JP5877417B2 - 中性子検出用シンチレーター及び中性子線検出器 - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 42
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 125
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims description 24
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 150000001340 alkali metals Chemical group 0.000 claims description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 15
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 36
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 17
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 14
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 14
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 13
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 12
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 7
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000004033 diameter control Methods 0.000 description 6
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropanal Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C=O IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminum fluoride Inorganic materials F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- LQFSFEIKYIRLTN-UHFFFAOYSA-H aluminum;calcium;lithium;hexafluoride Chemical compound [Li+].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[Al+3].[Ca+2] LQFSFEIKYIRLTN-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 3
- QCCDYNYSHILRDG-UHFFFAOYSA-K cerium(3+);trifluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[Ce+3] QCCDYNYSHILRDG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 lithium halide Chemical class 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020156 CeF Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 229910001615 alkaline earth metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005269 GaF 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910000691 Re alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018097 ScF Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- WTCJLALIGFSROU-UHFFFAOYSA-I [Ca+2].[F-].[Li+].[Ca+2].[F-].[F-].[F-].[F-] Chemical compound [Ca+2].[F-].[Li+].[Ca+2].[F-].[F-].[F-].[F-] WTCJLALIGFSROU-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- HSIIPBLQIWWNOT-UHFFFAOYSA-N [Si]=O.[Gd] Chemical compound [Si]=O.[Gd] HSIIPBLQIWWNOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- UHTINMXRTRWAHG-UHFFFAOYSA-N argon;tetrafluoromethane Chemical compound [Ar].FC(F)(F)F UHTINMXRTRWAHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- ORCSMBGZHYTXOV-UHFFFAOYSA-N bismuth;germanium;dodecahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.