JP5885299B2 - スキマー型インターフェース構造 - Google Patents
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Description
:TPD)がある。また、脱離したガスに対しては、例えば質量分析(Mass Spectrometry:MS)を行うことが知られている。さらに、最近では、例えば昇温脱離ガス質量分析
(TPD−MS)と併せて、加熱によって生じる試料の重量変化を検知する熱重量測定(Thermogravimetry:TG)や、加熱しながら試料と基準物質の温度差を検知して当該試料の熱特性を測定する示差熱分析(Differential Thermal Analysis:DTA)等を行うこ
とも知られている。
しかしながら、従来におけるスキマー型インターフェース構造では、試料から発生したガスがオリフィスを通過する前に拡散してしまい、オリフィスを通じた効率的なガス導入が行えないおそれがある。
本発明の第1の態様は、二重管による二重オリフィスを有したスキマー部が試料ホルダ部に置かれた測定試料を臨むように配置された状態で、前記測定試料に対する加熱により当該測定試料から発生する気体成分を、前記試料ホルダ部の側から前記スキマー部の側へ向けて形成されるキャリアガス流を用いつつ、前記二重オリフィスを介して前記二重管の内側管に連通する真空室へ導入するように構成されたスキマー型インターフェース構造において、前記スキマー部に付随して設けられた筒状体を備え、前記筒状体は、前記キャリアガス流の流れ方向に沿って延びるように配置され、当該流れ方向の上流側端に開口を有し、当該上流側端が前記測定試料の位置まで延び当該測定試料の少なくとも一部を筒内に囲うように形成されていることを特徴とするスキマー型インターフェース構造である。
本発明の第2の態様は、第1の態様に記載の発明において、前記筒状体は、少なくとも前記スキマー部の先端オリフィス部の近傍位置から前記測定試料の位置まで連続して延びるように形成されていることを特徴とする。
本発明の第3の態様は、第2の態様に記載の発明において、前記筒状体は、前記スキマー部の管外周形状に対応する筒内周形状を有しており、当該管外周形状への当該筒内周形状の嵌合によって前記スキマー部に装着されるように形成されていることを特徴とする。
本発明の第4の態様は、第3の態様に記載の発明において、前記筒状体は、高い熱伝導性を有する材料によって、前記流れ方向の下流側端が少なくとも前記スキマー部の管外周部分と重なる位置まで延びるように形成されていることを特徴とする。
本発明の第5の態様は、第1から第4のいずれか1態様に記載の発明において、前記真空室は、ガス分析装置または質量分析装置の一部を構成するものであることを特徴とする。
本発明の第6の態様は、第1から第5のいずれか1態様に記載の発明において、前記試料ホルダ部は、発生気体分析装置、昇温脱離ガス分析装置または熱重量測定装置の一部を構成するものであることを特徴とする。
本発明の第7の態様は、二重管による二重オリフィスを有したスキマー部が試料ホルダ部に置かれた測定試料を臨むように配置された状態で、前記測定試料に対する加熱により当該測定試料から発生する気体成分を、前記試料ホルダ部の側から前記スキマー部の側へ向けて形成されるキャリアガス流を用いつつ、前記二重オリフィスを介して前記二重管の内側管に連通する真空室へ導入するように構成されたスキマー型インターフェース構造において、前記測定試料から発生する気体成分を前記二重オリフィスへ向けて案内する機能を有した筒状体がスキマー部に付随して設けられていることを特徴とするスキマー型インターフェース構造である。
本発明の第8の態様は、第7の態様に記載の発明において、前記筒状体は、前記測定試料の周辺領域と前記スキマー部の管内領域との間の温度差を緩和する機能をも有していることを特徴とする。
本実施形態では、以下の順序で項分けをして説明を行う。
1.システム全体の概略構成
2.スキマー型インターフェース構造の構成
3.ガス分析の動作例
4.本実施形態の効果
5.変形例等
ここでは、示差熱天秤(TG−DTA)と光イオン化(Photoionization:PI)法に
よる質量分析(MS)を組み合わせた同時示差熱天秤−質量分析法(TG−DTA−PIMS)を実施するシステムにおいて、TG−DTAとMSとを繋ぐガス導入機構に、本発明に係るスキマー型インターフェース構造を適用した場合を例に挙げる。
