JP5873094B2 - 入射放射線検出器パッケージング - Google Patents

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Description

本願は、入射放射線検出器のパッケージングに関する。
パッケージングされた焦点面(フォーカルプレーン)アレイは、検出器アレイと、関連付けられた基準検出器アレイ及び読み出し回路と、これら検出器アレイ、基準検出器アレイ及び読み出し回路をシール(密閉)する透過性のカバー(覆い)とを有する。カバーはシールリングを介してシールされ得る。シールリングは、透過性カバーに接触する第1のコンポーネントと、検出器アレイ、基準検出器アレイ及び読み出し回路を備えた基板に接触する第2のコンポーネントとの、2つのコンポーネントを有し得る。これら2つのコンポーネントは、これら2つのコンポーネントを共にシールするように、共にアライメントされてはんだ付けされ得る。
一部の状況において、透過性カバーの表面のうちの一方は、シールリングの2つのコンポーネントを形成するのに使用されるのと同じ金属(例えば、金)から製造されるのが典型的である赤外線シールド(遮蔽体)を含み得る。従って、赤外線検出器をシールするために使用されるはんだは、シールリングに対してと同じように、該シールドに対して濡れ性を有する。もし、はんだがシールリングからマイグレート(移動)してシールドに濡れ広がると、シールドは、より多くのはんだを当該シールド上に引き込み得る。これは、シールからはんだを枯渇させて気密シールを妨げてしまい得るとともに、潜在的に基準検出器アレイを回路短絡させてしまい得る。はんだがシールドまで濡れ広がることを防止する一般的な一手法は、各シールドの寸法を、対応する基準検出器アレイの寸法よりほんの僅かに大きくすることである。そして、シールリングは、接合プロセス中に押し出されるはんだがシールドまで濡れ広がることを防止するのに十分な隙間がシールリングとシールドとの間に存在するようにしながら、十分に大きく設計される。
特定の実施形態によれば、入射放射線検出器をパッケージングする方法、及びパッケージングされた入射放射線検出器が提供される。
特定の実施形態によれば、入射放射線検出器をパッケージングする方法は、少なくとも1つの検出器を覆うように構成された透明な蓋基板の第1表面に、不透明なはんだ耐性材料を堆積することを含む。当該方法はまた、蓋基板内に少なくとも1つのキャビティを形成することを含む。当該方法は更に、不透明なはんだ耐性材料上に少なくとも1つの気密シールリングの第1部分を形成することを含む。各気密シールリングの第1部分は、蓋基板内の対応するキャビティの周囲を囲む。当該方法はまた、前記少なくとも1つの気密シールリングの第1部分を、前記少なくとも1つの気密シールリングの第2部分とアライメントすることを含む。当該方法は更に、はんだを用いて、前記少なくとも1つの気密シールリングの第1部分を、前記少なくとも1つの気密シールリングの第2部分と接合することを含む。
特定の実施形態は、1つ以上の技術的利点をもたらし得る。例えば、一実施形態の1つの技術的利点は、1つ以上の基準検出器アレイを遮蔽するために使用される不透明層が、接合剤との接合に耐性を有し得ることである。これにより、接合剤が不透明層上に広がって基準検出器アレイ又は検出器アレイを短絡させる可能性が低減され得る。これは、基準検出器アレイを検出器アレイの一層近くに位置付けることを可能にし、それにより、パッケージングされた赤外線検出器を小型化することを可能にし得る。以下の説明、特許請求の範囲及び図面から、その他の技術的利点がただちに当業者に明らかになる。また、具体的な利点を以上にて挙げたが、様々な実施形態は、ここに挙げた利点の全て又は一部を含むこともあるし、これらの利点を含まないこともある。
特定の実施形態及びそれらの利点の更に十分な理解のため、以下の図を含む添付図面とともに以下の説明が参照される。
特定の実施形態に従った蓋ウェハ及び検出器ウェハを示す斜視図である。 特定の実施形態に従った単一の赤外線検出器の蓋の下側を示す上面図である。 特定の実施形態に従ったパッケージングされた赤外線検出器の一部を示す側面図である。 特定の実施形態に従った赤外線検出器をパッケージングする方法を示す図である。
図1は、特定の実施形態に従った蓋ウェハ及び検出器ウェハの斜視図を示している。蓋ウェハ120及び検出器ウェハ110は、パッケージングされた赤外線検出器100の2つのコンポーネントとし得る。蓋ウェハ120は、検出器ウェハ110の基板上に形成された複数の異なる検出器アレイ170と基準検出器アレイ190とのカバーとして機能し得る。蓋ウェハ120と検出器ウェハ110は、蓋シールリング160が検出器シールリング180とアライメント(位置合わせ)されるようにアライメントされ得る。アライメントされたシールリングは、共に接合されて、複数の検出器アレイ170とそれらの対応する基準検出器アレイ190とを周囲環境からシールし得る。蓋ウェハ120の下側は、不透明層130を有する。不透明層130は2つの機能を提供し得る。第1に、不透明層130は、蓋ウェハと検出器ウェハとを共にシールするのに使用される接合剤と接合しないようにされ得る。例えば、接合剤がはんだである場合、はんだは不透明層130まで濡れ広がらない。第2に、不透明層130は、基準検出器アレイ190を、検出器アレイ170によって検出される入射放射線から遮蔽し得る。様々な構成要素の更なる特徴及び機能については後述する。
検出器ウェハ110は、好適な数の検出器アレイ170が上に形成された基板(例えば、シリコンベースの基板)を有し得る。検出器アレイの数は、蓋ウェハ120内のキャビティ(空洞、穴)150の数に一致し得る。
