JP5886911B2 - 弾性波装置および実装体 - Google Patents

Description

本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）装置や圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Ｆｉｌｍ Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）等の弾性波装置及びその製造方法に関する。

基板と、基板の主面上に設けられた弾性波素子と、弾性波素子を封止するカバーと、基板の主面に立てて設けられ、カバーを貫通する端子とを有する弾性波装置が知られている（例えば特許文献１）。このような弾性波装置では、弾性波素子上には、カバーにより、弾性波の伝搬を容易化するための振動空間が形成されている。特許文献１の技術では、振動空間は直方体状に形成され、また、端子は円柱状に形成されている。

特開２００２−２３２２６０号公報

本願発明者は、実験により、弾性波装置に過酷な温度変化を生じさせた場合、端子の周囲を起点としてカバーにクラックが発生することを発見した。そして、鋭意検討の結果、本願発明者は、そのクラックの原因として、端子周囲においては、カバーの外壁面又は内壁面と、端子の側面との間において、カバーが薄肉になり、応力が集中し易いことが挙げられることを突き止めた。

一方、端子は、カバーからの抜けを抑制するためなどに、ある程度の太さ（断面積）で形成されることが好ましく、また、カバーは小型化が要求されている。これらの要求は、端子周囲におけるカバーの肉厚増大の要求とトレードオフの関係にある。

本発明の目的は、カバーの端子付近における強度向上を図ることが可能な弾性波装置を提供することにある。

本発明の一実施形態に係る弾性波装置は、基板と、該基板に設けられるＩＤＴ電極と、前記基板と離隔して配置される蓋部と、前記基板と前記蓋部との間に設けられ、前記ＩＤＴ電極を囲む空間に内接する枠部と、前記ＩＤＴ電極と電気的に接続される端子とを備え、該端子は平面視して前記枠部の内周よりも外方に位置しており、前記枠部は前記端子と前記空間との間の部位が平面視して前記空間に向かって張り出している。

本発明の一実施形態に係る実装体は、上述の弾性波装置と、該弾性波装置が実装される回路基板とを有する。

上記の構成によれば、カバーの端子付近における強度向上を図ることができる。

本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置の外観斜視図である。 図１のＳＡＷ装置を一部を破断した状態で示す概略斜視図である。 図１のＳＡＷ装置の基板の主面上の配線構造を示す模式的な平面図である。 図３のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。 図５（ａ）〜図５（ｄ）は図１のＳＡＷ装置の製造方法を説明する断面図である。 図６（ａ）〜図６（ｃ）は図５（ｄ）の続きを示す断面図である。 第１の実施形態の効果を説明する模式的な平面図である。 第２の実施形態に係るＳＡＷ装置を説明する模式的な平面図である。 第３の実施形態に係るＳＡＷ装置を示す基板の主面に平行な断面図である。 第４の実施形態に係るＳＡＷ装置を示す基板の主面に平行な断面図である。 第５の実施形態に係るＳＡＷ装置を示す図４に相当する断面図である。 図１２（ａ）〜図１２（ｃ）は図１１のＳＡＷ装置の製造方法を説明する断面図である。 第６の実施形態に係るＳＡＷ装置を示す基板の主面に平行な断面図の一部拡大図である。 第７の実施形態に係るＳＡＷ装置を示す基板の主面に平行な断面図の一部拡大図である。 第８の実施形態に係るＳＡＷ装置を示す図４に相当する断面図である。

以下、本発明の実施形態に係るＳＡＷ装置について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。

また、説明対象の実施形態において、既に説明された実施形態と同一又は類似する構成については、既に説明された実施形態と同一の符号を付すことがあり、また、説明を省略することがある。

符号は、同一又は類似する構成のものについて、「第１端子７Ａ〜第６端子７Ｆ」などのように、大文字のアルファベットの付加符号を付すことがある。また、この場合において、単に「端子７」というなど、名称の頭の番号、及び、上記の付加符号を省略することがあるものとする。

＜第１の実施形態＞
（ＳＡＷ装置の構成）
図１は、本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置１の外観斜視図である。

ＳＡＷ装置１は、いわゆるウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）形のＳＡＷ装置により構成されている。ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３に固定されたカバー５と、カバー５から露出する第１端子７Ａ〜第６端子７Ｆと、基板３のカバー５とは反対側に設けられた裏
面部９とを有している。

ＳＡＷ装置１は、複数の端子７のいずれかを介して信号の入力がなされる。入力された信号は、ＳＡＷ装置１によりフィルタリングされる。そして、ＳＡＷ装置１は、フィルタリングした信号を複数の端子７のいずれかを介して出力する。ＳＡＷ装置１は、例えば、カバー５側の面を不図示の回路基板等の実装面に対向させて当該実装面に載置された状態で樹脂封止されることにより、端子７を実装面上の端子に接続した状態で実装される。

基板３は、圧電基板により構成されている。具体的には、例えば、基板３は、タンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する直方体状の単結晶基板である。基板３は、第１主面３ａと、その背面側の第２主面３ｂとを有している。基板３の平面形状は適宜に設定されてよいが、例えば、Ｙ方向を長手方向とする矩形である。基板３の大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さは０．２ｍｍ〜０．５ｍｍ、１辺の長さは０．５ｍｍ〜２ｍｍである。