図例のシステムは、大別すると、システム全体の制御を行う主制御装置1と、TG−DTA装置2と、PIMS装置3と、これらの間を繋ぐスキマー型インターフェース部4と、を備えて構成されている。これらのうちのスキマー型インターフェース部4に、本発明に係るスキマー型インターフェース構造が適用されている。
主制御装置1は、所定プログラムを実行するコンピュータとしての機能を有し、処理動作を制御する指令をTG−DTA装置2やPIMS装置3等に与え、またTG−DTA装置2やPIMS装置3等から受け取った出力信号に基づき操作者等に対する情報出力を行う装置である。主制御装置1には、入出力インターフェースを介して、プリンタ装置、ディスプレイ装置、情報入力装置等が接続されている。プリンタ装置は、静電転写プリンタ、インクジェットプリンタ、その他任意のプリンタによって構成される。また、ディスプレイ装置は、CRT(Cathode-ray Tube)ディスプレイ、フラットパネルディスプレイ(例えば、液晶ディスプレイ)、その他任意のディスプレイ機器によって構成される。また、情報入力装置は、キーボード式入力器、マウス式入力器、その他任意の入力機器によって構成される。
TG−DTA装置2は、TG(熱重量測定)とDTA(示差熱分析)との両方を併せて行う装置である。そのために、TG−DTA装置2は、試料室R0を形成する例えば石英ガラス製のケーシング21と、ケーシング21の周囲に設けられた加熱炉22と、ケーシング21の内部に設けられた天秤ビーム23a,23bと、TG−DTA制御装置24とを有する。
ケーシング21には、配管25を介して、ガス供給源26が接続されている。ガス供給源26は、ヘリウム(He)等の不活性ガスを、キャリアガスとして放出する。
加熱炉22は、例えば通電によって発熱する発熱線を熱源とする加熱装置によって構成されており、TG−DTA制御装置24からの指令に従って発熱し、さらに必要に応じて冷却される。
天秤ビーム23a,23bには、温度が変動しても物性変化を生じない物質である標準物質S0を支持した天秤ビーム23aと、測定対象である試料S1を支持した天秤ビーム23bとがある。つまり、天秤ビーム23aの一端には、標準物質ホルダ部が形成されており、その標準物質ホルダ部に標準物質S0が置かれるようになっている。また、天秤ビ
ーム23bの一端には、試料ホルダ部が形成されており、その試料ホルダ部に測定対象である試料S1が置かれるようになっている。
TG−DTA制御装置24は、コンピュータ、シーケンサ、専用回路等によって構成されており、主制御装置1からの指令に基づいて作動する。
このような状況の下、TG−DTA装置2は、TG(熱重量測定)として、天秤ビーム23a,23bの動きを検知することにより、標準物質S0と試料S1との重量差(ΔG)を測定し、その重量差(ΔG)を示す信号およびその重量差が生じたときの温度(T)を示す信号を出力する。また、TG−DTA装置2は、DTA(示差熱分析)として、標準物質S0の温度および試料S1の温度を検出して、それらの温度差(ΔT)を示す信号およびその温度差が生じたときの温度(T)を示す信号を出力する。信号の出力先は、主制御装置1である。
PIMS装置3は、スキマー型インターフェース部4によってケーシング21の内部と繋がっており、温度変化する試料S1から発生する何等かの脱離ガス(気体成分)を受け取って、その脱離ガスについての質量分析(MS)を行う装置である。質量分析(MS)は、光イオン化(PI)法によって行う。PI法によれば、例えば有機化合物から成る混合ガスをリアルタイムに質量分析する場合に、スペクトルが複雑になっても、ガス分子を壊さずに、分子イオン状態のまま計測することが可能になる。ただし、イオン化方法は、必ずしもPI法に限定されることはなく、電子衝突イオン化(Electron-Ionization:E
I)法または化学イオン化(Chemical-Ionization:CI)法によって行ってもよいし、
あるいはそれぞれのイオン化モード選択を可能にすることも考えられる。