蓋ウェハ120は蓋基板140及び不透明層130を有し得る。蓋基板140は、検出器アレイ170を覆ってシールするために使用される何らかの好適なシリコン(例えば、チョクラルスキーシリコンウェハ、磁気閉じ込めチョクラルスキーシリコンウェハ、フローティングゾーンシリコンウェハ)とし得る。一部の実施形態において、蓋基板140はシリコン以外の材料を含んでいてもよい。一部の実施形態において、蓋基板140は、可視光及び赤外光(例えば、3μmと14μmとの間の光)の双方を含む多様な波長の入射放射線に対して透過性とし得る。一部の実施形態において、蓋ウェハ120はおよそ200μmと1500μmとの間の厚さとし得る。例えば、特定の実施形態において、蓋ウェハ120はおよそ725μmの厚さとし得る。一部の実施形態において、蓋ウェハ120は更なる層(レイヤ)を有していてもよい。例えば、蓋ウェハ120は、キャビティ150が内部に形成されたシリコン・オン・インシュレータ(SOI)材料の層に接合されたフローティングゾーンシリコンの層を有し得る。
蓋ウェハ120は、蓋基板140内に形成された複数のキャビティ150を有し得る。各キャビティ150は、異なる1つの検出器アレイ170に対応することができ、対応する検出器アレイ170が該キャビティ内に適合(フィット)することができるように構成され得る(例えば、キャビティ150の長さ、幅及び深さは、検出器アレイ170の長さ、幅及び高さに基づき得る)。キャビティ150の深さは、検出器アレイ170の厚さと、検出器アレイ170と蓋基板140との間の所望の間隙の大きさとに応じて、様々にされ得る。キャビティ150は、対応する検出器アレイ170の上に延在し得るが、基準検出器アレイ190の上には延在しない。これは、不透明層130が基準検出器アレイ190を光及び/又は入射放射線から遮蔽することを可能にし得る。
キャビティ150は、不透明層130が蓋基板140上に堆積される前又は後の何れかに実行される多様な技術のうちの何れかを用いて、蓋基板140内に形成され得る。例えば、一部の実施形態において、先ず不透明層130が堆積され、その後、同じフォトリソグラフィマスクを用いて、不透明層130及び蓋基板140の双方内に(例えば、ディープ(深)反応性イオンエッチング技術を用いて)キャビティ150がエッチングされ得る。他の一例として、一部の実施形態において、キャビティ150が蓋基板140内に形成された後に、不透明層130が堆積されてもよい。そのような実施形態において、不透明層は、キャビティ150の周囲に堆積されてもよいし、全体に堆積された後にキャビティ150から除去されてもよい。シリコン層140がキャビティ150を通じて露出されるように不透明層130を堆積するその他の技術も使用され得る。
不透明層130は、蓋基板140の表面に堆積された、光学的且つ/或いは熱的に遮断する(例えば、赤外線)遮断層を有し得る。特定の実施形態において、不透明層130は、蓋ウェハ120と検出器ウェハ110とを共に接合するために使用される接合材の流れを制限し得る。接合材がシールリングを超えて広がることを防止することによって、不透明層130は、検出器シールリング180と基準検出器アレイ190との間の、より小さい間隙と、基準検出器アレイ190とキャビティ150のエッジとの間の、より小さい間隙と、を可能にし得る。これは、検出器ウェハ110のダイ数を増加させることが可能な、より小型の赤外線検出器設計(例えば、より小さいダイサイズ)を可能にし得る。一部の実施形態において、不透明層130はチタン−タングステン(TiW)を有し得る。TiWは、例えばはんだ(例えば、金(80%)−錫(20%))等の接合材が濡れることを防止し得る。TiWはまた、概して不透明であり、光及び/又は入射放射線(例えば、赤外線)を遮断し得る。これは、不透明層130が基準検出器アレイ190を光及び/又は入射放射線から遮蔽することを可能にし得る。特定の実施形態において、不透明層130は、チタン(例えば、自然酸化膜又はその他処理による酸化層を有するチタン)、窒化チタン、又は、入射放射線を遮断し且つ接合剤との接合に抗い得るその他の好適材料を有していてもよい。実施形態に応じて、不透明層130は、キャビティ150が形成される前に蓋基板140(又はその一部)上に堆積され得る。一部の実施形態において、不透明層130及び蓋基板140内に、同じフォトリソグラフィマスクを用いて、キャビティ150が形成され得る。これは、別々のマスクを用いるのと比較して、製造工程数を削減し得る。同じマスクの使用はまた、不透明層130がキャビティ150のエッジに至るように堆積されることを可能にし得る。これは、基準検出器アレイ190に到達することが可能な光及び/又は入射放射線の内部反射の量を減少させ得る。
一部の実施形態において、不透明層130は2つ以上の点検用開口(図示せず)を有していてもよい。点検用開口は、接合前に蓋シールリング160と検出器シールリング180とのアライメントを視覚的に検査するために使用され得る観察窓を提供し得る。点検用開口はまた、接合後にアライメントを検査するために使用されてもよい。点検用開口は、不透明層130のあちこちの様々な箇所に配置され得る。例えば、一部の実施形態において、点検用開口は不透明層130の周縁部付近に配置され得る。他の一例として、点検用開口は、蓋シールリング160のうちの1つ、一部又は全ての近傍に配置されてもよい。