カバー５は、第１主面３ａを覆うように設けられている。カバー５の平面形状は、例えば、基板３の平面形状と同様であり、本実施形態では、Ｙ方向を長手方向とする矩形である。カバー５は、例えば、第１主面３ａと概ね同等の広さを有し、第１主面３ａの概ね全面を覆っている。

複数の端子７は、カバー５の上面（基板３とは反対側の面）から露出している。複数の端子７の数及び配置位置は、ＳＡＷ装置１の内部の電子回路の構成に応じて適宜に設定される。本実施形態では、６つの端子７がカバー５の外周に沿って配列されている。

裏面部９は、特に図示しないが、例えば、第２主面３ｂの概ね全面を覆う裏面電極と、裏面電極を覆う絶縁性の保護層とを有している。裏面電極により、温度変化等により基板３表面にチャージされた電荷が放電される。保護層により、基板３の損傷が抑制される。なお、以下では、裏面部９は、図示や説明が省略されることがある。

図２は、カバー５の一部を破断して示すＳＡＷ装置１の斜視図である。

カバー５は、枠状に形成され、第１主面３ａ上に配置された枠部３５と、枠部３５の開口を塞ぐ蓋部３７とを有している。そして、第１主面３ａ（厳密には後述する保護層２５）、枠部３５及び蓋部３７により囲まれた空間により、後述するＳＡＷ素子１１（図３参照）の振動を容易化する第１振動空間１０Ａ及び第２振動空間１０Ｂが形成されている。

カバー５は、内側に面して振動空間１０を構成する内壁面５ａ、及び、外側に面する外壁面５ｂを有している。なお、内壁面５ａは、枠部３５により構成されている。外壁面５ｂは、枠部３５及び蓋部３７により構成されている。

枠部３５は、概ね一定の厚さの層に振動空間１０となる開口が形成されることにより構成されている。枠部３５の厚さ（振動空間１０の高さ）は、例えば、数μｍ〜３０μｍである。蓋部３７は、枠部３５上に積層される、概ね一定の厚さの層により構成されている。蓋部３７の厚さは、例えば、数μｍ〜３０μｍである。

枠部３５及び蓋部３７は、例えば、感光性の樹脂により形成されている。感光性の樹脂は、例えば、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合により硬化する、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。

枠部３５及び蓋部３７は、同一の材料により形成されていてもよいし、互いに異なる材
料により形成されていてもよい。本願では、説明の便宜上、枠部３５と蓋部３７との境界線を明示しているが、現実の製品においては、枠部３５と蓋部３７とが同一材料により形成され、一体的に形成されていてもよい。

端子７は、図２では第６端子７Ｆにおいてよく表れているように、第１主面３ａに立てて設けられており、カバー５に形成された孔部５ｈを介してカバー５の上面に露出している。具体的には、端子７は、内壁面５ａと外壁面５ｂとの間において、枠部３５及び蓋部３７を第１主面３ａの面する方向へ貫通している。

また、端子７は、柱状に形成された柱状部７ａと、柱状部７ａの側面から突出するフランジ７ｂとを有している。柱状部７ａは、カバー５を貫通し、フランジ７ｂは、カバー５の上面に積層されている。端子７の、フランジ７ｂを含む上端面は、回路基板などに接続されるランド７ｃを構成している。

フランジ７ｂは、柱状部７ａの全周に亘って形成されるとともに、概ね一定の幅で形成されている。従って、ランド７ｃの形状は、柱状部７ａの第１主面３ａに平行な断面の形状に対して、一周り大きい相似形となっている。

第１主面３ａには、ＳＡＷ素子１１（図３）に接続された第１パッド１３Ａ〜第６パッド１３Ｆ（図２では一部のみ示す）が設けられている。端子７は、パッド１３上に設けられることにより、ＳＡＷ素子１１と接続されている。なお、パッド１３の平面形状は、端子７がその範囲に収まるものであればどのようなものでもよいが、柱状部７ａの第１主面３ａに平行な断面の形状に対して、一周り大きい相似形となっていることが好ましい。

図３は、基板３の第１主面３ａにおける配線構造を示す模式的な平面図である。なお、図３においては、振動空間１０の範囲（内壁面５ａの形状）、柱状部７ａの断面形状、及び、ランド７ｃ（フランジ７ｂ）の形状を２点鎖線で示している。また、この平面図を参照する説明においては、基板３の輪郭を外壁面５ｂの輪郭として参照することがある。

第１主面３ａには、第１ＳＡＷ素子１１Ａ及び第２ＳＡＷ素子１１Ｂが設けられている。第１ＳＡＷ素子１１Ａは、例えば、ＳＡＷ共振子であり、第２ＳＡＷ素子１１Ｂは、例えば、ＳＡＷフィルタである。

ＳＡＷ素子１１は、１以上のＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極１５と、ＩＤＴ電極１５の、ＳＡＷの伝搬方向（Ｘ方向）両側に配置された２つの反射器１７とを有している。

ＩＤＴ電極１５は、一対の電極から構成されている。この一対の電極は、弾性表面波の伝搬方向（Ｘ方向）に延びるバスバー１５ａと、バスバー１５ａから上記伝搬方向に直交する方向（Ｙ方向）に伸びる複数の電極指１５ｂとを有し、電極指１５ｂが互いに噛合うように配置されている。なお、図３は模式図であることから、電極指１５ｂは、実際の数よりも少ない数で示されている。