ケーシング31には、ターボ分子ポンプ36aおよびロータリーポンプ36bが付設されている。ロータリーポンプ36bは分析室R1内の圧力を粗く減圧し、ターボ分子ポンプ36aはロータリーポンプ36bによって粗く減圧された分析室R1内を真空状態またはそれに近い減圧状態へとさらに減圧する。このような減圧によって、ケーシング31が形成する分析室R1内は、高真空雰囲気が形成されてその状態が保持され、試料S1から発生した脱離ガスが導入されることになる。なお、分析室R1内の圧力は圧力計であるイオンゲージ36cによって検出され、その検出結果は電気信号として圧力制御装置37へ送られる。
イオン化装置32は、分析室R1内に導入された脱離ガスをイオン化する。例えばPI法による場合であれば、イオン化装置32として真空紫外(VUV)光ランプを用い、そのランプからのVUV光によって脱離ガスをイオン化する。VUV光を用いれば、速い速度で広がって進行する脱離ガスの全体を短時間で十分にイオン化することができる。
イオン分離装置33は、イオン化装置32でのイオン化によって得られたイオンを、分子の質量電荷比ごとに分離する。イオンの分離は、例えば4つの電極を有する四重極フィルタを用いて行う。四重極フィルタを用いる場合には、周波数が経時的に変化する高周波交流電圧と所定の大きさの直流電圧とが重畳された状態の走査用電圧を4つの電極に印加することにより、それら4つの電極の間を通過するイオンが分子の質量電荷比ごとに分離され、分離された1つのイオンが後段のイオン検出装置34へ送られることになる。
イオン検出装置34は、イオン分離装置33によって分離されたイオンの強度を検出す
る。具体的には、例えばイオン偏向器および電子増倍管を有し、イオン分離装置33の四重極フィルタによって選択されたイオンについて、イオン偏向器によって電子増倍管へ集めた上で電気信号として質量分析制御装置35へ出力する。
質量分析制御装置35は、コンピュータ、シーケンサ、専用回路等によって構成されており、主制御装置1からの指令に基づいて作動しつつ、イオン化装置32、イオン分離装置33およびイオン検出装置34の各要素の動作を制御する。また、質量分析制御装置35の中には、イオン検出装置34によって検出されたイオンの強度を演算するエレクトロメータが含まれている。
次に、TG−DTA装置2とPIMS装置3との間を繋ぐスキマー型インターフェース部4、すなわち本発明に係るスキマー型インターフェース構造の一具体例について説明する。
図2は、本発明に係るスキマー型インターフェース構造の一具体例を模式的に示す構成図である。
先ず、スキマー型インターフェース部4の基本的な構成について説明する。
スキマー型インターフェース部4は、大気圧である試料室R0内と高真空となる分析室R1内との間を繋ぐガス導入機構として機能するものであり、オリフィスを有した二重管による差動排気を利用するように構成されたものである。
一方、内側管41と外側管42との間の空間は、中間減圧室43として機能するようになっている。中間減圧室43は、流量調整手段としてのマスフローメータ44を介して、排気手段としてのロータリーポンプ36bと接続している。そして、ロータリーポンプ36bの排気作用により、中間減圧室43の内部については、外側管42より外方の空間(すなわち、試料室R0内)よりも低圧な状態に設定し得るようになっている。また、中間減圧室43(すなわち排気流の上流側)とロータリーポンプ36b(すなわち排気流の下流側)との間に介在するガス流路45は、その途中にマスフローメータ44が配されており、さらにマスフローメータ44よりも中間減圧室43に近い側(すなわち排気流の中間位置)にはガス供給源46が接続されている。そして、圧力制御手段37による制御に従いつつ、ガス供給源46が空気や不活性ガス(例えばヘリウムガス)等のガスを中間減圧
室43内へ供給することで、当該中間減圧室43の内圧を目標値にすべく調整し得るようになっている。なお、中間減圧室43の内圧は、圧力計であるクリスタルゲージ47によって検出され、その検出結果は電気信号として圧力制御装置37へ送られて、ガス供給源46に対するフィードバック制御に用いられる。
続いて、本実施形態におけるスキマー型インターフェース部4の特徴的な構成について説明する。
「付随して」とは、スキマー部40に装着可能に設けられていること、またはスキマー部40の一部として設けられていることを意味する。ここでは、スキマー部40に装着可能に設けられている場合を例に挙げて、以下の説明を行う。
なお、筒状体50については、その詳細を後述する。