[Ge].[Ge].[Ge].[Bi].[Bi].[Bi].[Bi] ORCSMBGZHYTXOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005274 electronic transitions Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000155 isotopic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- VMTCKFAPVIWNOF-UHFFFAOYSA-N methane tetrahydrofluoride Chemical compound C.F.F.F.F VMTCKFAPVIWNOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002102 polyvinyl toluene Polymers 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 238000003325 tomography Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T3/00—Measuring neutron radiation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
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- C30—CRYSTAL GROWTH
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- C30B15/08—Downward pulling
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/12—Halides
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Description
シンチレーターに求められる代表的な特性としては、高い発光量、高い放射線阻止能、早い蛍光の減衰などがあげられる。特に中性子線を検出対象とするシンチレーターにおいては、中性子とFe(鉄)、Pb(鉛)、Cd(カドミウム)、C(炭素)、N(窒素)などの、検出器素材や被検査対象物質に含まれる吸収物質との間で放射線捕獲反応が起こってγ線が生じやすいので、このγ線との弁別能が必要となる。
当該ランタノイド元素を含有させたLiCaAlF6結晶は、中性子線に対する検出効率が高く、且つ、中性子線とγ線の弁別能に優れているものの、前記3Heガスを用いた中性子線検出器の代替を目的とした固体中性子検出用シンチレーターとして用いるにあたっては、弁別能に改善の余地があった。しかし、当該弁別能を予測するための一般に認められた理論は存在せず、したがって、種々の材料について、中性子線とγ線の弁別能を事前に予測するのは困難であった。
(ただし、M1はMg、Ca、Sr及びBaからなる群より選ばれる少なくとも1種のアルカリ土類金属元素であり、M2はAl、Ga及びScからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属元素であり、XはF、Cl、BrおよびIからなる群より選ばれる少なくとも1種のハロゲン元素である)
で表わされるコルキライト型結晶であって、
Na、K、Rb及びCsからなる群より選ばれる少なくとも1種のアルカリ金属元素、ならびにCe、Pr及びNdからなる群より選ばれる少なくとも1種のランタノイド元素を含有し、当該アルカリ金属元素およびランタノイド元素の含有量が、コルキライト型結晶に対して各々、0.001〜10mol%、0.01〜0.5mol%であり、且つ6Liの同位体比が20%以上であるコルキライト型結晶からなることを特徴とする中性子検出用シンチレーターが提供される。
上記中性子用シンチレーターの発明において、
1)コルキライト型結晶が、化学式 LiCa1−xSrxAlF6(ただし、xは0〜1の数である)で表わされること、
2)M1がCaであり、M2がAlであり、アルカリ金属元素がNaであり、ランタノイド元素がCeであり、6Liの同位体比が50%以上であることが好ましい。
本発明により、更に、当該シンチレーターと光検出器とを具備することを特徴とする中性子線検出器が提供される。
当該コルキライト型結晶は、空間群P31cに属する六方晶であって、粉末X線回折の手法によって容易に同定することができる。
前記ハロゲン元素がFであるコルキライト型結晶の中でも、化学式LiCa1−xSrxAlF6(ただし、xは0〜1である)で表わされるコルキライト型結晶が、大型の結晶を作製しやすく、また、シンチレーターとして用いた際の発光量を高めることができ、好ましい。さらに前記化学式中のxを0としたLiCaAlF6は、有効原子番号が小さく、γ線に対する感度を低減することができるため、最も好ましい。なお、本発明において、有効原子番号とは下式で定義される指標である。
有効原子番号=(ΣWiZi 4)1/4
式中、Wi及びZiは、それぞれシンチレーターを構成する元素のうちのi番目の元素の質量分率及び原子番号である。
6Liの同位体比を20%以上とすることによって、得られるコルキライト型結晶の中性子線に対する検出効率を充分に高めることができるが、さらに検出効率を高める目的で、50%以上とすることが好ましく、90%以上とすることが最も好ましい。
天然に存在するLiでは6Liの同位体比は約7.6%にすぎないが、6Li同位体を濃縮し6Liの同位体比を高めた原料が市販されており、容易に入手することができる。