複数のパッド１３及び複数のＳＡＷ素子１１は、複数の配線２７を介して適宜に接続されている。なお、複数の配線２７の一部は、絶縁体２１を介して互いに立体交差している。

第１振動空間１０Ａは、第１ＳＡＷ素子１１Ａ上に形成されており、第２振動空間１０Ｂは、第２ＳＡＷ素子１１Ｂ上に形成されている。２つの振動空間１０は、基板３の長手方向において配列されている。

図２及び図３に示すように、各振動空間１０は、概略、６角形状に形成され、６つの角
部はすべて鈍角とされている。別の観点では、各振動空間１０は、基板３の短手方向を長手方向とする矩形に形成され、角部が面取りされていると捉えることもできる。なお、第１振動空間１０Ａは、複数の配線２７の立体交差部を収容するように一部が拡張されている。

各振動空間１０に対して、複数の端子７は、各振動空間１０を矩形と捉えたときにおける、振動空間１０の４隅に隣接して配置されている。そして、複数の端子７は、振動空間１０の鈍角とされた角部を構成する２つの辺の一方の辺に対応する内壁面の一部（以下、面取り面５ｃとも称する）と対向している。

各端子７の柱状部７ａは、その側面のうち、内壁面５ａ及び外壁面５ｂ側に位置する面が、内壁面５ａ及び外壁面５ｂに平行になるように形成されている。具体的には、各端子７の柱状部７ａは、内壁面５ａに平行な内側近接面７ａａと、外壁面５ｂに平行な外側近接面７ａｂとを有している。

カバー５の角部に配置された第１端子７Ａ、第３端子７Ｃ、第４端子７Ｄ及び第６端子７Ｆは、外壁面５ｂの直交する２平面に隣接していることから、２つの外側近接面７ａｂを有している。また、これら４つの端子７は、１つの振動空間１０に隣接していることから、１つの内側近接面７ａａを有している。そして、これら４つの端子７の柱状部７ａは、第１主面３ａの平面視において、全体として、概略、内側近接面７ａａを斜辺とする直角三角形に形成されている。ただし、鋭角の角部は平面により面取りされており、柱状部７ａは、五角形と捉えられることもできる。

残りの第２端子７Ｂ及び第５端子７Ｅは、外壁面５ｂの１平面に隣接していることから、１つの外側近接面７ａｂを有している。また、これら２つの端子７は、２つの振動空間１０に挟まれていることから、２つの内側近接面７ａａを有している。そして、これら２つの端子７の柱状部７ａは、第１主面３ａの平面視において、全体として、概略、外側近接面７ａｂを底辺とする２等辺三角形に形成されている。ただし、底角の角部は平面により面取りされており、柱状部７ａは、五角形と捉えられることもできる。

各端子７のランド７ｃは、上述のように、柱状部７ａの断面形状と相似の形状を有している。従って、柱状部７ａと同様に、ランド７ｃは、外周縁部において、内壁面５ａに平行な内側近接縁部７ｃａと、外壁面５ｂに平行な外側近接縁部７ｃｂとを有している。なお、ランド７ｃの形状は、柱状部７ａの形状と相似であるので、カバー５の４隅の端子７、及び、他の２つの端子７の形状の説明は省略する。

図４は図３のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。ただし、図４は、図３よりも概念的に描かれており、ＳＡＷ素子１１は図３よりも模式的に示されている。

ＳＡＷ装置１は、第１主面３ａに設けられた第１導電層１９と、第１導電層１９及び第１主面３ａに積層された保護層２５とを有している。カバー５は、保護層２５に積層されている。端子７は、カバー５に対して成膜された下地層３９と、下地層３９に包まれた中実部４１とにより構成されている。

第１導電層１９は、第１主面３ａ上における回路素子や配線等の構成に関して基本となる層である。具体的には、第１導電層１９は、ＳＡＷ素子１１、パッド１３、及び、複数の配線２７の一部を構成している。第１導電層１９は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金により形成されており、その厚さは、例えば、１００〜３００ｎｍである。

保護層２５は、ＳＡＷ素子１１の酸化防止等に寄与するものである。保護層２５は、例
えば、酸化珪素（ＳｉＯ_２など）、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、窒化珪素、又は、シリコンにより形成されている。保護層２５の厚さは、例えば、第１導電層１９の厚さの１／１０程度（１０〜３０ｎｍ）である。保護層２５は、パッド１３の配置位置以外においては、第１主面３ａ全体に亘って形成されている。

下地層３９は、例えば、銅若しくはチタンなどの金属により形成されている。下地層３９は、孔部５ｈの底面、孔部５ｈの内周面、及び、カバー５の上面の、孔部５ｈの周囲部分に成膜されている。下地層３９の厚さは、概ね均一である。当該厚さは、適宜に設定されてよいが、例えば、下地層３９が銅からなる場合は３００ｎｍ〜１μｍ、下地層３９がチタンからなる場合は１０ｎｍ〜１００ｎｍである。

中実部４１は、例えば、銅により形成されている。中実部４１は、下地層３９の内側において孔部５ｈに充填されている。また、中実部４１は、孔部５ｈにおいてカバー５の上面よりも高く形成されるとともに、カバー５の上面の、孔部５ｈの周囲部分において下地層３９上に形成されている。