上述したように、スキマー部40は、試料室R0内に形成されたキャリアガス流F0を用いつつ、試料S1から発生した脱離ガスを収集し、二重オリフィスを通じて収集した脱離ガスを分析室R1へ導入するように構成されている。このような構成においては、分析室R1におけるガス分析の感度向上を図るべく、試料S1から発生した脱離ガスを効率的に高真空中へ導入することが望ましい。効率的なガス導入のためには、試料S1から発生
した脱離ガスを、(イ)濃度が高い状態のまま分析室R1へ導入し、さらには(ロ)沸点以上の温度状態を保ったまま分析室R1へ導入すればよいと考えられる。
ここで、筒状体50の具体的な構成例について、図2を参照しながら説明する。
マー部40の管外周形状と筒状体50の筒内周形状とを嵌合させることで、筒状体50がスキマー部40に装着されるように形成されている。
しかし、高い熱伝導を有する筒状体で装置を構成すると、沸点以上の温度状体を保ったまま、脱離ガスを分析室に導くことができ、より測定精度を上げることが可能となる。
すなわち、高い熱伝導性を有していれば、筒状体50は、試料室R0内の試料S1を加熱する際に、加熱炉22からの熱を遮ってしまうことがない。また、試料S1に対する加熱に伴って、筒状体50の一部分だけが加熱される場合であっても、その熱が筒状体50の全体に伝わることになる。ただし、筒状体50の形成材料は、試料S1が加熱されることから、その加熱温度に対する耐熱性も有しているものとする。このような形成材料としては、例えば白金(プラチナ)、アルミニウム、金、銅等を用いることが考えられる。つまり、本明細書では、断熱材に代表される極端に熱伝導が悪い材料に代表される物質以外の材料を「高い熱伝導性」という。
また、金属に代表される非常に高い伝導率を有する材料により筒状体を形成することにより、より効率的な測定を可能とすることは言うまでもない。
次に、上述した構成のTG−DTA−PIMSシステムにおいて、試料S1から発生した脱離ガスに対するガス分析を行う場合の処理動作例を説明する。
オリフィスに吸引されずに、一部が先端オリフィス部48を超えてスキマー部40の管外周側へ流れて行くといったことが起こり得る。
本実施形態で説明した構成のスキマー型インターフェース部4によれば、以下のような効果が得られる。
な構成の筒状体50は、試料S1から発生する脱離ガスをスキマー部40の二重オリフィスへ向けて案内する整流機能を実現するものである。したがって、本実施形態のスキマー型インターフェース部4によれば、試料S1から発生した脱離ガスの試料室R0内への拡散を抑制することができ、当該脱離ガスを濃度が高い状態のまま分析室R1へ導入することが可能となる。つまり、上記(イ)についての実現が可能となり、試料S1から発生した脱離ガスを効率的に高真空中へ導入し得るようになるので、分析室R1におけるガス分析の感度向上が図れる。
以上に本発明の実施形態を説明したが、上述した開示内容は、本発明の例示的な実施形態を示すものである。すなわち、本発明の技術的範囲は、上述の例示的な実施形態に限定されるものではない。
以下に、上述した実施形態以外の変形例について説明する。
ー部40に装着される場合を例に挙げている。ただし、筒状体50は、スキマー部40に付随して設けられたものであればよく、例えばスキマー部40の一部として当該スキマー部40と一体で形成されたものであってもよい。
R0の側は、発生気体分析装置(EGA装置)全般に適用可能であり、TG−DTA装置2ではなく、他の種類の昇温脱離ガス分析装置(例えばTPD−MS装置)または熱重量測定装置(例えばTG装置やDTA装置等)の一部を構成するものであっても構わない。また、分析室R1の側についても、PIMS装置3ではなく、他の種類のガス分析装置(例えばTPD装置)や質量分析装置(例えばMS装置)等の一部を構成するものであっても構わない。
実施例1では、上述した実施形態で説明した構成のTG−DTA−PIMSシステムを用いて、筒状体50が装着されている場合における、試料S1からの発生(昇華)ガスの検出強度を確認した。
部40に筒状体50を装着した。なお、試料S1を加熱する加熱炉22は電気炉であり、スキマー部40の形成材料はムライトである。
マススペクトルは、質量分析の結果得られるものであり、横軸にm/z値、縦軸に検出強度をとったスペクトルである。図例のように、亜鉛アセチルアセトナートの場合、m/z262に基準ピーク(最大強度ピーク)があることがわかる。