本発明において、6Liの同位体比を調整する方法としては、6Li同位体が所期の6Liの同位体比まで濃縮された原料を用いる方法、或いはあらかじめ6Liが所期の6Liの同位体比以上に濃縮された原料を用意し、該濃縮された原料と天然の同位体比を有する汎用の原料を混合して調整する方法が挙げられる。
前記ランタノイド元素の中でも、Ceが発光量が高いため好ましい。なお、本発明において、発光量とは放射線の入射によって生じるシンチレーション光の光子数であり、中性子線に対しては入射中性子あたりの光子数(photons/neutron)で表わし、γ線に対しては入射γ線のエネルギーあたりの光子数(photons/MeV)で表わす。
ランタノイド元素の含有量は、コルキライト型結晶に対して、0.01〜0.5mol%とすることが好ましい。0.01mol%以上とすることによって、シンチレーターとしての特性が良好なコルキライト型結晶を得ることができ、0.5mol%以下とすることによって、結晶の製造における結晶の白濁等の問題を回避することができる。なお、ランタノイド元素の含有量は、後述するように、コルキライト型結晶の製造において、混合原料に添加するランタノイド元素のハロゲン化物の混合比によって適宜調整できる。
一般には、中性子の入射による発光量が増大した場合、γ線の入射による発光量も増大する。これに対して本発明のコルキライト型結晶は、前記アルカリ金属元素を含有することによって、中性子の入射による発光量は増大するものの、γ線の入射による発光量は増大しない。したがって、両者の発光量の差異がきわめて大きく、かかる発光量の差異を利用すれば、シンチレーターより生じる発光パルスの波高値に閾値を設け、当該閾値を超える発光パルスのみを中性子線の入射による信号として扱うこと、すなわち、中性子線とγ線とを弁別することが容易となる。
本発明のコルキライト型結晶は、前記のような中性子線とγ線との弁別能を特異的に示すが、その作用機構については明らかでない。
前記アルカリ金属元素の中でも、Naが最も好ましい。即ち、Naは原子番号が小さいためγ線と相互作用する確率が低く、また、潮解性の無いコルキライト型結晶を得ることができるため、好適である。
まず、所定量の原料を、坩堝1に充填する。原料の純度は特に限定されないが、99.99%以上とすることが好ましい。このような純度の高い原料を用いることにより、得られる結晶の純度を高めることができるため発光量等の特性が向上する。原料は、粉末状あるいは粒状の原料を用いても良く、あらかじめ焼結或いは溶融固化させてから用いてもよい。
アルカリ金属の添加量は偏析による結晶中に含まれるアルカリ金属元素量の変化を勘案して、コルキライト型結晶に対して0.001〜10mol%であることが好ましく、0.01〜5mol%であればさらに好ましい。
ランタノイド元素の添加量は、コルキライト型結晶に対して0.01〜0.5mol%であることが好ましい。
種結晶5を自動直径制御装置6の先端に取り付ける。種結晶に替えて、高温下での耐蝕性に優れた白金などの金属を用いてもよいが、製造するコルキライト型結晶もしくはそれと近い結晶構造を持った単結晶を用いた方が、結晶の割れを回避することができ、好適である。
前記自動直径制御装置は、結晶の重量を測定するロードセルと、測定された重量をヒーター出力にフィードバックする回路系で構成されており、当該自動直径制御装置を用いることによって、所期の直径の結晶を精度よく安定して製造することができる。
上記ガス置換操作によっても除去できない水分による悪影響を避けるため、水分との反応性が高いスカベンジャーを用いることが好ましい。当該スカベンジャーは、四フッ化メタン等が好適に使用でき、上記不活性ガスに混合してチャンバー内に導入される。
次いで、溶融した原料融液を、種結晶と接触させる。種結晶と接触した部分が凝固する温度になるようヒーター出力を調整した後、自動直径制御装置6による制御の元、引き上げ速度を自動調整しながら結晶を引き上げる。なお、液面高さの調整のため可動ステージ4を上下方向に適宜動かしてもよい。高周波コイルの出力を適宜調整しながら連続的に引き上げ、所望の長さとなったところで液面から切り離し、結晶に割れが入らないように十分な時間をかけて冷却することで、コルキライト型結晶を得ることができる。
得られたコルキライト型結晶は、良好な加工性を有しており、所望の形状に加工して中性子検出用シンチレーターとして用いることができる。加工に際しては、公知のブレードソー、ワイヤーソー等の切断機、研削機、或いは研磨盤を何ら制限無く用いる事ができる。
前記光出射面の形状は限定されず、一辺の長さが数mm〜数百mm角の四角形、或いは直径が数mm〜数百mmの円形など、用途に応じた形状を適宜選択して用いることができる。
シンチレーターの中性子線入射方向に対する厚さは、検出対象とする中性子線のエネルギーによって異なるが、一般に数百μm〜数百mmである。
光検出器に対向しない面に、アルミニウム或いはテフロン(登録商標)等からなる光反射膜を施すことにより、シンチレーターで生じた光の散逸を防止することができ、好ましい。
また、前記光反射膜が施されたシンチレーターを多数配列し、光検出器として位置敏感型光検出器を用いることにより、中性子検出器に位置分解能を付与することができる。
〔コルキライト型結晶の製造および中性子検出用シンチレーターの作製〕
化学式LiCaAlF6で表わされ、アルカリ金属元素及びランタノイド元素としてそれぞれNaおよびCeを含有するコルキライト型結晶を製造した。なお、6Liの同位体比は95%とした。
図1に示すチョクラルスキー法による結晶製造装置を用いて、前記コルキライト型結晶を製造した。原料としては、純度が99.99%以上のLiF、CaF2、AlF3、NaFおよびCeF3の高純度フッ化物粉末を用いた。また、LiFとしては、6Liの同位体比が95%の市販品を用いた。坩堝1、ヒーター2、及び断熱材3は、高純度カーボン製のものを使用した。