（ＳＡＷ装置の製造方法）
図５（ａ）〜図６（ｃ）は、ＳＡＷ装置１の製造方法を説明する、図４（図３のＩＶ−ＩＶ線）に対応する断面図である。製造工程は、図５（ａ）から図６（ｃ）まで順に進んでいく。

以下に説明する工程は、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって基板３となる母基板を対象に、薄膜形成やフォトリソグラフィー法などが行われ、その後、ダイシングされることにより、多数個分のＳＡＷ装置１が並行して形成される。ただし、図５（ａ）〜図６（ｃ）では、１つのＳＡＷ装置１に対応する部分のみを図示する。また、導電層や絶縁層は、プロセスの進行に伴って形状が変化するが、変化の前後で共通の符号を用いる。

図５（ａ）に示すように、まず、基板３の第１主面３ａ上には、第１導電層１９が形成される。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の薄膜形成法により、第１主面３ａ上に第１導電層１９となる金属層が形成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によりパターニングが行われる。パターニングにより、ＳＡＷ素子１１、パッド１３、及び、複数の配線２７の一部が形成される。すなわち、第１導電層１９が形成される。

第１導電層１９が形成されると、図５（ｂ）に示すように、保護層２５が形成される。具体的には、まず、適宜な薄膜形成法により保護層２５となる薄膜が形成される。薄膜形成法は、例えば、スパッタリング法若しくはＣＶＤ法である。次に、第１導電層１９のうちパッド１３を構成する部分が露出するように、フォトリソグラフィー法によって薄膜の一部が除去される。これにより、保護層２５が形成される。

特に図示しないが、保護層２５が形成されると、絶縁体２１（図３）、及び、絶縁体２１に積層される配線２７を構成する第２導電層２３（図３）が形成される。具体的には、まず、絶縁体２１となる薄膜がＣＶＤ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成される。そして、フォトリソグラフィー法によって薄膜の一部が除去され、絶縁体２１が形成される。次に、第１導電層１９と同様に、金属層の形成及びパターニングが行われ、第１導電層１９により構成された配線２７に絶縁体２１を介して立体交差する他の配線２７が形成される。すなわち、第２導電層２３が形成される。

第２導電層２３が形成されると、図５（ｃ）に示すように、枠部３５となる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、感光性樹脂により形成されたフィルムが貼り付けられることにより、又は、保護層２５と同様の薄膜形成法により形成される。

枠部３５となる薄膜が形成されると、図５（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー法等により、薄膜の一部が除去され、振動空間１０を構成する開口、及び、孔部５ｈの下方部分である孔部３５ｈが形成される。また、薄膜は、ダイシングライン上においても、一定の幅で除去される。このようにして枠部３５は形成される。

枠部３５が形成されると、図６（ａ）に示すように、蓋部３７が形成される。具体的には、まず、蓋部３７となる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、感光性樹脂のフィルムが貼り付けられることにより形成される。そして、薄膜が形成されることにより、枠部３５の開口が塞がれて、振動空間１０が構成される。薄膜は、フォトリソグラフィー法等により、パッド１３上の部分及びダイシングライン上の部分が除去される。これにより、蓋部３７が形成される。

このとき形成される孔部５ｈ（孔部３５ｈ含む）の第１主面３ａに平行な断面の形状は、先に説明した、各端子７の柱状部７ａの第１主面３ａに平行な断面の形状と同一である。

蓋部３７が形成されると、図６（ｂ）に示すように、下地層３９及びレジスト層５３が順に形成される。下地層３９は、カバー５の上面及び孔部５ｈの内部に亘って形成される。下地層３９は、例えば、スパッタ法により形成される。

レジスト層５３は、孔部５ｈ及びその周囲において、下地層３９が露出するように形成される。レジスト層５３は、例えば、スピンコート等により感光性樹脂の薄膜が形成され、その薄膜がフォトリソグラフィーによりパターニングされることにより形成される。

このとき形成される、レジスト層５３の、下地層３９を露出させる孔部５３ｈの第１主面３ａに平行な断面の形状は、先に説明した、各端子７のランド７ｃの形状と同一である。

レジスト層５３が形成されると、図６（ｃ）に示すように、電気めっき処理により、下地層３９の露出部分に金属を析出させ、中実部４１を形成する。

その後、下地層３９のレジスト層５３に被覆されていた部分及びレジスト層５３が除去される。これにより、下地層３９及び中実部４１からなり、先に説明した断面形状を有する端子７が形成される。なお、端子７のカバー５からの露出面は、ニッケルや金などにより構成されてもよい。

図７は、本実施形態の効果を、第４端子７Ｄを例にとって説明する模式的な平面図である。なお、図７は、柱状部７ａの説明にも、ランド７ｃの説明にも利用できる数学的な図であることから、柱状部７ａの符号に加えて、ランド７ｃの符号を括弧内に付している。また、図７において、端子７は、三角形（五角形）の角部が曲面により面取りされている。

端子７の柱状部７ａに収まる最大の仮想円Ｃ１を考える。本実施形態の端子７は、このような仮想円Ｃ１と同一の断面形状の柱状部を有する端子を基準にして考えると、内壁面５ａとの最短距離Ｌを短くすることなく、柱状部７ａの断面積を大きくすることができて
いる。換言すれば、柱状部７ａの断面積を十分に確保しつつも、カバー５を大型化することなく、柱状部７ａと内壁面５ａとの間の肉厚を確保できる。そして、肉厚の確保により、応力集中に起因するクラックの発生が抑制される。