蓋シールリング160及び検出器シールリング180は、パッケージングされた赤外線検出器のシールリングの2つのコンポーネントとし得る。シールリングのこれら2つのコンポーネントは、赤外線検出器の構成要素を囲む如何なる形状の閉ループを形成してもよい。図示した実施形態において、蓋シールリング160はキャビティ150を囲み、検出器シールリング180は検出器アレイ170と基準検出器アレイ190とを囲む。これらシールリングの一方又は双方に接合剤が塗布されて、蓋シールリング160と検出器シールリング180との間のシールが形成され得る。
シールリングの双方のコンポーネントは、異なる金属の複数の層を有していてもよい。例えば、これらは、チタン(Ti)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)、及び金(Au)で構成され得る。その他の同様な金属が使用されてもよく、また、より少ない層又は更なる層が使用されてもよい。一部の実施形態において、蓋シールリング160は不透明層130上に形成され得る。そのような一実施形態において、不透明層130は、蓋シールリング160の複数の層のうちの1つを有していてもよい。特定の実施形態において、頂部層(例えば、各それぞれのウェハから最も離れた層)は、金、又は接合剤が容易に接合するその他の材料を有し得る。
検出器アレイ170は、例えば長波長赤外線検出器、短波長赤外線検出器、近赤外線検出器、又は熱的あるいはその他の方法で画像を捕捉することが可能なその他の検出器など、多様な異なる検出器のうちの何れかを含み得る。使用される検出器アレイ170の種類は、パッケージングされた赤外線検出器に意図される用途に依存し得る。例えば、パッケージングされた赤外線検出器は、ビデオカメラ、静止画像カメラ、前方監視赤外線システム(FLIR)、及びこれらに類するものに使用され得る。特定の実施形態において、各検出器アレイ170は、2次元アレイ状の個々の検出器を有し得る。個々の検出器の各々は独立に入射放射線に応答し得る。2次元アレイの寸法は、意図される用途に応じて様々とし得る。例えば、一部の実施形態において、2次元アレイは、640列×480行に配列された個々の検出器を有し得る。一部の実施形態において、検出器アレイ170は、マイクロボロメータ検出器アレイを有し得る。各マイクロボロメータは、入射放射線によって引き起こされる温度の変化による抵抗の変化を被り得る。
基準検出器アレイ190は、検出器アレイ170に使用される検出器のアレイと種類的に同様の検出器のアレイを有し得る。しかしながら、基準検出器アレイ190における検出器の数は、検出器アレイ170に使用される検出器の数より少なくされ得る。基準検出器アレイ190は、キャビティ150内及び/又は検出器アレイ170の基板の周囲温度を測定するために使用され得る。これらの測定は、検出器アレイ170によって生成される測定値を校正あるいは調整するために使用され得る。不透明層130が、基準検出器アレイ190を、検出器アレイ170によって検出される光及び/又は入射放射線から遮蔽し得る。これにより、より正確な周囲温度の測定を検出器アレイ170の検出器に関連付ける基準検出器アレイ190が提供される。
図2は、特定の実施形態に従った単一の赤外線検出器の蓋の下側の上面図を示している。鎖線は単に、基準検出器アレイ290及び検出器アレイ270の、蓋220のその他の構成要素に対する相対位置及びアライメントを示すために提示されている。
蓋220において、不透明層230は、蓋基板240の外縁からキャビティ250のエッジまで延在している。不透明層230とキャビティ250との間には、殆ど或いは全く隙間が存在していない。これは、光及び/又は入射放射線からの基準検出器アレイ290の効果的な遮蔽をもたらし得る。また、接合剤が不透明層230に接着する懸念がないので、シールリング260は、不透明層230の直上に、基準検出器アレイ290から比較的短い距離で形成され得る。これは、より小型のパッケージングされた入射放射線検出器を可能にし得る。
蓋シールリング260は不透明層230上に堆積されている。蓋シールリング260は、キャビティ250の周囲に完全なるループを形成している。不透明層230は、蓋220を検出器ウェハ(図示せず)にシールするために使用される接合剤に対して、耐性を有し、あるいは接合しない。例えば、接合剤がはんだを有する場合、不透明層230の材料(例えば、TiW)は、はんだが不透明層230に濡れることを容易には可能にしない。はんだの表面張力は、はんだをシールリング内に保持する助けとなり得る。これは、蓋シールリング260の内側エッジと基準検出器アレイ290との間の距離、及び蓋シールリング260の内側エッジと不透明層230の内側エッジとの間の距離、を短縮することを可能にし得る。
図3は、特定の実施形態に従ったパッケージングされた赤外線検出器の一部の側面図を示している。パッケージングされた赤外線検出器300は、蓋ウェハ320が検出器ウェハ310にシールされた完成後の(例えば、パッケージングされた)製品の一部を有している。シールされたキャビティ350内に、検出器アレイ370及び基準検出器アレイ390がある。一部の実施形態において、シールされたキャビティ350は気密シールされているとし得る。
蓋基板340は、動作要求に応じて多様な異なる波長のうちの何れかにある光及び/又は入射放射線に対して、実質的に透過性とし得る。これは、光及び/又は入射放射線が検出器アレイ370に到達することを可能にし得る。キャビティ350は、検出器アレイ370上に延在し得るが、基準検出器アレイ390の上には延在していない。不透明層330はキャビティ350のエッジまで延在し得る。一部の実施形態において、これは、同一のフォトリソグラフィマスクを用いて蓋基板340及び不透明層330の双方内にキャビティ350を形成することによって為され得る。基準検出器アレイ390は、不透明層330により、光及び/又は入射放射線から遮蔽され得る。
蓋ウェハ320及び検出器ウェハ310は、蓋シールリングと検出器シールリングとの間に配設された接合剤365を用いて共にシールされ得る。蓋シールリングは、不透明層330と、層360a及び360bを含んだ積層金属のスタック(積層体)とを有し得る。特定の実施形態において、不透明層330はチタン(例えば、自然酸化膜又はその他処理による酸化層を有するチタン、TiW、窒化チタンなど)を有することができ、層360aはニッケルを有することができ、層360bは金を有し得る。検出器シールリングは、層380a、380b及び380cを含んだ積層金属のスタックを有し得る。一部の実施形態において、層380cはチタンを有することができ、層380bはニッケルを有することができ、層380aは金を有し得る。例えば白金などのその他の材料も同様に用いられ得る。層360b及び380aはどちらも同じ材料(例えば、金)からなり得る。使用される材料は、接合剤365と容易に接合するものとし得る。例えば、はんだは金に容易に濡れ広がる。逆に、不透明層330に使用される材料は、接合剤が容易に接合しないように選択され得る。例えば、はんだは容易にはチタン−タングステンに濡れ広がらない。
特定の実施形態において、接合剤365、層360b及び380a、並びに不透明層330に使用される材料は、接合剤365が層360b及び380aには容易に接合するが不透明層330には容易に接合しないように、連携して選択され得る。例えば、接合剤365は金−錫はんだ(例えば、金(80%)−錫(20%)はんだ)を有することができ、層360b及び380aは金を有することができ、そして、不透明層はチタン−タングステンを有することができる。動作上又は製造上のニーズに応じてその他の材料の組合せも用いられ得る。接合剤は層360b及び380aに容易に接合し得るが不透明層330には接合しないので、接合中にシールリングから外に広がり得る如何なる接合剤材料も、層360b及び380aと比較しての不透明層330の濡れ耐性により、シール内へと後戻りし得る。
ここまで、幾つかの異なる実施形態及び特徴を提示してきた。特定の実施形態は、動作ニーズ及び/又は部品制約に応じて、これらの特徴のうちの1つ以上を組み合わせ得る。これは、パッケージングされた赤外線検出器の、様々な団体及びユーザのニーズに対する大きな適応性を可能にし得る。一部の実施形態は更なる特徴を含み得る。また、赤外線検出器に焦点を当ててきたが、例えば微小電気機械システム(MEMS)デバイスなどのその他のデバイスも同様の特徴(例えば、接合剤との接合に耐性を有する層の使用)を有することができる。
図4は、特定の実施形態に従った赤外線検出器をパッケージングする方法を示している。この方法は、ステップ410にて、複数の検出器アレイの形成で開始する。複数の検出器アレイは、検出器ウェハの単一基板上に形成された独立した検出器アレイとし得る。各検出器アレイは、個々の検出器の2次元アレイを有し得る。例えば、個々の検出器はマイクロボロメータを有し得る。特定の実施形態は、その他の種類の赤外線検出器又はその他の種類の検出器を含み得る。
ステップ415にて、複数の基準検出器アレイが形成される。基準検出器アレイは、ステップ410で形成された検出器アレイと機能的に同様とし得る。しかしながら、各基準検出器アレイ内の検出器数は、検出器アレイ内の検出器数より少なくすることができ、基準検出器アレイは、光及び/又は入射放射線から遮蔽され得る。基準検出器アレイは、周囲温度(例えば、検出器アレイが上に形成された基板の温度)を指し示すものを提供するように構成され得る。ステップ410で形成された各検出器アレイは、ステップ415で形成された基準検出器アレイを、少なくとも1つ、又は一部の例において少なくとも2つ含み得る。
ステップ420にて、複数の検出器シールリングが形成される。各検出器シールリングは、対応する検出器アレイとそれに付随する基準検出器アレイとを取り囲み得る。例えば、検出器ウェハが20個の検出器アレイを有する場合、20個の検出器シールリングがステップ420で形成され得る。各シールリングは、検出器アレイとそれに付随する基準検出器とのサイズより僅かに大きくされ得る。検出器シールリングは、検出器アレイ及びそれに付随する基準検出器アレイをキャビティ内に気密シールするために使用され得るハーメチックシールの一構成要素とし得る。一部の実施形態において、キャビティは真空状態にされ得る。一部の実施形態において、検出器シールリングは複数の異なる材料のスタックを有していてもよい。例えば、そのスタックは、チタンニッケル金を含むことができ、金層がスタックの頂部(例えば、検出器アレイが上に形成された基板から最も離れた部分)にあるようにされ得る。一部の実施形態において、ステップ410乃至420は概して、検出器ウェハを形成することと見なされ得る。
ステップ425にて、蓋基板の表面に不透明材料が堆積される。蓋基板は、熱的且つ/或いは光学的に透明なシリコンウェハとし得る。一部の実施形態において、シリコン以外の材料を有していてもよい。不透明材料は、光及び/又は入射放射線を遮断するように構成され得る。不透明材料は、ステップ455(後述)で使用される接合剤との接合に対して耐性を有し得る。例えば、不透明材料は、溶融されたはんだが濡れない例えばチタン、チタン−タングステン又は窒化チタンなどの金属とし得る。
ステップ430にて、不透明層にフォトレジストマスクが設けられる。フォトレジストマスクは、蓋基板及び不透明材料の双方内にエッチングされるべきパターンを画成し得る。該パターンは、不透明材料内の複数のウィンドウ(窓)及び蓋基板内の複数のキャビティを含み得る。ウィンドウ及びキャビティの数は、ステップ410で形成された検出器アレイの数に一致し得る。
ステップ435にて、不透明材料内にウィンドウが形成され、ステップ440にて、蓋基板内にキャビティが形成される。ステップ435でウィンドウを形成する際、不透明材料の一部が除去され得る。同様に、蓋基板内にキャビティを形成する際、蓋基板の一部が除去され得る。キャビティは、蓋基板の総厚の一部を貫いて延在して、検出器アレイを覆うことになる蓋基板の少なくとも一部を残す。不透明材料内のウィンドウと蓋基板内のキャビティとの双方が、同一のフォトレジストマスクから形成され得る。これは、不透明材料内のウィンドウと蓋基板内のキャビティとの双方の寸法のうちの少なくとも2つが実質的に同等になって、不透明材料が蓋基板内のキャビティのエッジに至るまで延在すること、を確保する助けとなり得る。同一マスクの使用はまた、パッケージングされた赤外線検出器を製造するのに要する工程数を削減し得る。
不透明材料内のウィンドウと蓋基板内のキャビティとの双方が、ステップ415で形成された赤外線検出器と実質的にアライメントされ得る。これは、入射放射線(例えば、赤外線)が検出器アレイに到達することを可能にし得る。ウィンドウ及びキャビティはステップ415で形成された基準検出器アレイ上までは延在しないので、ウィンドウの形成後に残存する不透明材料は、入射放射線が基準検出器アレイに到達することを阻止するために使用され得る。キャビティが形成されると、ステップ445にて、フォトレジストマスクが除去される。
ステップ450にて、複数の蓋シールリングが形成される。蓋シールリングは、ステップ420で形成された検出器シールリングと同様の金属スタックを有していてもよい。例えば、この金属スタックは、チタン、ニッケル及び金を含み得る。一部の実施形態において、このスタックの底部層は上記不透明層を有していてもよい。例えば、不透明層がTiWである場合、蓋シールリングの底部層はTiWとなり得る。このスタックの残りの部分がニッケル及び金にされ得る。各蓋シールリングは、蓋基板内のキャビティ及び不透明材料内のウィンドウを、それらより僅かに大きくであるが、取り囲み得る。蓋基板内のキャビティと蓋シールリングのエッジとの間の間隙は、従来技術を用いて製造・パッケージングされる従来のようにカバーされる検出器アレイにおいてより、有意に小さくなり得る。蓋シールリングの形状は、ステップ420で形成される検出器シールリングの形状及びサイズに対応し得る。一部の実施形態において、ステップ425乃至450は概して、蓋ウェハを形成することと見なされ得る。
ステップ455にて、接合剤が塗布される。接合剤は、蓋シールリング、検出器シールリング、又はこれら双方、の何れかに塗布され得る。接合剤は、検出器ウェハを蓋ウェハにシールするために使用される如何なる種類の接合材料であってもよい。例えば、接合剤は、例えば金−錫はんだ(例えば、金(80%)−錫(20%)はんだ)などのはんだとし得る。特定の実施形態において、接合剤は、検出器シールリング及び蓋シールリングには接着するが上記不透明材料には接着あるいは接合しないようにされ得る。例えば、はんだの場合、接合剤は、検出器シールリング及び蓋シールリングに対しては容易に濡れ広がるが、上記不透明材料には濡れ広がらない。
ステップ460にて、検出器シールリングが蓋シールリングとアライメントされる。検出器シールリングと蓋シールリングとを位置合わせする際に、不透明材料内のウィンドウ及び蓋基板内のキャビティが、ステップ410で形成された検出器アレイと位置合わせされることになる。上述のように、これは、熱的且つ/或いは光学的に透過性の窓が検出器アレイのカバー(覆い)となることを可能にする。これは、光及び/又は入射放射線が検出器アレイに到達することを依然として可能にしながら、検出器アレイの保護を実現し得る。また、不透明層がキャビティ部を除いて蓋ウェハを覆っているので、その不透明材料により、光及び/又は入射放射線が基準検出器アレイに到達することを阻止することができる。
ステップ465にて、蓋ウェハが検出器ウェハと接合される。これにより、検出器アレイが内部に封止された、シールされた容積部が作り出され得る。接合剤としてはんだが使用される一部の実施形態において、ステップ465は、はんだを液体状態に溶融することを有し得る。液体状態において、はんだは上記不透明材料上まで広がり得る。しかしながら、上記不透明材料は接合剤と接合しないので(例えば、はんだは上記不透明材料に対して容易には濡れない)、はんだが冷え始めるときに、はんだはシールリング内に引き返し、それにより、シールリングの外へのはんだの広がりが低減あるいは排除され得る。これは、シールリングを基準検出器アレイ及び/又は検出器アレイに近付けることを可能にし得る。
図4に示したステップ群の一部は適宜、結合、変更あるいは削除されてもよく、また、更なるステップがフローチャートに追加されてもよい。さらに、ステップ群は、特定の実施形態の範囲を逸脱することなく、如何なる好適な順序で実行されてもよい。図4に示したステップ群は、特定の実施形態に関して実行されるステップ群の単なる一例であり、他の実施形態は、異なる順序に並べられた異なるステップ群を使用し得る。例えば、一部の実施形態において、蓋基板の表面に不透明材料が堆積される前に、蓋基板内にキャビティが形成されてもよい。そのような一実施形態において、(蓋基板内にキャビティが形成される)ステップ440は、(蓋基板の表面に不透明材料が堆積される)ステップ425の前に実行され得る。また、そのような一実施形態において、堆積される不透明材料は、キャビティを形成する蓋基板の部分上のみに堆積され得る。他の一例として、一部の実施形態において、この方法は、既に形成済みの検出器ウェハを受け入れることを含み得る。そのような状況においては、ステップ410、415及び/又は420は、検出器ウェハを受け入れる単一のステップで置換され得る。
特定の実施形態を詳細に説明してきたが、理解されるように、これらの実施形態には、本開示の精神及び範囲を逸脱することなく、様々なその他の変形、代用、組合せ、及び改変が為され得る。特定の実施形態は、添付の請求項の精神及び範囲に入る限りにおいて、そのような全ての変形、代用、改変及び変更を包含するものである。例えば、パッケージングされた赤外線検出器に含まれる多数の要素(例えば、キャビティ、検出器アレイ、基準検出器アレイ、シールリング、不透明層、及び接合剤)を参照して実施形態が説明されているが、これらの要素は、具体的な検出ニーズ又は製造ニーズに適合するよう、結合され、再編成され、変形され、あるいは位置変更され得るものである。また、これらの要素のうちの何れかが、適宜、互いに統合された内部コンポーネント、又は互いに別々の外部コンポーネントとして設けられてもよい。特定の実施形態は、これらの要素及びそれらの内部コンポーネントの構成における大きな柔軟性を企図するものである。

Claims (19)

  1. 入射放射線検出器をパッケージングする方法であって、
    検出器ウェハを形成する工程であり:
    検出器基板上に複数の検出器アレイを形成する工程であり、各検出器アレイが複数の個々の検出器を有する、工程;
    前記検出器基板上に複数の基準検出器アレイを形成する工程であり、前記複数の検出器アレイの各々に少なくとも1つの基準検出器アレイが付随する、工程;及び
    前記検出器基板上に複数の検出器シールリングを形成する工程であり、各検出器シールリングが少なくとも1つの検出器アレイと少なくとも1つの基準検出器アレイとを囲む、工程;
    を有する、検出器ウェハを形成する工程と、
    蓋ウェハを形成する工程であり:
    蓋基板の第1表面に不透明材料を堆積する工程;
    前記不透明材料内に複数のウィンドウを形成する工程;
    前記蓋基板内に複数のキャビティを形成する工程;及び
    前記不透明材料内に部分的に形成された複数の蓋シールリングを形成する工程であり、前記不透明材料は、前記複数の蓋シールリングの各蓋シールリングの少なくとも1つの層を有し、各蓋シールリングが前記不透明材料内の少なくとも1つのウィンドウを囲む、工程;
    を有する、蓋ウェハを形成する工程と、
    前記複数の検出器シールリングと前記複数の蓋シールリングとのうちの少なくとも一方に接合剤を塗布する工程と、
    前記複数の検出器シールリングを前記複数の蓋シールリングとアライメントする工程と、
    合剤を用いて前記蓋ウェハ及び前記検出器ウェハを共に接合する工程であり、前記不透明材料は、前記接合剤が接着しない材料を有する、工程と、
    を有する方法。
  2. 前記不透明材料内の前記複数のウィンドウの各々の第1の寸法及び第2の寸法は、前記蓋基板内の前記複数のキャビティの各キャビティの第1の寸法及び第2の寸法と同等である、請求項1に記載の方法。
  3. 前記接合剤ははんだを有する、請求項1に記載の方法。
  4. 前記不透明材料はチタン−タングステンを有する、請求項1に記載の方法。
  5. 入射放射線検出器をパッケージングする方法であって、
    少なくとも1つの検出器を覆うように構成された透明な蓋基板の第1表面に、不透明材料を堆積する工程と、
    前記蓋基板内に少なくとも1つのキャビティを形成する工程と、
    前記不透明材料内に部分的に形成された少なくとも1つの気密シールリングの第1部分を形成する工程であり、前記不透明材料は、前記少なくとも1つの気密シールリングの少なくとも1つの層を有し、前記少なくとも1つの気密シールリングの該第1部分が、前記蓋基板内の対応するキャビティの周囲を囲む、工程と、
    前記少なくとも1つの気密シールリングの前記第1部分を、前記少なくとも1つの気密シールリングの第2部分とアライメントする工程であり、前記少なくとも1つの気密シールリングの前記第2部分は、前記少なくとも1つの検出器を有する基板に結合されている、工程と、
    はんだを用いて、前記少なくとも1つの気密シールリングの前記第1部分を、前記少なくとも1つの気密シールリングの前記第2部分と接合する工程であり、前記不透明材料は、前記はんだが濡れ広がらない材料を有する、工程と、
    を有する方法。
  6. 当該方法は更に、前記不透明材料内に少なくとも1つのウィンドウを形成する工程を有し、前記ウィンドウは、各検出器に対応する前記不透明材料の部分を除去したものであり、前記不透明材料の残部が、各検出器に付随する少なくとも1つの基準検出器を覆う、請求項5に記載の方法。
  7. 前記蓋基板内に前記キャビティを形成する工程は、
    フォトレジストマスクを設け、
    前記フォトレジストマスクに基づいて、前記不透明材料内にウィンドウを形成し、
    前記フォトレジストマスクに基づいて、前記蓋基板内に前記キャビティを形成し、且つ
    前記フォトレジストマスクを除去する
    ことを有する、請求項5に記載の方法。
  8. 前記キャビティは、検出器を覆うように構成された前記透明な蓋基板の第1表面に前記不透明材料を堆積する工程の前に、前記蓋基板内に形成される、請求項5に記載の方法。
  9. 前記透明な蓋基板の第1表面に前記不透明材料を堆積する工程は、前記透明な蓋基板の第1表面に、チタン−タングステンを有する不透明材料を堆積することを有する、請求項5に記載の方法。
  10. 前記検出器はマイクロボロメータ検出器のアレイを有する、請求項5に記載の方法。
  11. 前記少なくとも1つの気密シールリングの前記第1部分を形成する工程は、少なくとも二層の金属を堆積することを有し、該二層のうちの少なくとも一方は金を有する、請求項5に記載の方法。
  12. パッケージングされた入射放射線検出器であって、
    検出器と少なくとも1つの基準検出器とを覆う透明なシリコン層と、
    前記シリコン層に結合され且つ前記少なくとも1つの基準検出器を覆う不透明層であり、前記検出器を露出させる開口を含んだ不透明層と、
    前記不透明層内に部分的に形成され且つ前記不透明層に結合された蓋シールリングであり、前記不透明層が該蓋シールリングの少なくとも1つの層を有する、蓋シールリングと、
    前記検出器と前記少なくとも1つの基準検出器とを有する検出器基板と、
    前記検出器基板に結合された検出器シールリングと、
    前記蓋シールリングと前記検出器シールリングとを共に接合するように構成された接合層であり、前記不透明層の材料に接着しない接合剤を有する接合層と、
    を有するパッケージングされた入射放射線検出器。
  13. 前記透明なシリコン層内のキャビティであり、前記検出器とアライメントされるように前記シリコン層内に位置付けられたキャビティと、
    前記不透明層内のウィンドウであり、前記シリコン層内の前記キャビティとアライメントされて、前記検出器を露出させるように構成されたウィンドウと、
    を更に有する請求項12に記載のパッケージングされた入射放射線検出器。
  14. 前記不透明層内に形成された複数の点検窓を更に有する請求項12に記載のパッケージングされた入射放射線検出器。
  15. 前記透明なシリコン層内の前記キャビティ及び前記不透明層内の前記ウィンドウは、少なくとも2つの同等な寸法を有する、請求項13に記載のパッケージングされた入射放射線検出器。
  16. 前記接合剤は、前記不透明層の前記材料に濡れ広がらないはんだを有する、請求項12に記載のパッケージングされた入射放射線検出器。
  17. 前記不透明層の前記材料はチタン−タングステンを有する、請求項12に記載のパッケージングされた入射放射線検出器。
  18. 前記検出器はマイクロボロメータ検出器のアレイを有する、請求項12に記載のパッケージングされた入射放射線検出器。
  19. 前記蓋シールリングは少なくとも二層の金属を有し、該二層のうちの少なくとも一方は金を有し、且つ
    前記検出器シールリングは少なくとも二層の金属を有し、該二層のうちの少なくとも一方は金を有する、
    請求項12に記載のパッケージングされた入射放射線検出器。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103728025A (zh) * 2012-10-10 2014-04-16 中国科学院微电子研究所 一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器
US8736045B1 (en) 2012-11-02 2014-05-27 Raytheon Company Integrated bondline spacers for wafer level packaged circuit devices
US9673169B2 (en) 2013-02-05 2017-06-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for a wafer seal ring
US9287188B2 (en) * 2013-02-05 2016-03-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for a seal ring structure
JP2014186006A (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 Toshiba Corp 赤外線撮像装置および赤外線撮像モジュール
NO2944700T3 (ja) * 2013-07-11 2018-03-17
JP5997393B2 (ja) * 2013-09-27 2016-09-28 京セラ株式会社 蓋体、パッケージおよび電子装置
JP6344555B2 (ja) * 2014-05-28 2018-06-20 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体撮像装置
JP6891202B2 (ja) * 2014-08-11 2021-06-18 レイセオン カンパニー 応力低減レイヤを有する密封されたパッケージ
CN106414309B (zh) * 2014-08-11 2020-02-28 雷声公司 具有应力减小层的气密性密封封装
JP6891203B2 (ja) * 2014-08-11 2021-06-18 レイセオン カンパニー 応力低減レイヤを有する密封されたパッケージ
US9334154B2 (en) 2014-08-11 2016-05-10 Raytheon Company Hermetically sealed package having stress reducing layer
US9508681B2 (en) * 2014-12-22 2016-11-29 Google Inc. Stacked semiconductor chip RGBZ sensor
US9756273B2 (en) * 2015-03-04 2017-09-05 Sensors Unlimited, Inc. Multi-tiered tamper-resistant assembly system and method
CN104779214A (zh) * 2015-04-16 2015-07-15 歌尔声学股份有限公司 集成传感器的封装结构
US9771258B2 (en) 2015-06-24 2017-09-26 Raytheon Company Wafer level MEMS package including dual seal ring
US20170081178A1 (en) * 2015-09-22 2017-03-23 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor device package with seal structure
US9570321B1 (en) 2015-10-20 2017-02-14 Raytheon Company Use of an external getter to reduce package pressure
JP2018146263A (ja) 2017-03-01 2018-09-20 浜松ホトニクス株式会社 光検出器
CN107681017B (zh) * 2017-09-26 2019-04-09 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种自下而上生长AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的方法
JP7292077B2 (ja) * 2018-07-11 2023-06-16 三菱電機株式会社 パッケージ素子の製造方法およびパッケージ素子
US11515220B2 (en) * 2019-12-04 2022-11-29 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package structures and methods of manufacturing the same

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5962854A (en) * 1996-06-12 1999-10-05 Ishizuka Electronics Corporation Infrared sensor and infrared detector
JP2003531475A (ja) * 2000-02-02 2003-10-21 レイセオン・カンパニー 集積回路コンポーネントを備えたマイクロ電気機械システムデバイスの真空パッケージの製造
US6521477B1 (en) * 2000-02-02 2003-02-18 Raytheon Company Vacuum package fabrication of integrated circuit components
US6876052B1 (en) * 2000-05-12 2005-04-05 National Semiconductor Corporation Package-ready light-sensitive integrated circuit and method for its preparation
US20040232535A1 (en) * 2003-05-22 2004-11-25 Terry Tarn Microelectromechanical device packages with integral heaters
EP1820211B1 (en) 2004-12-07 2012-08-01 Thunderbird Technologies, Inc. Gate engineered fermi-fets with strained silicon channel and manufacturing method
US7262412B2 (en) * 2004-12-10 2007-08-28 L-3 Communications Corporation Optically blocked reference pixels for focal plane arrays
US20060257785A1 (en) * 2005-05-13 2006-11-16 Johnson Donald W Method of forming a photoresist element
JP4937623B2 (ja) * 2006-03-29 2012-05-23 シチズンホールディングス株式会社 半導体装置の製造方法
US8115305B2 (en) * 2007-05-17 2012-02-14 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with thin profile
JP4665959B2 (ja) 2007-11-30 2011-04-06 日本電気株式会社 真空パッケージ
US8173471B2 (en) * 2008-04-29 2012-05-08 Solid State System Co., Ltd. Method for fabricating micro-electro-mechanical system (MEMS) device

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