油回転ポンプ及び油拡散ポンプからなる真空排気装置を用いて、チャンバー6内を5.0×10−4Paまで真空排気した後、四フッ化メタン−アルゴン混合ガスをチャンバー7内に大気圧まで導入し、ガス置換を行った。
育成中、液面高さが一定となるよう調整するため可動ステージ4を適宜動かし、高周波コイルの出力を適宜調整しながら連続的に引き上げ、約80mmの長さとなったところで液面から切り離し、約48時間かけて冷却することで、直径55mm、長さ約80mmの単結晶を得た。
当該単結晶の一部を粉砕し、得られた粉末についてX線回折測定を行った結果、当該単結晶はコルキライト型結晶の一種であるLiCaAlF6単結晶であることが分かった。
これらより、本実施例で製造された単結晶は、化学式LiCaAlF6で表わされ、Na及びCeを含有し、且つ6Liの同位体比が95%のコルキライト型結晶である。
得られたコルキライト型結晶を、ダイヤモンドワイヤーを備えたワイヤーソーによって切断した。次いで、当該結晶の全面を研磨盤によって研削および光学研磨し、10×10×4mm3の形状に加工して、本発明の中性子検出用シンチレーターを得た。
まず、前記中性子検出用シンチレーターの10×10mm2の面を光出射面とし、当該光出射面以外の面にテープ状のテフロン(登録商標)を巻いて光反射膜とした。次いで、光検出器として光電子増倍管(浜松ホトニクス社製 R7600U)を用意し、当該光電子増倍管の光検出面に、前記シンチレーターの光出射面を光学グリースで接着した。
前記光電子増倍管に電源および信号読出し回路を接続して中性子線検出器を製作した。なお、前記信号読出し回路として、光電子増倍管側から前置増幅器、整形増幅器及び多重波高分析器を接続した。
中性子線検出器を遮光用のブラックシートで覆った後に、約1MBqの放射能の252Cf密封線源からの中性子線を、40mmの厚みのポリエチレンブロックで減速して照射した。
光電子増倍管に接続された電源を用いて、650Vの高電圧を光電子増倍管に印加した。中性子の入射によって、シンチレーターで生じた発光パルスを光電子増倍管でパルス状の電気信号に変換し、当該電気信号を前置増幅器、整形増幅器を介して多重波高分析器に入力した。多重波高分析器に入力された電気信号を解析して波高分布スペクトルを作成した。次に、中性子線に替えて、約1kBqの放射能の60Co密封線源からのγ線を照射する以外は、前記と同様にして波高分布スペクトルを作成した。
図2より中性子線を検出した結果として生じる明瞭なピークが確認でき、中性子線検出器として動作していることがわかる。また、γ線の入射によって生じる電気信号の波高値は、中性子線の入射によって生じる電気信号の波高値に比較してはるかに低く、容易にγ線と中性子線を弁別できることが分かる。
化学式LiCaAlF6で表わされ、前記アルカリ金属元素を含まず、ランタノイド元素としてCeを含有するコルキライト型結晶を製造した。なお、
6Liの同位体比は95%とした。
混合原料中にNaFを添加しない以外は、実施例1と同様にして単結晶を得た。得られた単結晶について、実施例1と同様の測定を行った結果、本比較例で製造された単結晶は、化学式LiCaAlF6で表わされ、Ceを含有し、且つ6Liの同位体比が95%のコルキライト型結晶であった。
実施例1と同様にして、得られた単結晶を加工し、シンチレーターとした後、中性子線検出器を製作した。得られた中性子線検出器を用いて、中性子線およびγ線照射下での波高分布スペクトルを作成した。
得られた波高分布スペクトルを図3に示す。図3の実線および点線は、それぞれ中性子線およびγ線照射下での波高分布スペクトルである。横軸および縦軸は図2と同じである。
図3より、中性子線由来の明瞭なピークが確認でき、中性子線検出器として動作している。しかしながら、γ線由来の波高値は中性子線由来の波高値に比較して低いものの、その最大値は中性子の波高値に対して約0.6に達している。これに対して、実施例1の中性子線検出器ではγ線由来の波高値は約0.4にとどまっており、中性子線とγ線との弁別能が劣る。
以上の説明より、本発明のコルキライト型結晶からなる中性子検出用シンチレーターは、中性子線とγ線との弁別能および中性子線が入射した際の発光量に優れており、また、当該中性子検出用シンチレーターを用いた中性子線検出器が有効であることが分かる。
図5に示す製造装置を用いて、Ce、およびNaを含有するフッ化リチウムカルシウムアルミニウムの結晶を製造した。原料としては、純度が99.99%のフッ化リチウム(6Li同位体比95%)、及びフッ化カルシウム、フッ化アルミニウム、フッ化セリウム、フッ化ナトリウムを用いた。アフターヒーター10、ヒーター11、断熱材12、ステージ13、及び坩堝14は、高純度カーボン製のものを使用し、坩堝底部に設けた孔の形状は直径2.0mm、長さ0.5mmの円柱状とした。
まず、フッ化リチウム0.53g、及びフッ化カルシウム1.66g、フッ化アルミニウム1.87g、フッ化セリウム84mg、フッ化ナトリウム18mgをそれぞれ秤量し、よく混合した後に坩堝14に充填した。原料を充填した坩堝14を、アフターヒーター10の上部にセットし、その周囲にヒーター11、及び断熱材12を順次セットした。
次いで、油回転ポンプ及び油拡散ポンプからなる真空排気装置を用いて、チャンバー15内を5.0×10−4Paまで真空排気を行った。同時に、真空排気時の坩堝内部の温度は570Kとなるよう、高周波コイル16を用いて加熱を行った。