このような効果は、内側近接面７ａａと内壁面５ａとの幾何学的関係が、仮想円Ｃ１の円周と内壁面５ａ（直線）との幾何学的関係よりも、平行に近いことにより奏されると捉えることができる。

ここでいう、より平行に近いとは、内壁面５ａの位置の変化に対する、内壁面５ａと、内側近接面７ａａ（又は仮想円Ｃ１の円周）との、内壁面５ａの法線上の距離の変化がより小さいことをいうものとする。

例えば、仮想円Ｃ１に関しては、内壁面５ａ上の位置Ｐ１における内壁面５ａと仮想円Ｃ１との距離ｙ１と、位置Ｐ１から内壁面５ａに沿って距離ｒ（仮想円Ｃ１の半径）離間した位置Ｐ２における内壁面５ａと仮想円Ｃ１との距離ｙ２とでは、距離ｒの差が生じている。

一方、本実施形態の端子７の内側近接面７ａａに関しては、位置Ｐ１における内壁面５ａと内側近接面７ａａとの距離ｙ１と、位置Ｐ２における内壁面５ａと内側近接面７ａａとの距離ｙ３とは同一である。

すなわち、内壁面５ａにおける位置Ｐ１から位置Ｐ２への変化に対する、内壁面５ａと内側近接面７ａａとの距離の変化（０）は、内壁面５ａにおける位置Ｐ１から位置Ｐ２への変化に対する、内壁面５ａと仮想円Ｃ１の円周との距離の変化（ｒ）よりも小さい。

そして、このような距離の変化が小さいことにより、端子７の内壁面５ａ側への突出量が端子の断面積に対して相対的に抑制され、ひいては、上述のような、カバーの小型化、端子の断面積の確保、及び、カバーの端子付近における強度向上の効果が奏される。

なお、上記の説明から理解されるように、本願においては、平行の語は、直線又は平面について説明する語に限定されないものとする。すなわち、本願においては、曲線又は曲面についても、平行の語を用いて説明することがあるものとする。

また、位置Ｐ１と位置Ｐ２との間隔を極めて小さくすると、内壁面５ａと仮想円Ｃ１との関係も平行に近いということになってしまうから（内壁面５ａと仮想円Ｃ１の接線との関係を判定することになってしまうから）、平行の程度を比較する判定においては、位置Ｐ１と位置Ｐ２との距離を十分な大きさ（例えば仮想円の半径程度）とすることが好ましい。

内側近接面７ａａと内壁面５ａとの関係について説明したが、外側近接面７ａｂと外壁面５ｂとの関係についても、仮想円Ｃ１を基準として同様のことがいえる。また、平面視における肉厚だけでなく、３次元的な肉厚に関して考えれば、内側近接縁部７ｃａと内壁面５ａとの関係、及び、外側近接縁部７ｃｂと外壁面５ｂとの関係についても、ランド７ｃに収まる最大の仮想円を基準として同様のことがいえる。

次に、端子７の柱状部７ａの第１主面３ａに平行な断面の面積と同等の面積を有する仮想円Ｃ２を考える。本実施形態の端子７は、このような仮想円Ｃ２と同一の断面形状の柱状部を有する端子を基準にして考えると、断面積を減じることなく、内壁面５ａとの最短距離を長くすることが可能である。換言すれば、柱状部７ａの断面積を十分に確保しつつも、カバー５を大型化することなく、柱状部７ａと内壁面５ａとの間の肉厚を確保できる
。そして、肉厚の確保により、応力集中に起因するクラックの発生が抑制される。

このような効果は、内側近接面７ａａと内壁面５ａとの幾何学的関係が、仮想円Ｃ２の円周と内壁面５ａ（直線）との幾何学的関係よりも、平行に近いことにより奏されると捉えることができる。

なお、平行の考え方や平行に近いことによる作用の説明は、仮想円Ｃ１を基準とした場合と同様であり、説明は省略する。また、内側近接面７ａａと内壁面５ａとの関係について説明したが、外側近接面７ａｂと外壁面５ｂとの関係についても、仮想円Ｃ２を基準として同様のことがいえる。内側近接縁部７ｃａと内壁面５ａとの関係、及び、外側近接縁部７ｃｂと外壁面５ｂとの関係についても、ランド７ｃの面積と同等の面積を有する仮想円を基準として同様のことがいえる。

上記の説明では、仮想円との比較において相対的に平行に近いことにより本実施形態の効果が奏されることを述べたが、当然に、幾何学的関係が平行そのものであれば、カバーの小型化、端子の断面積の確保、及び、カバーの端子付近における強度向上の効果は好適に図られる。すなわち、好適には、内側近接面７ａａと内壁面５ａとの幾何学的関係、外側近接面７ａｂと外壁面５ｂとの幾何学的関係、内側近接縁部７ｃａと内壁面５ａとの幾何学的関係、及び、外側近接縁部７ｃｂと外壁面５ｂとの幾何学的関係は、内壁面５ａ若しくは外壁面５ｂとの距離が変化しない関係である。

第１主面３ａの平面視において、端子７の内側近接面７ａａ及び内壁面５ａは、互いに平行な直線状に形成されている。従って、形状がシンプルであり、設計が容易である。なお、同様のことは、外側近接面７ａｂと外壁面５ｂとの関係、内側近接縁部７ｃａと内壁面５ａとの関係、及び、外側近接縁部７ｃｂと外壁面５ｂとの関係についてもいえる。