図例は、横軸を温度(℃)、縦軸を検出シグナル強度(A/g)として、実施例1における検出結果を実線で示している。実施例1の場合、m/z262の面積強度(Asg-1)は、3.12×10-5であった。
上述した実施例1との比較のため、比較例1として、筒状体50が装着されていない場合における、試料S1からの発生(昇華)ガスの検出強度を確認した。筒状体50の装着有無を除き、測定条件等は、実施例1の場合と全く同様である。
実施例1と比較例1を比較すると、実施例1の場合のほうが比較例1の場合よりも、一桁近く面積強度が増加していることがわかる。つまり、ガス分析の感度につき、実施例1の場合のほうが比較例1の場合に比べて顕著に向上している。これは、スキマー部40に装着した筒状体50の整流機能および均熱機能の相互作用により、ガス分析の際の検出シグナル強度が増加しているためと考えられる。
Claims (9)
- 二重管による二重オリフィスを有したスキマー部が試料室内の試料ホルダ部に置かれた測定試料を臨むように配置された状態で、前記測定試料に対する加熱により当該測定試料から発生する気体成分を、前記試料ホルダ部の側から前記スキマー部の側へ向けて形成されるキャリアガス流を用いつつ、前記二重オリフィスを介して前記二重管の内側管に連通する真空室へ導入するように構成されたスキマー型インターフェース構造において、
前記試料室のケーシングとは別に、前記スキマー部に装着可能に設けられ、または前記スキマー部の一部として設けられた筒状体を備え、
前記筒状体は、前記キャリアガス流の流れ方向に沿って延びるように配置され、当該流れ方向の上流側端に開口を有し、当該上流側端が前記測定試料の位置まで延び当該測定試料の少なくとも一部を筒内に囲うように形成されている
ことを特徴とするスキマー型インターフェース構造。 - 前記筒状体は、少なくとも前記スキマー部の先端オリフィス部の近傍位置から前記測定試料の位置まで連続して延びるように形成されている
ことを特徴とする請求項1記載のスキマー型インターフェース構造。 - 前記筒状体は、前記スキマー部の管外周形状に対応する筒内周形状を有しており、当該管外周形状への当該筒内周形状の嵌合によって前記スキマー部に装着されるように形成されている
ことを特徴とする請求項2記載のスキマー型インターフェース構造。 - 前記筒状体は、高い熱伝導性を有する材料によって、前記流れ方向の下流側端が少なくとも前記スキマー部の管外周部分と重なる位置まで延びるように形成されている
ことを特徴とする請求項3記載のスキマー型インターフェース構造。 - 前記真空室は、ガス分析装置または質量分析装置の一部を構成するものである
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のスキマー型インターフェース構造。 - 前記試料ホルダ部は、発生気体分析装置、昇温脱離ガス分析装置または熱重量測定装置の一部を構成するものである
ことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載のスキマー型インターフェース構造。 - 二重管による二重オリフィスを有したスキマー部が試料室内の試料ホルダ部に置かれた測定試料を臨むように配置された状態で、前記測定試料に対する加熱により当該測定試料から発生する気体成分を、前記試料ホルダ部の側から前記スキマー部の側へ向けて形成されるキャリアガス流を用いつつ、前記二重オリフィスを介して前記二重管の内側管に連通する真空室へ導入するように構成されたスキマー型インターフェース構造において、
前記測定試料から発生する気体成分を前記二重オリフィスへ向けて案内する機能を有した筒状体が、前記試料室のケーシングとは別に、前記スキマー部に装着可能に設けられ、または前記スキマー部の一部として設けられている
ことを特徴とするスキマー型インターフェース構造。 - 前記筒状体は、前記測定試料の周辺領域と前記スキマー部の管内領域との間の温度差を緩和する機能をも有している
ことを特徴とする請求項7記載のスキマー型インターフェース構造。 - 前記筒状体の筒内には、前記スキマー部の先端オリフィス部に対応する開孔を有した隔壁が設けられている
ことを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載のスキマー型インターフェース構造。
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