高周波加熱コイル16を用いて、原料をフッ化リチウムカルシウムアルミニウムの融点まで加熱して溶融せしめた。次いで、高周波の出力を調整して原料融液の温度を徐々に上げながら、引下げロッド17の先端に設けたW−Re合金からなる金属ワイヤーを、坩堝14底部の孔に挿入し、引下げる操作を繰り返して、原料融液を上記孔より引き出した。この時点の温度が保たれるように高周波の出力を固定し、原料の融液を引き下げ、結晶の育成を開始した。1mm/hrの速度で連続的に14時間引き下げ、最終的に直径2.1mm、長さ40mmのCe、およびNaを含有するフッ化リチウムカルシウムアルミニウム単結晶を得た。
ICPによる分析により結晶中の各種イオンの含有量を調べたところ、結晶中のCeの含有量は0.082mol%、Naの含有量は0.91mol%であった。
得られた波高分布スペクトルを図6に示す。図6の実線および点線は、それぞれ中性子線およびγ線照射下での波高分布スペクトルである。横軸および縦軸は図2と同じである。
図6より、中性子線由来の明瞭なピークが確認でき、中性子線検出器として動作していること、並びに容易にγ線と中性子線を弁別できることが分かる。
原料として、フッ化リチウム0.53g、及びフッ化カルシウム1.66g、フッ化アルミニウム1.88g、フッ化セリウム84mg、フッ化ナトリウム2.7mgとした以外は実施例1と同様に結晶育成を行い、最終的に直径2.1mm、長さ40mmのEuを含有するフッ化リチウムカルシウムアルミニウム結晶を得た。
ICPによる分析により結晶中の各種イオンの含有量を調べたところ、結晶中のCeの含有量は0.081mol%、Naの含有量は0.27mol%であった。
実施例1と同様にして、得られた単結晶を加工し、シンチレーターとした後、中性子線検出器を製作した。得られた中性子線検出器を用いて、中性子線およびγ線照射下での波高分布スペクトルを作成した。
得られた波高分布スペクトルを図7に示す。図7の実線および点線は、それぞれ中性子線およびγ線照射下での波高分布スペクトルである。横軸および縦軸は図2と同じである。
図7より、中性子線由来の明瞭なピークが確認でき、中性子線検出器として動作していること、並びに容易にγ線と中性子線を弁別できることが分かる。
2 ヒーター
3 断熱材
4 可動ステージ
5 種結晶
6 自動直径制御装置
7 チャンバー
8 高周波コイル
9 ガス導入口
10 アフターヒーター
11 ヒーター
12 断熱材
13 ステージ
14 坩堝
15 チャンバー
16 高周波コイル
17 引き下げロッド
Claims (4)
- 化学式 LiM1M2X6、
(ただし、M1はMg、Ca、Sr及びBaからなる群より選ばれる少なくとも1種のアルカリ土類金属元素であり、M2はAl、Ga及びScからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属元素であり、XはF、Cl、BrおよびIからなる群より選ばれる少なくとも1種のハロゲン元素である)
で表わされるコルキライト型結晶であって、
Na、K、Rb及びCsからなる群より選ばれる少なくとも1種のアルカリ金属元素、ならびにCe、Pr及びNdからなる群より選ばれる少なくとも1種のランタノイド元素を含有し、当該アルカリ金属元素およびランタノイド元素の含有量が、コルキライト型結晶に対して各々、0.001〜10mol%、0.01〜0.5mol%であり、且つ6Liの同位体比が20%以上であるコルキライト型結晶からなることを特徴とする中性子検出用シンチレーター。 - コルキライト型結晶が、化学式 LiCa1−xSrxAlF6(ただし、xは0〜1の数である)で表わされることを特徴とする請求項1に記載の中性子検出用シンチレーター。
- M1がCaであり、M2がAlであり、アルカリ金属元素がNaであり、ランタノイド元素がCeであり、6Liの同位体比が50%以上であることを特徴とする請求項1に記載の中性子検出用シンチレーター。
- 請求項1〜3の何れか一項に記載の中性子検出用シンチレーターと、光検出器とを具備することを特徴とする中性子線検出器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012541879A JP5877417B2 (ja) | 2010-11-02 | 2011-11-01 | 中性子検出用シンチレーター及び中性子線検出器 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010246218 | 2010-11-02 | ||
JP2010246218 | 2010-11-02 | ||
PCT/JP2011/075196 WO2012060381A1 (ja) | 2010-11-02 | 2011-11-01 | コルキライト型結晶、中性子検出用シンチレーター及び中性子線検出器 |
JP2012541879A JP5877417B2 (ja) | 2010-11-02 | 2011-11-01 | 中性子検出用シンチレーター及び中性子線検出器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2012060381A1 JPWO2012060381A1 (ja) | 2014-05-12 |
JP5877417B2 true JP5877417B2 (ja) | 2016-03-08 |
Family
ID=46024495
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012541879A Expired - Fee Related JP5877417B2 (ja) | 2010-11-02 | 2011-11-01 | 中性子検出用シンチレーター及び中性子線検出器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8933408B2 (ja) |
EP (1) | EP2636772B1 (ja) |
JP (1) | JP5877417B2 (ja) |
WO (1) | WO2012060381A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2636773A4 (en) * | 2010-11-02 | 2014-03-19 | Tokuyama Corp | METAL FLUORIDE CRYSTAL AND LIGHT EMITTING ELEMENT |
WO2014092202A1 (ja) | 2012-12-12 | 2014-06-19 | 株式会社トクヤマ | 中性子シンチレーター、中性子検出方法及び中性子検出器 |
US9804290B2 (en) | 2013-04-02 | 2017-10-31 | Morpho Detection, Llc | Cross-correlated gamma ray and neutron detector |
JP2019152436A (ja) * | 2016-07-22 | 2019-09-12 | 株式会社トクヤマ | 計数方法および放射線検出装置 |
CN114133137B (zh) * | 2021-12-15 | 2023-10-20 | 中国建筑材料科学研究总院有限公司 | 一种中子探测玻璃闪烁体及其制备方法与应用 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004086089A1 (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-07 | Hokushin Corporation | 熱蛍光線量計用フッ化物単結晶材料及び熱蛍光線量計 |
WO2009119378A1 (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-01 | 株式会社トクヤマ | 中性子検出用シンチレーターおよび中性子検出装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3089418B1 (ja) * | 1999-06-14 | 2000-09-18 | 東北大学長 | フッ化リチウムカルシウムアルミニウム単結晶およびその製造方法 |
JP2002060299A (ja) * | 2000-08-14 | 2002-02-26 | Tokin Corp | フッ化リチウムカルシウムアルミニウム単結晶とその製造方法 |
JP2007045869A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Stella Chemifa Corp | 低吸湿性ハロゲン置換フッ化物シンチレータ材料、及び放射線検出器及び検査装置 |
JP2013116926A (ja) * | 2010-03-19 | 2013-06-13 | Tokuyama Corp | 中性子検出用シンチレーター、中性子線検出器及び中性子線撮像装置 |
-
2011
- 2011-11-01 EP EP11838031.0A patent/EP2636772B1/en not_active Not-in-force
- 2011-11-01 JP JP2012541879A patent/JP5877417B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-11-01 WO PCT/JP2011/075196 patent/WO2012060381A1/ja active Application Filing
- 2011-11-01 US US13/820,175 patent/US8933408B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004086089A1 (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-07 | Hokushin Corporation | 熱蛍光線量計用フッ化物単結晶材料及び熱蛍光線量計 |
WO2009119378A1 (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-01 | 株式会社トクヤマ | 中性子検出用シンチレーターおよび中性子検出装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6015040998; Y.Yokota: 'Effects of charge compensation by Na+ co-doping for Ce3+ doped LiCaAlF6 single crystals.' IEEE , 201010, 223-225 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130161519A1 (en) | 2013-06-27 |
EP2636772A1 (en) | 2013-09-11 |
EP2636772B1 (en) | 2017-02-01 |
WO2012060381A1 (ja) | 2012-05-10 |
JPWO2012060381A1 (ja) | 2014-05-12 |
EP2636772A4 (en) | 2014-10-08 |
US8933408B2 (en) | 2015-01-13 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
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|
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