第１主面３ａの平面視において、振動空間１０は、内壁面５ａに面取り面５ｃが形成されることにより角部が面取りされており、端子７は、面取り面５ｃに近接し、上記の幾何学的関係を有している。従って、振動空間１０を大きく確保しつつ、内壁面５ａと端子７との間の肉厚を大きくする効果が増進される。

なお、上述した幾何学的関係が平行に近いことによる効果は、別の観点では、第１主面３ａの平面視において、端子７の内側近接面７ａａ（外側近接面７ａｂ、内側近接縁部７ｃａ、外側近接縁部７ｃｂ）が柱状部７ａ（ランド７ｃ）の面積と同等の面積を有する仮想円よりも曲率が小さいことにより奏されると捉えることもできる。

以上の実施形態において、ＳＡＷ装置１は本発明の弾性波装置の一例であり、ＳＡＷ素子１１は本発明の弾性波素子の一例であり、内側近接面７ａａ、外側近接面７ａｂ、内側近接縁部７ｃａ及び外側近接縁部７ｃｂは本発明の近接面の一例である。

＜第２の実施形態＞
図８は、第２の実施形態に係るＳＡＷ装置の図７に相当する模式的な平面図である。なお、図８も、図７と同様に、柱状部１０７ａの説明だけでなく、ランド１０７ｃの説明にも利用できるものであることから、括弧内にランド１０７ｃの符号を付している。

第２の実施形態の端子１０７においても、第１の実施形態と同様に、内側近接面１０７ａａと内壁面５ａとの幾何学的関係、外側近接面１０７ａｂと外壁面５ｂとの幾何学的関係、内側近接縁部１０７ｃａと内壁面５ａとの幾何学的関係、及び、外側近接縁部１０７ｃｂと外壁面５ｂとの幾何学的関係は、仮想円Ｃ１又はＣ２の円周と直線との幾何学的関係よりも、平行に近い。そして、第１の実施形態と同様の効果を奏する。

ただし、内側近接面１０７ａａ、外側近接面１０７ａｂ、内側近接縁部１０７ｃａ及び外側近接縁部１０７ｃｂは、第１主面３ａの平面視において直線状に形成されておらず、仮想円Ｃ１又はＣ２よりも曲率が小さい弧状に形成されている。

第２の実施形態の端子１０７は、第１の実施形態に比較すると、円形に近い。この場合、第１の実施形態において例示した端子の形成方法（カバー５を覆う下地層３９に電圧を印加して金属を析出させ、孔部内に金属を充填し、端子を形成する方法）において、孔部内への金属の充填が好適に行われるというメリットがある。

＜第３の実施形態＞
図９は、第３の実施形態に係るＳＡＷ装置の枠部２３５の上面の位置における、第１主面３ａに平行な断面を示す図である。

第３の実施形態の端子２０７においても、第１の実施形態と同様に、内側近接面２０７ａａと内壁面２０５ａとは平行になっている。すなわち、内側近接面２０７ａａと内壁面２０５ａとの距離は一定である。

ただし、第３の実施形態では、内側近接面２０７ａａは凹状に形成されている。具体的には、以下のとおりである。

振動空間２１０は、長円形（若しくは楕円形）に形成されている。振動空間２１０は、矩形の四隅が曲面状の面取り面２０５ｃにより面取りされていると捉えることもできる。面取り面２０５ｃは、外側を凸とする曲面である。

端子２０７は、面取り面２０５ｃに近接して配置されている。内側近接面２０７ａａは、面取り面２０５ｃとの距離が一定になるように、振動空間１０側を凹として湾曲して形成されている。

第３の実施形態においても、第１の実施形態と同様に、カバーの小型化、端子の断面積の確保、及び、カバーの端子付近における強度向上を図ることができる。また、当該効果は、第１の実施形態と同様に、内側近接面２０７ａａと内壁面２０５ａとの幾何学的関係が、柱状部２０７ａに収まる最大の仮想円（図示省略）などの円周と直線との幾何学的関係よりも、平行に近いことにより奏されると捉えることができる。

なお、内壁面２０５ａは湾曲しているが、このような場合であっても、第１の実施形態と同様に、相対的に平行に近いか否かの判定ができる。すなわち、内壁面２０５ａの位置Ｐ１から位置Ｐ２への変化（位置Ｐ１と位置Ｐ２との内壁面２０５ａに沿う距離は例えば仮想円の半径）に対する、内壁面２０５ａと、内側近接面２０７ａａとの、内壁面２０５ａの法線Ｌｎ１及びＬｎ２上の距離ｙ１及びｙ３の変化が、図７に示した仮想円に関する距離ｙ１及びｙ２の変化より小さいか否かにより、仮想円及び直線に比較して平行に近いか否か判定できる。

なお、ランド２０７ｃの内側近接縁部２０７ｃａと内壁面２０５ａとの幾何学的関係も、内側近接面２０７ａａと内壁面２０５ａとの幾何学的関係と同様である。

＜第４の実施形態＞
図１０は、第４の実施形態に係るＳＡＷ装置の枠部３３５の上面の位置における、第１主面３ａに平行な断面を示す図である。

第４の実施形態の端子３０７においても、第１の実施形態と同様に、内側近接面３０７ａａと内壁面３０５ａとは平行になっている。すなわち、内側近接面３０７ａａと内壁面３０５ａとの距離は一定である。

