JP5879806B2 - Ntd半導体基板へのレーザー印字方法 - Google Patents
Ntd半導体基板へのレーザー印字方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5879806B2 JP5879806B2 JP2011173975A JP2011173975A JP5879806B2 JP 5879806 B2 JP5879806 B2 JP 5879806B2 JP 2011173975 A JP2011173975 A JP 2011173975A JP 2011173975 A JP2011173975 A JP 2011173975A JP 5879806 B2 JP5879806 B2 JP 5879806B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- laser
- heat treatment
- ntd
- irradiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Description
<実施例1>
前述のように、中性子線照射されたシリコン半導体基板(NTDウエハ)6に、YVO4レーザー光により識別コードを形成する場合、文字パターン、識別コードパターンとして容易に認識できるような深さに凹凸形状の印字ドットを形成することが困難という問題がある。そこで、NTD半導体基板6を調べたところ、このNTD半導体基板6は、この段階では中性子線照射後に目的とする抵抗率を得るために必要な照射損傷の回復のための熱処理(アニール)がまだ行われていないことが判明した。
2 オリエンテーションフラット
3 識別コード
4 文字パターン
5 半導体基板
6 NTD半導体基板(アニールなし)
10 印字ドット
11 印字ドット
d ドットの深さ
Claims (5)
- 中性子線の照射による結晶格子の原子配列に損傷を有する半導体基板に、前記中性子線の照射による損傷を回復する損傷回復熱処理の前に200℃以上600℃以下で30分以上の熱処理を施した後、YVO4レーザーを半導体基板表面の余白部に照射して識別パターンを刻印することを特徴とする半導体基板へのレーザー印字方法。
- 前記熱処理が400℃以上で30分以上であることを特徴とする請求項1記載の半導体基板へのレーザー印字方法。
- 前記熱処理が電気炉、ホットプレート、フラッシュランプ、レーザー光により行われることを特徴とする請求項2記載の半導体基板へのレーザー印字方法。
- 前記YVO4レーザー照射による識別パターンの凹凸ドットの深さが2.5μm以上であることを特徴とする請求項1記載の半導体基板へのレーザー印字方法。
- レーザー光出力が5〜25ワットで照射時間が10msecであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体基板へのレーザー印字方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011173975A JP5879806B2 (ja) | 2011-08-09 | 2011-08-09 | Ntd半導体基板へのレーザー印字方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011173975A JP5879806B2 (ja) | 2011-08-09 | 2011-08-09 | Ntd半導体基板へのレーザー印字方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013038268A JP2013038268A (ja) | 2013-02-21 |
JP5879806B2 true JP5879806B2 (ja) | 2016-03-08 |
Family
ID=47887580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011173975A Expired - Fee Related JP5879806B2 (ja) | 2011-08-09 | 2011-08-09 | Ntd半導体基板へのレーザー印字方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5879806B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6076227B2 (ja) * | 2013-10-04 | 2017-02-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE837370A (fr) * | 1975-04-15 | 1976-05-03 | Procede de preparation de monocristaux de silicium dopes par activation avec des neutrons | |
US20060000814A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Bo Gu | Laser-based method and system for processing targeted surface material and article produced thereby |
-
2011
- 2011-08-09 JP JP2011173975A patent/JP5879806B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013038268A (ja) | 2013-02-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101139733B (zh) | 具有缺陷减少区域的单晶半导体晶片及其制造方法 | |
JP5718026B2 (ja) | 注入されたドーパントを選択的に活性化するためのレーザ・アニーリングを使用して半導体デバイスを製造するための方法 | |
JP2006351659A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20150155172A1 (en) | Apparatus and Method for Laser Heating and Ion Implantation | |
EP3451365B1 (en) | Laser annealing method | |
IT8023526A1 (it) | Procedimento per l'assorbimento di contaminanti, difetti o simili in un corpo semiconduttore | |
JP5879806B2 (ja) | Ntd半導体基板へのレーザー印字方法 | |
JP2011114052A (ja) | 半導体基板の製造方法及びレーザアニール装置 | |
US20210111026A1 (en) | Laser annealing method for semiconductor device, semiconductor device, laser annealing method, control device of laser annealing apparatus, and laser annealing apparatus | |
CN102779739A (zh) | 功率半导体器件背面制造工艺 | |
KR102392885B1 (ko) | 디바이스 형성 방법 | |
JP2005534172A (ja) | 急速加熱処理中のアライメントマークのずれ防止方法 | |
JP5307093B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
JP2010283219A (ja) | 半導体デバイス向け半導体基板の製造方法、半導体デバイスの製造方法、半導体デバイスの製造装置 | |
JP6922851B2 (ja) | ゲッタリング層の形成方法 | |
JP6076227B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5350757B2 (ja) | メサ型ツェナーダイオード及びその製造方法 | |
JPS6122623A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JP2000294467A (ja) | 表面に識別パターンを有する多層基板の製造方法および管理方法 | |
JPH0244717A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN114207780A (zh) | 激光标记的印刷方法及带激光标记的硅晶片的制造方法 | |
JP2009259928A (ja) | マーク付き半導体基板及びその製造方法 | |
JP2009032711A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH01114045A (ja) | 半導体基板の裏面歪付け方法 | |
JP2006140176A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140616 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150316 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150324 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150515 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20151005 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20151005 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160118 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5879806 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |