被膜が形成されたチタン板をめっき液から取り出し、水洗を行ってから乾燥した後、その表面を目視によって観察したところ、チタン板の表面には白色のアルミニウム被膜が形成されていた。こうして行った電気めっき処理における通電量に対するアルミニウムの析出効率（電析効率）を実施例１に記載の数式にて算出したところ９２％であった。表面にアルミニウム被膜が形成されたチタン板の端部からアルミニウム被膜とチタン板の間に介入させたピンセットをチタン板に沿って滑らせるように移動させると、アルミニウム被膜はチタン板から容易に剥離し、白色のアルミニウム箔が得られた。このアルミニウム箔に対し、アルゴン雰囲気下、３００℃で３０分間の熱処理を行うことで、箔の内部応力を緩和させた。得られたアルミニウム箔は、厚みが１５μｍであり、アルミニウムの純度が高く（アルミニウムの含量：９９．９１ｍａｓｓ％、Ｓの含量：０．０３ｍａｓｓ％、Ｃｌの含量：０．０６ｍａｓｓ％）、圧延法によって製造されるアルミニウム箔と同様、延性に富むものであった。

実施例１３：
窒素ガス雰囲気下、ジメチルスルホン、無水塩化アルミニウム、ジメチルアミン塩酸塩をモル比で１０：４．１：０．１５の割合で混合し、１１０℃で溶解させて電気アルミニウムめっき用めっき液を調製した。自然放熱によってめっき液を室温（２５℃）まで冷却した後、２４時間放置してからその性状を目視によって観察したところ、固化せずに流動性を有するものであった。このめっき液を用い、１０Ａ／ｄｍ^２の印加電流密度で、めっき液を８０℃に保って攪拌しながら電気めっき処理を５分間行うこと以外は実施例１２に記載の方法と同様にして白色のアルミニウム箔を得た。こうして行った電気めっき処理における通電量に対するアルミニウムの析出効率（電析効率）を実施例１に記載の数式にて算出したところ９５％であった。このアルミニウム箔に対し、アルゴン雰囲気下、３００℃で３０分間の熱処理を行うことで、箔の内部応力を緩和させた。得られたアルミニウム箔は、厚みが１０μｍであり、アルミニウムの純度が高く（アルミニウムの含量：９９．５６ｍａｓｓ％、Ｓの含量：０．１５ｍａｓｓ％、Ｃｌの含量：０．２９ｍａｓｓ％）、圧延法によって製造されるアルミニウム箔と同様、延性に富むものであった。

応用例１：本発明の方法によって調製される電気アルミニウムめっき用めっき液を用いて製造されたアルミニウム箔を蓄電デバイス用正極集電体として利用した蓄電デバイスの作製
実施例１１で得たアルミニウム箔を正極集電体として利用し、その表面に正極活物質を塗布したものを正極として、図１に示す蓄電デバイスを作製した。蓄電デバイス１００は、筐体１０の内部にフッ素化合物を含んだ有機電解液が充填され、その有機電解液中に電極ユニット８が浸漬された構成を有する。電極ユニット８は、薄い箔で帯状の正極、負極、セパレータを、正極−セパレータ−負極−セパレータの順に重ねて積層体とし、この積層体を倦回した構造である。筐体１０は金属材料からなり、その内側には絶縁層４が形成されている。また、筐体１０には外部機器との接続端子となる正極端子５と負極端子６が形成され、正極端子５と電極ユニット８の正極が、負極端子６と電極ユニット８の負極が、それぞれ電気的に接続されている。図２は図１のＡ−Ａ断面である。正極１と負極２はセパレータ３によって物理的に隔離されているので両者は直接通電しない。しかしながら、セパレータ３は有機電解液７が透過しうる多孔質な材質からなり、正極１と負極２は有機電解液７を介して電気的に接続された状態である。

本発明は、速い成膜速度で延性に富む高純度のアルミニウム箔を製造する際などに有用な電気アルミニウムめっき用めっき液であって、２５℃でも固化せずに電気めっき処理を行うことができる、取扱性に優れためっき液を調製する方法、この方法によって調製される電気アルミニウムめっき用めっき液、この電気アルミニウムめっき用めっき液を用いたアルミニウム箔の製造方法、および、電気アルミニウムめっき用めっき液の融点を低下させる方法を提供することができる点において産業上の利用可能性を有する。

１正極
２負極
３セパレータ
４絶縁層
５正極端子
６負極端子
７有機電解液
８電極ユニット
１０筐体
１００蓄電デバイス

Claims

（１）ジアルキルスルホン、（２）アルミニウムハロゲン化物、および、（３）含窒素化合物を、ジアルキルスルホン１０モルに対し、アルミニウムハロゲン化物は３．５＋ｎ〜４．２＋ｎモル、含窒素化合物はｎモル（ただしｎは０．００１〜０．１モル）に配合することを特徴とする、融点が２５℃以下の電気アルミニウムめっき用めっき液の調製方法。
ジアルキルスルホンがジメチルスルホンであることを特徴とする請求項１記載の電気アルミニウムめっき用めっき液の調製方法。
含窒素化合物が、ハロゲン化アンモニウム、第一アミンのハロゲン化水素塩、第二アミンのハロゲン化水素塩、第三アミンのハロゲン化水素塩、一般式：Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４Ｎ・Ｘ（Ｒ^１〜Ｒ^４は同一または異なってアルキル基、Ｘは第四アンモニウムカチオンに対するカウンターアニオンを示す）で表される第四アンモニウム塩、含窒素芳香族化合物からなる群から選択される少なくとも１つであることを特徴とする請求項１記載の電気アルミニウムめっき用めっき液の調製方法。
（１）ジアルキルスルホン、（２）アルミニウムハロゲン化物、および、（３）含窒素化合物を、ジアルキルスルホン１０モルに対し、アルミニウムハロゲン化物は３．５＋ｎ〜４．２＋ｎモル、含窒素化合物はｎモル（ただしｎは０．００１〜０．１モル）に配合することによって調製されてなる融点が２５℃以下の電気アルミニウムめっき用めっき液を用いた電解法によって基材の表面にアルミニウム被膜を形成した後、当該被膜を基材から剥離することを特徴とするアルミニウム箔の製造方法。
めっき液の温度が２５〜８０℃であることを特徴とする請求項４記載のアルミニウム箔の製造方法。
（１）ジアルキルスルホン、（２）アルミニウムハロゲン化物、および、（３）含窒素化合物を少なくとも含む電気アルミニウムめっき用めっき液を調製するに際してのジアルキルスルホン、アルミニウムハロゲン化物、含窒素化合物の配合割合を、ジアルキルスルホン１０モルに対し、アルミニウムハロゲン化物は３．５＋ｎ〜４．２＋ｎモル、含窒素化合物はｎモル（ただしｎは０．００１〜０．１モル）とすることを特徴とする電気アルミニウムめっき用めっき液の融点を低下させる方法。