ただし、第４の実施形態では、柱状部３０７ａは断面形状が円形に形成されている。換言すれば、柱状部３０７ａは、振動空間３１０側へ膨らんでいる。そして、内壁面３０５ａが端子３０７とは反対側へ膨らむことにより、内側近接面３０７ａａと内壁面３０５ａとは平行になっている。

第４の実施形態においても、第１の実施形態と同様に、カバーの小型化、端子の断面積の確保、及び、カバーの端子付近における強度向上を図ることができる。また、当該効果は、第１の実施形態と同様に、内側近接面３０７ａａと内壁面３０５ａとの幾何学的関係が、柱状部３０７ａに収まる最大の仮想円（図示省略）などの円周と直線との幾何学的関係よりも、平行に近いことにより奏されると捉えることができる。

なお、ランド３０７ｃの内側近接縁部３０７ｃａと内壁面３０５ａとの幾何学的関係も、内側近接面３０７ａａと内壁面３０５ａとの幾何学的関係と同様である。

＜第５の実施形態＞
図１１は、第５の実施形態に係るＳＡＷ装置４０１の図４に相当する断面図である。

ＳＡＷ装置４０１は、端子４０７が、カバーの内部にフランジ４０７ｄを有している点のみが第１の実施形態のＳＡＷ装置１と相違する。なお、端子４０７において、柱状部７ａ及びフランジ７ｂの形状は、第１の実施形態と同様である。

フランジ４０７ｄは、枠部３５と蓋部３７との間に配置されている。また、フランジ４０７ｄの平面形状は、フランジ７ｂと同一形状である。すなわち、特に図示しないが、フランジ４０７ｄにおいて、内側近接縁部と内壁面５ａとの幾何学的関係、及び、外側近接縁部と外壁面５ｂとの幾何学的関係は、フランジ４０７ｄに収まる最大の仮想円などの円周と直線との幾何学的関係よりも平行に近い。

図１２（ａ）〜図１２（ｃ）は、第５の実施形態のＳＡＷ装置４０１の製造方法を説明する断面図である。

枠部３５の形成までは、第５の実施形態は、第１の実施形態と同様である。すなわち、第５の実施形態においても、第１の実施形態の図５（ａ）〜図５（ｄ）までの工程が行われる。

次に、図１２（ａ）に示すように、第１下地層３９Ａ及び第１レジスト層５３Ａが順に形成される。第１下地層３９Ａは、枠部３５の上面及び孔部３５ｈの内部に亘って形成される。第１レジスト層５３Ａは、孔部３５ｈ及びその周囲において、第１下地層３９Ａが露出するように形成される。

第１レジスト層５３Ａが形成されると、図１２（ｂ）に示すように、電気めっき処理により、第１下地層３９Ａの露出部分に金属を析出させ、端子４０７の下方部分の第１中実部４１Ａを形成する。そして、第１レジスト層５３Ａ、及び、第１下地層３９Ａのうち第１レジスト層５３Ａに覆われた部分は除去される。

その後は、図１２（ｃ）に示すように、第１の実施形態の図６（ａ）以降の工程と同様の工程が行われる。すなわち、蓋部３７の形成、第２下地層３９Ｂ及び第２レジスト層５
３Ｂの形成、めっき処理による金属の析出、第２レジスト層５３Ｂ等の除去が行われる。ただし、金属の析出では、端子４０７の上方側の第２中実部４１Ｂが形成される。

なお、本実施形態では、フランジ４０７ｄが第１下地層３９Ａ及び第１中実部４１Ａにより形成される場合を示したが、図１２（ａ）の工程の後、第１レジスト層５３Ａ、及び、第１下地層３９Ａのうち第１レジスト層５３Ａが積層された部分を除去し、次いで、図６（ａ）以降の工程を行うことにより、第１下地層３９Ａのみによりフランジ４０７ｄを形成することもできる。

フランジ４０７ｄは、端子７がカバー５から引き抜かれることを抑制することに寄与しうる。その結果、柱状部７ａの断面積を小さくすることが可能であり、ひいては、平行に近い幾何学的関係により奏される効果を増進させることができる。

＜第６の実施形態＞
図１３は、第６の実施形態に係るＳＡＷ装置の枠部の上面の位置における第１主面３ａに平行な断面図の一部拡大図である。

第６の実施形態の端子５０７において、柱状部７ａの形状は、第１の実施形態の端子７の柱状部７ａの形状と同様である。ただし、第６の実施形態の端子５０７において、ランド３０７ｃの形状は、第４の実施形態のランド３０７ｃの形状と同様である。すなわち、第６の実施形態の端子５０７は、柱状部７ａのみが、内壁面５ａ及び外壁面５ｂに対して平行な部分を有している。

第６の実施形態においては、ランドの形状として円形を例示したが、ランドの形状は、矩形等の適宜な形状とされてよい。このように、柱状部のみにおいて、平行な幾何学的関係による効果を得るようにすることにより、ランドの形状については、ＳＡＷ装置が実装される回路基板側のランドの形状などを考慮して設計することができる。

＜第７の実施形態＞
図１４は、第７の実施形態に係るＳＡＷ装置の枠部の上面の位置における第１主面３ａに平行な断面図の一部拡大図である。

第７の実施形態の端子６０７は、第６の実施形態とは逆に、ランド７ｃのみが、内壁面５ａ及び外壁面５ｂに対して平行な部分を有している。端子６０７の柱状部３０７ａの断面形状は、第４の実施形態の柱状部３０７ａの断面形状と同様の円形である。

このような端子６０７においては、ランド７ｃにおいて、平行な幾何学的関係によるカバー５の強度向上等の効果を得つつ、柱状部３０７ａにおいては、金属の充填を行いやすいという効果が得られる。

＜第８の実施形態＞
図１５は、第８の実施形態に係るＳＡＷ装置５０１の図４に相当する断面図である。

ＳＡＷ装置５０１は、端子５０７を縦方向（紙面の上下方向）に切断したときの断面形状が第１の実施形態のＳＡＷ装置１と相違する。

すなわち、ＳＡＷ装置５０１では端子５０７は、第１主面３ａ側が第１主面３ａとは反対側よりも径が大きくなっているテーパ部を有している。端子５０７がこのような形状を有していることにより、端子５０７がカバー５から引き抜かれることを抑制することができる。なお、端子５０７の第１主面３ａに平行な断面の形状は、第１の実施形態のＳＡＷ
装置１と同じである。

本発明は、以上の実施形態及び変形例に限定されず、種々の態様で実施されてよい。

弾性波装置は、ＳＡＷ装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電薄膜共振器であってもよい。

弾性波装置において、保護層（２５）は省略されてもよいし、逆に、他の適宜な層などが形成されてもよい。例えば、パッド１３と端子７との間に介在する接続強化層、枠部と蓋部との間に形成される回路構成層が設けられてもよい。

また蓋部上に蓋部を補強するための金属層を設けてもよい。蓋部上に金属層を設けることによって外部から大きな圧力が印加された場合であっても蓋部が変形するのを抑制して振動空間が大きく歪むのを防止することができる。このような金属層は例えばＣｕからなり、端子を形成するのと同じプロセスでめっきにより作製することができる。

端子は、主面に平行な断面の面積及び形状が、主面側からカバーの上面側へ亘って一定でなくてもよい。例えば、端子は、主面側が拡径する、若しくは、主面側が縮径するテーパ状に形成されていてもよい。

１…弾性表面波装置（弾性波装置）、３…基板、３ａ…第１主面（主面）、５…カバー、５ａ…内壁面、５ｂ…外壁面、５ｃ…面取り面（所定壁面）、７…端子、７ａａ…内側近接面、７ａｂ…外側近接面、１０…振動空間、１１…ＳＡＷ素子（弾性波素子）、Ｃ１…仮想円

Claims (12)

1. 長方形状の基板と、
   該基板に設けられるＩＤＴ電極と、
   前記基板と離隔して配置される蓋部と、
   前記基板と前記蓋部との間に設けられ、前記ＩＤＴ電極を囲む空間に内接する枠部と、
   前記ＩＤＴ電極と電気的に接続される端子とを備え、
   前記枠部は前記端子と前記空間との間の部位が平面視して前記柱状部から前記空間に向かって張り出しており、
   前記端子は、前記基板の少なくとも四隅に設けられるとともに平面視して前記枠部の内周よりも外方に位置して前記枠部の少なくとも一部を貫く柱状部を有しており、前記柱状部は、前記枠部のうち前記柱状部から前記空間に向かって張り出した部分に対向する内側近接面を有し、
   前記四隅の前記端子の前記柱状部は、前記基板の一主面と平行な前記枠部を通る断面視における前記基板の長手方向にかかる最大の寸法が、前記基板の短手方向に沿った前記柱状部の間に位置する前記枠部の幅、前記基板の長手方向に沿った前記柱状部の間に位置する前記枠部の幅、および前記枠部のうち前記柱状部から前記空間に向かって張り出した部分と前記内側近接面との距離よりも大きく設定されている弾性波装置。
2. 前記枠部のうち前記柱状部と前記空間との間の部位が、前記枠部のいずれの部位の内周と外周との距離よりも薄い請求項１に記載の弾性波装置。
3. 前記枠部は、張り出している部分が、平面視において、前記空間側に湾曲している請求項１または２に記載の弾性波装置。
4. 前記端子は、平面視において、円形状である請求項１〜３のいずれかに記載の弾性波装置。
5. 前記枠部内に位置する前記端子の上端が、前記蓋部内に位置する請求項１〜４のいずれかに記載の弾性波装置。
6. 前記枠部は、外周が、前記基板の外周よりも内側に位置している請求項１〜５のいずれかに記載の弾性波装置。
7. 前記端子は、前記基板側が縮径するテーパー状である請求項１〜６のいずれかに記載の
   弾性波装置。
8. 前記空間を複数有する請求項１〜７のいずれかに記載の弾性波装置。
9. 複数の前記空間は前記基板の長手方向に配列されている請求項８に記載の弾性波装置。
10. 前記枠部および前記蓋部は、異なる材料からなる請求項１〜９のいずれかに記載の弾性波装置。
11. 前記枠部および前記蓋部は、同じ材料からなる請求項１〜１０のいずれかに記載の弾性波装置。
12. 請求項１〜１１のいずれかに記載の弾性波装置と、
    該弾性波装置が実装される回路基板とを有する実装体。

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